JP2010040710A - Semiconductor device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、特に所定の導電型トランジスタ領域に対する、High-kゲート絶縁膜と金属含有膜を有するゲート電極とからなる最適なゲート構造及びその形成方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof, and more particularly to an optimal gate structure including a high-k gate insulating film and a gate electrode having a metal-containing film for a predetermined conductivity type transistor region, and a method of forming the same.
近年、半導体集積回路装置の高集積化、高機能化及び高速化のためのトランジスタサイズ微細化に伴い、ゲート絶縁膜のEquivalent Oxide Thickness(以下、EOTと称する)を小さくすることが必要となっている。しかしながら、ゲート絶縁膜として従来用いられているシリコン酸化膜を用いて目標とするEOTを実現しようとすると、ゲート電極とチャネルとの間で直接トンネル電流が著しく増大し、トランジスタ動作が困難となる。そこで、高誘電率絶縁膜(以下、High-k絶縁膜と称する)をゲート絶縁膜に用いることで、物理膜厚は厚い膜厚のままで目標とするEOTを実効的に実現する技術が提案されている。 In recent years, with the miniaturization of transistors for higher integration, higher functionality, and higher speed of semiconductor integrated circuit devices, it has become necessary to reduce the equivalent oxide thickness (hereinafter referred to as EOT) of the gate insulating film. Yes. However, if an attempt is made to achieve a target EOT using a silicon oxide film that has been conventionally used as a gate insulating film, the direct tunnel current between the gate electrode and the channel increases significantly, making transistor operation difficult. In view of this, a technique has been proposed in which a high dielectric constant insulating film (hereinafter referred to as “High-k insulating film”) is used as a gate insulating film, thereby effectively realizing the target EOT while keeping the physical film thickness thick. Has been.
例えば、High-k絶縁膜としてハフニウム酸化膜(HfO)を用いると、物理膜厚2.0nmでEOT=1.0nm程度を実現することが可能である。但し、High-k絶縁膜をトランジスタに適用する際には、N型MISトランジスタ(以下、「N型トランジスタ」と称する)及びP型MISトランジスタ(以下、「P型トランジスタ」と称する)のそれぞれについて最適な実効仕事関数を持ったゲートスタック構成が必要となるため、N型トランジスタとP型トランジスタとでゲートスタック構造の作り分けが必要となる。 For example, when a hafnium oxide film (HfO) is used as the high-k insulating film, it is possible to realize EOT = 1.0 nm with a physical film thickness of 2.0 nm. However, when the high-k insulating film is applied to the transistor, each of the N-type MIS transistor (hereinafter referred to as “N-type transistor”) and the P-type MIS transistor (hereinafter referred to as “P-type transistor”). Since a gate stack configuration having an optimal effective work function is required, it is necessary to make a separate gate stack structure for the N-type transistor and the P-type transistor.
非特許文献1には、このような技術の例として、一導電型トランジスタのHigh-k絶縁膜を基板全面に形成した後、当該High-k絶縁膜のうち他導電型トランジスタ領域に位置する部分を除去し、その後、他導電型トランジスタのHigh-k絶縁膜を基板全面に形成した後、当該High-k絶縁膜のうち一導電型トランジスタ領域に位置する部分を除去する方法が開示されている。 In Non-Patent Document 1, as an example of such a technique, after a High-k insulating film of one conductivity type transistor is formed on the entire surface of the substrate, a portion of the High-k insulating film located in the other conductivity type transistor region And then forming a high-k insulating film of another conductivity type transistor on the entire surface of the substrate and then removing a portion of the high-k insulating film located in the one conductivity type transistor region. .
しかしながら、非特許文献1の方法によれば、High-k絶縁膜の除去工程においてHigh-k絶縁膜にダメージが生じやすいという問題点がある。 However, according to the method of Non-Patent Document 1, there is a problem that the High-k insulating film is easily damaged in the removal process of the High-k insulating film.
それに対して、High-k絶縁膜の除去工程を伴わないHigh-k技術として、以下のような方法が提案されている。図11(a)〜(d)及び図12(a)〜(d)は、High-k絶縁膜をゲート絶縁膜として用いた従来の半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。 On the other hand, the following method has been proposed as a high-k technique that does not involve a step of removing the high-k insulating film. FIGS. 11A to 11D and FIGS. 12A to 12D are cross-sectional views showing respective steps of a conventional method for manufacturing a semiconductor device using a high-k insulating film as a gate insulating film.
まず、図11(a)に示すように、半導体基板701中に素子分離領域702を形成することにより、N型トランジスタ領域RnとP型トランジスタ領域Rpとを区画する。続いて、半導体基板701上の全面にHigh-k絶縁膜703及びN型トランジスタ用キャップ膜704を順次堆積する。
First, as shown in FIG. 11A, an
次に、図11(b)に示すように、P型トランジスタ領域Rpに開口を有するフォトレジスト705をマスクとして、P型トランジスタ領域Rpに位置するN型トランジスタ用キャップ膜704を除去する。
Next, as shown in FIG. 11B, the N-type
次に、図11(c)に示すように、フォトレジスト705を除去した後、半導体基板701上の全面にP型トランジスタ用キャップ膜706を堆積する。
Next, as shown in FIG. 11C, after removing the
その後、図11(d)に示すように、N型トランジスタ領域Rnに開口を有するフォトレジスト707をマスクとして、N型トランジスタ領域Rnに位置するP型トランジスタ用キャップ膜706を除去する。
Thereafter, as shown in FIG. 11D, the P-type
次に、図12(a)に示すように、フォトレジスト707を除去した後、半導体基板701上の全面に金属膜710及びポリシリコン膜711を堆積し、その後、ポリシリコン膜711上にフォトレジストからなるゲート電極形成用パターン712を形成する。ここで、ポリシリコン膜711の形成工程等に伴う加熱により、High-k絶縁膜703とN型トランジスタ用キャップ膜704とが反応してN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜708が形成されると共にHigh-k絶縁膜703とP型トランジスタ用キャップ膜706とが反応してP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜709が形成される。
Next, as shown in FIG. 12A, after removing the
次に、ゲート電極形成用パターン712をマスクとして、ポリシリコン膜711及び金属膜710に対して順次エッチングを行った後、ゲート電極形成用パターン712を除去する。これにより、図12(b)に示すように、N型トランジスタ用ゲート電極713及びP型トランジスタ用ゲート電極714が形成される。その後、各ゲート電極713及び714の側壁上にオフセットスペーサー715を形成した後、イオン注入により、N型エクステンション領域716及びP型エクステンション領域717を形成する。
Next, the
次に、図12(c)に示すように、半導体基板701上の全面にシリコン酸化膜718及びシリコン窒化膜719を順次堆積した後、シリコン窒化膜719及びシリコン酸化膜718に対してエッチバックを行うことにより、各ゲート電極713及び714の側壁上にオフセットスペーサー715を介して、シリコン酸化膜718及びシリコン窒化膜719からなるサイドウォールスペーサー720を形成する。
Next, as shown in FIG. 12C, after a
その後、図12(d)に示すように、イオン注入により、N型ソース・ドレイン領域721及びP型ソース・ドレイン領域722を形成し、トランジスタ構造を完成させる。
Thereafter, as shown in FIG. 12D, an N-type source /
以上のような工程を行うことにより、N型トランジスタ領域Rn及びP型トランジスタ領域Rpのそれぞれに最適なゲートスタック構造を形成することが可能となる。
しかしながら、図11(a)〜(d)及び図12(a)〜(d)に示す従来技術においては、図11(b)に示す工程でP型トランジスタ領域Rpに位置するN型トランジスタ用キャップ膜704を除去する際に、P型トランジスタ領域Rpに位置するHigh-k絶縁膜703に膜減りやダメージ等が発生する可能性がある。また、図11(d)に示す工程でもN型トランジスタ領域Rnに位置するP型トランジスタ用キャップ膜706を除去する際に、N型トランジスタ用キャップ膜704に膜減りやダメージ等が発生する可能性がある。
However, in the prior art shown in FIGS. 11A to 11D and FIGS. 12A to 12D, the N-type transistor cap located in the P-type transistor region Rp in the step shown in FIG. 11B. When the
また、P型トランジスタ領域Rpに開口を有するフォトレジスト705とN型トランジスタ領域Rnに開口を有するフォトレジスト707との合わせズレがpn境界部において発生した場合、High-k絶縁膜703や各キャップ膜704、705が不要な除去工程にさらされる危険が生じる。一般的に、pn境界部は素子分離(具体的にはShallow Trench Isolation(STI))上に設けられるが、前述の危険を回避するためには、合わせずれを考慮してSTI幅を増加させなければならないという新たな問題が生じる。
Further, when misalignment between the
さらに、pn境界部上でのキャップ膜除去時に発生したサイドエッチングがN型トランジスタ領域RnやP型トランジスタ領域Rpにまで到達してしまうことを回避するためにも、N型トランジスタ領域RnとP型トランジスタ領域Rpとの間の距離つまりSTI幅の短縮は困難である。 Further, in order to avoid the side etching generated when removing the cap film on the pn boundary from reaching the N-type transistor region Rn and the P-type transistor region Rp, the N-type transistor region Rn and the P-type It is difficult to shorten the distance between the transistor region Rp, that is, the STI width.
前記に鑑み、本発明は、STI幅の増加や信頼性の低下を招くことなく、所定の導電型トランジスタ領域においてHigh-kゲート絶縁膜と金属含有膜を有するゲート電極とからなる最適なゲート構造を実現できるようにすることを目的とする。 In view of the above, the present invention provides an optimal gate structure comprising a high-k gate insulating film and a gate electrode having a metal-containing film in a predetermined conductivity type transistor region without causing an increase in STI width or a decrease in reliability. It aims to be able to realize.
前記の目的を達成するために、本発明に係る第1の半導体装置は、半導体基板上にN型MISトランジスタとP型MISトランジスタとを備えた半導体装置であって、前記N型MISトランジスタは、前記半導体基板上に形成された第1の高誘電率ゲート絶縁膜と、前記第1の高誘電率ゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート電極とを備え、前記P型MISトランジスタは、前記半導体基板上に形成された第2の高誘電率ゲート絶縁膜と、前記第2の高誘電率ゲート絶縁膜上に形成された第2のゲート電極とを備え、前記第1の高誘電率ゲート絶縁膜及び前記第2の高誘電率ゲート絶縁膜は共にランタノイドを含み、前記第2の高誘電率ゲート絶縁膜のみがさらに III族元素を含む。 In order to achieve the above object, a first semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device including an N-type MIS transistor and a P-type MIS transistor on a semiconductor substrate, and the N-type MIS transistor includes: A first high dielectric constant gate insulating film formed on the semiconductor substrate; and a first gate electrode formed on the first high dielectric constant gate insulating film; A second high dielectric constant gate insulating film formed on the semiconductor substrate; and a second gate electrode formed on the second high dielectric constant gate insulating film; Both the gate insulating film and the second high dielectric constant gate insulating film contain a lanthanoid, and only the second high dielectric constant gate insulating film further contains a group III element.
尚、本願において、高誘電率膜(High-k膜)とは、比誘電率が10以上の誘電体膜を意味する。 In the present application, the high dielectric constant film (High-k film) means a dielectric film having a relative dielectric constant of 10 or more.
本発明に係る第1の半導体装置において、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極は、同じ厚さを持つ同組成の金属含有膜を有していてもよい。 In the first semiconductor device according to the present invention, the first gate electrode and the second gate electrode may have a metal-containing film having the same thickness and the same composition.
本発明に係る第1の半導体装置において、前記ランタノイドはランタンであってもよい。 In the first semiconductor device according to the present invention, the lanthanoid may be lanthanum.
本発明に係る第1の半導体装置において、前記 III族元素はアルミニウムであってもよい。 In the first semiconductor device according to the present invention, the group III element may be aluminum.
本発明に係る第2の半導体装置は、半導体基板上に第1導電型MISトランジスタと第2導電型MISトランジスタとを備えた半導体装置であって、前記第1導電型MISトランジスタは、前記半導体基板上に形成された第1の高誘電率ゲート絶縁膜と、前記第1の高誘電率ゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート電極とを備え、前記第2導電型MISトランジスタは、前記半導体基板上に形成された第2の高誘電率ゲート絶縁膜と、前記第2の高誘電率ゲート絶縁膜上に形成された第2のゲート電極とを備え、前記第1の高誘電率ゲート絶縁膜及び前記第2の高誘電率ゲート絶縁膜は同じ高誘電率膜からなり、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極は、実質的に同じ厚さを持つ異なる組成の金属含有膜を有する。 A second semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device having a first conductivity type MIS transistor and a second conductivity type MIS transistor on a semiconductor substrate, wherein the first conductivity type MIS transistor is the semiconductor substrate. A first high dielectric constant gate insulating film formed on the first high dielectric constant gate insulating film; and a first gate electrode formed on the first high dielectric constant gate insulating film. A first high dielectric constant gate, comprising: a second high dielectric constant gate insulating film formed on a semiconductor substrate; and a second gate electrode formed on the second high dielectric constant gate insulating film. The insulating film and the second high dielectric constant gate insulating film are made of the same high dielectric constant film, and the first gate electrode and the second gate electrode contain metals of different compositions having substantially the same thickness. Has a membrane.
本発明に係る第2の半導体装置において、前記第2のゲート電極を構成する前記金属含有膜のみに所定の元素が導入されていてもよい。この場合、前記所定の元素は窒素又は炭素であってもよい。 In the second semiconductor device according to the present invention, a predetermined element may be introduced only into the metal-containing film constituting the second gate electrode. In this case, the predetermined element may be nitrogen or carbon.
本発明に係る第2の半導体装置において、前記高誘電率膜の材料は、前記第1のゲート電極が所定の仕事関数を持つように選択されていてもよい。 In the second semiconductor device according to the present invention, the material of the high dielectric constant film may be selected so that the first gate electrode has a predetermined work function.
本発明に係る第1の半導体装置の製造方法は、第1導電型MISトランジスタ領域及び第2導電型MISトランジスタ領域を含む半導体基板の上に高誘電率絶縁膜を形成する工程(a)と、前記高誘電率絶縁膜上に第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜を形成する工程(b)と、前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜上に金属含有膜を堆積する工程(c)と、前記工程(c)の後に、前記第1導電型MISトランジスタ領域を覆うマスクパターンを用いて、前記第2導電型MISトランジスタ領域に位置する前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜にイオンを導入して第2導電型MISトランジスタ用キャップ膜に改質した後、前記マスクパターンを除去する工程(d)と、前記工程(d)の後に、前記金属含有膜上にシリコン含有膜を堆積する工程(e)と、前記金属含有膜及び前記シリコン含有膜をパターニングすることにより、第1導電型MISトランジスタ用ゲート電極及び第2導電型MISトランジスタ用ゲート電極を形成する工程(f)とを備えている。 The first semiconductor device manufacturing method according to the present invention includes a step (a) of forming a high dielectric constant insulating film on a semiconductor substrate including a first conductivity type MIS transistor region and a second conductivity type MIS transistor region; A step (b) of forming a cap film for a first conductivity type MIS transistor on the high dielectric constant insulating film; a step (c) of depositing a metal-containing film on the cap film for the first conductivity type MIS transistor; After the step (c), ions are introduced into the cap film for the first conductivity type MIS transistor located in the second conductivity type MIS transistor region by using a mask pattern covering the first conductivity type MIS transistor region. (D) removing the mask pattern after modifying the cap film for the second conductivity type MIS transistor, and after the step (d), the metal-containing film A step (e) of depositing a silicon-containing film on the substrate, and patterning the metal-containing film and the silicon-containing film to form a gate electrode for the first conductivity type MIS transistor and a gate electrode for the second conductivity type MIS transistor. Step (f).
尚、キャップ膜は高誘電率絶縁膜と比較して薄く形成されるため、キャップ膜と高誘電率絶縁膜とを反応させて高誘電率ゲート絶縁膜を形成した場合、高誘電率ゲート絶縁膜の比誘電率は元の高誘電率絶縁膜の比誘電率と比べてほとんど変化しない。 Since the cap film is formed thinner than the high dielectric constant insulating film, when the high dielectric constant gate insulating film is formed by reacting the cap film and the high dielectric constant insulating film, the high dielectric constant gate insulating film is formed. The relative dielectric constant of the film hardly changes compared to the relative dielectric constant of the original high dielectric constant insulating film.
本発明に係る第1の半導体装置の製造方法において、前記工程(d)の後に、熱処理を行って、前記高誘電率絶縁膜と前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜とを反応させることにより第1導電型MISトランジスタ用ゲート絶縁膜を形成すると共に前記高誘電率絶縁膜と前記第2導電型MISトランジスタ用キャップ膜とを反応させることにより第2導電型MISトランジスタ用ゲート絶縁膜を形成する工程をさらに備えていてもよい。 In the first method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, after the step (d), a heat treatment is performed to react the high dielectric constant insulating film and the cap film for the first conductivity type MIS transistor. A gate insulating film for the first conductivity type MIS transistor is formed and a gate insulating film for the second conductivity type MIS transistor is formed by reacting the high dielectric constant insulating film and the cap film for the second conductivity type MIS transistor. You may further provide the process.
本発明に係る第1の半導体装置の製造方法において、前記第1導電型MISトランジスタはN型MISトランジスタであり、前記第2導電型MISトランジスタはP型MISトランジスタであり、前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜はランタノイド含有酸化膜であり、前記イオンは III族元素含有イオンであってもよい。 In the first method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the first conductivity type MIS transistor is an N-type MIS transistor, the second conductivity type MIS transistor is a P-type MIS transistor, and the first conductivity type MIS transistor. The cap film for a transistor may be a lanthanoid-containing oxide film, and the ions may be group III element-containing ions.
本発明に係る第1の半導体装置の製造方法において、前記工程(d)において、イオン注入法又はプラズマドーピング法を用いて前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜に前記イオンを導入してもよい。 In the first method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, in the step (d), the ions may be introduced into the cap film for the first conductivity type MIS transistor by using an ion implantation method or a plasma doping method. .
本発明に係る第2の半導体装置の製造方法は、第1導電型MISトランジスタ領域及び第2導電型MISトランジスタ領域を含む半導体基板の上に高誘電率絶縁膜を形成する工程(a)と、前記高誘電率絶縁膜上に金属含有膜を堆積する工程(b)と、前記工程(b)よりも後に、前記第1導電型MISトランジスタ領域を覆う第1のマスクパターンを用いて、前記第2導電型MISトランジスタ領域に位置する前記高誘電率絶縁膜に第1のイオンを導入して第2導電型MISトランジスタ用高誘電率絶縁膜に改質した後、前記第1のマスクパターンを除去する工程(c)と、前記工程(c)の後に、前記金属含有膜上にシリコン含有膜を堆積する工程(d)と、前記金属含有膜及び前記シリコン含有膜をパターニングすることにより、第1導電型MISトランジスタ用ゲート電極及び第2導電型MISトランジスタ用ゲート電極を形成する工程(e)とを備えている。 A method for manufacturing a second semiconductor device according to the present invention includes a step (a) of forming a high dielectric constant insulating film on a semiconductor substrate including a first conductivity type MIS transistor region and a second conductivity type MIS transistor region; A step (b) of depositing a metal-containing film on the high dielectric constant insulating film, and a first mask pattern that covers the first conductivity type MIS transistor region after the step (b); A first ion is introduced into the high dielectric constant insulating film located in the two-conductivity MIS transistor region to modify the high-dielectric-constant insulating film for the second conductivity MIS transistor, and then the first mask pattern is removed. Performing the step (c), a step (d) of depositing a silicon-containing film on the metal-containing film after the step (c), and patterning the metal-containing film and the silicon-containing film. And a step (e) forming a conductive type MIS transistor gate electrode and the second conductive type MIS transistor gate electrode.
本発明に係る第2の半導体装置の製造方法において、前記第1導電型MISトランジスタはP型MISトランジスタであり、前記第2導電型MISトランジスタはN型MISトランジスタであり、前記第1のイオンはランタノイド含有イオンであってもよい。 In the second method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the first conductivity type MIS transistor is a P-type MIS transistor, the second conductivity type MIS transistor is an N-type MIS transistor, and the first ion is It may be a lanthanoid-containing ion.
本発明に係る第2の半導体装置の製造方法において、前記高誘電率絶縁膜は、第1導電型MISトランジスタ用高誘電率絶縁膜であってもよい。 In the second method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the high dielectric constant insulating film may be a high dielectric constant insulating film for a first conductivity type MIS transistor.
本発明に係る第2の半導体装置の製造方法において、前記工程(b)の後で前記工程(d)の前に、前記第2導電型MISトランジスタ領域を覆う第2のマスクパターンを用いて、前記第1導電型MISトランジスタ領域に位置する前記高誘電率絶縁膜に第2のイオンを導入して第1導電型MISトランジスタ用高誘電率絶縁膜に改質した後、前記第2のマスクパターンを除去する工程(f)をさらに備えていてもよい。 In the second method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, using the second mask pattern covering the second conductivity type MIS transistor region after the step (b) and before the step (d), After introducing a second ion into the high dielectric constant insulating film located in the first conductive type MIS transistor region to modify the high dielectric constant insulating film for the first conductive type MIS transistor, the second mask pattern The method may further include a step (f) of removing.
本発明に係る第2の半導体装置の製造方法において、前記第2のイオンは III族元素含有イオンであってもよい。 In the second method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the second ion may be a group III element-containing ion.
本発明に係る第3の半導体装置の製造方法は、第1導電型MISトランジスタ領域及び第2導電型MISトランジスタ領域を含む半導体基板の上に高誘電率絶縁膜を形成する工程(a)と、前記高誘電率絶縁膜上に第1導電型MISトランジスタ用金属含有膜を堆積する工程(b)と、前記工程(b)の後に、前記第1導電型MISトランジスタ領域を覆うマスクパターンを用いて、前記第2導電型MISトランジスタ領域に位置する前記第1導電型MISトランジスタ用金属含有膜にイオンを導入して第2導電型MISトランジスタ用金属含有膜に改質した後、前記マスクパターンを除去する工程(c)と、前記工程(c)の後に、前記第1導電型MISトランジスタ用金属含有膜上及び前記第2導電型MISトランジスタ用金属含有膜上にシリコン含有膜を堆積する工程(d)と、前記第1導電型MISトランジスタ用金属含有膜及び前記シリコン含有膜をパターニングすることにより第1導電型MISトランジスタ用ゲート電極を形成すると共に前記第2導電型MISトランジスタ用金属含有膜及び前記シリコン含有膜をパターニングすることにより第2導電型MISトランジスタ用ゲート電極を形成する工程(e)とを備えている。 A third semiconductor device manufacturing method according to the present invention includes a step (a) of forming a high dielectric constant insulating film on a semiconductor substrate including a first conductivity type MIS transistor region and a second conductivity type MIS transistor region; A step (b) of depositing a metal-containing film for a first conductivity type MIS transistor on the high dielectric constant insulating film, and a mask pattern covering the first conductivity type MIS transistor region after the step (b). Then, ions are introduced into the metal-containing film for the first conductivity type MIS transistor located in the second conductivity type MIS transistor region to modify the metal-containing film for the second conductivity type MIS transistor, and then the mask pattern is removed. And after the step (c), on the first conductive type MIS transistor metal-containing film and on the second conductive type MIS transistor metal-containing film. A step (d) of depositing a silicon-containing film; and patterning the metal-containing film for the first conductivity type MIS transistor and the silicon-containing film to form a gate electrode for the first conductivity type MIS transistor and the second conductivity type. And (e) forming a second conductive type MIS transistor gate electrode by patterning the metal-containing film for the type MIS transistor and the silicon-containing film.
