JP2009535823A - 接合用の製造ツール - Google Patents

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Abstract

製造ツール(100)が、第1のデバイス表面(103)及び第2のデバイス表面(105)がプラズマ活性された後で、第1のデバイス表面を第2のデバイス表面に対して押圧して、第1のデバイス表面と第2のデバイス表面とを接合する。製造ツールは、第1のデバイス表面に力を加え、第1のデバイス表面を第2のデバイス表面に対して押圧する接合ピストン(102)を含む。製造ツールはまた、接合ピストンと第1のデバイス表面との間に位置する圧力板(104)を含む。製造ツールは、接合ピストンが圧力板を介して第1のデバイス表面に加える力が、最初に第1のデバイス表面の1つ又は複数の第1の位置に加わり、続いて第1のデバイス表面の1つ又は複数の第2の位置に加わることを確実にする機構(106、110)をさらに含む。

Description

プラズマ接合は、デバイスの2つの表面を共に接合する一般的な方法である。これらの表面は通常、研磨されるか又は他の方法で滑らかにされてからプラズマ活性される。表面のプラズマ活性によって、これらの表面は、一旦共に押圧されると恒久的に接合されやすくなる。したがって、表面を滑らかにしてプラズマ活性した後、これらの表面を共に押圧して恒久的に接合する。
従来技術では、共に接合されるデバイスの表面は平面であると仮定している。したがって、表面は、表面にわたって実質的に均一な力によって共に押圧される。しかし、表面の1つ又は複数が平面ではない場合、そのように実質的に均一な力で共に押圧することは問題となる可能性がある。表面内の隙間及び他の不均一な部分に空気が捕捉される可能性がある。結果として、この理由及び他の理由から良好な接合をもたらすことができない。
図1A及び図1Bは、本発明のさまざまな実施形態による、デバイス表面103をデバイス表面105に対して押圧して、電子デバイス101を形成する製造ツール100の断面図を示す。形成される電子デバイス101は、微小電気機械(MEM)デバイス、光学デバイス、半導体デバイス、及び/又は別のタイプの電子デバイスであり得る。デバイス101は、デバイス表面103を一部として含む構成要素112と、デバイス表面105を一部として含む構成要素114とを含む。したがって、構成要素112及び114の組み合わせは、共に接合されると、電子デバイス101の少なくとも一部分を形成する。
一実施形態では、電子デバイス101は、表示デバイスにおいて用いる表示MEMデバイスである。構成要素112は、ガラス基板等のように透明である。構成要素114は、電子デバイス101を表示MEMデバイスにすることを可能にする微小電気機械素子を含み得る。
製造ツール100を使用してデバイス表面103をデバイス表面105に対して押圧する前に、表面103及び105は前処理されていてもよい。例えば、これらの表面103及び105はまず、滑らかになるように研磨されていてもよい。表面103及び105は次いでプラズマ活性されていてもよく、これによって、デバイス表面103をデバイス表面105に対して押圧すると、強力且つ恒久的な接合が生じる。
デバイス表面103及び105のうちの少なくとも一方は平面ではない。図1A及び図1Bにおいて、デバイス表面103は平面であるがデバイス表面105は平面ではない。より詳細には、デバイス表面105は、凸状である表面部分116を含む。代替的に、表面部分116は凹状であってもよい。デバイス表面105及び/又はデバイス表面103は、同様に別の方法で非平面であってもよい。
製造ツール100は、接合ピストン102と、圧力板104と、輪郭の付いたインサート106と、ばね付勢式の押圧要素110とを含む。接合ピストン102は、当業者には理解され得るように、実際に力を加える製造ツール100の構成要素である。圧力板104は、接合ピストン102と、デバイス表面103を有する構成要素112との間に位置する。
輪郭の付いたインサート106は、圧力板104と、デバイス表面103を有する構成要素112との間に位置する。輪郭の付いたインサート106は図1A及び図1Bにおいて輪郭が付けられており、ここでは、デバイス表面103及び105の縁から離れてデバイス表面103及び105の中心に向かって所定の角度でテーパ状になっている。輪郭の付いたインサート106は代替的に、異なる方法で輪郭が付けられていてもよい。輪郭の付いたインサート106は、Kapton、Viton、Delron等の柔軟な材料、又は別の柔軟な材料から製造することができ、このことによって、ばね付勢式の押圧要素110が十分に力を加えたときに構成要素112に均一な力が加わる。したがって、輪郭の付いたインサート106は十分な力の荷重下で或る程度まで変形する。
ばね付勢式の押圧要素110は圧力板104に固定され、圧力板104及び輪郭の付いたインサート106内の孔108を移動可能である。押圧要素110は、バウピンとも称される場合があり、図1A及び図1Bに示すように平面又は円形の円柱で終端するばねを含み得る。押圧要素110は通常、その構成要素であるばねによって、輪郭の付いたインサート106の最下点(複数可)を越えて延びる。図1Aでは、押圧要素110は製造ツール100の中心内に位置付けられるが、図1Bでは、押圧要素110は製造ツール100の縁付近に位置付けられる。
以下でより詳細に説明するように、接合ピストン102による力が加わると、圧力板104、輪郭の付いたインサート106及び押圧要素110は、構成要素112の方へ下方に移動する。押圧要素110がまず構成要素112と接触する。その結果、(圧力板104を介して、すなわち通じて)接合ピストン102が加える力は第1に、すなわち最初に、押圧要素110の下のデバイス表面103の対応する位置118に加わる。
接合ピストン102、圧力板104、輪郭の付いたインサート106及び押圧要素110は下方に移動し続けるため、輪郭の付いたインサート106の縁によって第2の接触が起こり得る。これは、輪郭の付いたインサート106のこれらの縁が輪郭の付いたインサート106の他の部分よりも低いためである。いずれの場合も、(圧力板104を介して、すなわち通じて)接合ピストン102が加える力は第2に、すなわち続いて、輪郭の付いたインサート106の縁の下のデバイス表面103の対応する位置120に加わる。
接合ピストン102、圧力板104、輪郭の付いたインサート106及び押圧要素110は下方に移動し続けるため、最終的に輪郭の付いたインサート106の表面全体が接触する。この場合、(圧力板104を介して、すなわち通じて)接合ピストン102が加える力は最終的に、輪郭の付いたインサート106の縁の下のデバイス表面103の実質的に全体にわたって加わる。接合ピストン102が加える力が大きいため、デバイス表面103の形状は、デバイス表面105の鏡像に少なくとも実質的に対応し得る。さらに、構成要素112の上面の形状は、輪郭の付いたインサート106及びばね付勢式押圧要素110の形状に少なくとも実質的に対応し得る。これについても以下でより詳細に説明する。
輪郭の付いたインサート106及びばね付勢式の押圧要素110は共に、最終的に接合ピストン102によってデバイス表面103に加わる力が、第1に位置118に加わり、第2に位置120に加わり、次いで最終的にデバイス表面103の全体にわたって加わることを確実にする機構であると考えられ得る。よって、デバイス表面103に加わる力は経時にわたって均一ではない。むしろ、力は選択的に、まずデバイス表面103の位置118へ、次いで位置120にも加わり、その後最終的にデバイス表面103の全体にわたって加わる。
この点に関して、図1A及び図1Bの製造ツール100は、従来技術に勝る利点を提供する。力が経時にわたってデバイス表面に均一に加わる従来技術とは異なり、製造ツール100が経時にわたって均一に力を加えないことによって、デバイス表面103及び105間に空気が捕捉されることが実質的に防止される。さらに、接合は位置118で始まって引き続き位置120において行なわれ、その後デバイス表面103の全ての位置において行なわれるため、結果としてもたらされるデバイス表面103及び105間の接合は、接合がデバイス表面103の全体にわたって始まる場合と比してより強くなり得る。
図2は、本発明の一実施形態による、圧力板104の下面の斜視図である。圧力板104は、輪郭の付いたインサート106等の複数の輪郭の付いたインサートと、ばね付勢式の押圧要素106等の複数のばね付勢式の押圧要素とを含む。ばね付勢式の押圧要素は、図2の例では、図1Bの場合と比して図1Aにおけるように、それらの対応する輪郭の付いたインサートの中心に位置付けられる。
輪郭の付いたインサート及び対応するばね付勢式の押圧要素のそれぞれは、単一の電子デバイスに対応する。したがって、図2の圧力板104は、多くのそのような電子デバイスを有する2つのウェハ又は他の基板を共に押圧することを意図する。各輪郭の付いたインサート及び対応する押圧要素は、単一の電子デバイスを共に接合する。
図3は、本発明の一実施形態による、製造ツール100を使用して電子デバイス101を製造する方法300を示す。電子デバイス101の表面103及び105はまず、研磨及び/又は滑らかにすることによって前処理される(302)。その後、デバイス表面103及び105はプラズマ活性される(304)。例えば、デバイス表面103及び105をプラズマチャンバ内でプラズマに暴露し、最終的な接合のためにデバイス表面103及び105を準備してもよい。
図4Aは、本発明の一実施形態による、図3の方法300の一部302及び304を行なった後の、2つの代表的な電子デバイス101A及び101Bの例を示す。デバイス表面103及び105の左側部分が1つの電子デバイス101Aに対応し、デバイス表面103及び105の右側部分が別の電子デバイス101Bに対応する。デバイス表面103及び105は研磨され且つ/又は滑らかにされ、プラズマ活性されている。電子デバイス101A及び101Bのデバイス表面103は平面である。電子デバイス101Aのデバイス表面105は凸状である表面部分116を有し、電子デバイス101Bのデバイス表面105は凹状である表面部分402を有する。デバイス表面103内には間隙498があり、これは以下の詳細な説明においてより詳細に説明する。
再び図3を参照すると、方法300は、製造ツール100がデバイス表面103に対して力を加え、デバイス表面103をデバイス表面105に向かって、最終的にデバイス表面105に接するまで押圧し(306)、電子デバイス101のデバイス表面103及び105を共に接合することによって続く。上述したように、力は、まずデバイス表面103の1つ又は複数の第1の位置118に加わり、次いで、デバイス表面103の1つ又は複数の第2の位置120に加わる。その後、最終的にデバイス表面103にわたって完全に力が加わる。
したがって、方法300の一部306の働きはまず、デバイス表面103の1つ又は複数の第1の位置118においてデバイス表面103をデバイス表面105に対して押圧することを含む(308)。製造ツール100の接合ピストン102が下向きに押圧し、圧力板104を介して力を加え、ばね付勢式の押圧要素110が製造ツール100と電子デバイス101との間で最初に接触する。その結果、接合ピストン102が加える力は第1に、ばね付勢式の押圧要素110の下に対応するデバイス表面103の位置118に加わる。
図4Bは、図4Aの電子デバイス101A及び101Bに関して、本発明の一実施形態による図3の方法300の一部308の例示的な働きを示す。ばね付勢式の押圧要素110は、それらの孔108から外方に垂直に延びるため、電子デバイス101A及び101Bと最初に接触する。その結果、圧力板104及び/又は輪郭の付いたインサート106を介して接合ピストン102によって加わる力はまず、デバイス表面103の位置118に加わる。第1のデバイス101Aに関して、力が最初に加わる左側部分118はデバイス表面105の最も高い凸状点と向かい合うため、デバイス表面103は平面形状を保持する。第2のデバイス101Bに関して、力が最初に加わる右側の位置118はデバイス表面105の最も低い凹状点と向かい合うため、デバイス表面103はデバイス表面105のこの形状に適合するように曲がり始める。
再び図3を参照すると、方法300の一部306の働きは次いで、デバイス表面103の1つ又は複数の第2の位置120に力を加えることによってデバイス表面103をデバイス表面105に対して押圧すること(310)を含む。製造ツール100の接合ピストン102は、下方へ押圧及び移動し続け、圧力板104を介して輪郭の付いたインサート106に力を加え、輪郭の付いたインサート106が製造ツール100と電子デバイス101との間で第2の接触をするようにする。接合ピストン102が加える力は、上述したように、輪郭の付いたインサート106の最下点の下に対応するデバイス表面103の位置120に加わる。
図4Cは、図4A及び図4Bの電子デバイス101A並びに101Bに関して、本発明の一実施形態による図3の方法300の一部310の例示的な働きを示す。輪郭の付いたインサート106は本質的に輪郭が付いているため、接合ピストン102によって圧力板104を介して輪郭の付いたインサート106へ加えられる力は次いで、輪郭の付いたインサート106の最下点の下にあるデバイス表面103の位置120へ加わる。図4Cの例では、輪郭の付いたインサート106のこれらの最下点はインサート106の縁である。ばね付勢式の押圧要素110は、接合ピストン102、圧力板104及び輪郭の付いたインサート106が引き続き下方へ移動する結果としてそれらの孔108内へ後退し始める。
再び図3を参照すると、方法300の一部306の働きは最後に、デバイス表面103の実質的に全体にわたって力を加えることによってデバイス表面103をデバイス表面105に対して押圧すること(312)を含む。製造ツール100の接合ピストン102は、下方へ押圧及び移動し続け、圧力板104を介して輪郭の付いたインサート106に力を加える。輪郭の付いたインサート106から始まる電子デバイス101の表面は、輪郭の付いたインサート106のプロファイルに適合し、デバイス表面103の少なくとも実質的に全てにわたって力が加わるようにすることができる。デバイス表面103は、デバイス表面105の形状にさらに適合し、表面103及び105を完全且つ確実に共に接合し、電子デバイス101を少なくとも部分的にもたらすことができる。
図4Dは、図4A、図4B及び図4Cの電子デバイス101A並びに101Bに関して、本発明の一実施形態による図3の方法300の一部312の例示的な働きを示す。接合ピストン102によって圧力板104を介して輪郭の付いたインサート106に加わる力は、デバイス表面103の実質的に全てにわたって加わる。輪郭の付いたインサート106から始まる電子デバイス101A及び101Bの表面は、輪郭の付いたインサート106の鏡像のプロファイルを取っている。比較として、デバイス表面103は、デバイス表面105の鏡面形状を取っている。ばね付勢式の押圧要素110は、接合ピストン102、圧力板104及び輪郭の付いたインサート106が引き続き下方へ移動する結果として孔108内へさらに後退している。
図4A〜図4Dに関して例示的に説明したように、図3に関して説明した接合プロセスは有利である。図4Bのデバイス表面103の位置118に最初に力を加え、その後、図4Cの表面103の位置120へ続いて力を加え、図4Dの表面103の全体にわたって力を加えることは、接合プロセス中に表面103及び105間に空気ポケットが捕捉される可能性をかなり低減する。一実施形態では、間隙498があることによって、接合中に表面103及び105間に空気ポケットが捕捉される可能性が少なくなる。特に、本実施形態においてそのような空気は間隙498に押し込まれ、表面103及び105間のそれら自身の間には捕捉されないようになる。
さらに、接合プロセスは、デバイス表面103及び105間の接合が、表面103及び105間の1つ又は複数の別個の点、すなわち位置118において始まり、次いで表面103及び105の残り、すなわち位置120へ伝わり、次に全ての位置にわたって行なわれるというようなものである。これによって、接合がデバイス表面間の全ての位置において同時に始まった場合よりも強力なプラズマ接合をもたらすことができる。
本発明の実施形態による、第1のデバイス表面を第2のデバイス表面に対して押圧する製造ツールの断面図である。 本発明の実施形態による、第1のデバイス表面を第2のデバイス表面に対して押圧する製造ツールの断面図である。 本発明の一実施形態による、図1A及び図1Bの製造ツールの圧力板の底面の斜視図である。 本発明の一実施形態による、図1Aの製造ツールを使用して電子デバイスを少なくとも部分的に製造する方法のフローチャートである。 本発明の実施形態による、図3の方法の例示的な働きを示す図である。 本発明の実施形態による、図3の方法の例示的な働きを示す図である。 本発明の実施形態による、図3の方法の例示的な働きを示す図である。 本発明の実施形態による、図3の方法の例示的な働きを示す図である。

Claims (10)

  1. 第1のデバイス表面(103)及び第2のデバイス表面(105)がプラズマ活性された後で、前記第1のデバイス表面を前記第2のデバイス表面に対して押圧して、前記第1のデバイス表面と前記第2のデバイス表面とを接合する製造ツール(100)であって、
    前記第1のデバイス表面に力を加え、前記第1のデバイス表面を前記第2のデバイス表面に対して押圧する接合ピストン(102)と、
    前記接合ピストンと前記第1のデバイス表面との間に位置する圧力板(104)と、
    前記接合ピストンが前記圧力板を介して前記第1のデバイス表面に加える前記力が、最初に前記第1のデバイス表面の1つ又は複数の第1の位置に加わり、続いて前記第1のデバイス表面の1つ又は複数の第2の位置に加わることを確実にする機構(106、110)とを備えることを特徴とする製造ツール。
  2. 前記機構は、
    前記圧力板と前記第1のデバイス表面との間に位置し、平面ではない輪郭の付いたインサート(106)と、
    前記圧力板内に配置され、前記輪郭の付いたインサートの対応する孔内で移動可能である1つ又は複数のばね付勢式の押圧要素(110)とを備え、
    前記ばね付勢式の押圧要素は前記第1の表面の前記第1の位置と最初に接触し、前記第1のデバイス表面の前記第1の位置に最初に前記力が加えられ、
    前記輪郭の付いたインサートは輪郭を有することによって、前記輪郭の付いたインサートが前記第1のデバイス表面の第2の位置に次いで接触し、そして前記力が続いて前記第1のデバイス表面の前記第2の位置に加わることを特徴とする請求項1に記載の製造ツール。
  3. 前記機構は、前記圧力板と前記第1のデバイス表面との間に位置する輪郭の付いたインサート(106)を備え、
    前記輪郭の付いたインサートは平面ではなく、且つ輪郭を有することによって、前記輪郭の付いたインサートが前記第1のデバイス表面の前記第2の位置と次に接触し、そして前記力が続いて前記第1のデバイス表面の前記第2の位置に加わることを特徴とする請求項1に記載の製造ツール。
  4. 前記機構は、前記圧力板内に配置される1つ又は複数のばね付勢式の押圧要素(110)を備え、
    前記ばね付勢式の押圧要素は前記第1の表面の前記第1の位置とまず接触し、前記第1のデバイス表面の前記第1の位置に最初に前記力が加わることを特徴とする請求項1に記載の製造ツール。
  5. 前記力が最初に加わる前記第1のデバイス表面の前記第1の位置は、前記第1のデバイス表面の実質的に中間にあることを特徴とする請求項1に記載の製造ツール。
  6. 前記力が最初に加わる前記第1のデバイス表面の前記第1の位置は、前記第1のデバイス表面の実質的に1つ又は複数の外側縁を含むことを特徴とする請求項1に記載の製造ツール。
  7. 前記力が最初に加わる前記第1のデバイス表面の前記第2の位置は、前記第1のデバイス表面の実質的に1つ又は複数の外側縁を含むことを特徴とする請求項1に記載の製造ツール。
  8. 製造ツールによって、第1のデバイス表面に対して力を加え、前記第1のデバイス表面を第2のデバイス表面に対して押圧して前記第1のデバイス表面と前記第2のデバイス表面とを接合する、力を加えることであって、前記第1のデバイス表面及び前記第2のデバイス表面はプラズマ活性されており、前記第1のデバイス表面及び前記第2のデバイス表面のうちの少なくとも一方は平面ではない、力を加えること(306)を含み、
    前記力は、前記第1のデバイス表面の1つ又は複数の第1の位置に最初に加わり、続いて前記第1のデバイス表面の1つ又は複数の第2の位置に加わることを特徴とする方法。
  9. 前記製造ツールによって前記力を加えることは、前記製造ツールの1つ又は複数の垂直に延びているばね付勢式の押圧要素が、前記第1のデバイス表面の前記第1の位置とまず接触して、前記第1のデバイス表面の前記第1の位置に最初に前記力が加わる(308)ことを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
  10. 前記製造ツールによって前記力を加えることは、前記製造ツールの圧力板が取り付けられている前記製造ツールの接合ピストンによって前記第1のデバイス表面の方へ押圧することを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013149725A (ja) * 2012-01-18 2013-08-01 Toshiba Corp 半導体装置の製造システムおよび製造方法
WO2021039427A1 (ja) * 2019-08-30 2021-03-04 東京エレクトロン株式会社 押圧装置、基板処理システム、及び基板処理方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5985136B2 (ja) 2009-03-19 2016-09-06 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
JP5773379B2 (ja) * 2009-03-19 2015-09-02 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
US9299594B2 (en) 2010-07-27 2016-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate bonding system and method of modifying the same
TWI564106B (zh) * 2011-03-28 2017-01-01 山田尖端科技股份有限公司 接合裝置以及接合方法
US8807188B1 (en) 2013-02-13 2014-08-19 HGST Netherlands B.V. Procedure on bonding using mechanically-controlled bonding tool
US11056356B1 (en) * 2017-09-01 2021-07-06 Intel Corporation Fluid viscosity control during wafer bonding
US20240047414A1 (en) * 2019-11-08 2024-02-08 Ev Group E. Thallner Gmbh Device and method for joining substrates

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6271215A (ja) * 1985-09-25 1987-04-01 Toshiba Corp ウエハ接合装置
JPH09283392A (ja) * 1996-04-10 1997-10-31 Seiko Epson Corp 基板の重ね合わせ方法及び装置
JPH10106907A (ja) * 1996-10-01 1998-04-24 Canon Inc 固相接合方法
JP2002064042A (ja) * 2000-08-18 2002-02-28 Toray Eng Co Ltd 実装方法および装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3868291A (en) * 1973-02-16 1975-02-25 Gottlieb Benz Welding tool for forming synthetic-resin packages
US5074944A (en) * 1988-05-27 1991-12-24 Smith & Nephew United, Inc. Method for manufacturing a layered article having a beveled edge
US5273553A (en) * 1989-08-28 1993-12-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for bonding semiconductor substrates
US5324384A (en) * 1992-12-23 1994-06-28 R & S Stanztechnik Gmbh Apparatus for laminating a trim panel and folding a brim around the panel rim
US5567661A (en) * 1993-08-26 1996-10-22 Fujitsu Limited Formation of planarized insulating film by plasma-enhanced CVD of organic silicon compound
JPH08267592A (ja) * 1995-03-31 1996-10-15 Sintokogio Ltd 加飾体貼着装置
EP1018153A1 (en) * 1997-08-29 2000-07-12 Sharon N. Farrens In situ plasma wafer bonding method
JP3858405B2 (ja) 1998-01-05 2006-12-13 セイコーエプソン株式会社 基板の陽極接合方法及び基板の接合装置
GB0111438D0 (en) * 2001-05-10 2001-07-04 Cole Polytechnique Federale De Polymer bonding by means of plasma activation
US6521857B1 (en) * 2001-11-19 2003-02-18 Geomat Insights, Llc Plasma enhanced bonding method and device
US6756560B2 (en) * 2001-11-19 2004-06-29 Geomat Insights, L.L.C. Plasma enhanced circuit component attach method and device
US6521858B1 (en) * 2001-11-19 2003-02-18 Geomat Insights, Llc Plasma enhanced plate bonding method and device
US6912081B2 (en) * 2002-03-12 2005-06-28 Lucent Technologies Inc. Optical micro-electromechanical systems (MEMS) devices and methods of making same
DE10256059B4 (de) 2002-11-30 2009-08-20 Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh Heißprägewerkzeug
JP4440599B2 (ja) * 2002-12-04 2010-03-24 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の貼り合わせ装置
JP2005011649A (ja) 2003-06-18 2005-01-13 Sanyo Electric Co Ltd 接着方法、その接着方法を利用可能なエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、及びエレクトロルミネッセンスパネル
US7645681B2 (en) 2003-12-02 2010-01-12 Bondtech, Inc. Bonding method, device produced by this method, and bonding device
CN1277739C (zh) 2005-01-28 2006-10-04 华中科技大学 微***真空封装装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6271215A (ja) * 1985-09-25 1987-04-01 Toshiba Corp ウエハ接合装置
JPH09283392A (ja) * 1996-04-10 1997-10-31 Seiko Epson Corp 基板の重ね合わせ方法及び装置
JPH10106907A (ja) * 1996-10-01 1998-04-24 Canon Inc 固相接合方法
JP2002064042A (ja) * 2000-08-18 2002-02-28 Toray Eng Co Ltd 実装方法および装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013149725A (ja) * 2012-01-18 2013-08-01 Toshiba Corp 半導体装置の製造システムおよび製造方法
WO2021039427A1 (ja) * 2019-08-30 2021-03-04 東京エレクトロン株式会社 押圧装置、基板処理システム、及び基板処理方法

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