JP2009522120A - 犠牲厚膜法による多層マイクロコンポーネントの作製 - Google Patents
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Abstract
インクPの1以上の膜と、インクMの1以上の膜を基板上に成膜し、それぞれの膜は、マイクロコンポーネントの構造に従って選択される所定のパターン内に成膜され、インクPとインクMのそれぞれの膜は、次の膜の成膜前に少なくとも部分的に固化され、それらの成膜後に、それらを材料Mの膜に変換するために部分的に固化されたインクMの膜の完全固化が達成され、インクPのそれぞれの膜の材料を完全に、または、部分的に除去することから、この方法は成る。インクPは、無機充填剤を含む熱硬化性樹脂、または、無機充填剤と有機結合剤とを備える混合物から成る。インクMは、材料Mの無機材料前駆体と有機結合剤とから成る。そのインクは、流し込み、または、押し出し成型によって成膜される。
Description
関連している様々な経済的産業分野は、特に、自動車、宇宙、航空、ホームオートメーション、健康、生物学、化学、農業食品産業、そして環境である。これらのコンポーネントは、所望の用途に従って、様々な形状を持つことができ、様々な材料から成ることができる。それらは、一般的にMEMS(MicroElectroMechanicalSystems)と呼ばれるマイクロシステムに使用される。市販されているMEMSのなかで、特に、例えば化学分析のために設けられる、マイクロセンサ(慣性、圧力、化学)、マイクロアクチュエータ(マイクロバルブ、マイクロリレー、マイクロポンプ)、そして、マイクロシステムについて言及することができる。MEMSは、一般的に、電子工学的制御や処理に関連した、移動可能な部分、センサ、そして/または、アクチュエータを備える。
単層、そして/又は、多層のマイクロコンポーネントの作製のための、例えば、プロトタイピング技術(インクジェット、押し出し成形、マイクロステレオリソグラフィ)などの直接的方法を用いる方法も知られている。しかしながら、これらの技術は、コンポーネントの全体的な製造には適していない。
G. Stecher, R. Bosch (“Free supporting structures in thick film technology: a substrate integrated sensor” Stuttgart, 1987, Proc. 8th European Microelectronics Conf. p.421-427) は、基盤の領域上にスクリーン印刷によって炭素を含んだ材料からなる一時的な膜を成膜し、それから、炭素を含んだ材料によってカバーされていない基板の領域上と、その材料の一時的な膜上とにアクティブなセラミック又はプラスチック膜を成膜し、最終的にその一時的な膜を破壊することに本質がある、マイクロコンポーネントを作製する方法について説明している。炭素を含んだ材料の一時的な膜としての使用は、様々な欠点を有する。その活物質は、(例えばセラミックの場合など)その硬化のため特定の温度で取り扱わねばならないとき、活性な膜の硬化の前に、一時的な膜の劣化を避けるため不活性雰囲気(窒素やアルゴン)内で作業する必要がある。更に、この雰囲気下では、不安定な多数の材料の製造のためには、この雰囲気は、禁制であるかもしれない。
G. Stecher, R. Bosch著、「Free supporting structures in thick film technology: a substrate integrated sensor」、Proc. 8th European Microelectronics Conf、1987、p.421-427
1)基板上にインクPの1以上の膜を成膜し、インクMの1以上の膜のそれぞれは、マイクロコンポーネントの構造に従って選択された所定のパターンで成膜され、インクPのそれぞれの膜とインクMのそれぞれの膜とは、次の膜の成膜の前に少なくともある程度は固化される。
2)インクMの膜を材料Mの膜に変化させるために、それらの成膜の後、部分的に固化されたインクMの膜の完全な固化を生じさせる。
3)インクPのそれぞれの膜の材料を完全に、または部分的に剥離する。
・インクPは、無機充填剤、又は、無機充填剤と有機結合材を含んだ混合物を有する熱硬化性の樹脂から成る。
・インクMは、材料Mの無機材料前駆体と有機結合材とから成る。
・インクPとインクMとは、流し込み、又は、押し出し成形によって成膜される。
・アルカリ金属またはアルカリ土類金属塩化物、アルカリ金属またはアルカリ土類金属硝酸塩、アルカリ金属またはアルカリ土類金属窒化物、アルカリ金属またはアルカリ土類金属水酸化物、アルカリ金属またはアルカリ土類金属炭酸塩、アルカリ金属またはアルカリ土類金属硫酸塩、アルカリ金属またはアルカリ土類金属リン酸塩、アルカリ金属またはアルカリ土類金属フッ化物、そして、アルカリ金属またはアルカリ土類金属ホウ化物;
・金属(例えば、Ag,Cu,Au,Fe,Ni,Ti,Sn)粉末、ガラス粉末、そして、セラミック粉末、有機金属前駆体化合物の粉末;
・酸化物(例えば、Al2O3,ZrO2,TiO2そしてY2O3)、窒化物(例えば、BN,TaN,TiNそしてSi3N4)、炭化物(例えば、TaC,TiCそしてWC)。
インクPが、熱硬化性の樹脂を含むとき、樹脂の重合によって、温度120℃から220℃の間で、20分から2時間の間に部分的な固化が達成される。
インクPが有機ビヒクルを含むとき、温度120℃から150℃の間で、10分から20分の間のオーブンによる処理によって、部分的な固化が達成され、完全な固化は、500℃から1200℃の間の加熱によって達成される。
粘度は、好ましくは100から2000Pa.sの間である。
・基板上に成膜された第1の膜は、インクP1から成膜される。
・第2の膜は、インクP1の膜によって完全に支持されるパターンでインクM1から成膜される。
・対象上に成膜された第1の膜は、インクP1から成膜される。
・インクMから成膜されるそれぞれの一連の膜は、インクP1の膜と、インクPから成膜される任意の他の膜と、によって完全に支持されるパターン内に成膜される。
分離した領域(例えば、いくつかの島)から成るパターン内へのインクMの膜の成膜は、基板面と垂直ないくつかのパッドの形を成す材料Mの膜を得るための分離した領域から成るパターンを形成するインクMの膜を与える。
インクMの膜が成膜されるパターンと一致したパターンは、前記インクMの膜の前に成膜されたインクPの膜の形状によって境界とされるかもしれない。
