JP2010027842A - 半導体装置および光電変換システム - Google Patents
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Abstract
【課題】相対的な精度が要求される複数個の回路素子のそれぞれの特性が高い整合性を持つようにすることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置10は、所定数のMOSトランジスタ素子2を含む入力側回路素子10aと、入力側回路素子10aに含まれるMOSトランジスタ素子2の数とは異なる数のMOSトランジスタ素子2を含む出力側回路素子10bとを備えている。入力側回路素子10aおよび出力側回路素子10bは相対的な精度が要求されるものであり、入力側回路素子10aおよび出力側回路素子10bからなる回路素子は、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する複数個の活性領域3のうちの少なくとも1個の活性領域に2個以上のMOSトランジスタ素子2が形成され、複数個の活性領域3のうちの他の活性領域3のそれぞれに残りのMOSトランジスタ素子2が形成された構造となっている。
【選択図】図1
【解決手段】この半導体装置10は、所定数のMOSトランジスタ素子2を含む入力側回路素子10aと、入力側回路素子10aに含まれるMOSトランジスタ素子2の数とは異なる数のMOSトランジスタ素子2を含む出力側回路素子10bとを備えている。入力側回路素子10aおよび出力側回路素子10bは相対的な精度が要求されるものであり、入力側回路素子10aおよび出力側回路素子10bからなる回路素子は、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する複数個の活性領域3のうちの少なくとも1個の活性領域に2個以上のMOSトランジスタ素子2が形成され、複数個の活性領域3のうちの他の活性領域3のそれぞれに残りのMOSトランジスタ素子2が形成された構造となっている。
【選択図】図1
Description
本発明は、相対的な精度が要求される複数の回路素子を含む半導体装置および光電変換システムに関する。
一般的に、アナログ回路に使用されるカレントミラー回路や差動増幅回路では、それら回路を構成する複数個のトランジスタ素子や拡散抵抗素子の特性が高い精度で一致することが要求される。たとえば、図16に示すように、入力側のMOSトランジスタ素子M101のソース領域/ドレイン領域間を流れる電流値がそのまま出力側のMOSトランジスタ素子M102のソース領域/ドレイン領域間を流れる電流値に反映されるカレントミラー回路では、対をなす入力側のMOSトランジスタ素子M101と出力側のMOSトランジスタ素子M102との間の相対的なバラツキがそのまま出力電流のバラツキに影響を与える。したがって、このようなカレントミラー回路では、入力側のMOSトランジスタ素子M101および出力側のMOSトランジスタ素子M102のそれぞれの特性を高い精度で一致させる必要がある。
上記のような素子間の相対的なバラツキは様々な要因で生じるが、大別すると3つに分けることができる。
1つ目としては、製造プロセスの統計的なゆらぎにより、フォトリソグラフィ線幅、エッチング線幅、膜厚およびイオン注入量などがばらついてしまうことに起因したものである。
2つ目としては、フォトリソグラフィ線幅やエッチング線幅の仕上りがパターン密度の違いによって局所的に変動する、いわゆるマイクロローディング効果に起因したものである。たとえば、フォトリソグラフィ工程であれば、パターン密度が密の領域と疎の領域とでレジスト膜厚に僅かな膜厚差が生じ、これによってレジスト膜内において照射光の干渉効果がばらついてしまい、結果としてフォトリソグラフィ線幅がずれるという現象が発生する。また、エッチング工程であれば、パターン密度が疎の領域の方が密の領域よりもパターン側壁への残渣付着が多くなってテーパ角が大きくなり、結果としてエッチング線幅がずれるという現象が発生する。
3つ目としては、製造プロセスのウェハ面内均一性のバラツキや、対象となる素子の周辺に配置された各種回路素子および構造物から生じる発熱や応力がウェハ面内位置によって異なることに起因したものである。
そこで、従来では、上記した要因に起因する素子間の相対的なバラツキの発生を抑制するために、種々の技術が提案されている。
具体的には、製造プロセスのバラツキに起因する不都合に対しては、MOSトランジスタ素子のゲート長をLとし、ゲート幅をWとした場合、MOSトランジスタ素子の閾値電圧が1/√(LW)と比例関係にあることに基づいて、ゲート長Lおよびゲート幅Wを許容される閾値電圧バラツキとなるように設定することが行われている(たとえば、非特許文献1および2参照)。
また、マイクロローディング効果に起因する不都合に対しては、パターン密度が疎となる領域に必要に応じてダミーパターンを配置することにより、パターン密度を一定に保持して形状変動の影響を低減することが行われている(たとえば、特許文献1参照)。
また、ウェハ面内位置に依存した発熱や応力に起因する不都合に対しては、図17に示すように、対となるMOSトランジスタ素子M101およびM102のそれぞれを2つに分割し、それらをクロス状に配置(コモンセントロイド型配置)することが行われている(たとえば、特許文献2および非特許文献3参照)。なお、図中の「G」は、ゲート電極である。また、図中の「S」および「D」は、それぞれ、ソース領域およびドレイン領域である。
1:1カレントミラー回路であればコモンセントロイド型配置が可能であるが、入力側回路素子の電流値に対して2倍以上の整数倍に増幅するといったような場合では、入力側の素子数に対して出力側の素子数が2倍以上の整数倍となってしまうため、入力側回路素子および出力側回路素子のそれぞれを2分割してコモンセントロイド型のような点対称に配置するのが不可能となる。すなわち、入力側および出力側のそれぞれの素子数が互いに異なるような回路構成では、入力側回路素子および出力側回路素子のそれぞれの特性を高い精度で一致させるのが困難であるという問題点がある。
また、増幅する倍数が大きい場合には、回路を構成するトランジスタ素子の数が多くなり、それら多くのトランジスタ素子を配置するために非常に大きな面積が必要になる。このため、トランジスタ素子がMOS型である場合、隣接するMOSトランジスタ素子のソース領域/ドレイン領域を反転させ、隣接するMOSトランジスタ素子間でソース領域またはドレイン領域を共通化することが行われている。
たとえば、1個のMOSトランジスタ素子102(M101)を含む入力側回路素子110aと、7個のMOSトランジスタ素子102(M102〜M108)を含む出力側回路素子110bとからなるカレントミラー回路(図18参照)を構成する場合には、図19に示すように、入力側回路素子110aの形成領域と隣接する領域に、大面積の活性領域103を有し、かつ、隣接するMOSトランジス素子102間でソース領域Sまたはドレイン領域Dが共通化された出力側回路素子110bを配置するのが一般的である。
しかしながら、図19に示したカレントミラー回路では、ダミーパターンを設けるなどしてマイクロローディング効果の発生を抑制するための対策を施していたとしても、入力側回路素子110aおよび出力側回路素子110bのそれぞれの特性が互いに著しく異なる場合がある。このような現象は、特に、活性領域103のチャネル方向のサイズが違う場合に見られ、活性領域103のチャネル方向のサイズの差が大きければ、駆動電流が30%以上も異なってしまうことがある。これは、以下の理由によると考えられる。
すなわち、一般的に、MOSトランジスタ素子は、機械的応力によってシリコン基板の結晶の歪み度合いが変化すると、その歪み量に依存したキャリア移動度が変動することにより特性の変動が起こることが知られている。このことから、互いに異なる大きさを有する活性領域のそれぞれにMOSトランジスタ素子が形成されている場合には、活性領域の周辺の素子分離領域から各活性領域が受ける機械的応力に違いが生じ、それにより各MOSトランジスタ素子のキャリア移動度が互いに異なってしまうと考えられる。
