JP2009539109A - 次数選択されたオーバレイ測定 - Google Patents
次数選択されたオーバレイ測定 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009539109A JP2009539109A JP2009513282A JP2009513282A JP2009539109A JP 2009539109 A JP2009539109 A JP 2009539109A JP 2009513282 A JP2009513282 A JP 2009513282A JP 2009513282 A JP2009513282 A JP 2009513282A JP 2009539109 A JP2009539109 A JP 2009539109A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- diffraction orders
- grating
- image
- semiconductor target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 109
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 38
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 34
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 13
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 10
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】一般に、次数選択された画像化および/または照射が実行され、測定システムを用いてターゲットから画像を収集する。一実施において、調節可能な空間変調は本システムの画像化経路のみに提供される。他の実施において、その空間変調は本システムの照射経路および画像化経路の両方に提供される。特定の実施において、その空間変調は±nの回折次数を有する、隣接するグレーティングを画像化するために用いられる。隣接するグレーティングは半導体ウエハの異なる層または同一の層内であってよい。構造物間のオーバレイは通常、グレーティングの対称中心間の距離を測定することによって見出される。この実施形態の場合、n(nはゼロではない整数)の所定の選択に対して±nの次数のみが選択され、グレーティングはこれらの回折次数を用いてのみ画像化される。
【選択図】図1
Description
OVLerror=ΔX/G=ΔX*(P1−P2)/P1
ここで、
OVLerror=2つの層間のミスアライメントの量
ΔX=対称中心間の距離
P1=第1のピッチの値
P2=第2のピッチの値
G=図2のターゲットの各々におけるp/Δp
である。
Claims (26)
- 半導体ターゲットの特性を測定するための光学装置であって、
照射線を生成し、照射経路を介して半導体ターゲットに対して前記照射線を向けるための照射システムと、
前記照射線に応じて、前記半導体ターゲットから散乱した光を方向付けるための画像化システムと
を備え、前記画像化システムは、
散乱した光から画像を形成するための画像センサと、
画像化経路を介して、散乱した光を前記センサに向けるように構成された1つ以上の光学部品と、
前記散乱した光の特定の回折次数を前記画像センサに選択的に向け、他方で、前記散乱した光のうちの、選択された他の回折次数を遮断して前記画像センサに到達しないようにするための調節可能な空間変調装置と
を備える、光学装置。 - 前記調節可能な空間変調装置は、前記画像化経路の瞳と実質的に共役する平面に配置される、請求項1に記載の光学装置。
- 前記画像化システムは、前記散乱した光を受けて、前記画像化経路の瞳と実質的に共役する前記平面を形成するためのリレー光学系をさらに備える、請求項2に記載の光学装置。
- 前記半導体ターゲットは1つ以上のグレーティング構造から形成され、前記調節可能な空間変調装置は、一つ以上の±n(nはゼロではない整数である)の対の次数のみを前記センサに対して選択的に向けるように構成可能である、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の光学装置。
- 前記半導体ターゲットは1つ以上のグレーティング構造から形成され、前記調節可能な空間変調装置は、±1の回折次数のみを前記センサに選択的に向けるように構成可能である、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の光学装置。
- 前記照射システムは、1つ以上の前記照射線を、特定の照射角度および開口数で前記半導体ターゲットに選択的に向けるための第2の調節可能な空間変調装置を含み、前記第2の調節可能な空間変調装置は、前記照射経路の前記瞳と実質的に共役する平面に配置される、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の光学装置。
- 前記照射システムは、前記半導体ターゲットに対して実質的に垂直で、且つ様々な開口数で、照射線を前記半導体ターゲットに選択的に向けるための第2の調節可能な空間変調装置を含み、前記第2の調節可能な空間変調装置は、前記照射経路の前記瞳と実質的に共役する平面に配置される、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の光学装置。
- 前記調節可能な空間変調装置は、交換可能な機械的開口部、空間光変調器(SLM)、または回折光学素子(DOE)の1つ以上を備える、請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の光学装置。
- 前記画像化経路の前記瞳は手の届かない位置にあり、前記調節可能な空間変調装置は、前記画像化経路の前記瞳に対して最も接近した、手の届く位置の平面に配置される、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の光学装置。
- 半導体ターゲットを画像化するために用いる回折次数のセットを判定する工程と、
測定ツールを、前記判定された回折次数のセットを用いて前記ターゲットを画像化するように構成する工程と、
前記判定された回折次数のセットから形成される前記ターゲットの画像を収集する工程と、
前記収集された画像に基づいてオーバレイエラーを判定および記憶する工程と
を含む、半導体ターゲットの特性を測定する方法。 - 前記半導体ターゲットは、各々が異なる層において、または異なる処理によって形成され、隣接するグレーティング間のアライメントエラーを判定するために構成された、隣接するグレーティングから形成され、前記判定された対の回折次数は±n(nは前記収集された画像のコントラストを最大にするために、ゼロではない整数である)の回折次数のみを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記半導体ターゲットは、各々が異なる層において、または異なる処理によって形成され、隣接するグレーティング間のアライメントエラーを判定するために構成された、隣接するグレーティングから形成され、前記判定された対の回折次数は、前記収集された画像のコントラストを最大にするために±1の回折次数のみを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記半導体ターゲットは、異なる層において形成されている、下側のグレーティングに重なる上側のグレーティングから形成され、上側および下側のグレーティング間のオーバレイエラーを判定するように構成されており、散乱した光は前記グレーティングの細かいピッチおよびモアレ効果によって生成された粗いピッチに関連する特性を有し、前記半導体ターゲットは前記粗いピッチの±n(nはゼロではない整数である)の回折次数のみを用いて画像化され、前記細かいピッチは分解されないままである、請求項10に記載の方法。