ブリッジタイプのエレメントは、パッドそして/または膜を支持する壁の組み合わせとして考えられ、膜の下は自由空間と隣接する。
・第1ステップの間、インクP1の膜は、この最初の基板上の前記自由空間に相当するパターンMo1内に成膜される。
・第2のステップの間、インクM1の膜は、基板1と膜P1の上であって、基板表面の一部を覆ったパターンMo1をはみ出したパターンMo2内に成膜される。
・第3のステップの間、膜P1は、完全に除去され、材料M1の2つのパッド上に置かれている材料M1の膜から成るマイクロコンポーネントが得られる。
・第1のステップの間、インクP1の膜は、最初の基板上に長方形のパターンMo1で成膜され、パターンMo1の全長に対応する辺はLpで示され、幅に対応する辺はlpで示される。
・第2のステップの間、インクM1の膜は、基板上に長方形のパターンMo2で成膜され、パターンMo2の全長はLmで示され、幅はlmで示される。インクM1の膜は、それから、以下の条件で完全に固化する。
・・Lpとlmは、互いに平行である。
・・lpとLmは、互いに平行である。
・・Lp≧lm
・・Lm>lp
・・パターンMo1とパターンMo2とは、共通の中心領域を有する。
・第3のステップの間、膜P1は、完全に除去され、材料M1の2つのパッド上に置かれている材料M1の膜から成るマイクロコンポーネントが得られる。
・第1のステップの間、インクP1の膜は、この最初の基板上の前記自由空間に対応するパターンMo1内に成膜される。
・第2のステップの間、インクM1の膜は、基板上の2つの離れた領域を備えるパターンMo2内に成膜される。前記離れた領域のそれぞれは、その周囲の一部でインクP1の膜に隣接し、インクM1の膜は、それから、少なくとも部分的に固化する。
・第3のステップの間、インクM2の膜は、パターンMo3内に成膜され、そのパターンMo3は、はみ出すことなくインクM1の2つの領域とインクP1の膜の表面の少なくとも一部との表面を覆い、インクM1の膜とインクM2の膜は、完全に固化する。
・ステップ4の間、膜P1は、完全に除去され、材料M1の2つのパッド上に置かれている材料M2の膜から成るマイクロコンポーネントが得られる。
・第1のステップの間、インクP1の膜は、最初の基板上の長方形のパターンMo1内に成膜され、パターンMo1の全長に対応する辺はLpで示され、幅に対応する辺はlpで示される。
・第2のステップの間、インクM1の膜は、基板上に2つの離れた領域を備えたパターンMo2内に成膜され、M1の膜は、以下の条件を満たすことによって少なくとも部分的に固化する。
・・前記離れた領域のそれぞれは、インクP1の膜の全長Lpの1つに隣接する。
・第3のステップの間、インクM2の膜は、長方形のパターンMo3内に成膜され、そのパターンMo3は、はみ出ることなくインクP1の膜の表面とインクM1の2つの領域の表面とを覆い、インクM1の膜と、インクM2の膜とは、完全に固化する。
・第4のステップの間、膜P1は、完全に除去され、材料M1の2つのパッド上に置かれた材料M2の膜から成るマイクロコンポーネントが得られる。
第1の実施例によれば、膜を支持する土手を備えた梁構造は、以下の用件を備えた本発明と一致した方法によって作製される。
・第1のステップの間、インクP1の膜は、パターンMo1内の最初の基板上に成膜される。
・第2のステップの間、インクM1の膜は、膜P1と基板との上のパターンMo2内に成膜され、そのパターンMo2の一部は部分的にパターンMo1で覆われ、インクM1の膜は、それから完全に固化する。
・第3のステップの間、膜P1は、完全に除去され、材料M1の土手上に置かれた材料M1の膜から成るマイクロコンポーネントが得られる。
・第1のステップの間、インクP1の膜は、最初の基板上の長方形のパターンMo1内に成膜され、そのパターンの全長に対応する辺はLpによって示され、幅に対応する辺はlpによって示される。第2のステップの間、インクM1の膜は、基板上と膜P1上の長方形のパターンMo2内に成膜され、そのパターンの全長に対応する辺はLmで示され、幅に対応する辺は、lmで示される。インクM1の膜は、それから以下の条件で完全に固化する。
・・Lpとlmとは、お互いに平行である。
・・lpとLmとは、互いに平行である。
・・Lp≧lm
・・そのパターンの相対的な位置は、以下の通りである。即ち、辺lmの一つは、長方形のパターン内に含まれ、その長方形のパターンは、辺Lp、lpによって隣接されており、他の辺lmは、前記パターンの外側にある。
・第3のステップの間、膜P1は、完全に除去され、材料M1の土手上に置かれた材料M1の膜から成るマイクロコンポーネントが得られる。
・第1のステップの間、インクP1の膜は、最初の基板上のパターンMo1内に成膜される。
・第2のステップの間、インクM1の膜は、基板上の、その周辺の一部がパターンMo1に隣接したパターンMo2内に成膜され、インクM1の膜は、それから少なくとも部分的に固化する。
・第3のステップの間、インクM2の膜は、インクM1の膜の表面とP1の膜の表面の一部とをはみ出すことなく覆うパターンMo3内に成膜され、インクM1の膜とインクM2の膜とは、完全に固化する。
・第4のステップの間、膜P1は、完全に除去され、材料M1の土手上に置かれた材料M2の膜から成るマイクロコンポーネントが得られる。
・第1のステップの間、インクP1の膜は、最初の基板上の長方形のパターンMo1内に成膜され、そのパターンの全長に対応する辺は、Lpで示され、幅に対応する辺は、lpで示される。
・第2のステップの間、インクM1の膜は、基板上の長方形のパターンMo2内に成膜され、そのパターンの全長に対応する辺は、Lmで示され、幅に対応する辺は、lmで示される。インクM1の膜は、以下の条件を満たしたとき少なくとも部分的に固化する。
・・Lpとlmとは、互いに平行である。
・・lpとLmとは、互いに平行である。
・・Lp≧lm
・・辺lmの一つは、辺Lpの一つに隣接し、他の辺lmは、パターン(Lp, lp)の外側にある。
・第3のステップの間、インクM2の膜は、長方形のパターンMo3内に成膜され、そのパターンは、インクM1の膜の表面とP1の膜の表面の一部とをはみ出すことなく覆い、インクM1の膜とインクM2の膜は完全に固化する。
・第4のステップの間、膜P1は、完全に除去され、材料M1の土手の上に置かれている材料M2の膜から成るマイクロコンポーネントが得られる。
類似した方法は、その端部ではなく中央部分で材料M1の土手によって支持される材料M2の膜を得るために役立つ。
・第1のステップの間、インクP1の膜は、最初の基板上の2つの離れた領域を備えるパターンMo1内に成膜される。
・第2のステップの間、インクM1の膜は、基板と膜P1上のパターンMo1のそれぞれの領域の一部を部分的に覆うパターンMo2内に成膜される。
・第3のステップの間、膜P1は、完全に除去され、材料M1の土手上に置かれている材料M2の膜から成るマイクロコンポーネントが得られる。
・第1のステップの間、インクP1の膜は、最初の基板上のMo1のパターン内に成膜され、そのパターンは、2つの同一の長方形を備え、その長方形の全長に対応する辺は、Lpによって示され、幅に対応する辺は、lpによって示される。2つの長方形Lp、lpは、それら自身が一つの長方形の中に内接している。
・第2の間、インクM1の膜は、膜P1の2つの領域の間の基板の一部の上と膜P1の上の長方形のパターンMo2内に成膜され、そのパターンの全長に対応する辺は、Lmで示され、幅に対応する辺は、lmで示される。インクM1の膜は、以下の条件を満たすと少なくとも部分的に固化する。
・・Lpとlmとは、互いに平行である。
・・lpとLmとは、互いに平行である。
・・Lp≧lm
・・辺lmの一つは、長方形Lp、lpの一つの内部に包み込まれ、他の辺lmは、他の長方形Lp、lp内に包み込まれる。
・第3のステップの間、膜P1は、完全に除去され、材料M1の土手上に置かれた材料M2の膜から成るマイクロコンポーネントが得られる。
− 第1のステップの間、インクP1は、梁のエレメントの構造を支持するために基板上の領域1上に成膜される。
− 第2のステップの間、インクP2は、前記基板上の領域1から離れた領域2上に成膜され、ブリッジの上部の壁を支持する。
− 第3のステップの間、インクM1の膜は、ブリッジの形成のために図2aと2bとを参照して述べられたパターン内に成膜され、前記膜は、少なくとも部分的に固化する。
− 第4のステップの間、インクP1の膜は、インクM1の膜上に成膜され、膜M1の端部は、第1のステップの間に成膜されたインクP1の膜と接触している。
− 第5のステップの間、インクM2の膜は、梁の形成のため図4aと4bとを参照して述べられたパターン内に成膜され、その膜M1とM2とは、完全に固化する。
− 第6のステップの間、膜P1は、除去される。
− 連続線によって隣接される最も大きい長方形の領域は、マイクロコンポーネントが構成された基板を表す。
− 灰色の領域は、かごの低い壁と高い壁とをそれぞれ形成することを意図されたインクM1とM4とが成膜されたパターンを示す。
− その灰色の領域の外側の輪郭線と点線・・・・とによって隣接されたその2つの離れた領域は、かごの側壁を形成することを意図されたインクM2が成膜されたパターンに対応する。
− 線−・−・−によって隣接される長方形の領域は、その場合の内側の遊離型の物を形成することを意図されたインクM3が成膜されたパターンに対応する。
− 線・・・・によって隣接される領域は、インクP1とP2とが成膜された領域を示す。
− 第1のステップの間、インクM1は、基板上のかごの底に対応するパターン内に成膜され、膜M1は、完全に固化する。
− 第2のステップの間、インクP1は、かごの中心の空の空間の底に対応するパターン内に成膜される。
− 第3のステップの間、インクM2は、かごの側壁に対応するパターン内のインクP1の膜の周りに成膜される。
− 第4のステップの間、インクM3は、インクP1を支持する領域上の、遊離型のエレメントに対応するパターン内に成膜される。
− 第5のステップの間、インクP2は、インクP1のパターンに対応するパターン内に成膜される。
− 第6のステップの間、インクM4は、インクM1のパターンに似たパターン内に成膜される。
− 第7のステップの間、インクP1とP2とは、完全に除去される。
膜M2からM4のそれぞれは、次の膜の成膜前に少なくとも部分的に固化し、インクP1とP2の除去の前に完全な固化が完了するという了解の下で上記ステップが行われる。
遊離型エレメントを含むかごの作製のために、インクP1とP2とは、インクM1からM4と同様に、明らかに同一かまたは異なっていて良い。
そのトランスは、電極(2、3、4)が転写されたアルミナ基板(1)と、メタライズされ好ましくは2つの方向に偏らされた圧電セラミック(5)から成る振動子とを備えている。
抵抗器は、2つの接着領域(11、12)によって基板(13)に接合されているフィラメント(10)を備える。
本発明の方法によって得られる抵抗器は、それらの支持体から部分的に取り外され、以下をもたらす。
・電力消費の低減(特にセンサーとマイクロリアクター内で)
・抵抗器の加熱による基板に加わる熱機械応力の低減(ヒューズ、抵抗−温度センサーのネットワーク、ガスセンサー、マイクロリアクター、マイクロポンプに特に有利な性質)
・熱慣性の低減。これは、センサーと脱ガスのために特に有利である。
図12bは、図12aのA−A断面図で本発明のステップを表している。
・材料Pの膜は、ステップ(1)の間基板上に成膜され、前記膜は、固化される;
・ステップ(2)の間、材料M1の膜は、膜Pに並んで、アクチュエータの領域3と4の下のパッドに対応する2つの領域の形に成膜され、前記膜M1は、部分的に固化される;
・ステップ(3)の間、材料M’1は、図12aと12bとに示されるパターンに従って成膜され、完全な固化が成し遂げられる;
・ステップ(4)の間、材料Pは、H3PO4水溶液(1mol/L)中に短時間浸漬(1分未満)することによって除去される。
テスト1: ESLによって商品名Ag9912-Aで販売される銀含有膜;
テスト2: ESLによって商品名Ag9912-A NBで販売される銀含有膜;
テスト3: デュポンによって商品名QP153で販売される銅含有インク;
テスト4: CERACによって銅粉末から得られる銅インクと、ESLによってリファレンス400として販売される有機ビヒクル。
アクチュエータのアームの膨張の効果が観察された。電流がアクチュエータのアームに入れられたとき、組み込まれたバーニヤを備える光学顕微鏡(20倍)のスクリーン上で基板と平行に水平方向の移動が観察された。精度は、約±3μmである。
発熱抵抗器
発熱抵抗器の作製
図13aで示されるように抵抗器が作製された。
図13aは、平面図で様々な方法のステップを示している。
図13bは、図13aのA−A断面図で方法のステップを示している。
・基板上において、ステップ(1)の間、材料Pの膜は成膜され、前記膜は、例1で示される条件で固化される;
・ステップ(2)の間、材料M1の膜は、膜P同じ側に、膜Pに並んで抵抗器の領域11と12(図11a)の下のパッドに対応する2つの領域の形に成膜され、前記膜M1は、例1のテスト2で示される条件で部分的に固化される;
・ステップ(3)の間、インクM’1の膜は、フィラメントの形を描く、図13aで示されるパターンに従って成膜され、部分的な固化は、例1のテスト2で示される条件で成し遂げられる;
・ステップ(4)の間、インクM2の膜は、インクM’1で使用されたのと同じパターンに従って成膜され、完全な固化は、例1のテスト2で示される条件で成し遂げられる;
・ステップ(5)の間、材料Pは、例1で示される条件で除去される。
・ステップ(2)の間、膜M1の領域は、膜Pの2つの対向する辺に沿って設置される;
・フィラメントを形成するための膜M’1は、膜M1の2つの領域を結合する折れ線に沿って成膜される。
インクP:55%のSrCO3と45%のエポキシ樹脂を含んだインク(重量で);
インクM1、M’1:ESLによって商品名Ag9912−Aで販売される銀含有インク;
インクM2:ESLによってリファレンス5544で販売されるプラチナ含有インク。
得られた抵抗器の性能がテストされた。キャリブレーションの後、その抵抗器は、定電流源に接続され、室温と融点に近い温度との間の温度に達することを要求される電力注入が決定された。
マイクロチャネルの作製
図14aと14bとに概略的に示されるようなプロセスによってマイクロチャネルが作製された。図14aは、平面図を示し、図14bは図14aのステップ(3)のA−A断面図を示す。
・インクPは、ステップ(1)の間に基板上に成膜され、その膜は、例1と同じ条件で固化される;
・ステップ(2)の間、インクPの膜の2つの対向する辺に沿って、所望のマイクロチャネルの側壁に対応する2つの領域の形でインクM1の膜は成膜され、前記M1の膜は、部分的に固化される;
・ステップ(3)の間、マイクロチャネルの上板を形成するインクPの膜は、膜Pと膜M1との上に成膜され、インク膜M’1は、マイクロチャネルの上板を形成し、完全な固化が成し遂げられる;
・ステップ(4)の間、材料Pは、例1に示される条件で除去される。
インクP:SrCO3を55%とエポキシ樹脂を45%含んだインク(重量で);
インクM1、M’1:ESLによってリファレンス4702で販売される誘電性インク。ステップ2の部分的な固化は、125℃20分間の加熱によってもたらされる。ステップ3の完全な固化は、最大温度870℃までの温度上昇22分間、16分間保持、後に続く温度下降22分間を備えた1時間の温度処理によってもたらされた。
インクP:SrCO3を55%とエポキシ樹脂を45%含んだインク(重量で);
インクM1:ESLによって商品名Ag9912−Aで販売されている銀インク。ステップ2の部分的な固化とステップ3の完全な固化は、例1のテスト1に示された条件で達成された。
圧電トランスの組み立て
提案された方法は、図9に概略的に示されるように圧電トランスの組み立てのために使用される。
そのプロセスは、図16aと16bに概略的に示す。図16aは、その方法のステップの平面図を示し、図16bは、図16aのステップ5のA−A断面図を示す。
・ステップ(1)の間、インクPは、あらかじめ処理されたアルミナ基板上の4つのパッドの形で成膜され、例1に示される条件で固化が成し遂げられる;
・ステップ(2)の間、インクM1は、図9のバッグ8を形成するようにデザインされた島状のパターンに一致して成膜され、部分的な固化が成し遂げられる;
・ステップ(3)の間、電極9、10、そして11を備えたメタライズされたセラミックプレートは、正確な目印に沿って材料Pの4つのパッド上と、あらかじめ成膜されたインクM1の土手8上とに成膜され、部分的な固化が成し遂げられる;
・ステップ(4)の間、インクM1の膜と、電気伝導性のワイヤとともに、セラミック基板の電極は、それら圧電性セラミックに接続され、完全な固化が成し遂げられる;
・ステップ(5)の間、材料Pは、例1に示された条件で完全に除去される。
使用されるインクは、以下の通りである:
インクP:SrCO3を55%とエポキシ樹脂を45%含んだインク(重量で);
インクM1:ESLによって商品名8836で販売される金含有インク。
浮かされた圧電性のコンポーネント
コンポーネントの作製
所望の圧電性コンポーネントは、図17a(平面図)と17b(断面図)とに概略的に示される。
図18は、平面図でその方法の様々なステップを表す。図は、その方法のステップ番号を示す。
図19は、図18のA−A断面図でその方法のステップを表している。
図20aは、圧電性コンポーネントの写真を示す。図20bと、20cとは、それぞれ図18のAAとBBのSEM断面像を示す。
・インクPの膜はステップ1の間に基板上に成膜され、その膜は、固化される;
・ステップ2で、インクM1の膜は、圧電性コンポーネント(図17aと17bで示される)の領域1と2の下のパッドに対応する2つの領域の形で膜Pの両サイドに成膜され、前記膜M1は、部分的に固化される;
・ステップ3で、インクM’1の膜は、図18に示されるパターンに従って成膜され、下部の電極の形状を描き、部分的な固化が成し遂げられる;
・ステップ4で、インクM2の膜は、インクM’1のために使用されるのと同じパターンに従って成膜され、部分的な固化が成し遂げられる;
・ステップ5で、インクP’の膜は、図18に示されるパターンに従って成膜され(インクP’のこの膜は、2つの電極M’1とM”1を絶縁するのに役立つ)、前記膜は、固化される;
・ステップ6で、インクM”1の膜は、図18に示されるパターンに従って成膜され(この膜は、電極M’1とM”1の間のショートを避けるための膜M2のパターン内に含まれなければならない)、上部の電極の形状を描き、完全な固化が成し遂げられる;
・ステップ7で、材料Pは、H3PO4水溶液(1mol/L)内にサンプル全体を浸漬することによって、それが完全に消えるまで除去される。
インクP、P:SrCO3を55%とエポキシ樹脂を45%含んだインク(重量で);
インクM1、M’1、M”1:ESLによって商品名Au8836で販売されている金含有インク;
インクM2:ESLによって供給された有機バインダーESL400を24重量%と、96重量%PbZr0.5Ti0.5O3(PZT50/50)及び4重量%共晶PbO/PbF2から成る粉末を76重量%とを含んだ研究室で作製された圧電物質。
それぞれの作製において、第1と第5ステップのインクPとP’の固化と、ステップ2、3、4の部分的な固化とは、それぞれ125℃25分間で達成される。
上記方法によって得られ、3mm×3mm×0.08mmの寸法を有する浮かされた圧電性コンポーネントの性能が評価された。圧電性コンポーネントは、150V、210℃で5分間分極し、それから150Vの電圧を保ったまま25℃まで冷却された。周波数の関数としてのコンダクタンスの測定は、3つの共振周波数を明らかにした。周波数の関数としてのコンポーネントのコンダクタンスの変化は、図21に示される。
Claims (39)
- 1以上の膜を備えたマイクロコンポーネントの製造方法において、
それぞれの膜は、金属、合金、ガラス、セラミック、ガラスセラミックから選択される材料Mから成り、
膜Mの少なくとも1つは、平面基板に、その表面の1つの少なくとも1領域によって任意に接合されたものであって、
1)インクPの1以上の膜を基板上に成膜し、インクMの1以上の膜のそれぞれは、マイクロコンポーネントの構造に従って選択された所定のパターン内に成膜され、インクPのそれぞれの膜と、インクMのそれぞれの膜は、次の膜が成膜される前に少なくとも部分的に固化され、
2)インクMの膜を材料Mの膜に変化させるために、それらの成膜後に部分的に固化されたインクMの膜の完全な固化を達成し、
3)インクPのそれぞれの膜の材料を、完全に、または、部分的に除去し、
・インクPは、無機充填剤、または、無機充填剤と有機結合剤とを含む混合物から成り、
・インクMは、材料Mの無機材料前駆体と有機結合材とから成り、
・インクPとインクMとは、流し込み、または、押し出し成形によって成膜される、
マイクロコンポーネントの製造方法。 - インクP、または、インクMが、スクリーン印刷によりもたらされる流し込みによって成膜される請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- 成膜された膜が1μmから1mmの間の厚みを有する請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- 前記膜の厚みが1μmから500μmの間である請求項3に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- インクPの複数の膜と、インクMの複数の膜とから選択される1種類以上の複数の膜の成膜を備え、
使用されるインクPは、同一かそれとも異なっており、
使用されるインクMは、同一かそれとも異なっている、
請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - 前記インクPは、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン、ポリビニルエステル、ポリエステルから選択される熱硬化性樹脂を含む請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- 前記インクPは、
少なくとも1つの一時的結合剤と、
少なくとも1つの溶剤と、
任意の少なくとも1つの化合物であって、ゲル化剤、可塑剤、界面活性剤、潤滑油から選択されるものと、
を含む有機ビヒクルを含む、
請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - 前記一時的結合剤は、エチルセルロース、メタクリル樹脂、メチルメタクリレートから選択される請求項7に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- 前記溶剤が、テルピネオール、または、ブチルカルビトールアセテートである、請求項7に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- インクPの無機材料、または、前記無機充填剤が、
・アルカリ金属またはアルカリ土類金属塩化物、アルカリ金属またはアルカリ土類金属硝酸塩、アルカリ金属またはアルカリ土類金属窒化物、アルカリ金属またはアルカリ土類金属水酸化物、アルカリ金属またはアルカリ土類金属炭酸塩、アルカリ金属またはアルカリ土類金属硫酸塩、アルカリ金属またはアルカリ土類金属リン酸塩、アルカリ金属またはアルカリ土類金属フッ化物、そして、アルカリ金属またはアルカリ土類金属ホウ化物、
・金属粉末、ガラス粉末、セラミック粉末、有機金属前駆体化合物の粉末、
・酸化物、窒化物、炭化物、
から選択される材料の粉末であり、
前記製造方法の最終ステップの間の材料Pの除去は、水中かそれとも酸性媒質中で成し遂げられる、
請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - インクPが、熱硬化性樹脂を含み、
部分的な固化が、20分から2時間の時間の間、120℃から220℃の間の温度による樹脂の重合によってもたらされる、
請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - インクPが、有機ビヒクルを含み、
部分的な固化が、10分から20分の時間の間、120℃から150℃の間の温度でのオーブン処理によってもたらされ、
完全な固化が500℃から1200℃の間での加熱によってもたらされる、
請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - インクMの有機体が、
少なくとも一つの一時的な結合材と、
少なくとも一つの溶剤と、
任意の少なくとも1つの化合物であって、ゲル化剤、可塑剤、界面活性剤、潤滑油から選択されるものと、
を含む、
請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - 一時的な前記有機体が、エチルセルロース、メタクリル樹脂、または、メチルメタクリレートから選択される、請求項13に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- 前記溶剤が、テルピネオール、または、ブチルカルビトールアセテートである、請求項13に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- インクMの前記無機材料前駆体が、金属粉末、ガラス粉末、セラミック粉末、または、有機金属化合物の粉末である、請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- 前記前駆体の無機材料が、誘電性、絶縁性、イオン伝導性、電子伝導性、光学的、または、磁気的性質を有する、請求項16に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- 前記前駆体の無機材料が、銀、銅、プラチナ、または、金である、請求項16に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- インクMが、ガラス、または、反応性酸化物から選択される添加剤を更に含む請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- インクMの膜の部分的な固化が、10分から20分の間、120℃から150℃の温度でオーブン中で熱処理されることによって達成される、請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- インクMの膜の完全な固化が、部分固化のために使用されたのよりも、長時間、高い温度で処理することによって達成される、請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- 完全な固化の熱処理が、15分から1時間の間、600℃から1200℃で達成される、請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- 完全固化のステップが、完全固化の温度より100℃低い温度で数時間行うアニーリングの形で追加のステップを備える、請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- インクM、または、インクPが、100Pa.sから2000Pa.sの粘度を有する、請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- 更なるステップを備え、更なるステップが、
材料Mのあらかじめ構成されたプレートの成膜、
電気化学的方法、化学的方法、PVD法、プラズマ、またはインクジェットによるメタライゼーション、
または、カプセル化をもたらすこと、
にある請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - 前記更なるステップが、
インクPの膜の除去の最終ステップの前または後、または、インクMとインクPのどちらかまたは両方の2つの膜の成膜の間にもたらされる請求項25に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - 材料M1の単層膜から成り、基板から取り外されたマイクロコンポーネントの製造方法であって、
・対象上に成膜された第1の膜は、インクP1から成膜され、
・第2の膜は、インクP1の膜によって完全に支持されるパターン内に、インクM1から成膜される、
請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - 材料Mの単層膜から成り、基板から取り外されたマイクロコンポーネントの製造方法であって、
・対象上に成膜された第1の膜は、インクP1から成膜され、
・インクMから成膜されるそれぞれの一連の膜は、インクP1の膜と、インクPから成膜された任意の他の膜とによって完全に支持されるパターン内に成膜される、
請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - 基板に固定されたマイクロコンポーネントの製造方法であって、
少なくともインクMの一つが成膜されたパターンが、インクの第1の膜が成膜されたパターン内に完全には包囲されていない、
請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - インクMの膜の成膜が、基板面と平行に材料Mの膜を得るために連続平面を形成するパターン内に達成される
請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - インクMの膜の成膜が、基板の平面に垂直なパッドの形をなす材料Mの膜を得るための離れた領域から成るパターン内にもたらされる、請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- インクMの膜の成膜が、基板の面に垂直なパッドの形をなす材料Mの膜を得るためのラインから成るパターン内にもたらされる、請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。
- 膜の下が自由空間に隣接している間、その膜を支持する2つのパッドを備えるマイクロコンポーネントの製造方法であって、
・第1のステップの間、インクP1の膜は、前記自由空間に対応するパターンMo1内の最初の基板上に成膜され、
・第2のステップの間、インクM1の膜は、前記基板上と前記膜P1の上とであって、基板表面の一部を覆ったパターンMo1からはみ出したパターンMo2内に成膜され、
・第3のステップの間、膜P1は、完全に除去され、材料M1の2つのパッド上に置かれている材料M1の膜から成るマイクロコンポーネントが得られる、
請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - 膜の下が自由空間に隣接している間、その膜を支持する2つのパッドを備えるマイクロコンポーネントの製造方法であって、
・第1のステップの間、インクP1の膜は、前記自由空間に対応するパターンMo1内の最初の基板上に成膜され、
・第2のステップの間、インクM1の膜は、基板上の2つの離れた領域を備えるパターンMo2内に成膜され、前記離れた領域のそれぞれは、その周囲の一部でインクP1の膜に隣接し、インクM1の膜は、それから、少なくとも部分的に固化され、
・第3のステップの間、インクM2の膜は、パターンMo3内に成膜され、そのパターンMo3は、はみ出すことなくインクM1の2つの領域の表面とインクP1の膜の表面の少なくとも一部とを覆い、インクM1の膜とインクM2の膜は、完全に固化され、
・第4ステップの間、膜P1は、完全に除去され、材料M1の2つのパッド上に置かれた材料M2の膜から成るマイクロコンポーネントが得られる、
請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - 膜を支持する土手を備えたマイクロコンポーネントの製造方法であって、
・第1のステップの間、インクP1の膜は、パターンMo1内の最初の基板上に成膜され、
・第2のステップの間、インクM1の膜は、その一部がパターンMo1を部分的に覆うパターンMo2内の、基板上と膜P1上に成膜され、インクM1の膜は、それから完全に固化し、
・第3のステップの間、膜P1は、完全に除去され、材料M1の土手上に置かれる材料M1の膜から成るマイクロコンポーネントが得られる、
請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - 膜を支持する土手を備えたマイクロコンポーネントの製造方法であって、
