JP2009537966A - Chuck for reticles and other planar objects - Google Patents

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Abstract

【課題】チャック面に対するレチクルの滑りを低減する。
【解決手段】例えばマイクロリソグラフィで使用されるレチクル（２５）のような平面体を保持し移動させる装置が開示される。装置の一例はステージ（１２）とチャック本体を含む。ステージは、移動支持面を有する。第１メンブレン（１６ａ，１６ｂ）の基部近傍領域（１８ａ，１８ｂ）は、支持面（１７ａ，１７ｂ）に配置される。第１メンブレンの先端領域（２０ａ，２０ｂ）は、支持面から延び、第１メンブレンが少なくとも部分的にチャックを支持するようにチャック（２２ａ，２２ｂ）とつながる。チャックはそこから複数のピン（４４）が延びる面を含む。その面は先端領域に置かれる。ピンは平面体の領域と接触し平面体を支持するように配置される。支持面の移動に伴うチャックの移動中、該移動によって生じる、ピンに対する平面体の滑りが各ピンで実質的に同じとなるように、ピンの配置が定められる。
【選択図】図１The present invention reduces slippage of a reticle with respect to a chuck surface.
An apparatus for holding and moving a planar body, such as a reticle (25) used in microlithography, for example, is disclosed. An example of the apparatus includes a stage (12) and a chuck body. The stage has a moving support surface. The base vicinity region (18a, 18b) of the first membrane (16a, 16b) is disposed on the support surface (17a, 17b). The tip region (20a, 20b) of the first membrane extends from the support surface and is connected to the chuck (22a, 22b) so that the first membrane at least partially supports the chuck. The chuck includes a surface from which a plurality of pins (44) extend. The face is placed in the tip region. The pins are arranged to contact and support the planar body region. During the movement of the chuck accompanying the movement of the support surface, the arrangement of the pins is determined so that the sliding of the planar body with respect to the pins caused by the movement is substantially the same for each pin.
[Selection] Figure 1

Description

この開示は、特に、マイクロリソグラフィック・インプリンティングを含むプロセスによって製造可能な半導体マイクロデバイス、ディスプレイ、及び他の精密構造を有する製品の製造に用いられる主要なイメージング技術であるマイクロリソグラフィに関する。より具体的には、この開示は、レチクル及び他の平面体を保持する装置に関する。   This disclosure particularly relates to microlithography, the primary imaging technology used in the manufacture of semiconductor microdevices, displays, and other products with precision structures that can be manufactured by processes including microlithographic imprinting. More specifically, this disclosure relates to an apparatus for holding reticles and other planar bodies.

典型的な投影マイクロリソグラフィシステムにおいて、露光用感光基板の表面に投影されるパターンは、「マスク」とも呼ばれる「レチクル」によって規定される。マイクロリソグラフィシステムにおいて、レチクルは、リソグラフィック露光の間に、要求に応じて精密かつ高精細な移動が可能なステージに搭載される。レチクルステージ上に搭載されているレチクルは、光ビーム（例えば、遠紫外又は真空紫外光のビーム）によって照明される。レチクルからのビームは下流に伝わり、ビームは照明パターンの空間像を運ぶ。この下流のビームは、「パターンビーム」又は「像ビーム」と呼ばれ、要求に応じてパターンビームを条件付けかつ成形する投影光学系を通り、フォーカスされたパターンの像を露光用感光リソグラフィック基板（例えば、レジストが塗布された半導体ウエハ）の表面に形成する。露光のためには、基板もまた「基板ステージ」又は「ウエハステージ」と呼ばれる移動可能なステージに搭載される。   In a typical projection microlithography system, the pattern projected onto the surface of the photosensitive substrate for exposure is defined by a “reticle”, also called a “mask”. In a microlithography system, a reticle is mounted on a stage capable of precise and high-definition movement as required during lithographic exposure. The reticle mounted on the reticle stage is illuminated by a light beam (for example, a deep ultraviolet or vacuum ultraviolet light beam). The beam from the reticle travels downstream, and the beam carries an aerial image of the illumination pattern. This downstream beam is referred to as a “pattern beam” or “image beam” and passes through a projection optical system that conditions and shapes the pattern beam as required to transfer the focused pattern image to a photosensitive lithographic substrate for exposure ( For example, it is formed on the surface of a semiconductor wafer coated with a resist. For exposure, the substrate is also mounted on a movable stage called a “substrate stage” or “wafer stage”.

リソグラフィック露光の実行中にレチクル（一般には水平に）を保持するために、レチクルステージには、レチクルステージの移動面に配置される「レチクルチャック」が備えられる。レチクルチャックは、精巧なレチクルの損傷を避けながらのイメージングに好適な手法でレチクルを保持する。例えば、いくつかのレチクルチャックは、レチクルに対する真空力を使ってレチクルを保持する。他のレチクルチャックは、静電気又はローレンツ力を使ってレチクルを保持する。光ビームがレチクルを通過するマイクロリソグラフィシステムにおいて、レチクルチャックは通常、レチクルの周辺周りに（又は少なくとも２つの対向する側部に沿って）、レチクルを保持（チャック）するよう構成され、これにより、レチクルのパターン領域の支持を避けている。レチクルの質量によって、支持されていないレチクルの中央領域は、重力でたわむ傾向にある。たわみはレチクルを変形させ、何らかの手法において修正又は補償しなければ、マイクロリソグラフィシステムにおける結像性能の品質低下を招く可能性がある。   In order to hold the reticle (generally horizontally) during execution of lithographic exposure, the reticle stage is provided with a “reticle chuck” which is arranged on the moving surface of the reticle stage. The reticle chuck holds the reticle in a manner suitable for imaging while avoiding delicate reticle damage. For example, some reticle chucks use a vacuum force on the reticle to hold the reticle. Other reticle chucks hold the reticle using static or Lorentz forces. In microlithography systems where the light beam passes through the reticle, the reticle chuck is typically configured to hold (chuck) the reticle around the periphery of the reticle (or along at least two opposing sides), thereby Avoid supporting the pattern area of the reticle. Due to the mass of the reticle, the unsupported central area of the reticle tends to bend due to gravity. Deflections can lead to degradation of imaging performance in microlithography systems unless the reticle is deformed and corrected or compensated in some way.

マイクロリソグラフィシステムの性能に関して２つの重要な手段は、オーバーレイ及び結像の品質である。結像品質は解像度、正確性、鮮明性、コントラストなどの様々なパラメータを含む。「オーバーレイ」は、現在の像を結像目標位置に位置づける精密性及び正確性に関する。例えば、適切なオーバーレイは、基板上にすでに形成された下層構造に像が位置合わせされることを要求する。   Two important measures regarding the performance of microlithography systems are overlay and imaging quality. Imaging quality includes various parameters such as resolution, accuracy, sharpness, and contrast. “Overlay” relates to the precision and accuracy of positioning the current image at the imaging target position. For example, a suitable overlay requires that the image be aligned to an underlying structure already formed on the substrate.

チャックされたレチクルの変形は、オーバーレイ及び結像の品質に直接的な影響を及ぼす。レチクルのたわみが避けられないとき、理想的な変形は、走査軸（ｙ軸）に関して最大で２次（放物線状）である。下流の光学系（例えば、投影光学系）に対する適切な調整は、この種のレチクル変形を補償できるものの、通常はレチクルごとに変形が異なるので、異なるレチクルがチャックされる度に下流の光学系を調整するのは実用的でない。   Deformation of the chucked reticle has a direct impact on overlay and imaging quality. When reticle deflection is inevitable, the ideal deformation is at most quadratic (parabolic) with respect to the scan axis (y-axis). Appropriate adjustments to downstream optics (eg, projection optics) can compensate for this type of reticle deformation, but usually the deformation will vary from reticle to reticle, so each time a different reticle is chucked, the downstream optics It is not practical to adjust.