本発明に係る第3の半導体装置の製造方法において、前記工程(c)は、熱処理を行って、前記イオンと前記第1導電型MISトランジスタ用金属含有膜とを合金化して前記第2導電型MISトランジスタ用金属含有膜を形成する工程を含んでいてもよい。 In the third method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, in the step (c), the second conductivity type is formed by alloying the ions and the metal-containing film for the first conductivity type MIS transistor by performing a heat treatment. A step of forming a metal-containing film for a MIS transistor may be included.
本発明に係る第3の半導体装置の製造方法において、前記イオンは窒素又は炭素を含有するイオンであってもよい。 In the third method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the ions may be ions containing nitrogen or carbon.
本発明に係る第3の半導体装置の製造方法において、前記高誘電率絶縁膜は第1導電型MISトランジスタ用高誘電率絶縁膜であってもよい。 In the third method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the high dielectric constant insulating film may be a high dielectric constant insulating film for a first conductivity type MIS transistor.
本発明に係る第3の半導体装置の製造方法において、前記工程(a)と前記工程(b)との間に、前記高誘電率絶縁膜上に第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜を形成する工程(f)をさらに備え、前記工程(f)の後に、熱処理を行って、前記高誘電率絶縁膜と前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜とを反応させることにより、第1導電型MISトランジスタ用高誘電率絶縁膜を形成する工程(g)をさらに備えていてもよい。 In the third method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a cap film for a first conductivity type MIS transistor is formed on the high dielectric constant insulating film between the step (a) and the step (b). The method further includes a step (f), and a heat treatment is performed after the step (f) to react the high dielectric constant insulating film with the cap film for the first conductivity type MIS transistor, thereby causing the first conductivity type MIS to react. A step (g) of forming a high dielectric constant insulating film for a transistor may be further provided.
本発明によると、N型トランジスタ領域及びP型トランジスタ領域のそれぞれにおいてキャップ膜除去工程及びHigh-k絶縁膜除去工程が必要ないため、キャップ膜及びHigh-k絶縁膜に膜減りやダメージ等が発生することを防止できるので、ゲート絶縁膜の信頼性を向上させることができる。また、N型トランジスタ領域及びP型トランジスタ領域のそれぞれにおいて所望の実効仕事関数を持つゲート構造を実現するために、キャップ膜、High-k絶縁膜又は金属含有膜に対してイオンの導入を行うため、キャップ膜、High-k絶縁膜又は金属含有膜に対してマスクパターンを用いてエッチングを行う従来方法のようにマスクパターンの合わせズレやサイドエッチングを考慮してpn境界部幅(STI幅)を増大させる必要がないので、半導体装置を微細化することが可能となる。 According to the present invention, the cap film removal process and the high-k insulating film removal process are not required in each of the N-type transistor region and the P-type transistor region, so that the cap film and the high-k insulating film are reduced or damaged. Therefore, the reliability of the gate insulating film can be improved. In addition, in order to realize a gate structure having a desired effective work function in each of the N-type transistor region and the P-type transistor region, ions are introduced into the cap film, the high-k insulating film, or the metal-containing film. , The pn boundary width (STI width) in consideration of misalignment of the mask pattern and side etching as in the conventional method of performing etching using a mask pattern on a cap film, a high-k insulating film, or a metal-containing film Since there is no need to increase the size, the semiconductor device can be miniaturized.
従って、本発明によると、STI幅の増加や信頼性の低下を招くことなく、所定の導電型トランジスタ領域においてHigh-kゲート絶縁膜と金属含有膜を有するゲート電極とからなる最適なゲート構造を実現することができる。 Therefore, according to the present invention, an optimum gate structure comprising a high-k gate insulating film and a gate electrode having a metal-containing film in a predetermined conductivity type transistor region without causing an increase in STI width or a decrease in reliability. Can be realized.
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。図1(a)〜(d)及び図2(a)〜(d)は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
(First embodiment)
Hereinafter, a semiconductor device and a manufacturing method thereof according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIGS. 1A to 1D and FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views showing respective steps of the semiconductor device manufacturing method according to the first embodiment.
まず、図1(a)に示すように、半導体基板101中に素子分離領域102を形成することにより、N型トランジスタ領域RnとP型トランジスタ領域Rpとを区画する。続いて、半導体基板101上の全面にHigh-k絶縁膜103、N型トランジスタ用キャップ膜104及び金属含有膜105を順次堆積する。ここで、High-k絶縁膜103としては例えば厚さ1.0〜3.0nm程度の酸化ハフニウム(HfO)膜を、N型トランジスタ用キャップ膜104としては例えば厚さ0.3〜1.0nm程度の酸化ランタン(LaO)膜を、金属含有膜105としては例えば厚さ2.0〜10nm程度の窒化チタン(TiN)膜を用いる。また、High-k絶縁膜103と金属含有膜105つまりTiN膜との関係によって決まる実効仕事関数Weff は4.5程度であるが、この値はTiN膜の堆積法等により調整可能である。
First, as shown in FIG. 1A, an
尚、本願においては、金属含有膜(メタルゲート電極材料)のみによって決まる通常の仕事関数と区別して、ゲート絶縁膜材料と金属含有膜との関係によって決まる仕事関数を実効仕事関数と称する。 In the present application, the work function determined by the relationship between the gate insulating film material and the metal-containing film is referred to as an effective work function, as distinguished from a normal work function determined only by the metal-containing film (metal gate electrode material).
次に、図1(b)に示すように、P型トランジスタ領域Rpに開口を有するフォトレジスト106をマスクとして、P型トランジスタ領域Rpに位置するN型トランジスタ用キャップ膜104にイオン107をイオン注入法により導入した後、図1(c)に示すように、フォトレジスト106を除去する。これにより、P型トランジスタ領域RpにN型トランジスタ用キャップ膜104が改質されてなるP型トランジスタ用キャップ膜108が形成される。ここで、導入されるイオン107としては、アルミニウム(Al)やアルミナ(AlO)等のイオンが望ましく、イオン107の加速エネルギーについては、P型トランジスタ用キャップ膜108におけるHigh-k絶縁膜103との界面近傍に、イオン107として注入される不純物の濃度ピークが位置するように設定することが望ましい。このようにすると、前述の界面近傍にAlダイポール層を効率的に形成することが可能となる。このAlダイポール層は、N型トランジスタ用キャップ膜104を構成するランタン酸化膜によって低減されたP型トランジスタゲート構造の実効仕事関数Weff を増加させる作用を有している。すなわち、この作用によって、N型トランジスタ用キャップ膜104がP型トランジスタ用キャップ膜108に改質されるのである。
Next, as shown in FIG. 1B,
次に、図1(d)に示すように、半導体基板101上の全面に厚さ80〜120nm程度のポリシリコン膜111を堆積した後、アニールを行うことにより、High-k絶縁膜103とN型トランジスタ用キャップ膜104とを反応させてN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜109を形成すると共にHigh-k絶縁膜103とP型トランジスタ用キャップ膜108とを反応させてP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜110を形成する。ここで、N型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜109及びP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜110は共に酸化ハフニウム(HfO)を主成分とし且つランタン(La)を含み、P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜110のみがアルミニウム(Al)を含む。ここで、N型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜109と金属膜(TiN膜)105との関係によって決まるN型トランジスタゲート構造の実効仕事関数Weff は4.2程度以下であり、P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜110と金属膜(TiN膜)105との関係によって決まるP型トランジスタゲート構造の実効仕事関数Weff は4.8程度である。
Next, as shown in FIG. 1D, after depositing a
尚、本実施形態では、ポリシリコン膜111の堆積工程とは別にアニール工程を行ったが、このアニール工程を行わなくても、ポリシリコン膜111の形成工程での加熱処理やその後の工程での加熱処理(例えば注入イオンに対する活性化アニール等)によって、N型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜109及びP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜110を形成することができる。
In this embodiment, the annealing process is performed separately from the deposition process of the
その後、図2(a)に示すように、ポリシリコン膜111上にフォトレジストからなるゲート電極形成用パターン112を形成した後、ゲート電極形成用パターン112をマスクとして、ポリシリコン膜111及び金属含有膜105に対して順次エッチングを行い、その後、ゲート電極形成用パターン112を除去する。これにより、図2(b)に示すように、半導体基板101におけるN型トランジスタ領域Rn上には、N型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜109を介して、金属含有膜105及びポリシリコン膜111からなるN型トランジスタ用ゲート電極113が形成される一方、半導体基板101におけるP型トランジスタ領域Rp上には、P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜110を介して、金属含有膜105及びポリシリコン膜111からなるP型トランジスタ用ゲート電極114が形成される。すなわち、N型トランジスタ用ゲート電極113及びP型トランジスタ用ゲート電極114は同じ厚さを持つ同じ組成(TiN)の金属含有膜105を有している。その後、各ゲート電極113及び114の側壁上にオフセットスペーサー115を形成した後、イオン注入により、N型エクステンション領域116及びP型エクステンション領域117を形成する。ここで、オフセットスペーサー115としては、例えば厚さ3〜6nm程度のシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を用いる。
2A, after forming a gate
次に、図2(c)に示すように、半導体基板101上の全面に厚さ5〜10nm程度のシリコン酸化膜118及び厚さ15〜30nm程度のシリコン窒化膜119を順次堆積した後、シリコン窒化膜119及びシリコン酸化膜118に対してエッチバックを行うことにより、各ゲート電極113及び114の側壁上にオフセットスペーサー115を介して、シリコン酸化膜118及びシリコン窒化膜119からなるサイドウォールスペーサー120を形成する。
Next, as shown in FIG. 2C, a
その後、図2(d)に示すように、イオン注入により、N型ソース・ドレイン領域121及びP型ソース・ドレイン領域122を形成し、トランジスタ構造を完成させる。
Thereafter, as shown in FIG. 2D, an N-type source /
以上のような工程を行うことにより、N型トランジスタ領域Rn及びP型トランジスタ領域Rpのそれぞれに異なる最適ゲートスタック構造を形成することが可能となる。 By performing the steps as described above, different optimum gate stack structures can be formed in each of the N-type transistor region Rn and the P-type transistor region Rp.
以上に説明したように、第1の実施形態によると、N型トランジスタ領域Rn及びP型トランジスタ領域RpのそれぞれにおいてHigh-k絶縁膜103及び各キャップ膜104、108のいずれもキャップ膜除去工程にさらされることが全くないため、High-k絶縁膜103及び各キャップ膜104、108に膜減りやダメージ等が発生することを防止できるので、N型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜109及びP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜110の信頼性を向上させることができる。
As described above, according to the first embodiment, in each of the N-type transistor region Rn and the P-type transistor region Rp, both the high-
また、第1の実施形態によると、N型トランジスタ領域Rn及びP型トランジスタ領域Rpのそれぞれにおいて所望の実効仕事関数を持つゲート構造を実現するために、N型トランジスタ用キャップ膜104に対してイオン107の導入を行ってP型トランジスタ用キャップ膜108に改質する。このため、キャップ膜、High-k絶縁膜又は金属含有膜に対してマスクパターンを用いてエッチングを行う従来方法のようにマスクパターンの合わせズレやサイドエッチングを考慮してpn境界部幅(STI幅)を増大させる必要がないので、半導体装置を微細化することが可能となる。
Further, according to the first embodiment, in order to realize a gate structure having a desired effective work function in each of the N-type transistor region Rn and the P-type transistor region Rp, ions are applied to the N-type
従って、第1の実施形態によると、STI幅の増加や信頼性の低下を防止しつつ、所定の導電型トランジスタ領域においてHigh-kゲート絶縁膜と金属含有膜を有するゲート電極とからなる最適なゲート構造を実現することができる。 Therefore, according to the first embodiment, it is possible to optimally include a high-k gate insulating film and a gate electrode having a metal-containing film in a predetermined conductivity type transistor region while preventing an increase in STI width and a decrease in reliability. A gate structure can be realized.