・第1のステップの間、インクP1の膜は、パターンMo1内の最初の基板上に成膜され、
・第2のステップの間、インクM1の膜は、基板上の、その周辺の一部がパターンMo1に隣接したパターンMo2内に成膜され、インクM1の膜は、それから少なくとも部分的に固化し、
・第3のステップの間、インクM2の膜は、インクM1の膜の表面とP1の膜の表面の一部とをはみ出すことなく覆うパターンMo3内に成膜され、インクM1の膜とインクM2の膜とは、完全に固化し、
・第4のステップの間、膜P1は、完全に除去され、材料M1の土手の上に置かれる材料M2の膜から成るマイクロコンポーネントが得られる、
請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - 膜を支持する土手を備えるマイクロコンポーネントの製造方法であって、
・第1のステップの間、インクP1の膜は、2つの離れた領域を備えるパターンMo1内の最初の基板上に成膜され、
・第2のステップの間、インクM1の膜は、パターンMo1のそれぞれの領域の一部を部分的に覆うパターンMo2内の、前記基板上と膜P1上とに成膜され、
・第3のステップの間、膜P1は、完全に除去され、材料M1の土手の上に置かれている材料M2の膜から成るマイクロコンポーネントが得られる、
請求項1に記載のマイクロコンポーネントの製造方法。 - 1μmから500μmの厚みをそれぞれ有する材料Mの1以上の膜からなり、
それぞれの膜の材料Mは、同一または異なっており、金属、合金、ガラス、セラミック、ガラスセラミックから選択されるものである、
請求項1に記載の製造方法により得られたマイクロコンポーネント。 - 熱アクチュエータ、熱抵抗、マイクロチャネル、圧電トランス、浮かされた圧電性コンポーネントを得るための請求項1に記載の応用。
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---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018069440A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 中空構造体の製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7993560B2 (en) * | 2006-04-20 | 2011-08-09 | Curwood, Inc. | Process for introducing an additive into a polymer melt |
EP2333340A1 (fr) * | 2009-12-07 | 2011-06-15 | Debiotech S.A. | Elément flexible pour micro-pompe |
US10062845B1 (en) * | 2016-05-13 | 2018-08-28 | Crossbar, Inc. | Flatness of memory cell surfaces |
US10522754B2 (en) | 2016-06-15 | 2019-12-31 | Crossbar, Inc. | Liner layer for dielectric block layer |
US10749110B1 (en) | 2016-07-15 | 2020-08-18 | Crossbar, Inc. | Memory stack liner comprising dielectric block layer material |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11168248A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Fujitsu Ltd | 圧電素子及びその製造方法 |
JPH11274595A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Hitachi Metals Ltd | 圧電セラミックス、積層型圧電セラミックス振動子およびその製造方法 |
US6738600B1 (en) * | 2000-08-04 | 2004-05-18 | Harris Corporation | Ceramic microelectromechanical structure |
US20040188785A1 (en) * | 2001-11-09 | 2004-09-30 | Cunningham Shawn Jay | Trilayered beam MEMS device and related methods |
JP2004304018A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪膜型素子及び圧電/電歪磁器組成物 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2570223B1 (fr) * | 1984-09-07 | 1986-12-05 | Labo Electronique Physique | Dispositif piezoelectrique et procede de realisation d'un tel dispositif |
CA2204912C (en) * | 1994-11-10 | 2005-01-04 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Liquid distribution system |
US6033544A (en) * | 1996-10-11 | 2000-03-07 | Sarnoff Corporation | Liquid distribution system |
EP1027723B1 (en) * | 1997-10-14 | 2009-06-17 | Patterning Technologies Limited | Method of forming an electric capacitor |
US6232139B1 (en) * | 1999-01-29 | 2001-05-15 | Sandia Corporation | Method of making suspended thin-film semiconductor piezoelectric devices |
DE60030688D1 (de) * | 1999-12-10 | 2006-10-26 | Koninkl Philips Electronics Nv | Elektronische geräte mit mikromechanischen schaltern |
JP2005236337A (ja) * | 2001-05-11 | 2005-09-02 | Ube Ind Ltd | 薄膜音響共振器及びその製造方法 |
WO2002096166A1 (en) * | 2001-05-18 | 2002-11-28 | Corporation For National Research Initiatives | Radio frequency microelectromechanical systems (mems) devices on low-temperature co-fired ceramic (ltcc) substrates |
US6876046B2 (en) * | 2002-02-07 | 2005-04-05 | Superconductor Technologies, Inc. | Stiction alleviation using passivation layer patterning |
KR100646135B1 (ko) * | 2003-07-21 | 2006-11-23 | 쌍신전자통신주식회사 | 실리콘 체적탄성파 소자 및 그 제조방법 |
US6979585B2 (en) * | 2003-10-10 | 2005-12-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-electromechanical system |
KR100661176B1 (ko) * | 2004-12-17 | 2006-12-26 | 삼성전자주식회사 | Mems 스위치 및 그 제조 방법 |
JP4442689B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2010-03-31 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜共振子 |
US7562429B2 (en) * | 2005-06-20 | 2009-07-21 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Suspended device and method of making |
US7741687B2 (en) * | 2006-03-10 | 2010-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microstructure, semiconductor device, and manufacturing method of the microstructure |
US7834524B2 (en) * | 2009-01-30 | 2010-11-16 | Integrated Device Technology, Inc. | Micro-electromechanical devices having variable capacitors therein that compensate for temperature-induced frequency drift in acoustic resonators |
-
2006
- 2006-01-06 FR FR0600124A patent/FR2895986B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-05 ES ES07712639T patent/ES2386572T3/es active Active
- 2007-01-05 EP EP07712639A patent/EP1968885B1/fr not_active Not-in-force
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- 2007-01-05 JP JP2008549042A patent/JP5154444B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11168248A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Fujitsu Ltd | 圧電素子及びその製造方法 |
JPH11274595A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Hitachi Metals Ltd | 圧電セラミックス、積層型圧電セラミックス振動子およびその製造方法 |
US6738600B1 (en) * | 2000-08-04 | 2004-05-18 | Harris Corporation | Ceramic microelectromechanical structure |
US20040188785A1 (en) * | 2001-11-09 | 2004-09-30 | Cunningham Shawn Jay | Trilayered beam MEMS device and related methods |
JP2004304018A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪膜型素子及び圧電/電歪磁器組成物 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN5008022844; S. Pranonsatit et al.: 'Self-assembled screen-printed microwave inductors' ELECTRONICS LETTERS Vol.41, No.23, 20051110, pp.1287-1288 * |
JPN6012008875; F. Menil et al: 'Screen-printed thick-films: From materials to functional devices' Journal of the European Ceramic Society Vol. 25, Issue 12, 200504, pp.2105-2113 * |
Cited By (1)
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