チャックされたレチクルについて、レチクルがチャックに接している複数の領域において局部的な摩擦力が確立され、こうした摩擦力はレチクルステージの移動の間、チャック上におけるレチクルの位置を保持するための鍵となる。しかし、こうした摩擦力は、レチクルステージの加速及び減速時におけるレチクルとチャックとの間の局所的なせん断応力に打ち勝つには十分でない可能性がある。せん断応力は、チャックに対してレチクルが滑る原因となり得る。また、レチクル滑りの結果、加速又は減速の後に、レチクル及びチャックが元の形状や元の位置関係に戻らない可能性がある。このような場合、レチクル及びチャック内に生み出される残留応力が、リソグラフィック露光時のレチクルステージの走査動作中における不都合なゆがみの原因となり得る。レチクル滑りが招く他の結果として、レチクルと、レチクルの位置を決定するのに用いられる干渉計との間の相対位置の再現不能な変化がある。この変化はオーバーレイの精度に直接的に影響する。   For chucked reticles, local friction forces are established in multiple regions where the reticle is in contact with the chuck, and these friction forces are key to holding the position of the reticle on the chuck during movement of the reticle stage. Become. However, such frictional forces may not be sufficient to overcome local shear stress between the reticle and the chuck during reticle stage acceleration and deceleration. Shear stress can cause the reticle to slide relative to the chuck. In addition, as a result of reticle sliding, the reticle and chuck may not return to their original shape or original positional relationship after acceleration or deceleration. In such a case, the residual stress generated in the reticle and chuck can cause an undesirable distortion during the scanning operation of the reticle stage during lithographic exposure. Another consequence of reticle slip is the non-reproducible change in relative position between the reticle and the interferometer used to determine the position of the reticle. This change directly affects the accuracy of the overlay.

これらの課題に対して、従来より、レチクルステージ全体にわたる熱的及び機械的な歪みを制御する試みがなされている。しかしながら、マイクロリソグラフィシステムの継続的世代においてステージのより高い加速性が要求される中、またオーバーレイの仕様水準が厳しくなる中で、この試みの限界が明らかになってきている。   In response to these problems, attempts have been made to control thermal and mechanical distortion throughout the reticle stage. However, the limitations of this attempt have become apparent as higher stages of acceleration are required in successive generations of microlithography systems and as overlay specifications become more stringent.

Gilissen等の米国特許第６，９５６，２２２号には、この課題を解決するためのひとつの取り組みが開示されており、すなわち、テーブル上で延在する「ピンプルプレート（pimple plate）」にレチクルが置かれ、ピンプルプレートとテーブルとの間にはすき間が設けられる。ピンプルプレートは、硬質材料（ガラス又はセラミック）からなり、レチクルに接する多数の突起を有する。レチクルは、静電吸着によって、ピンプルプレート上に保持される。ピンプルプレートは、静電吸着によって、メンブレン上に保持される。ピンプルプレートの下側は、テーブルに設けられた支持ピンによって支持されている。ピンプルは、３方向（ｘ、ｙ、ｚ）すべてにおいて高剛性を有する。残念ながら、レチクルを保持しているレチクルステージの加速及び減速中に、レチクルについてピンプルプレートに対して許容できない量の滑りが生じ、また、ピンプルプレートについてメンブレンに対して許容できない量の滑りが生じる。   US Pat. No. 6,956,222 to Gilissen et al. Discloses one approach to solving this problem: a reticle on a “pimple plate” extending on a table. And a gap is provided between the pimple plate and the table. The pimple plate is made of a hard material (glass or ceramic) and has a large number of protrusions that contact the reticle. The reticle is held on the pimple plate by electrostatic attraction. The pimple plate is held on the membrane by electrostatic adsorption. The lower side of the pimple plate is supported by a support pin provided on the table. Pimples have high rigidity in all three directions (x, y, z). Unfortunately, during the acceleration and deceleration of the reticle stage holding the reticle, there is an unacceptable amount of slip for the reticle relative to the pimple plate and an unacceptable amount of slip for the pimple plate relative to the membrane. Arise.

Donders等の米国特許第６，４８０，２６０号には、この課題を解決するための他の取り組みが開示されており、本内容をここに援用する。この２６０特許によれば、（ｙ方向（走査方向）に対する）レチクルの２つの対向する側（側面）領域が、互いに平行に配置される「従属部材」に補助されて、レチクルステージに保持される。好ましい実施形態において、各従属部材は、レチクルの側領域に沿った、またレチクルステージの側領域に沿った、縦に延びる細長い形状を有する。従属部材の１つの側領域は、レチクルステージの側領域に配置され、従属部材の他の側領域は、片持ち式でレチクルステージの端部から張り出している。各従属部材の片持ちの側領域の全長に沿って延び、また上方に突出された短い壁が「真空スペース」を取り囲みかつ規定する。壁及び真空スペースは集合的にレチクル「チャック」を規定する。対応するレチクルの下側は、集合的に「チャック面」となる壁の頂部（ランド）上に実際は置かれる。真空スペースを真空にすることにより、レチクルがチャック面に保持される。従属部材は、ｚ方向に従属性を示し、レチクルの形状に従って若干たわむものの、壁と同様に、それらはｘ−ｙ方向に高剛性を有する。少なくとも３つのピンがチャックの下側とレチクルステージの上面との間で延在する（すなわち、１つのチャックの真下に２つのピンがあり、他のチャックの真下に１つのピンがある）。１以上のピンが真空スペースに配置可能であり、レチクルにおけるチャック領域に対して追加的な支持がなされ、これらの構成は、「ピンチャック」と呼ばれる。この方法においても、チャックされたレチクルを支持しているレチクルステージの加速及び減速中において、チャック面に対して許容できない量のレチクルの滑りがいまだ生じる。   US Pat. No. 6,480,260 to Donders et al. Discloses another approach to solving this problem, the contents of which are incorporated herein. According to this 260 patent, two opposing side (side) regions of the reticle (relative to the y direction (scanning direction)) are held on the reticle stage, assisted by “subordinate members” arranged in parallel to each other. . In a preferred embodiment, each dependent member has an elongated shape extending longitudinally along the side region of the reticle and along the side region of the reticle stage. One side region of the dependent member is disposed in the side region of the reticle stage, and the other side region of the dependent member is cantilevered and projects from the end of the reticle stage. A short wall extending along the entire length of the cantilevered side region of each subordinate member and projecting upward surrounds and defines the “vacuum space”. The wall and vacuum space collectively define the reticle “chuck”. The underside of the corresponding reticle is actually placed on the top (land) of the wall which collectively becomes the “chuck face”. By making the vacuum space into a vacuum, the reticle is held on the chuck surface. Dependent members exhibit attributes according to the z direction and bend slightly according to the shape of the reticle, but like the walls, they have a high stiffness in the xy direction. At least three pins extend between the underside of the chuck and the top surface of the reticle stage (ie, there are two pins directly under one chuck and one pin directly under the other chuck). One or more pins can be placed in the vacuum space, providing additional support for the chuck area in the reticle, and these configurations are referred to as “pin chucks”. Even in this method, during the acceleration and deceleration of the reticle stage supporting the chucked reticle, there is still an unacceptable amount of reticle slip relative to the chuck surface.

米国特許第６，９５６，２２２号US Pat. No. 6,956,222 米国特許第６，４８０，２６０号US Pat. No. 6,480,260

従来のレチクルチャックのこうした事情に鑑みると、レチクルのキネマティック支持を維持しつつ、チャック面に対するレチクルの滑りがより低減された（又は完全に解消された）状態で、レチクルステージ上にレチクルがチャックされれば有利である。こうした目標の達成は、リソグラフィック露光中におけるオーバーレイのエラーなどの実質的な原因を取り除くだろう。   In view of these circumstances of the conventional reticle chuck, the reticle is chucked on the reticle stage in a state in which the slip of the reticle relative to the chuck surface is further reduced (or completely eliminated) while maintaining the kinematic support of the reticle. This is advantageous. Achieving these goals will eliminate substantial causes such as overlay errors during lithographic exposure.