尚、第1の実施形態において、半導体基板101上の全面にN型トランジスタ用キャップ膜104を堆積した後、P型トランジスタ領域Rpに位置するN型トランジスタ用キャップ膜104をP型トランジスタ用キャップ膜108に改質した。しかし、これに代えて、半導体基板101上の全面にP型トランジスタ用キャップ膜を堆積した後、N型トランジスタ領域Rnに位置するP型トランジスタ用キャップ膜をN型トランジスタ用キャップ膜に改質してもよいことは言うまでもない。
In the first embodiment, after the N-type
また、第1の実施形態において、P型トランジスタ領域Rpに位置するN型トランジスタ用キャップ膜104にイオン107をイオン注入法によって導入したが、これに代えて、イオン107をプラズマドーピング等のプラズマ処理を用いて導入した場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the first embodiment, the
また、第1の実施形態において、N型トランジスタ用キャップ膜104として酸化ランタン(LaO)膜を用いたが、これに代えて、他のランタノイド(Ce、Pr等)を含有する酸化膜を用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the first embodiment, a lanthanum oxide (LaO) film is used as the N-type
また、第1の実施形態において、N型トランジスタ用キャップ膜104をP型トランジスタ用キャップ膜108に改質するためのイオン107として、アルミニウム(Al)やアルミナ(AlO)等のイオンを用いたが、これに代えて、他の III族元素(B、Ga等)を含有するイオンを用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the first embodiment, ions such as aluminum (Al) and alumina (AlO) are used as the
また、第1の実施形態において、High-k絶縁膜103の材料として酸化ハフニウム(HfO)を用いたが、これに代えて、他のHigh-k材料(酸化ジルコニウム(ZrO)等)を用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the first embodiment, hafnium oxide (HfO) is used as the material of the high-
また、第1の実施形態において、N型トランジスタ用ゲート電極113及びP型トランジスタ用ゲート電極114に含まれる金属含有膜105としてTiN膜を用いたが、これに代えて、他の金属含有膜(TiNO膜、TaN膜、TaCN膜又はTaCNO膜等)を用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the first embodiment, the TiN film is used as the metal-containing
また、第1の実施形態において、N型トランジスタ用ゲート電極113及びP型トランジスタ用ゲート電極114に含まれるシリコン含有膜としてポリシリコン膜111を用いたが、これに代えて、アモルファスシリコン膜等の他のシリコン含有膜を用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
Further, in the first embodiment, the
(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。図3(a)〜(d)及び図4(a)〜(d)は、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
(Second Embodiment)
Hereinafter, a semiconductor device and a manufacturing method thereof according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIGS. 3A to 3D and FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views showing respective steps of the semiconductor device manufacturing method according to the second embodiment.
まず、図3(a)に示すように、半導体基板201中に素子分離領域202を形成することにより、N型トランジスタ領域RnとP型トランジスタ領域Rpとを区画する。続いて、半導体基板201上の全面にP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜203及び金属含有膜204を順次堆積する。ここで、P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜203としては例えば厚さ1.0〜3.0nm程度の酸化ハフニウム(HfO)膜を、金属含有膜204としては例えば厚さ2.0〜10nm程度の窒化チタン(TiN)膜を用いる。これにより、P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜203と金属含有膜204つまりTiN膜との関係によって決まる実効仕事関数Weff を4.8以上に設定することができる。尚、この値はTiN膜の堆積法等により調整可能である。
First, as shown in FIG. 3A, an N-type transistor region Rn and a P-type transistor region Rp are partitioned by forming an
次に、図3(b)に示すように、N型トランジスタ領域Rnに開口を有するフォトレジスト205をマスクとして、N型トランジスタ領域Rnに位置するP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜203にイオン206をイオン注入法により導入した後、図3(c)に示すように、フォトレジスト205を除去する。これにより、N型トランジスタ領域RnにP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜203が改質されてなるN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207が形成される。ここで、導入されるイオン206としては、ランタニウム(La)や酸化ランタン(LaO)等のイオンが望ましく、イオン206の加速エネルギーについては、N型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207における金属含有膜204との界面近傍に、イオン206として注入される不純物の濃度ピークが位置するように設定することが望ましい。このようにすると、N型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207中のLa濃度分布を金属含有膜204から半導体基板201に向けて徐々に減少させることが可能となる。ここで、注入されたランタニウム(La)は、N型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207と金属含有膜204との関係によって決まる実効仕事関数Weff を4.2程度以下に低減させる作用を有している。すなわち、この作用によって、P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜203がN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207に改質されるのである。
Next, as shown in FIG. 3B, ions are applied to the P-type transistor high-k
尚、本実施形態において、P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜203とイオン206とを十分に反応させるために、イオン206の導入後にアニールを実施してもよいが、当該アニールを行わない場合にも、後述するポリシリコン膜208の形成工程での加熱処理やその後の工程での加熱処理(例えば注入イオンに対する活性化アニール等)によって、P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜203とイオン206とを反応させてN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207を形成することができる。
In this embodiment, in order to sufficiently react the P-type transistor high-k
次に、図3(d)に示すように、半導体基板201上の全面に厚さ80〜120nm程度のポリシリコン膜208を堆積する。
Next, as shown in FIG. 3D, a
その後、図4(a)に示すように、ポリシリコン膜208上にフォトレジストからなるゲート電極形成用パターン209を形成した後、ゲート電極形成用パターン209をマスクとして、ポリシリコン膜208及び金属含有膜204に対して順次エッチングを行い、その後、ゲート電極形成用パターン209を除去する。これにより、図4(b)に示すように、半導体基板201におけるN型トランジスタ領域Rn上には、N型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207を介して、金属含有膜204及びポリシリコン膜208からなるN型トランジスタ用ゲート電極210が形成される一方、半導体基板201におけるP型トランジスタ領域Rp上には、P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜203を介して、金属含有膜204及びポリシリコン膜208からなるP型トランジスタ用ゲート電極211が形成される。すなわち、N型トランジスタ用ゲート電極210及びP型トランジスタ用ゲート電極211は同じ厚さを持つ同じ組成(TiN)の金属含有膜204を有している。その後、各ゲート電極210及び211の側壁上にオフセットスペーサー212を形成した後、イオン注入により、N型エクステンション領域213及びP型エクステンション領域214を形成する。ここで、オフセットスペーサー212としては、例えば厚さ3〜6nm程度のシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を用いる。
4A, after forming a gate
次に、図4(c)に示すように、半導体基板201上の全面に厚さ5〜10nm程度のシリコン酸化膜215及び厚さ15〜30nm程度のシリコン窒化膜216を順次堆積した後、シリコン窒化膜216及びシリコン酸化膜215に対してエッチバックを行うことにより、各ゲート電極210及び211の側壁上にオフセットスペーサー212を介して、シリコン酸化膜215及びシリコン窒化膜216からなるサイドウォールスペーサー217を形成する。
Next, as shown in FIG. 4C, a
その後、図4(d)に示すように、イオン注入により、N型ソース・ドレイン領域218及びP型ソース・ドレイン領域219を形成し、トランジスタ構造を完成させる。
Thereafter, as shown in FIG. 4D, an N-type source /
以上のような工程を行うことにより、N型トランジスタ領域Rn及びP型トランジスタ領域Rpのそれぞれに異なる最適ゲートスタック構造を形成することが可能となる。 By performing the steps as described above, different optimum gate stack structures can be formed in each of the N-type transistor region Rn and the P-type transistor region Rp.
以上に説明したように、第2の実施形態によると、N型トランジスタ領域Rn及びP型トランジスタ領域RpのそれぞれにおいてHigh-kゲート絶縁膜203及び207のいずれもHigh-kゲート絶縁膜除去工程や金属含有膜除去工程にさらされることがないため、High-kゲート絶縁膜203及び207に膜減りやダメージ等が発生することを防止できるので、High-kゲート絶縁膜203及び207、具体的にはP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜203及びN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207の信頼性を向上させることができる。
As described above, according to the second embodiment, both the High-k
また、第2の実施形態によると、N型トランジスタ領域Rn及びP型トランジスタ領域Rpのそれぞれにおいて所望の実効仕事関数を持つゲート構造を実現するために、P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜203に対してイオン206の導入を行ってN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207に改質する。このため、キャップ膜、High-k絶縁膜又は金属含有膜に対してマスクパターンを用いてエッチングを行う従来方法のようにマスクパターンの合わせズレやサイドエッチングを考慮してpn境界部幅(STI幅)を増大させる必要がないので、半導体装置を微細化することが可能となる。
According to the second embodiment, in order to realize a gate structure having a desired effective work function in each of the N-type transistor region Rn and the P-type transistor region Rp, the High-k
従って、第2の実施形態によると、STI幅の増加や信頼性の低下を防止しつつ、所定の導電型トランジスタ領域においてHigh-kゲート絶縁膜と金属含有膜を有するゲート電極とからなる最適なゲート構造を実現することができる。 Therefore, according to the second embodiment, it is possible to prevent the increase in the STI width and the decrease in reliability, and to optimize the gate electrode having the high-k gate insulating film and the metal-containing film in the predetermined conductivity type transistor region. A gate structure can be realized.
尚、第2の実施形態において、半導体基板201上の全面にP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜203を堆積した後、N型トランジスタ領域Rnに位置するP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜203をN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207に改質した。しかし、これに代えて、半導体基板201上の全面にN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜を堆積した後、P型トランジスタ領域Rpに位置するN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜をP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜に改質してもよいことは言うまでもない。
In the second embodiment, after the P-type transistor high-k
また、第2の実施形態において、N型トランジスタ領域Rnに位置するP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜203にイオン206をイオン注入法によって導入したが、これに代えて、イオン206をプラズマドーピング等のプラズマ処理を用いて導入した場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the second embodiment,
また、第2の実施形態において、P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜203をN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207に改質するためのイオン206として、ランタニウム(La)や酸化ランタン(LaO)等のイオンを用いたが、これに代えて、他のランタノイド(Ce、Pr等)を含有するイオンを用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the second embodiment, lanthanum (La) or lanthanum oxide (as the
また、第2の実施形態において、High-kゲート絶縁膜203及び207の材料として酸化ハフニウム(HfO)膜を用いたが、これに代えて、他のHigh-k材料(酸化ジルコニウム(ZrO)等)を用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the second embodiment, the hafnium oxide (HfO) film is used as the material of the high-k
また、第2の実施形態において、N型トランジスタ用ゲート電極210及びP型トランジスタ用ゲート電極211に含まれる金属含有膜204としてTiN膜を用いたが、これに代えて、他の金属含有膜(TiNO膜、TaN膜、TaCN膜又はTaCNO膜等)を用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the second embodiment, the TiN film is used as the metal-containing
また、第2の実施形態において、N型トランジスタ用ゲート電極210及びP型トランジスタ用ゲート電極211に含まれるシリコン含有膜としてポリシリコン膜208を用いたが、これに代えて、アモルファスシリコン膜等の他のシリコン含有膜を用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
Further, in the second embodiment, the
(第2の実施形態の変形例)
以下、本発明の第2の実施形態の変形例に係る半導体装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。図5(a)〜(c)及び図6(a)〜(d)は、第2の実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
(Modification of the second embodiment)
Hereinafter, a semiconductor device and a method for manufacturing the same according to a modification of the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIGS. 5A to 5C and FIGS. 6A to 6D are cross-sectional views illustrating respective steps of a method for manufacturing a semiconductor device according to a modification of the second embodiment.
