JP2009500836A - ウエハのスタックのエッチングを行うための反応装置 - Google Patents
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Abstract
Description
CVD−装置(化学気相成長[Chemical Vapor Deposition])の洗浄のために、三フッ化塩素(CIF3)は処理ガスとして知られている。さらに三フッ化塩素は近年マイクロパターン形成の技術でも用いられるようになっている。三フッ化塩素は酸化珪素(SiO2)に対する高い選択性を有している。つまり珪素はエッチングされ、不動態としてSiO2を用いてある。エッチング過程は自然発生し、つまりつまり所定の処理範囲(圧力、温度及びガス流)ではプラズマは不要であり、若しくは比較的高い温度による熱作用はエッチング過程のために必要とされる。エッチング処理によるマイクロパターン形成のために用いられる個別のウエハは、エッチング処置の前に行われる処置過程において、準備及び/又は調整室内で前処理される。次いでウエハは前記室から取り出されて、別の室、例えばエッチング室内でエッチングされる。
図1は、プラズマ発生器を備えていて、マスクで被覆され、つまりマスクされたウエハから成るスタックをエッチング処理する反応装置のための処理設備の概略図であり、
図2は、電極と該電極に配置されていてエッチング過程及びプラズマ過程によって処理されるウエハを備えているウエハ支持体の概略的な部分図であり、
図3は、マスクされて本発明に基づく反応装置によって処理されるウエハの概略的な部分断面図であり、
図4は、図3のウエハをプラズマ照射と一緒に示す概略的な部分断面図であり、
図5は、図3のウエハを、図4のプラズマ処理の後の状態で示す概略的な部分断面図であり、
図6は、図5のウエハを、後行のCIF3・処理中の状態で示す概略的な部分断面図である。
Claims (13)
- マスクされたウエハのスタックのエッチングを行うための反応装置であって、エッチングガス、有利には三フッ化塩素(CIF3)を用いている形式のものにおいて、反応装置はプラズマ処理の実施のための装置を含んでいることを特徴とする、ウエハのスタックのエッチングを行うための反応装置。
- 反応装置は不活性ガススパッタリング処理の実施のための装置を含んでいる請求項1に記載の反応装置。
- 反応装置は、電極を備えたウエハ支持体を含んでいる請求項1又は2に記載の反応装置。
- 電極はウエハのための受容部を含んでいる請求項1から3のいずれか1項に記載の反応装置。
- 各電極は、2つのウエハを受容できるように形成されている請求項1から4のいずれか1項に記載の反応装置。
- 電極の極性の切り換えのための切り換え装置を設けてある請求項1から5のいずれか1項に記載の反応装置。
- ウエハ支持体は、電極と反応装置の電気的な接続部若しくは所定の通路との接続のための接続ユニットを含んでいる請求項1から6のいずれか1項に記載の反応装置。
- 制御装置を設けてあり、該制御装置は、個別の処理過程、若しくはプラズマ処理、エッチング処理、及びプラズマ処理とエッチング処理との切り換え、若しくはプラズマ処理とエッチング処理との組合せを制御するようになっている請求項1から7のいずれか1項に記載の反応装置。
- マスクされたウエハのためのエッチング法であって、エッチングガス、有利には三フッ化塩素(CIF3)を用い、この場合にウエハを、エッチング処理の前にプラズマ処理によって前処理する形式のものにおいて、マスクされたウエハのスタックのためのウエハ前処理並びにエッチング処理を1つの反応装置室内で行うことを特徴とする、マスクされたウエハのためのエッチング法。
- ウエハ前処理とエッチング処理を組み合わせて反応装置室内で行う請求項9に記載のエッチング法。
- エッチング法はウエハ前処理のための不活性ガススパッタリング処理を含んでいる請求項9又は10に記載のエッチング法。
- 不活性ガススパッタリング処理は、エッチング処理の前及び/又はエッチング処理中に行われる請求項11に記載のエッチング法。
- 不活性ガススパッタリング処理は、エッチング処理と交互に行われる請求項11又は12に記載のエッチング。
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