JP2010045105A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁基板上に、導体パターンからなる反射パターン11、給電パターン9及び中継パターン10を設け、3つの半導体発光素子のうち互いに隣接する2つの半導体発光素子の互いに極性の異なる電極同士を、中継パターン10を中継点として接続する2本のボンディングワイヤで電気的に接続すると共に、半導体発光素子の電極とボンディングワイヤの接合を全てボールボンド部を介して行うようにした。
【選択図】図2
Description
第1の貫通孔を有する第1の絶縁基板と、
前記第1の絶縁基板の下面に前記第1の貫通孔を塞ぐように配設された金属底板と、
前記第1の貫通孔内の前記金属底板上に配置された複数の半導体発光素子とを備え、
前記複数の半導体発光素子が直列接続されてなる半導体発光装置であって、
前記複数の半導体発光素子は、上面に対となる両電極を有し、
前記第一の絶縁基板上に形成され、前記半導体発光素子の電極とボンディングワイヤを介して電気的に接続されて外部からの給電を受ける一対の給電パターンと、
前記第一の絶縁基板上に前記給電パターと分離して形成され、前記複数の半導体発光素子のうち2つの半導体発光素子の互いに極性の異なる電極とボンディングワイヤを介して電気的に接続された中継パターンを有し、
前記半導体発光素子の電極とボンディングワイヤがボールボンド部を介して接合されていることを特徴とするものである。
前記給電パターンは前記第1の絶縁基板の側面を経由して底面まで延設され、前記中継パターンは前記第1の絶縁基板の端部まで延設されていることを特徴とするものである。
前記ボンディングワイヤが前記給電パターンに結線されたステッチボンド部が、前記ボールボンド部より高い位置に形成されることを特徴とするものである。
前記第1の絶縁基板上面に絶縁性接着層を介して貼り合わされた、前記第1の貫通孔よりも大きい第2の貫通孔を有する第2の絶縁基板を備えることを特徴とするものである。
具体的には、下部基板3の厚みd2を180μm、半導体発光素子Lの厚みd1を100μmとしている。中継パターンを下部基板3上に設け、下部基板3の厚みd2を半導体発光素子Lの厚みd1よりも厚くすることにより、ボールボンド部よりステッチボンド部を高い位置とすることができる。そして、ボールボンド部よりステッチボンド部を高い位置とすることにより、再結晶領域αへの負荷の少ないボンディングワイヤのループ形状を維持しやすく、ボンディングワイヤの破断強度を高め、信頼性の高い半導体発光装置を提供することができる。
特に、再結晶領域αは、ボールボンド部から約50〜150μmの範囲で形成されること、半導体発光装置の薄型化のためボンディングワイヤのループ高さが低いことが望まれること、および、下部基板のエッジ接触を避ける必要があることを考慮すると、ステッチボンド部は、ボールボンド部より約40〜120μm高い位置に形成されることが好ましい。
つまり、各中継パターンは、多数個取り下部基板においては電気的に接続された状態で形成され、後のダイシング工程を経て電気的に独立したものとして形成することができる。従って、中継パターンは、下部電極上において、ダイシング工程による切断面となる側面側の端部まで延設している。そして、給電パターンの形成される側面は、下部基板に設けたスルースリットの内周面により構成されるため、中継パターンは、給電パターンの形成されていない側面側の端部まで延設する。
絶縁性接着層には、ガラス繊維に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸したプリプレグ、エポキシ樹脂等からなる接着シート、あるいは、ガラスエポキシ基板の両面に接着シートが配置された多層構造のものを用いるなど、用途や仕様に応じて変更したものを用いることができる。
ダイシング工程において、下部基板のスルースリット(中央)に沿うダイシングライン27aと、直交するダイシングライン27bにより個片化されるため、半導体発光装置1の上部基板の4つの側面はいずれも切断面で構成され、半導体発光装置1の下部基板の4つの側面は、対向する2つの切断面と、該切断面に挟まれたスルースリット内周面で構成される。
2 第1の貫通孔
3 下部基板
4 第2の貫通孔
5 上部基板
6 絶縁性接着層
7 金属底板
8 凹部
9 給電パターン
9a、9b 給電パターン
10 中継パターン
10a、10b 中継パターン
11 反射パターン
12 ボンディングワイヤ
12a、12b、12c、12d、12e、12f ボンディングワイヤ
13 ボールボンド部
14 ステッチボンド部
15 光出射面
16 封止樹脂
20 貫通スリット
21 絶縁基板
22 導体パターン
23 多数個取り下部基板
24 端部
25 多数個取り上部基板
26 多数個取り貼り合わせ基板
27a、27b ダイシングライン
Claims (4)
- 第1の貫通孔を有する第1の絶縁基板と、
前記第1の絶縁基板の下面に前記第1の貫通孔を塞ぐように配設された金属底板と、
前記第1の貫通孔内の前記金属底板上に配置された複数の半導体発光素子とを備え、
前記複数の半導体発光素子が直列接続されてなる半導体発光装置であって、
前記複数の半導体発光素子は、上面に対となる両電極を有し、
前記第一の絶縁基板上に形成され、前記半導体発光素子の電極とボンディングワイヤを介して電気的に接続されて外部からの給電を受ける一対の給電パターンと、
前記第一の絶縁基板上に前記給電パターと分離して形成され、前記複数の半導体発光素子のうち2つの半導体発光素子の互いに極性の異なる電極とボンディングワイヤを介して電気的に接続された中継パターンを有し、
前記半導体発光素子の電極とボンディングワイヤがボールボンド部を介して接合されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記給電パターンは前記第1の絶縁基板の側面を経由して底面まで延設され、前記中継パターンは前記第1の絶縁基板の端部まで延設されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記ボンディングワイヤが前記給電パターンに結線されたステッチボンド部が、前記ボールボンド部より高い位置に形成されることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 前記第1の絶縁基板上面に絶縁性接着層を介して貼り合わされた、前記第1の貫通孔よりも大きい第2の貫通孔を有する第2の絶縁基板を備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体発光装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101103674B1 (ko) * | 2010-06-01 | 2012-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
TWI476886B (ja) * | 2010-07-20 | 2015-03-11 | ||
US9223076B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-12-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device package |
JP2016092419A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017054993A (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、照明装置および発光装置の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI820026B (zh) * | 2017-06-21 | 2023-11-01 | 荷蘭商露明控股公司 | 具有改善的熱行為的照明組件 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11298047A (ja) * | 1998-04-13 | 1999-10-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2000101147A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003078169A (ja) * | 1998-09-21 | 2003-03-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子 |
JP2007150228A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-06-14 | Trion:Kk | 発光ダイオード実装基板 |
US7282740B2 (en) * | 2003-12-17 | 2007-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
US7345318B2 (en) * | 2004-07-05 | 2008-03-18 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode |
JP2008172152A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Showa Denko Kk | 発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードパッケージ用のリード群構造 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3383081B2 (ja) * | 1994-07-12 | 2003-03-04 | 三菱電機株式会社 | 陽極接合法を用いて製造した電子部品及び電子部品の製造方法 |
JP4070795B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2008-04-02 | 株式会社ルネサス柳井セミコンダクタ | 発光装置の製造方法 |
JP4989867B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2012-08-01 | スタンレー電気株式会社 | 表面実装型led |
JP5038623B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | 光半導体装置およびその製造方法 |
-
2008
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-
2009
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11298047A (ja) * | 1998-04-13 | 1999-10-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2003078169A (ja) * | 1998-09-21 | 2003-03-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子 |
JP2000101147A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US7282740B2 (en) * | 2003-12-17 | 2007-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
US7345318B2 (en) * | 2004-07-05 | 2008-03-18 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode |
JP2007150228A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-06-14 | Trion:Kk | 発光ダイオード実装基板 |
JP2008172152A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Showa Denko Kk | 発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードパッケージ用のリード群構造 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9659916B2 (en) | 2010-06-01 | 2017-05-23 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
US8269246B2 (en) | 2010-06-01 | 2012-09-18 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
US8791486B2 (en) | 2010-06-01 | 2014-07-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
KR101103674B1 (ko) * | 2010-06-01 | 2012-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
US9165912B2 (en) | 2010-06-01 | 2015-10-20 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
US10541235B2 (en) | 2010-06-01 | 2020-01-21 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
US10283491B2 (en) | 2010-06-01 | 2019-05-07 | Lg Innotek Co., Ltd | Light emitting device package |
US9418973B2 (en) | 2010-06-01 | 2016-08-16 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
US9991241B2 (en) | 2010-06-01 | 2018-06-05 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
TWI476886B (ja) * | 2010-07-20 | 2015-03-11 | ||
US9223076B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-12-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device package |
US9698328B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-07-04 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2016092419A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2020123740A (ja) * | 2014-10-31 | 2020-08-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017054993A (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、照明装置および発光装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101651136B (zh) | 2013-05-08 |
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JP5227693B2 (ja) | 2013-07-03 |
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