まず、第2の実施形態と同様に、図3(a)に示すように、半導体基板201中に素子分離領域202を形成することにより、N型トランジスタ領域RnとP型トランジスタ領域Rpとを区画する。続いて、半導体基板201上の全面にHigh-kゲート絶縁膜203及び金属含有膜204を順次堆積する。すなわち、第2の実施形態ではP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜203を堆積したのに対して、本変形例ではHigh-kゲート絶縁膜203を堆積する。ここで、High-kゲート絶縁膜203としては例えば厚さ1.0〜3.0nm程度の酸化ハフニウム(HfO)膜を、金属含有膜204としては例えば厚さ2.0〜10nm程度の窒化チタン(TiN)膜を用いる。また、High-k絶縁膜203と金属含有膜204つまりTiN膜との関係によって決まる実効仕事関数Weff は4.5程度であるが、この値はTiN膜の堆積法等により調整可能である。
First, as in the second embodiment, as shown in FIG. 3A, an
次に、第2の実施形態と同様に、図3(b)に示すように、N型トランジスタ領域Rnに開口を有するフォトレジスト205をマスクとして、N型トランジスタ領域Rnに位置するHigh-kゲート絶縁膜203にイオン206をイオン注入法により導入した後、第2の実施形態と同様に、図3(c)に示すように、フォトレジスト205を除去する。これにより、N型トランジスタ領域RnにHigh-kゲート絶縁膜203が改質されてなるN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207が形成される。ここで、導入されるイオン206としては、ランタニウム(La)や酸化ランタン(LaO)等のイオンが望ましく、イオン206の加速エネルギーについては、N型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207における金属含有膜204との界面近傍に、イオン206として注入される不純物の濃度ピークが位置するように設定することが望ましい。このようにすると、N型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207中のLa濃度分布を金属含有膜204から半導体基板201に向けて徐々に減少させることが可能となる。ここで、注入されたランタニウム(La)は、N型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207と金属含有膜204との関係によって決まる実効仕事関数Weff を4.2程度以下に低減させる作用を有している。すなわち、この作用によって、High-kゲート絶縁膜203がN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207に改質されるのである。
Next, as in the second embodiment, as shown in FIG. 3B, a High-k gate located in the N-type transistor region Rn with the
尚、本変形例において、High-kゲート絶縁膜203とイオン206とを十分に反応させるために、イオン206の導入後にアニールを実施してもよいが、当該アニールを行わない場合にも、後述するポリシリコン膜208の形成工程での加熱処理やその後の工程での加熱処理(例えば注入イオンに対する活性化アニール等)によって、High-kゲート絶縁膜203とイオン206とを反応させてN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207を形成することができる。
In this modification, in order to sufficiently react the high-k
次に、図5(a)に示すように、P型トランジスタ領域Rpに開口を有するフォトレジスト221をマスクとして、P型トランジスタ領域Rpに位置するHigh-kゲート絶縁膜203にイオン222をイオン注入法により導入した後、図5(b)に示すように、フォトレジスト221を除去する。これにより、P型トランジスタ領域RpにHigh-kゲート絶縁膜203が改質されてなるP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜223が形成される。ここで、導入されるイオン222としては、アルミニウム(Al)やアルミナ(AlO)等のイオンが望ましく、イオン222の加速エネルギーについては、P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜223における金属含有膜204との界面近傍に、イオン222として注入される不純物の濃度ピークが位置するように設定することが望ましい。このようにすると、前述の界面近傍にAlダイポール層を効率的に形成することが可能となる。このAlダイポール層は、P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜223と金属含有膜204との関係によって決まる実効仕事関数Weff を4.8程度以上に増加させる作用を有している。すなわち、この作用によって、High-kゲート絶縁膜203がP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜223に改質されるのである。
Next, as shown in FIG. 5A,
尚、本変形例において、High-kゲート絶縁膜203とイオン222とを十分に反応させるために、イオン222の導入後にアニールを実施してもよいが、当該アニールを行わない場合にも、後述するポリシリコン膜208の形成工程での加熱処理やその後の工程での加熱処理(例えば注入イオンに対する活性化アニール等)によって、High-kゲート絶縁膜203とイオン206とを反応させてP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜223を形成することができる。
In this modification, in order to sufficiently react the high-k
次に、図5(c)に示すように、半導体基板201上の全面に厚さ80〜120nm程度のポリシリコン膜208を堆積する。
Next, as shown in FIG. 5C, a
その後、図6(a)に示すように、ポリシリコン膜208上にフォトレジストからなるゲート電極形成用パターン209を形成した後、ゲート電極形成用パターン209をマスクとして、ポリシリコン膜208及び金属含有膜204に対して順次エッチングを行い、その後、ゲート電極形成用パターン209を除去する。これにより、図6(b)に示すように、半導体基板201におけるN型トランジスタ領域Rn上には、N型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207を介して、金属含有膜204及びポリシリコン膜208からなるN型トランジスタ用ゲート電極210が形成される一方、半導体基板201におけるP型トランジスタ領域Rp上には、P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜223を介して、金属含有膜204及びポリシリコン膜208からなるP型トランジスタ用ゲート電極211が形成される。すなわち、N型トランジスタ用ゲート電極210及びP型トランジスタ用ゲート電極211は同じ厚さを持つ同じ組成(TiN)の金属含有膜204を有している。その後、各ゲート電極210及び211の側壁上にオフセットスペーサー212を形成した後、イオン注入により、N型エクステンション領域213及びP型エクステンション領域214を形成する。ここで、オフセットスペーサー212としては、例えば厚さ3〜6nm程度のシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を用いる。
6A, after forming a gate
次に、図6(c)に示すように、半導体基板201上の全面に厚さ5〜10nm程度のシリコン酸化膜215及び厚さ15〜30nm程度のシリコン窒化膜216を順次堆積した後、シリコン窒化膜216及びシリコン酸化膜215に対してエッチバックを行うことにより、各ゲート電極210及び211の側壁上にオフセットスペーサー212を介して、シリコン酸化膜215及びシリコン窒化膜216からなるサイドウォールスペーサー217を形成する。
Next, as shown in FIG. 6C, a
その後、図6(d)に示すように、イオン注入により、N型ソース・ドレイン領域218及びP型ソース・ドレイン領域219を形成し、トランジスタ構造を完成させる。
Thereafter, as shown in FIG. 6D, an N-type source /
以上のような工程を行うことにより、N型トランジスタ領域Rn及びP型トランジスタ領域Rpのそれぞれに異なる最適ゲートスタック構造を形成することが可能となる。 By performing the steps as described above, different optimum gate stack structures can be formed in each of the N-type transistor region Rn and the P-type transistor region Rp.
以上に説明したように、第2の実施形態の変形例によると、N型トランジスタ領域Rn及びP型トランジスタ領域RpのそれぞれにおいてHigh-kゲート絶縁膜207及び223のいずれもHigh-kゲート絶縁膜除去工程や金属含有膜除去工程にさらされることがないため、High-kゲート絶縁膜207及び223に膜減りやダメージ等が発生することを防止できるので、High-kゲート絶縁膜207及び223、具体的にはN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207及びP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜223の信頼性を向上させることができる。
As described above, according to the modification of the second embodiment, both the high-k
また、第2の実施形態の変形例によると、N型トランジスタ領域Rn及びP型トランジスタ領域Rpのそれぞれにおいて所望の実効仕事関数を持つゲート構造を実現するために、High-kゲート絶縁膜203に対してイオン206及び222の導入を行ってN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207及びP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜223に改質する。このため、キャップ膜、High-k絶縁膜又は金属含有膜に対してマスクパターンを用いてエッチングを行う従来方法のようにマスクパターンの合わせズレやサイドエッチングを考慮してpn境界部幅(STI幅)を増大させる必要がないので、半導体装置を微細化することが可能となる。
Further, according to the modification of the second embodiment, the high-k
従って、第2の実施形態の変形例によると、STI幅の増加や信頼性の低下を防止しつつ、所定の導電型トランジスタ領域においてHigh-kゲート絶縁膜と金属含有膜を有するゲート電極とからなる最適なゲート構造を実現することができる。 Therefore, according to the modification of the second embodiment, the high-k gate insulating film and the gate electrode having the metal-containing film are formed in the predetermined conductivity type transistor region while preventing an increase in STI width and a decrease in reliability. An optimal gate structure can be realized.
尚、第2の実施形態の変形例において、High-kゲート絶縁膜203にイオン206及び222をイオン注入法によって導入したが、これに代えて、イオン206及び222をプラズマドーピング等のプラズマ処理を用いて導入した場合にも本変形例と同等の効果を得ることができる。
In the modification of the second embodiment, the
また、第2の実施形態の変形例において、High-kゲート絶縁膜203をN型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜207に改質するためのイオン206として、ランタニウム(La)や酸化ランタン(LaO)等のイオンを用いたが、これに代えて、他のランタノイド(Ce、Pr等)を含有するイオンを用いた場合にも本変形例と同等の効果を得ることができる。
In the modification of the second embodiment, lanthanum (La) or lanthanum oxide (LaO) is used as the
また、第2の実施形態の変形例において、High-kゲート絶縁膜203をP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜223に改質するためのイオン222として、アルミニウム(Al)やアルミナ(AlO)等のイオンを用いたが、これに代えて、他の III族元素(B、Ga等)を含有するイオンを用いた場合にも本変形例と同等の効果を得ることができる。
In the modification of the second embodiment, aluminum (Al) or alumina (AlO) is used as the
また、第2の実施形態の変形例において、High-kゲート絶縁膜203の材料として酸化ハフニウム(HfO)膜を用いたが、これに代えて、他のHigh-k材料(酸化ジルコニウム(ZrO)等)を用いた場合にも本変形例と同等の効果を得ることができる。
Further, in the modification of the second embodiment, the hafnium oxide (HfO) film is used as the material of the high-k
また、第2の実施形態の変形例において、N型トランジスタ用ゲート電極210及びP型トランジスタ用ゲート電極211に含まれる金属含有膜204としてTiN膜を用いたが、これに代えて、他の金属含有膜(TiNO膜、TaN膜、TaCN膜又はTaCNO膜等)を用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
Further, in the modification of the second embodiment, a TiN film is used as the metal-containing
また、第2の実施形態の変形例において、N型トランジスタ用ゲート電極210及びP型トランジスタ用ゲート電極211に含まれるシリコン含有膜としてポリシリコン膜208を用いたが、これに代えて、アモルファスシリコン膜等の他のシリコン含有膜を用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
Further, in the modification of the second embodiment, the
(第3の実施形態)
以下、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。図7(a)〜(d)及び図8(a)〜(d)は、第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
(Third embodiment)
Hereinafter, a semiconductor device and a manufacturing method thereof according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIGS. 7A to 7D and FIGS. 8A to 8D are cross-sectional views illustrating respective steps of the method of manufacturing a semiconductor device according to the third embodiment.