- 前記半導体ターゲットは、異なる層において形成されている、下側のグレーティングに重なる上側のグレーティングから形成され、上側および下側のグレーティング間のオーバレイエラーを判定するように構成されており、散乱した光は前記グレーティングの細かいピッチおよびモアレ効果によって生成された粗いピッチに関連する特性を有し、前記半導体ターゲットは前記細かいピッチの±n(nはゼロではない整数である)の回折次数のみを用い、且つ前記粗いピッチの多くの次数(ゼロの次数を含む)を用いて、画像化される、請求項10に記載の方法。
- 前記半導体ターゲットは、異なる層において形成されている、下側のグレーティングに重なる上側のグレーティングから形成され、上側および下側のグレーティング間のオーバレイエラーを判定するように構成されており、散乱した光は前記グレーティングの細かいピッチおよびモアレ効果によって生成された粗いピッチに関連する特性を有し、前記半導体ターゲットは前記細かいピッチの±n(nはゼロではない整数である)の回折次数のみを用い、且つ前記粗いピッチの±m(mはゼロではない整数である)の回折次数のみを用いて、画像化される、請求項10に記載の方法。
- 前記半導体ターゲットは、第1の特性を有する第1のセットのグレーティングおよび前記第1の特性とは異なる第2の特性を有する第2のセットのグレーティングから形成される、請求項10から請求項15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1の特性および前記第2の特性は第1のピッチの値および第2のピッチの値に対応する、請求項16に記載の方法。
- 前記第1の特性および前記第2の特性は第1の回転角度および第2の回転角度に対応する、請求項16に記載の方法。
- グレーティングの前記第1のセットのターゲットの対称中心が、グレーティングの前記第2のセットのターゲットの対称中心と実質的に同じ整列配置された配置である場合、オーバレイエラーは存在しないと判定される、請求項16に記載の方法。
- mはnとは異なる、請求項15に記載の方法。
- mがnと等しい、請求項15に記載の方法。
- コンピュータ可読媒体に記憶されたコンピュータプログラム命令を有する、少なくとも1つのコンピュータ可読記憶媒体であって、前記命令は、
半導体ターゲットを画像化するために用いる回折次数のセットを判定する工程と、
測定ツールを、前記判定された回折次数のセットを用いて前記ターゲットを画像化するように構成する工程と、
前記判定された回折次数のセットから形成される前記ターゲットの画像を収集する工程と、
前記収集された画像に基づいてオーバレイエラーを判定および記憶する工程と
を実行するように構成されている、コンピュータ可読記憶媒体。 - 前記半導体ターゲットは、第1の特性を有する第1のセットのグレーティングおよび前記第1の特性とは異なる第2の特性を有する第2のセットのグレーティングから形成される、請求項22に記載の少なくとも1つのコンピュータ可読記憶媒体。
- 前記第1の特性および前記第2の特性は第1のピッチの値および第2のピッチの値に対応する、請求項22に記載の少なくとも1つのコンピュータ可読記憶媒体。
- 前記第1の特性および前記第2の特性は第1の回転角度および第2の回転角度に対応する、請求項22に記載の少なくとも1つのコンピュータ可読記憶媒体。
- 前記ターゲットの対称中心は前記ターゲットの幾何学的中心と等しい場合、オーバレイエラーが存在しないと判定される、請求項22に記載の少なくとも1つのコンピュータ可読記憶媒体。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US81056006P | 2006-06-01 | 2006-06-01 | |
US60/810,560 | 2006-06-01 | ||
US89763707P | 2007-01-26 | 2007-01-26 | |
US60/897,637 | 2007-01-26 | ||
US11/754,892 US7528941B2 (en) | 2006-06-01 | 2007-05-29 | Order selected overlay metrology |
US11/754,892 | 2007-05-29 | ||
PCT/US2007/012875 WO2007143056A2 (en) | 2006-06-01 | 2007-05-31 | Order selected overlay metrology |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014110715A Division JP6073832B2 (ja) | 2006-06-01 | 2014-05-29 | 次数選択されたオーバレイ測定 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009539109A true JP2009539109A (ja) | 2009-11-12 |
JP2009539109A5 JP2009539109A5 (ja) | 2013-03-28 |
JP5554563B2 JP5554563B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=38789680
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009513282A Active JP5554563B2 (ja) | 2006-06-01 | 2007-05-31 | 次数選択されたオーバレイ測定 |
JP2014110715A Active JP6073832B2 (ja) | 2006-06-01 | 2014-05-29 | 次数選択されたオーバレイ測定 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014110715A Active JP6073832B2 (ja) | 2006-06-01 | 2014-05-29 | 次数選択されたオーバレイ測定 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7528941B2 (ja) |
JP (2) | JP5554563B2 (ja) |
WO (1) | WO2007143056A2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012514871A (ja) * | 2009-01-08 | 2012-06-28 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 光散乱計測ターゲット設計の最適化 |
KR20150024425A (ko) * | 2012-06-26 | 2015-03-06 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 디바이스형 산란측정 오버레이 타겟 |
KR20160027017A (ko) * | 2013-06-27 | 2016-03-09 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 계측 타겟의 편광 측정 및 대응 타겟 설계 |
JP2017058225A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 株式会社東芝 | 欠陥検出装置、欠陥検出方法およびプログラム |
JP2017207506A (ja) * | 2009-09-03 | 2017-11-24 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation | 計測システムおよび計測方法 |
KR20170141312A (ko) * | 2016-06-14 | 2017-12-26 | 삼성전자주식회사 | 회절 기반 오버레이 마크 및 오버레이 계측방법 |
KR20190009228A (ko) * | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 삼성전자주식회사 | 촬상 장치 및 촬상 방법 |
JP2021128170A (ja) * | 2015-05-19 | 2021-09-02 | ケーエルエー コーポレイション | イメージング計量ターゲットおよび計量方法 |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
US8004679B2 (en) * | 2008-05-09 | 2011-08-23 | Kla-Tencor Corporation | Target design and methods for scatterometry overlay determination |
CN102498441B (zh) * | 2009-07-31 | 2015-09-16 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备、光刻***以及光刻处理单元 |
NL2007425A (en) | 2010-11-12 | 2012-05-15 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, and device manufacturing method. |
US9140998B2 (en) | 2010-11-12 | 2015-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
KR101976152B1 (ko) | 2011-02-10 | 2019-05-09 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 오버레이 계측의 콘트라스트 증강을 위한 구조화 조명 |
WO2014004555A1 (en) | 2012-06-26 | 2014-01-03 | Kla-Tencor Corporation | Near field metrology |
US9243886B1 (en) | 2012-06-26 | 2016-01-26 | Kla-Tencor Corporation | Optical metrology of periodic targets in presence of multiple diffraction orders |
JP6353831B2 (ja) | 2012-06-26 | 2018-07-04 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去 |
US9714827B2 (en) * | 2012-07-05 | 2017-07-25 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, lithographic system, device manufacturing method and substrate |
TWI598972B (zh) | 2012-11-09 | 2017-09-11 | 克萊譚克公司 | 減少散射量測疊對量測技術中演算法之不準確 |
US9182219B1 (en) * | 2013-01-21 | 2015-11-10 | Kla-Tencor Corporation | Overlay measurement based on moire effect between structured illumination and overlay target |
US9291554B2 (en) | 2013-02-05 | 2016-03-22 | Kla-Tencor Corporation | Method of electromagnetic modeling of finite structures and finite illumination for metrology and inspection |
US9257351B2 (en) | 2013-08-15 | 2016-02-09 | Globalfoundries Inc. | Metrology marks for bidirectional grating superposition patterning processes |
US9059102B2 (en) | 2013-08-15 | 2015-06-16 | International Business Machines Corporation | Metrology marks for unidirectional grating superposition patterning processes |
WO2015031337A1 (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | Kla-Tencor Corporation | Removing process-variation-related inaccuracies from scatterometry measurements |
US9958791B2 (en) * | 2013-10-30 | 2018-05-01 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus and methods, substrates having metrology targets, lithographic system and device manufacturing method |
US9490182B2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-11-08 | Kla-Tencor Corporation | Measurement of multiple patterning parameters |
US9784690B2 (en) | 2014-05-12 | 2017-10-10 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus, techniques, and target designs for measuring semiconductor parameters |
NL2015160A (en) | 2014-07-28 | 2016-07-07 | Asml Netherlands Bv | Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method. |
