JP2009509045A - 電気めっきによって基材表面を金属でコーティングする方法 - Google Patents
電気めっきによって基材表面を金属でコーティングする方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009509045A JP2009509045A JP2008531757A JP2008531757A JP2009509045A JP 2009509045 A JP2009509045 A JP 2009509045A JP 2008531757 A JP2008531757 A JP 2008531757A JP 2008531757 A JP2008531757 A JP 2008531757A JP 2009509045 A JP2009509045 A JP 2009509045A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- electroplating
- layer
- electroplating bath
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 105
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 title abstract description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 109
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 109
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 108
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 150
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 36
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 32
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- -1 nitrogen-containing heterocyclic compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HWWYDZCSSYKIAD-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylpyridine Chemical compound CC1=CN=CC(C)=C1 HWWYDZCSSYKIAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003139 primary aliphatic amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000005619 secondary aliphatic amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003510 tertiary aliphatic amines Chemical class 0.000 claims description 3
- HKOAFLAGUQUJQG-UHFFFAOYSA-N 2-pyrimidin-2-ylpyrimidine Chemical compound N1=CC=CN=C1C1=NC=CC=N1 HKOAFLAGUQUJQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QLJOSEUOQHDGTQ-UHFFFAOYSA-N 8-hydroxyquinoline-2-sulfonic acid Chemical compound C1=C(S(O)(=O)=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 QLJOSEUOQHDGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 25
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- MKARNSWMMBGSHX-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylaniline Chemical compound CC1=CC(C)=CC(N)=C1 MKARNSWMMBGSHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- YMHQVDAATAEZLO-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,1-diamine Chemical compound NC1(N)CCCCC1 YMHQVDAATAEZLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- JGUQDUKBUKFFRO-CIIODKQPSA-N dimethylglyoxime Chemical compound O/N=C(/C)\C(\C)=N\O JGUQDUKBUKFFRO-CIIODKQPSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 1
- 239000008237 rinsing water Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/18—Electroplating using modulated, pulsed or reversing current
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/627—Electroplating characterised by the visual appearance of the layers, e.g. colour, brightness or mat appearance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
- H01L21/76873—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers for electroplating
Abstract
【解決手段】電気めっき法によって基材表面を銅でコーティングする方法であって、コーティング対象の前記表面に電気的なバイアスをかけることなく、この表面を電気めっき用浴に接触させる工程;前記表面にバイアスをかけている間に、被膜を形成する工程;前記表面に電気的なバイアスをかけながら、前記表面を電気めっき用浴と分離する工程を含み、前記電気めっき用浴は、溶媒中の溶液に、0.4〜40mMの濃度の銅イオン源;ならびに少なくとも1種の銅錯化剤を含むことを特徴とする方法。
【選択図】なし
Description
・絶縁誘電層の堆積;
・上記誘電層における配線パターンのエッチング;
・銅の移動を防ぐために使用される防止層(一般的には、例えばタンタル、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステンまたは炭化タングステンから形成されるもの)の堆積;
・ラインおよび接続ホールを銅で充填;および、
・化学機械研磨によって過剰な銅を除去。
・一方では、少なくとも1種の酸、好ましくは硫酸と、少なくとも1種のハロゲン化物イオン、好ましくは塩化物イオンと、被膜の形成を促進または抑制することができる化学薬品の組み合わせとからなる特定の化学組成の電気めっき用浴を使用すること、および、
・他方では、所定の順序で流される電流の密度を調整すること。
・コーティング対象の上記表面に電気的なバイアスをかけることなく、この表面を電気めっき用浴に接触させる「非通電投入(cold entry)」と称される工程;
・この表面に、被膜の形成に十分な時間バイアスをかけている間に、被膜を形成する工程;および、
・この表面に電気的なバイアスをかけながら、電気めっき用浴と分離する「通電取り出し(hot exit)」と称される工程を含み、
上記電気めっき用浴が、溶媒中の溶液に、
・0.4〜40mM、好ましくは0.4〜18mM、より好ましくは0.4〜15mMの濃度の銅イオン源と;
・1級脂肪族アミン、2級脂肪族アミン、3級脂肪族アミン、芳香族アミン、含窒素複素環化合物およびオキシムを含む群から選択される少なくとも1種の銅錯化剤とを含むことを特徴とする方法である。
−銅/錯化剤のモル比は0.1〜2.5、好ましくは0.3〜1.3であり;かつ、
−組成物のpHが7未満、好ましくは3.5〜6.5である場合に、優れた結果が得られた。
・1級脂肪族アミン、特に、エチルアミン、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミンおよびシクロヘキサンジアミン;
・2級脂肪族アミン、特に、ピロリジン;
・3級脂肪族アミン、特に、ヒドロキシエチルジエチルアミンおよびテトラエチレンペンタミン;
・芳香族アミン、特に、1,2−ジアミノベンゼンおよび3,5−ジメチルアニリン;
・含窒素複素環化合物、特に、ピリジン、2,2’−ビピリジン、8−ヒドロキシキノリンスルホネート、1,10−フェナントロリン、3,5−ジメチルピリジンおよび2,2’−ビピリミジン;および、
・オキシム、特に、ジメチルグリオキシム。
・0.4〜40mM、好ましくは0.4〜18mM、より好ましくは0.4〜15mMの濃度の硫酸銅と;
・銅錯化剤としてピリジンおよび2,2’−ビピリジンの混合物とを含み、
・銅/銅錯化剤のモル比は0.3〜1.3であり;かつ、
・上記組成物のpHが7未満、好ましくは3.5〜6.5である。
この実施例で使用した基材は、厚み400nmのシリカ層で覆われ、このシリカ層が反応性スパッタリングによって堆積された厚み15nmの窒化タンタル(TaN)層で覆われ、かつ同様にスパッタリングによって堆積された厚み10nmのタンタル(Ta)層で覆われた直径200mmのシリコンウェハからなるものであった。
この実施例で使用した電気めっき用溶液は、以下のものを含有する水溶液であった:2,2’−ビピリジン0.3g/L(すなわち1.7mM);CuSO4(H2O)50.6g/L(すなわち2.4mM)、およびピリジン0.3ml/L(すなわち3.3mM)。溶液のpHは約6であった。
この実施例では、マイクロエレクトロニクス産業で使用される代表的な電気めっき堆積装置である、200mmウェハを加工できるSemitool(登録商標)製EquinoxTM モデルを使用した。
本発明の方法は、以下の種々の連続工程を含んでいた。
この工程は2つのサブステップに分かれていた。
次いで、おおよそ0.4mA/cm2〜0.8mA/cm2(例えば、0.6mA/cm2)の単位面積あたりの電流に相当するセル電圧をかけてカソードアセンブリに定電圧モードでバイアスをかけ、同時に20〜60回転/分(例えば、40回転/分)で回転させた。
この工程は2つのサブステップに分かれていてもよい。
上記実験プロトコルを適用すると、優れた一致性、接着性および抵抗性を示す、厚み10nm、20nmおよび40nmの銅層が得られた。
本実施例では、抵抗が高い拡散防止層上に銅シード層を堆積させるために本発明の方法を使用する。
この実施例で使用した基材は、厚み400nmのシリカ層で覆われ、これがALD(原子層堆積)技術によって堆積した厚み5nmの窒化タンタル(TaN)層で覆われた直径200mmのシリコンウェハからなるものであった。
この実施例で使用した電気めっき用溶液は、以下のものを含有する水溶液であった:2,2’−ビピリジン0.3g/l(1.7mM);CuSO4(H2O)5 0.6g/l(2.4mM)およびピリジン0.3ml/l(3.3mM)。溶液pHは約6であった。
この実施例では、上記電気めっき用溶液が100ml入るガラスセルを使用した。
本発明の方法は、以下の種々の連続工程を含んでいた。
この工程は2つの工程に分けることができる。
次いでセルに最大で8V〜12V(例えば10V)、最低で0V〜2V(例えば1V)のパルス状電圧をかけてカソードアセンブリに電圧のバイアスをかけた。
電圧10Vでバイアスをかけた状態でカソードアセンブリをこの溶液から垂直に取り出した。
上記に定義される特定の実施例では、シート抵抗0.5オーム/スクエアの銅シード層が得られた。
本実施例では、本発明の方法を用いて、ルテニウムを主体とする拡散防止層に銅シード層を堆積させた。
この実施例で使用した基材は、厚み400nmのシリカ層で覆われ、これがスパッタリングによって堆積した厚み30nmのルテニウム(Ru)層で覆われた長さ6cm×幅2cmのシリコン片からなる。この基材のシート抵抗は7.5オーム/スクエアであった。
この実施例では実施例1と同じ溶液を使用した。
この実施例では、2つのパーツ、すなわち電気めっき用溶液を入れるためのセルと、種々の電極を操作位置に維持するための「カバー」で構成されるガラス製電解堆積セルを使用した。
・不活性金属(白金)アノード;
・TaN/Ta層でコーティングされたシリコン片(カソードを構成する);および、
・Ag/AgClO4参照電極。
この実施例で使用した電気めっき法は、以下の種々の連続工程で構成されていた。
電気めっき用溶液をセルに注いだ。
2mA(0.25mA/cm2)〜8mA(1mA/cm2)(例えば6mA(0.75mA/cm2))の定電流モードでカソードをバイアスした。
カソードにバイアスをかけたまま、溶液から取り出した。
上記実験プロトコルを適用すると、厚み40nmの連続した一致性の高いの銅層が得られた(走査型電子顕微鏡で観察)。
この実施例では実施例1と同じ基材を使用した。
この実施例で使用した電気めっき用溶液は、クリーンルーム環境(クラス10,000またはISO7)で調製した、以下のものを含有する水溶液(18.2MΩ・cmの脱イオン水の水溶液)であった:Oxkem製2,2’−ビピリジン(純度99.7%)0.4g/l(2.56mM);Alfa Aesar製CuSO4(H2O)5(純度99.995%)0.8g/l(3.2mM);および、Aldrich製ピリジン(純度99.9%)0.367ml/l(4mM)。調製後、溶液を0.2μmのフィルターでろ過した。溶液のpHは5.94であった。
この実施例では実施例1と同じ装置を使用した。
この実施例では実施例1と同じ電気めっき法を使用した。
上記実験プロトコルを適用すると、優れた一致性、接着性および抵抗を示す、厚み10nmおよび20nmの銅層が得られた。
Claims (13)
- 電気めっき法によって基材表面を銅でコーティングする方法であって、
・コーティング対象の前記表面に電気的なバイアスをかけることなく、この表面を電気めっき用浴に接触させる、非通電投入と称される工程;
・この表面に被膜の形成に十分な時間バイアスをかけている間に、被膜を形成する工程;
・この表面に電気的なバイアスをかけながら、電気めっき用浴と分離する、通電取り出しと称される工程を含み、
前記電気めっき用浴は、溶媒中の溶液に、
・0.4〜40mM、好ましくは0.4〜18mM、より好ましくは0.4〜15mMの濃度の銅イオン源;ならびに
・1級脂肪族アミン、2級脂肪族アミン、3級脂肪族アミン、芳香族アミン、含窒素複素環化合物およびオキシムを含む群から選択される少なくとも1つの銅錯化剤を含む
ことを特徴とする方法。 - 前記非通電投入工程中に、コーティング対象の表面を少なくとも5秒間、電気めっき用浴と接触させたまま保持することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記被膜を形成する工程が、好ましくは、0.1mA/cm2(ミリアンペア/平方センチメートル)〜5mA/cm2、より好ましくは0.1mA/cm2〜1mA/cm2の定電流モードでバイアスをかけることによって行なわれることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記被膜を形成する工程が、好ましくは0.1mA/cm2〜5mA/cm2、より好ましくは0.1mA/cm2〜1mA/cm2のセル電流が得られるようなセル電圧をかけて定電圧モードでバイアスをかけることによって行なわれることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記被膜を形成する工程が、パルスモードでバイアスをかけることによって、好ましくは単位面積あたりの最大カソード電流が0.1mA/cm2〜5mA/cm2、より好ましくは0.1mA/cm2〜1mA/cm2に相当し、かつ単位面積あたりの最低カソード電流が0mA/cm2〜0.5mA/cm2、より好ましくは0mA/cm2〜0.1mA/cm2に相当するパルス状の電圧をかけることで行なわれることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 非通電投入工程中に、コーティング対象の表面を10〜60秒間、好ましくは約10〜30秒間、電気めっき用浴と接触させたまま保持することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記基材は、集積回路の製造において用いられるシリコンウェハであり、コーティング対象の表面は、銅拡散防止層の表面、例えば、窒化タンタル/タンタル(TaN/Ta)剤の二重層または窒化タンタル(TaN)の単一層であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 通電取り出し工程中に、コーティングされた表面を、1〜10秒間、好ましくは約1〜5秒間で、バイアスをかけながら、電気めっき用浴から取り出すことを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記電気めっき用浴は、
・銅/錯化剤のモル比が0.1〜2.5、好ましくは0.3〜1.3であり;かつ、
・前記組成物のpHが7未満、好ましくは3.5〜6.5であることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。 - 前記電気めっき用浴中で、前記溶媒は水および含水アルコール混合物から選択され、銅イオン源は、特に硫酸銅、塩化銅、硝酸銅または酢酸銅などの銅塩であり、好ましくは硫酸銅であることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記電気めっき用浴中で、前記銅錯化剤は、ピリジン、2,2’−ビピリジン、8−ヒドロキシキノリンスルホネート、1,10−フェナントロリン、3,5−ジメチルピリジンおよび2,2’−ビピリミジンから選択される含窒素複素環化合物であることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記電気めっき用浴が、銅錯化剤としてピリジンおよび2,2’−ビピリジンの混合物を含むことを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記電気めっき用浴が、水溶液中に、
・0.4〜40mM、好ましくは0.4〜18mM、より好ましくは0.4〜15mMの濃度の硫酸銅と;
・銅錯化剤としてピリジンおよび2,2’−ビピリジンの混合物とを含み、
・銅/錯化剤のモル比が0.2〜0.6であり;かつ、
・前記組成物のpHが7未満、好ましくは3.5〜6.5であることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0509572A FR2890984B1 (fr) | 2005-09-20 | 2005-09-20 | Procede d'electrodeposition destine au revetement d'une surface d'un substrat par un metal. |
FR0509572 | 2005-09-20 | ||
PCT/FR2006/050915 WO2007034117A2 (fr) | 2005-09-20 | 2006-09-20 | Procede d'electrodeposition destine au revetement d'une surface d'un substrat par un metal |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009509045A true JP2009509045A (ja) | 2009-03-05 |
JP5689221B2 JP5689221B2 (ja) | 2015-03-25 |
Family
ID=36282645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008531757A Active JP5689221B2 (ja) | 2005-09-20 | 2006-09-20 | 電気めっきによって基材表面を金属でコーティングする方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20070062817A1 (ja) |
EP (1) | EP1927129B1 (ja) |
JP (1) | JP5689221B2 (ja) |
KR (1) | KR101295478B1 (ja) |
CN (1) | CN101263246B (ja) |
CA (1) | CA2622918A1 (ja) |
FR (1) | FR2890984B1 (ja) |
IL (1) | IL189662A (ja) |
TW (1) | TWI434963B (ja) |
WO (1) | WO2007034117A2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013536314A (ja) * | 2010-06-11 | 2013-09-19 | アルスィメール | 銅電着組成物及びこの組成物を用いた半導体基板の空洞の充填方法 |
KR20140053912A (ko) * | 2011-05-23 | 2014-05-08 | 알쉬메 | 적층 반도체 구조 내에 수직적 전기 연결을 형성하는 방법 |
JP2014201835A (ja) * | 2013-04-09 | 2014-10-27 | 株式会社荏原製作所 | 電気めっき方法 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2890984B1 (fr) * | 2005-09-20 | 2009-03-27 | Alchimer Sa | Procede d'electrodeposition destine au revetement d'une surface d'un substrat par un metal. |
FR2890983B1 (fr) * | 2005-09-20 | 2007-12-14 | Alchimer Sa | Composition d'electrodeposition destinee au revetement d'une surface d'un substrat par un metal. |
JP2009030167A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-02-12 | Ebara Corp | 基板処理方法及び基板処理装置 |
EP2072644A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-06-24 | ETH Zürich, ETH Transfer | Device and method for the electrochemical deposition of chemical compounds and alloys with controlled composition and or stoichiometry |
FR2930785B1 (fr) * | 2008-05-05 | 2010-06-11 | Alchimer | Composition d'electrodeposition et procede de revetement d'un substrat semi-conducteur utilisant ladite composition |
US7964497B2 (en) * | 2008-06-27 | 2011-06-21 | International Business Machines Corporation | Structure to facilitate plating into high aspect ratio vias |
US20110162701A1 (en) * | 2010-01-03 | 2011-07-07 | Claudio Truzzi | Photovoltaic Cells |
US20110192462A1 (en) * | 2010-01-03 | 2011-08-11 | Alchimer, S.A. | Solar cells |
US20120097547A1 (en) * | 2010-10-25 | 2012-04-26 | Universiteit Gent | Method for Copper Electrodeposition |
US8647535B2 (en) | 2011-01-07 | 2014-02-11 | International Business Machines Corporation | Conductive metal and diffusion barrier seed compositions, and methods of use in semiconductor and interlevel dielectric substrates |
US9666426B2 (en) | 2011-06-24 | 2017-05-30 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Methods and apparatus for uniformly metallization on substrates |
FR2995912B1 (fr) * | 2012-09-24 | 2014-10-10 | Alchimer | Electrolyte et procede d'electrodeposition de cuivre sur une couche barriere |
US9048292B2 (en) * | 2012-10-25 | 2015-06-02 | Micron Technology, Inc. | Patterning methods and methods of forming electrically conductive lines |
US10329683B2 (en) | 2016-11-03 | 2019-06-25 | Lam Research Corporation | Process for optimizing cobalt electrofill using sacrificial oxidants |
FR3061601B1 (fr) * | 2016-12-29 | 2022-12-30 | Aveni | Solution d'electrodeposition de cuivre et procede pour des motifs de facteur de forme eleve |
CN111041533B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-06-29 | 苏州清飙科技有限公司 | 电镀纯钴用电镀液及其应用 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05230687A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-07 | Ishihara Chem Co Ltd | 電気銅めっき液 |
JPH11269693A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-05 | Japan Energy Corp | 銅の成膜方法及び銅めっき液 |
JP2000273684A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Ishihara Chem Co Ltd | 電気銅メッキ浴及び当該メッキ浴により銅配線形成した半導体デバイス |
JP2002506927A (ja) * | 1998-03-20 | 2002-03-05 | セミトウール・インコーポレーテツド | 作業部材の上に金属を電解により沈着させる装置および方法 |
JP2002146585A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-22 | Kanto Chem Co Inc | 電解めっき液 |
JP2002285376A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-10-03 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 電気めっき浴を準備する方法および関連した銅めっきプロセス |
US6551484B2 (en) * | 1999-04-08 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Reverse voltage bias for electro-chemical plating system and method |
JP2004323931A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Shibaura Institute Of Technology | 銅メッキ溶液、銅メッキ用前処理溶液及びそれらを用いた銅メッキ膜とその形成方法 |
JP2004346422A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | めっき方法 |
WO2005008759A1 (en) * | 2003-07-08 | 2005-01-27 | Applied Materials, Inc. | Multiple-step electrodeposition process for direct copper plating on barrier metals |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US611840A (en) * | 1898-10-04 | Toy puzzle | ||
JPH01219187A (ja) | 1988-02-25 | 1989-09-01 | Ishihara Chem Co Ltd | 電気銅めっき液 |
US5302278A (en) * | 1993-02-19 | 1994-04-12 | Learonal, Inc. | Cyanide-free plating solutions for monovalent metals |
US5969422A (en) * | 1997-05-15 | 1999-10-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Plated copper interconnect structure |
US7244677B2 (en) * | 1998-02-04 | 2007-07-17 | Semitool. Inc. | Method for filling recessed micro-structures with metallization in the production of a microelectronic device |
US6309969B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-10-30 | The John Hopkins University | Copper metallization structure and method of construction |
US6123825A (en) * | 1998-12-02 | 2000-09-26 | International Business Machines Corporation | Electromigration-resistant copper microstructure and process of making |
US6444110B2 (en) * | 1999-05-17 | 2002-09-03 | Shipley Company, L.L.C. | Electrolytic copper plating method |
US6409903B1 (en) * | 1999-12-21 | 2002-06-25 | International Business Machines Corporation | Multi-step potentiostatic/galvanostatic plating control |
US6491806B1 (en) * | 2000-04-27 | 2002-12-10 | Intel Corporation | Electroplating bath composition |
US6323121B1 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Fully dry post-via-etch cleaning method for a damascene process |
JP2002180259A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-26 | Shipley Co Llc | めっき液における金属析出促進化合物および該化合物を含むめっき液 |
US6739881B2 (en) * | 2001-05-31 | 2004-05-25 | Trw Inc. | High integration electronic assembly and method |
US20030155247A1 (en) * | 2002-02-19 | 2003-08-21 | Shipley Company, L.L.C. | Process for electroplating silicon wafers |
US7223323B2 (en) * | 2002-07-24 | 2007-05-29 | Applied Materials, Inc. | Multi-chemistry plating system |
US6974531B2 (en) * | 2002-10-15 | 2005-12-13 | International Business Machines Corporation | Method for electroplating on resistive substrates |
US6897152B2 (en) * | 2003-02-05 | 2005-05-24 | Enthone Inc. | Copper bath composition for electroless and/or electrolytic filling of vias and trenches for integrated circuit fabrication |
US20040206628A1 (en) * | 2003-04-18 | 2004-10-21 | Applied Materials, Inc. | Electrical bias during wafer exit from electrolyte bath |
US20050274622A1 (en) * | 2004-06-10 | 2005-12-15 | Zhi-Wen Sun | Plating chemistry and method of single-step electroplating of copper on a barrier metal |
FR2890984B1 (fr) * | 2005-09-20 | 2009-03-27 | Alchimer Sa | Procede d'electrodeposition destine au revetement d'une surface d'un substrat par un metal. |
FR2890983B1 (fr) * | 2005-09-20 | 2007-12-14 | Alchimer Sa | Composition d'electrodeposition destinee au revetement d'une surface d'un substrat par un metal. |
-
2005
- 2005-09-20 FR FR0509572A patent/FR2890984B1/fr active Active
- 2005-11-04 US US11/266,798 patent/US20070062817A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-09-20 CN CN2006800336425A patent/CN101263246B/zh active Active
- 2006-09-20 US US11/992,372 patent/US8574418B2/en active Active
- 2006-09-20 EP EP06831204.0A patent/EP1927129B1/fr active Active
- 2006-09-20 WO PCT/FR2006/050915 patent/WO2007034117A2/fr active Application Filing
- 2006-09-20 TW TW095134834A patent/TWI434963B/zh active
- 2006-09-20 KR KR1020087006028A patent/KR101295478B1/ko active IP Right Grant
- 2006-09-20 CA CA002622918A patent/CA2622918A1/fr not_active Abandoned
- 2006-09-20 JP JP2008531757A patent/JP5689221B2/ja active Active
-
2008
- 2008-02-21 IL IL189662A patent/IL189662A/en active IP Right Grant
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05230687A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-07 | Ishihara Chem Co Ltd | 電気銅めっき液 |
JP2002506927A (ja) * | 1998-03-20 | 2002-03-05 | セミトウール・インコーポレーテツド | 作業部材の上に金属を電解により沈着させる装置および方法 |
JPH11269693A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-05 | Japan Energy Corp | 銅の成膜方法及び銅めっき液 |
JP2000273684A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Ishihara Chem Co Ltd | 電気銅メッキ浴及び当該メッキ浴により銅配線形成した半導体デバイス |
US6551484B2 (en) * | 1999-04-08 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Reverse voltage bias for electro-chemical plating system and method |
JP2002146585A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-22 | Kanto Chem Co Inc | 電解めっき液 |
JP2002285376A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-10-03 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 電気めっき浴を準備する方法および関連した銅めっきプロセス |
JP2004323931A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Shibaura Institute Of Technology | 銅メッキ溶液、銅メッキ用前処理溶液及びそれらを用いた銅メッキ膜とその形成方法 |
JP2004346422A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | めっき方法 |
WO2005008759A1 (en) * | 2003-07-08 | 2005-01-27 | Applied Materials, Inc. | Multiple-step electrodeposition process for direct copper plating on barrier metals |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013536314A (ja) * | 2010-06-11 | 2013-09-19 | アルスィメール | 銅電着組成物及びこの組成物を用いた半導体基板の空洞の充填方法 |
KR20140053912A (ko) * | 2011-05-23 | 2014-05-08 | 알쉬메 | 적층 반도체 구조 내에 수직적 전기 연결을 형성하는 방법 |
JP2014519201A (ja) * | 2011-05-23 | 2014-08-07 | アルキミア | 積層半導体構造における縦方向の電気接続の形成方法 |
TWI594387B (zh) * | 2011-05-23 | 2017-08-01 | 阿奇默公司 | 於層狀半導體結構形成垂直電氣連接的方法 |
KR102014891B1 (ko) * | 2011-05-23 | 2019-10-21 | 아베니 | 적층 반도체 구조 내에 수직적 전기 연결을 형성하는 방법 |
JP2014201835A (ja) * | 2013-04-09 | 2014-10-27 | 株式会社荏原製作所 | 電気めっき方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2890984B1 (fr) | 2009-03-27 |
EP1927129B1 (fr) | 2019-03-13 |
KR20080047381A (ko) | 2008-05-28 |
CN101263246B (zh) | 2011-05-18 |
TWI434963B (zh) | 2014-04-21 |
CA2622918A1 (fr) | 2007-03-29 |
FR2890984A1 (fr) | 2007-03-23 |
US20100038256A1 (en) | 2010-02-18 |
EP1927129A2 (fr) | 2008-06-04 |
KR101295478B1 (ko) | 2013-08-09 |
IL189662A (en) | 2012-05-31 |
IL189662A0 (en) | 2008-06-05 |
US8574418B2 (en) | 2013-11-05 |
JP5689221B2 (ja) | 2015-03-25 |
TW200728514A (en) | 2007-08-01 |
WO2007034117A2 (fr) | 2007-03-29 |
US20070062817A1 (en) | 2007-03-22 |
WO2007034117A3 (fr) | 2007-12-06 |
CN101263246A (zh) | 2008-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5689221B2 (ja) | 電気めっきによって基材表面を金属でコーティングする方法 | |
JP5235669B2 (ja) | 基材表面を金属でコーティングするための電気めっき用組成物 | |
JP5346215B2 (ja) | 半導体デバイスの製造において直接銅めっきし、かつ充填して相互配線を形成するための方法及び組成物 | |
US8591715B2 (en) | Electrodeposition composition and method for coating a semiconductor substrate using the said composition | |
JP6474410B2 (ja) | 電気化学的に不活性なカチオンを含む銅電着浴 | |
US10472726B2 (en) | Electrolyte and process for electroplating copper onto a barrier layer | |
US20130168255A1 (en) | Copper-electroplating composition and process for filling a cavity in a semiconductor substrate using this composition | |
JP2013524019A (ja) | ミクロスケール構造中でのシード層堆積 | |
TW201804022A (zh) | 利用四甲銨之銅電鍍方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090702 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090702 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110830 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111117 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120229 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130312 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130430 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20130614 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131009 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131015 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141021 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20141027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5689221 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |