JP2010014469A - Manufacturing method of radiographic image conversion panel - Google Patents

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JP2010014469A JP2008173251A JP2008173251A JP2010014469A JP 2010014469 A JP2010014469 A JP 2010014469A JP 2008173251 A JP2008173251 A JP 2008173251A JP 2008173251 A JP2008173251 A JP 2008173251A JP 2010014469 A JP2010014469 A JP 2010014469A
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Yuji Isoda
勇治 礒田
Atsunori Takasu
厚徳 高須
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To stably manufacture a conversion panel causing no crack nor peeling in a phosphor layer with improved sensitivity, in manufacturing of a radiographic image conversion panel forming a phosphor layer by vapor phase deposition. <P>SOLUTION: The problem is solved by controlling a substrate temperature at the start of forming a phosphor layer by the vapor phase deposition to 152-189°C and controlling a substrate temperature at the end of such forming to 190-250°C, respectively. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、イメージングプレートやシンチレータパネル等の放射線像変換パネルの製造に関し、詳しくは、蛍光体層のクラックや剥離を無くし、かつ、感度も良好な放射線像変換パネルを安定して製造することを可能にする放射線像変換パネルの製造方法に関する。   The present invention relates to the production of radiation image conversion panels such as imaging plates and scintillator panels, and more specifically, to stably produce a radiation image conversion panel that eliminates cracks and peeling of the phosphor layer and has good sensitivity. The present invention relates to a method for manufacturing a radiation image conversion panel.

放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線など）の照射を受けると、受けた放射線エネルギーに応じた応答を示す蛍光体が知られており、医療用途などの各種の用途に利用されている。   There are known phosphors that exhibit a response according to the received radiation energy when irradiated with radiation (X-rays, α-rays, β-rays, γ-rays, electron beams, ultraviolet rays, etc.). It is used for purposes.

一例として、放射線の照射を受けると、この放射線エネルギーの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギーに応じた輝尽発光を示す、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。   As an example, when irradiated with radiation, a part of this radiation energy is accumulated, and when irradiated with excitation light such as visible light after that, stimulated light emission corresponding to the accumulated energy is exhibited. It is called a phosphor (accumulating phosphor) and is used for various applications such as medical applications.

この輝尽性蛍光体の層を有する放射線像変換パネル（いわゆるＩＰ(Imaging Plate)）を利用する、放射線像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士フイルム社製のＦＣＲ（Fuji Computed Radiography)等として実用化されている。
このシステムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、変換パネル（輝尽性蛍光体層）に被写体の放射線像を記録する（放射線画像を撮影する）。記録後に、変換パネルを励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴなどの表示装置や、写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線像として出力する。 A radiation image information recording / reproducing system using a radiation image conversion panel (so-called IP (Imaging Plate)) having the photostimulable phosphor layer is known. For example, an FCR (Fuji Computed Radiography) manufactured by Fujifilm Corporation is known. ) Etc.
In this system, a radiation image of a subject is recorded on a conversion panel (stimulable phosphor layer) by irradiating X-rays or the like through a subject such as a human body (taking a radiation image). After recording, the conversion panel is scanned two-dimensionally with excitation light to generate stimulated emission, and this stimulated emission light is photoelectrically read to obtain an image signal, and an image reproduced based on this image signal is A radiation image of the subject is output to a display device such as a CRT or a recording material such as a photographic photosensitive material.

また、ＩＰのように、放射線画像を蓄積記録して、励起光の照射による輝尽発光光によって放射線画像を得るのではなく、放射線の入射によって可視光を発光（蛍光）する蛍光体も知られている。この蛍光体からなる蛍光体層を有する放射線像変換パネル（いわゆるシンチレータパネル）も、医療用途等の各種の用途に利用されている。
シンチレータパネルを用いるシステムでは、被写体を透過した放射線をシンチレータパネルに入射することにより、被写体画像を担持する放射線を可視光に変換し、この可視光をフォトダイオード等の光電変換素子で電荷に変換して、この電荷をＴＦＴ(Thin Film Transistor)等で、順次、読み出して電気信号を得、この電気信号を先と同様に被写体の放射線画像として出力する。 In addition, as in the case of IP, there is also known a phosphor that emits (fluoresces) visible light by incident radiation, instead of accumulating and recording radiation images and obtaining a radiation image by stimulating light emitted by excitation light irradiation. ing. Radiation image conversion panels (so-called scintillator panels) having a phosphor layer made of this phosphor are also used for various applications such as medical applications.
In a system using a scintillator panel, radiation that has passed through the subject is incident on the scintillator panel to convert the radiation carrying the subject image into visible light, and this visible light is converted into electric charges by a photoelectric conversion element such as a photodiode. Then, this electric charge is sequentially read out by a TFT (Thin Film Transistor) or the like to obtain an electric signal, and this electric signal is output as a radiographic image of the subject as before.

従来より、ＩＰやシンチレータパネル等の放射線像変換パネル（以下、変換パネルとする）における蛍光体層は、蛍光体粒子と結合剤（バインダ）とを溶媒に分散してなる塗料を調整して、この塗料をガラスや樹脂製のパネル状の支持体に塗布、硬化することによって、形成される（塗布型の蛍光体層）。
これに対し、真空蒸着やスパッタリング等の気相堆積法（真空形成法）によって、蛍光体層を形成（成膜）してなる変換パネルも知られている。気相堆積法による蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという、優れた特性を有している。 Conventionally, a phosphor layer in a radiation image conversion panel (hereinafter referred to as a conversion panel) such as an IP or a scintillator panel is prepared by adjusting a paint in which phosphor particles and a binder (binder) are dispersed in a solvent, It is formed by applying and curing this paint on a panel-like support made of glass or resin (application-type phosphor layer).
On the other hand, a conversion panel in which a phosphor layer is formed (film formation) by a vapor deposition method (vacuum formation method) such as vacuum evaporation or sputtering is also known. Phosphor layers by vapor deposition are formed in a vacuum, so there are few impurities, and since there are almost no components such as binders other than stimulable phosphors, there is little variation in performance and luminous efficiency. Has excellent properties of being very good.

気相堆積法による蛍光体層の形成では、変換パネルの特性を向上するために、様々な工夫が行なわれている。
形成中における基板（形成する蛍光体層）の温度制御も、その１つである。 In the formation of the phosphor layer by the vapor deposition method, various ideas have been made to improve the characteristics of the conversion panel.
The temperature control of the substrate (phosphor layer to be formed) during formation is one of them.

例えば、特許文献１には、真空蒸着によって輝尽性蛍光体層を形成する変換パネルの製造において、形成中に基板の温度を経時的に低くすることが開示されており、特に、蒸着開始時における基板温度と、蒸着終了時における基板温度の差を１００℃以上、中でも特に１５０℃以上とするのが好ましいとしている。
気相堆積法による蛍光体層は、柱状結晶構造を有するために、塗布型の蛍光体層に比して、鮮鋭性の良好な放射線画像を得ることができる。特許文献１には、このように基板の温度を制御することにより、柱状結晶の大径化を抑制して、画像の粒状性および鮮鋭性の良好な放射線画像を得ることができることが開示されている。 For example, Patent Document 1 discloses that in the production of a conversion panel in which a photostimulable phosphor layer is formed by vacuum deposition, the temperature of the substrate is lowered with time during the formation. The difference between the substrate temperature at 100 ° C. and the substrate temperature at the end of vapor deposition is preferably 100 ° C. or higher, and particularly preferably 150 ° C. or higher.
Since the phosphor layer formed by the vapor deposition method has a columnar crystal structure, it is possible to obtain a radiographic image with better sharpness than a coating-type phosphor layer. Patent Document 1 discloses that by controlling the temperature of the substrate in this way, it is possible to suppress the increase in the diameter of the columnar crystals and obtain a radiographic image with good image graininess and sharpness. Yes.

また、特許文献２には、基板の裏面側を複数の区分に分割して、独立して加熱条件を制御可能にして、各領域を所定の温度に加熱することが開示されており、さらに、基板温度を１５０〜３５０℃の範囲で一定温度に制御するのが好ましいとしている。
特許文献２には、このような構成を有し、特に基板を前記温度範囲に制御することにより、形成中における基板の中央部と周辺部との温度差を無くし、基板全域に渡って、粒状性や鮮鋭性に優れ、かつ感度も良好な変換パネルが得られることが開示されている。 Further, Patent Document 2 discloses that the rear surface side of the substrate is divided into a plurality of sections, the heating conditions can be controlled independently, and each region is heated to a predetermined temperature. The substrate temperature is preferably controlled to a constant temperature in the range of 150 to 350 ° C.
Patent Document 2 has such a configuration, and in particular, by controlling the substrate in the temperature range, the temperature difference between the central portion and the peripheral portion of the substrate during formation is eliminated, and the entire region of the substrate is granular. It is disclosed that a conversion panel having excellent properties and sharpness and good sensitivity can be obtained.

特許第３０７０９４０号公報Japanese Patent No. 3070940 特開平１０−６２５９９号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-62599

上記特許文献に開示されるように、気相堆積法によって蛍光体層を形成する変換パネルの製造方法においては、蛍光体層の形成中に基板の温度を制御することにより、変換パネルの感度を向上し、さらに放射線画像の鮮鋭性や粒状性も向上できる。
しかしながら、従来の基板温度の制御方法では、十分な感度を有する変換パネルを得られない場合が有り、さらに、蛍光体層の剥離や、蛍光体層にクラック（ヒビ割れ）を生じてしまう場合も有る。 As disclosed in the above-mentioned patent document, in the conversion panel manufacturing method in which the phosphor layer is formed by the vapor deposition method, the sensitivity of the conversion panel is increased by controlling the temperature of the substrate during the formation of the phosphor layer. In addition, the sharpness and graininess of the radiation image can be improved.
However, the conventional method for controlling the substrate temperature may not provide a conversion panel having sufficient sensitivity, and may cause peeling of the phosphor layer or cracking (cracking) in the phosphor layer. Yes.

本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、気相堆積法によって蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造において、蛍光体層の形成開始時および形成終了時の基板温度を、それぞれで適正に制御することにより、良好な感度を有し、かつ、蛍光体層のクラックの剥離等の無い放射線像変換パネルを、安定して製造することを可能にする放射線像変換パネルの製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and in the production of a radiation image conversion panel for forming a phosphor layer by a vapor deposition method, at the start and end of formation of the phosphor layer. Radiation images that enable stable production of radiation image conversion panels that have good sensitivity and are free from cracks in the phosphor layer by appropriately controlling the substrate temperature. It is in providing the manufacturing method of a conversion panel.

前記目的を達成するために、本発明の放射線像変換パネルの製造方法は、気相堆積法によって蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造において、前記蛍光体層の形成開始時における基板の温度を１５２〜１８９℃に制御し、前記蛍光体層の形成終了時における基板の温度を１９０〜２５０℃に制御することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供する。   In order to achieve the above object, a method of manufacturing a radiation image conversion panel according to the present invention is a manufacturing method of a radiation image conversion panel in which a phosphor layer is formed by a vapor deposition method. Provided is a method for producing a radiation image conversion panel, characterized in that the temperature is controlled to 152 to 189 ° C., and the temperature of the substrate at the end of formation of the phosphor layer is controlled to 190 to 250 ° C.

このような本発明の放射線像変換パネルの製造方法において、前記蛍光体層が、輝尽性蛍光体からなる層であるのが好ましく、また、気相堆積法によって付活剤を含有しない母体層を形成し、この母体層の上に、前記蛍光体層を形成するのが好ましく、さらに、前記輝尽性蛍光体が、一般式ＣｓＢｒ：Ｅｕで示される輝尽性蛍光体であるのが好ましい。
あるいは、前記蛍光体層が、放射線の入射によって可視光を発光する蛍光体からなるものであるのが好ましく、また、前記蛍光体の母体がＣｓＩであるのが好ましく、さらに、前記蛍光体が、付活剤として、Ｔｌ，Ｎａ，Ｅｕ，およびＴｂの少なくとも１つを含有するのが好ましい。 In such a method for producing a radiation image conversion panel of the present invention, the phosphor layer is preferably a layer made of a stimulable phosphor, and a matrix layer containing no activator by vapor deposition. Preferably, the phosphor layer is formed on the base layer, and the photostimulable phosphor is preferably a photostimulable phosphor represented by the general formula CsBr: Eu. .
Alternatively, the phosphor layer is preferably made of a phosphor that emits visible light upon incidence of radiation, the matrix of the phosphor is preferably CsI, and the phosphor is The activator preferably contains at least one of Tl, Na, Eu, and Tb.

本発明は、真空蒸着等の気相堆積法によって蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造において、蛍光体層の形成開始時および形成終了時における基板の温度を、終了時の方が高温になる所定温度となるように制御する。すなわち、蛍光体層の形成中に、基板温度が一定温度となるように制御を行なうのではなく、蛍光体層の形成開始時および形成終了時の、それぞれで基板温度が適正になるように、基板の温度制御を行なう。
本発明は、このような構成を有することにより、蛍光体層のクラックの発生や蛍光体層の剥離を防止して、さらに、感度も良好な放射線像変換パネルを、安定して製造することが可能となる。 In the production of a radiation image conversion panel in which a phosphor layer is formed by a vapor deposition method such as vacuum evaporation, the present invention sets the temperature of the substrate at the start and end of formation of the phosphor layer. It controls so that it may become the predetermined temperature which becomes. In other words, during the formation of the phosphor layer, rather than performing control so that the substrate temperature becomes a constant temperature, the substrate temperature is appropriate at the start and end of formation of the phosphor layer, respectively. Control the temperature of the substrate.
By having such a configuration, the present invention can prevent the generation of cracks in the phosphor layer and the peeling of the phosphor layer, and can stably produce a radiation image conversion panel with good sensitivity. It becomes possible.

以下、本発明の放射線像変換パネルの製造方法について、添付の図面に示される好適実施例を基に、詳細に説明する。   Hereinafter, a method for producing a radiation image conversion panel of the present invention will be described in detail based on a preferred embodiment shown in the accompanying drawings.

図１に、本発明の製造方法によって製造される放射線像変換パネルの一例の概念図を示す。
図１に示す放射線像変換パネル１０（以下、変換パネル１０とする）は、基本的に、基板１２と、母体層１４と、蛍光体層１８とを有して構成される。 In FIG. 1, the conceptual diagram of an example of the radiation image conversion panel manufactured by the manufacturing method of this invention is shown.
A radiation image conversion panel 10 (hereinafter referred to as a conversion panel 10) shown in FIG. 1 basically includes a substrate 12, a base layer 14, and a phosphor layer 18.

この変換パネル１０は、輝尽性蛍光体からなる蛍光体層１８を有し、被写体を透過した放射線を蓄積（記録）することにより放射線画像を撮影して、励起光の入射によって撮影した放射線画像に応じて輝尽発光光を出射する、いわゆるＩＰ(Imaging Plate)である。
しかしながら、本発明は、輝尽性蛍光体からなる蛍光体層１８を有する変換パネル１０の製造（輝尽性蛍光体層の形成）に限定はされず、放射線の入射で可視光を発光（蛍光）する蛍光体層（シンチレータ層）を有する、いわゆるシンチレータパネルの製造にも、好適に利用可能である。 The conversion panel 10 has a phosphor layer 18 made of a stimulable phosphor, and captures a radiation image by accumulating (recording) radiation transmitted through the subject, and a radiation image captured by the incidence of excitation light. This is a so-called IP (Imaging Plate) that emits stimulated emission light in response to the above.
However, the present invention is not limited to the production of the conversion panel 10 having the phosphor layer 18 made of a stimulable phosphor (formation of the stimulable phosphor layer), and emits visible light upon incidence of radiation (fluorescence). ) Can be suitably used for manufacturing a so-called scintillator panel having a phosphor layer (scintillator layer).

本発明の製造方法において、蛍光体層１８（図示例においては、さらに母体層１４）を形成する基板１２には、特に限定はない。
すなわち、基板１２としては、アルミニウム板等の金属板、ガラス板、プラスチック製（樹脂製）のフィルムや板など、真空蒸着などの気相堆積法によって蛍光体層を形成（成膜）できるものが、全て利用可能であり、製造する放射線像変換パネルの用途に応じたものを、適宜、選択すればよい。また、基板１２は、基材となる金属板等の表面に、基材を保護するための保護層、蛍光体層１８（母体層１４）の密着性を向上するための密着層（密着改良層）、輝尽発光光を反射するための反射層等、各種の機能を発現するための層（各種の機能を得るための層）を有するものであってもよい。 In the manufacturing method of the present invention, there is no particular limitation on the substrate 12 on which the phosphor layer 18 (further, the base layer 14 in the illustrated example) is formed.
That is, as the substrate 12, a metal plate such as an aluminum plate, a glass plate, a plastic (resin) film or plate, or the like that can form (deposit) a phosphor layer by a vapor deposition method such as vacuum deposition. These can all be used, and those according to the use of the radiation image conversion panel to be manufactured may be appropriately selected. Further, the substrate 12 has a protective layer for protecting the base material on the surface of a metal plate or the like serving as the base material, and an adhesive layer (adhesion improving layer) for improving the adhesion of the phosphor layer 18 (matrix layer 14). ), A layer for expressing various functions (a layer for obtaining various functions) such as a reflective layer for reflecting the stimulated emission light.

また、蛍光体層１８を、一般式ＣｓＢｒ：Ｅｕで示される蛍光体などのアルカリハライド系の蛍光体で形成し、かつ、基板１２に金属材料を利用する場合には、基板１２は、ポリパラキシリレン層、および、ポリパラキシリレン層の上層の酸化物層を有するのが好ましい。
ポリパラキシリレン層は、吸湿した蛍光体が金属を腐食するのを防止するための層（隔離層）であり、パラキシリレンもしくはパラキシリレン誘導体を重合してなる膜である。具体的には、パリレンＣ（ポリモノクロロパラキシリレン）、パリレンＤ（ポリジクロロパラキシリレン）、パリレンＨＴ（ポリテトラフルオロパラキシリレン）、および、パリレンＮ（ポリパラキシリレン）等からなる層が例示される。
また、酸化物層は、ポリパラキシリレン層では不十分な蛍光体層１８の密着性を向上するための層（密着層）であり、酸化硅素（ＳｉＯ2）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、および、酸化アルミニウム（Ａｉ2Ｏ3）等からなる層が例示される。 Further, when the phosphor layer 18 is formed of an alkali halide phosphor such as a phosphor represented by the general formula CsBr: Eu and a metal material is used for the substrate 12, the substrate 12 is made of polyparaffin. It is preferable to have an oxide layer as an upper layer of the xylylene layer and the polyparaxylylene layer.
The polyparaxylylene layer is a layer (isolation layer) for preventing the hygroscopic phosphor from corroding the metal, and is a film formed by polymerizing paraxylylene or a paraxylylene derivative. Specifically, a layer composed of parylene C (polymonochloroparaxylylene), parylene D (polydichloroparaxylylene), parylene HT (polytetrafluoroparaxylylene), parylene N (polyparaxylylene), and the like. Is exemplified.
The oxide layer is a layer (adhesion layer) for improving the adhesion of the phosphor layer 18 which is insufficient with the polyparaxylylene layer. Silicon oxide (SiO 2 ), germanium oxide (GeO 2 ), Examples include a layer made of tin oxide (SnO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), zirconium oxide (ZrO 2 ), aluminum oxide (Ai 2 O 3 ), and the like.

図示例の変換パネル１０は、好ましい態様として、基板１２の表面に母体層１４を有し、この母体層１４の上に蛍光体層１８を有する。
前述のように、蛍光体層１８は、輝尽性蛍光体からなる層である。輝尽性蛍光体は、通常、母体と付活剤（賦活剤：activator)）とで形成される。母体層１４は、輝尽性蛍光体の付活剤（付活剤成分）を含まない、母体（母体成分）のみからなる層である。
例えば、蛍光体層１８が、一般式ＣｓＢｒ：Ｅｕで示される輝尽性蛍光体からなる場合には、母体層１４は、付活剤であるＥｕを含まない、臭化セシウム（ＣｓＢｒ）のみからなる層である。
このような母体層１４を形成し、この母体層１４の上に蛍光体層１８を形成することにより、蛍光体層１８の密着性を向上することができ、好ましい。 The conversion panel 10 in the illustrated example has a base layer 14 on the surface of the substrate 12 and a phosphor layer 18 on the base layer 14 as a preferred embodiment.
As described above, the phosphor layer 18 is a layer made of a stimulable phosphor. The photostimulable phosphor is usually formed of a base material and an activator (activator). The base layer 14 is a layer made of only a base (matrix component) that does not contain a stimulable phosphor activator (activator component).
For example, when the phosphor layer 18 is made of a stimulable phosphor represented by the general formula CsBr: Eu, the base layer 14 is made of only cesium bromide (CsBr) that does not contain Eu as an activator. It is a layer.
By forming such a base layer 14 and forming the phosphor layer 18 on the base layer 14, the adhesion of the phosphor layer 18 can be improved, which is preferable.

なお、当然のことであるが、図示例の変換パネル１０の製造においては、まず、基板１２の表面に母体層１４を形成し、その後、付活剤を含む蛍光体層１８を形成する。ここで、気相堆積法によって形成された母体層１４および蛍光体層１８は、図１に示すように、柱状結晶構造を有するが、母体層１４と蛍光体層１８とは、境界を有する独立した層にはならず、あたかも１本の柱のように結晶が成長する。
そのため、図１においては、模式的に母体層１４と蛍光体層１８との境界を点線によって示している。 As a matter of course, in the manufacture of the conversion panel 10 in the illustrated example, the base layer 14 is first formed on the surface of the substrate 12, and then the phosphor layer 18 containing the activator is formed. Here, the matrix layer 14 and the phosphor layer 18 formed by the vapor deposition method have a columnar crystal structure as shown in FIG. 1, but the matrix layer 14 and the phosphor layer 18 are independent having a boundary. The crystal grows as if it were one pillar.
Therefore, in FIG. 1, the boundary between the base layer 14 and the phosphor layer 18 is schematically shown by a dotted line.

変換パネル１０において、母体層の厚さには特に限定は無く、形成する蛍光体層１８に応じて、適宜、決定すればよいが、通常、１〜３５０μｍ程度が好ましく、特に、１０〜１００μｍが好ましい。   In the conversion panel 10, the thickness of the base layer is not particularly limited and may be appropriately determined according to the phosphor layer 18 to be formed. Usually, the thickness is preferably about 1 to 350 μm, and more preferably 10 to 100 μm. preferable.

蛍光体層１８は、このような母体層１４の上に形成される。すなわち、図示例においては、蛍光体層１８を成膜する基板（成膜基板）は、母体層１４を形成した基板１２と言うこともできる。
特許文献１等にも示されるように、真空蒸着等の気相堆積法で形成（成膜）される蛍光体層１８（および母体層１４）は、図１に概念的に示されるように柱状結晶構造を有し、蛍光体層１８は、間隙を有する状態で柱状結晶が立設されたような構造となる。 The phosphor layer 18 is formed on such a base layer 14. That is, in the illustrated example, the substrate on which the phosphor layer 18 is formed (film formation substrate) can also be said to be the substrate 12 on which the base layer 14 is formed.
As shown in Patent Document 1 and the like, the phosphor layer 18 (and the base layer 14) formed (deposited) by a vapor deposition method such as vacuum evaporation is columnar as conceptually shown in FIG. It has a crystal structure, and the phosphor layer 18 has a structure in which columnar crystals are erected with a gap.

前述のように、変換パネル１０において、蛍光体層１８は、輝尽性蛍光体からなる層である。
本発明の製造方法で形成する蛍光体層１８には、特に限定はなく、公知の輝尽性蛍光体からなる層が、全て利用可能である。 As described above, in the conversion panel 10, the phosphor layer 18 is a layer made of a stimulable phosphor.
The phosphor layer 18 formed by the production method of the present invention is not particularly limited, and all layers made of known stimulable phosphors can be used.

特に、良好な輝尽発光特性が得られる、本発明の効果を好適に得ることができる等の点で、特開昭６１−７２０８７号公報に開示される、一般式；
ＭIＸ・ａＭIIＸ’2・ｂＭIIIＸ''3：ｃＡ
で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体が好適に利用される。
（上記式において、ＭI は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭIIは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、ＭIIIは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０＜ｃ≦０．２である。）
その中でも、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が特に良好に得られる等の点で、ＭIが、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式ＣｓＢｒ：Ｅｕで示される輝尽性蛍光体が好ましい。 In particular, the general formula disclosed in JP-A No. 61-72087 can be obtained in that good photostimulated luminescence characteristics can be obtained and the effects of the present invention can be suitably obtained;
M I X • aM II X ′ 2 • bM III X ″ 3 : cA
An alkali halide photostimulable phosphor represented by the formula is preferably used.
(In the above formula, M I is at least one selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs, and M II is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu and at least one trivalent metal selected from the group consisting of Ni, M III is, Sc, Y, La, Ce , Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, At least one trivalent metal selected from the group consisting of Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In, and X, X ′ and X ″ are selected from the group consisting of F, Cl, Br and I A is from Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu, Bi, and Mg. At least one selected from the group consisting of . Also, a 0 ≦ a <0.5, a 0 ≦ b <0.5, it is 0 <c ≦ 0.2.)
Among them, M I contains at least Cs, X contains at least Br, and has excellent photostimulated luminescence properties and the effects of the present invention can be obtained particularly well. However, an alkali halide photostimulable phosphor that is Eu or Bi is preferred, and among these, photostimulable phosphors represented by the general formula CsBr: Eu are particularly preferred.

また、これ以外にも、米国特許第３，８５９，５２７号明細書、特開昭５５−１２１４２号、同５５−１２１４４号、同５５−１２１４５号、同５６−１１６７７７号、同５８−６９２８１号、同５８−２０６６７８号、同５９−３８２７８号、同５９−７５２００号等の各公報に開示される各種の輝尽性蛍光体も、好適に利用可能である。   In addition, U.S. Pat. No. 3,859,527, JP-A-55-12142, 55-12144, 55-12145, 56-116777, 58-69281. 58-206678, 59-38278, 59-75200, and the like, various photostimulable phosphors disclosed in each publication can be suitably used.

また、本発明の製造方法で製造する放射線像変換パネル（本発明の製造方法で成膜する蛍光体層）は、輝尽性蛍光体からなる蛍光体層１８を有する変換パネル１０に限定はされず、前述のように、放射線の入射によって可視光を発光（蛍光）する蛍光体からなる蛍光体層を有する放射線像変換パネルであってもよい。   The radiation image conversion panel manufactured by the manufacturing method of the present invention (phosphor layer formed by the manufacturing method of the present invention) is limited to the conversion panel 10 having the phosphor layer 18 made of a stimulable phosphor. Instead, as described above, a radiation image conversion panel having a phosphor layer made of a phosphor that emits (fluoresces) visible light upon incidence of radiation may be used.

このような蛍光体も、公知の物が全て利用可能であるが、同様に、本発明の効果を好適に得ることができる等の点で、下記の一般式；
ＭIＸ・ａＭIIＸ’2・ｂＭIIIＸ”3：ｚＡ
で示されるアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が好ましく例示される。
（上記式において、ＭIはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ金属を表し、ＭIIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し、ＭIIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表わす。また、Ｘ、Ｘ’およびＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択される少なくとも一種のハロゲンを表わし、Ａは、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ及びＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の希土類元素又は金属を表す。また、ａ、ｂおよびｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表わす。）
特に、本発明の効果を、より良好に得られる等の点で、前記一般式のＭIとしてＣｓを含んでいるのが好ましく、ＸとしてＩを含んでいることが好ましく、ＡとしてＴｌ，Ｎａ，Ｅｕ，およびＴｂの何れかを含んでいるのが好ましく、また、ｚは、１×１０-4≦ｚ≦０．１の範囲内の数値であるの好ましい。すなわち、一般式ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＩ：ＥｕおよびＣｓＩ：Ｔｂで示されるアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体は、好ましく用いられる。 As such phosphors, all known substances can be used, but similarly, the following general formulas can be used in that the effects of the present invention can be suitably obtained;
M I X · aM II X ′ 2 · bM III X ″ 3 : zA
An alkali metal halide phosphor represented by the formula is preferably exemplified.
(In the above formula, M I represents at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs, and M II represents Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ni, Cu, Zn. And at least one alkaline earth metal or divalent metal selected from the group consisting of Cd, and M III is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, It represents at least one rare earth element or trivalent metal selected from the group consisting of Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In. X, X ′ and X ″ are F, Cl, Represents at least one halogen selected from the group consisting of Br and I, and A represents Y, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Na, Mg, Cu, Ag Represents at least one rare earth element or metal selected from the group consisting of Tl, Bi, and a, b and z are 0 ≦ a <0.5, 0 ≦ b <0.5 and 0 <z, respectively. <Represents a numerical value within the range of 1.0.)
In particular, it is preferable that Cs is included as M I in the above general formula, that I is included as X, and Tl, Na as A, in that the effects of the present invention can be obtained more satisfactorily. , Eu, and Tb are preferably included, and z is preferably a numerical value within the range of 1 × 10 −4 ≦ z ≦ 0.1. That is, alkali metal halide phosphors represented by the general formulas CsI: Tl, CsI: Na, CsI: Eu and CsI: Tb are preferably used.

本発明の製造方法において、蛍光体層１８の形成方法には、特に限定はなく、スパッタリング、ＣＶＤ等の各種の気相堆積法が全て利用可能であるが、成膜速度や形成する蛍光体層の結晶構造、さらには、本発明の効果をより好適に得ることができる等の点で、真空蒸着が好適に利用される。   In the manufacturing method of the present invention, the method for forming the phosphor layer 18 is not particularly limited, and various vapor deposition methods such as sputtering and CVD can be used. Vacuum deposition is preferably used in that the crystal structure and the effects of the present invention can be obtained more suitably.

また、真空蒸着によって蛍光体層１８を形成する場合には、特に蛍光体成分と付活剤成分の成膜材料を別のルツボ（蒸発源）で加熱／蒸発する、二元の真空蒸着で蛍光体層を形成するのが好ましい。例えば、一般式ＣｓＢｒ：Ｅｕで示される輝尽性蛍光体の蛍光体層１８を形成する場合であれば、付活剤成分である臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒx（ｘは、通常、２〜３であるが２が好ましい））と、母体成分である臭化セシウムとを、別々のルツボに収容して、蒸着を行なうのが好ましい。
二元の真空蒸着を行なうことにより、母体層１４を容易に形成することが可能であり、また、蛍光体層１８における付活剤の含有量の制御を良好に行なうことが可能となる。 Further, when the phosphor layer 18 is formed by vacuum vapor deposition, the phosphor material and the activator component film-forming materials are heated / evaporated by another crucible (evaporation source), and fluorescence is obtained by binary vacuum vapor deposition. A body layer is preferably formed. For example, when forming the phosphor layer 18 of the stimulable phosphor represented by the general formula CsBr: Eu, the activator component is europium bromide (EuBr x (x is usually 2 to 3). However, it is preferred to deposit 2) and the cesium bromide, which is the parent component, in separate crucibles.
By performing binary vacuum vapor deposition, the base layer 14 can be easily formed, and the content of the activator in the phosphor layer 18 can be well controlled.

さらに、真空蒸着を行なう際における成膜条件にも、特に限定は無く、後述する、蛍光体層の形成開始時（蒸着開始時）における基板温度、および、蛍光体層の形成終了時（蒸着終了時）における基板温度以外は、形成する蛍光体層に応じた成膜条件を、適宜、設定すればよい。
ここで、本発明においては、良好な柱状結晶構造の蛍光体層１８が形成できる方法として、０．０１〜３Ｐａ程度の真空度（以下、便宜的に中真空とする）で、抵抗加熱等によって成膜材料を加熱して真空蒸着を行うのが好ましい。好ましくは、一旦、系内を高い真空度に排気した後、アルゴンガスや窒素ガス等を系内に導入して中真空として、この中真空下で真空蒸着を行うのが好ましい。前述のように、気相堆積法による蛍光体層１８は柱状結晶構造を有するが、このような中真空下で真空蒸着によって形成した蛍光体層１８、特に前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ等のアルカリハライド系の蛍光体層１８は、非常に良好な柱状の結晶構造を有する。 Furthermore, there are no particular limitations on the film formation conditions when performing vacuum vapor deposition, as will be described later, the substrate temperature at the start of phosphor layer formation (at the start of vapor deposition), and the end of phosphor layer formation (deposition complete) Other than the substrate temperature at the time, the film forming conditions corresponding to the phosphor layer to be formed may be set as appropriate.
Here, in the present invention, as a method for forming the phosphor layer 18 having a good columnar crystal structure, resistance heating or the like is performed at a degree of vacuum of about 0.01 to 3 Pa (hereinafter referred to as medium vacuum for convenience). It is preferable to perform vacuum deposition by heating the film forming material. Preferably, after the system is evacuated once to a high degree of vacuum, argon gas, nitrogen gas or the like is introduced into the system to form a medium vacuum, and vacuum deposition is performed under this medium vacuum. As described above, the phosphor layer 18 formed by the vapor deposition method has a columnar crystal structure. However, the phosphor layer 18 formed by vacuum evaporation under such a vacuum, in particular, an alkali halide based material such as CsBr: Eu is used. The phosphor layer 18 has a very good columnar crystal structure.

また、蛍光体層１８の層厚にも、特に限定は無く、形成する蛍光体層１８等に応じて、適宜、設定すればよいが、通常、１００〜１５００μｍ程度が好ましく、特に、５００〜１０００μｍが好ましい。   The layer thickness of the phosphor layer 18 is not particularly limited, and may be set as appropriate according to the phosphor layer 18 to be formed. Usually, about 100 to 1500 μm is preferable, and particularly 500 to 1000 μm. Is preferred.

本発明は、基板１２に、真空蒸着等の気相堆積法によって蛍光体層１８を形成することにより、変換パネル１０を製造するものであり、蛍光体層１８の形成開始時における基板１２の温度（形成開始温度）を１５２〜１８９℃に制御し、蛍光体層１８の形成終了時における基板１２の温度（形成終了温度）を１９０〜２５０℃に制御する。
本発明の変換パネル１０の製造方法は、このような構成を有することにより、蛍光体層１８のクラック（ヒビ割れ）の発生、蛍光体層１８の剥離を防止し、さらに、感度も良好な変換パネル１０を、安定して製造することを可能にしたものである。 In the present invention, the conversion panel 10 is manufactured by forming the phosphor layer 18 on the substrate 12 by a vapor deposition method such as vacuum vapor deposition, and the temperature of the substrate 12 at the start of the formation of the phosphor layer 18. The (formation start temperature) is controlled to 152 to 189 ° C., and the temperature (formation end temperature) of the substrate 12 at the end of the formation of the phosphor layer 18 is controlled to 190 to 250 ° C.
The manufacturing method of the conversion panel 10 of the present invention has such a configuration, thereby preventing the occurrence of cracks (cracking) in the phosphor layer 18 and peeling of the phosphor layer 18, and conversion with good sensitivity. The panel 10 can be stably manufactured.

特許文献１や特許文献２に開示されるように、気相堆積法によって蛍光体層を形成する（放射線画像）変換パネルの製造においては、良好な特性を有する変換パネルを得るために、蛍光体層の形成中に基板の温度制御が行なわれている。
しかしながら、これらの特許文献等に示されるような、一定温度や単純漸減などの従来の基板温度制御では、蛍光体層にクラックが入る、蛍光体層が剥離する等の不良が生じる場合が有り、さらに、十分な感度も得られない場合が有る。 As disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2, in the manufacture of a conversion panel in which a phosphor layer is formed by a vapor deposition method (radiation image), in order to obtain a conversion panel having good characteristics, the phosphor Substrate temperature control is performed during layer formation.
However, conventional substrate temperature control such as constant temperature or simple gradual decrease as shown in these patent documents, etc., may cause defects such as cracks in the phosphor layer, peeling of the phosphor layer, Furthermore, sufficient sensitivity may not be obtained.

これに対し、本発明者らの検討によれば、気相堆積法による蛍光体層の形成では、蛍光体層の形成開始時および形成終了時の両者で、それぞれに適正な基板１２（すなわち蛍光体層１８）の温度範囲があり、蛍光体層の形成開始時および形成終了時の、それぞれに対応して、開始時には１５２〜１８９℃、終了時には１９０〜２５０℃となるように、基板の温度制御を行なう。これにより、蛍光体層のクラック発生や剥離を好適に防止することができ、さらに、感度も良好な変換パネル１０を安定して製造できる。   On the other hand, according to the study by the present inventors, in the formation of the phosphor layer by the vapor deposition method, an appropriate substrate 12 (that is, fluorescence) is used at both the start and end of the formation of the phosphor layer. There is a temperature range of the body layer 18), and the temperature of the substrate is such that it is 152 to 189 ° C. at the start and 190 to 250 ° C. at the end, corresponding to the start and end of formation of the phosphor layer, respectively. Take control. Thereby, the crack generation | occurrence | production and peeling of a fluorescent substance layer can be prevented suitably, and also the conversion panel 10 with a favorable sensitivity can be manufactured stably.

蛍光体層１８の形成開始時における基板１２の温度が１５２℃未満では、蛍光体層１８のクラックが発生し易く、甚だしい場合には、このクラックに起因して、蛍光体層１８が剥離してしまう。逆に、蛍光体層１８の形成開始時における基板１２の温度が１８９℃を超えると、蛍光体層１８を形成する柱状結晶同士が融着し易くなり、この融着により、蛍光体層１８が剥離してしまう。
なお、蛍光体層１８のクラック発生や剥離を、より好適に防止できる等の点で、蛍光体層１８の形成開始時における基板１２の温度は、１５５〜１７０℃が、より好ましい。 If the temperature of the substrate 12 at the start of formation of the phosphor layer 18 is less than 152 ° C., the phosphor layer 18 is likely to crack, and if severe, the phosphor layer 18 peels off due to this crack. End up. On the contrary, when the temperature of the substrate 12 at the start of the formation of the phosphor layer 18 exceeds 189 ° C., the columnar crystals forming the phosphor layer 18 are likely to be fused together. It will peel off.
In addition, the temperature of the board | substrate 12 at the time of the formation start of the fluorescent substance layer 18 has more preferable 155-170 degreeC by the point which can prevent crack generation | occurrence | production and peeling of the fluorescent substance layer 18 more suitably.

他方、蛍光体層１８の形成終了時における基板１２の温度（基板１２の到達温度）が１９０℃未満では、同様に、蛍光体層１８のクラックが発生し易く、しかも、変換パネル１０（蛍光体層１８）の感度が不十分になってしまう場合が多い。逆に、蛍光体層１８の形成終了時における基板１２の温度が２５０℃を超えると、蛍光体層１８を形成する柱状結晶同士が融着し易くなり、この融着により、蛍光体層１８が剥離してしまう。
なお、蛍光体層１８のクラック発生や剥離を、より好適に防止でき、しかも、十分な感度を安定して得ることができる等の点で、蛍光体層１８の形成終了時における基板１２の温度は、１９０〜２３０℃が、より好ましい。 On the other hand, if the temperature of the substrate 12 at the end of the formation of the phosphor layer 18 (the temperature reached by the substrate 12) is less than 190 ° C., the phosphor layer 18 is likely to crack, and the conversion panel 10 (phosphor) Often the sensitivity of layer 18) will be insufficient. On the contrary, when the temperature of the substrate 12 at the end of the formation of the phosphor layer 18 exceeds 250 ° C., the columnar crystals forming the phosphor layer 18 are likely to be fused together. It will peel off.
Note that the temperature of the substrate 12 at the end of the formation of the phosphor layer 18 is such that cracking and peeling of the phosphor layer 18 can be more suitably prevented, and sufficient sensitivity can be stably obtained. Is more preferably 190 to 230 ° C.

ここで、図示例のような母体層１４を有する変換パネル１０では、前述のように、母体層１４と蛍光体層１８とは、あたかも１本の柱のように結晶が成長するので、剥離は、基板１２と母体層１４との間で生じ、この母体層１４の剥離によって、結果的に、蛍光体層１８が基板１２から剥離する。   Here, in the conversion panel 10 having the host layer 14 as shown in the example, as described above, the host layer 14 and the phosphor layer 18 grow as if they were one pillar, and therefore the peeling is not caused. The phosphor layer 18 is peeled off from the substrate 12 as a result of peeling between the substrate 12 and the mother layer 14.

本発明においては、蛍光体層１８の形成中も、基板１２の温度は上記範囲すなわち１５２〜２５０℃の範囲であるのが好ましく、特に、形成開始時から形成終了時に向けて、基板１２の温度が、漸次、上昇するように、基板温度を制御するのが好ましい。   In the present invention, the temperature of the substrate 12 is preferably within the above range, that is, the range of 152 to 250 ° C. even during the formation of the phosphor layer 18, and in particular, the temperature of the substrate 12 from the start of formation to the end of formation. However, it is preferable to control the substrate temperature so as to gradually increase.

蛍光体層の形成開始時および形成終了時における基板温度の制御方法には、特に限定はない。例えば、基板を保持する基板ホルダ（基板保持手段）に、加熱手段、冷却手段、加熱／冷却手段等の基板の温度制御手段を設けて、この温度制御手段によって、蛍光体層の形成開始時および形成終了時における基板温度を制御する方法、ヒータや加熱用のランプを用いて蛍光体層１８の形成面側から輻射熱等によって基板１２を加熱する方法等、公知の温度制御方法が、各種、利用可能である。   There is no particular limitation on the method for controlling the substrate temperature at the start and end of the formation of the phosphor layer. For example, a substrate holder (substrate holding means) for holding a substrate is provided with substrate temperature control means such as heating means, cooling means, heating / cooling means, etc., and by this temperature control means, at the start of phosphor layer formation and Various known temperature control methods, such as a method of controlling the substrate temperature at the end of formation, a method of heating the substrate 12 by radiant heat from the formation surface side of the phosphor layer 18 using a heater or a heating lamp, etc. Is possible.

また、一般的な真空蒸着では（特に、基板１２とルツボとが近接する、前記中真空の真空蒸着では）、成膜を開始した後は、成膜終了まで、蒸発源からの輻射熱や成膜材料蒸気の熱等によって、基板１２の温度は、漸次、高くなる。
従って、成膜開始前に、ヒータ等によって基板の温度を１５２〜１８９℃の範囲における所定温度（形成開始温度）に加熱して、この温度で蛍光体層１８の形成を開始し、蒸発源からの輻射熱等を利用して、基板１２の温度を、漸次、上昇させることにより、成膜終了時における基板温度を１９０〜２５０℃とする、基板１２の温度制御方法も、好適に利用可能である。
なお、この輻射熱を利用する基板１２の温度制御方法においては、蛍光体層１８の形成開始後は、ヒータによる加熱は停止してもよく、ヒータは形成開始温度に維持してもよく、ヒータを形成開始温度よりも低い温度に調整して加熱を維持してもよい。すなわち、この基板温度の制御方法において、蛍光体層１８の形成開始後のヒータのｏｎ／ｏｆｆや温度は、蛍光体層１８の形成時における輻射熱、基板ホルダからの放熱状態などに応じて、成膜終了時における基板温度が目的とする温度になるように、適宜、設定すればよい。 In general vacuum deposition (especially, in the case of the above-mentioned medium vacuum vacuum deposition in which the substrate 12 and the crucible are close to each other), radiation heat from the evaporation source or film formation after the film formation is started until the film formation is completed. The temperature of the substrate 12 gradually increases due to the heat of the material vapor or the like.
Therefore, before the start of film formation, the temperature of the substrate is heated to a predetermined temperature (formation start temperature) in the range of 152 to 189 ° C. with a heater or the like, and the formation of the phosphor layer 18 is started at this temperature. A temperature control method for the substrate 12 can be suitably used by gradually increasing the temperature of the substrate 12 using radiant heat or the like to set the substrate temperature at the end of film formation to 190 to 250 ° C. .
In the temperature control method of the substrate 12 using the radiant heat, the heating by the heater may be stopped after the formation of the phosphor layer 18 is started, the heater may be maintained at the formation start temperature, Heating may be maintained by adjusting to a temperature lower than the formation start temperature. That is, in this substrate temperature control method, the heater on / off and temperature after the start of the formation of the phosphor layer 18 depend on the radiant heat at the time of forming the phosphor layer 18 and the heat dissipation state from the substrate holder. What is necessary is just to set suitably so that the substrate temperature at the time of completion | finish of a film | membrane may turn into target temperature.

なお、この輻射熱を利用する温度制御方法で、形成終了時における基板温度が高くなり過ぎる場合には、基板ホルダなどの基板１２に接触する部材に放熱手段を設ける方法、基板ホルダなど基板に接触する部材と基板１２との密着性や接触量を調整する方法、基板ホルダなど基板に接触する部材から真空チャンバ等への放熱経路の設定する方法等によって、過剰な基板１２の温度上昇を抑制することにより、基板１２の温度を制御すればよい。
あるいは、基板の温度に応じて、基板加熱用のヒータの温度や駆動を制御してもよく、また、冷却手段を利用してもよい。 If the substrate temperature at the end of formation becomes too high with this temperature control method using radiant heat, a method of providing heat dissipation means on a member that contacts the substrate 12 such as a substrate holder, or a substrate that contacts the substrate such as a substrate holder. Suppressing excessive temperature rise of the substrate 12 by adjusting the adhesion and contact amount between the member and the substrate 12, or by setting a heat radiation path from the member that contacts the substrate such as a substrate holder to the vacuum chamber. Thus, the temperature of the substrate 12 may be controlled.
Alternatively, the temperature and driving of the heater for heating the substrate may be controlled according to the temperature of the substrate, or a cooling means may be used.

以下、図２を参照して、本発明の変換パネル１０の製造方法の一例を説明する。なお、図２において、横軸は時間経過を示す。
なお、本例は、母体成分と付活剤成分とを、別々のルツボで加熱する、二元の真空蒸着によって蛍光体層１８を形成する例である。 Hereinafter, with reference to FIG. 2, an example of the manufacturing method of the conversion panel 10 of this invention is demonstrated. In FIG. 2, the horizontal axis indicates the passage of time.
This example is an example in which the phosphor layer 18 is formed by binary vacuum vapor deposition in which the base component and the activator component are heated with separate crucibles.

真空蒸着装置の基板ホルダへの基板１２の装填し、ルツボへの成膜材料の充填等、準備が終了したら、真空チャンバを閉塞して、内部を所定の圧力まで減圧し、さらに、成膜材料の加熱を開始する。
成膜材料が所定温度まで上昇したら、母体成分（母体成分を収容するルツボ）に対応するシャッタを開放して、母体層１４の成膜を開始する（時点ａ）。 When the substrate 12 is loaded into the substrate holder of the vacuum evaporation apparatus and the preparation such as filling of the film forming material into the crucible is completed, the vacuum chamber is closed and the inside is depressurized to a predetermined pressure. Start heating.
When the film-forming material rises to a predetermined temperature, the shutter corresponding to the base component (the crucible containing the base component) is opened, and the base layer 14 starts to be formed (time point a).

所定厚さの母体層１４を形成したら、母体成分に対応するシャッタを閉塞して、一旦、成膜を停止する（時点ｂ）。この間、基板１２の温度はルツボ空の輻射熱等によって、漸次、上昇する。また、母体層１４の形成終了と同時（時点ｂ）に、基板ホルダ等に設置された基板１２の加熱手段を駆動して、基板１２の加熱を開始する。
基板温度が蛍光体層１８の形成開始時における目的温度（形成開始温度 図示例では、１５２℃）まで上昇したら（時点ｃ）、基板１２の温度が安定するのを待ち、基板温度が形成開始温度で安定したら（時点ｄ）、母体成分および付活剤成分に対応するシャッタを開放して、蛍光体層１８の形成を開始する。なお、蛍光体層１８の形成開始後は、基板１２の加熱手段は、加熱停止でも加熱継続でも良いのは、前述のとおりである。 When the base layer 14 having a predetermined thickness is formed, the shutter corresponding to the base component is closed to temporarily stop the film formation (time point b). During this time, the temperature of the substrate 12 gradually rises due to the radiation heat of the crucible sky. Further, simultaneously with the end of formation of the base layer 14 (time point b), the heating means for the substrate 12 installed in the substrate holder or the like is driven to start heating the substrate 12.
When the substrate temperature rises to the target temperature at the start of the formation of the phosphor layer 18 (the formation start temperature is 152 ° C. in the illustrated example) (time point c), the substrate temperature waits for the temperature of the substrate 12 to stabilize, and the substrate temperature is the formation start temperature. When stable at (time d), the shutter corresponding to the matrix component and the activator component is opened, and the formation of the phosphor layer 18 is started. As described above, after the formation of the phosphor layer 18 is started, the heating means for the substrate 12 may be stopped or continued.

蛍光体層１８の形成中は、基板２１の温度は、ルツボからの輻射熱等によって、漸次、上昇する（単調増加する）。
所定の厚さの蛍光体層１８を形成したら（時点ｅ）、シャッタを閉塞して、成膜材料の加熱を停止して、蛍光体層１８の形成を終了する。
なお、本例においては、基板１２の加熱手段の温度を形成開始温度に維持し、ルツボからの輻射熱等によって基板１２を加熱することで、この時点ｅにおける温度が１９０〜２５０℃となるように制御を行なっているが、必要に応じて、基板ホルダに放熱部材を設ける、基板加熱手段の駆動を制御する等の方法で、時点ｅにおける温度が１９０〜２５０℃となるように基板温度を制御する。 During the formation of the phosphor layer 18, the temperature of the substrate 21 gradually increases (monotonically increases) due to radiation heat from the crucible and the like.
When the phosphor layer 18 having a predetermined thickness is formed (time e), the shutter is closed, heating of the film forming material is stopped, and the formation of the phosphor layer 18 is finished.
In this example, the temperature of the heating means for the substrate 12 is maintained at the formation start temperature, and the substrate 12 is heated by radiant heat from a crucible, so that the temperature at this point e becomes 190 to 250 ° C. Although the control is performed, the substrate temperature is controlled so that the temperature at the time point e becomes 190 to 250 ° C. by a method such as providing a heat radiating member in the substrate holder or controlling the driving of the substrate heating means as necessary. To do.

蛍光体層１８の形成を終了したら、真空チャンバ内を大気開放し、基板温度が十分に低くなったら、蛍光体層１８を形成した基板１２（変換パネル１０）を真空チャンバから取り出し、必要に応じて、後加熱処理（アニーリング）を行ない、さらに、防湿性を有する保護膜で蛍光体層１８を気密に封止する。
なお、後加熱処理は、形成する蛍光体層１８に応じた、公知の条件で行なえばよい。 When the formation of the phosphor layer 18 is completed, the inside of the vacuum chamber is opened to the atmosphere, and when the substrate temperature is sufficiently low, the substrate 12 (conversion panel 10) on which the phosphor layer 18 is formed is taken out of the vacuum chamber and if necessary. Then, post-heating treatment (annealing) is performed, and the phosphor layer 18 is hermetically sealed with a protective film having moisture resistance.
In addition, what is necessary is just to perform a post-heating process on well-known conditions according to the fluorescent substance layer 18 to form.

図３（Ａ）に、本発明の製造方法を実施する真空蒸着装置の一例の概念図を示す。
図３（Ａ）に示す真空蒸着装置２０は、母体成分の成膜材料と、付活剤成分の成膜材料とを、別々のルツボ（蒸発源）によって加熱する、二元の真空蒸着によって基板１２の表面に母体層１４および蛍光体層１８を形成するものである。
このような真空蒸着装置２０（以下、蒸着装置２０とする）は、基本的に、真空チャンバ２２と、真空排気手段２４と、基板ホルダ２６（図３（Ｂ）に詳細を示し、図３（Ａ）では外形のみを示す）と、基板搬送機構２８と、加熱蒸発部３０とを有して構成される。 FIG. 3A shows a conceptual diagram of an example of a vacuum vapor deposition apparatus for carrying out the production method of the present invention.
The vacuum vapor deposition apparatus 20 shown in FIG. 3A is a substrate by binary vacuum vapor deposition in which a base material film forming material and an activator component film forming material are heated by separate crucibles (evaporation sources). The base material layer 14 and the phosphor layer 18 are formed on the surface of 12.
Such a vacuum vapor deposition apparatus 20 (hereinafter referred to as a vapor deposition apparatus 20) basically has a vacuum chamber 22, a vacuum evacuation means 24, and a substrate holder 26 (FIG. 3B shows details). (A) shows only the outer shape), a substrate transport mechanism 28, and a heating evaporation unit 30.

真空チャンバ２２は、ステンレス等で構成される、真空蒸着装置における通常の真空チャンバであり、内部を真空排気手段２４によって排気され、所定の圧力（真空度）に維持される。
真空排気手段２４も、真空蒸着装置に利用される公知のものであり、ロータリーポンプ、油拡散ポンプ、クライオポンプ、ターボモレキュラポンプ等や、これらの組み合わせなどの公知の真空ポンプが、各種、利用可能であり、さらに、補助として、クライオコイル等を併用してもよい。
また、図示は省略するが、真空チャンバ１２には、真空チャンバ１２内に圧力調整用のアルゴンガスの導入する、ガス導入手段が設けられる。ガス導入手段も、ボンベ等との接続手段やガス流量の調整手段等を有する（もしくは、これらに接続される）、真空蒸着装置やスパッタリング装置等で用いられる、公知のガス導入手段である。 The vacuum chamber 22 is a normal vacuum chamber in a vacuum deposition apparatus made of stainless steel or the like, and the inside is evacuated by the vacuum evacuation means 24 and maintained at a predetermined pressure (degree of vacuum).
The vacuum evacuation means 24 is also a known one used in a vacuum deposition apparatus, and various known vacuum pumps such as a rotary pump, an oil diffusion pump, a cryopump, a turbomolecular pump, and combinations thereof are used in various ways. Further, a cryocoil or the like may be used in combination as an auxiliary.
Although not shown, the vacuum chamber 12 is provided with gas introduction means for introducing argon gas for pressure adjustment into the vacuum chamber 12. The gas introduction means is also a known gas introduction means that is used in a vacuum vapor deposition apparatus, a sputtering apparatus, or the like that includes (or is connected to) a connection means with a cylinder or the like and a gas flow rate adjustment means.

基板ホルダ２６は、蛍光体層１８を成膜される基板１２を、成膜面を下方（加熱蒸発部３０側、以下、この方向を「下」、逆を「上」とする）に向けて保持するものである。なお、図示例において、基板１２は四角形の板状のものである。
図３（Ｂ）に、基板ホルダ２６の構成を概念的に示す。図示例の蒸着装置２０において、基板ホルダ２６は、ホルダ本体３４と、保持部材３６と、金属プレート３８と、熱電導シート４０と、ネジ４２と、ナット４６と、ヒータ４８と、送りネジ部材５０と、ガイド部材５２とを有して構成される。 The substrate holder 26 faces the substrate 12 on which the phosphor layer 18 is formed, with the film-forming surface facing downward (on the heating evaporation unit 30 side, hereinafter, this direction is “down” and the opposite is “up”). It is to hold. In the illustrated example, the substrate 12 has a rectangular plate shape.
FIG. 3B conceptually shows the configuration of the substrate holder 26. In the illustrated vapor deposition apparatus 20, the substrate holder 26 includes a holder main body 34, a holding member 36, a metal plate 38, a thermal conductive sheet 40, a screw 42, a nut 46, a heater 48, and a feed screw member 50. And a guide member 52.

ホルダ本体３４は、下面が開放する矩形の筐体であり、上面の中央に、筒状のブロック部材３４ａが固定される。
金属プレート３８は、銅、アルミニウム、ステンレス等の熱伝導が高い金属で形成される、四角形の板状の部材であり、前記開放面からホルダ本体３４内に挿入され、下部の一部を厚さ方向（板の厚さ方向）に突出して、公知の固定手段でホルダ本体３４に固定される。なお、基板１２の温度制御性を良好にするためには、ホルダ本体３４と金属プレート３８とは、前記固定手段以外は非接触とするのが好ましい。
金属プレート３８の下面には、全面的に密着するように、熱伝導シート４０が固定されている。熱伝導シート４０は、高い熱伝導（例えば、熱伝導率１Ｗ／ｍ以上）を有し、かつ、可撓性および弾性を有するシート状物である。熱伝導シート４０としては、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、エチレンプロピレン系樹脂等の樹脂に、熱伝導粒子や熱伝導フィラーを分散させたシートや、グラファイトシート等が例示され、各種の市販品を用いればよい。 The holder main body 34 is a rectangular housing whose bottom surface is open, and a cylindrical block member 34a is fixed to the center of the top surface.
The metal plate 38 is a quadrangular plate-like member formed of a metal having high thermal conductivity such as copper, aluminum, and stainless steel, and is inserted into the holder main body 34 from the open surface, and a part of the lower portion is thick. It protrudes in the direction (thickness direction of the plate) and is fixed to the holder body 34 by a known fixing means. In order to improve the temperature controllability of the substrate 12, it is preferable that the holder main body 34 and the metal plate 38 are not in contact with each other except the fixing means.
A heat conductive sheet 40 is fixed to the lower surface of the metal plate 38 so as to be in close contact with the entire surface. The heat conductive sheet 40 is a sheet-like material having high heat conductivity (for example, a heat conductivity of 1 W / m or more) and having flexibility and elasticity. Examples of the heat conductive sheet 40 include a sheet in which heat conductive particles and heat conductive filler are dispersed in a resin such as a silicone resin, an acrylic resin, and an ethylene propylene resin, and a graphite sheet. Use it.

金属プレート３８の上面には、ヒータ４８が固定される。
ヒータ４８は、シースヒータ等の公知のヒータ（加熱手段）である。なお、本発明を実施する蒸着装置２０においては、ヒータ４８に加えて、基板１２を冷却するための冷却手段を設けてもよく、あるいは、ヒータ４８に代えて公知の加熱冷却手段を設けてもよい。
また、前述のように、成膜前に基板１２を１５２〜１８９℃の目的とする成膜開始温度に加熱して、成膜を開始し、後述するルツボ６２や６４からの輻射熱によって基板１２の温度を上昇して形成終了時における温度を１９０〜２５０℃に制御する方法において、形成終了時における温度が高く成りすぎる場合には、金属プレート３８の上面に、金属性のブロック等の放熱部材を設けて、ルツボからの輻射熱等による基板１２の過剰な加熱を防止してもよい。 A heater 48 is fixed on the upper surface of the metal plate 38.
The heater 48 is a known heater (heating means) such as a sheath heater. In the vapor deposition apparatus 20 for carrying out the present invention, a cooling means for cooling the substrate 12 may be provided in addition to the heater 48, or a known heating / cooling means may be provided instead of the heater 48. Good.
In addition, as described above, the substrate 12 is heated to a target film formation start temperature of 152 to 189 ° C. before film formation to start film formation, and radiant heat from the crucibles 62 and 64 (described later) In the method of controlling the temperature at the end of formation to 190 to 250 ° C. by raising the temperature, if the temperature at the end of formation is too high, a heat dissipation member such as a metallic block is provided on the upper surface of the metal plate 38. It may be provided to prevent excessive heating of the substrate 12 due to radiant heat from the crucible or the like.

さらに、基板ホルダ２６には、基板１２の温度を測定するための温度測定手段４９が配置される。
図示例においては、金属プレート３８および熱伝導シート４０に貫通孔３８ａおよび４０ａを形成して、この貫通孔３８ａおよび４０ａから温度測定手段４９を挿入して、基板１２の裏面の温度を測定している。なお、通常は、基板１２の表面の温度と裏面の温度は、ほぼ、等しいので、これにより、基板１２の温度を適正に測定できる。
温度測定手段４９には、特に限定はなく、熱電対等の公知の温度測定手段が全て利用可能である。
なお、金属プレート３８および熱伝導シート４０は、共に、非常に熱伝導率が高いので、金属プレート３８の上面の温度は、基板１２の裏面温度（＝表面温度）に、ほぼ、等しい。従って、基板１２の温度を、直接、測定するのではなく、金属プレート３８の上面の温度を測定することで、基板１２の温度を測定する構成としてもよい。 Further, temperature measuring means 49 for measuring the temperature of the substrate 12 is arranged in the substrate holder 26.
In the illustrated example, through holes 38 a and 40 a are formed in the metal plate 38 and the heat conductive sheet 40, and the temperature measuring means 49 is inserted through the through holes 38 a and 40 a to measure the temperature of the back surface of the substrate 12. Yes. In general, the temperature of the front surface of the substrate 12 and the temperature of the back surface are substantially equal, so that the temperature of the substrate 12 can be measured appropriately.
The temperature measuring means 49 is not particularly limited, and any known temperature measuring means such as a thermocouple can be used.
Since both the metal plate 38 and the heat conductive sheet 40 have very high thermal conductivity, the temperature of the upper surface of the metal plate 38 is substantially equal to the back surface temperature (= surface temperature) of the substrate 12. Therefore, the temperature of the substrate 12 may be measured by measuring the temperature of the upper surface of the metal plate 38 instead of directly measuring the temperature of the substrate 12.

保持部材３６は、基板１２の角部を下方から支持する部材で、計４つが設けられる。４つの保持部材３６は、保持部材３６は、基板１２の角部を下方から支持した状態で、ホルダ本体３４に係合するフック３６ａによって上方に持ち上げられることにより、基板１２を熱伝導シート４０に密着させる。なお、基板１２の温度制御性を向上するため、基板１２を熱伝導シート４０に密着して保持した状態で、ホルダ本体３４と保持部材とが非接触であるのが好ましい。
前述のように、熱伝導シート４０は金属プレート３８に密着しており、金属プレート３８の上面には、ヒータ４８が固定されている。従って、基板１２は、ヒータ４８によって加熱され、また、基板１２が真空蒸着によって加熱された場合には、基板１２の熱は、熱伝導シート４０から金属プレート３８を経て放熱される。また、金属プレート３８の上に放熱部材を設ける、熱伝導シート４０と基板１２との密着性や接触量を調整する等の方法により、基板１２の温度制御を行なってもよいのは、前述のとおりである。 The holding members 36 are members that support the corners of the substrate 12 from below, and a total of four holding members 36 are provided. The four holding members 36 are lifted upward by hooks 36a engaged with the holder body 34 in a state where the corners of the substrate 12 are supported from below, so that the substrate 12 becomes the heat conductive sheet 40. Adhere closely. In order to improve the temperature controllability of the substrate 12, it is preferable that the holder body 34 and the holding member are not in contact with each other in a state where the substrate 12 is held in close contact with the heat conductive sheet 40.
As described above, the heat conductive sheet 40 is in close contact with the metal plate 38, and the heater 48 is fixed to the upper surface of the metal plate 38. Accordingly, the substrate 12 is heated by the heater 48, and when the substrate 12 is heated by vacuum deposition, the heat of the substrate 12 is radiated from the heat conductive sheet 40 through the metal plate 38. Further, the temperature of the substrate 12 may be controlled by a method such as providing a heat radiating member on the metal plate 38, adjusting the adhesion between the heat conductive sheet 40 and the substrate 12, and the contact amount. It is as follows.

ここで、金属プレート３８および熱伝導シート４０は、ホルダ本体３４の中心に固定されるブロック部材３４ａの貫通穴に対応する位置に、貫通穴が形成れ、また、基板１２の中心部には、ネジ穴１２ａが穿孔されている。
このブロック部材３４ａ、金属プレート３８および熱伝導シート４０の貫通穴には、少なくとも両端の所定領域がネジとなっている棒状のネジ４２が挿通される。ネジ４２の下端部は、基板１２のネジ穴１２ａに螺合している。また、ネジ４２の上端部には、ナット４６が螺合しており、このナット４６（あるいはさらにワッシャ４６ａ）によって、ブロック部材３４ａの貫通穴からネジ４２が落下することを防止している。言い換えれば、上端にナット４６が螺合するネジ４２は、ブロック部材３４ａに挿通されて、ブロック部材３４ａの上端で支持（上端に載置）されている。 Here, the metal plate 38 and the heat conductive sheet 40 are formed with a through hole at a position corresponding to the through hole of the block member 34 a fixed to the center of the holder main body 34, and at the center of the substrate 12, Screw holes 12a are drilled.
The block member 34a, the metal plate 38, and the through hole of the heat conductive sheet 40 are inserted with rod-shaped screws 42 having at least predetermined regions at both ends as screws. The lower end of the screw 42 is screwed into the screw hole 12 a of the substrate 12. Further, a nut 46 is screwed onto the upper end portion of the screw 42, and the nut 42 (or a washer 46a) prevents the screw 42 from dropping from the through hole of the block member 34a. In other words, the screw 42 into which the nut 46 is screwed to the upper end is inserted into the block member 34a and supported (placed on the upper end) by the upper end of the block member 34a.

従って、ナット４６を回転することにより、ネジ４２を上昇して、基板１２の中心部を持ち上げることが出来る。
図示例の基板ホルダ２６においては、このような構成を有することにより、基板１２の中央部が、自重によって弛んでしまうことを防止し、保持部材３６で支持されている四隅のみならず、基板２１の中央部も熱伝導シート４０に密着させることができ、基板１２の全面を、好適に熱伝導シート４０に密着できる。従って、図示例の基板ホルダ２６によれば、基板１２の温度制御を、高精度に行なうことができる。
また、前述のように、熱伝導シート４０は可撓性および弾性を有するので、基板１２や金属プレート４８に、多少の歪み等が有っても、基板１２および金属プレート４８は、好適に全面的に熱伝導シート４０に密着されるので、より高精度な基板１２の温度制御が可能である。 Therefore, by rotating the nut 46, the screw 42 can be raised and the central portion of the substrate 12 can be lifted.
The substrate holder 26 of the illustrated example has such a configuration, so that the central portion of the substrate 12 is prevented from being loosened by its own weight, and not only the four corners supported by the holding member 36 but also the substrate 21. The central portion of the substrate 12 can also be brought into close contact with the heat conductive sheet 40, and the entire surface of the substrate 12 can be suitably attached to the heat conductive sheet 40. Therefore, according to the illustrated substrate holder 26, the temperature of the substrate 12 can be controlled with high accuracy.
Further, as described above, since the heat conductive sheet 40 has flexibility and elasticity, even if the substrate 12 or the metal plate 48 is somewhat distorted, the substrate 12 and the metal plate 48 are preferably formed on the entire surface. Therefore, the temperature of the substrate 12 can be controlled with higher accuracy.

なお、図示例の基板ホルダ２６において、フック３６ａの形状や、フック３６ａの昇降手段には、特に限定はなく、公知の機械的な機構を利用すればよい。
また、基板ホルダ２６において、基板１２の下方からの支持は、基板１２の角部で行なうのに限定はされず、例えば、基板１２の端部辺（１辺）を下方から支持する４つの保持部材を利用する方法、基板１２の全周を下方から支持する枠状の部材を用いる方法等、各種の手段が利用可能である。 In the illustrated substrate holder 26, the shape of the hook 36a and the lifting / lowering means of the hook 36a are not particularly limited, and a known mechanical mechanism may be used.
Further, in the substrate holder 26, the support from the lower side of the substrate 12 is not limited to being performed at the corners of the substrate 12, and, for example, four holdings that support the end side (one side) of the substrate 12 from the lower side. Various means such as a method using a member and a method using a frame-like member that supports the entire circumference of the substrate 12 from below can be used.

ホルダ本体３４の上面には、後述する基板１２の搬送方向（図中矢印ａ方向）にブロック部材３４ａを挟むように２つの送りネジ部材５０が固定され、さらに、この送りネジ部材５０を同方向に挟むように２つのガイド部材５２が固定される。
送りネジ部材５０は、後述する基板搬送機構２８のネジ軸５８に螺合するネジ穴が穿孔されている部材である。また、ガイド部材５２は、同じく基板搬送機構２８のガイドレール５６に係合する部材である。 Two feed screw members 50 are fixed to the upper surface of the holder main body 34 so as to sandwich the block member 34a in the conveyance direction of the substrate 12, which will be described later (in the direction of arrow a in the figure). Further, the feed screw members 50 are arranged in the same direction. Two guide members 52 are fixed so as to be sandwiched between the two.
The feed screw member 50 is a member in which a screw hole that is screwed into a screw shaft 58 of the substrate transport mechanism 28 described later is drilled. Similarly, the guide member 52 is a member that engages with the guide rail 56 of the substrate transport mechanism 28.

図示例の蒸着装置２０は、蒸発源であるルツボの上部を通過する直線状の搬送経路で、基板１２を往復搬送しつつ、基板１２の表面に真空蒸着を行なう装置である。基板搬送機構２８は、基板１２を保持した基板ホルダ２６を直線状の搬送経路で往復搬送することにより、基板１２をルツボ上部を通過する直線状の搬送経路で往復搬送する。
基板搬送機構２６は、ネジ伝動によって基板ホルダ２６を往復搬送するものであり、ガイドレール５６と、ネジ軸５８と、回転駆動源６０とを有して構成される。 The vapor deposition apparatus 20 in the illustrated example is an apparatus that performs vacuum vapor deposition on the surface of the substrate 12 while reciprocating the substrate 12 through a linear conveyance path passing through the upper part of the crucible as an evaporation source. The substrate transport mechanism 28 reciprocates the substrate 12 along the linear transport path passing through the upper part of the crucible by reciprocally transporting the substrate holder 26 holding the substrate 12 along the linear transport path.
The substrate transport mechanism 26 reciprocates the substrate holder 26 by screw transmission, and includes a guide rail 56, a screw shaft 58, and a rotation drive source 60.

ネジ軸５８は、ネジ伝動により基板ホルダ２６を往復搬送するための長尺なネジ（送りネジ）で、基板１２の搬送方向（図中矢印ａ方向）に延在して、軸受け５８ａによって回転自在に軸支されている。
回転駆動源６０は、ネジ軸５８を回転させる、ネジ伝動による搬送機構２８の駆動源である。この回転駆動源６０は、正逆転が可能なモータである。
ガイドレール５６は、基板ホルダ２６を往復搬送をガイド（案内）する部材で、前記基板ホルダ２６のガイド部材５６が摺動可能に係合している。 The screw shaft 58 is a long screw (feed screw) for reciprocating and transporting the substrate holder 26 by screw transmission, and extends in the transport direction of the substrate 12 (in the direction of arrow a in the figure) and is freely rotatable by the bearing 58a. Is pivotally supported.
The rotation drive source 60 is a drive source for the conveyance mechanism 28 by screw transmission that rotates the screw shaft 58. The rotational drive source 60 is a motor capable of forward and reverse rotation.
The guide rail 56 is a member that guides (guides) the reciprocating conveyance of the substrate holder 26, and the guide member 56 of the substrate holder 26 is slidably engaged therewith.

前述のように、基板ホルダ２６には、基板１２の搬送方向に離間して２つの送りネジ部材５０が設けられ、送りネジ部材５０（そのネジ穴）は、ネジ軸５８に螺合している。
従って、回転駆動源６０によってネジ軸５８を回転することにより、基板ホルダ２６すなわち基板１２を所定の搬送方向に直線状に往復搬送することができる。 As described above, the substrate holder 26 is provided with the two feed screw members 50 spaced apart in the conveyance direction of the substrate 12, and the feed screw member 50 (the screw hole) is screwed to the screw shaft 58. .
Therefore, by rotating the screw shaft 58 by the rotation drive source 60, the substrate holder 26, that is, the substrate 12 can be linearly reciprocated in a predetermined conveyance direction.

加熱蒸発部３０は、成膜材料を加熱して、溶融、蒸発させる部位で、ルツボ６２およびルツボ６４が配置される。
前述のように、図示例の蒸着装置１０は、付活剤成分と母体成分とを別々のルツボ（蒸発源）で加熱蒸発させる、二元の真空蒸着を行なうものである。図示例において、ルツボ６２は付活剤の成膜材料を加熱蒸発するものであり、ルツボ６４は、母体の成膜材料を加熱蒸発するものである。従って、例えば、前記一般式ＣｓＢｒ：Ｅｕで示される輝尽性蛍光体の蛍光体層１８を成膜する際には、付活剤用のルツボ６２には臭化ユーロピウムが収容され、母体用のルツボ６４には臭化セシウムが収容される。 In the heating and evaporating unit 30, the crucible 62 and the crucible 64 are disposed at a portion where the film forming material is heated to melt and evaporate.
As described above, the vapor deposition apparatus 10 in the illustrated example performs two-way vacuum vapor deposition in which an activator component and a base component are heated and evaporated with separate crucibles (evaporation sources). In the illustrated example, the crucible 62 heats and evaporates the activator film forming material, and the crucible 64 heats and evaporates the base film forming material. Therefore, for example, when forming the phosphor layer 18 of the stimulable phosphor represented by the general formula CsBr: Eu, europium bromide is accommodated in the crucible 62 for activator, The crucible 64 contains cesium bromide.

ルツボ６２および６４は、共に、抵抗加熱用のルツボであり、図示しない電源から電力を供給され、自身が発熱することにより、成膜材料を加熱する。
なお、本発明においては、成膜材料の加熱手段は抵抗加熱に限定はされず、電子線加熱や誘導加熱等の真空蒸着で利用されている各種の加熱手段が利用可能である。 Both the crucibles 62 and 64 are resistance heating crucibles, which are supplied with electric power from a power source (not shown) and heat themselves to heat the film forming material.
In the present invention, the heating means for the film forming material is not limited to resistance heating, and various heating means used in vacuum deposition such as electron beam heating and induction heating can be used.

図２に示すように、付活剤用のルツボ６２と、母体用のルツボ６４とは、基板１２の搬送方向（矢印ａ方向）に離間して配置される。
また、ルツボ６２は、基板１２の搬送方向と直交する方向（紙面と垂直方向）に、複数が配列され、同様に、ルツボ６４も、板１２の搬送方向と直交する方向に、複数が配列される。
図示例の蒸着装置２０においては、このように基板１２を直線状に往復搬送し、ルツボを、この搬送方向と直交する方向に、複数、配列することにより、膜厚均一性の高い蛍光体層１８（蒸着膜）を形成することを可能にしている。 As shown in FIG. 2, the crucible 62 for the activator and the crucible 64 for the base are arranged apart from each other in the transport direction (arrow a direction) of the substrate 12.
A plurality of crucibles 62 are arranged in a direction (perpendicular to the paper surface) perpendicular to the transport direction of the substrate 12. Similarly, a plurality of crucibles 64 are arranged in a direction orthogonal to the transport direction of the plate 12. The
In the vapor deposition apparatus 20 of the illustrated example, the substrate 12 is reciprocated linearly in this way, and a plurality of crucibles are arranged in a direction perpendicular to the transport direction, thereby providing a phosphor layer with high film thickness uniformity. 18 (deposited film) can be formed.

なお、図示は省略するが、ルツボ６２の列、および、ルツボ６４の列の上には、ルツボから排出される成膜材料の上記を遮蔽するための、シャッタが配置される。   Although illustration is omitted, a shutter for shielding the above-described film forming material discharged from the crucible is arranged above the row of crucibles 62 and the row of crucibles 64.

以上、本発明の放射線像変換パネルの製造方法について、詳細に説明したが、本発明は、上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の変更や改良を行なってもよいのは、もちろんである。   As mentioned above, although the manufacturing method of the radiation image conversion panel of this invention was demonstrated in detail, this invention is not limited to the above-mentioned example, In the range which does not deviate from the summary of this invention, various change and improvement are performed. Of course, you may.

以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明を、より詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples of the present invention.

［実施例］
基板１２として、表面を鏡面研磨した面積１００×１００ｍｍのアルミニウム合金（Ａ５０８３）製の板（厚さ１０ｍｍ）を用意した。
図３に示すような蒸着装置を用いて、この基板１２に、一般式ＣｓＢｒ：Ｅｕで示される輝尽性蛍光体からなる蛍光体層１８を形成した。 [Example]
As the substrate 12, a plate (thickness 10 mm) made of an aluminum alloy (A5083) having an area of 100 × 100 mm whose surface was mirror-polished was prepared.
A phosphor layer 18 made of a stimulable phosphor represented by the general formula CsBr: Eu was formed on the substrate 12 using a vapor deposition apparatus as shown in FIG.

まず、保持手段３６によって基板１２の角部を下方から支え、フック３６ａによって保持手段３６を上昇して、かつ、ナット４６によって基板１２の中央部を持ち上げて、熱伝導シート４０に全面的に密着させて、基板１２を基板ホルダ２６に装填した。
なお、金属プレート３８は、銅製のプレートを用い、熱伝導シート４０は、シリコーン系ゲルシート（厚さ１ｍｍ）を用いた。さらに、金属プレート３８および熱伝導シート４０に、貫通孔３８ａおよび４０ａを設け、此処から、温度測定手段４９を挿入して基板１２の裏面温度を測定した。基板１２の裏面と表面の温度は、ほぼ等しいのは前述のとおりである。 First, the corners of the substrate 12 are supported from below by the holding means 36, the holding means 36 is lifted by the hooks 36a, and the central portion of the substrate 12 is lifted by the nuts 46 so as to be in close contact with the heat conductive sheet 40. Then, the substrate 12 was loaded into the substrate holder 26.
The metal plate 38 was a copper plate, and the heat conductive sheet 40 was a silicone gel sheet (thickness 1 mm). Further, through holes 38 a and 40 a were provided in the metal plate 38 and the heat conductive sheet 40, and the temperature measuring means 49 was inserted from here to measure the back surface temperature of the substrate 12. As described above, the temperatures of the back surface and the front surface of the substrate 12 are substantially equal.

ルツボ６２に臭化ユーロピウムを、ルツボ６４に臭化セシウムを、それぞれ充填して、真空チャンバ２２を閉塞した。
ルツボ６２およびルツボ６４は、共にタンタル製で、出力６ｋＷのＤＣ電源を接続した。また、蛍光体の成膜材料を収容したルツボには、温度測定手段を設けた。 The vacuum chamber 22 was closed by filling the crucible 62 with europium bromide and the crucible 64 with cesium bromide.
The crucible 62 and the crucible 64 are both made of tantalum and connected to a DC power source with an output of 6 kW. The crucible containing the phosphor film-forming material was provided with temperature measuring means.

次いで、真空排気手段２４を駆動して、真空チャンバ１２内の排気を開始した。真空排気手段２４は、ディフュージョンポンプおよびクライオコイルを用いた。
真空度が８×１０-4Ｐａとなった時点で、真空チャンバ１２内にアルゴンガスを導入して真空度を０．７５Ｐａとし、次いで、ＤＣ電源を駆動して両ルツボに通電して、成膜材料の溶解を開始した。
ルツボ６４の加熱（臭化セシウムの溶解）は６７０℃で行った。また、ルツボ６２の加熱は、臭化ユーロピウムが溶解する温度まで電力を上げて、完全に溶解した後、臭化ユーロピウムが蒸発しない温度まで投与電力を落した。なお、臭化ユーロピウムの溶解のためのルツボ６２への投与電力は、予め行なった実験に応じて制御した。 Next, the vacuum exhaust means 24 was driven to start exhausting the vacuum chamber 12. The evacuation unit 24 used a diffusion pump and a cryocoil.
When the degree of vacuum reaches 8 × 10 −4 Pa, argon gas is introduced into the vacuum chamber 12 to set the degree of vacuum to 0.75 Pa, and then the DC power supply is driven to energize both crucibles. Dissolution of the membrane material was started.
The crucible 64 was heated (dissolution of cesium bromide) at 670 ° C. In addition, for heating the crucible 62, the power was increased to a temperature at which europium bromide was dissolved, and after complete dissolution, the administration power was reduced to a temperature at which europium bromide was not evaporated. In addition, the administration electric power to the crucible 62 for melt | dissolution of europium bromide was controlled according to the experiment conducted previously.

成膜材料の溶解を開始して６０分が経過した時点で、ルツボ６４に対応するシャッタを開放して、母体層１４（ＣｓＢｒ層）の形成（蒸着）を開始した（すなわち、臭化セシウムの蒸発温度は６７０℃）。
母体層１４の層厚が５０μｍとなった時点で、シャッタを閉塞して、母体層１４の形成を終了した。同時に、ピータ４８によって基板１２の加熱を開始した。
また、アルゴンガスの導入量を調整して真空チャンバ内の圧力（Ａｒガス圧）を１．０Ｐａとし、また、蛍光体層におけるＥｕ／Ｃｓのモル濃度比が０．００１：１となる電力まで、ルツボ６２への臭化ユーロピウム（そのルツボ）への投与電力を上昇した。 When 60 minutes have elapsed since the dissolution of the film forming material, the shutter corresponding to the crucible 64 was opened, and the formation (vapor deposition) of the base layer 14 (CsBr layer) was started (that is, cesium bromide) The evaporation temperature is 670 ° C.).
When the thickness of the base layer 14 reached 50 μm, the shutter was closed to complete the formation of the base layer 14. At the same time, heating of the substrate 12 by the peater 48 was started.
Further, the amount of argon gas introduced is adjusted so that the pressure in the vacuum chamber (Ar gas pressure) is 1.0 Pa, and the Eu / Cs molar concentration ratio in the phosphor layer is 0.001: 1. The dose power to Europium bromide (its crucible) to crucible 62 was increased.

基板１２の温度が、目的とする蛍光体層１８の形成開始時の温度（形成開始温度）まで上昇し、かつ、温度が安定したことを確認できた時点で、ルツボ６２およびルツボ６４に対応するシャッタを開放して、基板１２（母体層１４）の表面に、ＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層１８の形成を開始した。   When the temperature of the substrate 12 rises to the temperature at the start of formation of the target phosphor layer 18 (formation start temperature) and it has been confirmed that the temperature has stabilized, it corresponds to the crucible 62 and the crucible 64. The shutter was opened, and formation of the phosphor layer 18 made of CsBr: Eu was started on the surface of the substrate 12 (matrix layer 14).

蛍光体層１８の層厚が６５０μｍとなった時点で、ルツボ６２およびルツボ６４に対応するシャッタを閉塞して、蛍光体層１８の形成を終了し、その時点における基板１２の温度（形成終了温度）を測定した。なお、ヒータ４８の加熱は、蛍光体層１８の形成開始時点で停止した。
次いで、ＤＣ電源を停止してルツボへの通電を停止し、また、ヒータ４８への通電を停止した。
その後、真空チャンバ２２内が大気圧なるまで乾燥した空気を導入し、大気開放状態で状態で放置して蛍光体層１８の冷却を行い、冷却を終了した後、基板１２（変換パネル１０）を基板ホルダ２６から取り外し、真空チャンバ２２から取り出した。 When the thickness of the phosphor layer 18 reaches 650 μm, the shutter corresponding to the crucible 62 and the crucible 64 is closed to finish the formation of the phosphor layer 18, and the temperature of the substrate 12 (the formation end temperature) ) Was measured. The heating of the heater 48 was stopped when the formation of the phosphor layer 18 was started.
Next, the DC power supply was stopped to stop the energization to the crucible, and the energization to the heater 48 was stopped.
Thereafter, dry air is introduced until the pressure in the vacuum chamber 22 reaches atmospheric pressure, and the phosphor layer 18 is cooled by leaving it in an open state. After the cooling is finished, the substrate 12 (conversion panel 10) is removed. The substrate was removed from the substrate holder 26 and removed from the vacuum chamber 22.

真空チャンバ２２から取り出した基板１２を、３２℃／３０％ＲＨの環境に３日間保管した後、窒素雰囲気中で、２００℃の後加熱処理を１５分行なって、変換パネル１０を作製した。   The substrate 12 taken out from the vacuum chamber 22 was stored in an environment of 32 ° C./30% RH for 3 days, and then subjected to a post-heat treatment at 200 ° C. for 15 minutes in a nitrogen atmosphere to produce the conversion panel 10.

このような変換パネル１０の製造を、基板１２の形成開始温度（開始）、および、形成終了温度（終了）を、様々、変更して行なった。
具体的には、開始１５０℃−終了１５０℃（比較例１）； 開始１５０℃−終了２２０℃（比較例２）； 開始２００℃−終了２００℃（比較例３）； 開始２００℃−終了２２０℃（比較例４）； 開始１６０℃−終了２６０℃（比較例５）；
開始１５２℃−終了２２０℃（実施例１）； 開始１５５℃−終了２２０℃（実施例２）； 開始１６０℃−終了１９１℃（実施例３）； 開始１６０℃−終了２２０℃（実施例４）； 開始１６０℃−終了２５０℃（実施例５）； 開始１７０℃−終了２２０℃（実施例６）； 開始１８９℃−終了２２０℃（実施例７）； および、開始１５２℃−終了１９１℃（実施例８）； の、合計１３個の変換パネル１０を作製した。
各例の形成開始温度および形成終了温度を、下記表に示す。 The conversion panel 10 was manufactured by changing the formation start temperature (start) and the formation end temperature (end) of the substrate 12 in various ways.
Specifically, start 150 ° C.-end 150 ° C. (Comparative Example 1); start 150 ° C.-end 220 ° C. (Comparative Example 2); start 200 ° C.-end 200 ° C. (Comparative Example 3); start 200 ° C.-end 220 ° C (Comparative Example 4); Start 160 ° C-End 260 ° C (Comparative Example 5);
Start 152 ° C-End 220 ° C (Example 1); Start 155 ° C-End 220 ° C (Example 2); Start 160 ° C-End 191 ° C (Example 3); Start 160 ° C-End 220 ° C (Example 4) ); Start 160 ° C-end 250 ° C (Example 5); start 170 ° C-end 220 ° C (Example 6); start 189 ° C-end 220 ° C (Example 7); and start 152 ° C-end 191 ° C (Example 8); A total of 13 conversion panels 10 were prepared.
The formation start temperature and the formation end temperature of each example are shown in the following table.

なお、基板１２の形成終了温度の制御は、金属プレート３８の上面に放熱用の金属ブロックを固定し、この金属ブロックの数および位置、種々、変更することで行なった。
金属ブロックの数／配置位置と、基板１２の形成終了温度との関係は、予め、実験およびシミュレーションによって、調べておいた。 The temperature at which the formation of the substrate 12 was completed was controlled by fixing a metal block for heat dissipation on the upper surface of the metal plate 38 and changing the number and position of the metal blocks in various ways.
The relationship between the number / arrangement position of the metal blocks and the formation end temperature of the substrate 12 was previously examined by experiments and simulations.

このようにして作製した各変換パネル１０について、蛍光体層１８の性能（剥離、クラック、および感度）を調べた。
［剥離］
得られた各変換パネルについて、テープ引っ張り法によって、蛍光体層１８の剥離を調べた。
蛍光体層１８の柱状性が良好で剥離が確認できないものを◎；
蛍光体層１８の一部に柱の融着が確認できるが、剥離は剥離が確認できないものを○；
蛍光体層１８の柱の融着に起因する剥離が確認できるものを×； と評価した。
結果を下記表に併記する。 The performance (peeling, cracks, and sensitivity) of the phosphor layer 18 was examined for each conversion panel 10 thus produced.
[Peeling]
About each obtained conversion panel, peeling of the fluorescent substance layer 18 was investigated by the tape tension | pulling method.
Those in which the columnar property of the phosphor layer 18 is good and peeling cannot be confirmed;
Although the fusion of the column can be confirmed on a part of the phosphor layer 18, the peeling cannot be confirmed.
The thing which can confirm peeling resulting from melt | fusion of the pillar of the fluorescent substance layer 18 was evaluated as x;
The results are also shown in the table below.

［クラック］
得られた各変換パネルについて、目視概観検査によって、蛍光体層１８のクラックを調べた。
蛍光体層１８の柱状性が良好でクラックが確認できないものを◎；
母体層１４の一部に性状不良が認められるが、クラックは確認できないものを○；
蛍光体層１８の端部にクラックの発生が認められるが、画像領域外もしくは画像処理による修正が可能なものを△；
蛍光体層１８の画像処理による修復が不可能なクラックが発生しているものを×； と評価した。
結果を下記表に併記する。 [crack]
About each obtained conversion panel, the crack of the fluorescent substance layer 18 was investigated by visual overview inspection.
Those in which the columnarity of the phosphor layer 18 is good and cracks cannot be confirmed;
A defect is observed in a part of the base layer 14 but no crack can be confirmed.
The occurrence of cracks at the end of the phosphor layer 18 is recognized, but the one outside the image area or that can be corrected by image processing is Δ;
A case where cracks that cannot be repaired by image processing of the phosphor layer 18 occurred was evaluated as x;
The results are also shown in the table below.

［感度］
変換パネルを遮光性のカセッテに収容して、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を約１ｍＲ照射した。
Ｘ線照射後、暗室でカセッテから変換パネルを取り出し、半導体レーザ光（波長６６０ｎｍ：１０ｍＷ）を励起光として蛍光体層に照射し、蛍光体層が発する輝尽発光光を測定した。なお、輝尽発光光の測定は、励起光カットフィルタ（ＨＯＹＡ（株）製 Ｂ４１０）を通して励起光と輝尽発光光とを分離して、光電子増倍管を用いて行なった。
評価は、比較例２を基準として、
比較例２を超える感度（輝尽発光量）のものを○；
比較例２に対して相対感度が９０〜１００％ものを△；
比較例２に対して相対感度が９０％未満ものを×； と評価した。
なお、本例においては、比較例２に対する相対感度が９０％以上のものは、実用域であると言うことができる。
結果を下記表に併記する。 [sensitivity]
The conversion panel was housed in a light-shielding cassette and irradiated with about 1 mR of X-rays having a tube voltage of 80 kVp.
After X-ray irradiation, the conversion panel was taken out from the cassette in a dark room, and the phosphor layer was irradiated with semiconductor laser light (wavelength 660 nm: 10 mW) as excitation light, and the stimulated emission light emitted from the phosphor layer was measured. In addition, the measurement of stimulated emission light was performed using a photomultiplier tube after separating the excitation light and the stimulated emission light through an excitation light cut filter (B410 manufactured by HOYA Co., Ltd.).
Evaluation is based on Comparative Example 2,
○ with a sensitivity (stimulated luminescence) exceeding Comparative Example 2;
A relative sensitivity of 90% to 100% with respect to Comparative Example 2;
A sample having a relative sensitivity of less than 90% with respect to Comparative Example 2 was evaluated as x;
In addition, in this example, it can be said that a thing whose relative sensitivity with respect to the comparative example 2 is 90% or more is a practical range.
The results are also shown in the table below.

Figure 2010014469

上記表に示されるように、基板１２の形成開始度が低すぎる比較例１および２は、蛍光体層１８にクラックが発生し、また、形成開始温度が高すぎる比較例３および４、形成終了温度が高すぎる比較例５は、蛍光体層の剥離が生じている。さらに、形成終了温度が低すぎる比較例１は、感度も低い。
これに対し、形成開始温度および形成終了温度が、共に、所定領域に入っている実施例は、いずれも、剥離、クラック、および感度共に、良好な結果が得られている。特に、形成開始温度が１５５〜１７０℃、および、形成終了温度１９０〜２３０℃の範囲である実施例４および６は、剥離、クラック、および感度共に非常に優れた結果が得られている。 以上の結果より、本発明の効果は明らかである。
Figure 2010014469
As shown in the above table, in Comparative Examples 1 and 2 in which the formation start degree of the substrate 12 is too low, the phosphor layer 18 is cracked and the formation start temperature is too high, and Comparative Examples 3 and 4 are completed. In Comparative Example 5 where the temperature is too high, the phosphor layer is peeled off. Further, Comparative Example 1 in which the formation end temperature is too low has low sensitivity.
On the other hand, in each of the examples in which the formation start temperature and the formation end temperature are both in the predetermined region, good results are obtained in both peeling, cracking, and sensitivity. In particular, in Examples 4 and 6 in which the formation start temperature is in the range of 155 to 170 ° C. and the formation end temperature is 190 to 230 ° C., excellent results are obtained in terms of peeling, cracks, and sensitivity. From the above results, the effects of the present invention are clear.

本発明の放射線像変換パネルの製造方法で製造される放射線像変換パネルの一例の概念図である。It is a conceptual diagram of an example of the radiation image conversion panel manufactured with the manufacturing method of the radiation image conversion panel of this invention. 本発明の放射線像変換パネルの製造方法の一例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating an example of the manufacturing method of the radiation image conversion panel of this invention. （Ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法を実施する真空蒸着装置の一例の概念図、（Ｂ）は、この真空蒸着装置の基板ホルダの概念図である。(A) is a conceptual diagram of an example of the vacuum evaporation system which enforces the manufacturing method of the radiation image conversion panel of this invention, (B) is a conceptual diagram of the substrate holder of this vacuum evaporation system.

符号の説明Explanation of symbols

１０ （放射線像）変換パネル
１２ 基板
１４ 母体層
１８ 蛍光体層
２０ （真空）蒸着装置
２２ 真空チャンバ
２４ 真空排気手段
２６ 基板ホルダ
２８ 基板搬送機構
３０ 加熱蒸発部
３４ ホルダ本体
３６ 保持手段
３８ 金属プレート
４０ 熱伝導シート
４２ ネジ
４６ ナット
４８ ヒータ
５０ 送りネジ部材
５２ ガイド部材
５６ ガイドレール
５８ ネジ軸
６２，６４ ルツボ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 (Radiation image) conversion panel 12 Board | substrate 14 Base material layer 18 Phosphor layer 20 (Vacuum) Deposition apparatus 22 Vacuum chamber 24 Evacuation means 26 Substrate holder 28 Substrate conveyance mechanism 30 Heating evaporation part 34 Holder body 36 Holding means 38 Metal plate 40 Heat conduction sheet 42 Screw 46 Nut 48 Heater 50 Feed screw member 52 Guide member 56 Guide rail 58 Screw shaft 62, 64 Crucible

Claims (7)

気相堆積法によって蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造において、
前記蛍光体層の形成開始時における基板の温度を１５２〜１８９℃に制御し、前記蛍光体層の形成終了時における基板の温度を１９０〜２５０℃に制御することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。 In the production of a radiation image conversion panel that forms a phosphor layer by vapor deposition,
A radiation image conversion panel characterized in that the temperature of the substrate at the start of the formation of the phosphor layer is controlled to 152 to 189 ° C., and the temperature of the substrate at the end of the formation of the phosphor layer is controlled to 190 to 250 ° C. Manufacturing method. 前記蛍光体層が、輝尽性蛍光体からなる層である請求項１に記載の放射線像変換パネルの製造方法。   The method for producing a radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the phosphor layer is a layer made of a stimulable phosphor. 気相堆積法によって付活剤を含有しない母体層を形成し、この母体層の上に、前記蛍光体層を形成する請求項２に記載の放射線像変換パネルの製造方法。   The manufacturing method of the radiation image conversion panel of Claim 2 which forms the base material layer which does not contain an activator by a vapor deposition method, and forms the said fluorescent substance layer on this base material layer. 前記輝尽性蛍光体が、一般式ＣｓＢｒ：Ｅｕで示される輝尽性蛍光体である請求項２または３に記載の放射線像変換パネルの製造方法。   4. The method for producing a radiation image conversion panel according to claim 2, wherein the photostimulable phosphor is a photostimulable phosphor represented by a general formula CsBr: Eu. 前記蛍光体層が、放射線の入射によって可視光を発光する蛍光体からなるものである請求項１に記載の放射線像変換パネルの製造方法。   The method for manufacturing a radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the phosphor layer is made of a phosphor that emits visible light upon incidence of radiation. 前記蛍光体の母体がＣｓＩである請求項５に記載の放射線像変換パネルの製造方法。   The method for manufacturing a radiation image conversion panel according to claim 5, wherein a base material of the phosphor is CsI. 前記蛍光体が、付活剤として、Ｔｌ，Ｎａ，Ｅｕ，およびＴｂの少なくとも１つを含有する請求項６に記載の放射線像変換パネルの製造方法。   The method for producing a radiation image conversion panel according to claim 6, wherein the phosphor contains at least one of Tl, Na, Eu, and Tb as an activator.
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