まず、図7(a)に示すように、半導体基板301中に素子分離領域302を形成することにより、N型トランジスタ領域RnとP型トランジスタ領域Rpとを区画する。続いて、半導体基板301上の全面にHigh-kゲート絶縁膜303及びP型トランジスタ用金属含有膜304を順次堆積する。ここで、High-kゲート絶縁膜303としては例えば厚さ1.0〜3.0nm程度の酸化ハフニウム(HfO)膜を、P型トランジスタ用金属含有膜304としては例えば厚さ2.0〜10nm程度の窒化チタン(TiN)膜を用いる。これにより、High-kゲート絶縁膜303とP型トランジスタ用金属含有膜304つまりTiN膜との関係によって決まる実効仕事関数Weff を4.8以上に設定することができる。すなわち、本実施形態において、High-kゲート絶縁膜303はP型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜である。尚、前述の実効仕事関数Weff の値はTiN膜の堆積法等により調整可能である。
First, as shown in FIG. 7A, an
次に、図7(b)に示すように、N型トランジスタ領域Rnに開口を有するフォトレジスト305をマスクとして、N型トランジスタ領域Rnに位置するP型トランジスタ用金属含有膜304にイオン306をイオン注入法により導入した後、図7(c)に示すように、フォトレジスト305を除去する。これにより、N型トランジスタ領域RnにP型トランジスタ用金属含有膜304が改質されてなるN型トランジスタ用金属含有膜307が形成される。ここで、導入されるイオン306としては、窒素又は炭素を含むイオンが望ましい。このようにすると、High-kゲート絶縁膜303とN型トランジスタ用金属含有膜307との関係によって決まる実効仕事関数Weff を4.2程度以下に低減させることができる。このとき、N型トランジスタ用金属含有膜307の厚さはP型トランジスタ用金属含有膜304の厚さと実質的に同じであるが、イオン306の導入によってN型トランジスタ用金属含有膜307の組成はP型トランジスタ用金属含有膜304の組成とは異なるものになる。
Next, as shown in FIG. 7B,
尚、本実施形態において、P型トランジスタ用金属含有膜304とイオン306とを十分に反応させるために、イオン306の導入後にアニールを実施してもよいが、当該アニールを行わない場合にも、後述するポリシリコン膜308の形成工程での加熱処理やその後の工程での加熱処理(例えば注入イオンに対する活性化アニール等)によって、P型トランジスタ用金属含有膜304とイオン306とを反応させてN型トランジスタ用金属含有膜307を形成することができる。
In this embodiment, in order to sufficiently react the metal-containing
次に、図7(d)に示すように、半導体基板301上の全面に厚さ80〜120nm程度のポリシリコン膜308を堆積する。
Next, as shown in FIG. 7D, a
その後、図8(a)に示すように、ポリシリコン膜308上にフォトレジストからなるゲート電極形成用パターン309を形成した後、ゲート電極形成用パターン309をマスクとして、ポリシリコン膜308並びにP型トランジスタ用金属含有膜304及びN型トランジスタ用金属含有膜307に対して順次エッチングを行い、その後、ゲート電極形成用パターン309を除去する。これにより、図8(b)に示すように、半導体基板301におけるN型トランジスタ領域Rn上には、High-kゲート絶縁膜303を介して、N型トランジスタ用金属含有膜307及びポリシリコン膜308からなるN型トランジスタ用ゲート電極310が形成される一方、半導体基板301におけるP型トランジスタ領域Rp上には、High-kゲート絶縁膜303を介して、P型トランジスタ用金属含有膜304及びポリシリコン膜308からなるP型トランジスタ用ゲート電極311が形成される。すなわち、N型トランジスタ用ゲート電極310及びP型トランジスタ用ゲート電極311は実質的に同じ厚さを持つ異なる組成の金属含有膜を有している。その後、各ゲート電極310及び311の側壁上にオフセットスペーサー312を形成した後、イオン注入により、N型エクステンション領域313及びP型エクステンション領域314を形成する。ここで、オフセットスペーサー312としては、例えば厚さ3〜6nm程度のシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を用いる。
8A, after forming a gate
次に、図8(c)に示すように、半導体基板301上の全面に厚さ5〜10nm程度のシリコン酸化膜315及び厚さ15〜30nm程度のシリコン窒化膜316を順次堆積した後、シリコン窒化膜316及びシリコン酸化膜315に対してエッチバックを行うことにより、各ゲート電極310及び311の側壁上にオフセットスペーサー312を介して、シリコン酸化膜315及びシリコン窒化膜316からなるサイドウォールスペーサー317を形成する。
Next, as shown in FIG. 8C, a
その後、図8(d)に示すように、イオン注入により、N型ソース・ドレイン領域318及びP型ソース・ドレイン領域319を形成し、トランジスタ構造を完成させる。
Thereafter, as shown in FIG. 8D, an N-type source /
以上のような工程を行うことにより、N型トランジスタ領域Rn及びP型トランジスタ領域Rpのそれぞれに異なる最適ゲートスタック構造を形成することが可能となる。 By performing the steps as described above, different optimum gate stack structures can be formed in each of the N-type transistor region Rn and the P-type transistor region Rp.
以上に説明したように、第3の実施形態によると、N型トランジスタ領域Rn及びP型トランジスタ領域RpのそれぞれにおいてHigh-kゲート絶縁膜303がHigh-kゲート絶縁膜除去工程や金属含有膜除去工程にさらされることがないため、High-kゲート絶縁膜303に膜減りやダメージ等が発生することを防止できるので、High-kゲート絶縁膜303の信頼性を向上させることができる。
As described above, according to the third embodiment, in each of the N-type transistor region Rn and the P-type transistor region Rp, the High-k
また、第3の実施形態によると、N型トランジスタ領域Rn及びP型トランジスタ領域Rpのそれぞれにおいて所望の実効仕事関数を持つゲート構造を実現するために、P型トランジスタ用金属含有膜304に対してイオン306の導入を行ってN型トランジスタ用金属含有膜307に改質する。このため、キャップ膜、High-k絶縁膜又は金属含有膜に対してマスクパターンを用いてエッチングを行う従来方法のようにマスクパターンの合わせズレやサイドエッチングを考慮してpn境界部幅(STI幅)を増大させる必要がないので、半導体装置を微細化することが可能となる。
In addition, according to the third embodiment, in order to realize a gate structure having a desired effective work function in each of the N-type transistor region Rn and the P-type transistor region Rp, the P-type transistor metal-containing
従って、第3の実施形態によると、STI幅の増加や信頼性の低下を防止しつつ、所定の導電型トランジスタ領域においてHigh-kゲート絶縁膜と金属含有膜を有するゲート電極とからなる最適なゲート構造を実現することができる。 Therefore, according to the third embodiment, it is possible to prevent the increase in the STI width and the decrease in the reliability, and to optimize the gate electrode having the high-k gate insulating film and the metal-containing film in the predetermined conductivity type transistor region. A gate structure can be realized.
尚、第3の実施形態において、半導体基板301上の全面にP型トランジスタ用金属含有膜304を堆積した後、N型トランジスタ領域Rnに位置するP型トランジスタ用金属含有膜304をN型トランジスタ用金属含有膜307に改質した。しかし、これに代えて、半導体基板301上の全面にN型トランジスタ用金属含有膜を堆積した後、P型トランジスタ領域Rpに位置するN型トランジスタ用金属含有膜をP型トランジスタ用金属含有膜に改質してもよいことは言うまでもない。或いは、半導体基板301上の全面に金属含有膜を堆積した後、P型トランジスタ領域Rpに位置する当該金属含有膜をP型トランジスタ用金属含有膜に改質すると共にN型トランジスタ領域Rnに位置する当該金属含有膜をN型トランジスタ用金属含有膜に改質してもよい。
In the third embodiment, after depositing a P-type transistor metal-containing
また、第3の実施形態において、N型トランジスタ領域Rnに位置するP型トランジスタ用金属含有膜304にイオン306をイオン注入法によって導入したが、これに代えて、イオン306をプラズマドーピング等のプラズマ処理を用いて導入した場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the third embodiment, the
また、第3の実施形態において、P型トランジスタ用金属含有膜304をN型トランジスタ用金属含有膜307に改質するためのイオン306として、窒素又は炭素を含有するイオンを用いたが、これに代えて、他の元素(シリコン(Si)等)を含有するイオンを用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the third embodiment, ions containing nitrogen or carbon are used as the
また、第3の実施形態において、High-kゲート絶縁膜303の材料として酸化ハフニウム(HfO)膜を用いたが、これに代えて、他のHigh-k材料(酸化ジルコニウム(ZrO)等)を用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the third embodiment, a hafnium oxide (HfO) film is used as the material of the high-k
また、第3の実施形態において、N型トランジスタ用ゲート電極310及びP型トランジスタ用ゲート電極311に含まれる金属含有膜としてTiN膜を用いたが、これに代えて、他の金属含有膜(TiNO膜、TaN膜、TaCN膜又はTaCNO膜等)を用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the third embodiment, the TiN film is used as the metal-containing film included in the N-type
また、第3の実施形態において、N型トランジスタ用ゲート電極310及びP型トランジスタ用ゲート電極311に含まれるシリコン含有膜としてポリシリコン膜308を用いたが、これに代えて、アモルファスシリコン膜等の他のシリコン含有膜を用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
Further, in the third embodiment, the
(第4の実施形態)
以下、本発明の第4の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。図9(a)〜(d)及び図10(a)〜(d)は、第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
(Fourth embodiment)
Hereinafter, a semiconductor device and a manufacturing method thereof according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIGS. 9A to 9D and FIGS. 10A to 10D are cross-sectional views showing respective steps of the method for manufacturing a semiconductor device according to the fourth embodiment.
まず、図9(a)に示すように、半導体基板401中に素子分離領域402を形成することにより、N型トランジスタ領域RnとP型トランジスタ領域Rpとを区画する。続いて、半導体基板401上の全面にHigh-k絶縁膜403、キャップ膜404及びN型トランジスタ用金属含有膜405を順次堆積する。ここで、High-k絶縁膜403としては例えば厚さ1.0〜3.0nm程度の酸化ハフニウム(HfO)膜を、キャップ膜404としては例えば厚さ0.3〜1.0nm程度の酸化ランタン(LaO)膜を、N型トランジスタ用金属含有膜405としては例えば厚さ2.0〜10nm程度の窒化チタン(TiN)膜を用いる。尚、後述するように、High-k絶縁膜403とキャップ膜404とから、ランタンを含むHigh-kゲート絶縁膜(ランタン含有High-kゲート絶縁膜)が形成されるが、当該ランタン含有High-kゲート絶縁膜とN型トランジスタ用金属含有膜405つまりTiN膜との関係によって決まる実効仕事関数Weff は4.2以下に設定されている。すなわち、本実施形態において、キャップ膜404はN型トランジスタ用キャップ膜である。尚、前述の実効仕事関数Weff の値はTiN膜の堆積法等により調整可能である。
First, as shown in FIG. 9A, an
次に、図9(b)に示すように、P型トランジスタ領域Rpに開口を有するフォトレジスト406をマスクとして、P型トランジスタ領域Rpに位置するN型トランジスタ用金属含有膜405にイオン407をイオン注入法により導入した後、図9(c)に示すように、フォトレジスト406を除去する。これにより、P型トランジスタ領域RpにN型トランジスタ用金属含有膜405が改質されてなるP型トランジスタ用金属含有膜408が形成される。ここで、導入されるイオン407としては、窒素又は炭素を含むイオンが望ましい。このようにすると、ランタン含有High-kゲート絶縁膜(High-k絶縁膜403とキャップ膜404とによって形成される)とP型トランジスタ用金属含有膜408との関係によって決まる実効仕事関数Weff を4.8程度以上に増加させることができる。このとき、P型トランジスタ用金属含有膜408の厚さはN型トランジスタ用金属含有膜405の厚さと実質的に同じであるが、イオン407の導入によってP型トランジスタ用金属含有膜408の組成はN型トランジスタ用金属含有膜405の組成とは異なるものになる。
Next, as shown in FIG. 9B,
尚、本実施形態において、N型トランジスタ用金属含有膜405とイオン407とを十分に反応させるために、イオン407の導入後にアニールを実施してもよいが、当該アニールを行わない場合にも、後述するポリシリコン膜409の形成工程での加熱処理やその後の工程での加熱処理(例えば注入イオンに対する活性化アニール等)によって、N型トランジスタ用金属含有膜405とイオン407とを反応させてP型トランジスタ用金属含有膜408を形成することができる。
In this embodiment, in order to sufficiently react the metal-containing
次に、図9(d)に示すように、半導体基板401上の全面に厚さ80〜120nm程度のポリシリコン膜409を堆積した後、アニールを行うことにより、High-k絶縁膜403とキャップ膜404とを反応させてランタン含有High-kゲート絶縁膜(N型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜)410を形成する。
Next, as shown in FIG. 9D, after depositing a
尚、本実施形態では、ポリシリコン膜409の堆積工程とは別にアニール工程を行ったが、このアニール工程を行わなくても、ポリシリコン膜409の形成工程に伴う加熱処理やその後の工程での加熱処理によって、ランタン含有High-kゲート絶縁膜410を形成することができる。
In this embodiment, the annealing process is performed separately from the deposition process of the
その後、図10(a)に示すように、ポリシリコン膜409上にフォトレジストからなるゲート電極形成用パターン411を形成した後、ゲート電極形成用パターン411をマスクとして、ポリシリコン膜409並びにN型トランジスタ用金属含有膜405及びP型トランジスタ用金属含有膜408に対して順次エッチングを行い、その後、ゲート電極形成用パターン411を除去する。これにより、図10(b)に示すように、半導体基板401におけるN型トランジスタ領域Rn上には、ランタン含有High-kゲート絶縁膜410を介して、N型トランジスタ用金属含有膜405及びポリシリコン膜409からなるN型トランジスタ用ゲート電極412が形成される一方、半導体基板401におけるP型トランジスタ領域Rp上には、ランタン含有High-kゲート絶縁膜410を介して、P型トランジスタ用金属含有膜408及びポリシリコン膜409からなるP型トランジスタ用ゲート電極413が形成される。すなわち、N型トランジスタ用ゲート電極412及びP型トランジスタ用ゲート電極413は実質的に同じ厚さを持つ異なる組成の金属含有膜を有している。その後、各ゲート電極412及び413の側壁上にオフセットスペーサー414を形成した後、イオン注入により、N型エクステンション領域415及びP型エクステンション領域416を形成する。ここで、オフセットスペーサー414としては、例えば厚さ3〜6nm程度のシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を用いる。
Thereafter, as shown in FIG. 10A, after forming a gate
次に、図10(c)に示すように、半導体基板401上の全面に厚さ5〜10nm程度のシリコン酸化膜417及び厚さ15〜30nm程度のシリコン窒化膜418を順次堆積した後、シリコン窒化膜418及びシリコン酸化膜417に対してエッチバックを行うことにより、各ゲート電極412及び413の側壁上にオフセットスペーサー414を介して、シリコン酸化膜417及びシリコン窒化膜418からなるサイドウォールスペーサー419を形成する。
Next, as shown in FIG. 10C, a
その後、図10(d)に示すように、イオン注入により、N型ソース・ドレイン領域420及びP型ソース・ドレイン領域421を形成し、トランジスタ構造を完成させる。
Thereafter, as shown in FIG. 10D, an N-type source /
以上のような工程を行うことにより、N型トランジスタ領域Rn及びP型トランジスタ領域Rpのそれぞれに異なる最適ゲートスタック構造を形成することが可能となる。 By performing the steps as described above, different optimum gate stack structures can be formed in each of the N-type transistor region Rn and the P-type transistor region Rp.