第１態様に従えば、レチクルなどの平面体を保持及び移動させる装置が提供される。装置の一実施形態は、ステージ及びチャック本体を含む。ステージは、移動支持面を有する。装置は、基部近傍領域と先端領域とを含む第１メンブレンを含む。基部近傍領域は支持面につながる。先端領域は支持面から延び、第１メンブレンが少なくとも部分的にチャック本体を支持するように、チャック本体につながる。チャック本体は、面と多数のピンを含む。面は、第１メンブレンの先端領域に置かれる。ピンは、面に対して延在しかつ、面上に並べられかつ、平面体の部分に接して面に対して平面体を支持する。支持面の移動に伴うチャック本体の移動中、その移動によって生じる、ピンに対する前記平面体の滑りが各ピンで実質的に同じとなるように、ピンが並べられる。   According to the first aspect, an apparatus for holding and moving a planar body such as a reticle is provided. One embodiment of the apparatus includes a stage and a chuck body. The stage has a moving support surface. The apparatus includes a first membrane that includes a proximal region and a tip region. The region near the base is connected to the support surface. The tip region extends from the support surface and connects to the chuck body such that the first membrane at least partially supports the chuck body. The chuck body includes a surface and a number of pins. The surface is placed at the tip region of the first membrane. The pins extend with respect to the surface, are arranged on the surface, and contact the portion of the planar body to support the planar body with respect to the surface. During the movement of the chuck body accompanying the movement of the support surface, the pins are arranged so that the sliding of the planar body with respect to the pins caused by the movement is substantially the same for each pin.

上記概要の装置のある実施形態において、ステージは、互いに離間した（しかし望ましくは同期的に移動する）第１及び第２支持面を有する。チャック本体は、第１チャック部と第２チャック部を有し、第１メンブレンは、第１支持面に配置されかつ第１支持面から延びる第１メンブレン部と、第２支持面に配置されかつ第２支持面から延びる第２メンブレン部とを含む。第１チャック部は、第１メンブレン部の先端領域に配置され、第２チャック部は、第２メンブレン部の先端領域に配置される。   In certain embodiments of the apparatus outlined above, the stage has first and second support surfaces that are spaced apart (but preferably move synchronously). The chuck body includes a first chuck portion and a second chuck portion, the first membrane is disposed on the first support surface and extends from the first support surface, the first membrane portion is disposed on the second support surface, and And a second membrane portion extending from the second support surface. The first chuck portion is disposed in the distal end region of the first membrane portion, and the second chuck portion is disposed in the distal end region of the second membrane portion.

チャック本体は、例えばレチクルのための、少なくとも１つの真空チャックを含むことができる。この構成及び他の構成において、チャック本体は、面から延びる壁を含むことができる。壁は、望ましくは、面及びチャック本体に接する平面体の部分と協働して、真空窪み（キャビティ）を規定する。   The chuck body can include at least one vacuum chuck, eg, for a reticle. In this and other configurations, the chuck body can include a wall extending from the surface. The wall desirably cooperates with the plane and the portion of the planar body that contacts the chuck body to define a vacuum cavity.

壁はランドをそれぞれ有し、ピンは頂面をそれぞれ有する。装置が前記平面体を保持しているとき、ピンの頂面（及び適宜にランドの少なくとも１つ）は集合的に、平面体に接して平面体を少なくとも部分的に支持するチャック面を規定する。ピンの頂面（及び適宜にランドの少なくとも１つ）が、平面体の下面と接する。壁は面と一体にできる。少なくとも壁の１つが面と異なる材料からなりかつ、面に配置することが可能である。   Each wall has a land and each pin has a top surface. When the apparatus holds the planar body, the top surface of the pin (and optionally at least one of the lands) collectively defines a chucking surface that abuts the planar body and at least partially supports the planar body. . The top surface of the pin (and optionally at least one of the lands) is in contact with the lower surface of the planar body. The wall can be integrated with the surface. It is possible that at least one of the walls is made of a material different from the surface and is arranged on the surface.

ピンは、支持面によって移動されるチャック本体の走査方向に少なくとも１つの縦列に配置できる。 ピンは、複数の縦列に配置できる。ピンは、実質的に同じ剛性又は様々な剛性を有することができる。   The pins can be arranged in at least one column in the scanning direction of the chuck body moved by the support surface. The pins can be arranged in multiple columns. The pins can have substantially the same stiffness or various stiffnesses.

装置は、そこからピンが延びる面を含む第２メンブレンを含むことができる。第２メンブレンは、実質的に一様の厚さ又は様々な厚さを有することができる。第２メンブレンは、インバー、及びゼロデュア（登録商標）などからなることができるが、これらに限定されない。ピンは、第２メンブレンと一体にでき、また、第２メンブレンと同じ材料からなることが可能である。   The device can include a second membrane that includes a surface from which the pin extends. The second membrane can have a substantially uniform thickness or various thicknesses. The second membrane can be made of Invar, Zerodur (registered trademark), or the like, but is not limited thereto. The pin can be integral with the second membrane and can be made of the same material as the second membrane.

第２メンブレンを含む実施形態において、壁の少なくとも１つが第２メンブレンと同じ材料からなることができる。   In embodiments including a second membrane, at least one of the walls can be made of the same material as the second membrane.

他の態様に従えば、レチクルを保持及び移動させる装置が提供される。こうした装置の実施形態は、第１及び第２移動支持面を有するステージを備える。装置はまた、支持面に配置されるレチクルチャックを備える。レチクルチャックは、第１及び第２チャック部を含む。各チャック部は、第１領域及び第２領域を有する第１メンブレンをそれぞれ含む。第１領域は、第２領域が第１及び第２支持面から互いに向かって延びるように第１及び第２支持面にそれぞれ配置される。第１及び第２チャック部は、第２領域にそれぞれ配置される。各チャック部は、面（これは第１メンブレン又は第１メンブレンの一部に配置される第２メンブレンの一部にできる）と、壁と、面から延びる独立ピンとをそれぞれ含む。レチクルの各領域がチャック部に置かれたときに面及び壁が集合的に真空窪みを規定する。壁は、ランドをそれぞれ備え、これらはコンタクト又は非コンタクトのランドとなり得るものであり、コンタクトランドはレチクルの下面に接し、非コンタクトランドは接しない。少なくともピン（及び適宜に少なくとも１つのランド）がレチクルの領域と接してレチクルを支持する。ステージによるレチクルチャックの移動中、移動によって生じるせん断力によって、ピン（及びコンタクトランド）に対するレチクルの滑りが各ピン及びコンタクトランドで実質的に同じとなるように、ピンが構成及び配置される。   According to another aspect, an apparatus for holding and moving a reticle is provided. An embodiment of such an apparatus comprises a stage having first and second moving support surfaces. The apparatus also includes a reticle chuck disposed on the support surface. The reticle chuck includes first and second chuck portions. Each chuck portion includes a first membrane having a first region and a second region. The first region is disposed on each of the first and second support surfaces such that the second region extends from the first and second support surfaces toward each other. The first and second chuck portions are disposed in the second region, respectively. Each chuck includes a surface (which can be part of the first membrane or a second membrane disposed on a portion of the first membrane), a wall, and an independent pin extending from the surface. The surfaces and walls collectively define a vacuum depression when each region of the reticle is placed on the chuck. Each wall includes lands, which can be contact or non-contact lands, where the contact lands touch the lower surface of the reticle and the non-contact lands do not touch. At least a pin (and optionally at least one land) contacts the reticle area to support the reticle. During movement of the reticle chuck by the stage, the pins are constructed and arranged such that the shear force generated by the movement causes the reticle to slide relative to the pins (and contact lands) to be substantially the same at each pin and contact land.

代替的な実施形態において、上記概要のように、ピン、ピンの列、壁、ランド、真空窪みなどについて、様々な構成が考えられる。ある実施形態において、各チャック部のピンの頂部（及びランド）は、一の面内に置かれ、レチクルの部分を保持するように構成されるチャック面を集合的に規定する。   In alternative embodiments, various configurations are possible for pins, rows of pins, walls, lands, vacuum depressions, etc., as outlined above. In some embodiments, the pin tops (and lands) of each chuck portion collectively lie in one plane and collectively define a chuck surface configured to hold a portion of the reticle.