WO2016045945A1 (en) | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus and device manufacturing method |
CN112698551B (zh) | 2014-11-25 | 2024-04-23 | 科磊股份有限公司 | 分析及利用景观 |
DE102015221773A1 (de) * | 2015-11-05 | 2017-05-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers |
NL2017766A (en) | 2015-12-09 | 2017-06-14 | Asml Holding Nv | A flexible illuminator |
US9846128B2 (en) * | 2016-01-19 | 2017-12-19 | Applied Materials Israel Ltd. | Inspection system and a method for evaluating an exit pupil of an inspection system |
KR102169436B1 (ko) | 2016-03-07 | 2020-10-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 조명 시스템 및 계측 시스템 |
JP7179742B2 (ja) * | 2017-02-10 | 2022-11-29 | ケーエルエー コーポレイション | 散乱計測オーバーレイターゲット及び方法 |
US10429315B2 (en) * | 2017-07-18 | 2019-10-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Imaging apparatus and imaging method |
US10705435B2 (en) | 2018-01-12 | 2020-07-07 | Globalfoundries Inc. | Self-referencing and self-calibrating interference pattern overlay measurement |
WO2020046408A1 (en) | 2018-08-28 | 2020-03-05 | Kla-Tencor Corporation | Off-axis illumination overlay measurement using two-diffracted orders imaging |
US10996570B2 (en) * | 2018-10-08 | 2021-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method, patterning device, apparatus and computer program |
US11256177B2 (en) | 2019-09-11 | 2022-02-22 | Kla Corporation | Imaging overlay targets using Moiré elements and rotational symmetry arrangements |
US11346657B2 (en) * | 2020-05-22 | 2022-05-31 | Kla Corporation | Measurement modes for overlay |
US11686576B2 (en) | 2020-06-04 | 2023-06-27 | Kla Corporation | Metrology target for one-dimensional measurement of periodic misregistration |
US11164307B1 (en) * | 2020-07-21 | 2021-11-02 | Kla Corporation | Misregistration metrology by using fringe Moiré and optical Moiré effects |
JP2023043534A (ja) * | 2021-09-16 | 2023-03-29 | キオクシア株式会社 | 測定方法、測定装置、及びマーク |
US11841621B2 (en) * | 2021-10-29 | 2023-12-12 | KLA Corporation CA | Moiré scatterometry overlay |
US11796925B2 (en) | 2022-01-03 | 2023-10-24 | Kla Corporation | Scanning overlay metrology using overlay targets having multiple spatial frequencies |
US20240167813A1 (en) * | 2022-11-23 | 2024-05-23 | Kla Corporation | System and method for suppression of tool induced shift in scanning overlay metrology |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07167614A (ja) * | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Hitachi Ltd | アライメント方法及び装置 |
JPH08327318A (ja) * | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Nikon Corp | 位置検出装置 |
JPH09280815A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-31 | Canon Inc | 位置計測方法及び位置計測装置 |
JP2004117030A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Canon Inc | 位置検出方法 |
JP2004146670A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Riipuru:Kk | マスクのパターン位置の誤差測定方法及びこれに使用される露光装置 |
JP2005003689A (ja) * | 1994-10-07 | 2005-01-06 | Renesas Technology Corp | 被検査対象物上のパターンの欠陥検査方法及びその装置 |
JP2005083800A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
US20050195398A1 (en) * | 2002-12-05 | 2005-09-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Continuously varying offset mark and methods of determining overlay |
JP2006053056A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Nikon Corp | 位置計測方法、位置計測装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2006071353A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 顕微鏡装置、外観検査装置、半導体外観検査装置及び顕微鏡装置における試料照明方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7317531B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
US7068833B1 (en) * | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
US20030002043A1 (en) * | 2001-04-10 | 2003-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Periodic patterns and technique to control misalignment |
US7804994B2 (en) * | 2002-02-15 | 2010-09-28 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Overlay metrology and control method |
-
2007
- 2007-05-29 US US11/754,892 patent/US7528941B2/en active Active
- 2007-05-31 WO PCT/US2007/012875 patent/WO2007143056A2/en active Application Filing
- 2007-05-31 JP JP2009513282A patent/JP5554563B2/ja active Active
-
2014
- 2014-05-29 JP JP2014110715A patent/JP6073832B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07167614A (ja) * | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Hitachi Ltd | アライメント方法及び装置 |
JP2005003689A (ja) * | 1994-10-07 | 2005-01-06 | Renesas Technology Corp | 被検査対象物上のパターンの欠陥検査方法及びその装置 |
JPH08327318A (ja) * | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Nikon Corp | 位置検出装置 |
JPH09280815A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-31 | Canon Inc | 位置計測方法及び位置計測装置 |
JP2004117030A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Canon Inc | 位置検出方法 |
JP2004146670A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Riipuru:Kk | マスクのパターン位置の誤差測定方法及びこれに使用される露光装置 |
US20050195398A1 (en) * | 2002-12-05 | 2005-09-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Continuously varying offset mark and methods of determining overlay |
JP2005083800A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JP2006053056A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Nikon Corp | 位置計測方法、位置計測装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2006071353A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 顕微鏡装置、外観検査装置、半導体外観検査装置及び顕微鏡装置における試料照明方法 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015039021A (ja) * | 2009-01-08 | 2015-02-26 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation | 光散乱計測ターゲット設計の最適化 |
JP2012514871A (ja) * | 2009-01-08 | 2012-06-28 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 光散乱計測ターゲット設計の最適化 |
JP2017207506A (ja) * | 2009-09-03 | 2017-11-24 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation | 計測システムおよび計測方法 |
KR20150024425A (ko) * | 2012-06-26 | 2015-03-06 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 디바이스형 산란측정 오버레이 타겟 |
KR102114512B1 (ko) * | 2012-06-26 | 2020-05-25 | 케이엘에이 코포레이션 | 디바이스형 산란측정 오버레이 타겟 |
KR20160027017A (ko) * | 2013-06-27 | 2016-03-09 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 계측 타겟의 편광 측정 및 대응 타겟 설계 |
KR102333504B1 (ko) | 2013-06-27 | 2021-12-01 | 케이엘에이 코포레이션 | 계측 타겟의 편광 측정 및 대응 타겟 설계 |
CN111043958B (zh) * | 2013-06-27 | 2021-11-16 | 科磊股份有限公司 | 计量学目标的极化测量及对应的目标设计 |
JP2016524155A (ja) * | 2013-06-27 | 2016-08-12 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 計測標的の偏光測定及び対応する標的設計 |
US10458777B2 (en) | 2013-06-27 | 2019-10-29 | Kla-Tencor Corporation | Polarization measurements of metrology targets and corresponding target designs |
CN111043958A (zh) * | 2013-06-27 | 2020-04-21 | 科磊股份有限公司 | 计量学目标的极化测量及对应的目标设计 |
US11060845B2 (en) | 2013-06-27 | 2021-07-13 | Kla Corporation | Polarization measurements of metrology targets and corresponding target designs |
KR102252341B1 (ko) * | 2013-06-27 | 2021-05-18 | 케이엘에이 코포레이션 | 계측 타겟의 편광 측정 및 대응 타겟 설계 |
KR20210057833A (ko) * | 2013-06-27 | 2021-05-21 | 케이엘에이 코포레이션 | 계측 타겟의 편광 측정 및 대응 타겟 설계 |
JP2021128170A (ja) * | 2015-05-19 | 2021-09-02 | ケーエルエー コーポレイション | イメージング計量ターゲットおよび計量方法 |
JP7250064B2 (ja) | 2015-05-19 | 2023-03-31 | ケーエルエー コーポレイション | イメージング計量ターゲットおよび計量方法 |
JP2017058225A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 株式会社東芝 | 欠陥検出装置、欠陥検出方法およびプログラム |
KR20170141312A (ko) * | 2016-06-14 | 2017-12-26 | 삼성전자주식회사 | 회절 기반 오버레이 마크 및 오버레이 계측방법 |
KR102640173B1 (ko) | 2016-06-14 | 2024-02-26 | 삼성전자주식회사 | 회절 기반 오버레이 마크 및 오버레이 계측방법 |
KR20190009228A (ko) * | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 삼성전자주식회사 | 촬상 장치 및 촬상 방법 |
KR102330722B1 (ko) * | 2017-07-18 | 2021-11-26 | 삼성전자주식회사 | 촬상 장치 및 촬상 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007143056A3 (en) | 2008-11-13 |
US20070279630A1 (en) | 2007-12-06 |
WO2007143056A2 (en) | 2007-12-13 |
US7528941B2 (en) | 2009-05-05 |
JP5554563B2 (ja) | 2014-07-23 |
JP6073832B2 (ja) | 2017-02-01 |
JP2014160874A (ja) | 2014-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6073832B2 (ja) | 次数選択されたオーバレイ測定 | |
KR102571918B1 (ko) | 위치 계측을 위한 계측 센서 | |
CN113204173B (zh) | 检查设备、检查方法和制造方法 | |
JP4660533B2 (ja) | スキャトロメータ、及びフォーカス分析方法 | |
JP5280555B2 (ja) | 検査装置および方法、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セル、およびデバイス製造方法 | |
US6242754B1 (en) | Method of detecting position of mark on substrate, position detection apparatus using this method, and exposure apparatus using this position detection apparatus | |
TWI551957B (zh) | 檢查方法和裝置,微影裝置,微影製程單元及器件製造方法 | |
TWI461857B (zh) | 用於角度解析分光鏡微影特性描述之方法及裝置 | |
JP4898869B2 (ja) | 角度分解した分光リソグラフィの特徴付けの方法および装置 | |
JP6120967B2 (ja) | 微細構造の非対称性を測定する方法及び装置、位置測定方法、位置測定装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
KR102221714B1 (ko) | 리소그래피 공정에 의해 기판 상에 형성된 구조체를 측정하는 메트롤로지 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 공정에 의해 기판 상에 형성된 구조체를 측정하는 방법 | |
TW201823713A (zh) | 用於檢測裝置之照明源、檢測裝置及檢測方法 | |
US9760020B2 (en) | In-situ metrology | |
JP5091597B2 (ja) | 検査装置、像投影装置、および基板特性測定方法 | |
KR102170147B1 (ko) | 모듈레이션 기술을 이용한 메트롤로지를 위한 대체 타겟 디자인 | |
JP6486917B2 (ja) | スキャトロメトリ測定のための照明配置 | |
TW201732266A (zh) | 聚焦控制配置及方法 | |
TWI736089B (zh) | 位置度量衡裝置及相關聯光學元件 | |
JP2016523387A (ja) | 検査装置及び方法、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セル並びにデバイス製造方法 | |
JP2020518848A (ja) | メトロロジパラメータ決定及びメトロロジレシピ選択 | |
KR102388682B1 (ko) | 계측 방법 및 디바이스 | |
TW201833683A (zh) | 度量衡裝置、微影系統及量測結構之方法 | |
TW201732265A (zh) | 對焦監測配置及包括此一配置之檢測設備 | |
JP2006269669A (ja) | 計測装置及び計測方法、露光装置並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100511 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120807 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120814 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20121108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130813 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131112 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140430 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140529 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5554563 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |