以下の詳細な説明は、例示であるに過ぎず、本発明または本発明の適用および使用を制限することを意図しない。さらに、先の技術分野、背景技術、短い要約、または以下の詳細な説明において提示される、明示されるかまたは示唆される理論によって拘束されることはない。
図示の簡略化および明確化のために、図面は一般的な構成を示し、よく知られている特徴および技法の説明および詳細は、本発明を不必要に曖昧にすることを避けるために省略される場合がある。さらに、図面の要素は、必ずしも一定比例尺で描かれていない。たとえば、本発明の実施形態の理解を向上させるのに役立つために、図の要素または領域の一部の寸法は、他の要素または領域に対して誇張される場合がある。
説明および請求項内の「第1の(first)」、「第2の(second)」、「第3の(third)」、「第4の(fourth)」などの用語は、類似の要素を区別するために使用され、必ずしも、特定の順次のまたは年代順の順序を記述するために使用されるわけではない。こうして使用される用語は、本明細書に述べる本発明の実施形態が、たとえば、本明細書で示すかまたは述べたシーケンス以外のシーケンスで動作可能であるように、適切な状況下で交換可能である。さらに、「備える(comprise)」、「含む(include)」、「有する(have)」という用語およびそのいずれの変形も、非排他的に包含するように意図され、それにより、要素の一覧を含むプロセス、方法、商品、装置は、こうした要素に必ずも限定されるのではなく、明示的には挙げられないか、または、こうしたプロセス、方法、商品、または装置に固有の他の要素を含んでもよい。
説明および請求項内の「左(left)」、「右(right)」、「中(in)」、「外(out)」、「前(front)」、「後(back)」、「上方(up)」、「下方(down)」、「上部(top)」、「底部(bottom)」、「覆って(over)」、「下に(under)」「上に(above)」、「下に(below)」などの用語は、記述のために使用され、必ずしも固定的な相対位置を記述するために使用されるわけではない。こうして使用される用語は、本明細書に述べる本発明の実施形態が、たとえば、本明細書で示すかまたは述べた配向以外の配向で動作可能であるように、適切な状況下で交換可能であることが理解される。本明細書で使用される「結合した(coupled)」という用語は、電気的または非電気的な方法で直接的にまたは間接的に接続されるものと定義される。
図1は、本発明の例示的な実施形態による、磁気トンネル接合(MTJ)32および移動可能な磁界源(MFS)34を使用するセンサ30の略図および電気回路である。磁界源(MFS)34は、矢印44−1、44−2(ひとまとめに44)に示すように自由に移動でき、また、MTJ32に対して移動し、それにより、MFS34とMTJ32の相対位置に応じて、MTJ32における磁界Hの強度および/または方向が変わる磁界35を提供する。MTJ32は、第1電極36、絶縁トンネリング誘電体37、および第2電極38を備える。電圧Vtが、MTJ32の両端に印加されると、印加される電圧の極性に応じて、量子力学トンネリングによって、絶縁体37を通って電極36から電極38へ、または、その逆へ、電流Itが流れる。
電極36、38は、望ましくは、たとえば、磁性材料、限定はしないが、NiFe、CoFeなど、または、より一般的には、その電子スピン軸が、ひとまとめに整列することができる材料である。適した電極材料および配置構成の例は、当技術分野でよく知られており、また、とりわけ、強磁性材料を含む、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスの電極に一般に使用される材料および構造である。電極36、38が、異なる保磁力を有する、すなわち、電極36は、そのスピン軸配向が、MFS34の移動によって実質的に影響を受けないように留めることができるように高い保磁力を有するべきであり、また、電極38は、そのスピン軸配向が、MFS34の移動によって変わるように比較的低い保磁力を有するべきであることが望ましい。電極36の保磁力は、電極38の保磁力より約100倍大きいが、より大きいかまたはより小さい比も使用されることが望ましい。電極の保磁力は、当技術分野でよく知られている手段に従ってその組成を変えることによって調整することができる。例示的なスピン軸整列状態は、図1に示され、電極36のベクトル40(以降で、スピン軸40)は、電極36の電子スピン軸が、図1の図面の平面に垂直に整列し、かつ、その平面内に向かうことを示し、電極38のベクトル42(以降で、スピン軸42)は、電極38の電子スピン軸が、図面の平面に平行に整列し、かつ、図1で右に向かう、すなわち、スピン軸40に直交することを示す。スピン軸配向は、磁界の存在下での適切な熱処理によって、および、他の手段によって、一方向または別の方向に留められることができることが当技術分野で周知である。下方電極36、すなわち、磁界源34から最も遠い電極内のスピン軸は留められるのが望ましい。
スピン軸は、たとえば、磁界源34の磁界方向に応じて任意の好都合な方向に留められてもよい。上方(MFS34に最も近い)電極38内のスピン軸42は自由である、すなわち、留められず、磁界源34によって提供される磁界35に応答して、電極36内の留められたスピン軸40に対して配向を変える。磁界源導体34Aは、MTJ32の近くであるが、MFS34の反対側に設けられ、磁界に関して、MFS34に直角になるように配向する。MFS34のみの場合に可能であるのに比べて別の方向にスピン軸42をフリップするのを補助するために、または、MFS34に対する近接性によってフリップされた後に、以前の状態にスピン軸42を回復させるために、電流Ifが、好都合には、MFS導体34A内に提供される。
図2は、電極36、38内の磁気スピン軸40、42の異なる相対配向を示す、図1の磁気トンネル接合(MTJ)32、すなわち、MTJ32−1、…、32−5の側面図の集合体である。MTJ32−1では、自由スピン軸42−1と留められたスピン軸40−1は、平行であり、かつ、図2の図面の平面内にあり、両方共右に向かう。MTJ32−2では、自由スピン軸42−2と留められたスピン軸40−2は、平行であり、かつ、図面の平面内にあるが、反対(反平行)方向に向かい、軸42−2は左に向かい、軸40−2は右に向かう。MTJ32−3では、スピン軸は、図面の平面内にあり、かつ、右に向かう、電極38内の直交した自由スピン軸42−3と、図面の平面に垂直で、かつ、その平面内に向かう電極36の留められたスピン軸40−3である。MTJ32−4では、スピン軸は、反平行であり、スピン軸42−4は、図面の平面内に向かい、スピン軸40−4は、図面の平面から出るように向かう。MTJ32−5では、スピン軸42−5および40−5は、平行で、図面の平面に垂直で、かつ、その平面内に向かう。図2の例は、網羅的であることを意味するのではなく、種々の相対スピン軸配向が可能であることを単に示すことを意味する。他の相対配向も可能である。
