JP2009302201A - Group iii nitride semiconductor light emitting element - Google Patents

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Masaaki Osawa
政明 大沢
Shinji Shimono
信治 下野
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Toyoda Gosei Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a face-up type group III nitride semiconductor light emitting element which is enhanced in uniformity of light emission and improved in light extraction efficiency. <P>SOLUTION: The light emitting element 1 has a transparent electrode 15 formed over the entire surface of a p-type layer 13, and a p-side pad electrode 16 and an extension electrode 17 formed on the transparent electrode 15. The extension electrode 17 is made of Ni/Au with a film thickness to which transparency remains. A current is diffused by the extension electrode 17, so the uniformity of light emission is high, and the extension electrode 17 has transparency, thereby improving the light extraction efficiency. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、III 族窒化物半導体発光素子に関するものであり、特に電極の構造に特徴を有するものである。   The present invention relates to a group III nitride semiconductor light emitting device, and particularly has a feature in the structure of an electrode.

従来、フェイスアップ型のIII 族窒化物半導体発光素子では、ｐ型層の全面にＩＴＯやＮｉ／Ａｕなどの透明電極を形成して電流が面方向に広がるようにすることで均一に発光するようにしている。しかし、このような透明電極を形成したとしても、ｐパッド電極とｎパッド電極を結ぶ距離が短い領域に電流が流れやすいため、十分に均一な発光を得ることはできない。   Conventionally, in a face-up type III-nitride semiconductor light emitting device, a transparent electrode such as ITO or Ni / Au is formed on the entire surface of the p-type layer so that the current spreads in the plane direction so as to emit light uniformly. I have to. However, even if such a transparent electrode is formed, sufficiently uniform light emission cannot be obtained because a current easily flows in a region where the distance between the p pad electrode and the n pad electrode is short.

そこで、透明電極上にｐパッド電極と接続する配線形状の延伸電極を設けることで、ｐパッド電極とｎパッド電極を結ぶ距離が遠い領域にも電流が流れるようにし、より均一に発光するようにする技術が知られている（特許文献１、２）。特許文献１では、透明電極をＮｉ／Ａｕとし、延伸電極をＴｉ／Ａｕとすることが示されている。また、特許文献２では、透明電極をＣｏ／Ａｕとし、延伸電極とｐパッド電極をＶ／Ａｕ／Ａｌとすることが示されている。   Therefore, by providing a wiring-shaped extending electrode connected to the p-pad electrode on the transparent electrode, current can flow even in a region where the distance between the p-pad electrode and the n-pad electrode is far, so that light is emitted more uniformly. The technique which performs is known (patent documents 1, 2). Patent Document 1 discloses that the transparent electrode is Ni / Au and the stretched electrode is Ti / Au. Patent Document 2 discloses that the transparent electrode is Co / Au and the stretched electrode and the p-pad electrode are V / Au / Al.

一方、特許文献３には、ｐ型層上に形成する透明電極を配線形状にすることが示されている。ｐ型層を覆う透明電極の面積を減らすことで、透明電極による光の反射、吸収を減らすことができ、光取り出し効率を向上させることができる。
特開平１０−２７５９３４ 特開２００１−３４５４８０ 特開２００６−１２０９２７ On the other hand, Patent Document 3 shows that the transparent electrode formed on the p-type layer has a wiring shape. By reducing the area of the transparent electrode covering the p-type layer, the reflection and absorption of light by the transparent electrode can be reduced, and the light extraction efficiency can be improved.
JP-A-10-275934 JP 2001-345480 A JP 2006-120927 A

しかし、特許文献１、２に示された方法では延伸電極が光を透過しないため、光取り出し効率が低いという問題があった。   However, the methods disclosed in Patent Documents 1 and 2 have a problem that the light extraction efficiency is low because the stretched electrode does not transmit light.

また、特許文献３に示された方法では、透明電極の面積が小さいため面方向に十分に電流を広げることができず、均一に発光させることが難しい。   In the method disclosed in Patent Document 3, since the area of the transparent electrode is small, the current cannot be sufficiently spread in the surface direction, and it is difficult to emit light uniformly.

そこで本発明の目的は、発光面積を減少させることなく、均一に発光させることができるIII 族窒化物半導体発光素子を実現することである。   Therefore, an object of the present invention is to realize a group III nitride semiconductor light-emitting device that can emit light uniformly without reducing the light-emitting area.

第１の発明は、光取り出し面側をｐ型層として積層されたIII 族窒化物半導体層を備えるフェイスアップ型の発光素子において、ｐ型層の全面にわたって形成され、透光性と導電性とを有した透明電極と、透明電極上に形成されたｐ側パッド電極と、発光素子端部の透明電極上に形成され、透光性と導電性とを有した厚肉部と、を有することを特徴とする発光素子である。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a face-up type light emitting device including a group III nitride semiconductor layer laminated with a light extraction surface side as a p-type layer, and is formed over the entire surface of the p-type layer. A transparent electrode having a transparent electrode, a p-side pad electrode formed on the transparent electrode, and a thick portion formed on the transparent electrode at the end of the light emitting element and having translucency and conductivity. It is a light emitting element characterized by these.

III 族窒化物半導体とは、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮなど、一般式Ａｌx Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表されるものである。III 族窒化物半導体層の主要な層は、一般的にＧａとＮを必須成分とする半導体で構成されている。ｎ型不純物としては、Ｓｉなどが用いられ、ｐ型不純物としてはＭｇなどが用いられる。 The group III nitride semiconductor is represented by a general formula Al x Ga y In 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1) such as GaN, AlGaN, InGaN, and AlGaInN. Is. The main layer of the group III nitride semiconductor layer is generally composed of a semiconductor containing Ga and N as essential components. Si or the like is used as the n-type impurity, and Mg or the like is used as the p-type impurity.

透明電極と厚肉部の材料は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。透光性と導電性を有した材料としては、たとえばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＣＯ、ＴＮＯなどの導電性酸化物や、Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｏ／Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｏなどの金属薄膜が挙げられる。厚肉部の材料を金属薄膜とする場合には、厚肉部とｐ側パッド電極の材料が同一であってもよい。   The material of the transparent electrode and the thick part may be the same or different. Examples of the material having translucency and conductivity include conductive oxides such as ITO, IZO, ICO, and TNO, and metal thin films such as Ni / Au, Co / Au, Ni, and Co. When the material of the thick part is a metal thin film, the material of the thick part and the p-side pad electrode may be the same.

第２の発明は、第１の発明において、厚肉部は透明電極と同一の材料からなることを特徴とする発光素子である。   A second invention is the light emitting element according to the first invention, wherein the thick part is made of the same material as the transparent electrode.

第３の発明は、第２の発明において、透明電極および厚肉部は、導電性酸化物であることを特徴とする発光素子である。   A third invention is the light emitting element according to the second invention, wherein the transparent electrode and the thick part are a conductive oxide.

第４の発明は、第１の発明において、厚肉部は、透明電極とは異なる材料からなることを特徴とする発光素子である。   A fourth invention is the light emitting element according to the first invention, wherein the thick portion is made of a material different from that of the transparent electrode.

第５の発明は、第４の発明において、透明電極は導電性酸化物からなり、厚肉部は金属薄膜からなることを特徴とする発光素子である。   A fifth invention is the light emitting device according to the fourth invention, wherein the transparent electrode is made of a conductive oxide and the thick part is made of a metal thin film.

第６の発明は、第５の発明において、金属薄膜は、Ｎｉ／ＡｕまたはＣｏ／Ａｕであることを特徴とする発光素子である。   A sixth invention is the light emitting element according to the fifth invention, wherein the metal thin film is Ni / Au or Co / Au.

第７の発明は、第６の発明において、金属薄膜の膜厚は、５０〜１００Åであることを特徴とする発光素子である。   A seventh invention is the light-emitting element according to the sixth invention, wherein the metal thin film has a thickness of 50 to 100 mm.

５０Å以下ではシート抵抗が高く望ましくない。また、１００Å以上では透光性が低くなり望ましくない。   Below 50 mm, sheet resistance is high and undesirable. On the other hand, if it is 100 mm or more, the translucency is lowered, which is undesirable.

第８の発明は、第３の発明、第５の発明から第７の発明において、導電性酸化物は、ＩＴＯであることを特徴とする発光素子である。   An eighth invention is a light-emitting element according to the third invention, the fifth invention to the seventh invention, wherein the conductive oxide is ITO.

第９の発明は、第１の発明から第８の発明において、厚肉部は、ｐ側パッド電極と連続する配線形状に形成されていることを特徴とする発光素子である。   A ninth invention is a light emitting device according to the first to eighth inventions, wherein the thick portion is formed in a wiring shape continuous with the p-side pad electrode.

第１０の発明は、第１の発明から第８の発明において、厚肉部は、発光素子端部に向かうにつれ厚くなる形状であることを特徴とする発光素子である。   A tenth aspect of the present invention is the light emitting element according to any one of the first to eighth aspects, wherein the thick portion has a shape that becomes thicker toward the end of the light emitting element.

本発明によると、発光素子端部の透明電極上に厚肉部を設けることにより、発光素子端部におけるシート抵抗を低減することができ、発光素子端部を流れる電流が増加する。そのため、発光素子面方向の電流密度分布が均一となり、発光の均一性を高めることができる。また、厚肉部は透光性を有する材料としているため、吸収や反射によって光の取り出しが妨げられることがなく、光取り出し効率を向上させることができる。   According to the present invention, by providing the thick portion on the transparent electrode at the end of the light emitting element, the sheet resistance at the end of the light emitting element can be reduced, and the current flowing through the end of the light emitting element is increased. Therefore, the current density distribution in the light emitting element surface direction becomes uniform, and the uniformity of light emission can be improved. Moreover, since the thick portion is made of a light-transmitting material, light extraction is not hindered by absorption or reflection, and light extraction efficiency can be improved.

以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, specific examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the examples.

図１は、実施例１のフェイスアップ型の発光素子１の平面図である。また、図２は、図１におけるＡ−Ａでの断面図である。   FIG. 1 is a plan view of a face-up light-emitting element 1 according to the first embodiment. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.

発光素子１は、主として、サファイア基板１０上にバッファ層（図示しない）を介して形成されたIII 族窒化物半導体層（ｎ型層１１、活性層１２、ｐ型層１３）と、電極（ｎ側パッド電極１４、透明電極１５、ｐ側パッド電極１６、延伸電極１７）とにより構成されている。また、発光素子１は図１に示すように平面形状が四角形状である。また、光取り出し面は、ｐ型層１３表面側である。延伸電極１７は、本発明の厚肉部に相当する。   The light-emitting element 1 mainly includes a group III nitride semiconductor layer (n-type layer 11, active layer 12, p-type layer 13) formed on a sapphire substrate 10 via a buffer layer (not shown), and an electrode (n The side pad electrode 14, the transparent electrode 15, the p-side pad electrode 16, and the extending electrode 17) are included. Further, as shown in FIG. 1, the light emitting element 1 has a quadrangular planar shape. The light extraction surface is the surface side of the p-type layer 13. The stretched electrode 17 corresponds to the thick part of the present invention.

III 族窒化物半導体層は、サファイア基板１０側から順にｎ型層１１、活性層１２、ｐ型層１３が積層された構造である。ｎ型層１１、活性層１２、ｐ型層１３の構造には、従来より知られる種々の構造を用いることができる。ｎ型層、ｐ型層は単層であってもよいし、複層であってもよく、超格子層を含んでいてもよい。たとえば、ｎ型層はｎ型コンタクト層とｎ型クラッド層で構成され、ｐ型層はｐ型クラッド層とｐ型コンタクト層で構成されたものを用いることができる。また、活性層はＭＱＷやＳＱＷなどの構造を用いることができる。III 族窒化物半導体層は、サファイア基板１０上のバッファ層を介して、ＭＯＣＶＤ法によりｎ型層１１、活性層１２、ｐ型層１３を順に形成することで得られる。   The group III nitride semiconductor layer has a structure in which an n-type layer 11, an active layer 12, and a p-type layer 13 are stacked in this order from the sapphire substrate 10 side. As the structures of the n-type layer 11, the active layer 12, and the p-type layer 13, various conventionally known structures can be used. The n-type layer and p-type layer may be a single layer, a multilayer, or a superlattice layer. For example, the n-type layer may be composed of an n-type contact layer and an n-type cladding layer, and the p-type layer may be composed of a p-type cladding layer and a p-type contact layer. The active layer can have a structure such as MQW or SQW. The group III nitride semiconductor layer is obtained by sequentially forming the n-type layer 11, the active layer 12, and the p-type layer 13 by the MOCVD method through the buffer layer on the sapphire substrate 10.

ある一辺側のIII 族窒化物半導体層の領域には、ｎ型層１３に達する深さの凹部１８が形成され、ｎ型層１３の一部領域が露出している。この露出したｎ型層１３上には、ｎ側パッド電極１４が形成されていて、ｎ型層１３とｎ側パッド電極１４とが電気的に接続されている。   A recess 18 having a depth reaching the n-type layer 13 is formed in a region of the group III nitride semiconductor layer on one side, and a partial region of the n-type layer 13 is exposed. An n-side pad electrode 14 is formed on the exposed n-type layer 13, and the n-type layer 13 and the n-side pad electrode 14 are electrically connected.

透明電極１５はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ、酸化インジウムスズ）であり、ｐ型層１３表面の全面にわたって形成されている。ＩＴＯ以外にはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ、酸化インジウム亜鉛）、ＩＣＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｃｅｒｉｕｍ−Ｏｘｉｄｅ、酸化インジウムセリウム）、ＴＮＯ（Ｔｉｔａｎｉｕｍ−Ｎｉｏｂｉｕｍ−Ｏｘｉｄｅ、酸化チタンニオブ）などの透光性を有した導電性酸化物を用いることができる。また、透明電極１５は、図２に示すように、発光素子１の端部側に向かうにつれ連続的に厚く形成されている。   The transparent electrode 15 is made of ITO (Indium-Tin-Oxide, indium tin oxide), and is formed over the entire surface of the p-type layer 13. Other than ITO, translucent conductive materials such as IZO (Indium-Zinc-Oxide, Indium Zinc Oxide), ICO (Indium-Cerium-Oxide, Indium Cerium Oxide), TNO (Titanium-Niobium-Oxide, Titanium Niobium). Oxides can be used. Further, as shown in FIG. 2, the transparent electrode 15 is formed so as to be continuously thicker toward the end portion side of the light emitting element 1.

延伸電極１７は、透明電極１５上に形成されていて、その平面形状は、ｎ側パッド電極１４が形成されている側ではない３辺に沿うコの字型の配線形状に形成されている。延伸電極１７は、Ｎｉ／Ａｕであり、透光性を有する程度の膜厚で形成されている。Ｎｉ／Ａｕ以外には、Ｃｏ／Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｏなどの金属膜を用いることができる。膜厚は５０〜１００Åとするのが望ましい。５０Å以下ではシート抵抗が高くなってしまい、１００Å以上では透光性が低くなるからである。   The extending electrode 17 is formed on the transparent electrode 15, and its planar shape is a U-shaped wiring shape along three sides that is not the side where the n-side pad electrode 14 is formed. The stretched electrode 17 is Ni / Au, and is formed with a film thickness that has translucency. In addition to Ni / Au, a metal film such as Co / Au, Ni, or Co can be used. The film thickness is desirably 50 to 100 mm. This is because the sheet resistance increases at 50 mm or less, and the translucency decreases at 100 mm or more.

このような延伸電極１７は、フォトリソグラフィにより透明電極１５上にコの字型の配線形状とは逆のパターンにレジストを形成し、蒸着法によって、レジストに覆われていない透明電極１５上にＮｉ／Ａｕ膜を形成したのち、レジストを除去することで得られる。   Such a stretched electrode 17 is formed by forming a resist in a pattern opposite to the U-shaped wiring shape on the transparent electrode 15 by photolithography, and forming Ni on the transparent electrode 15 not covered with the resist by vapor deposition. After obtaining the / Au film, it is obtained by removing the resist.

なお、延伸電極１７は他の透光性と導電性を有した材料で形成されていてもよい。たとえば、透明電極１５と同じＩＴＯであってもよいし、透明電極１５の材料とは異なる導電性酸化物であってもよい。   In addition, the extending | stretching electrode 17 may be formed with the material which has another translucency and electroconductivity. For example, the same ITO as the transparent electrode 15 may be used, or a conductive oxide different from the material of the transparent electrode 15 may be used.

ｐ側パッド電極１６は、ｎ側パッド電極１４が形成されている側の一辺とは反対側の一辺側であって、透明電極１５上に延伸電極１７に連続して形成されている。ｐ側パッド電極１６は、Ｎｉ／Ａｕであり、延伸電極１７と同一の材料である。ｐ側パッド電極１６を構成するＮｉ膜と延伸電極１７を構成するＮｉ膜は、同一の膜厚で連続して形成されていて、ｐ側パッド電極１６を構成するＡｕ膜が、延伸電極１７を構成するＡｕ膜よりも厚い膜厚で形成されている。その結果、ｐ側パッド電極１６は延伸電極１７よりも厚く形成されている。   The p-side pad electrode 16 is on one side opposite to the side on which the n-side pad electrode 14 is formed, and is continuously formed on the transparent electrode 15 with the extended electrode 17. The p-side pad electrode 16 is Ni / Au and is the same material as the stretched electrode 17. The Ni film constituting the p-side pad electrode 16 and the Ni film constituting the stretched electrode 17 are continuously formed with the same film thickness, and the Au film constituting the p-side pad electrode 16 replaces the stretched electrode 17. It is formed with a film thickness thicker than the Au film to be formed. As a result, the p-side pad electrode 16 is formed thicker than the extending electrode 17.

なお、ｐ側パッド電極１６の材料としてＮｉ／Ａｕ以外にも従来より知られるさまざまな材料を用いることができる。また、実施例１の発光素子１ではｐ側パッド電極１６と延伸電極１７とを同一の材料としているが、必ずしも同一である必要はない。また、発光素子１では、透明電極１５上と延伸電極１７上に形成し、透明電極１５、延伸電極１７の双方に電気的に接続するようにｐ側パッド電極１６を形成しているが、延伸電極１７のみに電気的に接続するようにしてもよい。たとえば、延伸電極１７をＮｉやＣｏの単層とし、その延伸電極１７上にＡｕからなるｐ側パッド電極１６を形成するようにしてもよい。   In addition to the Ni / Au, various conventionally known materials can be used as the material for the p-side pad electrode 16. In the light-emitting element 1 of Example 1, the p-side pad electrode 16 and the stretched electrode 17 are made of the same material, but are not necessarily the same. In the light emitting element 1, the p-side pad electrode 16 is formed on the transparent electrode 15 and the stretched electrode 17, and is electrically connected to both the transparent electrode 15 and the stretched electrode 17. Only the electrode 17 may be electrically connected. For example, the extending electrode 17 may be a single layer of Ni or Co, and the p-side pad electrode 16 made of Au may be formed on the extending electrode 17.

この発光素子１では、従来と同様にｐ側パッド電極１６に接続する延伸電極１７を、発光素子１端部の透明電極１５上に設けることにより、発光素子１端部における電流を増大させ、面方向に電流を拡散させることができ、発光を均一にすることができる。また、従来は透光性のない材料で延伸電極が構成されていたが、実施例１の発光素子１では透光性を有した延伸電極１７を用いているため、延伸電極１７により光が吸収、反射されることがない。その結果、光取り出し効率が向上している。また、透明電極１５を発光素子１の端部に向かうにつれ厚く形成したため、端部における透明電極１５のシート抵抗が低くなり、発光素子１の端部を流れる電流を増加させることができ、より面方向に均一に電流を拡散させることができる。   In this light-emitting element 1, the extension electrode 17 connected to the p-side pad electrode 16 is provided on the transparent electrode 15 at the end of the light-emitting element 1 in the same manner as in the past, thereby increasing the current at the end of the light-emitting element 1. Current can be diffused in the direction, and light emission can be made uniform. Conventionally, the stretched electrode is made of a non-translucent material, but the light-emitting element 1 of Example 1 uses the stretched electrode 17 having translucency, so that the stretched electrode 17 absorbs light. , Will not be reflected. As a result, the light extraction efficiency is improved. Further, since the transparent electrode 15 is formed thicker toward the end of the light emitting element 1, the sheet resistance of the transparent electrode 15 at the end is reduced, and the current flowing through the end of the light emitting element 1 can be increased. Current can be diffused uniformly in the direction.

なお、実施例１では延伸電極１７をコの字型としているが、図３のように、四角形の対角上にｎパッド電極２４、ｐパッド電極２６を設け、ｐパッド電極２６に接続する延伸電極２７を、透明電極２５上にＬ字型に設けてもよい。   In the first embodiment, the extending electrode 17 has a U-shape. However, as shown in FIG. 3, an n pad electrode 24 and a p pad electrode 26 are provided on the diagonal of the square, and the extending electrode 17 is connected to the p pad electrode 26. The electrode 27 may be provided in an L shape on the transparent electrode 25.

また、ｎ側パッド電極に接続する延伸電極を設けてもよい。たとえば、図４のように示す構造であってもよい。図４に示す発光素子は、平面形状が長方形であり、ある角部３９ａから長手方向の辺３９ｂに沿ってｎ型層３１が露出し、角部３９ａのｎ型層３１上にｎ側パッド電極３４を形成し、長手方向の辺３９ｂに沿って露出したｎ型層３１上に、ｎ側パッド電極３４に接続する延伸電極３８を形成し、角部３９ａの対角である角部３９ｃの透明電極３５上にｐ側パッド電極３６を形成し、辺３９ｂの対辺である辺３９ｄに沿って直線状に延伸電極３７を形成した構造である。   Moreover, you may provide the extending | stretching electrode connected to an n side pad electrode. For example, the structure shown in FIG. 4 may be used. The light-emitting element shown in FIG. 4 has a rectangular planar shape, the n-type layer 31 is exposed along a side 39b in the longitudinal direction from a certain corner 39a, and the n-side pad electrode is formed on the n-type layer 31 of the corner 39a. 34, and an extended electrode 38 connected to the n-side pad electrode 34 is formed on the n-type layer 31 exposed along the side 39b in the longitudinal direction, and the corner portion 39c, which is the diagonal of the corner portion 39a, is transparent. In this structure, the p-side pad electrode 36 is formed on the electrode 35, and the extended electrode 37 is formed linearly along the side 39d which is the opposite side of the side 39b.

また、実施例１では透明電極１５の厚さを発光素子端部に向かうにつれ連続的に厚くなるよう形成しているが、階段状に形成することで段階的に厚くなるようにしてもよい。また、延伸電極によって十分に電流を拡散することができるのであれば、透明電極１５の厚さを均一に形成してもよい。   In the first embodiment, the thickness of the transparent electrode 15 is continuously increased as it goes toward the end of the light emitting element. However, the thickness may be increased stepwise by forming the transparent electrode 15 stepwise. Moreover, the thickness of the transparent electrode 15 may be formed uniformly if the current can be sufficiently diffused by the stretched electrode.

図５は、実施例２のフェイスアップ型の発光素子２の平面図であり、図６は図５におけるＢ−Ｂ断面図である。発光素子１との構造の違いは、発光素子２にはｐ側パッド電極１６に連続する延伸電極を設けていない点である。   FIG. 5 is a plan view of the face-up light-emitting element 2 of Example 2, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. The difference from the light emitting element 1 is that the light emitting element 2 is not provided with a stretched electrode continuous to the p-side pad electrode 16.

透明電極１５は、実施例１においても述べたように、発光素子２端部に向かうにつれ連続的に膜厚が厚くなる厚肉部１５ａを有している。この厚肉部１５ａによって、透明電極１５のシート抵抗は端部に向かうにつれ低くなる。したがって、延伸電極を設けずに、厚肉部１５ａの厚さを調整することのみによっても、発光素子２端部を流れる電流を増加させ、面方向に電流を拡散させることができ、発光を均一にすることができる。   As described in the first embodiment, the transparent electrode 15 has the thick portion 15a in which the film thickness continuously increases toward the end of the light emitting element 2. Due to the thick portion 15a, the sheet resistance of the transparent electrode 15 becomes lower toward the end portion. Accordingly, the current flowing through the end of the light emitting element 2 can be increased by only adjusting the thickness of the thick portion 15a without providing a stretched electrode, the current can be diffused in the plane direction, and the light emission can be made uniform. Can be.

なお、発光素子のIII 族窒化物半導体層の構造は実施例１、２に限るものではなく、フェイスアップ型のIII 族窒化物半導体発光素子の構造に用いられている種々の構造を用いることができる。   The structure of the group III nitride semiconductor layer of the light emitting element is not limited to the first and second embodiments, and various structures used for the structure of the face-up type group III nitride semiconductor light emitting element can be used. it can.

また、いずれの実施例においても透明電極の材料として導電性酸化物を用いているが、他の透光性と導電性を有した材料、たとえば金属薄膜など、であってもよい。   In any of the embodiments, the conductive oxide is used as the material of the transparent electrode. However, other materials having translucency and conductivity, such as a metal thin film, may be used.

本発明は、表示装置や照明装置などに用いることができる。   The present invention can be used for display devices, lighting devices, and the like.

実施例１の発光素子１の平面図。2 is a plan view of the light-emitting element 1 of Example 1. FIG. 実施例１の発光素子１の断面図。2 is a cross-sectional view of the light-emitting element 1 of Example 1. FIG. 本発明の他の発光素子の平面図。The top view of the other light emitting element of this invention. 本発明の他の発光素子の平面図。The top view of the other light emitting element of this invention. 実施例２の発光素子２の平面図。FIG. 6 is a plan view of the light-emitting element 2 of Example 2. 実施例２の発光素子２の断面図。Sectional drawing of the light emitting element 2 of Example 2. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１０：サファイア基板
１１：ｎ型層
１２：活性層
１３：ｐ型層
１４：ｎ側パッド電極
１５：透明電極
１６：ｐ側パッド電極
１７：延伸電極 10: Sapphire substrate 11: n-type layer 12: active layer 13: p-type layer 14: n-side pad electrode 15: transparent electrode 16: p-side pad electrode 17: stretched electrode

Claims (10)

光取り出し面側をｐ型層として積層されたIII 族窒化物半導体層を備えるフェイスアップ型の発光素子において、
前記ｐ型層の全面にわたって形成され、透光性と導電性とを有した透明電極と、
前記透明電極上に形成されたｐ側パッド電極と、
前記発光素子端部の前記透明電極上に形成され、透光性と導電性とを有した厚肉部と、
を有することを特徴とする発光素子。 In a face-up type light emitting device comprising a group III nitride semiconductor layer laminated with the light extraction surface side as a p-type layer,
A transparent electrode formed over the entire surface of the p-type layer and having translucency and conductivity;
A p-side pad electrode formed on the transparent electrode;
A thick portion formed on the transparent electrode at the end of the light emitting element and having translucency and conductivity;
A light-emitting element including: 前記厚肉部は、前記透明電極と同一の材料からなることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。   The light-emitting element according to claim 1, wherein the thick part is made of the same material as the transparent electrode. 前記透明電極および前記厚肉部は、導電性酸化物であることを特徴とする請求項２に記載の発光素子。   The light emitting device according to claim 2, wherein the transparent electrode and the thick part are a conductive oxide. 前記厚肉部は、前記透明電極とは異なる材料からなることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。   The light-emitting element according to claim 1, wherein the thick portion is made of a material different from that of the transparent electrode. 前記透明電極は導電性酸化物からなり、前記厚肉部は金属薄膜からなる、ことを特徴とする請求項４に記載の発光素子。   The light emitting device according to claim 4, wherein the transparent electrode is made of a conductive oxide, and the thick portion is made of a metal thin film. 前記金属薄膜は、Ｎｉ／ＡｕまたはＣｏ／Ａｕであることを特徴とする請求項５に記載の発光素子。   The light emitting device according to claim 5, wherein the metal thin film is Ni / Au or Co / Au. 前記金属薄膜の膜厚は、５０〜１００Åであることを特徴とする請求項６に記載の発光素子。   The light emitting device according to claim 6, wherein the metal thin film has a thickness of 50 to 100 mm. 前記導電性酸化物は、ＩＴＯであることを特徴とする請求項３、請求項５ないし請求項７のいずれか１項に記載の発光素子。   The light emitting device according to any one of claims 3 and 5, wherein the conductive oxide is ITO. 前記厚肉部は、前記ｐ側パッド電極と連続する配線形状に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項８に記載の発光素子。   The light-emitting element according to claim 1, wherein the thick portion is formed in a wiring shape that is continuous with the p-side pad electrode. 前記厚肉部は、前記発光素子端部に向かうにつれ厚くなる形状であることを特徴とする請求項１ないし請求項８に記載の発光素子。   9. The light emitting device according to claim 1, wherein the thick portion has a shape that becomes thicker toward an end of the light emitting device.
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