以上に説明したように、第4の実施形態によると、N型トランジスタ領域Rn及びP型トランジスタ領域RpのそれぞれにおいてHigh-k絶縁膜403及びキャップ膜404のいずれもキャップ膜除去工程にさらされることが全くないため、High-k絶縁膜403及びキャップ膜404に膜減りやダメージ等が発生することを防止できるので、ランタン含有High-kゲート絶縁膜410の信頼性を向上させることができる。
As described above, according to the fourth embodiment, both the high-
また、第4の実施形態によると、N型トランジスタ領域Rn及びP型トランジスタ領域Rpのそれぞれにおいて所望の実効仕事関数を持つゲート構造を実現するために、N型トランジスタ用金属含有膜405に対してイオン407の導入を行ってP型トランジスタ用金属含有膜408に改質する。このため、キャップ膜、High-k絶縁膜又は金属含有膜に対してマスクパターンを用いてエッチングを行う従来方法のようにマスクパターンの合わせズレやサイドエッチングを考慮してpn境界部幅(STI幅)を増大させる必要がないので、半導体装置を微細化することが可能となる。
Further, according to the fourth embodiment, in order to realize a gate structure having a desired effective work function in each of the N-type transistor region Rn and the P-type transistor region Rp, the N-type transistor metal-containing
従って、第4の実施形態によると、STI幅の増加や信頼性の低下を防止しつつ、所定の導電型トランジスタ領域においてHigh-kゲート絶縁膜と金属含有膜を有するゲート電極とからなる最適なゲート構造を実現することができる。 Therefore, according to the fourth embodiment, it is possible to prevent the increase in the STI width and the decrease in the reliability, and to optimize the gate electrode having the high-k gate insulating film and the metal-containing film in the predetermined conductivity type transistor region. A gate structure can be realized.
尚、第4の実施形態において、半導体基板401上の全面にN型トランジスタ用金属含有膜405を堆積した後、P型トランジスタ領域Rpに位置するN型トランジスタ用金属含有膜405をP型トランジスタ用金属含有膜408に改質した。しかし、これに代えて、半導体基板401上の全面にP型トランジスタ用金属含有膜を堆積した後、N型トランジスタ領域Rnに位置するP型トランジスタ用金属含有膜をN型トランジスタ用金属含有膜に改質してもよいことは言うまでもない。或いは、半導体基板401上の全面に金属含有膜を堆積した後、P型トランジスタ領域Rpに位置する当該金属含有膜をP型トランジスタ用金属含有膜に改質すると共にN型トランジスタ領域Rnに位置する当該金属含有膜をN型トランジスタ用金属含有膜に改質してもよい。
In the fourth embodiment, an N-type transistor metal-containing
また、第4の実施形態において、P型トランジスタ領域Rpに位置するN型トランジスタ用金属含有膜405にイオン407をイオン注入法によって導入したが、これに代えて、イオン407をプラズマドーピング等のプラズマ処理を用いて導入した場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the fourth embodiment, the
また、第4の実施形態において、N型トランジスタ用金属含有膜405をP型トランジスタ用金属含有膜408に改質するためのイオン407として、窒素又は炭素を含有するイオンを用いたが、これに代えて、他の元素(シリコン(Si)等)を含有するイオンを用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the fourth embodiment, ions containing nitrogen or carbon are used as the
また、第4の実施形態において、High-kゲート絶縁膜403の材料として酸化ハフニウム(HfO)膜を用いたが、これに代えて、他のHigh-k材料(酸化ジルコニウム(ZrO)等)を用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the fourth embodiment, a hafnium oxide (HfO) film is used as the material of the high-k
また、第4の実施形態において、キャップ膜404として酸化ランタン(LaO)膜を用いたが、これに代えて、他のランタノイド(Ce、Pr等)を含有する酸化膜を用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the fourth embodiment, the lanthanum oxide (LaO) film is used as the
また、第4の実施形態において、N型トランジスタ用ゲート電極412及びP型トランジスタ用ゲート電極413に含まれる金属含有膜としてTiN膜を用いたが、これに代えて、他の金属含有膜(TiNO膜、TaN膜、TaCN膜又はTaCNO膜等)を用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the fourth embodiment, the TiN film is used as the metal-containing film included in the N-type
また、第4の実施形態において、N型トランジスタ用ゲート電極412及びP型トランジスタ用ゲート電極413に含まれるシリコン含有膜としてポリシリコン膜409を用いたが、これに代えて、アモルファスシリコン膜等の他のシリコン含有膜を用いた場合にも本実施形態と同等の効果を得ることができる。
In the fourth embodiment, the
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に所定の導電型トランジスタ領域においてHigh-kゲート絶縁膜と金属含有膜を有するゲート電極とからなる最適なゲート構造を実現するために有用である。 The present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof, and is particularly useful for realizing an optimal gate structure including a high-k gate insulating film and a gate electrode having a metal-containing film in a predetermined conductivity type transistor region.
101 半導体基板
102 素子分離領域
103 High-k絶縁膜
104 N型トランジスタ用キャップ膜
105 金属含有膜
106 フォトレジスト
107 イオン
108 P型トランジスタ用キャップ膜
109 N型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜
110 P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜
111 ポリシリコン膜
112 ゲート形成用パターン
113 N型トランジスタ用ゲート電極
114 P型トランジスタ用ゲート電極
115 オフセットスペーサー
116 N型エクステンション領域
117 P型エクステンション領域
118 シリコン酸化膜
119 シリコン窒化膜
120 サイドウォールスペーサー
121 N型ソース・ドレイン領域
122 P型ソース・ドレイン領域
201 半導体基板
202 素子分離領域
203 High-kゲート絶縁膜(P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜)
204 金属含有膜
205 フォトレジスト
206 イオン
207 N型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜
208 ポリシリコン膜
209 ゲート形成用パターン
210 N型トランジスタ用ゲート電極
211 P型トランジスタ用ゲート電極
212 オフセットスペーサー
213 N型エクステンション領域
214 P型エクステンション領域
215 シリコン酸化膜
216 シリコン窒化膜
217 サイドウォールスペーサー
218 N型ソース・ドレイン領域
219 P型ソース・ドレイン領域
221 フォトレジスト
222 イオン
223 P型トランジスタ用High-kゲート絶縁膜
301 半導体基板
302 素子分離領域
303 High-kゲート絶縁膜
304 P型トランジスタ用金属含有膜
305 フォトレジスト
306 イオン
307 N型トランジスタ用金属含有膜
308 ポリシリコン膜
309 ゲート形成用パターン
310 N型トランジスタ用ゲート電極
311 P型トランジスタ用ゲート電極
312 オフセットスペーサー
313 N型エクステンション領域
314 P型エクステンション領域
315 シリコン酸化膜
316 シリコン窒化膜
317 サイドウォールスペーサー
318 N型ソース・ドレイン領域
319 P型ソース・ドレイン領域
401 半導体基板
402 素子分離領域
403 High-k絶縁膜
404 キャップ膜
405 N型トランジスタ用金属含有膜
406 フォトレジスト
407 イオン
408 P型トランジスタ用金属含有膜
409 ポリシリコン膜
410 ランタン含有High-kゲート絶縁膜
411 ゲート形成用パターン
412 N型トランジスタ用ゲート電極
413 P型トランジスタ用ゲート電極
414 オフセットスペーサー
415 N型エクステンション領域
416 P型エクステンション領域
417 シリコン酸化膜
418 シリコン窒化膜
419 サイドウォールスペーサー
420 N型ソース・ドレイン領域
421 P型ソース・ドレイン領域
101
204 Metal-containing film 205 Photoresist 206 Ion 207 High-k gate insulating film for N-type transistor 208 Polysilicon film 209 Gate formation pattern 210 N-type transistor gate electrode 211 P-type transistor gate electrode 212 Offset spacer 213 N-type extension Region 214 P-type extension region 215 Silicon oxide film 216 Silicon nitride film 217 Side wall spacer 218 N-type source / drain region 219 P-type source / drain region 221 Photoresist 222 Ion 223 High-k gate insulating film for P-type transistor 301 Semiconductor Substrate 302 Element isolation region 303 High-k gate insulating film 304 Metal-containing film for P-type transistor 305 Photoresist 306 Ion 307 N-type transistor Metal-containing film 308 Polysilicon film 309 Gate formation pattern 310 N-type transistor gate electrode 311 P-type transistor gate electrode 312 Offset spacer 313 N-type extension region 314 P-type extension region 315 Silicon oxide film 316 Silicon nitride film 317 Side Wall spacer 318 N-type source / drain region 319 P-type source / drain region 401 Semiconductor substrate 402 Element isolation region 403 High-k insulating film 404 Cap film 405 Metal-containing film for N-type transistor 406 Photoresist 407 Ion 408 For P-type transistor Metal-containing film 409 Polysilicon film 410 Lanthanum-containing high-k gate insulating film 411 Gate formation pattern 412 N-type transistor gate electrode 413 P-type Transistor gate electrode 414 Offset spacer 415 N-type extension region 416 P-type extension region 417 Silicon oxide film 418 Silicon nitride film 419 Side wall spacer 420 N-type source / drain region 421 P-type source / drain region
Claims (22)
前記N型MISトランジスタは、
前記半導体基板上に形成された第1の高誘電率ゲート絶縁膜と、
前記第1の高誘電率ゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート電極とを備え、
前記P型MISトランジスタは、
前記半導体基板上に形成された第2の高誘電率ゲート絶縁膜と、
前記第2の高誘電率ゲート絶縁膜上に形成された第2のゲート電極とを備え、
前記第1の高誘電率ゲート絶縁膜及び前記第2の高誘電率ゲート絶縁膜は共にランタノイドを含み、前記第2の高誘電率ゲート絶縁膜のみがさらに III族元素を含むことを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device comprising an N-type MIS transistor and a P-type MIS transistor on a semiconductor substrate,
The N-type MIS transistor is
A first high dielectric constant gate insulating film formed on the semiconductor substrate;
A first gate electrode formed on the first high dielectric constant gate insulating film,
The P-type MIS transistor is
A second high dielectric constant gate insulating film formed on the semiconductor substrate;
A second gate electrode formed on the second high dielectric constant gate insulating film,
The first high dielectric constant gate insulating film and the second high dielectric constant gate insulating film both contain a lanthanoid, and only the second high dielectric constant gate insulating film further contains a group III element. Semiconductor device.
前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極は、同じ厚さを持つ同組成の金属含有膜を有することを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1,
The semiconductor device, wherein the first gate electrode and the second gate electrode have a metal-containing film having the same thickness and the same composition.
前記ランタノイドはランタンであることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1 or 2,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the lanthanoid is lanthanum.
前記 III族元素はアルミニウムであることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to any one of claims 1 to 3,
A semiconductor device characterized in that the group III element is aluminum.
前記第1導電型MISトランジスタは、
前記半導体基板上に形成された第1の高誘電率ゲート絶縁膜と、
前記第1の高誘電率ゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート電極とを備え、
前記第2導電型MISトランジスタは、
前記半導体基板上に形成された第2の高誘電率ゲート絶縁膜と、
前記第2の高誘電率ゲート絶縁膜上に形成された第2のゲート電極とを備え、
前記第1の高誘電率ゲート絶縁膜及び前記第2の高誘電率ゲート絶縁膜は同じ高誘電率膜からなり、
前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極は、実質的に同じ厚さを持つ異なる組成の金属含有膜を有することを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device comprising a first conductivity type MIS transistor and a second conductivity type MIS transistor on a semiconductor substrate,
The first conductivity type MIS transistor is:
A first high dielectric constant gate insulating film formed on the semiconductor substrate;
A first gate electrode formed on the first high dielectric constant gate insulating film,
The second conductivity type MIS transistor is:
A second high dielectric constant gate insulating film formed on the semiconductor substrate;
A second gate electrode formed on the second high dielectric constant gate insulating film,
The first high dielectric constant gate insulating film and the second high dielectric constant gate insulating film are made of the same high dielectric constant film,
The semiconductor device, wherein the first gate electrode and the second gate electrode have metal-containing films of different compositions having substantially the same thickness.
前記第2のゲート電極を構成する金属含有膜のみに所定の元素が導入されていることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 5,
A semiconductor device, wherein a predetermined element is introduced only into a metal-containing film constituting the second gate electrode.
前記所定の元素は窒素又は炭素であることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 6.
The semiconductor device, wherein the predetermined element is nitrogen or carbon.
前記高誘電率膜の材料は前記第1のゲート電極が所定の仕事関数を持つように選択されていることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to any one of claims 5 to 7,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the material of the high dielectric constant film is selected so that the first gate electrode has a predetermined work function.
前記高誘電率絶縁膜上に第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜を形成する工程(b)と、
前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜上に金属含有膜を堆積する工程(c)と、
前記工程(c)の後に、前記第1導電型MISトランジスタ領域を覆うマスクパターンを用いて、前記第2導電型MISトランジスタ領域に位置する前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜にイオンを導入して第2導電型MISトランジスタ用キャップ膜に改質した後、前記マスクパターンを除去する工程(d)と、
前記工程(d)の後に、前記金属含有膜上にシリコン含有膜を堆積する工程(e)と、
前記金属含有膜及び前記シリコン含有膜をパターニングすることにより、第1導電型MISトランジスタ用ゲート電極及び第2導電型MISトランジスタ用ゲート電極を形成する工程(f)とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 Forming a high dielectric constant insulating film on the semiconductor substrate including the first conductivity type MIS transistor region and the second conductivity type MIS transistor region;
Forming a cap film for a first conductivity type MIS transistor on the high dielectric constant insulating film (b);
Depositing a metal-containing film on the cap film for the first conductivity type MIS transistor;
After the step (c), ions are introduced into the cap film for the first conductivity type MIS transistor located in the second conductivity type MIS transistor region by using a mask pattern covering the first conductivity type MIS transistor region. (D) removing the mask pattern after modifying the cap film for the second conductivity type MIS transistor
A step (e) of depositing a silicon-containing film on the metal-containing film after the step (d);
And (f) forming a gate electrode for the first conductivity type MIS transistor and a gate electrode for the second conductivity type MIS transistor by patterning the metal-containing film and the silicon-containing film. A method for manufacturing a semiconductor device.
前記工程(d)の後に、熱処理を行って、前記高誘電率絶縁膜と前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜とを反応させることにより第1導電型MISトランジスタ用ゲート絶縁膜を形成すると共に前記高誘電率絶縁膜と前記第2導電型MISトランジスタ用キャップ膜とを反応させることにより第2導電型MISトランジスタ用ゲート絶縁膜を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 9,
After the step (d), a heat treatment is performed to form a first conductivity type MIS transistor gate insulating film by reacting the high dielectric constant insulating film with the first conductivity type MIS transistor cap film. A step of forming a gate insulating film for a second conductivity type MIS transistor by reacting the high dielectric constant insulating film with the cap film for the second conductivity type MIS transistor is further provided. Production method.
前記第1導電型MISトランジスタはN型MISトランジスタであり、
前記第2導電型MISトランジスタはP型MISトランジスタであり、
前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜はランタノイド含有酸化膜であり、
前記イオンは III族元素含有イオンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 9 or 10,
The first conductivity type MIS transistor is an N-type MIS transistor,
The second conductivity type MIS transistor is a P-type MIS transistor,
The cap film for the first conductivity type MIS transistor is a lanthanoid-containing oxide film,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the ions are group III element-containing ions.
前記工程(d)において、イオン注入法又はプラズマドーピング法を用いて前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜に前記イオンを導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device of any one of Claims 9-11,
In the step (d), the ion is introduced into the cap film for the first conductivity type MIS transistor by using an ion implantation method or a plasma doping method.
前記高誘電率絶縁膜上に金属含有膜を堆積する工程(b)と、
前記工程(b)よりも後に、前記第1導電型MISトランジスタ領域を覆う第1のマスクパターンを用いて、前記第2導電型MISトランジスタ領域に位置する前記高誘電率絶縁膜に第1のイオンを導入して第2導電型MISトランジスタ用高誘電率絶縁膜に改質した後、前記第1のマスクパターンを除去する工程(c)と、
前記工程(c)の後に、前記金属含有膜上にシリコン含有膜を堆積する工程(d)と、
前記金属含有膜及び前記シリコン含有膜をパターニングすることにより、第1導電型MISトランジスタ用ゲート電極及び第2導電型MISトランジスタ用ゲート電極を形成する工程(e)とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 Forming a high dielectric constant insulating film on the semiconductor substrate including the first conductivity type MIS transistor region and the second conductivity type MIS transistor region;
Depositing a metal-containing film on the high dielectric constant insulating film;
After the step (b), a first mask pattern covering the first conductivity type MIS transistor region is used to form a first ion on the high dielectric constant insulating film located in the second conductivity type MIS transistor region. (C), after removing the first mask pattern after introducing a high-dielectric-constant insulating film for the second conductivity type MIS transistor,
A step (d) of depositing a silicon-containing film on the metal-containing film after the step (c);
And (e) forming a first conductive MIS transistor gate electrode and a second conductive MIS transistor gate electrode by patterning the metal-containing film and the silicon-containing film. A method for manufacturing a semiconductor device.
前記第1導電型MISトランジスタはP型MISトランジスタであり、
前記第2導電型MISトランジスタはN型MISトランジスタであり、
前記第1のイオンはランタノイド含有イオンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 13,
The first conductivity type MIS transistor is a P-type MIS transistor;
The second conductivity type MIS transistor is an N-type MIS transistor,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the first ion is a lanthanoid-containing ion.
前記高誘電率絶縁膜は、第1導電型MISトランジスタ用高誘電率絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 13 or 14,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the high dielectric constant insulating film is a high dielectric constant insulating film for a first conductivity type MIS transistor.
前記工程(b)の後で前記工程(d)の前に、前記第2導電型MISトランジスタ領域を覆う第2のマスクパターンを用いて、前記第1導電型MISトランジスタ領域に位置する前記高誘電率絶縁膜に第2のイオンを導入して第1導電型MISトランジスタ用高誘電率絶縁膜に改質した後、前記第2のマスクパターンを除去する工程(f)をさらに備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 13 or 14,
After the step (b) and before the step (d), using the second mask pattern covering the second conductivity type MIS transistor region, the high dielectric located in the first conductivity type MIS transistor region A step (f) of removing the second mask pattern after introducing a second ion into the high-permittivity insulating film to modify the high-permittivity insulating film for the first conductivity type MIS transistor. A method of manufacturing a semiconductor device.
前記第2のイオンは III族元素含有イオンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 16,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the second ion is a group III element-containing ion.
前記高誘電率絶縁膜上に第1導電型MISトランジスタ用金属含有膜を堆積する工程(b)と、
前記工程(b)の後に、前記第1導電型MISトランジスタ領域を覆うマスクパターンを用いて、前記第2導電型MISトランジスタ領域に位置する前記第1導電型MISトランジスタ用金属含有膜にイオンを導入して第2導電型MISトランジスタ用金属含有膜に改質した後、前記マスクパターンを除去する工程(c)と、
前記工程(c)の後に、前記第1導電型MISトランジスタ用金属含有膜上及び前記第2導電型MISトランジスタ用金属含有膜上にシリコン含有膜を堆積する工程(d)と、
前記第1導電型MISトランジスタ用金属含有膜及び前記シリコン含有膜をパターニングすることにより第1導電型MISトランジスタ用ゲート電極を形成すると共に前記第2導電型MISトランジスタ用金属含有膜及び前記シリコン含有膜をパターニングすることにより第2導電型MISトランジスタ用ゲート電極を形成する工程(e)とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 Forming a high dielectric constant insulating film on the semiconductor substrate including the first conductivity type MIS transistor region and the second conductivity type MIS transistor region;
Depositing a metal-containing film for the first conductivity type MIS transistor on the high dielectric constant insulating film (b);
After the step (b), ions are introduced into the metal-containing film for the first conductivity type MIS transistor located in the second conductivity type MIS transistor region using a mask pattern covering the first conductivity type MIS transistor region. (C) removing the mask pattern after modifying the metal-containing film for the second conductivity type MIS transistor;
A step (d) of depositing a silicon-containing film on the metal-containing film for the first conductivity type MIS transistor and the metal-containing film for the second conductivity type MIS transistor after the step (c);
The gate electrode for the first conductivity type MIS transistor is formed by patterning the metal-containing film for the first conductivity type MIS transistor and the silicon-containing film, and the metal-containing film for the second conductivity type MIS transistor and the silicon-containing film. And (e) forming a gate electrode for a second conductivity type MIS transistor by patterning the semiconductor device.
前記工程(c)は、熱処理を行って、前記イオンと前記第1導電型MISトランジスタ用金属含有膜とを合金化して前記第2導電型MISトランジスタ用金属含有膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 18,
The step (c) includes a step of performing a heat treatment to alloy the ions and the metal-containing film for the first conductivity type MIS transistor to form the metal-containing film for the second conductivity type MIS transistor. A method of manufacturing a semiconductor device.
前記イオンは窒素又は炭素を含有するイオンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 18 or 19,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the ions are ions containing nitrogen or carbon.
前記高誘電率絶縁膜は第1導電型MISトランジスタ用高誘電率絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device of any one of Claims 18-20,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the high dielectric constant insulating film is a high dielectric constant insulating film for a first conductivity type MIS transistor.
前記工程(a)と前記工程(b)との間に、前記高誘電率絶縁膜上に第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜を形成する工程(f)をさらに備え、
前記工程(f)の後に、熱処理を行って、前記高誘電率絶縁膜と前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜とを反応させることにより、第1導電型MISトランジスタ用高誘電率絶縁膜を形成する工程(g)をさらに備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device of any one of Claims 18-20,
A step (f) of forming a cap film for the first conductivity type MIS transistor on the high dielectric constant insulating film between the step (a) and the step (b);
After the step (f), heat treatment is performed to cause the high dielectric constant insulating film and the cap film for the first conductivity type MIS transistor to react to form a high dielectric constant insulation film for the first conductivity type MIS transistor. A method of manufacturing a semiconductor device, further comprising a step (g) of forming.
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