なお、互いに異なる大きさを有する活性領域のそれぞれに拡散抵抗素子が形成されている場合にも、同様の現象が起こることが分かっている。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、相対的な精度が要求される複数個の回路素子のそれぞれの特性が高い整合性を持つようにすることが可能な半導体装置およびそれを備えた光電変換システムを提供することである。
上記目的を達成するために、本発明の第1の局面による半導体装置は、所定数の素子部を含む第1回路素子と、第1回路素子に含まれる素子部の数とは異なる数の素子部を含む第2回路素子とを備えている。第1回路素子および第2回路素子は相対的な精度が要求されるものであり、第1回路素子および第2回路素子からなる回路素子は、その回路素子に含まれる全ての素子部が1個の活性領域にまとめて形成された構造となっているか、または、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する複数個の活性領域のうちの少なくとも1個の活性領域に回路素子に含まれる2個以上の素子部が形成され、複数個の活性領域のうちの他の活性領域のそれぞれに回路素子に含まれる残りの素子部が形成された構造となっている。なお、請求項1における「同一」とは、所期の目的を達成できる範囲で「実質的に同一」の場合も含んでいる。
この第1の局面による半導体装置では、上記のように構成することによって、相対的な精度が要求される第1回路素子(入力側回路素子)および第2回路素子(出力側回路素子)のそれぞれに含まれる素子部の数が互いに異なっていたとしても、第1回路素子および第2回路素子のそれぞれの特性が高い整合性を持つ半導体装置を得ることができる。
具体的には、回路素子に含まれる全ての素子部を1個の活性領域にまとめて形成した場合には、活性領域の周辺の素子分離領域から活性領域に応力が加わった際に、全ての素子部に対して互いに同じ大きさの応力が加わることになる。これにより、第1回路素子および第2回路素子のそれぞれに含まれる素子部の特性の変動量が互いに同じになる。その結果、回路素子の面積の増大を抑制しながら、第1回路素子および第2回路素子のそれぞれに含まれる素子部の特性を一致させることが可能となる。
また、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する複数個の活性領域のうちの少なくとも1個の活性領域に回路素子に含まれる2個以上の素子部を形成し、複数個の活性領域のうちの他の活性領域のそれぞれに回路素子に含まれる残りの素子部を形成した場合には、活性領域の周辺の素子分離領域から活性領域に応力が加わった際に、複数個の活性領域のそれぞれに加わる応力の大きさが互いに同じになるので、全ての素子部に対して互いに同じ大きさの応力が加わることになる。これにより、第1回路素子および第2回路素子のそれぞれに含まれる素子部の特性の変動量が互いに同じになる。その結果、回路素子の面積の増大を抑制しながら、第1回路素子および第2回路素子のそれぞれに含まれる素子部の特性を一致させることが可能となる。
上記第1の局面による半導体装置において、好ましくは、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する複数個の活性領域のそれぞれに回路素子に含まれる素子部が形成されている場合、複数個の活性領域は、第1方向および第1方向と直交する第2方向に奇数個ずつ並べられた碁盤目状に配列されており、第1回路素子の素子部は、碁盤目状に配列された複数個の活性領域のうちの碁盤目の中央部に位置する活性領域に形成されている。このように構成すれば、製造プロセスのウェハ面内均一性のバラツキやウェハ面内位置に依存した発熱および応力の影響が、碁盤目の中央部の活性領域を囲む他の活性領域に形成された第2回路素子に含まれる素子部全体で平均化される。そして、それが碁盤目の中央部の活性領域に形成された第1回路素子に含まれる素子部に加わる影響に近づく。これにより、第1回路素子および第2回路素子のそれぞれに含まれる素子部の特性を高い精度で一致させることができる。
上記第1の局面による半導体装置において、素子部がMOSトランジスタ素子であってもよい。
この場合、活性領域の周辺が素子分離領域に囲まれており、MOSトランジスタ素子のゲート電極が、活性領域と素子分離領域との境界からMOSトランジスタ素子のチャネル方向に10μm以上離されていることが好ましい。このように構成すれば、MOSトランジスタ素子が素子分離領域から受ける応力の影響を低減することができる。これにより、第1回路素子および第2回路素子のそれぞれに含まれるMOSトランジスタ素子の特性を高い精度で一致させることができる。
素子部がMOSトランジスタ素子である場合において、そのMOSトランジスタ素子がP型のMOSトランジスタ素子であってもよい。この場合、応力によるキャリア移動度の変動はN型よりもP型の方が大きいことから、本発明を適用することによる効果が大きくなる。
また、素子部がMOSトランジスタ素子である場合において、第1回路素子および第2回路素子によりカレントミラー回路が構成されていてもよい。このように構成すれば、容易に、入力側回路素子(第1回路素子)および出力側回路素子(第2回路素子)のそれぞれの特性が高い整合性を持つカレントミラー回路を得ることができる。
上記第1の局面による半導体装置において、素子部が拡散抵抗素子であってもよい。
この場合、活性領域の周辺が素子分離領域に囲まれており、拡散抵抗素子の不純物拡散領域が、活性領域と素子分離領域との境界から拡散抵抗素子の電流方向と直交する方向に10μm以上離されていることが好ましい。このように構成すれば、拡散抵抗素子が素子分離領域から受ける応力の影響を低減することができる。これにより、第1回路素子および第2回路素子のそれぞれに含まれる拡散抵抗素子の特性を高い精度で一致させることができる。
素子部が拡散抵抗素子である場合において、その拡散抵抗素子がP型の拡散抵抗素子であってもよい。この場合、応力によるキャリア移動度の変動はN型よりもP型の方が大きいことから、本発明を適用することによる効果が大きくなる。
また、上記第1の局面による半導体装置において、素子部が、埋め込み拡散構造を有するバイポーラトランジスタとMOSトランジスタとを混載するBiCMOS素子であってもよい。
上記第1の局面による半導体装置において、活性領域の周辺が素子分離領域に囲まれているとともに、素子分離領域に素子分離用絶縁体が形成されており、素子分離用絶縁体がシリコン基板を熱酸化することにより得られるシリコン酸化膜であってもよい。このように構成すれば、最小加工寸法が約0.25μm以上の幅広い世代の半導体プロセスを用いることができる。
また、上記第1の局面による半導体装置において、活性領域の周辺が素子分離領域に囲まれているとともに、素子分離領域に素子分離用絶縁体が形成されており、素子分離用絶縁体がトレンチに埋め込まれていてもよい。このように構成すれば、最小加工寸法が約0.25μm以下の微細な半導体プロセスを用いることができる。
上記第1の局面による半導体装置において、活性領域の周辺が素子分離領域に囲まれており、第1回路素子および第2回路素子が、素子分離領域から加わる応力によって特性が変動する回路素子であることが好ましい。
本発明の第2の局面による光電変換システムは、請求項1〜13のいずれかに記載の半導体装置を備えている。このように構成すれば、光信号出力部や光信号受信部などの回路において所望の特性を示すデバイスを容易に設計することができる。
以上のように、本発明によれば、相対的な精度が要求される複数個の回路素子のそれぞれの特性が高い整合性を持つ半導体装置および光電変換システムを容易に得ることができる。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態による半導体装置の構成を説明するための図である。図2および図3は、図1に示した第1実施形態による半導体装置の素子分離領域の構造を説明するための断面図である。まず、図1〜図3を参照して、第1実施形態による半導体装置10の構成について説明する。
