JP2009535814A - ドーズ均一性の補正技術 - Google Patents
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- 238000012937 correction Methods 0.000 title description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 36
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 103
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 78
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20221—Translation
- H01J2237/20228—Mechanical X-Y scanning
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
- H01J2237/30483—Scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31703—Dosimetry
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
Description
本発明は、主に、イオン注入装置に関するものであり、より具体的には、対象材料の不均一イオン注入を軽減することに関するものである。
イオン注入装置は、集積回路の製造において、ドーパントまたは不純物によって半導体基板をドーピングするために用いられる装置である。この装置では、ドーパント物質がイオン化し、イオンビームが生成される。1種又は2種以上のドーパント元素をウエハに注入するために、該ビームを半導体のウエハ又は半導体材料の表面に向ける。ビーム中のイオンは、例えば、ウエハ内のトランジスタの製造において、目的とする伝導率領域を生成するためにウエハの表面を透過する。標準的なイオン注入装置は、イオンビームを発生させるためのイオン源、磁界によって該ビーム内のイオンを方向づける、及び/又は選別する(例えば、質量分解等)ための質量分析装置を含むビームライン集合部(beamline assembly)、ならびにイオンビームが注入される1つ又は2つ以上の半導体ウエハ又は半導体材料を収容しているチャンバーを含む。
本発明に係るいくつかの形態の基本的な理解を提供するために、本発明を簡略化した要約を以下に示す。本要約は、本発明の広範囲に及ぶ概要ではない。本発明の主要な要素又は重要な要素を特定するものではなく、本発明の範囲を線引きするものでもない。どちらかと言うとその主な目的は、より具体的な詳細、すなわち後述する詳細に対する前置きとして簡略化した形によって、本発明の1つ以上の概念を示すにすぎない。
図1は、格子構造の一部を例示する斜視図であり、この図において格子構造へ向けられるイオンビームは、格子構造の平面と略平行である。
本発明に係る1つ又は2つ以上の態様について、図を参照して説明する。この図において、同じ部材番号はすべて同じ構成部材であるとみなすために主に使用される。また、この図の様々な構成部材は、必ずしも縮尺比通りではない。説明の便宜のため、多くの具体的な詳細は、本発明に係る1つ又は2つ以上の態様の十分な理解を提供するために記載されている。また一方、本発明に係る1つ又は2つ以上の態様は、これら具体的な詳細に足らない説明によっても実施することができることは、当業者に明らかであろう。別の場合には、本発明に係る1つ又は2つ以上の態様を容易に示すために作成したブロック図において、周知の構造及び周知の装置を示す。
Claims (20)
- 振子型のイオン注入装置において、半導体材料中の不均一イオン注入を軽減する方法であって、
イオンビームの前方で、第1の弓状走査軌道に沿って上記半導体材料を振動させる工程と、
第2の走査軌道に沿って上記半導体材料を移動させる工程とを包含し、
第2の走査軌道に沿った移動は、上記半導体材料中の上記不均一イオン注入を軽減するために、動的調節されることを特徴とする方法。 - 第2の走査軌道に沿った上記半導体材料のための動的調節は、不均一イオン注入関数によって行なうことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入を測定する工程をさらに包含することを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 第2の走査軌道に沿った上記半導体材料の元の移動又は目的とする移動を調節するために、第2の走査軌道に沿った上記半導体材料の元の移動又は目的とする移動を、不均一イオン注入に対応する関数で除する工程をさらに包含することを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程をさらに包含することを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程では、曲線の調整方法を実施することを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程では、上記半導体材料の全体に及ぶイオンドーズの座標を作成することを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程では、曲線の調整方法を実施することを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程では、測定部材を上記半導体材料の代わりに使用することを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程では、イオン注入をモデル化(modeling)することを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 上記イオン注入は、上記イオンビームに対する上記半導体材料の方向性、上記半導体材料の角振動数、フォトレジストが発生させるガス、ビーム電流の変動、圧力の変動、及び第1の弓状走査軌道に沿った移動における誤差のうち、少なくとも1つに基づいてモデル化されることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 振子型のイオン注入装置において、半導体材料中の不均一イオン注入を軽減する方法であって、
イオン注入データを取得する工程と、
上記イオン注入データを使用して、上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程と、
第1の弓状走査軌道に沿って上記半導体材料を動かすこと、及び弓状ではない第2の走査軌道に沿って上記半導体材料を動かすことによって、イオンビームを通る上記半導体材料の移動を制御する工程とを包含しており、
第2の走査軌道に沿った移動は、上記不均一イオン注入を軽減するために、第2の走査軌道に沿った上記半導体材料の元の移動又は目的とする移動を上記不均一イオン注入に対応する関数で除することによって調節されることを特徴とする方法。 - 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程では、曲線の調整法を実施することを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程では、上記半導体材料の全体に及ぶイオンドーズの座標を作成することを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程では、曲線の調整法を実施することを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 上記半導体材料の代わりに測定部材を用いることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 上記イオン注入データは、モデル化を経て得られることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 上記モデル化は、上記イオンビームに対する上記半導体材料の方向性、上記半導体材料の角振動数、フォトレジストが発生させるガス、ビーム電流の変動、圧力の変動、及び第1の弓状走査軌道に沿った移動における誤差のうち、少なくとも1つを考慮することを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 上記イオン注入データは複数の上記不均一イオン注入に対応するデータを含んでおり、
上記不均一イオン注入に対応する複数の不均一注入関数を測定する工程と、
上記不均一イオン注入を軽減するために、第2の走査軌道に沿った上記半導体材料の元の移動又は目的とする移動を、上記不均一イオン注入に対応する関数によって除する工程とをさらに包含することを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 上記不均一イオン注入は、第1の弓状走査軌道に沿った移動に対応することを特徴とする請求項19に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US79497506P | 2006-04-26 | 2006-04-26 | |
US60/794,975 | 2006-04-26 | ||
PCT/US2007/009257 WO2007127084A1 (en) | 2006-04-26 | 2007-04-13 | Dose uniformity correction technique |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009535814A true JP2009535814A (ja) | 2009-10-01 |
JP2009535814A5 JP2009535814A5 (ja) | 2013-03-14 |
JP5231395B2 JP5231395B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=38445799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009507717A Active JP5231395B2 (ja) | 2006-04-26 | 2007-04-13 | ドーズ均一性の補正技術 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7692164B2 (ja) |
JP (1) | JP5231395B2 (ja) |
KR (1) | KR101353011B1 (ja) |
TW (1) | TWI435378B (ja) |
WO (1) | WO2007127084A1 (ja) |
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- 2007-04-12 TW TW096112834A patent/TWI435378B/zh active
- 2007-04-13 KR KR1020087028941A patent/KR101353011B1/ko active IP Right Grant
- 2007-04-13 JP JP2009507717A patent/JP5231395B2/ja active Active
- 2007-04-13 WO PCT/US2007/009257 patent/WO2007127084A1/en active Application Filing
- 2007-04-24 US US11/739,314 patent/US7692164B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007127084A1 (en) | 2007-11-08 |
US7692164B2 (en) | 2010-04-06 |
JP5231395B2 (ja) | 2013-07-10 |
TW200746271A (en) | 2007-12-16 |
US20080067438A1 (en) | 2008-03-20 |
TWI435378B (zh) | 2014-04-21 |
KR20090010081A (ko) | 2009-01-28 |
KR101353011B1 (ko) | 2014-01-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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