本発明について前述の及び追加の特徴部分及び利点は、添付の図を参照した、以下の詳しい説明から容易に明らかになるだろう。   The foregoing and additional features and advantages of the present invention will become readily apparent from the following detailed description, with reference to the accompanying drawings.

平面体を保持及び移動させるための装置の一例としての、キネマティックレチクルチャックの第１の代表的実施形態を示す平面図である。1 is a plan view showing a first exemplary embodiment of a kinematic reticle chuck as an example of an apparatus for holding and moving a planar body. FIG. 図１ＡにおけるＢ−Ｂ線に沿った断面立面図である。FIG. 1B is a sectional elevation view taken along line BB in FIG. 1A. チャックされたレチクルの２次変形を示しており、走査軸に関して放物線状の輪郭を示している。Fig. 2 shows a secondary deformation of a chucked reticle, showing a parabolic contour with respect to the scanning axis. ピンが同じ長さでない第４の代表的実施形態におけるキネマティックレチクルチャックの一部を示す模式的な正面図である。FIG. 10 is a schematic front view showing a part of a kinematic reticle chuck in a fourth exemplary embodiment in which pins are not the same length. 図３Ａに示したキネマティックレチクルチャックの代替的な構成の一部を示す模式的な正面図である。3B is a schematic front view showing a part of an alternative configuration of the kinematic reticle chuck shown in FIG. 3A. FIG.

以下の説明は、代表的な実施形態を説明するものであって、発明を限定する意図はない。   The following description describes exemplary embodiments and is not intended to limit the invention.

以下の説明において、「上（up）」、「下（down）」、「上の（upper）」、「下の（lower）」、「水平の（horizontal）」、「鉛直の（vertical）、「左の（left）」、「右の（right）」などの用語が使用される。これらの用語は、相対関係を扱う際に、その説明をある程度明確にするものである。しかし、これらの用語は、関係、位置、及び／又は方向性について絶対的なものを示すことを意図するものではない。例えば、物体に関し、その物体を単にひっくり返すことで「上」面は「下」面となり得る。しかしながらこれは同じ物体である。   In the following description, “up”, “down”, “upper”, “lower”, “horizontal”, “vertical” Terms such as “left” and “right” are used. These terms clarify the explanation to some extent when dealing with relative relationships. However, these terms are not intended to indicate an absolute relationship, position, and / or orientation. For example, for an object, the “upper” surface can become the “lower” surface by simply flipping the object. However, this is the same object.

本開示において、「レチクル」は、マイクロリソグラフィ及び関連技術において使用される、パターンを決定づける物体（パターンマスター）を示すのに用いられる。マイクロリソグラフィによく用いられる、パターンマスターを示す他の用語として「マスク」があり、「レチクル」は、マスク及びマイクロリソグラフィに用いられる他のパターンマスターを含むものとして理解されるだろう。   In this disclosure, “reticle” is used to indicate an object (pattern master) that determines a pattern, as used in microlithography and related techniques. Another term used to describe a pattern master, often used in microlithography, is “mask”, and “reticle” will be understood to include masks and other pattern masters used in microlithography.

＜第１の代表的実施形態＞
図１Ａ及び１Ｂは、キネマティックレチクルチャック１０の第１の代表的実施形態を示す。図１Ａは、ｘ−ｙ平面に関する平面図であり、ｙ方向が走査方向である。レチクルステージ１２の左部１４ａ及び右部１４ｂが示されており、それぞれ各支持面１７ａ，１７ｂが現れている。部分１４ａ，１４ｂは、ｙ方向において互いに平行に延び、ｘ方向において互いに対向する。支持面１７ａ，１７ｂには、フレキシブル部材（ここでは第１メンブレン（第１膜状部材）と称する）１６ａ，１６ｂがそれぞれ取り付けられている。各第１メンブレン１６ａ，１６ｂは、レチクルステージ１２の支持面１７ａ，１７ｂにそれぞれ取り付けられた第１の側領域１８ａ，１８ｂと、各部分１４ａ，１４ｂから片持ち式に張り出した第２の側領域２０ａ，２０ｂとを有する。つまり、第１の側領域１８ａ，１８ｂは、第１メンブレン１６ａ，１６ｂにおける（支持面１７ａ，１７ｂに対してそれぞれ）「近接した」領域であり、第２の側領域２０ａ，２０ｂは、第１メンブレン１６ａ，１６ｂにおける（支持面１７ａ，１７ｂに対してそれぞれ）「先端の」領域である。各第２の側領域２０ａ，２０ｂの上方に向いた表面には、真空チャック２２ａ，２２ｂが搭載されている。真空チャック２２ａ，２２ｂは、レチクル２５を支持する。 <First Representative Embodiment>
1A and 1B show a first exemplary embodiment of a kinematic reticle chuck 10. FIG. 1A is a plan view regarding the xy plane, and the y direction is the scanning direction. The left part 14a and the right part 14b of the reticle stage 12 are shown, and the respective support surfaces 17a and 17b appear. The portions 14a and 14b extend in parallel to each other in the y direction and face each other in the x direction. Flexible members (referred to herein as first membranes (first membrane members)) 16a and 16b are attached to the support surfaces 17a and 17b, respectively. Each of the first membranes 16a and 16b includes first side regions 18a and 18b attached to the support surfaces 17a and 17b of the reticle stage 12, respectively, and second side regions that project in a cantilever manner from the portions 14a and 14b. 20a, 20b. That is, the first side regions 18a and 18b are “close” regions (to the support surfaces 17a and 17b, respectively) in the first membranes 16a and 16b, and the second side regions 20a and 20b are the first side regions 18a and 18b. It is the “tip” region (relative to the support surfaces 17a and 17b) in the membranes 16a and 16b. Vacuum chucks 22a and 22b are mounted on the surfaces of the second side regions 20a and 20b facing upward. The vacuum chucks 22a and 22b support the reticle 25.

図１Ｂに示すように、各真空チャック２２ａ，２２ｂとそれぞれの第２の側領域２０ａ，２０ｂとの間には、真空チャックを第２の側領域のそれぞれの表面から（ｚ方向に）わずかに持ち上げるスペーサ２４ａ，２４ｂがある。   As shown in FIG. 1B, between each vacuum chuck 22a, 22b and the respective second side region 20a, 20b, the vacuum chuck is slightly moved (in the z direction) from the respective surface of the second side region. There are spacers 24a and 24b for lifting.

真空チャック２２ａは、スペーサ２４ａの上面に搭載されている。真空チャック２２ａは、基部（第２メンブレン又はウェブとも称する）２８を含み、そこから壁３０，３２がｚ方向に突出されている。   The vacuum chuck 22a is mounted on the upper surface of the spacer 24a. The vacuum chuck 22a includes a base (also referred to as a second membrane or web) 28 from which walls 30 and 32 protrude in the z direction.

壁３０，３２は、「ランド」と呼ばれる上面３４，３６をそれぞれ有する。図においては、第２メンブレン２８の表面の上方において、すべてのランドが同じ高さとなっているが、これに限定されない。   The walls 30 and 32 have upper surfaces 34 and 36 called “lands”, respectively. In the figure, all the lands have the same height above the surface of the second membrane 28, but the present invention is not limited to this.

本実施形態において、ランド３４，３６のすべては、第２メンブレン２８の上方において実質的に同じ高さを有しており、ｘ−ｙ方向に延在しかつレチクルが置かれる「チャック面」を規定する（図１Ｂ）。レチクル２５、第２メンブレン２８、及び壁３０，３２はまとめて、真空窪み３３を規定し、これは、第２メンブレン２８を通って延びるポート４６を介して真空引きされる。真空窪み３３内の減圧は、レチクルをランド３４，３６におしつける。   In the present embodiment, all of the lands 34 and 36 have substantially the same height above the second membrane 28, and extend a “chuck surface” that extends in the xy direction and on which the reticle is placed. (FIG. 1B). Together, the reticle 25, the second membrane 28, and the walls 30, 32 define a vacuum recess 33 that is evacuated through a port 46 that extends through the second membrane 28. Depressurization in the vacuum recess 33 places the reticle on the lands 34 and 36.

本実施形態は、従来のレチクルチャックで生じる重要な課題、すなわち、真空チャックがレチクルに接触する箇所で生じる、不均一なせん断力による滑りの課題を解決する。本実施形態において、真空チャック２２ａ，２２ｂ上でレチクルが滑るような大きさを有する加速又は減速をレチクル２５が受けたとしても、真空チャックにレチクルが接触している各箇所における滑りポイント（せん断応力の大きさ）は実質的に同じである。   The present embodiment solves an important problem that occurs in a conventional reticle chuck, that is, a problem of slippage due to non-uniform shear force that occurs at a position where the vacuum chuck contacts the reticle. In this embodiment, even if the reticle 25 is accelerated or decelerated so that the reticle slides on the vacuum chucks 22a and 22b, slip points (shear stresses) at each location where the reticle is in contact with the vacuum chuck. Are substantially the same.

第１メンブレン１６ａ，１６ｂ及び第２メンブレン２８，２８ｂを製造するための材料の例として、インバー、及びゼロデュア（ドイツ、ショット社製のガラスセラミックの登録商標）が挙げられる。負担をより少なくする利用のために、いくつかの金属を代替的に使用可能である。特に望ましい材料は、極低熱膨張率を有しており、上述のリストはレチクルを製造するための候補となる材料リストと似ている。レチクルチャックは、これらの材料のいずれかで作成可能であり、第１メンブレンと同じ材料又は異なる材料で作成可能である。   Examples of materials for producing the first membranes 16a and 16b and the second membranes 28 and 28b include Invar and Zerodur (registered trademark of glass ceramics manufactured by Schott, Germany). Some metals can alternatively be used for less burdensome applications. Particularly desirable materials have a very low coefficient of thermal expansion, and the above list is similar to a list of candidate materials for manufacturing reticles. The reticle chuck can be made of any of these materials, and can be made of the same material as the first membrane or a different material.

壁３０，３２及びランド３４，３６は、第２メンブレン２８と同じ材料で作成する必要はない。   The walls 30 and 32 and the lands 34 and 36 need not be made of the same material as the second membrane 28.

本実施形態において、壁３０，３２はランド３４，３６をそれぞれ有し、それらはすべて（ピンの頂部として）同じｘ−ｙ面内にある。このことは、本実施形態において、第２メンブレン２８の上面に対して、壁３０，３２のすべてが等しい高さである構成によって達成される。しかし、本実施形態のように、すべてのランドが同じ平面にあることには限定されない。代替的な実施形態において、後述するように、壁の少なくとも１つ（例えば、外側の壁）が他の壁（例えば、内側の壁）よりも短くでき、これにより、短い壁のランドがピン頂部のｘ−ｙ面よりも低く置かれ、ランドとレチクルの下側との間のギャップがそのまま残る。   In this embodiment, the walls 30, 32 have lands 34, 36, respectively, which are all in the same xy plane (as the top of the pin). In the present embodiment, this is achieved by a configuration in which all of the walls 30 and 32 have an equal height with respect to the upper surface of the second membrane 28. However, it is not limited that all the lands are on the same plane as in this embodiment. In alternative embodiments, as described below, at least one of the walls (e.g., the outer wall) can be shorter than the other walls (e.g., the inner wall) so that the short wall lands are on top of the pin. The gap between the land and the lower side of the reticle remains as it is.

本実施形態において、壁３０，３２ｄは互いに連続的であるが、これに限定されない。少なくとも１つの短い壁又はその長さに沿った少なくとも１つのギャップを有する壁を有する真空チャックは、真空窪み３３用の漏れやすいシールを形成する。   In the present embodiment, the walls 30 and 32d are continuous with each other, but the present invention is not limited to this. A vacuum chuck having at least one short wall or a wall with at least one gap along its length forms a leaky seal for the vacuum well 33.

第１メンブレン１６ａ，１６ｂの第１の側領域１８ａ，１８ｂは、適切な様々な手段によって、レチクルステージの各支持面１７ａ，１７ｂに取り付け可能である。典型的な手段としては接着手段が含まれる。   The first side regions 18a, 18b of the first membranes 16a, 16b can be attached to the respective support surfaces 17a, 17b of the reticle stage by various appropriate means. Typical means include adhesive means.

上述した実施形態において、各真空チャック２２ａ，２２ｂは、独立して立つピン４４からなる複数の列を含む（２つの列が図示されている）。   In the embodiment described above, each vacuum chuck 22a, 22b includes a plurality of rows of pins 44 that stand independently (two rows are shown).

本実施形態に基づくレチクルチャックに置かれたレチクルは、重力による撓みが生じ得るとされ、これは、この方法で支持される物体にとって概ね避けられない。図２は、理想的なレチクルの変形形状を示す。この理想的な変形は、走査軸（ｙ軸）に関して最大で２次のものである。   It is assumed that the reticle placed on the reticle chuck according to the present embodiment can be deflected by gravity, which is generally unavoidable for objects supported in this way. FIG. 2 shows an ideal reticle deformation shape. This ideal deformation is at most secondary with respect to the scanning axis (y-axis).

すでに述べたように、マイクロリソグラフィシステムの性能に関して２つの重要な手段は、オーバーレイ及び結像である。保持されたレチクルの変形は、オーバーレイ及び結像に直接的な影響を及ぼす。しかし、その変形が走査軸に関して最大で２次（放物線状）であるとき、下流の光学系について、変形の影響を補償するための調整が容易に可能である。本実施形態はこの目標を達成する。また、異なるレチクルは異なる平坦性（フラットネス）を有するものの、本実施形態において、レチクルチャックはレチクルをキネマティックに支持しており、そのため、レチクルのフラットネスの違いが、保持に伴うレチクルの変形に影響しない。また、レチクルステージがｙ方向に繰り返し加減速される状況にあっても、本実施形態はレチクルを確実に保持する。したがって、オーバーレイにおけるエラーが最小化される。   As already mentioned, two important means for the performance of microlithography systems are overlay and imaging. Retained reticle deformation directly affects overlay and imaging. However, when the deformation is at most quadratic (parabolic) with respect to the scanning axis, the downstream optical system can be easily adjusted to compensate for the influence of the deformation. This embodiment achieves this goal. Further, although different reticles have different flatness, in this embodiment, the reticle chuck supports the reticle in a kinematic manner, and therefore the difference in reticle flatness is caused by the deformation of the reticle accompanying holding. Does not affect. Even in a situation where the reticle stage is repeatedly accelerated and decelerated in the y direction, the present embodiment reliably holds the reticle. Thus, errors in the overlay are minimized.

＜第２の代表的実施形態＞
通常の接触応力に対するせん断応力の割合が、真空チャックに接触するレチクルのすべての箇所で実質的に等しくなるように、様々な実施形態が構成される。代替的に、その応力を望ましい方法でポイントごとに変えるために、レチクルと真空チャックとの間のせん断応力を振り分けることができる。簡単な実施形態において、ピンのせん断／曲げ剛性を制御可能に変化させることによってこの変化が達成される。例えば、ピンのサイズ（長さ）を変化させることで、それらのせん断／曲げ剛性の相応の変化を生み出すことができる。 <Second Representative Embodiment>
Various embodiments are configured such that the ratio of shear stress to normal contact stress is substantially equal at all locations on the reticle that contact the vacuum chuck. Alternatively, the shear stress between the reticle and the vacuum chuck can be distributed to vary the stress from point to point in the desired manner. In a simple embodiment, this change is achieved by controllably changing the shear / bending stiffness of the pin. For example, changing the size (length) of the pins can produce a corresponding change in their shear / bending stiffness.

実施例を、図３Ａ及び３Ｂに示す。図３Ａに、レチクル２５の一部分、レチクルステージ部１４、及び第１メンブレン１６ａを、真空チャック１２０とともに示す。真空チャック１２０は、先端の短い壁１２２、基部に近い長い壁１２４、及び階段状の第２メンブレン（ウェブ）１２８の表面から上方に延在する独立したピン１２６ａ，１２６ｂ、１２６ｃを含む。なお、第２メンブレン１２８は、第１メンブレン１６ａを単に延ばしたものとすることができる。例として、ピン１２６ａ，１２６ｂ，１２６ｃは、０．２５から２．５ｍｍまで高さが変化する。レチクル２５は、ピン１２６ａ，１２６ｂ，１２６ｃの頂部上のみならず、壁１２２，１２４によって規定されるランド１３０ａ，１３０ｂ上にも置かれる。ランド１３０ａ，１３０ｂは、レチクル２５におけるチャック部分の真下の領域を囲み、真空窪み１３２を規定する。   An example is shown in FIGS. 3A and 3B. FIG. 3A shows a part of the reticle 25, the reticle stage unit 14, and the first membrane 16 a together with the vacuum chuck 120. The vacuum chuck 120 includes a short wall 122 at the tip, a long wall 124 near the base, and independent pins 126a, 126b, 126c extending upward from the surface of the stepped second membrane (web) 128. Note that the second membrane 128 may be a simple extension of the first membrane 16a. As an example, the height of the pins 126a, 126b, 126c varies from 0.25 to 2.5 mm. The reticle 25 is placed not only on the tops of the pins 126a, 126b, 126c but also on the lands 130a, 130b defined by the walls 122, 124. The lands 130 a and 130 b surround a region immediately below the chuck portion in the reticle 25 and define a vacuum recess 132.

代替的構成を示す図３Ｂにおいて、真空チャック１４０の壁１４２，１４４は、独立ピン１４６ａ，１４６ｂ，１４６ｃよりも短い。壁１４２，１４４が備えるランド１４８ａ，１４８ｂは、真空窪み１５０の規定にあたって、レチクル２５の下面に真空の「シール」を効果的にもたらす。基部１５２は階段状からなり、これはピン１４６ａ−１４６ｃの異なる長さに対応している。なお、ウェブの厚さも変化している。   In FIG. 3B, which shows an alternative configuration, the walls 142, 144 of the vacuum chuck 140 are shorter than the independent pins 146a, 146b, 146c. The lands 148 a and 148 b provided on the walls 142 and 144 effectively provide a vacuum “seal” to the lower surface of the reticle 25 in defining the vacuum recess 150. Base 152 is stepped, which corresponds to different lengths of pins 146a-146c. The web thickness has also changed.

この典型的な実施形態は、レチクルとレチクルチャックとの間のせん断応力を所定の方法で分配することによって、レチクルが滑ることなく、レチクルのより高い加速を可能にする。   This exemplary embodiment distributes the shear stress between the reticle and the reticle chuck in a predetermined manner, thereby allowing higher acceleration of the reticle without the reticle slipping.

典型的な様々な実施形態の内容について開示したが、本発明の範囲はそれらの実施形態に限定さない。一方、本発明は、添付の請求の範囲に規定された、本発明の精神と範囲内にあるすべての変形、代替、及び等価物を含むものとする。   Although the contents of various exemplary embodiments have been disclosed, the scope of the present invention is not limited to those embodiments. On the contrary, the invention is intended to cover all modifications, alternatives, and equivalents falling within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

１０：レチクルチャック、１２：レチクルステージ、１４：レチクルステージ部、１６ａ，１６ｂ：メンブレン、１７ａ，１７ｂ：支持面、２２ａ，２２ｂ：真空チャック、２４ａ，２４ｂ：スペーサ、２５：レチクル、２８：メンブレン、３０，３２：壁、３４，３６：ランド、４４：ピン、１２０：真空チャック、１２２，１２４：壁、１２６ａ，１２６ｂ，１２６ｃ：ピン、１２８：メンブレン、１３０ａ，１３０ｂ：ランド、１４０：真空チャック、１４２，１４４：壁、１４６ａ，１４６ｂ，１４６ｃ：ピン、１４８ａ，１４８ｂ：ランド   10: reticle chuck, 12: reticle stage, 14: reticle stage section, 16a, 16b: membrane, 17a, 17b: support surface, 22a, 22b: vacuum chuck, 24a, 24b: spacer, 25: reticle, 28: membrane, 30, 32: Wall, 34, 36: Land, 44: Pin, 120: Vacuum chuck, 122, 124: Wall, 126a, 126b, 126c: Pin, 128: Membrane, 130a, 130b: Land, 140: Vacuum chuck, 142, 144: Wall, 146a, 146b, 146c: Pin, 148a, 148b: Land

Claims (52)

平面体を保持及び移動させる装置であって、
移動支持面を有するステージと；
チャック本体と；
基部近傍領域と先端領域とを含む第１メンブレンであって、前記基部近傍領域が前記支持面及び前記支持面から延びた前記先端領域とつながるとともに、少なくとも部分的に前記チャック本体を前記第１メンブレンが支持するように前記チャック本体とつながる、前記第１メンブレンと；を備え、
前記チャック本体は、面及び複数のピンを含み、前記ピンは、前記面に対して延在しかつ、前記面上に並べられかつ、前記面及び先端領域に対して、前記平面体の部分に接触して前記平面体を支持し；
前記支持面の移動に伴う前記チャック本体の移動中、該移動によって生じる、前記ピンに対する前記平面体の滑りが各ピンで実質的に同じとなるように、前記ピンが並べられる、装置。 An apparatus for holding and moving a plane body,
A stage having a moving support surface;
A chuck body;
A first membrane including a base vicinity region and a tip region, wherein the base vicinity region is connected to the support surface and the tip region extending from the support surface, and at least partially the chuck body is connected to the first membrane. And the first membrane connected to the chuck body so as to support,
The chuck body includes a surface and a plurality of pins, the pins extending with respect to the surface and arranged on the surface, and the portion of the planar body with respect to the surface and the tip region. Contacting and supporting the planar body;
The apparatus in which the pins are arranged such that during the movement of the chuck body accompanying the movement of the support surface, the sliding of the planar body relative to the pins caused by the movement is substantially the same for each pin. 請求項１に記載の装置において、前記チャック本体は、少なくとも１つの真空チャックを含む、装置。   The apparatus of claim 1, wherein the chuck body includes at least one vacuum chuck. 請求項１に記載の装置において、前記チャック本体は、前記面から延びる壁を含み、前記壁は、前記面及び前記チャック本体に接触する前記平面体の部分と協働して、真空窪みを規定する、装置。   2. The apparatus of claim 1, wherein the chuck body includes a wall extending from the surface, the wall defining a vacuum recess in cooperation with the surface and the portion of the planar body that contacts the chuck body. Do the equipment. 請求項３に記載の装置において、
前記壁は、ランドをそれぞれ有し；
前記ピンは、頂面をそれぞれ有し；
前記装置が前記平面体を保持しているとき、少なくとも前記ピンの前記頂面は集合的に、前記平面体に接触して前記平面体を少なくとも部分的に支持するチャック面を規定する、装置。 The apparatus of claim 3.
The walls each have a land;
The pins each have a top surface;
The apparatus, when the apparatus is holding the planar body, at least the top surfaces of the pins collectively define a chuck surface that contacts the planar body and at least partially supports the planar body. 請求項４に記載の装置において、前記装置が前記平面体を保持しているとき、前記ランドの少なくとも１つは前記頂面とともに集合的に、前記平面体に接触して前記平面体を少なくとも部分的に支持するチャック面を規定する、装置。   5. The apparatus of claim 4, wherein when the apparatus is holding the planar body, at least one of the lands together with the top surface is in contact with the planar body and at least partially covers the planar body. Device for defining a chucking surface to be supported. 請求項４に記載の装置において、前記頂面は、前記平面体の下面に接する、装置。   The apparatus according to claim 4, wherein the top surface is in contact with a lower surface of the planar body. 請求項４に記載の装置において、前記頂面及び少なくとも１つのランドは、前記平面体の下面に接触する、装置。   5. The apparatus according to claim 4, wherein the top surface and at least one land contact a lower surface of the planar body. 請求項１に記載の装置において、前記ピンは、前記支持面によって移動される前記チャック本体の走査方向に、少なくとも１つの縦列に配置される、装置。   The apparatus according to claim 1, wherein the pins are arranged in at least one column in a scanning direction of the chuck body moved by the support surface. 請求項８に記載の装置において、前記ピンは、複数の縦列に配置される、装置。   The apparatus of claim 8, wherein the pins are arranged in a plurality of columns. 請求項１に記載の装置において、前記ピンは、同じ形状である、装置。   The apparatus of claim 1, wherein the pins are the same shape. 請求項１に記載の装置において、前記ピンは、実質的に同じ剛性を有する、装置。   The apparatus of claim 1, wherein the pins have substantially the same stiffness. 請求項１に記載の装置において、前記ピンは、様々な剛性を有する、装置。   The apparatus of claim 1, wherein the pins have varying stiffness. 請求項１に記載の装置において、前記第１メンブレンは、実質的に一様の厚みを有する、装置。   The apparatus of claim 1, wherein the first membrane has a substantially uniform thickness. 請求項１に記載の装置において、前記第１メンブレンは、様々な厚みを有する、装置。   The apparatus of claim 1, wherein the first membrane has various thicknesses. 請求項１に記載の装置において、
前記チャック本体は、それに対して前記ピンが延びる面を含む第２メンブレンをさらに含み；
前記第２メンブレンは、前記先端領域につながり；
前記ピンは、前記平面体に接して前記第２メンブレンに対して前記平面体の前記部分を支持する、装置。 The apparatus of claim 1.
The chuck body further includes a second membrane including a surface to which the pin extends;
The second membrane is connected to the tip region;
The device, wherein the pin is in contact with the planar body and supports the portion of the planar body with respect to the second membrane. 請求項１５に記載の装置において、
前記ステージは、互いに離間した第１及び第２支持面を有し；
前記チャック本体は、第１チャック部及び第２チャック部を含み；
前記第１メンブレンは、前記第１支持面に配置されかつ前記第１支持面から延びる第１メンブレン部と、前記第２支持面に配置されかつ前記第２支持面から延びる第２メンブレン部とを含み；
前記第１チャック部は、前記第１メンブレン部の先端領域に配置され；
前記第２チャック部は、前記第２メンブレン部の先端領域に配置される、装置。 The apparatus of claim 15, wherein
The stage has first and second support surfaces spaced apart from each other;
The chuck body includes a first chuck portion and a second chuck portion;
The first membrane includes a first membrane portion disposed on the first support surface and extending from the first support surface, and a second membrane portion disposed on the second support surface and extending from the second support surface. Including;
The first chuck portion is disposed in a tip region of the first membrane portion;
The device, wherein the second chuck part is disposed in a tip region of the second membrane part. 請求項１５に記載の装置において、前記チャック本体は、少なくとも１つの真空チャックを含む、装置。   16. The apparatus of claim 15, wherein the chuck body includes at least one vacuum chuck. 請求項１５に記載の装置において、前記チャック本体は、前記第２メンブレンから延びる壁を含み、前記壁は、前記第２メンブレンと前記チャック本体に接する前記平面体の一部と協働して、真空窪みを規定する、装置。   16. The apparatus according to claim 15, wherein the chuck body includes a wall extending from the second membrane, and the wall cooperates with a part of the planar body that contacts the second membrane and the chuck body, A device that defines a vacuum well. 請求項１８に記載の装置において、
前記壁は、ランドをそれぞれ有し、
前記ピンは、頂面をそれぞれ有し、
前記装置が前記平面体を保持しているとき、少なくとも前記ピンの前記頂面は集合的に、前記平面体に接触して前記平面体を少なくとも部分的に支持するチャック面を規定する、装置。 The apparatus of claim 18.
The walls each have a land;
The pins each have a top surface;
The apparatus, when the apparatus is holding the planar body, at least the top surfaces of the pins collectively define a chuck surface that contacts the planar body and at least partially supports the planar body. 請求項１９に記載の装置において、前記頂面及び少なくとも１つのランドは集合的に、前記チャック面を規定する、装置。   21. The apparatus of claim 19, wherein the top surface and at least one land collectively define the chuck surface. 請求項１９に記載の装置において、少なくとも前記頂面は、前記平面体の下面と接する、装置。   The apparatus according to claim 19, wherein at least the top surface is in contact with a lower surface of the planar body. 請求項２０に記載の装置において、前記頂面及び少なくとも１つの前記ランドが、前記平面体の下面と接する、装置。   21. The apparatus of claim 20, wherein the top surface and at least one of the lands are in contact with a lower surface of the planar body. 請求項１８に記載の装置において、前記壁は、前記第２メンブレンと一体である、装置。   The apparatus of claim 18, wherein the wall is integral with the second membrane. 請求項１５に記載の装置において、前記ピンは、前記支持面によって移動される前記チャック本体の走査方向に少なくとも１つの縦列で配置される、装置。   The apparatus according to claim 15, wherein the pins are arranged in at least one column in a scanning direction of the chuck body moved by the support surface. 請求項２４に記載の装置において、前記ピンは、複数の縦列に配置される、装置。   25. The apparatus of claim 24, wherein the pins are arranged in a plurality of columns. 請求項１５に記載の装置において、前記ピンは、同じ形状である、装置。   16. The device of claim 15, wherein the pins are the same shape. 請求項１５に記載の装置において、前記ピンは、実質的に同じ剛性を有する、装置。   The apparatus of claim 15, wherein the pins have substantially the same stiffness. 請求項１５に記載の装置において、前記ピンは、様々な剛性を有する、装置。   16. The device of claim 15, wherein the pin has various stiffnesses. 請求項１５に記載の装置において、前記第２メンブレンは、実質的に一様の厚みを有する、装置。   16. The apparatus of claim 15, wherein the second membrane has a substantially uniform thickness. 請求項１５に記載の装置において、前記第２メンブレンは、様々な厚みを有する、装置。   16. The device according to claim 15, wherein the second membrane has various thicknesses. 請求項１５に記載の装置において、前記第２メンブレンは、インバー及びゼロデュア（登録商標）からなるグループから選択される材料から作られる、装置。   16. The apparatus of claim 15, wherein the second membrane is made from a material selected from the group consisting of Invar and Zerodur. 請求項１５に記載の装置において、前記ピンは、前記第２メンブレンと同様の材料からなり、前記第２メンブレンと一体である、装置。   16. The device according to claim 15, wherein the pin is made of the same material as the second membrane and is integral with the second membrane. 請求項１５に記載の装置において、前記壁の少なくとも１つは、前記第２メンブレンと同じ材料からなる、装置。   The apparatus of claim 15, wherein at least one of the walls is made of the same material as the second membrane. レチクルを保持及び移動させる装置であって、
第１及び第２移動支持面を含むステージと；
前記支持面のそれぞれに配置されかつ第１及び第２チャック部を含むレチクルチャックであって、各チャック部は、第１領域及び第２領域を含む第１メンブレンを含む、前記レチクルチャックと；
前記第１領域は、前記第２領域が前記第１及び第２支持面から互いに向かって延びるように前記第１及び第２支持面にそれぞれ配置され；
前記第１及び第２チャック部は、前記第２領域にそれぞれ配置され；
各チャック部は、壁と、各面から延びた独立ピンとを含み、レチクルの各領域が前記チャック部に置かれたときに前記面及び壁が集合的に真空窪みを規定し；
各チャック部において、少なくともピンが前記レチクルの領域と接して前記領域を支持し；
前記ステージによる前記レチクルチャックの移動中、前記移動によって生じるせん断力によって、前記ピンに対する前記レチクルの滑りが各ピンで実質的に同じとなるように、前記ピンが構成及び配置される、装置。 An apparatus for holding and moving a reticle,
A stage including first and second movable support surfaces;
A reticle chuck disposed on each of the support surfaces and including first and second chuck portions, wherein each chuck portion includes a first membrane including a first region and a second region;
The first region is disposed on the first and second support surfaces, respectively, such that the second region extends from the first and second support surfaces toward each other;
The first and second chuck portions are respectively disposed in the second region;
Each chuck includes a wall and an independent pin extending from each surface, and the surfaces and walls collectively define a vacuum recess when each region of the reticle is placed on the chuck;
In each chuck portion, at least a pin contacts and supports the area of the reticle;
An apparatus in which the pins are constructed and arranged so that during the movement of the reticle chuck by the stage, the shear force generated by the movement causes the slip of the reticle relative to the pins to be substantially the same for each pin. 請求項３４に記載の装置において、前記独立ピンは、各チャック部の表面上において複数の列に配置される、装置。   35. The apparatus of claim 34, wherein the independent pins are arranged in a plurality of rows on the surface of each chuck portion. 請求項３４に記載の装置において、各チャック部の少なくとも１つの壁が接触ランドを備える、装置。   35. The apparatus of claim 34, wherein at least one wall of each chuck portion comprises a contact land. 請求項３６に記載の装置において、各チャック部における少なくとも１つの接触ランド及び前記ピンの頂部が集合的に、平坦かつレチクルの部分を保持するよう構成されるチャック面を規定する、装置。   37. The apparatus of claim 36, wherein the at least one contact land and the top of the pin in each chuck portion collectively define a chuck surface configured to hold a flat and reticle portion. 請求項３４に記載の装置において、少なくとも１つのチャック部における前記ピンは、実質的に同じ形状である、装置。   35. The apparatus of claim 34, wherein the pins in at least one chuck portion are substantially the same shape. 請求項３４に記載の装置において、前記ピンは、実質的に同じ剛性を有する、装置。   35. The apparatus of claim 34, wherein the pins have substantially the same stiffness. 請求項３４に記載の装置において、少なくともいくつかの前記ピンは、様々な剛性を有する、装置。   35. The apparatus of claim 34, wherein at least some of the pins have varying stiffness. 請求項３４に記載の装置において、前記第１メンブレンは、実質的に一様の厚みを有する、装置。   35. The apparatus of claim 34, wherein the first membrane has a substantially uniform thickness. 請求項３４に記載の装置において、前記第１メンブレンは、様々な厚みを有する、装置。   35. The apparatus of claim 34, wherein the first membrane has various thicknesses. 請求項３４に記載の装置において、各チャック部は、前記面を含む第２メンブレンを含む、装置。   35. The apparatus of claim 34, wherein each chuck portion includes a second membrane that includes the surface. 請求項４３に記載の装置において、前記第２メンブレンは、実質的に一様の厚みを有する、装置。   44. The apparatus of claim 43, wherein the second membrane has a substantially uniform thickness. 請求項４３に記載の装置において、前記第２メンブレンは、様々な厚みを有する、装置。   44. The device of claim 43, wherein the second membrane has various thicknesses. 処理装置と；
前記処理装置に対して平面体を保持及び移動させるための、請求項１に記載の装置と、を備える、処理システム。 A processing device;
A processing system comprising: an apparatus according to claim 1 for holding and moving a planar body relative to the processing apparatus. レチクル上に規定されたパターンをリソグラフィック基板に刻む結像光学系と；
前記結像光学系に対して置かれ、移動支持面を含むレチクルステージと；
前記支持面に配置され、少なくとも１つのチャック部を含むレチクルチャックと；を備え、
前記チャック部は、基部近傍領域と先端領域とを含む第１メンブレンであって、前記基部近傍領域が前記支持面及び前記支持面から延びた前記先端領域とつながり、かつ少なくとも部分的に前記レチクルチャックを前記第１メンブレンが支持するように前記チャック部とつながる、前記第１メンブレンを含み；
前記チャック部は、面及び前記面から延びる複数のピンを含み、前記面は、前記第１メンブレンの前記先端領域に置かれ、前記ピンは、前記面上に並べられかつ、前記レチクルの部分に接して前記面に対して前記レチクルを支持し；
前記支持面の移動に伴う前記レチクルチャックの移動中、該移動によって生じる、前記ピンに対する前記レチクルの滑りが各ピンで実質的に同じとなるように、前記ピンが並べられる、マイクロリソグラフィシステム。 An imaging optical system for engraving a pattern defined on the reticle on the lithographic substrate;
A reticle stage placed against the imaging optics and including a moving support surface;
A reticle chuck disposed on the support surface and including at least one chuck portion;
The chuck portion is a first membrane including a base portion vicinity region and a tip region, wherein the base portion vicinity region is connected to the support surface and the tip region extending from the support surface, and at least partially the reticle chuck. Including the first membrane connected to the chuck portion so that the first membrane supports the first membrane;
The chuck portion includes a surface and a plurality of pins extending from the surface, the surface being placed in the tip region of the first membrane, and the pins being arranged on the surface and in a portion of the reticle Supporting the reticle against and against the surface;
A microlithography system in which the pins are aligned during movement of the reticle chuck with movement of the support surface such that slip of the reticle relative to the pins caused by the movement is substantially the same for each pin. 請求項４７に記載のマイクロリソグラフィシステムを用いたマイクロリソグラフィ処理を少なくとも含むプロセスによって製造されたマイクロ電子デバイス。   48. A microelectronic device manufactured by a process comprising at least a microlithographic process using the microlithography system of claim 47. 請求項４７に記載のマイクロリソグラフィシステムを用いて実行されるマイクロリソグラフィプロセス。   48. A microlithographic process performed using the microlithography system of claim 47. レチクル上に規定されたパターンをリソグラフィック基板に刻む結像光学系と；
前記結像光学系に対して置かれ、第１及び第２移動支持面を含むレチクルステージと；
前記支持面に配置されかつ第１及び第２チャック部を含むレチクルチャックであって、各チャック部はそれぞれ第１領域及び第２領域を含む第１メンブレンを含む、前記レチクルチャックと；を備え、
前記第１領域は、前記第２領域が前記第１及び第２支持面から互いに向かって延びるように前記第１及び第２支持面にそれぞれ配置され；
前記第１及び第２チャック部は、前記第２領域にそれぞれ配置され；
各チャック部は、面と、壁と、前記面から延びた独立ピンとを含み、レチクルの各領域が前記チャック部に置かれたときに、前記面及び壁が集合的に真空窪みを規定し；
少なくとも前記ピンが前記レチクルの領域と接して前記レチクルを支持するように構成され；
前記ステージによる前記レチクルチャックの移動中、前記移動によって生じるせん断力によって生じる、前記ピンに対する前記レチクルの滑りが各ピンで実質的に同じとなるように、前記ピンが構成及び配置される、マイクロリソグラフィシステム。 An imaging optical system for engraving a pattern defined on the reticle on the lithographic substrate;
A reticle stage positioned with respect to the imaging optics and including first and second moving support surfaces;
A reticle chuck disposed on the support surface and including first and second chuck portions, each of the chuck portions including a first membrane including a first region and a second region, respectively.
The first region is disposed on the first and second support surfaces, respectively, such that the second region extends from the first and second support surfaces toward each other;
The first and second chuck portions are respectively disposed in the second region;
Each chuck includes a surface, a wall, and an independent pin extending from the surface, the surface and the wall collectively defining a vacuum recess when each region of the reticle is placed on the chuck;
At least the pin is configured to support the reticle in contact with an area of the reticle;
Microlithography, wherein the pins are configured and arranged such that during the movement of the reticle chuck by the stage, the slip of the reticle relative to the pins caused by shear forces caused by the movement is substantially the same for each pin. system. 請求項５０に記載のマイクロリソグラフィシステムを用いたマイクロリソグラフィ処理を少なくとも含むプロセスによって製造されたマイクロ電子デバイス。   51. A microelectronic device manufactured by a process comprising at least a microlithographic process using the microlithography system of claim 50. 請求項５０に記載のマイクロリソグラフィシステムを用いて実行されるマイクロリソグラフィプロセス。   51. A microlithography process performed using the microlithography system of claim 50.
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