図1は、本発明の第1実施形態による半導体装置の構成を説明するための図である。図2および図3は、図1に示した第1実施形態による半導体装置の素子分離領域の構造を説明するための断面図である。まず、図1〜図3を参照して、第1実施形態による半導体装置10の構成について説明する。
第1実施形態の半導体装置10は、図1に示すように、シリコン基板1の一部に作り込まれた18個のMOSトランジスタ素子2(M1〜M18)を少なくとも備えている。なお、MOSトランジスタ素子2は、本発明の「素子部」の一例である。
18個のMOSトランジスタ素子2は、ゲート電極Gのゲート長およびゲート幅が互いに同じになっている。さらに、18個のMOSトランジスタ素子2は、隣接するMOSトランジスタ素子2間でソース領域Sまたはドレイン領域Dが共通化されている。この18個のMOSトランジスタ素子2の導電型は、P型およびN型のいずれであってもよいが、第1実施形態では、MOSトランジスタ素子2の導電型がP型であるとする。
また、18個のMOSトランジスタ素子2は、カレントミラー回路を構成するものであって、高い相対的精度が要求される入力側回路素子10aおよび出力側回路素子10bの2種類に分類されている。具体的には、入力側回路素子10aおよび出力側回路素子10bのそれぞれに含まれるMOSトランジスタ素子2の数は互いに異なっており、18個のMOSトランジスタ素子2のうちの番号M1が付されたMOSトランジスタ素子2が入力側を担う素子となっているとともに、それ以外の番号M2〜M18が付された他のMOSトランジスタ素子2が出力側を担う素子となっている。なお、入力側回路素子10aは、本発明の「第1回路素子」の一例であり、出力側回路素子10bは、本発明の「第2回路素子」の一例である。
ここで、第1実施形態では、入力側回路素子10aおよび出力側回路素子10bのそれぞれに含まれるMOSトランジスタ素子2が、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する6個の活性領域3(A1〜A6)のそれぞれに3個ずつ形成されている。具体的に言うと、6個の活性領域3のうちの番号A1を付した活性領域3には、入力側回路素子10aである1個のMOSトランジスタ素子2(M1)と、出力側回路素子10bである2個のMOSトランジスタ素子2(M2およびM3)とが形成されている。このため、番号A1を付した活性領域3には、入力側回路素子10aおよび出力側回路素子10bが混在して形成されていることになる。その一方、番号A2〜A6を付した他の活性領域3のそれぞれには、出力側回路素子10bであるMOSトランジスタ素子2(M4〜M18)が3個ずつ形成されている。すなわち、入力側回路素子10aおよび出力側回路素子10bからなる第1実施形態の回路素子は、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する複数個の活性領域3のうちの少なくとも1個の活性領域3に回路素子に含まれる2個以上のMOSトランジスタ素子2が形成され、複数個の活性領域3のうちの他の活性領域3のそれぞれに回路素子に含まれる残りのMOSトランジスタ素子2が形成された構造となっている。
また、6個の活性領域3のそれぞれの周辺は、隣接する活性領域3間を互いに分離するための素子分離領域Fによって囲まれている。この素子分離領域Fには、たとえば、図2に示すようなLOCOS(Local Oxidation of Silicon)構造が設けられている。すなわち、素子分離領域Fには、シリコン基板1の表面を熱酸化することにより得られるシリコン酸化膜(素子分離用絶縁体)4が形成されている。このようなLOCOS構造を採用することによって、最小加工寸法が約0.25μm以上の幅広い世代の半導体プロセスを用いることができる。
なお、図3に示すように、LOCOS構造に変えて、STI(Shallow Trench Isolation)構造を素子分離領域Fに設けてもよい。このSTI構造とは、素子分離領域Fにトレンチ5を形成し、そのトレンチ5にシリコン酸化膜6などの素子分離用絶縁体を埋め込んだものである。このようなSTI構造を採用すれば、最小加工寸法が約0.25μm以下の微細な半導体プロセスを用いることができる。
ところで、通常、活性領域のチャネル方向の端部側(活性領域と素子分離領域との境界側)に位置するMOSトランジスタ素子のドレイン電流は、活性領域の他の部分に位置するMOSトランジスタ素子のドレイン電流に比べて増大するという不都合がある。
たとえば、20μm(距離L1)×60μm(距離L2)の活性領域に複数個のP型のMOSトランジスタ素子(ゲート長:1.2μm、ゲート幅:50μm)が3μmの間隔で配列された半導体装置(図4参照)では、ゲート電圧を5Vとし、ドレイン電圧を1Vとし、基板電圧を0Vとして特性を評価すると、複数個のMOSトランジスタ素子のそれぞれのドレイン電流が図5に示すようになる。すなわち、活性領域と素子分離領域との境界からゲート電極までの距離dが10μm以上であるMOSトランジスタ素子のドレイン電流は略一定である一方、活性領域と素子分離領域との境界からゲート電極までの距離dが10μmを下回っているMOSトランジスタ素子のドレイン電流は他のMOSトランジスタ素子のドレイン電流に比べて増大する。これは、活性領域のチャネル方向の端部側(活性領域と素子分離領域との境界側)の方が、活性領域の他の部分に比べて素子分離領域から受ける応力の影響が大きくなっているためであると考えられる。
したがって、図1に示した第1実施形態の半導体装置10では、18個のMOSトランジスタ素子2のそれぞれのゲート電極Gの形成位置を、活性領域3と素子分離領域Fとの境界からMOSトランジスタ素子2のチャネル方向に10μm以上離している。
上記のように構成された第1実施形態の半導体装置10は、光電変換システムのLSIチップに適用される。この光電変換システムは、フォトインタラプタやIrDAなどの光信号送受信用デバイスであり、送信用IC、受信用ICおよびLEDなどを含んでいる。
第1実施形態では、上記のように、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する6個の活性領域3のそれぞれに、入力側回路素子10aおよび出力側回路素子10bのそれぞれに含まれるMOSトランジスタ素子2を3個ずつ形成することによって、活性領域3の周辺の素子分離領域Fから活性領域3に応力が加わった際に、6個の活性領域3のそれぞれに加わる応力の大きさが互いに同じになるので、全てのMOSトランジスタ素子2に対して互いに同じ大きさの応力が加わることになる。これにより、入力側回路素子10aおよび出力側回路素子10bのそれぞれに含まれるMOSトランジスタ素子2の特性の変動量が互いに同じになる。その結果、回路素子の面積の増大を抑制しながら、入力側回路素子10aおよび出力側回路素子10bのそれぞれに含まれるMOSトランジスタ素子2の特性を一致させることが可能となる。そして、このようなMOSトランジスタ素子2によりカレントミラー回路を構成すれば、高い精度で設計値通りの電流倍率を有するカレントミラー回路を得ることができる。
また、第1実施形態では、上記のように、MOSトランジスタ素子2のゲート電極Gの形成位置を、活性領域3と素子分離領域Fとの境界からMOSトランジスタ素子2のチャネル方向に10μm以上離すことによって、MOSトランジスタ素子2が素子分離領域Fから受ける応力の影響を低減することができる。これにより、入力側回路素子10aおよび出力側回路素子10bのそれぞれに含まれるMOSトランジスタ素子2の特性を高い精度で一致させることができる。
また、第1実施形態の半導体装置10を光電変換システムに適用することによって、光信号出力部や光信号受光部などの回路において所望の特性を示すデバイスを容易に設計することができる。
なお、上記第1実施形態の構成を図18に示したカレントミラー回路に適用する場合には、たとえば、図6に示すようにすればよい。具体的に言うと、この場合には、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する2個の活性領域3(A1およびA2)のそれぞれに、MOSトランジスタ素子2(M1〜M8)を4個ずつ形成する。そして、入力側を担う素子として、一方の活性領域3(A1)に形成された1個のMOSトランジスタ素子2(M1)を使用する。また、出力側を担う素子として、一方の活性領域3(A1)に形成された残りの3個のMOSトランジスタ素子2(M2〜M4)と、他方の活性領域3(A2)に形成された全てのMOSトランジスタ素子2(M5〜M8)とを使用する。
また、上記第1実施形態では、P型のMOSトランジスタ素子2を含む半導体装置10について説明したが、MOSトランジスタ素子2の導電型をN型にしてもよい。ただし、応力によるキャリア移動度の変動はP型のMOSトランジスタ素子の方が大きいため、MOSトランジスタ素子2の導電型がP型であった方がより大きい効果を得られる。
また、上記第1実施形態では、6個の活性領域3を設けたが、活性領域3が何個であってもよい。また、その活性領域3の配置位置に特に制限はなく、どのように配置してもよい。
また、上記第1実施形態では、6個の活性領域3のそれぞれにMOSトランジスタ素子2を3個ずつ形成したが、6個の活性領域3のそれぞれに形成されるMOSトランジスタ素子2が何個であってもよい。また、6個の活性領域3のそれぞれに形成されるMOSトランジスタ素子2の個数が互いに異なっていてもよい。
また、上記第1実施形態では、番号A1を付した活性領域3に入力側回路素子10aを形成したが、その活性領域3(A1)以外の他の活性領域3(A2〜A6)に入力側回路素子10aを形成してもよい。
また、上記第1実施形態では、入力側回路素子10aが1個のMOSトランジスタ素子2からなるようにしたが、入力側回路素子10aが2個以上のMOSトランジスタ素子2からなるようにしてもよい。その場合、入力側回路素子10aである2個以上のMOSトランジスタ素子2が1個の活性領域3にまとめて形成されていてもよいし、複数個の活性領域3のうちの2個以上の活性領域3のそれぞれが入力側回路素子10aであるMOSトランジスタ素子2を持つようにしてもよい。
(第2実施形態)
図7は、本発明の第2実施形態による半導体装置の構成を説明するための図である。次に、図7を参照して、第2実施形態による半導体装置20の構成について説明する。
図7は、本発明の第2実施形態による半導体装置の構成を説明するための図である。次に、図7を参照して、第2実施形態による半導体装置20の構成について説明する。
第2実施形態の半導体装置20では、図7に示すように、シリコン基板21の一部に9個の活性領域23(A1〜A9)が設けられている。この9個の活性領域23は、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズとなっており、X方向(第1方向)およびX方向と直交するY方向(第2方向)に3個ずつ並べられた碁盤目状に配列されている。そして、9個の活性領域23のそれぞれに、カレントミラー回路を構成する27個のMOSトランジスタ素子22(M1〜M27)が3個ずつ形成されている。なお、MOSトランジスタ素子22は、本発明の「素子部」の一例である。
27個のMOSトランジスタ素子22は、高い相対的精度が要求される入力側回路素子20aおよび出力側回路素子20bの2種類に分類されている。この入力側回路素子20aおよび出力側回路素子20bのそれぞれに含まれるMOSトランジスタ素子22の数は互いに異なっており、27個のMOSトランジスタ素子22のうちの番号M14を付したMOSトランジスタ素子22が入力側を担う素子となっているとともに、それ以外の番号M1〜M13およびM15〜M27を付した他のMOSトランジスタ素子22が出力側を担う素子となっている。なお、入力側回路素子20aおよび出力側回路素子20bは、それぞれ、本発明の「第1回路素子」および「第2回路素子」の一例である。
ここで、第2実施形態では、碁盤目状に配列された9個の活性領域23のうちの碁盤目の中央部に位置する活性領域23(A5)に、入力側回路素子20aである1個のMOSトランジスタ素子22(M14)が少なくとも形成されている。具体的に言うと、碁盤目の中央部に位置する活性領域23(A5)には、入力側回路素子20aである1個のMOSトランジスタ素子22(M14)と、出力側回路素子20bである2個のMOSトランジスタ素子22(M13およびM15)とが混在しており、入力側回路素子20aである1個のMOSトランジスタ素子22(M14)が出力側回路素子20bである2個のMOSトランジスタ素子22(M13およびM15)に挟み込まれるように形成されている。そして、碁盤目の中央部の活性領域23(A5)を取り囲む他の活性領域23(A1〜A4およびA6〜A9)のそれぞれには、出力側回路素子20bであるMOSトランジスタ素子22(M1〜M12およびM16〜M27)が3個ずつ形成されている。すなわち、入力側回路素子20aおよび出力側回路素子20bからなる第2実施形態の回路素子は、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する複数個の活性領域23のうちの少なくとも1個の活性領域23に回路素子に含まれる2個以上のMOSトランジスタ素子22が形成され、複数個の活性領域23のうちの他の活性領域23のそれぞれに回路素子に含まれる残りのMOSトランジスタ素子22が形成された構造となっている。
これら27個のMOSトランジスタ素子22は、上記第1実施形態のMOSトランジスタ素子2と同様の構造を有している。すなわち、27個のMOSトランジスタ素子22のゲート電極Gのゲート長およびゲート幅が互いに同じになっているとともに、隣接するMOSトランジスタ素子22間でソース領域Sまたはドレイン領域Dが共通化されている。さらに、27個のMOSトランジスタ素子22のそれぞれのゲート電極Gが、活性領域23と後述する素子分離領域Fとの境界からMOSトランジスタ素子22のチャネル方向に10μm以上離されている。なお、27個のMOSトランジスタ素子22の導電型は、P型およびN型のいずれであってもよいが、第2実施形態では、MOSトランジスタ素子22の導電型がP型であるとする。
また、9個の活性領域23のそれぞれの周辺は、隣接する活性領域23間を互いに分離するための素子分離領域Fによって囲まれている。そして、その素子分離領域Fには、図2に示したLOCOS構造または図3に示したSTI構造が設けられている。
第2実施形態では、上記のように、9個の活性領域23(A1〜A9)を碁盤目状に配列し、入力側回路素子20aであるMOSトランジスタ素子22(M14)を碁盤目の中央部に位置する活性領域23(A5)に形成することによって、製造プロセスのウェハ面内均一性のバラツキやウェハ面内位置に依存した発熱および応力の影響が、活性領域23(A5)を取り囲む他の活性領域23(A1〜A4およびA6〜A9)に形成された出力側回路素子20bであるMOSトランジスタ素子22(M1〜M12およびM16〜M27)の全体で平均化される。そして、それが活性領域23(A5)に形成された入力側回路素子20aであるMOSトランジスタ素子22(M14)に加わる影響に近づく。これにより、入力側回路素子20aおよび出力側回路素子20bのそれぞれに含まれるMOSトランジスタ素子22の特性を高い精度で一致させることができる。
この第2実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。
なお、上記第2実施形態では、P型のMOSトランジスタ素子22を含む半導体装置20について説明したが、MOSトランジスタ素子22の導電型をN型にしてもよい。
また、上記第2実施形態では、9個の活性領域23をX方向およびY方向に3個ずつ並べた碁盤目状に配列したが、活性領域23がX方向およびY方向に奇数個ずつ並べられた碁盤目状に配列されていれば、活性領域23の個数が9個でなくてもよい。
また、上記第2実施形態では、9個の活性領域23のそれぞれにMOSトランジスタ素子22を3個ずつ形成したが、9個の活性領域23のそれぞれに形成されるMOSトランジスタ素子22が何個であってもよい。また、9個の活性領域23のそれぞれに形成されるMOSトランジスタ素子22の個数が互いに異なっていてもよい。
また、上記第2実施形態では、入力側回路素子20aが1個のMOSトランジスタ素子22からなるようにしたが、入力側回路素子20aが2個以上のMOSトランジスタ素子22からなるようにしてもよい。
(第3実施形態)
図8は、本発明の第3実施形態による半導体装置の構成を説明するための図である。次に、図8を参照して、第3実施形態による半導体装置30の構成について説明する。
図8は、本発明の第3実施形態による半導体装置の構成を説明するための図である。次に、図8を参照して、第3実施形態による半導体装置30の構成について説明する。
第3実施形態の半導体装置30は、図8に示すように、シリコン基板31の一部に作り込まれた18個の拡散抵抗素子32(R1〜R18)を少なくとも備えている。この拡散抵抗素子32は、本発明の「素子部」の一例である。
18個の拡散抵抗素子32は、それぞれが不純物拡散領域32aを有しており、その抵抗長および抵抗幅が互いに同じになっている。なお、18個の拡散抵抗素子32の導電型は、P型およびN型のいずれであってもよいが、第3実施形態では、拡散抵抗素子32の導電型がP型であるとする。
また、18個の拡散抵抗素子32は、高い相対的精度が要求される入力側回路素子30aおよび出力側回路素子30bの2種類に分類されている。具体的には、入力側回路素子30aおよび出力側回路素子30bのそれぞれに含まれる拡散抵抗素子32の数は互いに異なっており、18個の拡散抵抗素子32のうちの番号R1が付された拡散抵抗素子32が入力側を担う素子となっているとともに、それ以外の番号R2〜R18が付された他の拡散抵抗素子32が出力側を担う素子となっている。なお、入力側回路素子30aおよび出力側回路素子30bは、それぞれ、本発明の「第1回路素子」および「第2回路素子」の一例である。
ここで、第3実施形態では、入力側回路素子30aおよび出力側回路素子30bのそれぞれに含まれる拡散抵抗素子32が、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する6個の活性領域33(A1〜A6)のそれぞれに3個ずつ形成されている。具体的に言うと、6個の活性領域33のうちの番号A1を付した活性領域33には、入力側回路素子30aである1個の拡散抵抗素子32(R1)と、出力側回路素子30bである2個の拡散抵抗素子32(R2およびR3)とが形成されている。このため、番号A1を付した活性領域33には、入力側回路素子30aおよび出力側回路素子30bが混在して形成されていることになる。その一方、番号A2〜A6を付した他の活性領域33のそれぞれには、出力側回路素子30bである拡散抵抗素子32(R4〜R18)が3個ずつ形成されている。すなわち、入力側回路素子30aおよび出力側回路素子30bからなる第3実施形態の回路素子は、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する複数個の活性領域33のうちの少なくとも1個の活性領域33に回路素子に含まれる2個以上の拡散抵抗素子32が形成され、複数個の活性領域33のうちの他の活性領域33のそれぞれに回路素子に含まれる残りの拡散抵抗素子32が形成された構造となっている。
また、6個の活性領域33のそれぞれの周辺は、隣接する活性領域33間を互いに分離するための素子分離領域Fによって囲まれている。そして、その素子分離領域Fには、図2に示したLOCOS構造または図3に示したSTI構造が設けられている。素子分離領域FにLOCOS構造またはSTI構造を設けることの効果は、上記第1実施形態と同様である。
ところで、通常、活性領域の電流方向と直交する方向の端部側(活性領域と素子分離領域との境界側)に位置する拡散抵抗素子の抵抗値は、活性領域の他の部分に位置する拡散抵抗素子の抵抗値に比べて増大するという不都合がある。
たとえば、60μm(距離L1)×120μm(距離L2)の活性領域に複数個のP型の拡散抵抗素子(抵抗長:50μm、抵抗幅:2μm)が5μmの間隔で配列された半導体装置(図9参照)では、その特性を評価すると、複数個の拡散抵抗素子のそれぞれの抵抗値が図10に示すようになる。すなわち、活性領域と素子分離領域との境界から不純物拡散領域までの距離dが10μm以上である拡散抵抗素子の抵抗値は略一定である一方、活性領域と素子分離領域との境界から不純物拡散領域までの距離dが10μmを下回っている拡散抵抗素子の抵抗値は他の拡散抵抗素子の抵抗値に比べて増大する。これは、活性領域の電流方向と直交する方向の端部側(活性領域と素子分離領域との境界側)の方が、活性領域の他の部分に比べて素子分離領域から受ける応力の影響が大きくなっているためであると考えられる。
したがって、図8に示した第3実施形態の半導体装置30では、18個の拡散抵抗素子32のそれぞれの不純物拡散領域32aの形成位置を、活性領域33と素子分離領域Fとの境界から拡散抵抗素子32の電流方向と直交する方向に10μm以上離している。
上記のように構成された第3実施形態の半導体装置30は、光電変換システムのLSIチップに適用される。この光電変換システムは、フォトインタラプタやIrDAなどの光信号送受信用デバイスであり、送信用IC、受信用ICおよびLEDなどを含んでいる。
第3実施形態では、上記のように、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する6個の活性領域33のそれぞれに、入力側回路素子30aおよび出力側回路素子30bのそれぞれに含まれる拡散抵抗素子32を3個ずつ形成することによって、活性領域33の周辺の素子分離領域Fから活性領域33に応力が加わった際に、6個の活性領域33のそれぞれに加わる応力の大きさが互いに同じになるので、全ての拡散抵抗素子32に対して互いに同じ大きさの応力が加わることになる。これにより、入力側回路素子30aおよび出力側回路素子30bのそれぞれに含まれる拡散抵抗素子32の特性の変動量が互いに同じになる。その結果、回路素子の面積の増大を抑制しながら、入力側回路素子30aおよび出力側回路素子30bのそれぞれに含まれる拡散抵抗素子32の特性を一致させることが可能となる。
また、第3実施形態では、上記のように、拡散抵抗素子32の不純物拡散領域32aの形成位置を、活性領域33と素子分離領域Fとの境界から拡散抵抗素子32の電流方向と直交する方向に10μm以上離すことによって、拡散抵抗素子32が素子分離領域Fから受ける応力の影響を低減することができる。これにより、入力側回路素子30aおよび出力側回路素子30bのそれぞれに含まれる拡散抵抗素子32の特性を高い精度で一致させることができる。
また、第3実施形態の半導体装置30を光電変換システムに適用することによって、光信号出力部や光信号受光部などの回路において所望の特性を示すデバイスを容易に設計することができる。
なお、上記第3実施形態では、P型の拡散抵抗素子32を含む半導体装置30について説明したが、拡散抵抗素子32の導電型をN型にしてもよい。ただし、応力によるキャリア移動度の変動はP型の拡散抵抗素子の方が大きいため、拡散抵抗素子32の導電型がP型であった方がより大きい効果を得られる。
また、上記第3実施形態では、6個の活性領域33を設けたが、活性領域33が何個であってもよい。また、その活性領域33の配置位置に特に制限はなく、どのように配置してもよい。
また、上記第3実施形態では、6個の活性領域33のそれぞれに拡散抵抗素子32を3個ずつ形成したが、6個の活性領域33のそれぞれに形成される拡散抵抗素子32が何個であってもよい。また、6個の活性領域33のそれぞれに形成される拡散抵抗素子32の個数が互いに異なっていてもよい。
また、上記第3実施形態では、番号A1を付した活性領域33に入力側回路素子30aを形成したが、その活性領域33(A1)以外の他の活性領域33(A2〜A6)に入力側回路素子30aを形成してもよい。
また、上記第3実施形態では、入力側回路素子30aが1個の拡散抵抗素子32からなるようにしたが、入力側回路素子30aが2個以上の拡散抵抗素子32からなるようにしてもよい。その場合、入力側回路素子30aである2個以上の拡散抵抗素子32が1個の活性領域33にまとめて形成されていてもよいし、複数個の活性領域33のうちの2個以上の活性領域33のそれぞれが入力側回路素子30aである拡散抵抗素子32を持つようにしてもよい。
(第4実施形態)
図11は、本発明の第4実施形態による半導体装置の構成を説明するための図である。次に、図11を参照して、第4実施形態による半導体装置40の構成について説明する。
図11は、本発明の第4実施形態による半導体装置の構成を説明するための図である。次に、図11を参照して、第4実施形態による半導体装置40の構成について説明する。
第4実施形態の半導体装置40では、図11に示すように、シリコン基板41の一部に9個の活性領域43(A1〜A9)が設けられている。この9個の活性領域43は、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズとなっており、X方向(第1方向)およびX方向と直交するY方向(第2方向)に3個ずつ並べられた碁盤目状に配列されている。そして、9個の活性領域43のそれぞれに、27個の拡散抵抗素子42(R1〜R27)が3個ずつ形成されている。なお、拡散抵抗素子42は、本発明の「素子部」の一例である。
27個の拡散抵抗素子42は、高い相対的精度が要求される入力側回路素子40aおよび出力側回路素子40bの2種類に分類されている。この入力側回路素子40aおよび出力側回路素子40bのそれぞれに含まれる拡散抵抗素子42の数は互いに異なっており、27個の拡散抵抗素子42のうちの番号R14を付した拡散抵抗素子42が入力側を担う素子となっているとともに、それ以外の番号R1〜R13およびR15〜R27を付した他の拡散抵抗素子42が出力側を担う素子となっている。なお、入力側回路素子40aおよび出力側回路素子40bは、それぞれ、本発明の「第1回路素子」および「第2回路素子」の一例である。
ここで、第4実施形態では、碁盤目状に配列された9個の活性領域43のうちの碁盤目の中央部に位置する活性領域43(A5)に、入力側回路素子40aである1個の拡散抵抗素子42(R14)が少なくとも形成されている。具体的に言うと、碁盤目の中央部に位置する活性領域43(A5)には、入力側回路素子40aである1個の拡散抵抗素子42(R14)と、出力側回路素子40bである2個の拡散抵抗素子42(R13およびR15)とが混在しており、入力側回路素子40aである1個の拡散抵抗素子42(R14)が出力側回路素子40bである2個の拡散抵抗素子42(R13およびR15)に挟み込まれるように形成されている。そして、碁盤目の中央部の活性領域43(A5)を取り囲む他の活性領域43(A1〜A4およびA6〜A9)のそれぞれには、出力側回路素子40bである拡散抵抗素子42(R1〜R12およびR16〜R27)が3個ずつ形成されている。すなわち、入力側回路素子40aおよび出力側回路素子40bからなる第4実施形態の回路素子は、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する複数個の活性領域43のうちの少なくとも1個の活性領域43に回路素子に含まれる2個以上の拡散抵抗素子42が形成され、複数個の活性領域43のうちの他の活性領域43のそれぞれに回路素子に含まれる残りの拡散抵抗素子42が形成された構造となっている。
これら27個の拡散抵抗素子42は、上記第3実施形態の拡散抵抗素子32と同様の構造を有している。すなわち、27個の拡散抵抗素子42は、それぞれが不純物拡散領域42aを有しており、その抵抗長および抵抗幅が互いに同じになっている。さらに、27個の拡散抵抗素子42のそれぞれの不純物拡散領域42aが、活性領域43と後述する素子分離領域Fとの境界から拡散抵抗素子42の電流方向と直交する方向に10μm以上離されている。なお、27個の拡散抵抗素子42の導電型は、P型およびN型のいずれであってもよいが、第4実施形態では、拡散抵抗素子42の導電型がP型であるとする。
また、9個の活性領域43のそれぞれの周辺は、隣接する活性領域43間を互いに分離するための素子分離領域Fによって囲まれている。そして、その素子分離領域Fには、図2に示したLOCOS構造または図3に示したSTI構造が設けられている。
第4実施形態では、上記のように、9個の活性領域43(A1〜A9)を碁盤目状に配列し、入力側回路素子40aである拡散抵抗素子42(R14)を碁盤目の中央部に位置する活性領域43(A5)に形成することによって、製造プロセスのウェハ面内均一性のバラツキやウェハ面内位置に依存した発熱および応力の影響が、活性領域43(A5)を取り囲む他の活性領域43(A1〜A4およびA6〜A9)に形成された出力側回路素子40bである拡散抵抗素子42(R1〜R12およびR16〜R27)の全体で平均化される。そして、それが活性領域43(A5)に形成された入力側回路素子40aに含まれる拡散抵抗素子42(R14)に加わる影響に近づく。これにより、入力側回路素子40aおよび出力側回路素子40bのそれぞれに含まれる拡散抵抗素子42の特性を高い精度で一致させることができる。
この第4実施形態のその他の効果は、上記第3実施形態と同様である。
なお、上記第4実施形態では、P型の拡散抵抗素子42を含む半導体装置40について説明したが、拡散抵抗素子42の導電型をN型にしてもよい。
また、上記第4実施形態では、9個の活性領域43をX方向およびY方向に3個ずつ並べた碁盤目状に配列したが、活性領域43がX方向およびY方向に奇数個ずつ並べられた碁盤目状に配列されていれば、活性領域43の個数が9個でなくてもよい。
また、上記第4実施形態では、9個の活性領域43のそれぞれに拡散抵抗素子42を3個ずつ形成したが、9個の活性領域43のそれぞれに形成される拡散抵抗素子42が何個であってもよい。また、9個の活性領域43のそれぞれに形成される拡散抵抗素子42の個数が互いに異なっていてもよい。
また、上記第4実施形態では、入力側回路素子40aが1個の拡散抵抗素子42からなるようにしたが、入力側回路素子40aが2個以上の拡散抵抗素子42からなるようにしてもよい。
(第5実施形態)
図12は、本発明の第5実施形態による半導体装置の構成を説明するための図である。次に、図12を参照して、第5実施形態による半導体装置50の構成について説明する。
図12は、本発明の第5実施形態による半導体装置の構成を説明するための図である。次に、図12を参照して、第5実施形態による半導体装置50の構成について説明する。
第5実施形態の半導体装置50は、図12に示すように、シリコン基板51の一部に作り込まれた4個のMOSトランジスタ素子52(M1〜M4)を少なくとも備えている。なお、MOSトランジスタ素子52は、本発明の「素子部」の一例である。
4個のMOSトランジスタ素子52は、カレントミラー回路を構成するものであって、高い相対的精度が要求される入力側回路素子50aおよび出力側回路素子50bの2種類に分類されている。この入力側回路素子50aおよび出力側回路素子50bのそれぞれに含まれるMOSトランジスタ素子52の数は互いに異なっており、4個のMOSトランジスタ素子52のうちの番号M1を付したMOSトランジスタ素子52が入力側を担う素子となっているとともに、それ以外の番号M2〜M4を付した他のMOSトランジスタ素子52が出力側を担う素子となっている。なお、入力側回路素子50aは、本発明の「第1回路素子」の一例であり、出力側回路素子50bは、本発明の「第2回路素子」の一例である。
ここで、第5実施形態では、入力側回路素子50aである1個のMOSトランジスタ素子52(M1)および出力側回路素子50bである3個のMOSトランジスタ素子52(M2〜M4)の全てが1個の活性領域53にまとめて形成されている。すなわち、入力側回路素子50aおよび出力側回路素子50bからなる第5実施形態の回路素子は、その回路素子に含まれる全て(4個)のMOSトランジスタ素子52が1個の活性領域53にまとめて形成された構造となっている。なお、この第5実施形態では、入力側回路素子50aおよび出力側回路素子50bの少なくとも一方が形成された活性領域53が1個しか存在しない。
また、4個のMOSトランジスタ素子52は、上記第1実施形態のMOSトランジスタ素子2と同様の構造を有している。すなわち、4個のMOSトランジスタ素子52のゲート電極Gのゲート長およびゲート幅が互いに同じになっているとともに、隣接するMOSトランジスタ素子52間でソース領域Sまたはドレイン領域Dが共通化されている。さらに、4個のMOSトランジスタ素子52のそれぞれのゲート電極Gが、活性領域53と後述する素子分離領域Fとの境界からMOSトランジスタ素子52のチャネル方向に10μm以上離されている。なお、4個のMOSトランジスタ素子52の導電型は、P型およびN型のいずれであってもよいが、第5実施形態では、MOSトランジスタ素子52の導電型がP型であるとする。
また、1個の活性領域53の周辺は、素子分離領域Fによって取り囲まれている。そして、その素子分離領域Fには、図2に示したLOCOS構造または図3に示したSTI構造が設けられている。
第5実施形態では、上記のように、入力側回路素子50aおよび出力側回路素子50bのそれぞれに含まれるMOSトランジスタ素子52を、1個の活性領域53にまとめて形成することによって、その活性領域53の周辺の素子分離領域Fから活性領域53に応力が加わった際に、全てのMOSトランジスタ素子52に対して互いに同じ大きさの応力が加わることになる。これにより、入力側回路素子50aおよび出力側回路素子50bのそれぞれに含まれるMOSトランジスタ素子52の特性の変動量が互いに同じになる。その結果、回路素子の面積の増大を抑制しながら、入力側回路素子50aおよび出力側回路素子50bのそれぞれに含まれるMOSトランジスタ素子52の特性を一致させることが可能となる。
この第5実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。
なお、上記第5実施形態では、P型のMOSトランジスタ素子52を含む半導体装置50について説明したが、MOSトランジスタ素子52の導電型をN型にしてもよい。
また、上記第5実施形態では、1個の活性領域53に4個のMOSトランジスタ素子52を形成したが、1個の活性領域53に形成されるMOSトランジスタ素子52が何個であってもよい。
また、上記第5実施形態では、入力側回路素子50aが1個のMOSトランジスタ素子52からなるようにしたが、入力側回路素子50aが2個以上のMOSトランジスタ素子52からなるようにしてもよい。
(第6実施形態)
図13は、本発明の第6実施形態による半導体装置の構成を説明するための図である。次に、図13を参照して、第6実施形態による半導体装置60の構成について説明する。
図13は、本発明の第6実施形態による半導体装置の構成を説明するための図である。次に、図13を参照して、第6実施形態による半導体装置60の構成について説明する。
第6実施形態の半導体装置60は、図13に示すように、シリコン基板61の一部に作り込まれた4個の拡散抵抗素子62(R1〜R4)を少なくとも備えている。なお、拡散抵抗素子62は、本発明の「素子部」の一例である。
4個の拡散抵抗素子62は、高い相対的精度が要求される入力側回路素子60aおよび出力側回路素子60bの2種類に分類されている。この入力側回路素子60aおよび出力側回路素子60bのそれぞれに含まれる拡散抵抗素子62の数は互いに異なっており、4個の拡散抵抗素子62のうちの番号R1を付した拡散抵抗素子62が入力側を担う素子となっているとともに、それ以外の番号R2〜R4を付した他の拡散抵抗素子62が出力側を担う素子となっている。なお、入力側回路素子60aは、本発明の「第1回路素子」の一例であり、出力側回路素子60bは、本発明の「第2回路素子」の一例である。
ここで、第6実施形態では、入力側回路素子60aである1個の拡散抵抗素子62(R1)および出力側回路素子60bである3個の拡散抵抗素子62(R2〜R4)の全てが1個の活性領域63にまとめて形成されている。すなわち、入力側回路素子60aおよび出力側回路素子60bからなる第6実施形態の回路素子は、その回路素子に含まれる全て(4個)の拡散抵抗素子62が1個の活性領域63にまとめて形成された構造となっている。なお、この第6実施形態では、入力側回路素子60aおよび出力側回路素子60bの少なくとも一方が形成された活性領域63が1個しか存在しない。
また、4個の拡散抵抗素子62は、上記第3実施形態の拡散抵抗素子32と同様の構造を有している。すなわち、4個の拡散抵抗素子62は、それぞれが不純物拡散領域62aを有しており、その抵抗長および抵抗幅が互いに同じになっている。さらに、4個の拡散抵抗素子62のそれぞれの不純物拡散領域62aが、活性領域63と後述する素子分離領域Fとの境界から拡散抵抗素子63の電流方向と直交する方向に10μm以上離されている。なお、4個の拡散抵抗素子62の導電型は、P型およびN型のいずれであってもよいが、第6実施形態では、拡散抵抗素子62の導電型がP型であるとする。
また、1個の活性領域63の周辺は、素子分離領域Fによって取り囲まれている。そして、その素子分離領域Fには、図2に示したLOCOS構造または図3に示したSTI構造が設けられている。
第6実施形態では、上記のように、入力側回路素子60aおよび出力側回路素子60bのそれぞれに含まれる拡散抵抗素子62を、1個の活性領域63にまとめて形成することによって、その活性領域63の周辺の素子分離領域Fから活性領域63に応力が加わった際に、全ての拡散抵抗素子62に対して互いに同じ大きさの応力が加わることになる。これにより、入力側回路素子60aおよび出力側回路素子60bのそれぞれに含まれる拡散抵抗素子62の特性の変動量が互いに同じになる。その結果、回路素子の面積の増大を抑制しながら、入力側回路素子60aおよび出力側回路素子60bのそれぞれに含まれる拡散抵抗素子62の特性を一致させることが可能となる。
この第6実施形態のその他の効果は、上記第3実施形態と同様である。
なお、上記第6実施形態では、P型の拡散抵抗素子62を含む半導体装置60について説明したが、拡散抵抗素子62の導電型をN型にしてもよい。
また、上記第6実施形態では、1個の活性領域63に4個の拡散抵抗素子62を形成したが、1個の活性領域63に形成される拡散抵抗素子62が何個であってもよい。
また、上記第6実施形態では、入力側回路素子60aが1個の拡散抵抗素子62からなるようにしたが、入力側回路素子60aが2個以上の拡散抵抗素子62からなるようにしてもよい。
今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記第1〜第6実施形態では、MOSトランジスタ素子や拡散抵抗素子などを本発明の「素子部」としたが、本発明はこれに限らず、埋め込み拡散構造を有するバイポーラトランジスタ70aとMOSトランジスタ70bおよび70cとを混載するBiCMOS素子70(図14参照)を本発明の「素子部」としてもよい。この場合、埋め込み拡散層71上に形成されたエピタキシャル層72に加わる応力は通常のシリコン基板よりも大きいため、より大きい効果が得られる。
また、上記第1〜第4実施形態では、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する複数個の活性領域のそれぞれに回路素子に含まれる素子部を同じ数ずつ形成するようにしたが、本発明はこれに限らず、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する複数個の活性領域のうちの少なくとも1個の活性領域に回路素子に含まれる2個以上の素子部が形成され、複数個の活性領域のうちの他の活性領域のそれぞれに回路素子に含まれる残りの素子部が形成されていればよい。
具体的には、図15に示す半導体装置70のように、シリコン基板71の一部に6個のMOSトランジスタ素子(素子部)72を作り込む場合、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する2個の活性領域73のうちの一方の活性領域73(A1)に2個のMOSトランジスタ素子72(M1およびM2)を形成し、他方の活性領域73(A2)に残りの4個のMOSトランジスタ素子72(M3〜M6)を形成してもよい。なお、たとえば、6個のMOSトランジスタ素子72のうちの番号M1を付したMOSトランジスタ素子72は入力側回路素子70aとなるものであり、番号M2〜M6を付したMOSトランジスタ素子72は出力側回路素子70bとなるものである。
1、21、31、41、51、61、71 シリコン基板
2、22、52、72 MOSトランジスタ素子(素子部)
3、23、33、43、53、63、73 活性領域
4、6 シリコン酸化膜(素子分離用絶縁体)
5 トレンチ
10a、20a、30a、40a、50a、60a、70a 入力側回路素子(第1回路素子)
10b、20b、30b、40b、50b、60b、70b 出力側回路素子(第2回路素子)
32、42、62 拡散抵抗素子(素子部)
32a、42a、62a 不純物拡散領域
70 BiCMOS素子(素子部)
F 素子分離領域
G ゲート電極
2、22、52、72 MOSトランジスタ素子(素子部)
3、23、33、43、53、63、73 活性領域
4、6 シリコン酸化膜(素子分離用絶縁体)
5 トレンチ
10a、20a、30a、40a、50a、60a、70a 入力側回路素子(第1回路素子)
10b、20b、30b、40b、50b、60b、70b 出力側回路素子(第2回路素子)
32、42、62 拡散抵抗素子(素子部)
32a、42a、62a 不純物拡散領域
70 BiCMOS素子(素子部)
F 素子分離領域
G ゲート電極
Claims (14)
- 所定数の素子部を含む第1回路素子と、
前記第1回路素子に含まれる素子部の数とは異なる数の素子部を含む第2回路素子とを備え、
前記第1回路素子および前記第2回路素子は相対的な精度が要求されるものであり、
前記第1回路素子および前記第2回路素子からなる回路素子は、前記回路素子に含まれる全ての素子部が1個の活性領域にまとめて形成された構造となっているか、または、互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する複数個の活性領域のうちの少なくとも1個の活性領域に前記回路素子に含まれる2個以上の素子部が形成され、前記複数個の活性領域のうちの他の活性領域のそれぞれに前記回路素子に含まれる残りの素子部が形成された構造となっていることを特徴とする半導体装置。 - 互いに同一の形状で、かつ、同一のサイズを有する前記複数個の活性領域のそれぞれに前記回路素子に含まれる素子部が形成されている場合、前記複数個の活性領域は、第1方向および前記第1方向と直交する第2方向に奇数個ずつ並べられた碁盤目状に配列されており、
前記第1回路素子の素子部は、碁盤目状に配列された前記複数個の活性領域のうちの碁盤目の中央部に位置する活性領域に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記素子部がMOSトランジスタ素子であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記活性領域の周辺が素子分離領域に囲まれており、
前記MOSトランジスタ素子のゲート電極が、前記活性領域と前記素子分離領域との境界から前記MOSトランジスタ素子のチャネル方向に10μm以上離されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記MOSトランジスタ素子がP型のMOSトランジスタ素子であることを特徴とする請求項3または4に記載の半導体装置。
- 前記第1回路素子および前記第2回路素子によりカレントミラー回路が構成されていることを特徴とする請求項3〜5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記素子部が拡散抵抗素子であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記活性領域の周辺が素子分離領域に囲まれており、
前記拡散抵抗素子の不純物拡散領域が、前記活性領域と前記素子分離領域との境界から前記拡散抵抗素子の電流方向と直交する方向に10μm以上離されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。 - 前記拡散抵抗素子がP型の拡散抵抗素子であることを特徴とする請求項7または8に記載の半導体装置。
- 前記素子部が、埋め込み拡散構造を有するバイポーラトランジスタとMOSトランジスタとを混載するBiCMOS素子であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記活性領域の周辺が素子分離領域に囲まれているとともに、前記素子分離領域に素子分離用絶縁体が形成されており、
前記素子分離用絶縁体がシリコン基板を熱酸化することにより得られるシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記活性領域の周辺が素子分離領域に囲まれているとともに、前記素子分離領域に素子分離用絶縁体が形成されており、
前記素子分離用絶縁体がトレンチに埋め込まれていることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記活性領域の周辺が素子分離領域に囲まれており、
前記第1回路素子および前記第2回路素子が、前記素子分離領域から加わる応力によって特性が変動する回路素子であることを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の半導体装置。 - 請求項1〜13のいずれかに記載の半導体装置を備えていることを特徴とする光電変換システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008187089A JP2010027842A (ja) | 2008-07-18 | 2008-07-18 | 半導体装置および光電変換システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008187089A JP2010027842A (ja) | 2008-07-18 | 2008-07-18 | 半導体装置および光電変換システム |
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JP2010027842A true JP2010027842A (ja) | 2010-02-04 |
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ID=41733388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008187089A Pending JP2010027842A (ja) | 2008-07-18 | 2008-07-18 | 半導体装置および光電変換システム |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2010027842A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012054502A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
US11587951B2 (en) | 2018-06-18 | 2023-02-21 | Hitachi Astemo, Ltd. | Semiconductor device |
-
2008
- 2008-07-18 JP JP2008187089A patent/JP2010027842A/ja active Pending
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