図3は、図2に対して垂直に見たときの、磁気スピン軸の異なる配向を示す、図1の磁気トンネル接合32の分解平面図32−6、32−7、32−8の集合体である。図1〜2では、電極38は、トンネリング誘電体37によって電極38から分離された電極36の上に存在するが、図3では、電極36、38の平面に存在するスピン軸の方位配向がより容易に見られるように、電極36、38は、こうした整列状態から変位する。たとえば、図3のMJT32−6では、スピン軸42−6および40−6は、図2のMTJ32−1のスピン軸42−1および40−1と同じ配向を有し、図3のMJT32−7では、スピン軸42−7および40−7は、図2のMTJ32−3のスピン軸42−3および40−3と同じ配向を有する。しかし、図3のMTJ32−8は、別の可能性を示す、すなわち、スピン軸42−8は、スピン軸40−8に対して平行でもなく、直交もしない方位配向を有するが、スピン軸42−8に対して中間の方位角にある。上記において、電極36、38が、十分に薄いため、スピン軸40、42は、電極36、38の平面内に常に存在するが、電極36、38の平面内で異なる相対方位角に配向する場合があることが推定される。
電極36および38内のスピン軸の相対配向は、MTJ32の電気特性に影響を及ぼす。これは、スピン配向が、ほとんどのトンネリングが起こるフェルミ準位に近い電子状態の密度に影響を及ぼし、したがって、一定のバリアの厚さにおける同じ印加電界または同じ印加電圧についてのトンネリング確率に影響を及ぼすからである。図4は、磁気スピン軸40、42の2つの異なる配向についての、磁気トンネル接合32の、代表的な電流対電圧プロット50を示す。トレース51は、スピン軸40、42が平行である場合に相当し、トレース52は、スピン軸40、42が反平行である場合に相当する。MTJ32の両端の所与の電圧Vt=Vt(1)について、MTJ32は、It対Vt特性がトレース51に相当するとき、コンダクタンスCt(1)を、It対Vt特性がトレース52に相当するとき、異なるコンダクタンスCt(2)を有する。換言すれば、MTJ32がトレース51を特徴とする状態にあるとき、Vt=Vt(1)について、It=It(1)であり、MTJ32がトレース52を特徴とする状態にあるとき、同じ電圧Vt=Vt(1)について、It=It(2)<It(1)である。一定電圧における、コンダクタンスCtまたは抵抗Rtまたは電流Itの差は、電極36、38内のスピン軸40、42の相対配向の変化を検出するのに使用されてもよい。電極38内のスピン配向は、印加される磁界H(たとえば、図1を参照されたい)に依存するため、一定電圧における、コンダクタンスまたは抵抗または電流の変化は、Hの変化またはHの変動を引き起こす可能性がある任意の物理パラメータの変化を検出するのに使用されてもよい。図1に示すように、(たとえば、矢印44−1および44−2で示す)MTJ32に対するMFS34のロケーションまたは配向の変化は、MTJ32におけるHを変動させ、したがって、MTJ32の電気特性が、予測可能な方法で変動するようにさせる可能性がある。図4に示すように、2つの場合についてのトンネリング抵抗Rtは、関係Rt(2)=Vt(1)/It(2)およびRt(1)=Vt(1)/It(1)から計算されてもよい。
図5〜7は、印加電界Hの関数としてのMTJ32のトンネリング抵抗Rtの略プロット60、62、64である。図5のプロット60は、電極38が、単一磁気ドメインのように切換わる、すなわち、そのスピン軸42が、臨界磁界Hcまたは−Hcに達し、そこで、新しい配向に実質的にスナップするまたはフリップするまで実質的に変化しないままである。たとえば、MTJ32は、Vt=Vt(1)においてRt=Rt(1)を特徴とする状態にある場合、H=Hcになるまでこの状態にとどまり、次に、Rt=Rt(2)を特徴とする状態にフリップする。MTJ32は、H=−Hcになるまでこの状態にとどまり、その時、フリップバックする。センサ30が、加速度、力、温度、位置、圧力、または、たとえば、MFS34がMTJ32に対して移動するようにさせることによってHを変化させる他の物理パラメータが何であれ、その物理パラメータの変化に応答して2値出力を有することが望ましいときに、このタイプのヒステリシス挙動は非常に有用である。フリップバックするのに必要とされる磁界−Hcは、好都合には、図1に示す電流リード線34Aによって提供される。
図6のプロット62は、電極38が、複数の磁気ドメインになるものを示す場合を示し、わずかに異なる磁界Hc’≦H≦Hc’’で、個々に切換わることができる。説明のために、MTJ32が、Rt=Rt(1)を特徴とする状態にあり、その後、Hが増加するにつれて、Rtは、H=Hc’になるまで不変のままであり、Rtは、H=Hc’’になるまで一定電圧で徐々に増加し始め、Rtは、Rt=Rt(2)でロックする。ヒステリシスループ62は、傾斜した平行六面体形状を有する。図7は、電極38の材料および配向が、Hの増減に応答して磁化が連続して回転することができるようなもの(たとえば、互いに直角)である状況を示す。そのため、ヒステリシスループは、2つの極値をRt=Rt(1)とRt=Rt(2)に持つRt対Hプロット64によって示すように、事実上圧壊してほぼ直線になる。この状況は、図3のMTJ32−8において例として示すように、スピン軸42が、スピン軸40に対して連続して回転することができるときに起きる。図1に示す電流ライン34Aは、好都合には、プロット60、62によって示される配置構成と共に使用されて、スピン軸42が、磁界35によって乱される前に、リセットされる、すなわち、初期配向にフリップバックされるように、磁界−Hcが提供される。
図8は、その位置がセンサ70への入力に依存する磁界源86を有する偏向可能な片持ち梁84を使用する、本発明の例示的な実施形態による磁気トンネル接合センサ70の略側面図である。MTJセンサ(MTJS)70は、基板72、好都合には、半導体基板を備え、その上に、MTJ32および磁界源86を有する片持ち梁84が形成される。基板72は、望ましくは、MTJ32の電気特性の変化を測定するための電子回路要素が設けられる部分74を有するが、これは必須ではない。能動磁界源が使用されるとき(たとえば、図9を参照されたい)、回路要素73は、磁界源(MFS)部分86用の電流ドライバも含むが、これは必須ではない。導体76は、好都合には、MTJ電極36に対する電気接点を作り、導体78は、MTJ電極38に対する電気接点を作る。導体76、78は、好都合には、Ta/TaNであるが、これは、制限的であることを意図されず、適度に導電性のある任意の材料が使用されてもよい。絶縁層(図示せず)が、導体76と部分74との間に設けられてもよい。図8〜10を過度に混乱させることを回避するため示さないが、図1の電流ライン34Aは、MTJ32の下に、すなわち、基板72の導体76と部分74とに間に設けられてもよいが、これは必須ではない。誘電体領域75は、電極78を支持するために設けられる。トンネリング誘電体37は、好都合には、酸化アルミニウムであるが、MgOなどの、非常に薄い実質的に均一なピンホールの無い層内で作製することができる、他の絶縁性の高い材料が使用されてもよい。誘電体平坦化層77は、導体76、78の上に設けられる。片持ち梁84の領域82は、層77の領域92によって支持される。片持ち梁84の部分85および86は、自由である、すなわち、矢印88で示すように移動することができる。梁84の磁界源(MFS)部分86は、MTJ32の上に存在する。片持ち梁84の部分85およびMFS部分86が、たとえば、矢印88で示すように、MTJ32に向かって、また、MTJ32から離れて偏向することを可能にするために、層77内に凹所または開口80が設けられる。図9および図10に関連して説明したように、MFS86は、能動的である、すなわち、電流を搬送する(たとえば、図8〜9を参照されたい)か、または、受動的である、すなわち、永久磁石87を含んでもよい(たとえば、図8、10を参照されたい)。どんな物理パラメータが、センサ70によって測定されるように所望されようと、こうした物理パラメータは、片持ち梁84に結合して、こうした物理パラメータの変化に応答して矢印88で示すように、片持ち梁84が偏向させられる。
図9は、図8のセンサ70の例示的な実施形態による、磁気トンネル接合70−1の略平面図90−1であり、片持ち梁84は、図9を見てわかるように、U形状を有する。電流搬送偏向可能片持ち梁84は、磁気トンネル接合(MTJ)32に対して変動する磁界を提供するMFS部分86−1を有する。MTJ32は、電極38が観察者の最も近くにある状態で、平面図90−1に見られる。U形状の片持ち梁84−1は、層77の領域92−1上に固定された端領域82−1、および、層77内の窪んだエリアまたは開口80−1を覆って延在する部分85−1および86−1を有する。MFS部分86−1は、「U」の底部を形成し、MTJ32の上にある。電流96は、MFS部分86−1を含むU形状片持ち梁84−1を通って流れ、MTJ32の近傍に、図1のセンサ30の磁界35と同様の磁界を生成する。こうした配置構成は、能動磁界源(MFS)を有していると言われる、すなわち、磁界は、永久磁石ではなく電流によって生成される。片持ち梁84−1は、「U」形状の真っ直ぐで幅が一定の脚部分を有するものとして示されるが、こうした真っ直ぐで幅が一定の脚部分は、図示の都合のためのものに過ぎず、制限的であることを意図されず、また、所望の電流を受容し、矢印88の方向への所望の偏向特性を提供するのに適した任意のU形状が使用されてもよいことを、当業者は本明細書の説明に基づいて理解するであろう。
図10は、図8のセンサ70のさらなる例示的な実施形態による、磁気トンネル接合70−2の略平面図90−2であり、永久磁石87が上にあるMFS部分86−2を有する片持ち梁84−2は、センサ70−2に対する入力の変化に応答して、磁気トンネル接合32に対して変動する磁界を提供する。こうした配置構成は、受動磁界源を有していると言われる、すなわち、磁界は、電流搬送ワイヤまたはコイルではなく永久磁石によって生成される。MTJ32は、電極38が観察者の最も近くにある状態で、平面図90−2に見られる。U形状の片持ち梁84−2は、好都合には、層77の領域92−2上に固定された端領域82−2、および、層77内の凹所または開口80−2を覆って延在した部分85−2および86−2を有する単一梁である。MTJ32を覆ってMFS部分86−2に対して、任意の好都合な手段によって、取り付けられた永久磁石87が設けられる。磁石87は、好都合ではあるが、本質的ではないことには、部分86−2の下の梁84−2の下面上に搭載されるが、部分86−2の上または他のどこかに搭載されることができる。磁石87は、MTJ32の近傍に、図1のセンサ30の磁界35と同様の磁界を生成する。片持ち梁84−2は、固定領域82−2とMFS部分86−2との間にテーパ付き幅93を有するものとして図10に示されるが、これは、図示の都合のためのものに過ぎず、矢印88の方向に、片持ち梁84−2についての所望の偏向特性を提供するために、任意のU形状が使用されてもよいことを、当業者は理解するであろう。
図11〜16は、種々の物理パラメータを検出することができるセンサを提供するために、MTJ32がどのように使用されてよいかを示す。図11〜16は、非制限的な例として意図され、また、本明細書のこれらのまた他の例が教示する基本原理に従って、多くの他の実施態様が可能であることを、当業者は本明細書の説明に基づいて理解するであろう。説明の都合のために、図11〜16のセンサは、検知および/または駆動回路要素を含む集積回路の一部ではなく、ディスクリートな自立形態であるとして示されるが、それは排除されない。図11〜16および関連する説明は、説明を容易にすることを意図するに過ぎず、制限的であることを意図しない。こうした種々の例において教示される原理が、離散形態または統合形態で使用されてもよいことを、当業者は本明細書の説明に基づいて理解するであろう。
図11は、本発明のさらなる例示的な実施形態による磁気トンネル接合センサ100の略断面図である。図12は、図11のセンサ100の略部分切り取り平面図である。図12において容易に見られるようにし、また、制限的であることを意図しないようにするため、MTJ32は、平面図で実質的に正方形であると仮定され、また、磁界源104は、平面図で円であると仮定されるが、これは、説明の都合のためのものに過ぎない。センサ100は、本体101内に搭載されたリード線または導体76、78と共にMTJ32を備える。再び図11を参照すると、磁界源104を有する隔壁102が、MTJ32の上に配置され、MFS104は、図8および図10の磁界源87ならびに図1の磁界源34に似ている。磁界源104を有する隔壁102は、種々の外部刺激に応答して矢印106で示すように移動する。これは、図1〜7に関連して説明したように、MTJ32の磁界を変動させ、それにより、その電気特性を変化させる作用がある。こうして、センサ100は、磁界源(MFS)104とMTJ32の相対位置を変えることができる任意の物理パラメータまたは機能の変化を検出することができる。こうした物理現象の非制限的な例は、運動、加速度、力、圧力、温度などである。
図13は、図11のセンサ100と似ているが、本発明のなおさらなる例示的な実施形態による、センサ111の略断面図である。センサ111は、遠隔入力、たとえば、制限的であることを意図しないが、その位置または加速度が監視されるか、または、検出される物体に、MFS104を有する隔壁102を結合するのを容易にするための、あるいは、そのサイズまたは距離が、温度、圧力、または他の物理パラメータに伴って変化するデバイスに結合するための、取り付け穴107を有する取り付けラグ105を含むことによって、センサ100と異なる。
図14は、全体が図11のセンサに似ているが、図8〜9の磁界源片持ち梁84、86と同様の能動磁界源片持ち梁108および図1の磁界源34を使用する本発明のなおさらなる例示的な実施形態による、センサ112の略断面図である。
図15は、さらなる詳細を示す、図14のセンサ112の略部分切り取り平面図である。隔壁102とMTJ32との間には、図8〜9の片持ち梁84と同様の片持ち梁108が搭載され、磁界源86と同様の端部110が、MTJ32の上に配置される。片持ち梁108に対する隔壁102の結合運動106を容易にするために、ボスまたは結合手段109が、好都合には、隔壁102の下面、すなわち、片持ち梁108の方に向かう面上に設けられる。片持ち梁108の第1端は、本体101内で領域101−1に固定され、遠位端110は、MTJ32の方へ、または、MTJ32から離れるように、図14の垂直方向に自由に移動することができる。図15を見るとより容易にわかるように、片持ち梁108は、望ましくは、U形状で、図8〜9のMFS86と同様の遠位端110が、MTJ32の上に配置される「U」の「底部」を形成する。片持ち梁108は、図9の電流96と同様の電流114を流すようになっており、電流114は、MTJ32の近傍に、図1の磁界35と同様の磁界Hを生成する。図1〜7に関連して説明したように、ボスまたは結合手段109による、片持ち梁108に結合する隔壁102の位置の変化は、MTJ32における磁界Hを変化させ、それにより、その電気特性を変化させる。こうして、図14〜15の配置構成は、既に述べた物理パラメータのうちの任意のパラメータ用のセンサの役をし、この時、駆動電流114を変動させることによって、センサ112が、2値出力(たとえば、図5を参照されたい)か、アナログ出力(たとえば、図7を参照されたい)か、または、その組合せ(たとえば、図6を参照されたい)のいずれが望ましいかに応じて、最も有利な範囲で動作するように、MTJ32の周囲磁界Hを調整することができるというさらなる利点がある。これは重要な利点である。
図16は、図14のセンサ112と似ているが、本発明のなおさらなる例示的な実施形態による、センサ116の略断面図である。センサ116は、特に、圧力および/または温度を測定するようになっている。センサ116は、隔壁102の上に内部チャンバ120を有するハウジング118を含むことによってセンサ114と異なる。センサ116が、主に、圧力センサとして機能することを望まれるとき、任意選択のI/Oポート119が、ハウジング118に設けられ、その圧力が求められるチャンバまたはラインまたは領域に結合される。チャンバ120内の圧力の増加は、隔壁102および片持ち梁108の遠位端110が、MTJ32の方へ移動するようにさせ、それにより、MTJ32における磁界Hが増加する。チャンバ120内の圧力が減少するとき、逆が起こり、MTJ32における磁界Hが減少する。磁界Hの変化に応答する対応する電気特性の変化は、圧力変化を反映する電気出力を提供する。先に説明したように、この出力は、2値であってもアナログであっても、または、両者の混合物であってもよい。
センサ116が、主に、温度センサとして機能することを望まれるとき、任意選択のI/Oポート119は、省かれるか、または、シールされ、それにより、チャンバ120内に既知の量のガスを捕捉する。チャンバ120内のガスの温度が、ハウジング118の温度の変化に応答して上昇または下降するにつれて、チャンバ120内のガスの圧力が、相応して応答し、隔壁102が、MTJ32の方へまたはMTJ32から離れるように移動し、MTJ32の電気特性が、圧力センサの場合について既に述べたのと同じ方法で変化する。基準温度において初期ガス圧を、任意選択で、ドライブ電流114を調整することによって、MTJ32から出力される基準温度が、所望の値に設定される。同様に、センサ116のダイナミックレンジは、片持ち梁108と隔壁102のばね定数を選択することによって変わってもよい。隔壁102および/または片持ち梁108の適切な設計によって、センサ116の応答は、所望の用途に応じて、線形または非線形にされてもよい。線形応答または非線形応答を有する片持ち梁または隔壁を作る方法を当業者は理解する。これらは、本発明のさらなる利点である。U形状の能動磁界源を使用する図16の圧力および温度センサ116が示されたが、これは、制限的であることを意図せず、受動磁界源および単一腕片持ち梁が使用されてもよい。MTJ32自体の特性の温度変動が、MFS104または110の運動によって誘導される変化と比較して顕著でなくするように、MTJ32について温度安定化を提供することが望ましい場合がある。
図17は、本発明のセンサの製造方法122の略フロー図である。方法122は、START 123および初期FORM MTJステップ124で始まり、図1の導体34Aが有る状態または無い状態で、たとえば、図1および図8〜18のMTJ32と同様の磁気トンネル接合(MTJ)が調製される。MTJ32の幾何形状および配置構成は、例示に過ぎず、制限的であることを意図しないことを当業者は理解するであろう。他のMTJ構成が使用されてもよい。後続のステップ125にて、たとえば、図1および図8〜16に示すMFS34、86、87、104、110などの移動可能磁界源(MFS)は、MTJ32における磁界が、対応するMFSの移動によって変更されるように、MTJ32に移動可能に結合される。任意のタイプの磁界源が使用されてもよい。図11〜16に示す構成のセンサの場合、MFS104、110を含む隔壁102は、MTJ32の上に取り付けられる。その後、方法122は、一般的に、END 126で完了する。
図18は、図17の方法122に似ているが、さらなる詳細を示す方法122’の略フロー図である。START 123’およびFORM MTJステップ124は、方法122と同じである。図18では、ステップ125は、ADD PLANARIZING SPACER OVER MTJステップ127と、それに続く、FORM MFS ON PLANARIZING SPACERステップ128、およびその後のステップ129に細分され、ステップ129にて、検知されるか、または、測定されることを望まれる物理パラメータの変化に応答して、MFS(たとえば、MFS34、86、87、104、110)がMTJ(たとえば、MTJ32)に対して移動することができるように、ステップ128で設けられる平坦化スペーサの一部分が、キャビティまたは開口80を形成するために除去され、それにより、移動が、MTJ(たとえば、MTJ32)における磁界を変動させる。方法122’は、センサ30、70が、集積回路技術を使用して作製される状況に適するが、その状況に限定されない。方法122’は、その後、END 126’に進む。
図19は、図17から18の方法の実施形態のなおさらなる詳細を、ステップ132〜148によって示す断面図の概略的なセット(以降で方法130)である。方法130は、図17〜18のステップ124に相当するステップ132〜138および図17〜18のステップ125と同様のステップ140〜148(ひとまとめに125−1)に細分されることができる。方法130は、好都合には、MTJセンサ32が、集積回路の一部として作製される場合について述べられるが、自立素子としてセンサを作製しようとする方法を、当業者は理解するであろう。最初のステップ132にて、基板150、好ましくは、集積回路の調製に適した半導体基板(たとえば、Si、GaAsなど)が設けられる。ステップ134にて、トランジスタおよび/または他の素子が、よく知られている半導体集積回路処理技法を使用して形成されて、MTJセンサ用の測定回路要素および/または駆動回路要素152、ならびに、望むなら電流リード線が、基板150の中に、かつ/または、上に設けられる。これを行う方法を当業者は理解するであろう。これは、本発明にとって必須ではない。ステップ136にて、たとえば、酸化ケイ素および/または窒化ケイ素あるいは他の絶縁材料の誘電体層154が、成長するか、または、堆積し、たとえば、アルミニウム、銅、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、または同様なものの第1導体76が、誘電体層154上に堆積するか、または、形成され、任意選択で、回路152の適切な素子との領域157内での接点を作るためにパターニングされる。たとえば、イリジウムマンガン、プラチナマンガン、コバルト鉄、コバルト鉄ボロン、ルテニウム、および、同様なもの、ならびに、それらの組合せの第1電極36が、導体76上で、かつ、導体76に電気接触して堆積して、MTJ32の第1電極36が形成される(図8を参照されたい)。選択される材料の組合せは、比較的高い保磁力を有するべきである。今までに設けられた、種々の半導体、誘電体、および導体領域または層、ならびに、基板150は、電極36内のスピン軸40を所定の配向で留めるのに使用することができるアニーリング温度(たとえば、200〜350℃)に耐えるのに十分に耐火性があることは、望ましいが、必須ではない。しかし、スピン軸40を留める他の手段が使用されてもよい。ステップ138にて、たとえば、酸化アルミニウムまたは酸化マグネシウムのトンネリング誘電体37が、電極36上で成長するか、または、堆積され、そして、たとえば、ニッケル鉄、コバルト鉄、コバルト鉄ボロン、ルテニウム、および/または、同様なものの導電性電極38であって、おそらく、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタンなどのような導電性材料で覆われた、導電性電極38が、トンネリング誘電体37上に成長するか、または、堆積される。電極38内で使用される材料の組合せは、電極36を構成する材料に比べて低い保磁力を有するべきである。電極36、誘電体37、および電極38は、図1および図8に示すMTJ32を形成する。導体76、78は、好都合には、それぞれ、電極36、38に対する接点を作るために設けられる。導体76、78は、ロケーション157、169において回路152の適切な素子に接触しているものとして示されるが、これは必須ではなく、導体76、78は、任意の好都合な方法で、ドライブ電子回路に結合してもよい。
たとえば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、リンをドープした二酸化ケイ素などの第1平坦化層166は、電極38の上側表面が露出するように、既存の構造を覆って堆積されるか、成長するか、または、その他の方法で形成される。あるいは、第1平坦化層166は、堆積され、次に、たとえば、化学機械研磨(CMP)プロセスまたは一連のフォトリソグラフィとエッチによって、電極38の上側表面の全てまたは一部から選択的に除去されてもよい。たとえば、アルミニウム、銅、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、および同様なもの、または、さらに、これらのタイプの材料の組合せの導体78が、その後、電極38上に堆積されるか、成長するか、または、その他の方法で形成されて、電極38との、また、任意選択で、ロケーション169における回路152の適切な素子との電気接点が作られる。導体78からロケーション169まで延在するシンカ163は、導体78の形成の前か後に、導体78と同時に、かつ、導体78の一部として形成されてもよく、または、別々に形成されてもよい。いずれの配置構成も有用である。しかし、シンカ163(および、ステップ136のシンカ155)は、必須ではなく、導体78(および導体76)は、埋め込まれた回路152ではなくどこか他のところに経路制御されてもよい。ステップ140にて、上側表面171を有する、たとえば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、リンをドープした二酸化ケイ素などの第2平坦化層170が、第1平坦化層166および導体78を覆って堆積されるか、成長するか、または、その他の方法で形成される。第2平坦化層170の厚さ173は、片持ち梁84とMTJ32の周囲距離を部分的に決定するであろう。厚さ173は、役立つことには、0.1〜1.0ミクロンの範囲、好都合には、0.1〜0.5ミクロンの範囲、好ましくは、0.2〜0.4ミクロンの範囲にある。永久磁石87が、MTJ32に面する片持ち梁84の下側面に搭載される場合、その厚さが考慮される必要がある。
MFS領域86、110(図8〜12を参照されたい)が、MTJ32を覆って配置され、固定領域82(図8〜12を参照されたい)が、所望の梁の長さだけ、MFS領域86、110から離間した層170上に配置されるように、梁84について望まれる材料が、その後、表面171上で適切なロケーションで成長するか、堆積するか、または、その他の方法で形成される。純粋であれ、合金であれ、複合物であれ、積層構造であれ、いろいろな材料が、梁84の材料について使用されてもよい。Cu、Al、Au、Ti、W、poly−Si、および種々の混合物、ならびにそれらの合金は、適した材料の非制限的な例であるが、他の材料も使用することができる。こうした材料は、好都合であるが、本質的ではないことには、スパッタリング、同時スパッタリング、蒸着、電気メッキ、無電解メッキ、または化学気相堆積によって形成されるか、または、堆積される、あるいは、それらの組合せが使用されてもよい。おそらく、電気メッキと組合せた、スパッタリングおよび同時スパッタリングが、好ましいが、他の材料およびプロセスが使用されてもよい。重要なことは、梁84が、所望の用途について適切なサイズと剛性を有することである。その用途のための、所望の特性の片持ち梁を設計し、作製する方法を当業者は本明細書の説明に基づいて理解するであろう。図9に示すタイプの例示的な梁構造は、Cuを使用して作製され、約0.3〜1.0ミクロンの範囲の梁厚さと、約100ミクロンのU形状腕幅を持ち、約5ミクロン幅のMFS領域86(図8〜10を参照されたい)を持つ。
ステップ144にて、たとえば、二酸化ケイ素または窒化ケイ素の付加的なマスキング層174が、好都合には、第2平坦化層170および支持された梁84を覆って成長するか、堆積するか、または、その他の方法で形成される。当技術分野でよく知られている手段、たとえば、一連のリソグラフィとエッチを使用して、マスキング層174内に、穴または開口175が設けられる。片持ち梁84の部分82(図8〜12を参照されたい)になることになるものは、マスキング層174によって覆われたままにされる。穴または開口175は、普通なら、梁84の残りの周縁をわずかに超えて延在し、その結果、方法ステップ146にて、開口175の下にある平坦化層170の部分178が、たとえば、ウェットエッチプロセスによって除去されることができ、それにより、その場所にキャビティまたは凹所80が生成される。キャビティが形成される前に、エッチストップ層(図示せず)が、キャビティ80の内壁に沿って垂直に設けられると共に、キャビティ80の底部に沿って設けられる場合、このプロセスのよりよい制御が達成されることが、当業者によって認識されるであろう。この時、梁84は、平坦化層170(たとえば、図8の領域77)の一部分(たとえば、図8の部分92)に固定された部分(たとえば、図8の部分82)を除いて自由である。方法ステップ148にて、マスキング層174の残りは、(望ましいが、本質的ではないことには)除去され、任意選択で、電流96(図8〜9を参照されたい)を供給するリード線(複数可)179が、梁84の部分82に接合されるか、または、その他の方法で結合される。図11の構成が、受動MFS87と共に使用される場合、リード線(複数可)179は必要とされない。
図20は、図19の方法130のステップ132〜148に似ているが、本発明の方法のさらなる例示的な実施形態による、断面図132〜138、140’〜148’の概略的なセット(ひとまとめに方法130’)である。方法130’は、図17〜18のステップ124に相当するステップ132〜138および図17〜18のステップ125と同様のステップ140’〜148’(ひとまとめに125−2)に細分されることができる。同じ領域または層を特定するために、同じ参照数字が、図19〜20で使用され、また、領域または層が、必ずしも同じであるわけではないが、似ている場合、プライム記号(’)が付加された同じ参照数字を使用して特定される。たとえば、図20のステップ140’は、図19のステップ140に似ており、図20の表面171’は、図19の表面171に似ているなどである。方法130と130’との間の共用性が意味を持つため、方法130の説明が、参照により本明細書に組み込まれ、意味のある差だけが本明細書で説明される。方法130’のステップ132〜138は、実質的に方法130と同じであり、本明細書ではさらには述べられない。ステップ140’〜148’は、いくつかの点で異なる。ステップ140’にて、片持ち梁84の下に設けられるキャビティ80(図8を参照されたい)について所望されるのと実質的に同じ形状、ロケーション、および厚さ173’を有するように、たとえば、リンをドープした二酸化ケイ素の犠牲領域172が、堆積され、パターニングされる。領域172および第2平坦化層170’が、差別的に、エッチング可能であるか、または、溶解可能である、すなわち、その領域172が、第2平坦化層170’あるいは下にある任意の層または領域に実質的に影響を及ぼすことなく、溶解除去されることができることが重要である。たとえば、二酸化ケイ素または窒化ケイ素の第2平坦化層170’は、犠牲層172の上側表面171’’と実質的に同じ高さの上側表面171’を有するように、ステップ142’にて形成される。これは、たとえば、第2平坦化層170’を堆積するシーケンスと、それに続く、CMP工程または他の平坦化プロセスによって達成されてもよい。ステップ144’にて、片持ち梁84は、方法130で先に述べたものと、実質的に同じ方法で、また、実質的に同じ材料および形状およびサイズで形成される。ステップ146’にて、犠牲層172が、エッチング除去され、図8のキャビティまたは凹所に相当する、片持ち梁84の下のキャビティまたは凹所80が残る。ステップ148’にて、方法130のステップ148に関連して先に述べたように、リード線179が、任意選択で、梁84に取り付けられる。方法130'の最終結果は、方法130によって得られる結果に似ている。方法130'が好ましい。
図21は、図19〜20の方法に似ているが、本発明の方法のなおさらなる例示的な実施形態200による、断面図132〜138、140’、202〜206の概略的なセットである。方法200は、図17〜18のステップ124に相当するステップ132〜138および図17〜18のステップ125と同様のステップ140’ 、202〜206(ひとまとめに125−3)に細分されることができる。同じ領域または層を特定するために、同じ参照数字が、図19〜21で使用され、また、領域または層が、必ずしも同じであるわけではないが、似ている場合、プライム記号(’)が付加された同じ参照数字を使用することによって、領域または層を特定する方法130’に関連して使用されたように、同じ変換が遵守される。方法200のステップ132〜138は、方法130、130’と実質的に同じあり、本明細書ではさらには述べられない。ステップ140’およびステップ202〜206は、いくつかの点で異なる。ステップ140’にて、片持ち梁84’の下に設けられるキャビティ80(図8を参照されたい)について所望されるのと実質的に同じ形状、ロケーション、および厚さ173’を有するように、犠牲領域172が、堆積され、パターニングされる。領域172および第1平坦化層166が、差別的に、エッチング可能であるか、または、溶解可能である、すなわち、その領域172が、第1平坦化層166または電極78に実質的に影響を及ぼすことなく、溶解除去されることができることが重要である。ステップ202にて、片持ち梁84’が、方法130、130’で先に述べたものと、実質的に同じ方法で、また、実質的に同じ材料で形成される。ステップ202にて、片持ち梁84’が、好都合には、平坦化層166に固定されるが、これは必須ではなく、また、方法130’で使用されるものと似た第2平坦化層を使用する構造を使用することもできる。ステップ204にて、犠牲層172が、溶解されるか、または、エッチング除去され、片持ち梁84’の下にキャビティまたは凹所80’が残る。ステップ204にて、方法130のステップ148に関連して先に述べたように、リード線179が、任意選択で、梁84’に取り付けられる。方法200の最終結果は、方法130によって得られる結果に似ている。
図22は、電極の少なくとも1つの電極が正方形である、本発明の実施形態による、MTJ32の電極36、38の分解平面図300を示す。電極36、38は、相対的な形状およびサイズが、より容易に見られるように、図23では、横方向に変位する。MTJ23を形成するように組み立てられると、電極36、38は、重なる、すなわち、電極36の上に電極38がある。電極38は、MFS34、86に最も近い。電極36−1、38−1は、実質的に正方形である、すなわち、XおよびY寸法、Y36−1=X36−1=Y38−1=X38−1を有するものとして示される。説明の都合のために、これは、今までたいてい使用されてきた表示であるが、それは必須ではない。電極36−2、38−2は異なり、電極36−2は長方形であり、Y36−2>X36−2であり、かつ、Y38−2=X38−2である。やはり、これは、電極の種々の可能性のある形状を示すことだけを意図し、網羅的であるか、または、制限的であることを意図しない。
図23は、いずれかの、または、両方の電極が、種々の例示的な非正方形形状を有する、本発明の実施形態による、MTJの電極36、38の平面図310を示す。たとえば、310−1では、電極36、38のいずれか、または、両方が、長方形でかつ細長く、寸法XはYより著しく大きく、310−2では、電極36、38のいずれか、または、両方が、細長く、X≫Yであり、かつ、三角形端部を有し、また、310−3では、電極36、38のいずれか、または、両方が、細長く、X≫Yであり、かつ、丸い端部を有する。MTJ32を形成するために、電極が重ねて設置されると、電極の長い寸法が、図24に概略的に示すように、互いに対して種々の角度をなすことができる。電子スピン軸が回転することができる容易さまたは難しさに、薄い電極の平面図非対称が影響を及ぼすため、著しく非対称である電極形状を使用することが一定の状況下では有用である。たとえば、第1電極の電子スピン軸を、磁界の存在下で熱処理によって留めることが当技術分野で知られているが、別の手法は、電極形状を、著しく非対称に、たとえば、平面図内で長くかつ狭くすることである。それは、電子スピン軸を、こうした非対称形状の長い方向から離れて回転させることが難しいからである。しかし、スピン軸を留めるためのいずれの配置構成が使用されてもよい。
図24は、電極36、38の少なくとも一方が、他の電極に対して種々の角度配置を有する、本発明の実施形態によるMTJの電極の平面図320を示す。図示の都合のために、第1電極36−4は、単一の連続電極として示され、種々の区分化された第2電極38−4−1、…、38−4−4が、異なる角度で第1電極36−4を横切る。しかし、これは、制限的であることを意図せず、電極36−4は、それぞれが、第2電極38−4−1、…、38−4−4の1つの下にある、別個のセグメントからなることができる。第2電極38−4−1は、電極36−4に対して角度(α3)の、たとえば、第1電極36−4の長い寸法に実質的に直交する長い寸法によって配向する。第2電極38−4−2は、第1電極36−4の長い寸法に関して実質的に平行な(または、反平行な)長い寸法によって配向する。電極36−4の長い寸法に対して、第2電極38−4−3は、角度(α1)の長い寸法によって配向し、第2電極38−4−4は、角度(α2)の長い寸法によって配向する。ここで、0°≦α≦90°である。こうして、第1および第2電極36、38について、いろいろの異なる相対角度配向が使用されてもよい。
図25は、複数のMTJ32A、32B、32Cに近接して配置される磁界源86A、86B、86Cを支持するのに使用される異なる長さ333、335、337の複数の片持ち梁332、334、336の略平面図330を示す。断面が同じであるが長さが異なる(または、断面が異なりかつ長さが同じ、または、他のサイズおよび形状の変化の)片持ち梁を使用することによって、異なる梁を偏向させるのに必要とされる力または加速度を、異なるようにさせることができる。こうして、各梁は、異なる範囲の力か、加速度か、圧力か、温度か、または、他の物理パラメータにわたって応答させられることができる。単一センサ内でこれらを組合せることによって、センサの全ダイナミックレンジを、任意に拡張することができる。図25の例では、センサ332、334、336間の唯一の差は、梁の長さ333、335、337である。こうした複数のセンサは、同じ基板上で同じプロセスによって実質的に同時に製造されてもよく、個々のセンサの異なる幾何形状は、プロセスの変化ではなくマスクの変化によって可能になる。これは、本発明のかなりの利点である。
図26は、図25の複数のMTJ32A、32B、32Cが、端子343、345にそれぞれつながる、リード線342、344によって並列に電気結合されているものとして示される略電気回路図340である。図27は、MTJ32A、32B、32Cの並列配置構成についての、Rt対Fの略プロット350であり、Rtは、個々のMTJ32A、32B、32Cの抵抗Rtの並列結合であり、Fは、複数のセンサ332、334、336の片持ち梁84A、84B、84Cに同時に加えられる加速度または力である。説明の都合にために、MTJ32A、32B、32Cは、実質的に同Rt対H特性を有するが、センサ336の場合、F=1単位においてH=Hcが生じ、センサ334の場合、F=2単位においてH=Hcが生じ、センサ332の場合、F=3単位においてH=Hcが生じるように、片持ち梁84A、84B、84Cが、異なる剛性を有すると仮定する。換言すれば、F=1では、梁84Cが、完全に偏向し(そのストップに当たるか、または、領域86−3がMTJ32に接触する)、F=2では、梁84Bが、完全に偏向し(そのストップに当たるか、または、領域86−2がMTJ32に当たる)、F=3では、梁84Aが、完全に偏向し(そのストップに当たるか、または、領域86−2がMTJ32に接触する)、それぞれの場合の限界位置が、関連するMTJにおいてHを生成する。こうして、図5に示す特性に似た、個々のRt対H特性について、この3つの梁配置構成は、プロット352、354、356用の、図27に概略的に示すRt対H応答を与える。プロット352のトレース358は、F=1の力(または加速度)が、センサ330に加えられ、最も容易に偏向したセンサ(たとえば、センサ336)が、MTJ32CにおいてHcを提供する状況に相当する。プロット354のトレース360は、F=2の力(または加速度)が、センサ330に加えられ、次に最も容易に偏向したセンサ(たとえば、センサ334)が、MTJ32BにおいてHcを提供する状況に相当する。プロット356のトレース362は、F=3の力(または加速度)が、センサ330に加えられ、容易さの程度が最も低く偏向したセンサ(たとえば、センサ332)が、MTJ32AにおいてHcを提供する状況に相当する。この例では、MTJが全て、最初は、低い抵抗状態にあると仮定すると、回路340において測定される総抵抗Rtは、センサ330が、それにさらされる力または加速度が増加するにつれて、段階的に増加する。図1の導体34Aと同様の電流リード線(本明細書では示さず)が、好都合には含まれ、Fが取り除かれると、各センサは、−Hcを提供して、電極38内のスピン軸を初期状態にフリップバックする。こうして、異なるばね定数と偏向範囲を有する複数のセンサを使用することによって、図27に示すように量子化されようが、その応答が、図6または図7に似たMTJを使用することによってアナログであろうが、より広い全体のダイナミックレンジが達成される。図26に示す並列結合した電気的配置構成が有用であるが、直列配置構成も使用することができる。いずれの配置構成もうまく働く。個々のセンサの幾何形状を変更するのにマスクの差だけを用いて、同じ製造プロセスを使用して同じ基板上で、異なる応答を有するセンサを容易に構築することができることは、本発明のかなりの利点である。ダイナミックレンジを拡張するための複数のセンサの使用が、片持ち梁センサによって述べられたが、これは、具体的に示すために過ぎず、制限的であることを意図しない。図11〜16に示すような隔壁タイプのセンサ、ならびに、複数のMTJ、および、その相対位置が、センサ入力に応答して変化する複数のMFSを組合せる他の物理配置構成を使用することができることを、当業者は本明細書の説明に基づいて理解するであろう。
第1の例示的な実施形態では、磁気トンネル接合(MTJ)と、MTJに移動可能に結合し、かつ、センサの入力に応答して変動する磁界をMTJに提供する磁界源(MFS)とを備えるセンサが提供される。さらなる例示的な実施形態では、MTJは、その電子スピン軸が留められている第1電極と、MFSに対して、第1電極より近くに配置され、かつ、その電子スピン軸が自由である第2電極とを備える。なおさらなる例示的な実施形態では、MTJは、さらに、第1電極と第2電極を分離し、かつ、第1電極と第2電極との間にかなりのトンネリング伝導を可能にするように構成された誘電体を備える。なおさらなる例示的な実施形態では、第1電極は、第1の保磁力を有する第1磁性材料であり、第2電極が、第1の保磁力より小さい第2の保磁力を有する第2磁性材料である。なおさらなる例示的な実施形態では、MTJとMFSの第1の相対位置について、第1電極および第2電極のスピン軸は、実質的に直交し、MTJとMFSの第2の相対位置について、第1電極および第2電極のスピン軸は、実質的に直交しない。別の例示的な実施形態では、MTJとMFSの第1の相対位置について、第1電極および第2電極のスピン軸は、第1の相対配向を有し、MTJとMFSの第2の相対位置について、第1電極および第2電極のスピン軸は、第1の相対配向と異なる第2の相対配向を有する。なお別の例示的な実施形態では、MFSは、電流を搬送するようになっており、かつ、MTJを横切る第1の配向を有する第1導体を備え、センサは、さらに、MTJの下にあり、電流を搬送するようになっており、第1の配向に対して実質的に直交する第2の配向を有する第2導体を備える。
第2の例示的な実施形態では、第1磁性電極と、第2磁性電極と、第1電極と第2電極を分離し、かつ、第1電極と第2電極との間にトンネリング伝導を可能にするようになっている誘電体とを有する磁気トンネル接合(MTJ)を備えるセンサが提供され、センサは、さらに、磁界を提供するための磁界源(MFS)であって、第2磁性電極に近接して移動可能に懸垂保持され、その結果、センサの入力に応答するMTJとMFSとの間の距離の変動が、MTJにおけるMFSの磁界を変動させ、それにより、MTJの電気特性が変わる、磁界源を備える。別の例示的な実施形態では、MFSは電流搬送導体である。なおさらに別の例示的な実施形態では、電流搬送導体はU形状である。さらなる例示的な実施形態では、MFSは永久磁石である。なおさらなる例示的な実施形態では、センサは、さらに、MFSが、そこから懸垂保持される片持ち梁を備える。なおさらに付加的な例示的な実施形態では、センサは、第1磁性電極の下にあり、かつ、第1磁性電極を支持する基板を備え、MFSは、第2磁性電極から離間した片持ち梁の第1端内に組み込まれ、片持ち梁の第2の遠位端は、基板に結合される。別の例示的な実施形態では、第1磁性電極は、第1方向に配向した電子スピン軸を有し、第2磁性電極は、第2方向に配向した電子スピン軸を有し、MFSとMTJの第1の相対位置について、第1方向と第2方向が、第1角度だけ異なり、MFSとMTJの第2の相対位置について、第1方向と第2方向が、第1角度と異なる第2角度だけ異なる。別のさらなる例示的な実施形態では、MFSとMTJの第1の相対位置について、第1方向と第2方向が、実質的に平行であり、第2の相対位置について、第1方向と第2方向が、実質的に反平行である。別のさらなる例示的な実施形態では、第1磁性電極と第2磁性電極は、細長く、それぞれが、長い寸法を有し、第1電極の長い寸法が、第2電極の長い寸法に対して角度αをなし、ここで、0≦α≦90°である。
第3の例示的な実施形態では、マルチレンジセンサが提供され、マルチレンジセンサは、複数の磁気トンネル接合(MTJ)と、それぞれが、1つのMTJに関連し、かつ、関連するMTJにオーバラップする磁界を提供する複数の磁界源(MFS)とを備え、それぞれのMFSが、マルチレンジセンサの入力を受け取り、関連するMTJに対するそれぞれのMFSの近接性が、複数のMFSに共通するマルチレンジセンサの入力に応答して異なる方法で変動する。さらなる例示的な実施形態では、それぞれが、関連するMTJに近接して複数のMFSのうちの1つのMFSを支持する、複数の片持ち梁が設けられる。なおさらなる例示的な実施形態では、MFSを支持する複数の片持ち梁が、マルチレンジセンサへの共通入力に応答して異なる偏向特性を有する。なおさらなる例示的な実施形態では、複数のMTJは、直列に、並列に、または、その組合せで電気結合される。
少なくとも1つの例示的な実施形態が先の詳細な説明で提示されたが、多数の変形が存在することが理解されるべきである。1つまたは複数の例示的な実施形態は、例に過ぎず、本発明の範囲、適応性、または構成を制限することを全く意図しないことも理解されるべきである。むしろ、先の詳細な説明は、1つまたは複数の例示的な実施形態を実施するための好都合なロードマップを当業者に提供するであろう。添付特許請求の範囲およびその法的な等価物に述べられる本発明の範囲から逸脱することなく、要素の機能および配置構成において、種々の変更を行うことができることが理解されるべきである。