JP2010020105A - 光半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
光半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010020105A JP2010020105A JP2008180554A JP2008180554A JP2010020105A JP 2010020105 A JP2010020105 A JP 2010020105A JP 2008180554 A JP2008180554 A JP 2008180554A JP 2008180554 A JP2008180554 A JP 2008180554A JP 2010020105 A JP2010020105 A JP 2010020105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- optical
- soa
- soa chip
- lens system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 360
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 125
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 137
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 77
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 77
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 170
- 238000009486 pneumatic dry granulation Methods 0.000 description 73
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4206—Optical features
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/422—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements
- G02B6/4225—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements by a direct measurement of the degree of coupling, e.g. the amount of light power coupled to the fibre or the opto-electronic element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/422—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements
- G02B6/4226—Positioning means for moving the elements into alignment, e.g. alignment screws, deformation of the mount
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/10007—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers
- H01S3/10023—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers by functional association of additional optical elements, e.g. filters, gratings, reflectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】光モジュールの製造方法であって、異なる偏波方向の光導波モードに偏波間利得差又は偏波間損失差を有する半導体素子3を配置する工程と、半導体素子3との光結合損失に基づいて半導体素子3の一方の端面側にレンズ6Aを配置する工程と、半導体素子3の偏波間利得差又は偏波間損失差に基づいてレンズ6Aを再配置する工程とを有する。
【選択図】図5
Description
半導体光増幅器(SOA:Semiconductor Optical Amplifier)を備える光モジュール(SOAモジュール)は、現在多用されている光ファイバ増幅器を備える光モジュール(光ファイバ増幅器モジュール)と比較して非常にシンプルな構成であるため、モジュールの小型化、低価格化の面で優位性を持ち、次期アクセス系ネットワークやデータコム用途への適用が検討されている。
T.Toyonaka et al., "22dB gain semioconductor optical amplifier module using high numerical aperture aspheric lens", Electronics Letters, vol.28, No.14, pp.1302-1303, (1992)
したがって、一定強度の入力信号光に対して、SOAモジュールが、常に一定強度の信号光を出力するためには、SOAモジュール内部の光利得が、信号光の偏波状態に対して不変であることが必要である。
この場合、SOAチップの偏波間利得差(PDG:Polarization Dependent Gain)をできるだけ小さくし、偏波無依存なSOAチップを実現することで、これを備えるSOAモジュールにおいて、偏波無依存な光利得が得られるようにすることが考えられる。
しかしながら、SOAチップのPDGは、SOAチップ作製時の結晶成長条件及び各プロセス条件のばらつきによって、最大数dBの大きさを持ち、かつ、ウエハ間又はウエハ内で数dBの範囲で分布していることが多い。
なお、上述のSOAチップを備えるSOAモジュールだけでなく、半導体素子を備える光モジュールであって、半導体素子のPDG又は偏波間損失差(PDL:Polarization Dependent Loss)にばらつきが生じてしまい、かつ、安定して偏波無依存な特性が求められる光モジュールにおいても同様の課題がある。
光半導体装置は、異なる偏波方向の光導波モードのスポットサイズが素子端面で異なる半導体素子と、半導体素子の一方の端面側に設けらたレンズとを備え、レンズは、ビームウエスト位置におけるスポットサイズが各光導波モードのスポットサイズのいずれか一のスポットサイズよりも小さいことを要件とする。
[第1実施形態]
まず、第1実施形態にかかる光半導体装置及びその製造方法について、図1〜図6を参照しながら説明する。
ここで、図1に示すように、SOAモジュール1は、モジュール筐体2内に、SOAチップ3を備え、SOAチップ3の入力側に配置された入力側レンズ系4によって、SOAチップ3の入力ポートと入力側光ファイバ5とが光結合され、SOAチップ3の出力側に配置された出力側レンズ系6によって、SOAチップ3の出力ポートと出力側光ファイバ7とが光結合されている。なお、図1中、符号8はステージである。
本SOAモジュールの製造方法では、以下のようにしてSOAモジュール1が作製される。
特に、SOAチップ3としては、異なる偏波方向の光導波モード(ここでは2つの直交偏波状態となっているTEモード及びTMモード)のスポットサイズがチップ端面(素子端面)で異なるものを用意する[図3(A)参照]。つまり、異なる偏波方向の光導波モードに偏波間利得差(PDG:Polarization Dependent Gain)を有するものを用意する。
次いで、SOAチップ3の入力端面側(一の端面側)に、入力側レンズ系4及び入力側光ファイバ5を配置するとともに、SOAチップ3の出力端面側(他の端面側)に、出力側レンズ系6及び出力側光ファイバ7を配置する(図1参照)。
これらの位置調整を行なった後、第1レンズ6A以外、即ち、入力側レンズ系4、入力側光ファイバ5、第2レンズ6B、出力側光ファイバ7を固定する(図1参照)。
一般的には、SOAチップ3が持つPDGの影響が大きく、SOAチップ作製時の結晶成長条件及び各プロセス条件のばらつきによって、PDGは最大数dBの大きさを持ち、かつ、PDGはウエハ間又はウエハ内で数dBの範囲で分布していることが多い。
例えば、上述の出力側レンズ系6の位置調整で出力側レンズ系6の焦点位置がSOAチップ3の出力端面位置に一致するように調整されていたとしても[図3(A)中、実線参照]、この段階の出力側レンズ系6の位置調整によって、出力側レンズ系6の焦点位置がSOAチップ3の出力端面位置からずれることになる[図3(A)中、破線参照]。
このようなSOAチップ3のPDGに基づく位置調整を行なった後、第1レンズ6Aを固定する(図1参照)。
このようにして、モジュール1の入出力光ファイバ5,7間の光増幅特性において偏波無依存な光利得を実現した偏波無依存型SOAモジュールを作製することができる。
本実施形態では、上述のように、SOAチップ3として、TEモード及びTMモードのスポットサイズがチップ端面で異なるもの(異なる偏波方向の光導波モードにPDGを有するもの)を用いる。また、出力側レンズ系6として、ビームウエスト位置におけるスポットサイズがSOAチップ3の端面におけるTEモード及びTMモードのスポットサイズのいずれのスポットサイズよりも小さくなるように設定されたものを用いる[図3(A)参照]。
この場合、SOAチップと光ファイバとの間の光結合損失を小さくするためには、レンズ系の光伝搬モードとSOAチップのTE導波モード及びTM導波モードのスポットサイズを揃えれば良い。
この場合、レンズ系を光軸方向へ移動させてSOAチップの端面からのレンズ系の距離を調整したとしても、集光スポットサイズ(レンズ集光ビーム径;レンズ集光径)をビームウエスト位置におけるスポットサイズよりも小さくすることはできない。このため、モード重なり積分値ηTE,ηTMの関係を変化させることができず、したがって、SOAチップと光ファイバとの間の偏波間光結合損失差を調整することができない。
なお、図3(B)では、SOAチップ3の端面3XにおけるTEモード及びTMモードのスポットサイズ(モード径)がそれぞれ3.0μm、4.0μm(ここでは円形であるため、その直径)であるSOAチップ3を用い、光ファイバ7からのビーム(信号光)を集光した際のビームウエスト位置におけるスポットサイズが2.0μm(ここでは円形であるため、その直径)であるレンズ系6を用いた。
したがって、レンズ系6を通して伝搬するビームのビームウエスト位置をSOAチップ3の端面位置に合わせた場合にSOAチップ3の端面3XにおいてWlens<WTE<WTMの関係を満たしていた各スポットサイズは、図3(A),(B)に示すように、SOAチップ3の端面3Xからのレンズ系6(ここでは第1レンズ6A)の距離を調整することによって、WTE<Wlens<WTMという関係、さらには、WTE<WTM<Wlensという関係へと変化させることができる。
このように、SOAチップ3の端面3Xからのレンズ系6(ここでは第1レンズ6A)の距離を調整することによって、モード重なり積分値ηTE,ηTMの関係を変化させることができる。つまり、SOAチップ3の端面3Xからのレンズ系6(ここでは第1レンズ6A)の距離を調整することによって、TEモードの光結合損失がTMモードの光結合損失よりも大きい状態(TE光結合損失>TM光結合損失;SOAチップ3の端面3Xにレンズ系6を通して伝搬するビームのビームウエスト位置がある場合)からTEモードの光結合損失がTMモードの光結合損失よりも小さい状態(TE光結合損失<TM光結合損失)へと変化させることができる。したがって、SOAチップ3と光ファイバ7との間の偏波間光結合損失差を調整できることになる。
これに対し、上述のように、レンズ系を通して伝搬するビームのビームウエスト位置をSOAチップの端面位置に合わせた場合に、SOAチップの端面において、Wlens≒WTE>WTMという関係を満たすようにレンズ系を設計した場合には、SOAチップの端面からのレンズ系の距離を調整したとしても、Wlens>WTE>WTMという関係しか実現できず、ηTE>ηTMという関係からηTE<ηTMという関係へと変化させることはできないため、SOAチップと光ファイバとの間の偏波間光結合損失差を意図的に付与することはできない。
このような計算結果から、上述のようなSOAチップ3及びレンズ系6を用いる場合、SOAチップ3が持つPDGを±1dBの範囲内で補償することが可能であり、SOAチップ3のPDGがこの範囲内でばらついた場合であっても、PDG=0となるSOAモジュール1を作製することが可能となる。
以下、本SOAモジュールの製造方法の具体例について、図5,図6を参照しながら説明する。
次に、図5(A)に示すように、入出力両側の光結合においてSOAチップ3と光ファイバ5,7との間の光結合損失が最小となるように光学系の位置調整を行なう。
ここでは、出力側レンズ系6に含まれる2枚のレンズ6A,6Bのうち、SOAチップ3側に配置されるものを第1レンズ6Aとし、光ファイバ7側に配置されるものを第2レンズ6Bとする。また、入力側レンズ系4に含まれる2枚のレンズ4A,4Bのうち、SOAチップ3側に配置されるものを第3レンズ4Aとし、光ファイバ5側に配置されるものを第4レンズ4Bとする。
同様に、入力側レンズ系4の第3レンズ4Aを仮配置し、SOAチップ3の他の端面から出射されるASE光が第3レンズ4Aを通過した後に平行ビーム(コリメート光;平行光)になるように、第3レンズ4Aの位置調整を行なった後、第3レンズ4Aを固定する(図6のステップS20)。
具体的には、図5(A)に示すように、出力側光ファイバ7に例えば光パワーメータ9を接続し、光パワーメータ9によって出力側光ファイバ7に導入されたASE光の強度をモニタしている状態で、このASE光の強度(パワー)が最大となるように第2レンズ6B及び出力側光ファイバ7の位置調整を行なった後、第2レンズ6B及び出力側光ファイバ7を固定する(図6のステップS30)。
具体的には、入力側光ファイバ5に例えば光パワーメータ9を接続し、光パワーメータ9によって入力側光ファイバ5に導入されたASE光の強度をモニタしている状態で、このASE光の強度(パワー)が最大となるように第4レンズ4B及び入力側光ファイバ5の位置調整を行なった後、第4レンズ4B及び入力側光ファイバ5を固定する(図6のステップS30)。
ところで、上述のように、ASE光のパワーが最大になるように位置調整(光パワーに基づく位置調整)を行なった場合、SOAチップ3と光ファイバ5,7との間の光結合損失は最適化される。
そこで、本実施形態では、SOAチップ3のPDGのばらつきをモジュール組立時に補償し、安定して小さなPDGを有するSOAモジュール1を実現するために、さらに、以下のようなSOAチップ3のPDGに基づく位置調整を行なう。
具体的には、以下のような位置調整を行なう。
そして、レーザ光源及び偏波スクランブラ10から入力側光ファイバ5を介して仮組みされたSOAモジュール1に偏波スクランブルされた信号光(異なる偏波方向の光導波モードの光を含む)を入力する(図6のステップS40)。
出力側光ファイバ7に接続されている光パワーメータ9では、図5(B)に示すように、SOAチップ3で増幅され、SOAモジュール1から出力された信号光強度(出力された信号光のパワー)の時間変動(時間波形)をモニタする(図6のステップS40)。
そして、光パワーメータ9の時間波形をモニタしながら、出力側レンズ系6の第1レンズ6Aの位置を光軸方向にのみ移動させ(即ち、ビームウエスト位置とSOAチップ3の出力端面位置との関係を変化させ)、時間波形の振幅が0になるように(即ち、PDGが0になるように)位置調整を行なった後、第1レンズ6Aを固定する(図6のステップS50)。つまり、SOAチップ3から出力側レンズ系6を介して出力された信号光(異なる偏波方向の光導波モードの光を含む)を検出し、検出した光に基づいて、PDGが最小となる位置に第1レンズ6Aを再配置する。
その後、モジュール封止等を行なって、本SOAモジュール1が完成する(図6のステップS60)。
このようにして作製された本SOAモジュール1は、以下のような構成を有する。
特に、本SOAモジュール1では、出力側レンズ系(一側のレンズ系)6が、ビームウエスト位置におけるスポットサイズが各光導波モードのスポットサイズのいずれのスポットサイズよりも小さくなるように設定されている。
このように、出力側レンズ系6によって集光されたビームのSOAチップ3の端面におけるスポットサイズが、各光導波モードのスポットサイズのいずれのスポットサイズよりも小さくなるか、又は、各光導波モードのスポットサイズのいずれか一のスポットサイズよりも小さくなるように、出力側レンズ系6が配置されている。
したがって、本実施形態にかかる光半導体装置(光モジュール)及びその製造方法によれば、SOAチップ3のPDGにばらつきが生じていても、安定して偏波無依存な光利得が得られるという利点がある。
[第2実施形態]
まず、第2実施形態にかかる光半導体装置及びその製造方法について、図7,図8を参照しながら説明する。
つまり、上述の第1実施形態では、SOAモジュール1の出力側のみに偏波間光結合損失差を付与して、SOAチップ3のPDGを補償している。このため、上述の第1実施形態の製造方法によって製造されたSOAモジュール1は、光入力方向によって特性が若干異なるものとなってしまう。
そこで、本SOAモジュールの製造方法では、以下のようにしてSOAモジュール1が作製される。
入力側レンズ系40及び出力側レンズ系6としては、ビームウエスト位置におけるスポットサイズがSOAチップ3の端面における各光導波モード(ここではTEモード及びTMモード)のスポットサイズのいずれのスポットサイズよりも小さくなるように設定されたものを用意する。
次いで、SOAチップ3の入力端面側(一の端面側)に、入力側レンズ系40及び入力側光ファイバ5を配置するとともに、SOAチップ3の出力端面側(他の端面側)に、出力側レンズ系6及び出力側光ファイバ7を配置する[図7参照]。
また、SOAチップ3の出力端面側には、SOAチップ3に近い側から遠い側へ向けて、第1レンズ6A、第2レンズ6B、出力側光ファイバ7を順に並べて配置する[図7参照]。
これらの位置調整を行なった後、第1レンズ6A及び第3レンズ40A以外、即ち、第4レンズ40B、入力側光ファイバ5、第2レンズ6B、出力側光ファイバ7を固定する。
例えば、上述の出力側レンズ系6の位置調整で出力側レンズ系6の焦点位置がSOAチップ3の出力端面位置に一致するように調整されていたとしても[図3(A)中、実線参照]、この段階の出力側レンズ系6の位置調整によって、出力側レンズ系6の焦点位置がSOAチップ3の出力端面位置からずれることになる[図3(A)中、破線参照]。同様に、上述の入力側レンズ系40の位置調整で入力側レンズ系40の焦点位置がSOAチップ3の入力端面位置に一致するように調整されていたとしても、この段階の入力側レンズ系40の位置調整によって、入力側レンズ系40の焦点位置がSOAチップ3の入力端面位置からずれることになる。
このようなSOAチップ3のPDGに基づく位置調整を行なった後、第3レンズ40A、及び、第1レンズ6Aを固定する。
以下、本SOAモジュールの製造方法の具体例について、図7,図8を参照しながら説明する。
まず、上述の第1実施形態の場合と同様に、図7(A)に示すように、SOAチップ3をステージ(例えば温度調節機能付きステージ)8上に固定し、SOAチップ3に通電を行なえるように電気配線を行なった後、SOAチップ3に電流を供給し、ASE光(増幅された自然放出光)がSOAチップ3の両端面から出射されている状態とする(図8のステップA10)。
まず、図7(A)に示すように、出力側レンズ系6の第1レンズ6Aを仮配置し、SOAチップ3の一の端面から出射されるASE光が第1レンズ6Aを通過した後に平行ビーム(コリメート光;平行光)になるように、第1レンズ6Aの位置調整を行なう(図8のステップA20)。この段階では、第1レンズ6Aは固定しない。
続いて、図7(A)に示すように、出力側レンズ系6の第2レンズ6B及び出力側光ファイバ7を仮配置し、第1レンズ6Aを通過した後のコリメート光が最も効率良く出力側光ファイバ7に光結合するように、第2レンズ6B及び出力側光ファイバ7の位置調整を行なった後、これらを固定する(図8のステップA30)。
具体的には、図7(A)に示すように、入力側光ファイバ5に例えば光パワーメータ9を接続し、光パワーメータ9によって入力側光ファイバ5に導入されたASE光の強度をモニタしている状態で、このASE光の強度(パワー)が最大となるように第4レンズ40B及び入力側光ファイバ5の位置調整を行なった後、第4レンズ40B及び入力側光ファイバ5を固定する(図8のステップA30)。
このようにしてASE光パワーが最大になるように位置調整(光パワーに基づく位置調整)を行なった後、さらに、以下のようなSOAチップ3のPDGに基づく位置調整を行なう。
図7(B)に示すように、入力側光ファイバ5に接続されている光パワーメータ9を取り外し、入力側光ファイバ5に例えばレーザ光源及び偏波スクランブラ10を接続する(図8のステップA40)。
そして、レーザ光源及び偏波スクランブラ10から入力側光ファイバ5を介して仮組みされたSOAモジュール1に偏波スクランブルされた信号光(異なる偏波方向の光導波モードの光を含む)を入力する(図8のステップA40)。
出力側光ファイバ7に接続されている光パワーメータ9では、図7(B)に示すように、SOAチップ3で増幅され、SOAモジュール1から出力された信号光強度(出力された信号光のパワー)の時間変動(時間波形)をモニタする(図8のステップA40)。
偏波スクランブルされた信号光は、出力側光ファイバ7及び出力側レンズ系6を介してSOAチップ3に入力され、電流が供給されているSOAチップ3で増幅され、入力側レンズ系40及び入力側光ファイバ5を介して、入力側光ファイバ5に接続されている光パワーメータ9へ出力される。
そして、光パワーメータ9の時間波形をモニタしながら、入力側レンズ系40の第3レンズ40Aの位置を光軸方向にのみ移動させ(即ち、ビームウエスト位置とSOAチップ3の入力端面位置との関係を変化させ)、時間波形の振幅が0になるように(即ち、PDGが0になるように)位置調整を行なった後、第3レンズ40Aを固定する(図8のステップA50)。つまり、SOAチップ3から入力側レンズ系40を介して出力された信号光(異なる偏波方向の光導波モードの光を含む)を検出し、検出した光に基づいて、PDGが最小となる位置に第3レンズ40Aを再配置する。
その後、モジュール封止等を行なって、本SOAモジュール1が完成する(図8のステップA60)。
このようにして作製された本SOAモジュール1は、以下のような構成を有する。
本SOAモジュール1では、入力側及び出力側の両側のレンズ系40,6が、ビームウエスト位置におけるスポットサイズが各光導波モードのスポットサイズのいずれのスポットサイズよりも小さくなるように設定されている。
特に、本実施形態では、SOAモジュール1の入力側及び出力側に付与された偏波間光結合損失差が等しくなっている。
なお、その他の詳細は、上述の第1実施形態のものと同様であるため、ここでは説明を省略する。
特に、本実施形態では、SOAモジュール1の入力側及び出力側の両側に均等に偏波間光結合損失差が付与されているため、光入力方向にかかわらず、特性が同一のSOAモジュール1を実現することができるという利点がある。
[その他]
なお、上述の各実施形態のSOAモジュールの製造方法では、第1実施形態の出力側レンズ系6、又は、第2実施形態の入力側レンズ系40及び出力側レンズ系6として、ビームウエスト位置におけるスポットサイズがTEモード及びTMモードのスポットサイズのいずれのスポットサイズよりも小さくなるように設定されたものを用意しているが、これに限られるものではない。
また、上述の各実施形態では、SOAチップ3の端面に最も近い位置に配置されるレンズ(第1実施形態の第1レンズ6A、第2実施形態の第1レンズ6A及び第3レンズ40A)は、ASE光パワーが最大になるように位置調整を行なう最初のレンズ位置調整時には固定せず、後のPDGを調整するためのレンズ位置調整時に光軸方向にのみ移動させて位置調整を行なうようにしている。
例えば、光軸方向にレンズ6A(40A)を移動可能で、かつ、光軸方向に直交する2方向でレンズ6A(40A)を固定可能なレンズ治具を用いれば良い。
つまり、最初のレンズ位置調整時に、レンズ6A(40A)が固定されたレンズホルダ13を光軸方向に直交する垂直方向へ移動させる際に、第1ガイド部材11によって、レンズ6A(40A)が固定されたレンズホルダ13が垂直方向にガイドされる。そして、光軸方向に直交する垂直方向へのレンズ位置調整後、図9中、符号Xで示すように、第1ガイド部材11の側壁の内側面とレンズホルダ13の側面とが例えば溶接又は樹脂等によって固定される。
なお、図9では、説明を分かりやすくするために、レンズホルダ13の側面と第1ガイド部材11の側壁の内側面との間、及び、第1ガイド部材11の側壁の外側面と第2ガイド部材12の側壁の内側面との間に、それぞれ、隙間があいているように示しているが、実際には、ほとんど隙間はない。このため、第2ガイド部材12をステージ8(図1参照)上に固定し、第2ガイド部材12上に第1ガイド部材11を載置し、第1ガイド部材11上にレンズホルダ13を載置することで、光軸方向に直交する水平方向へのレンズ位置調整が行なわれていることになる。
また、上述の各実施形態において、SOAモジュール1の構成は、種々変更可能である。
また、上述の各実施形態におけるモジュール1の作製手順、モジュール構成に関しても、上述の各実施形態のものに限られるものではない。
ここでは、スポットサイズ変換器16は、図10に示すように、SOAチップ30のSOA部30Aを構成する光導波路(SOA光導波路)30Bに連なるように形成された光導波路であって、チップ端面(素子端面)に向けて導波路幅が徐々に狭くなるテーパ状光導波路(幅テーパ型スポットサイズ変換器)である。
このようなSOAチップ30を使用することで、スポットサイズ変換器16の設計によって、SOAチップ30の端面におけるTE/TMモードのスポットサイズを、SOA光導波路30Bの導波路形状と独立に調整することが可能となる。
なお、スポットサイズ変換器16は、SOAチップ30の一方の端面近傍に設けるだけでも良いし、SOAチップ30の両端面近傍にそれぞれ設けるようにしても良い。
また、上述の各実施形態の構成において、SOAモジュール1を、入力側レンズ系及び入力側光ファイバの代わりに、図11に示すように、入力側に、先端がレンズ状に加工されたレンズファイバ(入力側レンズファイバ)20を用い、入力側ファイバホルダ(コネクタ)21によって保持するようにしても良い。なお、図11では、上述の各実施形態(図1参照)のものと同一のものには同一の符号を付している。
このように、SOAモジュール1に備えられるレンズは、光ファイバの端面に形成されていても良い。
また、上述の各実施形態の構成において、図12に示すように、第1レンズ6Aと第2レンズ6Bとの間に光アイソレータ24を挿入し、反射戻り光を低減した構造を採用することもできる。同様に、図12に示すように、第3レンズ4A,40Aと第4レンズ4B,40Bとの間に光アイソレータ25を挿入し、反射戻り光を低減した構造を採用することもできる。なお、光アイソレータ24,25は、SOAチップ3と両側の光ファイバ5,7との間にそれぞれ設けられていれば良い。
このような反射型SOAチップ62では、信号光をARコーティングが施されている側の端面から入力し、素子内を一方向へ伝搬しながら増幅された信号光は、HRコーティングが施されている側の端面でほぼ全反射され、素子内を逆方向に伝搬しながら増幅されて、ARコーティングが施されている側の端面から出力される。
このようなSOAモジュール1では、入力・出力光ファイバ61に入力された信号光は、反射型SOAチップ62にて増幅・反射され、同じ入力・出力光ファイバ61から逆方向へ出力される。
また、レンズ系60としては、ビームウエスト位置におけるスポットサイズが反射型SOAチップ62の端面における各光導波モードのスポットサイズよりも小さくなるように設定されたものを用意する。
その後、光結合損失が最小になるようにレンズ系60及び光ファイバ61の位置調整を行なった後で、反射型SOAチップ62のPDGに基づいて位置調整を行なうことによって、反射型SOAチップ62のPDGを補償することができ、常にPDGの小さいSOAモジュール1を作製することができる。
例えば、上述の各実施形態のSOAモジュール(光モジュール)1は、図15に示すように、光バンドパスフィルタ52及び光検出器53などと組み合わせて実装され、光受信機50が構成される。ここでは、SOAモジュール1は、光受信機50内部の光検出器53の直前に置かれて、光伝送路(ここでは光ファイバ伝送路)54で減衰した光信号を増幅して光検出器53へ送る、いわゆるプリアンプとしての役割を果たすことになる。この場合、小さなPDGの本SOAモジュール1は特に有用である。
また、本発明は、上述した各実施形態及びその変形例に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
(付記1)
異なる偏波方向の光導波モードに偏波間利得差又は偏波間損失差を有する半導体素子を配置する工程と、
前記半導体素子との光結合損失に基づいて前記半導体素子の一方の端面側にレンズを配置する工程と、
前記半導体素子の前記偏波間利得差又は前記偏波間損失差に基づいて前記レンズを再配置する工程と
を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
前記レンズは、ビームウエスト位置におけるスポットサイズが前記各光導波モードのスポットサイズのいずれのスポットサイズよりも小さいことを特徴とする、付記1記載の光半導体装置の製造方法。
(付記3)
前記レンズは、第1レンズ及び第2レンズを含み、
前記レンズを配置する工程は、前記半導体素子の前記一方の端面側に、前記半導体素子に近い側から遠い側へ向けて、前記第1レンズ、前記第2レンズを順に並べて配置し、前記第1レンズと前記第2レンズとの間を通過する光が平行光となる位置で前記第2レンズを固定する工程を含むことを特徴とする、付記1又は2に記載の光半導体装置の製造方法。
前記レンズを配置する工程は、更に、前記半導体素子の他方の端面側に、他のレンズを配置する工程を含むことを特徴とする、付記1〜3のいずれか1項に記載の光半導体装置の製造方法。
(付記5)
前記他のレンズは、第3レンズ及び第4レンズを含み、
前記他のレンズを配置する工程は、前記半導体素子に近い側から遠い側へ向けて、前記第3レンズ、前記第4レンズを順に並べて配置し、前記第3レンズと前記第4レンズとの間を通過する光が平行光となる位置で前記第4レンズを固定する工程を含むことを特徴とする、付記4に記載の光半導体装置の製造方法。
前記レンズを再配置する工程は、
前記半導体素子から出力される前記異なる偏波方向の光導波モードの光を前記レンズを介して検出する工程を含み、
前記検出した光に基づいて、前記レンズを再配置することを特徴とする、付記1〜5のいずれか1項に記載の光半導体装置の製造方法。
前記レンズを再配置する工程は、
前記異なる偏波方向の光導波モードの光を前記他のレンズを介して前記半導体素子に入力する工程を含むことを特徴とする、付記6に記載の光半導体装置の製造方法。
(付記8)
前記レンズを再配置する工程は、
前記半導体素子の前記偏波間利得差又は前記偏波間損失差が最小となる位置に前記レンズを再配置することを特徴とする付記7に記載の光半導体装置の製造方法。
前記異なる偏波方向の光導波モードの光は、偏波スクランブルされた光であり、
前記レンズを介して検出した光のパワーの時間波形の振幅がゼロになるように、前記レンズを光軸方向へ移動させて位置調整を行なうことを特徴とする、付記8に記載の光半導体装置の製造方法。
前記レンズを再配置する工程は、
前記半導体素子から出力される前記異なる偏波方向の光導波モードの光を前記他のレンズを介して検出する工程を含み、
前記検出した光に基づいて、前記他のレンズを再配置することを特徴とする、付記4〜7のいずれか1項に記載の光半導体装置の製造方法。
前記レンズを再配置する工程は、
前記異なる偏波方向の光導波モードの光を前記レンズを介して前記半導体素子に入力する工程を含むことを特徴とする、付記10に記載の光半導体装置の製造方法。
(付記12)
前記レンズを再配置する工程は、
前記半導体素子の前記偏波間利得差又は前記偏波間損失差が最小となる位置に前記レンズ及び前記他のレンズを再配置することを特徴とする、付記11に記載の光半導体装置の製造方法。
前記異なる偏波方向の光導波モードの光は、偏波スクランブルされた光であり、
前記レンズを介して検出した光のパワーの時間波形の振幅が所定値になるように、前記レンズを光軸方向へ移動させて位置調整を行ない、次いで、前記他のレンズを介して検出した光のパワーの時間波形の振幅がゼロになるように、前記他のレンズを光軸方向へ移動させて位置調整を行なうことを特徴とする、付記12に記載の光半導体装置の製造方法。
前記レンズは、先端がレンズ状に加工されたレンズファイバを含むことを特徴とする、付記1〜13のいずれか1項に記載の光半導体装置の製造方法。
(付記15)
前記他のレンズは、先端がレンズ状に加工されたレンズファイバを含むことを特徴とする、付記4〜13のいずれか1項に記載の光半導体装置の製造方法。
異なる偏波方向の光導波モードのスポットサイズが素子端面で異なる半導体素子と、
前記半導体素子の一方の端面側に設けられたレンズとを備え、
前記レンズは、ビームウエスト位置におけるスポットサイズが前記各光導波モードのスポットサイズのいずれか一のスポットサイズよりも小さいことを特徴とする光半導体装置。
前記レンズは、ビームウエスト位置におけるスポットサイズが前記各光導波モードのスポットサイズのいずれのスポットサイズよりも小さいことを特徴とする、付記16記載の光半導体装置。
(付記18)
前記半導体素子の他方の端面側に設けられた他のレンズを更に備えることを特徴とする、付記16又は17に記載の光半導体装置。
前記他のレンズは、ビームウエスト位置におけるスポットサイズが前記各光導波モードのスポットサイズのいずれか一のスポットサイズよりも小さいことを特徴とする、付記18に記載の光半導体装置。
(付記20)
前記他のレンズは、ビームウエスト位置におけるスポットサイズが前記各光導波モードのスポットサイズのいずれのスポットサイズよりも小さいことを特徴とする、付記19に記載の光半導体装置。
2 モジュール筐体
3,30 SOAチップ(半導体素子)
3A 光導波路(SOA光導波路)
3X SOAチップの端面
4,40 入力側レンズ系
4A,40A 第3レンズ
4B,40B 第2レンズ
5 入力側光ファイバ
6 出力側レンズ系
6A 第1レンズ
6B 第2レンズ
7 出力側光ファイバ
8 ステージ
9 光パワーメータ
10 レーザ光源及び偏波スクランブラ
11 第1ガイド部材
12 第2ガイド部材
13 レンズホルダ
15 レンズ治具
16 スポットサイズ変換器
20 レンズファイバ(入力側レンズファイバ)
21 入力側ファイバホルダ
22 レンズファイバ(出力側レンズファイバ)
23 出力側ファイバホルダ
24,25 光アイソレータ
30A SOA部
30B 光導波路(SOA光導波路)
31 SOA
32 光機能素子(電界吸収型光変調器)
33 集積素子(半導体素子)
31A,32A 電極
50 光受信機
51 光通信システム
52 光バンドパスフィルタ
53 光検出器
54 光伝送路(光ファイバ伝送路)
55 光送信機
60 レンズ系
60A 第1レンズ
60B 第2レンズ
61 入力・出力光ファイバ
62 反射型SOAチップ
Claims (10)
- 異なる偏波方向の光導波モードに偏波間利得差又は偏波間損失差を有する半導体素子を配置する工程と、
前記半導体素子との光結合損失に基づいて前記半導体素子の一方の端面側にレンズを配置する工程と、
前記半導体素子の前記偏波間利得差又は前記偏波間損失差に基づいて前記レンズを再配置する工程と
を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 前記レンズは、ビームウエスト位置におけるスポットサイズが前記各光導波モードのスポットサイズのいずれのスポットサイズよりも小さいことを特徴とする、請求項1記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記レンズは、第1レンズ及び第2レンズを含み、
前記レンズを配置する工程は、前記半導体素子の前記一方の端面側に、前記半導体素子に近い側から遠い側へ向けて、前記第1レンズ、前記第2レンズを順に並べて配置し、前記第1レンズと前記第2レンズとの間を通過する光が平行光となる位置で前記第2レンズを固定する工程を含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の光半導体装置の製造方法。 - 前記レンズを配置する工程は、更に、前記半導体素子の他方の端面側に、他のレンズを配置する工程を含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記他のレンズは、第3レンズ及び第4レンズを含み、
前記他のレンズを配置する工程は、前記半導体素子に近い側から遠い側へ向けて、前記第3レンズ、前記第4レンズを順に並べて配置し、前記第3レンズと前記第4レンズとの間を通過する光が平行光となる位置で前記第4レンズを固定する工程を含むことを特徴とする、請求項4に記載の光半導体装置の製造方法。 - 前記レンズを再配置する工程は、
前記半導体素子から出力される前記異なる偏波方向の光導波モードの光を前記レンズを介して検出する工程を含み、
前記検出した光に基づいて、前記レンズを再配置することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の光半導体装置の製造方法。 - 前記レンズを再配置する工程は、
前記異なる偏波方向の光導波モードの光を前記他のレンズを介して前記半導体素子に入力する工程を含むことを特徴とする、請求項6に記載の光半導体装置の製造方法。 - 前記レンズを再配置する工程は、
前記半導体素子の前記偏波間利得差又は前記偏波間損失差が最小となる位置に前記レンズを再配置することを特徴とする請求項7に記載の光半導体装置の製造方法。 - 前記レンズを再配置する工程は、
前記半導体素子から出力される前記異なる偏波方向の光導波モードの光を前記他のレンズを介して検出する工程を含み、
前記検出した光に基づいて、前記他のレンズを再配置することを特徴とする、請求項4〜7のいずれか1項に記載の光半導体装置の製造方法。 - 異なる偏波方向の光導波モードのスポットサイズが素子端面で異なる半導体素子と、
前記半導体素子の一方の端面側に設けられたレンズとを備え、
前記レンズは、ビームウエスト位置におけるスポットサイズが前記各光導波モードのスポットサイズのいずれか一のスポットサイズよりも小さいことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008180554A JP5277761B2 (ja) | 2008-07-10 | 2008-07-10 | 光半導体装置及びその製造方法 |
EP09164138.1A EP2144101B1 (en) | 2008-07-10 | 2009-06-30 | Optical semiconductor device and manufacturing method therefor |
US12/498,425 US8547630B2 (en) | 2008-07-10 | 2009-07-07 | Optical semiconductor device and manufacturing method therefor |
US14/012,118 US9224929B2 (en) | 2008-07-10 | 2013-08-28 | Optical semiconductor device and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008180554A JP5277761B2 (ja) | 2008-07-10 | 2008-07-10 | 光半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010020105A true JP2010020105A (ja) | 2010-01-28 |
JP5277761B2 JP5277761B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=41226080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008180554A Active JP5277761B2 (ja) | 2008-07-10 | 2008-07-10 | 光半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8547630B2 (ja) |
EP (1) | EP2144101B1 (ja) |
JP (1) | JP5277761B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018063354A (ja) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | アンリツ株式会社 | 半導体光増幅器モジュールの製造方法 |
CN111386481A (zh) * | 2017-12-01 | 2020-07-07 | 湖北工业株式会社 | 干涉滤光器模块 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9236521B2 (en) | 2012-10-30 | 2016-01-12 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optocoupler having lens layer |
JP6060979B2 (ja) * | 2013-01-17 | 2017-01-18 | 富士通株式会社 | 光配線チップとその検査方法、および光受信器 |
CN107589512A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-01-16 | 歌尔股份有限公司 | 光学模组组装方法及装置 |
CN112198600B (zh) * | 2020-12-07 | 2021-03-26 | 武汉乾希科技有限公司 | 用于光通信的多通道光接收组件及其光路耦合方法 |
CN115021822B (zh) * | 2022-05-12 | 2023-09-12 | 昂纳科技(深圳)集团股份有限公司 | 一种光传输*** |
CN116577070B (zh) * | 2023-04-04 | 2024-01-26 | 河北圣昊光电科技有限公司 | 一种soa芯片光放大检测方法及检测设备 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005518097A (ja) * | 2002-02-13 | 2005-06-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 集積半導体光学装置並びにこのような装置を製造する方法及び装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0904617A2 (en) * | 1997-02-24 | 1999-03-31 | JDS Uniphase Corporation | Optoelectronic device with a semiconductor diode laser amplifier |
US6310720B1 (en) * | 2000-06-02 | 2001-10-30 | Genoa Corporation | Polarization insensitive semiconductor optical amplifier |
US6775316B2 (en) * | 2001-02-20 | 2004-08-10 | Nortel Networks Ltd. | Method and apparatus for integrating a vertical cavity surface emitting laser with a optical amplifier |
JP2003204110A (ja) * | 2001-11-01 | 2003-07-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置およびこれを用いた半導体レーザモジュール |
US20030161379A1 (en) * | 2001-12-26 | 2003-08-28 | Jds Uniphase Corporation | Laser package |
US6876790B2 (en) * | 2002-05-17 | 2005-04-05 | Science & Engineering Services, Inc. | Method of coupling a laser signal to an optical carrier |
US7099535B2 (en) * | 2002-12-31 | 2006-08-29 | Corning Incorporated | Small mode-field fiber lens |
KR100703388B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2007-04-03 | 삼성전자주식회사 | 광송수신기 및 이를 이용한 수동형 광가입자망 |
US7511880B2 (en) * | 2005-10-14 | 2009-03-31 | Konica Minolta Opto, Inc. | Semiconductor light source module |
JP4418474B2 (ja) | 2007-01-23 | 2010-02-17 | セイコープレシジョン株式会社 | 線量計容器 |
-
2008
- 2008-07-10 JP JP2008180554A patent/JP5277761B2/ja active Active
-
2009
- 2009-06-30 EP EP09164138.1A patent/EP2144101B1/en not_active Not-in-force
- 2009-07-07 US US12/498,425 patent/US8547630B2/en active Active
-
2013
- 2013-08-28 US US14/012,118 patent/US9224929B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005518097A (ja) * | 2002-02-13 | 2005-06-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 集積半導体光学装置並びにこのような装置を製造する方法及び装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018063354A (ja) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | アンリツ株式会社 | 半導体光増幅器モジュールの製造方法 |
CN111386481A (zh) * | 2017-12-01 | 2020-07-07 | 湖北工业株式会社 | 干涉滤光器模块 |
CN111386481B (zh) * | 2017-12-01 | 2022-06-21 | 湖北工业株式会社 | 干涉滤光器模块 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9224929B2 (en) | 2015-12-29 |
US20100007944A1 (en) | 2010-01-14 |
JP5277761B2 (ja) | 2013-08-28 |
EP2144101A3 (en) | 2011-09-07 |
EP2144101A2 (en) | 2010-01-13 |
US8547630B2 (en) | 2013-10-01 |
US20130341668A1 (en) | 2013-12-26 |
EP2144101B1 (en) | 2015-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5277761B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
US8050525B2 (en) | Method and system for grating taps for monitoring a DWDM transmitter array integrated on a PLC platform | |
US11347126B2 (en) | Optical module and process of assembling the same | |
US7548669B2 (en) | Optical gate array device | |
US7127139B2 (en) | Optical multiplexing method and optical multiplexer, and optical amplifier using same | |
US8175432B2 (en) | Method of adjusting optical axis of optical waveguide element, and optical waveguide element | |
US10598862B2 (en) | Optical modulator | |
US20160231581A1 (en) | Multiple Laser Optical Assembly | |
US20060251422A1 (en) | Power and energy scaling of fiber lasers by using compact divisional wavelength multiplexing (WDM) devices | |
US20030002839A1 (en) | Mounts and alignment techniques for coupling optics, and optical waveguide amplifier applications thereof | |
US10788690B2 (en) | Optical isolator array for use in an optical subassembly module | |
JP7101569B2 (ja) | 光受信装置の組立方法 | |
US20040264856A1 (en) | Micro-module with micro-lens | |
US7149373B2 (en) | Active/passive monolithically integrated channel filtering polarization splitter | |
JP2007093717A (ja) | 光変調器及びその制御方法 | |
JP6507659B2 (ja) | 光モジュールの製造方法 | |
US20030108312A1 (en) | Fiber optical devices with high power handling capability | |
JPH06232814A (ja) | 半導体アンプ | |
van Zantvoort et al. | Mechanical devices for aligning optical fibers using elastic metal deformation techniques | |
US20110304897A1 (en) | Optical Semiconductor Module and Method for Assembling the Same | |
JP4208126B2 (ja) | ゲインクランプ光増幅器モジュール | |
US6813300B2 (en) | Alignment of an on chip modulator | |
US20080050067A1 (en) | Optical gate array device | |
US8077748B1 (en) | Hybrid waveguide laser with a fiber gain medium | |
JP2005181897A (ja) | 光波長変換モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110418 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120306 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130409 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130506 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5277761 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |