JP2009545181A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 極紫外線（ＥＵＶ）源又はＸ線源と共に使用される反射光学システムであって、
   １つ又はそれよりも多くのミラーを含み、各ミラーは、前記放射線源を通って延びる光軸に関して対称であり、各ミラーは、少なくとも第１及び第２の反射面を有し、該放射線源からの放射線が、光路において該第１及び第２の反射面で連続かすめ入射反射を受け、
   前記少なくとも第１及び第２の反射面は、該第１及び第２の反射面での前記連続かすめ入射反射の入射角が、該反射面上に入射する全ての光線に対して実質的に等しくなるように形成される、ことを特徴とするシステム。
2. 各ミラーは、電気形成された一体型構成要素として形成され、前記第１及び第２の反射面の各々は、前記ミラーのそれぞれの隣接区画に設けられる、ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
3. 各ミラーに対して、前記第１の反射面は、前記放射線源に最も近く、前記第２の反射面からの放射線が、前記光軸上の前記像焦点に向けられ、前記第１及び第２の反射面は、該反射面での所定の反射点に対して、
   

   

   によって定められ、ここで、
   ρ₁は、前記放射線源から前記第１の反射面までの長さであり、
   ρ₂は、前記像焦点から前記第２の反射面までの長さであり、
   θ₁は、前記光軸と前記放射線源及び前記第１の反射面での第１の反射点を結ぶ線との間の角度であり、
   θ₂は、前記光軸と前記像焦点及び前記第２の反射面での第２の反射点を結ぶ線との間の角度であり、
   ２ｃは、前記放射線源から前記像焦点までの前記光軸に沿った長さであり、
   ２ａは、前記光路の一定長さであり、かつ
   ｋは、定数である、
   ことを特徴とする請求項１記載のシステム。
4. 前記ａ、ｋは、
   

   

   であり、ここで、下付き文字_「R」は、前記第１及び第２の反射面の交点Ｒに対する値を表す、ことを特徴とする請求項３に記載のシステム。
5. １又はそれよりも多くのミラーが、入れ子式構成で設けられた複数のミラーであることを特徴とする請求項１記載のシステム。
6. 極紫外線（ＥＵＶ）源を使用したＥＵＶリソグラフィのための集光光学システムであって、
   １つ又はそれよりも多くのミラーを含み、各ミラーは、前記放射線源を通って延びる光軸に関して対称であり、各ミラーは、少なくとも第１及び第２の反射面を有し、該放射線源からの放射線が、光路において該第１及び第２の反射面で連続かすめ入射反射を受け、
   前記少なくとも第１及び第２の反射面は、該第１及び第２の反射面での前記連続かすめ入射反射の入射角が、該反射面上に入射する全ての光線に対して実質的に等しくなるように形成される、ことを特徴とするシステム。
7. 集光光学システムは像焦点を有し、さらに、像焦点に配置された撮像デバイスを有する請求項６記載の集光光学システム。
8. さらに、ＥＵＶ源をレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源として有する請求項６記載の集光光学システム。
9. 極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィシステムであって、
   ＥＵＶ線を放射するＥＵＶ線源と、
   ＥＵＶ線を集光するように配置され、集光された放射線を形成する集光光学システムと、を備え、集光光学システムは、１つ又はそれよりも多くのミラーを含み、各ミラーは、前記放射線源を通って延びる光軸に関して対称であり、各ミラーは、少なくとも第１及び第２の反射面を有し、該放射線源からの放射線が、光路において該第１及び第２の反射面で連続かすめ入射反射を受け、
   前記少なくとも第１及び第２の反射面は、該第１及び第２の反射面での前記連続かすめ入射反射の入射角が、該反射面上に入射する全ての光線に対して実質的に等しくなるように形成され、
   さらに、集光光学システムからの集光された放射線を受け、これにより集めた放射線（condensed radiation）を形成しする光学コンデンサと、
   光学コンデンサからの集めた放射線を受けるために配置された反射マスクと、
   を備えたことを特徴とするシステム。
10. ＥＵＶ源がレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）である請求項９記載のＥＵＶリソグラフィシステム。