JP6353831B2 - 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去 - Google Patents
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims description 215
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 81
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 99
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 94
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 57
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 48
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims description 36
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 23
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 20
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 9
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims 8
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 65
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 39
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 27
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 24
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 14
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 10
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 7
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- 238000012549 training Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 5
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 5
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/06—Illumination; Optics
- G01N2201/061—Sources
- G01N2201/06113—Coherent sources; lasers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/10—Scanning
- G01N2201/104—Mechano-optical scan, i.e. object and beam moving
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
本出願は、参照によってその全体が本明細書に組み込まれる、2012年6月26日に出願された米国仮特許出願第61/664,477号、および2013年2月13日に出願された米国仮特許出願第61/764,435号の利益を主張する。
(1)少なくとも1つの測定パラメータの、計測システム内の少なくとも1つの開口部のサイズに対する機能的依存性を定量的に推定することと、
前記少なくとも1つの開口部の前記サイズに関連する、前記機能的依存性の少なくとも1つの回折成分を特定することと、
前記少なくとも1つの特定された回折成分から、前記少なくとも1つの測定パラメータのための、計測条件に対する補正項を導出することであって、前記計測条件が、前記少なくとも1つの測定パラメータ内の回折誤差を発生させる、前記少なくとも1つの開口部の指定のサイズを含む、導出することと、
前記回折誤差を、前記導出された補正項を前記少なくとも1つの測定パラメータに適用することによって計算的に相殺することと、を含み、
前記推定することと、前記特定することと、前記導出することと、および前記相殺することと、のうちの少なくとも1つが、少なくとも1つのコンピュータ処理装置によって行われる、方法。
(2)前記機能的依存性の前記定量的推定を行うために、複数の開口部サイズを選択することであって、前記開口部サイズが、前記特定および前記導出を可能にするような機能的依存性をもたらすために選択される、選択すること、をさらに含む、(1)に記載の方法。
(3)計測寸法を、前記導出された補正項に従って較正することをさらに含む、(1)に記載の方法。
(4)前記補正項を改良するために、前記較正を繰り返し行うことをさらに含む、(3)に記載の方法。
(5)二次補正項を、前記推定することおよび前記特定することを、前記相殺することの後に繰り返し行うことによって導出することをさらに含む、(1)に記載の方法。
(6)前記機能的依存性を前記推定することが、曲線適合によって行われ、前記特定が、曲線パラメータに対して行われる、(1)に記載の方法。
(7)前記少なくとも1つの測定パラメータが、少なくとも1つの計測結果を含む、(1)に記載の方法。
(8)前記少なくとも1つの計測結果が、重ね合わせ測定、臨界寸法測定、焦点測定、量測定、側−全角算出、および膜厚測定のうちの少なくとも1つを含む、(7)に記載の方法。
(9)前記補正項を、導出条件と計測条件との間の少なくとも1つの相違点に対して較正することをさらに含む、(1)に記載の方法。
(10)前記少なくとも1つの相違点が、波長、偏光、テストパターンに対するアライメント、および焦点のうちの少なくとも1つに関連する、(9)に記載の方法。
(11)前記較正することが、前記機能的依存性を前記少なくとも1つの相違点に関連するものとして表すこと、および前記少なくとも1つの相違点の値の範囲にさらに対する前記補正項を導出することによって行われる、(9)に記載の方法。
(12)前記推定することおよび前記特定することが、計測寸法工程内で統合される、(1)に記載の方法。
(13)前記推定することおよび前記特定することが、計測寸法工程より前に行われ、前記計測システムを較正するために使用される、(1)に記載の方法。
(14)計測システム内の少なくとも1つの開口部のサイズに関連する回折誤差を、補正項を少なくとも1つの測定パラメータに適用することによって計算的に相殺するように配置された計測システムであって、前記補正項が、前記少なくとも1つの測定パラメータの、前記少なくとも1つの開口部に対する機能的依存性を定量的に推定し、前記少なくとも1つの開口部の前記サイズに関連する前記機能的依存性の少なくとも1つの回折成分を特定することによって導出される、計測システム。
(15)前記機能的依存性の前記推定が、前記特定および前記導出を可能にするような機能的依存性をもたらす、選択された複数の開口部サイズに対して行われる、(14)に記載の計測システム。
(16)前記推定および前記特定を、オンザフライで行うように配置される制御装置をさらに備える、(14)に記載の計測システム。
(17)前記制御装置が、前記機能的依存性を、曲線適合によって推定し、前記少なくとも1つの回折成分を曲線パラメータに対して特定するように配置される、(16)に記載の計測システム。
(18)前記制御装置が、開口部サイズを、開口部サイズ決定装置によって制御するように配置される、(16)に記載の計測システム。
(19)前記機能的依存性の少なくとも1つの回折成分を前記特定することに従って較正される、(14)に記載の計測システム。
(20)前記計算的相殺を、二次補正項を導出し、前記少なくとも1つの測定パラメータをそれに従って調節するための、前記機能的依存性を使用することによって改良するようにさらに配置される、(14)に記載の計測システム。
(21)前記補正項を、導出条件と計測条件との間の少なくとも1つの相違点に対して較正するようにさらに配置され、前記少なくとも1つの相違点が、波長、偏光、テストパターンに対するアライメント、および焦点のうちの少なくとも1つに関連する、(14)に記載の計測システム。
(22)前記較正することを、前記機能的依存性を前記少なくとも1つの相違点に関連するものとして表すこと、および前記少なくとも1つの相違点の値の範囲にさらに対する前記補正項を導出することによって行うように配置される、(21)に記載の計測システム。
(23)それと共に実施されるコンピュータ可読プログラムを有するコンピュータ可読記憶媒体を備える、コンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータ可読プログラムが、
少なくとも1つの測定パラメータの、計測システム内の少なくとも1つの開口部のサイズに対する機能的依存性を定量的に推定するように構成されたコンピュータ可読プログラムと、
前記少なくとも1つの開口部の前記サイズに関連する、前記機能的依存性の少なくとも1つの回折成分を特定するように構成されたコンピュータ可読プログラムと、
前記少なくとも1つの特定された回折成分から、前記少なくとも1つの測定パラメータのための、計測条件に対する補正項を導出するように構成されたコンピュータ可読プログラムであって、前記計測条件が、前記少なくとも1つの測定パラメータ内の回折誤差を発生させる、前記少なくとも1つの開口部の指定のサイズを含む、コンピュータ可読プログラムと、
前記回折誤差を、前記導出された補正項を前記少なくとも1つの測定パラメータに適用することによって計算的に相殺するように構成されたコンピュータ可読プログラムと、を含む、コンピュータプログラム製品。
(24)前記機能的依存性を推定することが、曲線適合によって行われ、前記特定が、曲線パラメータに対して行われる、(23)に記載のコンピュータプログラム製品。
(25)前記計算的相殺を、二次補正項を導出し、前記少なくとも1つの測定パラメータをそれに従って調節するための、前記機能的依存性を使用することによって改良するように構成されたコンピュータ可読プログラムをさらに含む、(23)に記載のコンピュータプログラム製品。
(26)前記補正項を、導出条件と計測条件との間の少なくとも1つの相違点に対して較正するように構成されたコンピュータ可読プログラムをさらに含み、前記少なくとも1つの相違点が、波長、偏光、テストパターンに対するアライメント、および焦点のうちの少なくとも1つに関連し、前記コンピュータ可読プログラムが、前記較正することを、前記機能的依存性を前記少なくとも1つの相違点に関連するものとして表すこと、および前記少なくとも1つの相違点の値の範囲にさらに対する前記補正項を導出することによって行うようにさらに構成される、(23)に記載のコンピュータプログラム製品。
Claims (27)
- コヒーレント光源と、
集合瞳内の光分布の複数の実現をもたらすために、テストパターンを、前記光源からのコヒーレント光のスポットを使用して走査するように配置された光学系であって、前記スポットが前記テストパターンの一部を覆い、前記走査が走査パターンに従って行われる、光学系と、
集合瞳分布の合成画像を、前記集合瞳内の前記光分布の前記複数の実現を結合することによって発生させるように配置された処理ユニットと、
前記テストパターンの機械および光走査を調整するように配置された制御ユニットをさらに備え、
前記処理ユニットが、前記テストパターンの高ノイズ領域、または前記光走査内の高ノイズ領域を特定するようにさらに配置される、角度分解反射率計。 - 前記走査が、前記光学系の対物レンズおよび前記テストパターンを、相対的に移動させることによって機械的に行われる、請求項1に記載の角度分解反射率計。
- 前記走査が、前記光学系の対物レンズを前記テストパターンに対して移動させることによって行われる、請求項2に記載の角度分解反射率計。
- 前記走査が、前記テストパターンを前記光学系の対物レンズに対して移動させることによって行われる、請求項2に記載の角度分解反射率計。
- 前記走査が、光学的に行われる、請求項1に記載の角度分解反射率計。
- 前記光走査が、前記光学系内の可倒式ミラーによって行われる、請求項5に記載の角度分解反射率計。
- 前記走査が、前記テストパターン上の静止スポット位置からの前記集合瞳内の前記光分布の前記複数の実現をもたらすために、同期式機械および光走査によって行われ、
前記処理ユニットは、前記画像内のスペックルを低減する、請求項1に記載の角度分解反射率計。 - 前記走査が、制御可能に非同期式の機械および光走査によって行われ、前記処理ユニットは、前記画像内のスペックル及び前記テストパターンの欠陥によって導出される誤差を低減する、請求項1に記載の角度分解反射率計。
- 前記制御ユニットが、前記走査パターンを、前記光走査によって達成されるスペックル低減のレベルと前記機械走査によって消費される時間との均衡をとることによって決定するようにさらに配置される、請求項1に記載の角度分解反射率計。
- 前記機械走査および前記光走査が、前記制御ユニットによって制御される、それぞれの動的にプログラムされた走査成分によって行われる、請求項1に記載の角度分解反射率計。
- 前記制御ユニットが、前記特定された高ノイズ領域を前記走査パターンから除去するように配置される、請求項1に記載の角度分解反射率計。
- 前記制御ユニットが、前記特定された高ノイズ領域を前記光走査中に回避するように配置される、請求項1に記載の角度分解反射率計。
- 前記走査パターンが、指定の強度分布を示し、前記指定の強度分布は、対称および不均一である、請求項1に記載の角度分解反射率計。
- 前記処理ユニットが、前記合成画像の前記発生を、加重平均を前記集合瞳内の前記光分布の前記実現に適用することによって行うようにさらに配置され、前記加重が、前記走査パターンの前記指定の強度分布に従って決定される、請求項13に記載の角度分解反射率計。
- 前記処理ユニットが、前記加重を、少なくとも1つの計測基準に従って適合させるようにさらに配置される、請求項14に記載の角度分解反射率計。
- 前記制御ユニットが、特定のテストパターンまたは計測構成に対して、前記指定の強度分布を修正し、最適強度分布を特定するようにさらに配置される、請求項13に記載の角度分解反射率計。
- 集合瞳内の光分布の複数の実現をもたらすために、テストパターンを、コヒーレント光のスポットを使用して走査することであって、前記スポットが前記テストパターンの一部を覆い、前記走査が走査パターンに従って行われる、走査することと、
集合瞳分布の合成画像を、前記集合瞳内の前記光分布の前記複数の実現を結合することによって発生させることと、
前記テストパターンの機械および光走査を調整することと、
前記テストパターンの高ノイズ領域を特定し、または前記光走査内の高ノイズ領域を特定し、前記特定された高ノイズ領域を前記光走査パターンから除去することと、
を含む、角度分解反射率測定方法。 - 前記走査が、対物レンズおよび前記テストパターンを相対的に移動させることによって機械的に行われる、請求項17に記載の角度分解反射率測定方法。
- 前記走査が、ウエハーを前記テストパターンと共に移動させることによって行われる、請求項18に記載の角度分解反射率測定方法。
- 前記走査が、前記対物レンズを移動させることによって行われる、請求項18に記載の角度分解反射率測定方法。
- 前記走査が、光学的に行われる、請求項17に記載の角度分解反射率測定方法。
- 前記走査が、テストパターン上の静止スポット位置からの前記集合瞳内の前記光分布の前記複数の実現をもたらすための、同期式機械および光走査を含み、
前記方法が、前記画像内のスペックルを低減することをさらに含む、請求項17に記載の角度分解反射率測定方法。 - 前記走査が、制御可能に非同期式の機械および光走査を含み、前記方法が、前記画像内のスペックル及び前記テストパターンの欠陥によって導出される誤差を低減すること、をさらに含む、請求項17に記載の角度分解反射率測定方法。
- 前記走査パターンを、前記光走査によって達成されるスペックル低減のレベルと前記機械走査によって消費される時間との均衡をとることによって決定することをさらに含む、請求項17に記載の角度分解反射率測定方法。
- 前記機械走査および前記光走査を行う、動的にプログラムされた走査成分を制御することをさらに含む、請求項17に記載の角度分解反射率測定方法。
- 前記走査パターンが、指定の強度分布を示し、前記方法が、前記合成画像の前記発生を、加重平均を前記集合瞳内の前記光分布の前記実現に適用することによって行うことをさらに含み、前記加重が、前記走査パターンの前記指定の強度分布に従って決定される、請求項17に記載の角度分解反射率測定方法。
- 前記加重を、少なくとも1つの計測基準に従って適合させることをさらに含む、請求項26に記載の角度分解反射率測定方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261664477P | 2012-06-26 | 2012-06-26 | |
US61/664,477 | 2012-06-26 | ||
US201361764435P | 2013-02-13 | 2013-02-13 | |
US61/764,435 | 2013-02-13 | ||
PCT/US2013/047691 WO2014004564A1 (en) | 2012-06-26 | 2013-06-25 | Scanning in angle-resolved reflectometry and algorithmically eliminating diffraction from optical metrology |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018111107A Division JP6628835B2 (ja) | 2012-06-26 | 2018-06-11 | 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015524555A JP2015524555A (ja) | 2015-08-24 |
JP2015524555A5 JP2015524555A5 (ja) | 2016-08-04 |
JP6353831B2 true JP6353831B2 (ja) | 2018-07-04 |
Family
ID=49783807
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015520409A Active JP6353831B2 (ja) | 2012-06-26 | 2013-06-25 | 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去 |
JP2018111107A Active JP6628835B2 (ja) | 2012-06-26 | 2018-06-11 | 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去 |
JP2019219052A Active JP7046898B2 (ja) | 2012-06-26 | 2019-12-03 | 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018111107A Active JP6628835B2 (ja) | 2012-06-26 | 2018-06-11 | 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去 |
JP2019219052A Active JP7046898B2 (ja) | 2012-06-26 | 2019-12-03 | 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9958385B2 (ja) |
EP (1) | EP2865003A1 (ja) |
JP (3) | JP6353831B2 (ja) |
KR (3) | KR102231730B1 (ja) |
TW (2) | TWI629448B (ja) |
WO (1) | WO2014004564A1 (ja) |
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-
2013
- 2013-06-25 KR KR1020157002125A patent/KR102231730B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-25 JP JP2015520409A patent/JP6353831B2/ja active Active
- 2013-06-25 KR KR1020217019127A patent/KR102330741B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-25 EP EP13808673.1A patent/EP2865003A1/en not_active Withdrawn
- 2013-06-25 WO PCT/US2013/047691 patent/WO2014004564A1/en active Application Filing
- 2013-06-25 KR KR1020217007857A patent/KR102330743B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-26 TW TW102122770A patent/TWI629448B/zh active
- 2013-06-26 TW TW102122771A patent/TWI609169B/zh active
-
2014
- 2014-12-23 US US14/581,719 patent/US9958385B2/en active Active
-
2017
- 2017-12-13 US US15/841,219 patent/US10126238B2/en active Active
-
2018
- 2018-06-11 JP JP2018111107A patent/JP6628835B2/ja active Active
- 2018-11-12 US US16/188,218 patent/US10533940B2/en active Active
-
2019
- 2019-12-03 JP JP2019219052A patent/JP7046898B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201418661A (zh) | 2014-05-16 |
WO2014004564A1 (en) | 2014-01-03 |
US9958385B2 (en) | 2018-05-01 |
JP2020073888A (ja) | 2020-05-14 |
JP7046898B2 (ja) | 2022-04-04 |
KR20150036214A (ko) | 2015-04-07 |
US20150116717A1 (en) | 2015-04-30 |
JP6628835B2 (ja) | 2020-01-15 |
KR102330743B1 (ko) | 2021-11-23 |
KR102231730B1 (ko) | 2021-03-24 |
JP2018179998A (ja) | 2018-11-15 |
US10126238B2 (en) | 2018-11-13 |
TWI609169B (zh) | 2017-12-21 |
TW201408988A (zh) | 2014-03-01 |
US10533940B2 (en) | 2020-01-14 |
KR102330741B1 (ko) | 2021-11-23 |
JP2015524555A (ja) | 2015-08-24 |
KR20210080592A (ko) | 2021-06-30 |
KR20210033063A (ko) | 2021-03-25 |
US20180106723A1 (en) | 2018-04-19 |
EP2865003A1 (en) | 2015-04-29 |
TWI629448B (zh) | 2018-07-11 |
US20190094142A1 (en) | 2019-03-28 |
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