JP2010009002A - 最小面積の液晶表示素子 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 64
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 20
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 13
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019923 CrOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133388—Constructional arrangements; Manufacturing methods with constructional differences between the display region and the peripheral region
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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Abstract
【解決手段】前記液晶表示素子は、複数のゲートライン及びデータラインにより定義され、複数の薄膜トランジスタを備えて画像を実現する表示領域と、反射層が備えられて入力される光を反射する反射モードで色を実現する第1領域、並びに入力される光を遮断して駆動回路パターン及び駆動回路を備える第2領域からなり、前記表示領域の外縁部に形成されて設定された輝度の色を実現する周縁領域と、前記周縁領域の外縁部に形成されて駆動回路を備える外郭領域とからなる。
【選択図】図3
Description
このような必要性から、最近は、ゲート駆動回路基板及びデータ駆動回路基板を1つに統合して液晶パネルの一面に実装するGIP(Gate In Panel)構造の液晶表示素子が提案されている。
図4に示すように、従来の液晶表示素子10は、実際に画像が実現される表示領域20と、表示領域20の外縁部に形成され、設定された輝度の色を表示して表示領域20の額縁効果を発揮する周縁領域30と、周縁領域30の外縁部に設置され、ゲート駆動回路及びデータ駆動回路などの駆動回路が形成されて表示領域20内に信号を印加する外郭領域40とからなる。
図1は、本発明による液晶表示素子の構造を示す平面図である。図1に示すように、本発明による液晶表示素子110は、実際に画像が実現される表示領域120と、表示領域120の外縁部に形成され、設定された輝度の色を画面の周縁部に表示して額縁効果を発揮する周縁領域130と、周縁領域130の外縁部に設置され、ゲート駆動回路及びデータ駆動回路などの駆動回路が形成されて表示領域120内に信号を印加する外郭領域140とからなる。
図3に示すように、本発明による液晶表示素子は、透明なガラスなどで形成された第1基板210及び第2基板250と、第1基板210と第2基板250との間に形成された液晶層270とからなる。ここで、前記液晶表示素子は、表示領域と周縁領域及び外郭領域とからなり、前記周縁領域は、第1領域及び第2領域とからなる。
前記周縁領域は、多様な形態の動画像が実現される領域でなく、設定された輝度の色を画面の周縁部に実現することにより、表示領域の表示品質を向上させる役割を果たす。実際に、周縁領域に実現される色の輝度は、前記表示領域に実現される画像の品質を向上させるために、前記表示領域の輝度より非常に低く実現される必要があるので、高くなくてもよい。従って、電力消費が多い透過モードではなく、反射モードで前記周縁領域の色を実現しても所望の輝度が得られる。
前述したように、前記周縁領域は、設定された輝度の色を実現するが、実際に画像が実現される画像表示領域である。しかしながら、前記周縁領域に実現される画像は、前記表示領域と前記外郭領域とを区分し、前記表示領域に表示される画像をより高品質に表示するためのものである。よって、前記周縁領域に表示される画像又は色の輝度が前記表示領域に表示される画像又は色の輝度より高い場合、前記周縁領域の画像が表示領域に実現される実際の画像の鑑賞の妨げとなる。従って、前記周縁領域に実現される画像は、低い輝度を有する必要があるため、前記周縁領域の第2領域にブラックマトリクス252を形成する。前記第2領域にブラックマトリクス252を形成することにより、外部から前記第2領域に入射する光の一部を遮断することができ、前記第1領域に入射して反射層234で反射する光のみが液晶層270を透過するので、輝度を低く形成することができる。
ここで、前記薄膜トランジスタは、非晶質半導体で形成することもでき、結晶質半導体で形成することもできるが、ゲート駆動回路262の薄膜トランジスタは非晶質半導体で形成し、データ駆動回路264の薄膜トランジスタは結晶質半導体で形成することが好ましい。
Claims (10)
- 複数のゲートライン及びデータラインにより定義される複数の画素、及び複数の薄膜トランジスタを備えて画像を実現する表示領域と、
反射層が備えられて入力される光を反射する反射モードで色を実現する第1領域、並びに入力される光を遮断して駆動回路パターン及び駆動回路を備える第2領域からなり、前記表示領域の外縁部に形成されて設定された輝度の色を実現する周縁領域と、
前記周縁領域の外縁部に形成されて駆動回路を備える外郭領域と
とから構成される液晶表示素子。 - 前記表示領域は、
第1基板及び第2基板と、
第1基板に形成されたゲート電極、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層、前記ゲート絶縁層上に形成された半導体層、前記半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極からなる薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタが形成された第1基板の全体に形成された第1保護膜と、
前記第1保護膜に形成されて薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続される画素電極と、
第2基板に形成されたブラックマトリクス及びカラーフィルタ層と、
前記第1基板と第2基板間に形成された液晶層とからなることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。 - 前記第1保護膜は、無機物質又は有機物質で形成されることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示素子。
- 前記周縁領域は、
第1基板の第2領域に形成された駆動回路パターンと、
第1基板の第1領域及び第2領域に形成された第1保護膜と、
第1領域の第1保護膜に形成された第2保護膜と、
前記第2保護膜に形成された反射層と、
前記反射層に形成された画素電極と、
第2領域の第1保護膜に形成されて前記駆動回路パターンと電気的に接続される接続パターンと、
第2基板に形成されたカラーフィルタ及び前記第2基板の第2領域に形成されたブラックマトリクスと、
前記第1基板と第2基板間に形成された液晶層とからなることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。 - 前記画素電極及び前記接続パターンは、同時に形成されることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示素子。
- 前記駆動回路パターンは、ゲートパターン及びデータパターンの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項4に記載の液晶表示素子。
- 前記周縁領域は、前記第2領域に形成された駆動回路をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の液晶表示素子。
- 前記第2保護膜は、有機物質で形成されることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示素子。
- 前記外郭領域は、第1基板に形成された駆動回路を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。
- 前記駆動回路は、ゲート駆動回路及びデータ駆動回路の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項9に記載の液晶表示素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080060427A KR101386577B1 (ko) | 2008-06-25 | 2008-06-25 | 면적이 최소화된 액정표시소자 |
KR10-2008-0060427 | 2008-06-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010009002A true JP2010009002A (ja) | 2010-01-14 |
JP5627179B2 JP5627179B2 (ja) | 2014-11-19 |
Family
ID=41446966
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008333285A Active JP5627179B2 (ja) | 2008-06-25 | 2008-12-26 | 最小面積の液晶表示素子 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7973888B2 (ja) |
JP (1) | JP5627179B2 (ja) |
KR (1) | KR101386577B1 (ja) |
CN (1) | CN101614892B (ja) |
TW (1) | TWI414850B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI491303B (zh) * | 2009-06-29 | 2015-07-01 | 群創光電股份有限公司 | 影像顯示系統 |
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-
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- 2008-06-25 KR KR1020080060427A patent/KR101386577B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-15 TW TW097148766A patent/TWI414850B/zh active
- 2008-12-18 CN CN2008101837944A patent/CN101614892B/zh active Active
- 2008-12-26 JP JP2008333285A patent/JP5627179B2/ja active Active
- 2008-12-30 US US12/318,528 patent/US7973888B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20090322998A1 (en) | 2009-12-31 |
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KR20100000798A (ko) | 2010-01-06 |
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