JP2009295948A

JP2009295948A - Ｌｅｄ搭載用横発光型基板、ｌｅｄ搭載横発光型基板、横発光型モジュール、受光素子搭載用横受光型基板、受光素子搭載横受光型基板、横受光型モジュール及び横型モジュール

Info

Publication number: JP2009295948A
Application number: JP2008179608A
Authority: JP
Inventors: Nobuo Kendo; 信男見藤; Yoshio Ueda; 良生上田
Original assignee: TRION KK
Current assignee: TRION KK
Priority date: 2008-05-02
Filing date: 2008-07-09
Publication date: 2009-12-17

Abstract

【課題】樹脂質絶縁材を用いて形成しながら、高い耐熱性を発揮できるＬＥＤ搭載用横発光型基板等を提供する。
【解決手段】基板３は、方向Ｙ１に開放された収容部３０内にＬＥＤ５０を実装した場合に光を方向Ｙ１へ出射する基板であり、金属製の底部放熱層３２と、底部放熱層３２上に積層された下段部構成層３３と、下段部構成層３３上に積層されたランド部を備えるＬＥＤ用配線層３４と、ＬＥＤ用配線層３４のランド部を収容部３０内に露出させて積層された中段部構成層３５と、中段部構成層３５上に積層された上段部構成層３６と、上段部構成層３６上に積層された金属製の上部放熱層３７と、を備え、端面３３１は上方へ向かって、端面３６１は下方へ向かって、各々広がるように傾斜されて表面に光反射層３９を有する。基板２は基板３とＬＥＤ５０とを備え、モジュールは基板２とマザーボードと、を備える。
【選択図】図４

Description

本発明は、ＬＥＤ搭載用横発光型基板、ＬＥＤ搭載横発光型基板、横発光型モジュール、受光素子搭載用横受光型基板、受光素子搭載横受光型基板、横受光型モジュール及び横型モジュールに関する。更に詳しくは、本発明は、樹脂質絶縁材を積層して構成され、その積層方向に対して垂直な１つの方向にＬＥＤの光を出射するＬＥＤ搭載用横発光型基板、及びこのＬＥＤ搭載用横発光型基板にＬＥＤが実装されたＬＥＤ搭載横発光型基板、並びにこのＬＥＤ搭載横発光型基板がマザーボードに実装された横発光型モジュールに関する。更に、樹脂質絶縁材を積層して構成され、その積層方向に対して垂直な１つの方向から光を受光する受光素子搭載用横受光型基板、及びこの受光素子搭載用横受光型基板に受光素子が実装された受光素子搭載横受光型基板、並びにこの受光素子搭載横受光型基板がマザーボードに実装された横受光型モジュールに関する。また更に上記ＬＥＤ搭載横発光型基板と上記受光素子搭載横受光型基板との両方がマザーボードに実装された横型モジュールに関する。

ＬＥＤ（発光ダイオード）は、サファイア基板及びシリコン基板などに発光層が積層形成されており、サファイア基板及びシリコン基板等の基板平面に平行な方向を主な光出射方向としているが、全光出射量からみれば、基板平面に対して垂直な方向への光出射量も、通常、非常に多く有している。このため、基板平面に平行な方向、即ち、いわゆる横方向へＬＥＤの光を出射させようとすると光路変換が必要となる。この光路変換を行うことができるものとしては、下記特許文献１〜７に開示された技術が知られている。

特開２００４−８７９７３号公報特開２００１−３２００９２号公報特開２００５−２２３０８２号公報特開平５−３１５６５１号公報特開２００６−５４２１７号公報特開２００６−３３９６５１号公報特開平７−３２６７９７号公報

しかし、上記特許文献に開示された装置は、いずれも電極が形成された基板にＬＥＤを直接実装する構造を有している。このため、昨今、開発が進められているいわゆるハイパワー型のＬＥＤを実装すると、ＬＥＤの発熱により基板が十分な放熱性を発揮することができず、特に樹脂質絶縁材を用いて構成された回路基板では十分な耐久性が得られないという課題を生じている。更に、受光素子においては、その新たな搭載用基板等が求められている。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、樹脂質絶縁材を用いて形成しながら、高い耐熱性を発揮することができるＬＥＤ搭載用横発光型基板、及びこのＬＥＤ搭載用横発光型基板にＬＥＤが実装されたＬＥＤ搭載横発光型基板、並びにこのＬＥＤ搭載横発光型基板がマザーボードに実装された横発光型モジュールを提供することを目的とする。更に、樹脂質絶縁材を用いて形成した受光素子搭載用横受光型基板、及びこの受光素子搭載用横受光型基板に受光素子が実装された受光素子搭載横受光型基板、並びにこの受光素子搭載横受光型基板がマザーボードに実装された横受光型モジュールを提供することを目的とする。

本発明は以下のとおりである。
〈１〉樹脂質絶縁材を積層して構成され、その積層方向に対して垂直な１つの方向に開放された収容部を備え、該収容部内にＬＥＤを実装した場合に、該ＬＥＤの光を上記収容部の開放された方向へ出射するＬＥＤ搭載用横発光型基板であって、
上記ＬＥＤの底面が接合されることとなる金属製の底部放熱層と、
上記収容部のうちの下段部を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記底部放熱層上に積層された樹脂質絶縁材からなる下段部構成層と、
上記下段部構成層上に積層され、且つランド部及びリード部を備えるＬＥＤ用配線層と、
上記収容部のうちの中段部を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記ＬＥＤ用配線層の上記ランド部を該収容部内に露出させて該ＬＥＤ用配線層上に積層された樹脂質絶縁材からなる中段部構成層と、
上記収容部のうちの上段部を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記中段部構成層上に積層された樹脂質絶縁材からなる上段部構成層と、
上記上段部構成層上に積層された金属製の上部放熱層と、を備え、
上記下段部構成層の上記切り欠かれて形成された端面である下段部切欠端面は上方へ向かって広がるように傾斜され、上記上段部構成層の上記切り欠かれて形成された端面である上段部切欠端面は下方へ向かって広がるように傾斜されており、
上記下段部切欠端面及び上記上段部切欠端面の表面に光反射層を有することを特徴とするＬＥＤ搭載用横発光型基板。
〈２〉上記収容部は、上記積層方向に対して垂直な上記１つの方向にのみ開放されている上記〈１〉に記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板。
〈３〉上記収容部は、更に、上記積層方向に対して水平な上方向にも開放されている上記〈１〉に記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板。
〈４〉上記外広がりの形状は、略半円形状である上記〈１〉乃至〈３〉のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板。
〈５〉上記収容部内を充塞する封止材を備え、
上記封止材は、透光性樹脂と石英ガラス粒子とを含有する上記〈１〉乃至〈４〉のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板。
〈６〉上記石英ガラス粒子は、外表面に演色性改善成分が添着されている上記〈５〉に記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板。
〈７〉上記収容部を複数備え且つ該収容部は列設されている上記〈１〉乃至〈６〉のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板。
〈８〉上記収容部のうちの１つの収容部内に露出された上記ランド部と、上記収容部のうちの他の収容部内に露出された上記ランド部と、は上記ＬＥＤ用配線層において電気的に接続されている上記〈７〉に記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板。
〈９〉上記底部放熱層の層下及び／又は上記上部放熱層の層上に、熱吸収体を備える上記〈１〉乃至〈８〉のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板。
〈１０〉上記〈１〉乃至〈９〉のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板と、該ＬＥＤ搭載用横発光型基板の上記収容部内に実装されたＬＥＤと、を備えることを特徴とするＬＥＤ搭載横発光型基板。
〈１１〉上記ＬＥＤは、絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された発光部と、該発光部の上面に形成され且つ該発光部を発光させるための発光部用端子と、を備え、
上記絶縁性基板と上記ＬＥＤ搭載用横発光型基板を構成する上記底部放熱層とは接着剤を介して接合されており、
上記発光部端子と上記ＬＥＤ搭載用横発光型基板の上記ランド部とはボンディングワイヤを介して電気的に接続されている上記〈１０〉に記載のＬＥＤ搭載横発光型基板。
〈１２〉上記ＬＥＤを１つ又は２つ以上を備え、該ＬＥＤの合計出力が１Ｗ以上である上記〈１０〉又は〈１１〉に記載のＬＥＤ搭載横発光型基板。
〈１３〉上記〈１０〉乃至〈１２〉のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載横発光型基板と、該ＬＥＤ搭載横発光型基板が実装されたマザーボードと、を備えることを特徴とする横発光型モジュール。
〈１４〉上記ＬＥＤ搭載用横発光型基板の上記ＬＥＤ用配線層を構成するリード部は、上記下段部構成層の端面のうちの上記切欠端面以外の他の端面に基板実装用ランド部として導出されており、
上記基板実装用ランド部は、上記マザーボードの実装面に配設されたマザーボード表面配線と、導電性接合材を介して電気的に接続されている上記〈１３〉に記載の横発光型モジュール。
〈１５〉樹脂質絶縁材を積層して構成され、その積層方向に対して垂直な１つの方向に開放された収容部を備え、該収容部内に受光素子を実装した場合に、樹脂質絶縁材を積層して構成され、その積層方向に対して垂直な１つの方向に開放された収容部を備え、該収容部内に受光素子を実装した場合に、上記収容部の開放された方向から入射された光を該受光素子で受光する受光素子搭載用横受光型基板であって、
上記受光素子の底面が接合されることとなる金属製の底部放熱層と、
上記収容部のうちの下段部を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記底部放熱層上に積層された樹脂質絶縁材からなる下段部構成層と、
上記下段部構成層上に積層され、且つランド部及びリード部を備える受光素子用配線層と、
上記収容部のうちの中段部を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記受光素子用配線層の上記ランド部を該収容部内に露出させて該受光素子用配線層上に積層された樹脂質絶縁材からなる中段部構成層と、
上記収容部のうちの上段部を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記中段部構成層上に積層された樹脂質絶縁材からなる上段部構成層と、
上記上段部構成層上に積層された金属製の上部放熱層と、を備え、
上記下段部構成層の上記切り欠かれて形成された端面である下段部切欠端面は上方へ向かって広がるように傾斜され、上記上段部構成層の上記切り欠かれて形成された端面である上段部切欠端面は下方へ向かって広がるように傾斜されており、
上記下段部切欠端面及び上記上段部切欠端面の表面に光反射層を有することを特徴とする受光素子搭載用横受光型基板。
〈１６〉上記収容部は、上記積層方向に対して垂直な上記１つの方向にのみ開放されている上記〈１５〉に記載の受光素子搭載用横受光型基板。
〈１７〉上記収容部は、更に、上記積層方向に対して水平な上方向にも開放されている上記〈１６〉に記載の受光素子搭載用横受光型基板。
〈１８〉上記〈１５〉乃至〈１７〉のうちのいずれかに記載の受光素子搭載用横受光型基板と、該受光素子搭載用横受光型基板の上記収容部内に実装された受光素子と、を備えることを特徴とする受光素子搭載横受光型基板。
〈１９〉上記〈１８〉に記載の受光素子搭載横受光型基板と、該受光素子搭載横受光型基板が実装されたマザーボードと、を備えることを特徴とする横受光型モジュール。
〈２０〉上記〈１０〉乃至〈１２〉のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載横発光型基板と、上記〈１８〉に記載の受光素子搭載横受光型基板と、該ＬＥＤ搭載横発光型基板及び受光素子搭載横受光型基板が実装されたマザーボードと、を備えることを特徴とする横型モジュール。

本発明のＬＥＤ搭載用横発光型基板によれば、樹脂質絶縁材を用いて形成しながら、高い耐熱性を発揮することができる。また、横方向への高い発光効率を得ることができる。更に、ＬＥＤの実装密度を向上させることができる。
収容部が積層方向に対して垂直な１つの方向にのみ開放されている場合には、この１つの開放された方向（横方向）に対して効率よく光を出射させることができる。
収容部が、積層方向に対して垂直な１つの方向と、積層方向に水平な上方向と、に開放されている場合は、横方向に加えて上方向へも効率よく光を出射させることができる。
外広がりの形状が略半円形状である場合は、横方向への特に優れた光強度を得ることができる。
収容部内を充塞する封止材を備え、封止材が、透光性樹脂と石英ガラス粒子とを含有する場合は、封止材において高い光分散性を得ることができ、光源による光強度のバラツキをより小さく抑えて、高い光強度を得ることができる。
収容部を複数列設して備えている場合には、１つのＬＥＤ搭載用横発光型基板で横に長い線状の光源を得ることができ、高強度の線状の光を得ることができる。更に、ＬＥＤの実装密度を向上させることができる。
収容部のうちの１つの収容部内に露出されたランド部と、収容部のうちの他の収容部内に露出されたランド部と、がＬＥＤ用配線層において電気的に接続されている場合は、ＬＥＤ搭載用横発光型基板全体の大きさを小さく抑えながら、高集積のＬＥＤ搭載用横発光型基板を得ることができる。
上記底部放熱層の層下及び／又は上記上部放熱層の層上に、熱吸収体を備える場合は、とりわけ優れた耐熱性を有するＬＥＤ搭載用横発光型基板を得ることができる。

本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板によれば、樹脂質絶縁材を用いて形成しながら、高い耐熱性を発揮することができる。更に、横方向への高い発光効率を得ることができる。
絶縁性基板とＬＥＤ搭載用横発光型基板を構成する底部放熱層とが接着剤を介して接合され、発光部端子とＬＥＤ搭載用横発光型基板のランド部とがボンディングワイヤを介して電気的に接続されている場合は、底部放熱層に電位を持たせることなく、優れた放熱性を発揮させることができる。
ＬＥＤを１つ又は２つ以上を備え、ＬＥＤの合計出力が１Ｗ以上である場合は、本本発明のＬＥＤ搭載用横発光型基板における高効率な放熱特性を利用できるために、発光強度が強く且つ長寿命のＬＥＤ搭載横発光型基板を得ることができる。

本発明の横発光型モジュールによれば、樹脂質絶縁材を用いて形成しながら、高い耐熱性を発揮することができる。更に、横方向への高い発光効率を得ることができる。
ＬＥＤ搭載用横発光型基板のＬＥＤ用配線層を構成するリード部が、下段部切欠端面以外の他の端面に基板実装用ランド部として導出されており、基板実装用ランド部が、マザーボードの実装面に配設されたマザーボード表面配線と、導電性接合材を介して電気的に接続されている場合は、ＬＥＤの実装密度を向上させることができる。

本発明の受光素子搭載用横受光型基板によれば、高効率に光を集光して感度良く受光することができ、精度に優れた受光を行うことができる。特に、下段部切欠端面及び上段部切欠端面の表面に光反射層を備えるために光を集光した上で受光素子に受光させることができ、優れた感度を得ることができる。
上記収容部が、上記積層方向に対して垂直な上記１つの方向にのみ開放されている場合は、受光角度を狭くした受光を行うことができる。
上記収容部が、更に、上記積層方向に対して水平な上方向にも開放されている場合は、より広い範囲からの光に対応した受光を行うことができる。

本発明の受光素子搭載横受光型基板によれば、高効率に光を集光して感度良く受光することができ、精度に優れた受光を行うことができる。特に、下段部切欠端面及び上段部切欠端面の表面に光反射層を備えるために光を集光した上で受光素子に受光させることができ、優れた感度を得ることができる。

本発明の横受光型モジュールによれば、高効率に光を集光して感度良く受光することができ、精度に優れた受光を行うことができる。特に、下段部切欠端面及び上段部切欠端面の表面に光反射層を備えるために光を集光した上で受光素子に受光させることができ、優れた感度を得ることができる。

本発明の横型モジュールによれば、樹脂質絶縁材を用いて形成しながら高い耐熱性を発揮できるため横方向への高い発光効率を得ることができる。更に、高効率に光を集光して感度良く受光でき、精度に優れた受光を行うことができる。特に、下段部切欠端面及び上段部切欠端面の表面に光反射層を備えるためにＬＥＤ搭載横発光型基板では高い発光効率が得られると共に、受光素子搭載横受光型基板では優れた感度を得ることができる。

以下、本発明を図１〜７７を用いて詳しく説明する。
［１］ＬＥＤ搭載用横発光型基板
本発明のＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）は、樹脂質絶縁材を積層して構成され、その積層方向（Ｚ１及びＺ２）に対して垂直な１つの方向（Ｙ１）に開放された収容部（３０）を備え、該収容部（３０）内にＬＥＤ（５０）を実装した場合に、該ＬＥＤ（５０）の光を上記収容部（３０）の開放された方向（Ｙ１）へ出射するＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）であって、
上記ＬＥＤ（５０）の底面が接合されることとなる金属製の底部放熱層（３２）と、
上記収容部（３０）のうちの下段部（３０１）を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記底部放熱層（３２）上に積層された樹脂質絶縁材からなる下段部構成層（３３）と、
上記下段部構成層（３３）上に積層され、且つランド部（３４１）及びリード部（３４２）を備えるＬＥＤ用配線層（３４）と、
上記収容部（３０）のうちの中段部（３０２）を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記ＬＥＤ用配線層（３４）の上記ランド部（３４１）を該収容部（３０）内に露出させて該ＬＥＤ用配線層（３４）上に積層された樹脂質絶縁材からなる中段部構成層（３５）と、
上記収容部（３０）のうちの上段部（３０３）を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記中段部構成層（３５）上に積層された樹脂質絶縁材からなる上段部構成層（３６）と、
上記上段部構成層（３６）上に積層された金属製の上部放熱層（３７）と、を備え、
上記下段部構成層（３３）の上記切り欠かれて形成された端面である下段部切欠端面（３３１）は上方へ向かって広がるように傾斜され、上記上段部構成層（３６）の上記切り欠かれて形成された端面である上段部切欠端面（３６１）は下方へ向かって広がるように傾斜されており、
上記下段部切欠端面（３３１）及び上記上段部切欠端面（３６１）の表面に光反射層（３９）を有することを特徴とする。

本発明のＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）は、樹脂質絶縁材を積層して構成されている。即ち、絶縁材として樹脂（以下、単に「絶縁性樹脂」という）を用いて構成されている。本ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）では、下段部構成層（３３）、中段部構成層（３５）、及び上段部構成層（３６）は、樹脂質絶縁材からなる。これらの各層は、各々同じ樹脂質絶縁材からなってもよく、異なる樹脂質絶縁材からなってもよい。

樹脂絶縁材を構成する絶縁性樹脂は、絶縁材として利用されている樹脂であれば特に限定されず、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェニレン樹脂、フェニレンエーテル樹脂及びフェノール樹脂等が挙げられる。これらのなかではエポキシ樹脂が好ましい。絶縁性、取扱い性及び汎用性に優れるためである。
また、絶縁性樹脂を用いた樹脂質絶縁材としては、絶縁性樹脂のみからなるもの（エポキシ樹脂フィルム等）であってもよく、絶縁性樹脂と他の材料を併用したものであってもよい。他の材料としては、ガラス繊維及び炭素繊維等の無機繊維並びに無機繊維を用いた無機繊維クロス等の補強材が挙げられる。即ち、樹脂と他の材料を併用した樹脂質絶縁材としては、ガラスエポキシ樹脂板（片面又は両面に銅張りされたものであってもよい）などが挙げられる。

また、本ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）は、その積層方向（Ｚ１及びＺ２）に対して垂直な１つの方向（Ｙ１）に開放された収容部（３０）を備える。これにより、本ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）はいわゆる横発光を行うことができる。即ち、基板面に水平な方向（Ｙ１）へ光を出射させることができる。
尚、この収容部（３０）にＬＥＤが搭載されたＬＥＤ搭載横発光型基板（２）においては、収容部（３０）は封止材（３１）により充塞されて、物理的には閉塞状態となるが、封止材（３１）は透光性を有するために光学的には開放された状態が維持される。

また、収容部（３０）は、積層方向に対して垂直な１つの方向（Ｙ１）にのみ開放されていてもよい。即ち、図１及び図２０に例示される。この形態では図２２に例示されるように積層方向に対して垂直な１つの方向（Ｙ１）にのみ光が出射される。このようなＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）では、光を効率よく横方向（Ｙ１）に出射でき、比較的視野角が小さく、強度の強い光を得ることができる。

一方、収容部（３０）は、積層方向（Ｚ１又はＺ２）に対して垂直な１つの方向（Ｙ１）と積層方向に対して水平な上方向（Ｚ１）との両方に開放されていてもよい。即ち、図１４及び図２４に例示される。この形態では図２７に例示されるように積層方向に対して垂直な１つの方向（Ｙ１）と積層方向に対して水平な上方向（Ｚ１）との両方に光が出射される。このようなＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）では、光を横方向（Ｙ１）及び上方向（Ｚ１）の両方に効率よく拡散させて出射でき、横方向から上方向までの視野角が大きく比較的穏やかな光を得ることができる。

更に、本ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）は、底部放熱層（３２）と、下段部構成層（３３）と、ＬＥＤ用配線層（３４）と、中段部構成層（３５）と、上段部構成層（３６）と、上部放熱層（３７）と、を備える。以下、これらの各層について詳しく説明する。

上記「底部放熱層（３２）」は、ＬＥＤ（５０）の底面が接合されることとなる金属製の層である。底部放熱層（３２）は、本ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）においてＬＥＤ（５０）と直接接する層であるために、金属製であることにより優れた熱引き性を発揮させることができる。本ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）では、この底部放熱層（３２）の層下に絶縁層を設ける必要がなく、更に、後述するように上部放熱層（３７）の層上に絶縁層を設ける必要もない。このため、ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）全体において底部放熱層（３２）を最下層とし、更には、上部放熱層（３７）を最上層とすることができる。このため、ＬＥＤの上下から極めて効率よく熱引きを行うことができ、合計出力が１Ｗ以上となるような大きな発熱を伴うＬＥＤであってもセラミック基板を用いることなく、樹脂質基板を利用して高い耐熱効果を得ることができる。

この底部放熱層（３２）としては、金属箔、金属フィルム、及び金属板などを用いることができる。また、その材質は特に限定されないが、熱引き性の観点から銅及び銅合金並びにアルミニウム及びアルミニウム合金などが好ましい。
この底部放熱層（３２）の厚さは特に限定されないが、通常、０．１５ｍｍ以上である。０．１５ｍｍ以上であることで優れた放熱性を確保しながら、十分な機械的特性を得ることができる。この厚さは０．１５〜１．０ｍｍであることが好ましく、０．３〜１．０ｍｍであることがより好ましく、０．８〜１．０ｍｍであることが更に好ましい。この範囲では更に優れた放熱性及び機械的特性を得ることができる。

この底部放熱層（３２）を備えることにより、ＬＥＤ（５０）から発せられる熱を下方へ効率よく熱引きできる。特に本発明の構成では、金属製の底部放熱層（３２）に直接ＬＥＤ（５０）を接合できるために、極めて効率よく基板（３）外へ熱を引き出すことができる。即ち、従来のように、最下層がセラミックスや絶縁樹脂からなる場合には、これらによる蓄熱を生じるが、このような蓄熱を生じる層を介在することなく、底部放熱層（３２）を備えるために効率よく熱引きを行うことができる。

更に、底部放熱層（３２）を備えることで、底部放熱層（３２）下に直接、熱吸収体、ヒートシンク及び熱ポンプなどの排熱部品を配設でき、この場合には、更に効率よく排熱を行うことができる。即ち、例えば、図５２、図５４及び図５５に例示されるように、底部放熱層（３２）下に直接、底部熱吸収体（３８１）を設けることができる。また、図５３及び図５６に例示されるように、底部放熱層（３２）下に直接、底部ヒートシンク（３８３）を設けることができる。また、上記底部熱吸収体（３８１）を設けた上で、この底部熱吸収体（３８１）下に、更に底部ヒートシンク（３８３）を設けることもできる。

この底部熱吸収体（３８１）の構成は特に限定されないが、通常、熱吸収部材（３８１ａ）とこれを保持する枠体（３８１ｂ）とを備える。熱吸収部材（３８１ａ）としては、吸水性樹脂及び水を含むゲルを好適に用いることができる。このうち吸水性樹脂としては非イオン性（即ち、ノニオン型）の吸水性樹脂が好ましく、更には、ノニオン型ポリアルキレンオキシド系吸水性樹脂（ポリアルキレンオキシドとしては、ポリエチレンオキシド及びポリプロピレンオキシドが挙げられる）が好ましい。

また、このゲルには、水以外に、水と相溶性を有する他の媒体を含有できる。他の媒体としては、アルコールが挙げられる。このアルコールとしては、１価アルコール及び多価アルコールが挙げられる。１価アルコールとしては、１−ブタノール及びアリルアルコール等が挙げられる。多価アルコールとしては、エチレングリコール、グリセリン及びブチレングリコール等が挙げられる。これらのアルコールは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。

更に、上記ゲルには、熱伝導率をより向上させるための熱伝導性フィラ｛石英結晶フィラ、金属フィラ（銅、錫、銀及びチタンなど）｝や、水（他の媒体を含む）の流出を抑制する多孔性フィラ（カーボンフィラ、珪藻土、ゼオライトなど）等を含有させることができる。
この熱吸収部材（３８１ａ）の具体的な配合としては、熱吸収樹脂１５〜２５体積％、水３０〜４５体積％及び多価アルコール３０〜４５体積％とすることができる。更に、熱伝導性フィラを用いる場合、熱吸収樹脂、水及び多価アルコールの合計体積１００体積部に対して、外配合で５〜５０体積部を配合できる。更に、多孔性フィラを用いる場合、熱吸収樹脂、水及び多価アルコールの合計体積１００体積部に対して、外配合で５〜２０体積部を配合できる。

一方、上記枠体（３８１ｂ）としては、熱吸収部材（３８１ａ）と接する面がめっき（アルミニウム、銅、ニッケル及び金等）されたガラスエポキシ基板や、各種金属（アルミニウム、アルミニウム合金、銅及び銅合金）で成形された枠体を用いることができる。

上記「下段部構成層（３３）」は、底部放熱層（３２）上に積層された層である。更に、下段部構成層（３３）は、収容部（３０）のうちの下段部（３０１）を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれた層である。ここでいう「平面視外広がりの形状」とは、開放方向（即ち、外の方向）へ向かって広がった形状を意味する。この平面視外広がりの形状であることにより、収容部内に収容されたＬＥＤの光を収容部の開放方向へ効率よく出射させることができる。

この平面視外広がりの形状としては、例えば、図２９〜図３５に示す形状等が例示される。図２９〜図３１は略円形状であり、図３２〜３５は多角形状である。
より詳しくは、図２９の切り欠きは、出射方向を前方向とした場合に、左右対象形状であり、平面視半円形状である。この形状では、例えば、視野角３０〜７０度程度を得るのに適する。また、図３０の切り欠きは、出射方向を前方向とした場合に、左右対象形状であり、平面視楕円形状である。この形状では、例えば、視野角１００〜１４０度程度を得るのに適する。

更に、図３１の切り欠きは、出射方向を前方向とした場合に、切り欠きの左右が非対称であり、平面視左右非対称円形状である。この形状では、左右の光強度を任意に配分することができる。この平面視左右非対称円形状の切り欠きは、例えば、図３８に示すように、複数の切り欠きが列設された下段部構成層（３３）において用いることができる。即ち、列設された切り欠きの中央部ほど左右対象形状とし、外側へ行く程、中心よりへより強く反射できるカーブを設けることで、基板の左右外側への無駄な漏光を抑制でき、光をより無駄なく所望の範囲に絞って利用することができる。このため、より高強度な光を得ることができる。

また、図３２及び図３３の切り欠きは、四角形状である。このうち図３２は、出射方向を前方向とした場合に、傾斜辺（上底と下低とを結ぶ各辺）が左右対象に配置された正台形である。図３４は五角形状であり、図３５は六角形状である。これらの形状では、より辺の多い正多角形（半正多角形）程、円形状に近似する形状となり、前記図２９又は図３０と同様の作用効果を得ることができる。また、図３３の切り欠きは、傾斜辺（上底と下低とを結ぶ各辺）が左右非対象に配置された偏台形である。この図３３の形状では、前記図３１におけると同様の作用効果を得ることができる。

また、下段部構成層（３３）の外形は特に限定されないが、通常、四角形であり、更には、長方形であることが好ましく、特に、出射方向を長辺とする長方形であることがより好ましい。また、上記切り欠きは、下段部構成層（３３）に１つのみを設けてもよく（図２、図１１及び図１９参照）、下段部構成層（３３）に複数を設けることができる。この場合には、図３７及び図３８に例示されるように切り欠きが列設された形状の各下段部構成層、中段部構成層及び上段部構成層等を用いることで、収容部（３０）が列設されたＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）を得ることができる（図４７参照）。

更に、図３６に例示されるように、下段部構成層（３３）の長辺長さをＬ１とし、下段部構成層（３３）の切り欠き開放端長さをＳ１（１つの下段部構成層内に複数の切り欠きが列設される場合にはその切り欠き開放端長さの総計）とした場合に、Ｓ１／Ｌ１<１である。これにより、底部放熱層（３２）を確実に支持する構造を得ることができるからである。一方、Ｓ１／Ｌ１は、通常、Ｓ１／Ｌ１≧０．８以下である。
尚、複数の収容部（３０）が列設された形態のＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）では、各切り欠き開放端長さは同じであってもよく、異なっていてもよい。

また、図３６に例示されるように、下段部構成層（３３）の短辺長さをＬ２とし、下段部構成層（３３）の切り欠きが最も深くなる位置での切り欠き深さをＳ２とした場合に、Ｓ２／Ｌ２<１である。これにより、底部放熱層（３２）を確実に支持する構造を得ることができるからである。一方、Ｓ２／Ｌ２は特に限定されない。例えば、図４５及び図４８に例示するようにＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）内にはＬＥＤと外部回路との接続を行うためのリード部のみを設け、ＬＥＤの制御を行うための配線を設けない（即ち、ＬＥＤ制御配線をマザーボード等に付設する）場合にはＳ２／Ｌ２は０．５≦Ｓ２／Ｌ２≦０．８程度と比較的大きくなる。また、図４９及び図５０に例示するように、ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）内のＬＥＤ用配線層に、ＬＥＤの制御を行うための配線を設ける場合にはより小さくなる。
尚、複数の収容部（３０）が列設された形態のＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）では、各切り欠き深さは同じであってもよく、異なっていてもよい。

更に、下段部構成層（３３）は、その切り欠かれて形成された端面である下段部切欠端面（３３１）を有し、この下段部切欠端面（３３１）は上方へ向かって広がるように傾斜されている。更に、この下段部切欠端面（３３１）はその表面に光反射層（３９）を有する
この下段部切欠端面（３３１）と底部放熱層（３２）の表面とが直角に配置されていると（即ち、下段部切欠端面が切り立っていると）、ＬＥＤから放射された光をそのまま収容部（３０）外へ反射させる作用しか得ることができず、散乱及び拡散作用を得難い。これに対して、下段部切欠端面（３３１）が上方へ向かって広がるように傾斜されていることによって、ＬＥＤから放射された光を上方へ反射させることができ、収容部（３０）内での散乱及び拡散を促進できる。これによりＬＥＤから放射された光を余すことなく十分に利用して出射させることができ、結果として高い発光効率を得ることができる。

下段部切欠端面（３３１）の傾斜角度（図２０及び図２４における角度θ）は特に限定されないが、通常、１０〜４５度である。この範囲では、本構造のＬＥＤ搭載用横発光型基板において特に優れた発光強度を得ることができる。この傾斜角度は、更に、１５〜４２度とすることが好ましく、１５〜３３度とすることがより好ましい。
尚、この傾斜角度は、後述する上段部切欠端面（３６１）の傾斜角度と同じあってもよく、異なっていてもよい。更に、下段部切欠端面（３３１）表面の光反射層（３９）は、下段部切欠端面の全面に形成されていてもよく、絶縁などの目的｛例えば、底部放熱層（３２）と上部放熱層（３７）との間の絶縁など｝で光反射層（３９）が形成されていない部分を有していてもよい。

この下段部構成層（３３）の厚さは特に限定されないが、通常、０．２ｍｍ以上であり、０．２〜１．６ｍｍとすることが好ましい。この範囲では、下段部切欠端面（３３１）による反射面積を確保しながら、下段切欠端面（３３１）の傾斜角度をより広い範囲で選択できると共に、ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）全体の厚さを小さく抑えつつ、上部放熱層及び底部放熱層による熱引き能力を十分に引き出し、耐熱性に優れたＬＥＤ搭載用横発光型基板を得ることができる。この厚さは、更に、０．３〜１．３ｍｍとすることがより好ましく、０．４〜１．０ｍｍとすることが特に好ましい。

上記下段部切欠端面（３３１）の表面に形成された光反射層（３９）の種類は特に限定されないが、通常、金属めっきからなる。金属種も特に限定されないが、銀、銅、金、ニッケル及びニッケル−クロム等の金属とすることができる。これらの金属のうちでは、特に優れた反射効率を有するため銀が好ましい。例えば、光反射層（３９）としては、収容部（３０）の内面｛ＬＥＤ用配線層（３４）同士が導通されないように、ランド部（３４１）間は光反射層（３９）は形成されていない｝に、無電解Ｎｉめっき（例えば５〜１５μｍ）、電解Ａｕめっき（例えば０．５〜２μｍ）及び電解Ａｇめっき（例えば１０〜２５μｍ）を各々この順に施して形成することができる。光反射層（３９）の材質については、後述する他部における光反射層についても同様である。
また、下段部構成層（３３）と底部放熱層（３２）との層間には、本発明の目的を阻害しない範囲で他の層を介していてもよい。即ち、他の層としては、両層を接合するための接合層などが挙げられる。

上記「ＬＥＤ用配線層（３４）」は、下段部構成層（３３）上に積層された導体層である。更に、ＬＥＤ用配線層（３４）は、ランド部（３４１）及びリード部（３４２）を備える層である。このうちランド部（３４１）は、ＬＥＤ用配線層（３４）のうち収容部（３０）内に露出された部分であり、ボンディングワイヤ（５４）等の接続部材と直接的に接続されることとなる部位である。

一方、リード部（３４２）とは、ＬＥＤ用配線層（３４）のうち収容部（３０）内に露出されてない部分である。即ち、例えば、図７に例示されるように、下段部構成層（３３）と中段部構成層（３５）との層間に配置された部分や、図５１に例示されるように、基板（３）の後方へ露出される等、収容部（３０）ではない場所へ露出されたＬＥＤ用配線層（３４）の一部である。

また、リード部（３４１）は、図６、図１２及び図４８等に例示されるように、リードとしての機能しか有さないものであってもよく、図４９及び図５０に例示されるように、ＬＥＤを制御するための配線として機能するものであってもよい｛図４９及び図５０に例示されたＬＥＤ用配線層（３４）は図４６の回路構成となっている｝。更には、図４９及び図５０に例示されるように、他の電子部品（７０）を実装するための部位を備えていてもよく、裏面側との導通を図るためのスルーホール（３４５）等を備えていてもよい。これらは１種のみが用いられてもよく２種以上が併用されてもよい。
尚、上記他の電子部品（７０）としては、抵抗（電流制限を行うための抵抗）や、定電流ダイオード（ＣＤＲ）等が挙げられる。

加えて、収容部（３０）を複数備えるＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）では、この複数ある収容部（３０）のうちの１つの収容部（３０）内に露出されたランド部（３４１）と、収容部（３０）のうちの他の収容部（３０）内に露出されたランド部（３４１）と、がＬＥＤ用配線層（３４）において電気的に接続された構造とすることができる（図４９及び図５０参照）。即ち、各収容部（３０）内に搭載されたＬＥＤ（５０）同士を連動させて制御することを目的とする場合に、その連動化機能をＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）内に設けることができる。これにより、少スペース化を達することができる。更に、このような基板（３）にＬＥＤ（５０）を搭載したＬＥＤ搭載横発光型基板（２）は、モジュール化されたものとすることができる。従って、ＬＥＤ搭載横発光型基板（２）全体を１つの電球や蛍光灯等のように取り扱うことができる。

更に、本発明のＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）は、図６、図１２、図２０及び図２４に例示されるように、底部配線（３２１）を備え、下段部構成層（３３）の背面に形成された背面配線（３４３）を介して、ＬＥＤ用配線層（３４）と接続した形態とすることができる。
また、図４９及び図５０に例示されるように、底部配線（３２１）を備え、下段部構成層（３３）に孔設されたスルーホール｛スルーホール内導体を有する（３４５）｝を介して、ＬＥＤ用配線層（３４）と接続した形態とすることができる。
尚、ＬＥＤ用配線層（３４）と下段部構成層（３３）との層間には、本発明の目的を阻害しない範囲で他の層を介していてもよい。即ち、他の層としては、両層を接合するための接合層などが挙げられる。

上記「中段部構成層（３５）」は、ＬＥＤ用配線層（３４）のランド部（３４１）を収容部（３０）内に露出させて、ＬＥＤ用配線層（３４）上に積層された層である。即ち、図７及び図１３に例示されるように、中段部構成層（３５）の切り欠きを、下段部構成層（３３）の切り欠きよりも大きく形成することによって、下段部構成層（３３）の表面（３３ａ）にランド部（３４１）を露出させることができる。この中段部構成層（３５）の切り欠きと、下段部構成層（３３）の切り欠きとは、例えば、相似形状とすることができる。
また、この中段部構成層（３５）とＬＥＤ用配線層（３４）との層間には、本発明の目的を阻害しない範囲で他の層を介していてもよい。即ち、他の層としては、両層を接合するための接合層などが挙げられる。

更に、中段部構成層（３５）は、収容部（３０）のうちの中段部（３０２）を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれた層である。ここでいう「平面視外広がりの形状」については、前記下段部構成層（３３）における形状をそのまま適用できる。更に、中段部構成層（３５）の外形についても、前記下段部構成層（３３）における外形をそのまま適用できる。また、中段部構成層（３５）についてのＳ１／Ｌ１と、下段部構成層（３３）についてのＳ１／Ｌ１と、の関係は、前記ランド部（３４１）を収容部（３０）内に露出させるものであればよく特に限定されず、同じであってよく、異なっていてもよい。更に、中段部構成層（３５）についてのＳ２／Ｌ２と、下段部構成層（３３）についてのＳ２／Ｌ２と、の関係は、前記ランド部（３４１）を収容部（３０）内に露出させるために、通常、中段部構成層（３５）についてのＳ２／Ｌ２の方が、下段部構成層（３３）のものよりも大きい。

中段部構成層（３５）は、その切り欠かれて形成された端面である中段部切欠端面（３５１）を有するが、この中段部切欠端面（３５１）の傾斜の有無は特に限定されない。即ち、下段部構成層（３３）及び上段部構成層（３６）の各端面と同様に傾斜されていてもよいが、傾斜されておらず、積層方向に水平に切り立った面とすることができる。
更に、この中段部切欠端面（３５１）の表面には、光反射層が設けられていてもよく、設けられていなくてもよい。このうち光反射層が設けられていない場合（図４１参照）には、底部放熱層（３３）と上部放熱層（３７）との間を絶縁することができる。
また、中段部構成層（３５）の厚さは特に限定されないが、通常、０．２〜１．４ｍｍであり、０．４〜１．２ｍｍとすることが好ましい。

上記「上段部構成層（３６）」は、中段部構成層（３５）上に積層された層である。更に、上段部構成層（３６）は、収容部（３０）のうちの上段部（３０３）を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれた層である。ここでいう「平面視外広がりの形状」は、前記下段部構成層（３３）における形状をそのまま適用できる。そして、上段部構成層（３６）と下段部構成層（３３）とは同じ形状とすることもでき、また、異なる形状とすることもできる。また、上段部構成層（３６）の外形についても、前記下段部構成層（３３）における外形をそのまま適用できる。

更に、上段部構成層（３６）は、その切り欠かれて形成された端面である上段部切欠端面（３６１）を有し、この上段部切欠端面（３６１）は下方へ向かって広がるように傾斜されている。更に、この上段部切欠端面（３６１）はその表面に光反射層（３９）を有する。この上段部切欠端面（３６１）の作用効果については、前記下段部切欠端面（３３１）と同様である。
また、上段部切欠端面（３６１）の傾斜角度（図２０及び図２４における角度θ）は特に限定されないが、通常、１０〜４５度である。この範囲では、本構造のＬＥＤ搭載用横発光型基板において特に優れた発光強度を得ることができる。この傾斜角度は、更に、１５〜４２度とすることが好ましく、１５〜３３度とすることがより好ましい。
更に、上段部切欠端面（３６１）の表面の光反射層（３９）は、上段部切欠端面の全面に形成されていてもよく、絶縁などの目的｛例えば、底部放熱層（３２）と上部放熱層（３７）との間の絶縁など｝で光反射層（３９）が形成されていない部分を有していてもよい。

この上段部構成層（３６）の厚さは特に限定されないが、通常、０．２ｍｍ以上であり、０．２〜１．６ｍｍとすることが好ましい。この範囲では、上段部切欠端面（３６１）による反射面積を確保しながら、上部切欠端面（３６１）の傾斜角度をより広い範囲で選択できると共に、ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）全体の厚さを小さく抑えつつ、上部放熱層及び底部放熱層による熱引き能力を十分に引き出し、耐熱性に優れたＬＥＤ搭載用横発光型基板を得ることができる。この厚さは、更に、０．３〜１．３ｍｍとすることがより好ましく、０．４〜１．０ｍｍとすることが特に好ましい。

尚、上段部構成層（３６）と中段部構成層（３５）との層間には、本発明の目的を阻害しない範囲で他の層を介していてもよい。即ち、他の層としては、両層を接合するための接合層などが挙げられる。

上記「上部放熱層（３７）」は、上段部構成層（３６）上に積層された金属製の放熱層である。この上部放熱層（３７）を備えることにより、ＬＥＤ（５０）から発せられる熱を特に効率よく熱引きすることができる。即ち、横方向へ発光させるための基板では、上部を閉じるために、上方への熱引きを十分に行うことができず、上方への放熱性を確保することが困難となるが、本発明の構成では、上方に配設された上部放熱層（３７）を備えるために極めて効率よく熱引きを行うことができる。特に収容部（３０）の上面に接して配設された上部放熱層（図１〜５、図８〜１１、図２０〜２３など参照）を有する場合には、ＬＥＤ（５０）からの熱を上部放熱層（３７）により素早く上面全面に行き渡らせて放熱を行うことができる。

更に、この上部放熱層（３７）を備えることで、上部放熱層（３７）上に熱吸収体、ヒートシンク及び熱ポンプなどの排熱部品を配設できる。この場合には、とりわけ効率よく排熱を行うことができる。即ち、例えば、図５２に例示された底部吸熱体（３８１）及び図５３に例示された底部ヒートシンク（３８３）と同様な吸熱体（上部吸熱体）及びヒートシンク（上部ヒートシンク）を上部放熱層（３７）上に設けることができる。更に、上部熱吸収体を設けた上で、上部熱吸収体上に上部ヒートシンクを積層して設けることもできる。
この上部放熱層（３７）として、金属箔、金属フィルム、及び金属板などを用いることができることは底部放熱層（３２）と同様であり、その材質についても同様である。更に、その厚さも同様である。但し、これらのいずれも底部放熱層（３２）と上部放熱層（３７）とで同じであってもよく異なっていてもよい。

また、図１４〜１９及び図２４〜２８に例示されるように、横方向に加えて、上方へも出射を行う場合には、この上部放熱層（３７）の一部を、下段部構成層（３３）、中段部構成層（３５）及び上段部構成層（３６）等と同様に切り欠きを設けることができる。この切り欠きの形状は特に限定されないが、図１５〜１９等に例示されるように、上段部構成層（３６）の切り欠き形状（切り欠きの上面側の形状）と同じ形状とすることができる。

上記「光反射層（３９）」は、光を反射する層であり、図２０及び図２４に例示されるように、少なくとも、下段部切欠端面（３３１）の表面に設けられた光反射層（３９１）と、上段部切欠端面（３６１）の表面に設けられた光反射層（３９２）と、を有する。即ち、下段部切欠端面（３３１）表面の光反射層（３９１）と、上段部切欠端面（３６１）表面の光反射層（３９２）である。本発明のＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）には、これらの光反射層（３９）のみを備えていてもよく、これら以外の光反射層（３９）を備えていてもよい。

例えば、ランド部（３４２）同士の絶縁を保った上で、図３９〜図４１のような形態とすることができる。即ち、図３９に例示されるように、収容部（３０）の内壁面の全面に光反射層（３９）を備えることができる。また、図４０に例示されるように、収容部（３０）の内壁面のうちの上段部構成層（３６）の下面側のみ光反射層（３９）を備えない構成とすることができる。更に、図４１に例示されるように、収容部（３０）の内壁面のうちの上段部構成層（３６）の下面側と、中段部構成層（３５）の切欠端面（３５１）と、のみ光反射層（３９）を備えない構成とすることができる。

これらの光反射層（３９）を形成しない部位として挙げた部位は、いずれも光反射層（３９）を形成したとしても、本構造内においては光反射に寄与する割合が小さいために、これらの部位には光反射層（３９）を設けなくとも実質的に強度を低下させることなく、基板（３）内の絶縁を図ることができる。具体的には、図４０及び図４１の構成とすることで、底部放熱層（３２）と上部放熱層（３７）との間の絶縁を確実に行うことができる。更に、図４２に示すように、上部放熱層（３７）の一面側に上段部構成層（３６）よりも厚さの薄い絶縁層（樹脂質絶縁層）を設けて上段部構成層（３６）と接合することで、更に高い絶縁性を確保することができる。
尚、上記ランド部（３４２）同士の絶縁は、どのようにして施されてもよいが、通常、１つの収容部（３０）内に配置されたランド部（３４２）同士の間に介在する光反射層（３９）を剥離することで絶縁が得られる。

また、これまでに述べた下段部構成層、中段部構成層及び上段部構成層について、その断面における相関は特に限定されないが、例えば、図２０及び図２４等に例示されるように、収容部（３０）が開放された方向とは反対の方向を後方向（Ｙ２）とした場合に、中段部構成層（３５）の切欠端面（３５１）は、ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）の積層断面のうちの少なくともランド部（３４２）を備えた積層断面において、上段部切欠端面（３６１）及び下段部切欠端面（３３１）よりも後方向（Ｙ２）に位置した形態とすることができる。その他、図４３に例示されるように、中段部切欠端面（３５１）を、上段部切欠端面（３６１）の下端と同じ位置に配置することもできる。このような図４３に例示される形態では、積層方向のうちの上方（Ｚ１）側の発光強度を、下方（Ｚ２）側の発光強度よりも小さく抑えることができる。

［２］ＬＥＤ搭載横発光型基板
本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）は、本発明のＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）と、該ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）の上記収容部（３０）内に実装されたＬＥＤ（５０）と、を備えることを特徴とする。

上記「ＬＥＤ」は、発光ダイオードであえばよく、発光波長及び構成等は特に限定されない。また、１つの収容部（３０）に対して、１つのＬＥＤのみを搭載してもよく、２つ以上を搭載してもよい。更に、１つの収容部（３０）に対して、２つ以上のＬＥＤ（５０）を搭載する場合には、１種のみのＬＥＤを搭載してもよく、２種以上のＬＥＤを搭載しもよい。更に、本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）では、１つの収容部（３０）に収容されるＬＥＤの合計出力が１Ｗ以上（更には１〜８Ｗ、複数の収容部を列設して備える場合には合計１〜４０Ｗ）であるような高出力のＬＥＤを搭載するのに適している。
尚、上記ＬＥＤの出力とは、定格電流Ａと順電位Ｖｆとの積（Ａ×Ｖｆ）の値である。

また、用いるＬＥＤ（５０）の種類も特に限定されない。ＬＥＤ（５０）としては、例えば、図５８に例示されるように、〈１〉絶縁基板（５１）と、絶縁基板（５１）上に形成された発光部（５２）と、発光部（５２）の上面に形成され且つ発光部（５２）を発光させるための発光部用端子（５３）と、を備えるＬＥＤ（５０）が挙げられる。更に、〈２〉底部｛図５８における絶縁基板（５１）｝と上部とに各々発光部端子を備え、これらの発光部端子間に発光部が配置されたＬＥＤ（５０）が挙げられる。これらのうちでは、図５８に例示されるような〈１〉のＬＥＤ（５０）が好ましい。

更に、ＬＥＤ（５０）の搭載方法は、前記ＬＥＤ（５０）の形態よって適宜の方法を採用できる。前記〈１〉のＬＥＤ（５０）を用いる場合には、ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）を構成する底部放熱層（３２）とＬＥＤ（５０）の絶縁性基板（５１）とを接合層（５５）を介して接合し、且つ、発光部端子（５３）とＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）のランド部（３４１）とをボンディングワイヤ（５４）で電気的に接続した形態で搭載できる。この形態では特に優れた発光効率及び耐熱性が得られる。一方、前記〈２〉のＬＥＤ（５０）を用いる場合には、底部の発光部端子と底部放熱層（３２）とを導電性接続材（ハンダ等）を介して接続し、上部の発光部端子とＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）のランド部（３４１）とをボンディングワイヤ（５４）で電気的に接続した形態で搭載できる。

また、本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）では、収容部（３０）内を充塞する封止材（３１）を備えることができる。この封止材（３１）は、少なくとも透光性樹脂（３１１）を含有する。透光性樹脂（３１１）は、透光性を有する樹脂である。この透光性とは少なくとも可視光に対する透光性であり、特に３００〜９５０ｎｍの波長の光について６０％以上（より好ましくは７０〜９５％、更に好ましくは７５〜９５％、特に好ましくは７５〜９０％）の透光率であることが好ましい。
この透光性樹脂（３１１）を構成する樹脂は特に限定されないが、エポキシ樹脂及びシリコン樹脂等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。封止材（３１）全体を１００体積％とした場合に、透光性樹脂（３１１）は１０〜１００体積％（更に１３〜１００体積％、より更に２０〜１００体積％、特に３０〜１００体積％）とすることができる。

また、封止材（３１）は、上記透光性樹脂（３１１）の他に、石英ガラス粒子（３１２）を含有できる。石英ガラス粒子（３１２）を含有する場合、透光性樹脂（３１１）は、石英ガラス粒子（３１２）に対してマトリックスとなる。
石英ガラス粒子（３１２）は、石英を主成分とする。石英を主成分とすることにより、他のガラス成分等に比較して、長波長の光に対する透過能に優れる。従って、長波長の光の放射を妨げ難く演色性を向上させやすい。更に、石英は比熱容量が大きい。このため、石英成分を含有しない場合に比べて、封止材（３１）全体、更には、ＬＥＤ搭載横発光型基板（２）全体の温度をより低く保つことができ、優れた耐熱性を発揮させることができる。

更に、石英ガラス粒子（３１２）は、石英結晶粒子とは異なり、不純物成分（３１２ａ）が含有される。石英結晶粒子は透光性には優れるものの、光分散性に関しては粒子表面における反射を利用した光分散しか得られない。従って、粒子表面で反射して分散された光は粒子内部を通過することができない。
これに対して、石英ガラス粒子（３１２）は、図５９〜６２に例示されるように、光分散能力を発揮できる不純物成分（３１２ａ）を内部に含有する。このため、光が粒子内部を透過しながら分散を繰り返すこととなり、粒子の内部及び表面の両方において光分散性を発揮させることができ、優れた混色性が得られると共に、効率的な光分散を行うことができる。
上記不純物成分（３１２ａ）としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｍｎ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む成分が挙げられる。より具体的には、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＭｎＯ_２及びＭｏＯ_２等が挙げられる。これらは１種のみが含有されてもよく２種以上が含有されてもよい。

石英ガラス粒子（３１２）内に含有される不純物成分の割合は特に限定されないが、石英ガラス粒子（３１２）全体を１００質量％とした場合に各元素の酸化物換算で０．０１〜０．２質量％（好ましくは０．０５〜０．２質量％、より好ましくは０．１〜０．１５質量％）であることが好ましい。この範囲では透光性と光分散性とを最も効率よく得ることができる。尚、上記酸化物換算は、ＡｌはＡｌ_２Ｏ_３、ＴｉはＴｉＯ_２、ＦｅはＦｅ２Ｏ３、ＮｂはＮｂ_２Ｏ_５、ＺｒはＺｒＯ_２、ＭｎはＭｎＯ_２、ＭｏはＭｏＯ_２として換算するものである。また、上記含有量は、石英ガラス粒子（３１２）内に複数種の上記元素が含有される場合にはそれらの酸化物換算による合計量である。

また、石英ガラス粒子（３１２）の大きさ及び形状等は特に限定されないが、平均粒径（最大長さ）は１〜３０μｍ（より好ましくは１〜１５μｍ、更に好ましくは２〜１０μｍ、より更に好ましくは３〜７μｍ、特に好ましくは４〜６μｍ、とりわけ好ましくは４〜５μｍ）が好ましい。この範囲では、十分な透光性を確保しつつ、且つ十分な光分散性を得ることができる。石英ガラス粒子（３１２）の形状は特に限定されないが、通常、球状である。球状であることで透光性樹脂（３１１）に分散含有された際の流動性がよいため、作業性がよいという利点がある。
更に、この石英ガラス粒子（３１２）は、３００〜９５０ｎｍの波長の光に対して５％以上（より好ましくは１０〜５０％、更に好ましくは２０〜６０％）の透光率を有することが好ましい。

石英ガラス粒子（３１２）の含有量は特に限定されないが、封止材（３１）全体を１００質量％とした場合に０．０１〜５０質量％（より好ましくは１〜４５質量％、更に好ましくは１０〜４５質量％、より更に好ましくは２０〜４３質量％、特に好ましくは２５〜４２質量％、より特に好ましくは３０〜４０質量％）とすることが好ましい。

更に、上記封止材（３１）は、蛍光体（３１４）を含有することができる。蛍光体（３１４）は、ＬＥＤ（５０）から出射された光によって励起されて蛍光を発する成分であり、特に紫外線によって励起される紫外線励起蛍光体であることが好ましい。更には、得られる蛍光色によって、例えば、赤色蛍光能を有する蛍光体（赤色蛍光体）、青色蛍光能を有する蛍光体（青色蛍光体）、緑色蛍光能を有する蛍光体（緑色蛍光体）、及び橙色蛍光能を有する蛍光体等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。即ち、例えば、蛍光体（３１４）としては、ＴＡＧ蛍光体、ＹＡＧ蛍光体、サルファイド蛍光体、ニトライド蛍光体、及びシリカ系蛍光体等を用いることができる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。これらの蛍光体（３１４）は、用いるＬＥＤの発光色、目的とする光色等により、適宜のものを用いることが好ましい。

蛍光体（３１４）の含有量は特に限定されないが、封止材（３１）全体を１００質量％とした場合に１０〜４０質量％（より好ましくは１５〜３５質量％、更に好ましくは２０〜３０質量％、特に好ましくは２１〜２５質量％）とすることが好ましい。
また、蛍光体（３１４）の大きさ及び形状等は特に限定されないが、通常、平均粒径３０〜２００μｍ（より好ましくは４０〜１５０μｍ、特に好ましくは４５〜１４７μｍ）であることが好ましい。また、その形状は、通常、球状及び／又は不定形粒子状である。

更に、本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）では、演色性を改善するため（可視光赤色領域及び／又は可視光緑色領域の光を補う）、演色性改善成分を封止材（３１）内に含有させることができる。本発明においては、特に、石英ガラス粒子（３１２）に演色性改善成分（３１３）を添着させて用いることが好ましい。即ち、図６０〜図６２に例示される。図６０は、石英ガラス粒子（３１２）の表面に演色性改善成分（３１３）を静電的に添着（付着）させた形態を示している。また、図６１は、添着材（３１５）を介して、石英ガラス粒子（３１２）の表面に演色性改善成分（３１３）を添着させた形態を示している。更に、図６２は、添着材（３１５）でコーティングした演色性改善成分（３１３）を石英ガラス粒子（３１２）の表面に添着させた形態を示している。これらの形態はいずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

この演色性改善成分（３１３）としては、蛍光体及び着色剤が表面に添着された石英ガラス粒子が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。上記蛍光体は、光照射（例えば、４００ｎｍ程度の近紫外線青色光を発するＬＥＤ光）により励起されて赤色系光及び／又は緑色系光を発する蛍光体が挙げられる。また、着色剤が表面に添着された石英ガラス粒子（以下、単に「着色石英ガラス粒子」ともいう。図５９〜図６２参照）は、蛍光特性は有さなくとも、光が着色石英ガラス粒子を透過することによって赤色系光及び／又は緑色系光が得られる粒子である。

この石英ガラス粒子（３１２）には前述の不純物成分（３１２ａ）を含む石英ガラス粒子をそのまま適用できる。また、上記着色剤としては、各種染料（直接染料）及び顔料を用いることができる。このうち赤色系光が得られる染料（赤色染料）としては、ダイアミン・スカーレット及びアリザリンレッドＳ等が挙げられる。また、緑色系光が得られる染料（緑色染料）としては、オキザミングリーン及びメチルグリーン等が挙げられる。これらの着色剤（演色性改善成分）は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。

上記のうち、演色性改善成分（３１３）として蛍光体を石英ガラス粒子（３１２）の表面に添着させて用いた場合には、前述したように、石英ガラス粒子（３１２）の優れた透光性及び光分散性が得られるために、透光性樹脂（３１１）内に含有させるよりもより少量の蛍光体で同等の発光効率を得ることができる。このため、蛍光体の使用量を低減できると共に、封止材（３１）の熱効率を向上させて、蓄熱を低下させることができる。
更に、上記のうち、演色性改善成分（３１３）として上記各種着色剤を石英ガラス粒子（３１２）の表面に添着させて用いた場合には、高価な蛍光体を用いることなく、演色性を向上させることができる。即ち、石英ガラス粒子（３１２）による高い光分散能が有効に利用されて効率よく上記着色剤に対して、光を照射できるからである。

具体的には、本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）では、例えば、前述の本発明のＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）と、波長３６０〜４５５ｎｍ（更には４００〜４５５ｎｍ）の光を放出するＬＥＤ（５０）と、ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）の収容部（３０）を充塞する封止材（３１）とを備え、
更に、封止材（３１）は、〈１〉透光性樹脂（３１１）としてシリコン樹脂と、この透光性樹脂（３１１）内に分散されて含有された、〈２〉図６１の形態で石英ガラス粒子（３１２）の表面に赤色染料が添着された第１の粒子と、〈３〉図６１の形態で石英ガラス粒子（３１２）の表面に緑色染料が添着された第２の粒子と、〈４〉ＬＥＤ（５０）による光を黄色光へ変換する蛍光体（３１４）と、を含む形態とすることができる。

本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）では、図２１、図２３、図２５、図２６及び図２８に例示されるように、収容部（３０）は封止材（３１）によって充塞することができる。即ち、図３〜４及び図８〜９に例示される横方向（Ｙ１）にのみ出射される形態のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）では、図２１に例示されるように収容部（３０）内を封止材（３１）によって充塞できる。一方、図１５〜１６に例示される横方向（Ｙ１）及び上方向（Ｚ１）に出射される形態のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）では、図２５〜２６及び図２８に例示されるように収容部（３０）内を封止材（３１）によって充塞できる。図２５は、レンズを備えず、横方向へ向く平面及び上方向へ向く平面を各々形成して充塞された形態である。この図２５に例示される形態では、図２６に例示されるように、透光性カバー層（３１８）を設けることで、封止材（３１）の充填性及び成形性を向上させつつ、横方向及び上方向への出射を行うこともできる。

更に、本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）では、図２３（集光レンズを備える）及び図２８（広角拡散レンズを備える）に例示されるようにレンズ（３１９）を備えることができる。このレンズ（３１９）は、収容部（３０）から放出される光を集光又は拡散させる機能を有し、これを備えることにより、備えない場合に比べて光度を向上させることできる（無効光を集光することができる）。また、備えない場合に比べてレンズ形状の選択によって視野角を調整でき、より広角又はより狭角（指向性）の視野角を得ることができる。

このレンズ（３１９）は封止部（３１）により一体的に形成されていてもよく、別体に形成されていてもよい。また、このうち封止部（３１）により一体的に形成されている場合、封止材（３１）のレンズ部（３１９）には前記石英ガラス粒子（３１２）及び蛍光体（３１４）等が含有されなくともよい。即ち、レンズ部（３１９）は透光性樹脂（３１１）のみから形成することができる。また、封止部（３１）とは別体にレンズ（３１９）が形成されている場合、このレンズ（３１９）はガラスレンズ等を用いることができる。

本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）では、本発明のＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）を用いることで、例えば、図２２に例示されるように、ＬＥＤ（５０）から発せられた光を横方向へ出射させることができる。即ち、光反射層（３９１）を備えて上方へ向かって広がるように傾斜された下段部切欠端面（３３１）を備えることで、ＬＥＤ（５０）から出射された光を上方へ反射させることができる。更に、光反射層（３９２）を備えて下方へ向かって広がるように傾斜された上段部切欠端面（３６１）を備えることで、ＬＥＤ（５０）から出射された光を下方へ反射させることができる。これにより、特に収容部（３０）内に封止材（３１）を備える場合には、封止材（３１）内へ光を高効率に分配することができ、封止材（３１）内においても前述の如く効率よく光を分散させることができるために、高い光強度を得ることができる。

更に、底部放熱層（３２）上面｛収容部（３０）の下面｝に光反射層（３９）を備える（図２２の３９３を備える）場合は、上記効果に加えて、更に、効率よくＬＥＤ（５０）の光を収容部（３０）内において活用でき、優れた光強度を得ることができる。加えて、上部放熱層（３７）下面｛収容部（３０）の上面｝に光反射層（３９）を備える（図２２の３９４を備える）場合には、更に、効率よくＬＥＤ（５０）の光を収容部（３０）内において活用でき、優れた光強度を得ることができる。

また、本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）では、図５７に例示されるように、収容部（３０）内に空間を有する形態とすることができる。即ち、封止材（３１）は、前述の封止材（３１）と同材質から構成されるものの、収容部（３０）を完全には充塞しないように用いた例である。封止材（３１）を構成する透光性樹脂は蓄熱性を有するが、上記のように収容部（３０）内に用いる封止材（３１）を減量することで蓄熱性を低減できる。このため、本発明のＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）及びＬＥＤ搭載横発光型基板（２）が有している底部放熱層（３２）及び上部放熱層（３７）による放熱機能をより効果的に利用でき、より優れた耐熱性が発揮されるＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）及びＬＥＤ搭載横発光型基板（２）が得られる。

また、ボンディングワイヤ（５４）とＬＥＤ（５０）との間、及び、ＬＥＤ（５０）と底部放熱層（３２）との間、のより高い耐震性等の接続信頼性を得るために、図５７に例示されるようにＬＥＤ（５０）を封止材（３１）により覆うこともできるが、上記ボンディングワイヤとしてリボンワイヤ（断面が幅広のリボン状であるボンディングワイヤ）を用いた場合にはＬＥＤ（５０）を封止材（３１）で覆わなくとも高い耐震性を得ることができる。

更に、図５７に例示される構成における封止材（３１）は、収容部（３０）の空間を密閉する機能を有することで、収容部（３０）内の酸化を抑制できる。更に、封止材（３１）で密閉された収容部（３０）内の空間には非酸化性雰囲気（窒素ガス及び希ガスなど）を充填してより優れた酸化抑制効果を得ることもできる。
この図５７に例示された構成のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）は、特に紫外線発光用基板として用いる場合に好適である。即ち、ＬＥＤ（５０）として紫外線を発するＬＥＤを用い、紫外線を他の波長の光に変換する必要がない場合に好適である。

［３］横発光型モジュール
本発明の横発光型モジュール（１）は、本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）と、該ＬＥＤ搭載横発光型基板（２）が実装されたマザーボード（６０）と、を備えることを特徴とする。

上記「マザーボード（６０）」は、本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）を搭載する他の基板である。このマザーボード（６０）は、通常、本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）を搭載するため搭載領域と、ＬＥＤ搭載横発光型基板（２）を制御するための他の電子部品等を搭載する搭載領域と、を備える。

そして、本発明の横発光型モジュール（１）では、ＬＥＤ搭載用横発光型基板（２）のＬＥＤ用配線層（３４）を構成するリード部（３４２）は、下段部構成層（３３）の端面のうちの切欠端面（３３１）以外の他の端面に基板実装用ランド部｛例えば、図６、図１２、図２０〜２８、図４４及び図４５に示す背面配線（３４３）｝として導出されており、基板実装用ランド部（３４３）は、マザーボード（６０）の実装面に配設されたマザーボード表面配線（６１１）｛通常、マザーボード側ランド部｝と、導電性接合材（６２）を介して電気的に接続された構造とすることができる。

即ち、例えば、図４５に例示されるように、ＬＥＤ搭載横発光型基板（２）がマザーボード（６０）に搭載されており、全体として横発光型基板モジュール（１）が構成されている。
更に、この横発光型モジュール（１）では、１つのマザーボード（６０）に対して、図３〜図７に例示されるＬＥＤ搭載横発光型基板（２）及び／又は、図８〜図１３に例示されるＬＥＤ搭載横発光型基板（２）、が合計３つ搭載されている。また、各ＬＥＤ搭載横発光型基板（２）のＬＥＤ用配線層（３４）のリード部（３４２）は、ＬＥＤ搭載横発光型基板（２）の背面に導出されて背面配線（３４３）を備えている。そして、マザーボード（６０）の表面に形成されたマザーボード表面配線（６１１）と、各ＬＥＤ搭載横発光型基板（２）の背面配線（３４３）と、が導電性接合材（６２）を介して電気的に接続されている｛図４５に例示されたＬＥＤ用配線層（３４）は図４６の回路構成となっている｝。
また、マザーボード（６０）は、ＬＥＤ搭載横発光型基板（２）を制御するための他の電子部品等を搭載する搭載領域を備えており、具体的には、電子部品である抵抗（７０）を各ＬＥＤ搭載横発光型基板（２）に対応した個数備えている。また、各ＬＥＤ搭載横発光型基板（２）の１つの背面配線（３４３）は、スルーホール（６１２）を用いて、図示されないマザーボードの裏面側のマザーボード裏面配線を介して、接続されるとマザーボード側面の端子部（６１３）へと導出されている。

更に、本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）が、図５２及び図５４に例示されるように、底部熱吸収体（３８１）を備える場合には、図５５に例示されるように、マザーボード（６０）は、底部熱吸収体（３８１）をマザーボード（６０）の裏面側へ露出させるための排熱部材用貫通孔（６０１）を備えることができる。この排熱部材用貫通孔（６０１）を備えることによって、底部熱吸収体（３８１）の少なくとも底面をマザーボード（６０）の裏面側へ露出させることができるためにより優れた排熱性が得られ、この横発光型モジュール（１）に更に優れた耐熱性を発揮させることができる。

同様に、本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）が、図５３に例示されるように、底部ヒートシンク（３８３）を備える場合には、図５６に例示されるように、マザーボード（６０）は、底部ヒートシンク（３８３）をマザーボード（６０）の裏面側へ露出させるための排熱部材用貫通孔（６０１）を備えることができる。この排熱部材用貫通孔（６０１）を備えることによって、底部ヒートシンク（３８３）の少なくとも底部をマザーボード（６０）の裏面側へ露出させることができるためにより優れた排熱性が得られ、この横発光型モジュール（１）に更に優れた耐熱性を発揮させることができる。

［４］受光素子搭載用横受光型基板
本発明の受光素子（以下、受光素子を「ＰＤ」ともいう）搭載用横受光型基板（３）は、樹脂質絶縁材を積層して構成され、その積層方向（Ｚ１及びＺ２）に対して垂直な１つの方向（Ｙ１）に開放された収容部（３０）を備え、該収容部（３０）内にＰＤ（５６）を実装した場合に、上記収容部（３０）の開放された方向（Ｙ１）から入射された光を該ＰＤ（５６）で受光するＰＤ搭載用横受光型基板（３）であって、
上記ＰＤ（５６）の底面が接合されることとなる金属製の底部放熱層（３２）と、
上記収容部（３０）のうちの下段部（３０１）を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記底部放熱層（３２）上に積層された樹脂質絶縁材からなる下段部構成層（３３）と、
上記下段部構成層（３３）上に積層され、且つランド部（３４１）及びリード部（３４２）を備えるＰＤ用配線層（３４）と、
上記収容部（３０）のうちの中段部（３０２）を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記ＰＤ用配線層（３４）の上記ランド部（３４１）を該収容部（３０）内に露出させて該ＰＤ用配線層（３４）上に積層された樹脂質絶縁材からなる中段部構成層（３５）と、
上記収容部（３０）のうちの上段部（３０３）を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記中段部構成層（３５）上に積層された樹脂質絶縁材からなる上段部構成層（３６）と、
上記上段部構成層（３６）上に積層された金属製の上部放熱層（３７）と、を備え、
上記下段部構成層（３３）の上記切り欠かれて形成された端面である下段部切欠端面（３３１）は上方へ向かって広がるように傾斜され、上記上段部構成層（３６）の上記切り欠かれて形成された端面である上段部切欠端面（３６１）は下方へ向かって広がるように傾斜されており、
上記下段部切欠端面（３３１）及び上記上段部切欠端面（３６１）の表面に光反射層（３９）を有することを特徴とする。

本発明のＰＤ搭載用横受光型基板（３）は、樹脂質絶縁材を積層して構成されている。即ち、絶縁性樹脂を用いて構成されている。本ＰＤ搭載用横受光型基板（３）では、下段部構成層（３３）、中段部構成層（３５）、及び上段部構成層（３６）は、樹脂質絶縁材からなる。これらの各層は、各々同じ樹脂質絶縁材からなってもよく、異なる樹脂質絶縁材からなってもよい。樹脂絶縁材については前記ＬＥＤ搭載用横発光型基板における樹脂絶縁材をそのまま適用できる。

また、本ＰＤ搭載用横受光型基板（３）は、その積層方向（Ｚ１及びＺ２）に対して垂直な１つの方向（Ｙ１）に開放された収容部（３０）を備える。これにより、本ＰＤ搭載用横受光型基板（３）は基板の厚さに対する横方向からの光の受光を行うことができる。即ち、基板面に水平な方向（Ｙ１）かたの光を受光することができる。
尚、この収容部（３０）にＰＤが搭載されたＰＤ搭載横受光型基板（２）においては、収容部（３０）は封止材（３１）により充塞されていてもよい。この場合、物理的には閉塞状態となるが、封止材（３１）は透光性を有するために光学的には開放された状態が維持される。

また、収容部（３０）は、積層方向に対して垂直な１つの方向（Ｙ１）にのみ開放されていてもよい。即ち、図１及び図２０に例示される。この形態では図７０に例示されるように積層方向に対して垂直な１つの方向（Ｙ１）からの光（Ｙ１からＹ２の向かう方向の光）を受光できる。このようなＰＤ搭載用横受光型基板（３）では、横方向（Ｙ１）からのみの狭い方向からの光を効率よく集光して受光することができる。即ち、受光角度が小さく感度の高い受光を行うことができる。

一方、収容部（３０）は、積層方向（Ｚ１又はＺ２）に対して垂直な１つの方向（Ｙ１）と積層方向に対して水平な上方向（Ｚ１）との両方に開放されていてもよい。即ち、図１４及び図２４に例示される。この形態では図７４に例示されるように積層方向に対して垂直な１つの方向（Ｙ１）と積層方向に対して水平な上方向（Ｚ１）との両方からの光を受光できる。即ち、図７０に例示されるＰＤ搭載用横受光型基板（３）に比べてより広角の受光角を有することとなる。このようなＰＤ搭載用横受光型基板（３）では、横方向（Ｙ１）から上方向（Ｚ１）までの広い方向からの光を効率よく集光して受光することができる。即ち、受光角が大きく感度の高い受光を行うことができる。

更に、本ＰＤ搭載用受光型基板（３）は、底部放熱層（３２）と、下段部構成層（３３）と、ＰＤ用配線層（３４）と、中段部構成層（３５）と、上段部構成層（３６）と、上部放熱層（３７）と、を備える。以下、これらの各層について詳しく説明する。

上記「底部放熱層（３２）」は、ＰＤ（５６）の底面が接合されることとなる金属製の層である。底部放熱層（３２）は、本ＰＤ搭載用横受光型基板（３）においてＰＤ（５６）と直接接する層であるために、金属製であることにより優れた熱引き性を発揮させることができる。本ＰＤ搭載用横受光型基板（３）では、この底部放熱層（３２）の層下に絶縁層を設ける必要がなく、更に、後述するように上部放熱層（３７）の層上に絶縁層を設ける必要もない。このため、ＰＤ搭載用横受光型基板（３）全体において底部放熱層（３２）を最下層とし、更には、上部放熱層（３７）を最上層とすることができる。このため、ＰＤの上下から極めて効率よく熱引きを行うことができ、常に安定した温度で受光することができる。
この底部放熱層（３２）としては、前記ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）における底部放熱層（３２）をそのまま適用できる。更に、前記底部熱吸収体（３８１）を同様に配設することもできる。

上記「下段部構成層（３３）」は、底部放熱層（３２）上に積層された層である。更に、下段部構成層（３３）は、収容部（３０）のうちの下段部（３０１）を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれた層である。ここでいう「平面視外広がりの形状」とは前記と同様であり、この形状であることにより、収容部内で光を効率よく集光してＰＤで受光させることができ、優れた感度を得ることができる。また、この平面視外広がりの形状としては、例えば、図２９〜図３５に示す形状等が例示されることは前記と同様である。

更に、図３１の切り欠きは、入射方向を前方向とした場合に、切り欠きの左右が非対称であり、平面視左右非対称円形状である。この形状では、左右の光強度を任意に配分することができる。この平面視左右非対称円形状の切り欠きは、例えば、図３８に示すように、複数の切り欠きが列設された下段部構成層（３３）において用いることができる。即ち、列設された切り欠きの中央部ほど左右対象形状とし、外側へ行く程、中心よりへより強く反射できるカーブを設けることで、基板の左右外側への無駄な漏光を抑制でき、光をより無駄なく所望の範囲に絞って利用することができる。このため、より高感度な受光を行うことができる。

また、図３２及び図３３の切り欠きは、四角形状である。このうち図３２は、入射方向を前方向とした場合に、傾斜辺（上底と下低とを結ぶ各辺）が左右対象に配置された正台形である。図３４は五角形状であり、図３５は六角形状である。これらの形状では、より辺の多い正多角形（半正多角形）程、円形状に近似する形状となり、前記図２９又は図３０と同様の作用効果を得ることができる。また、図３３の切り欠きは、傾斜辺（上底と下低とを結ぶ各辺）が左右非対象に配置された偏台形である。この図３３の形状では、前記図３１におけると同様の作用効果を得ることができる。

また、下段部構成層（３３）の外形は特に限定されないが、通常、四角形であり、更には、長方形であることが好ましく、特に、入射方向を長辺とする長方形であることがより好ましい。また、上記切り欠きは、下段部構成層（３３）に１つのみを設けてもよく（図６７及び図７３参照）、下段部構成層（３３）に複数を設けることができる。この場合には、図３７及び図３８に例示されるように切り欠きが列設された形状の各下段部構成層、中段部構成層及び上段部構成層等を用いることで、収容部（３０）が列設されたＰＤ搭載用横受光型基板（３）を得ることができる（図４７参照）。

更に、図３６に例示されるように、下段部構成層（３３）の長辺長さをＬ１とし、下段部構成層（３３）の切り欠き開放端長さをＳ１（１つの下段部構成層内に複数の切り欠きが列設される場合にはその切り欠き開放端長さの総計）とした場合に、Ｓ１／Ｌ１<１である。これにより、底部放熱層（３２）を確実に支持する構造を得ることができるからである。一方、Ｓ１／Ｌ１は、通常、Ｓ１／Ｌ１≧０．８以下である。
尚、複数の収容部（３０）が列設された形態のＰＤ搭載用横受光型基板（３）では、各切り欠き開放端長さは同じであってもよく、異なっていてもよい。

また、図３６に例示されるように、下段部構成層（３３）の短辺長さをＬ２とし、下段部構成層（３３）の切り欠きが最も深くなる位置での切り欠き深さをＳ２とした場合に、Ｓ２／Ｌ２<１である。これにより、底部放熱層（３２）を確実に支持する構造を得ることができるからである。一方、Ｓ２／Ｌ２は特に限定されない。例えば、図４５に例示するようにＰＤ搭載用横受光型基板（３）内にはＰＤと外部回路との接続を行うためのリード部のみを設け、ＰＤの制御を行うための配線を設けない（即ち、ＰＤ制御配線をマザーボード等に付設する）場合にはＳ２／Ｌ２は０．５≦Ｓ２／Ｌ２≦０．８程度と比較的大きくなる。また、ＰＤ搭載用横受光型基板（３）内のＰＤ用配線層に、ＰＤの制御を行うための配線を設ける場合にはより小さくなる。
尚、複数の収容部（３０）が列設された形態のＰＤ搭載用横受光型基板（３）では、各切り欠き深さは同じであってもよく、異なっていてもよい。

更に、下段部構成層（３３）は、その切り欠かれて形成された端面である下段部切欠端面（３３１）を有し、この下段部切欠端面（３３１）は上方へ向かって広がるように傾斜されている。更に、この下段部切欠端面（３３１）はその表面に光反射層（３９）を有する。
この下段部切欠端面（３３１）と底部放熱層（３２）の表面とが直角に配置されていると（即ち、下段部切欠端面が切り立っていると）、収容部（３０）に入射された光がそのまま収容部（３０）外へ反射させる部分を生じるのに対して、下段部切欠端面（３３１）が上方へ向かって広がるように傾斜されていることによって、収容部（３０）に入射された光をＰＤに向けて集光されることができ、結果として優れた感度を得ることができる。

下段部切欠端面（３３１）の傾斜角度（図２０及び図２４における角度θ）は特に限定されないが、通常、１０〜４５度である。この範囲では、本構造のＰＤ搭載用横受光型基板において特に優れた受光感度を得ることができる。この傾斜角度は、更に、１５〜４２度とすることが好ましく、１５〜３３度とすることがより好ましい。
尚、この傾斜角度は、後述する上段部切欠端面（３６１）の傾斜角度と同じあってもよく、異なっていてもよい。更に、下段部切欠端面（３３１）表面の光反射層（３９）は、下段部切欠端面の全面に形成されていてもよく、絶縁などの目的｛例えば、底部放熱層（３２）と上部放熱層（３７）との間の絶縁など｝で光反射層（３９）が形成されていない部分を有していてもよい。

この下段部構成層（３３）の厚さは特に限定されないが、通常、０．２ｍｍ以上であり、０．２〜１．６ｍｍとすることが好ましい。この範囲では、下段部切欠端面（３３１）による反射面積を確保しながら、下段切欠端面（３３１）の傾斜角度をより広い範囲で選択できると共に、ＰＤ搭載用横受光型基板（３）全体の厚さを小さく抑えつつ、上部放熱層及び底部放熱層による熱引き能力を十分に引き出し、耐熱性に優れたＰＤ搭載用横受光型基板を得ることができる。この厚さは、更に、０．３〜１．３ｍｍとすることがより好ましく、０．４〜１．０ｍｍとすることが特に好ましい。
上記下段部切欠端面（３３１）の表面に形成された光反射層（３９）については、前記ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）における下段部切欠端面（３３１）をそのまま適用できる。

上記「ＰＤ用配線層（３４）」は、下段部構成層（３３）上に積層された導体層である。更に、ＰＤ用配線層（３４）は、ランド部（３４１）及びリード部（３４２）を備える層である。このうちランド部（３４１）は、ＰＤ用配線層（３４）のうち収容部（３０）内に露出された部分であり、ボンディングワイヤ（５４）等の接続部材と直接的に接続されることとなる部位である。
一方、リード部（３４２）とは、ＰＤ用配線層（３４）のうち収容部（３０）内に露出されてない部分である。即ち、例えば、図６９に例示されるように、下段部構成層（３３）と中段部構成層（３５）との層間に配置された部分等、収容部（３０）ではない場所へ露出されたＰＤ用配線層（３４）の一部である。

また、リード部（３４１）は、図６８に例示されるように、リードとしての機能しか有さないものであってもよく、ＰＤを制御するための配線として機能するものであってもよい。更には、他の電子部品を実装するための部位を備えていてもよく、裏面側との導通を図るためのスルーホール等を備えていてもよい。これらは１種のみが用いられてもよく２種以上が併用されてもよい。

加えて、収容部（３０）を複数備えるＰＤ搭載用横受光型基板（３）では、この複数ある収容部（３０）のうちの１つの収容部（３０）内に露出されたランド部（３４１）と、収容部（３０）のうちの他の収容部（３０）内に露出されたランド部（３４１）と、がＰＤ用配線層（３４）において電気的に接続された構造とすることができる。即ち、各収容部（３０）内に搭載されたＰＤ（５６）同士を連動させることを目的とする場合に、その連動化機能をＰＤ搭載用横受光型基板（３）内に設けることができる。これにより、少スペース化を達することができる。更に、このような基板（３）にＰＤ（５６）を搭載したＰＤ搭載横受光型基板（２）は、モジュール化されたものとすることができる。従って、ＰＤ搭載横受光型基板（２）全体を１つの受光体として取り扱うことができる。

更に、本発明のＰＤ搭載用横受光型基板（３）は、図６８、図２０及び図２４に例示されるように、底部配線（３２１）を備え、下段部構成層（３３）の背面に形成された背面配線（３４３）を介して、ＰＤ用配線層（３４）と接続した形態とすることができる。
また、底部配線（３２１）を備え、下段部構成層（３３）に孔設されたスルーホール｛スルーホール内導体を有する｝を介して、ＰＤ用配線層（３４）と接続した形態とすることができる。尚、ＰＤ用配線層（３４）と下段部構成層（３３）との層間には、本発明の目的を阻害しない範囲で他の層を介していてもよい。即ち、他の層としては、両層を接合するための接合層などが挙げられる。

本発明のＰＤ搭載用横受光型基板（３）は、本基板（３）に搭載されるＰＤの位置指標となる位置決めマークを備えることができる。この位置決めマークの位置及び形状等は特に限定されないが、例えば、図６６〜図６９及び図７２〜７３に例示されるように、上記ＰＤ用配線層（３４）と同時に同材料を下段部構成層（３３）上に積層して位置決めマーク（３４６）を形成することができる。また、位置決めマーク（３４６）の配置は、前記切り欠きの形状が左右対象形状である場合、その左右対称となる対称線上に配置することが好ましい｛同様に、ＰＤ（５６）も対称線上に配置することが好ましいため｝。

位置決めマーク（３４６）が、ＰＤ用配線層（３４）と同様に金属製の導電材により形成されることで、金属特有の光反射能が発揮されるために、各種光学的検知手段を用いて位置決めマーク（３４６）を検出することができ、位置決めマーク（３４６）を基準にＰＤ（５６）の実装を行うことができる。上記光学的検出手段としては、例えば、画像手段や赤外線センサ手段等が挙げられる。

上記「中段部構成層（３５）」は、ＰＤ用配線層（３４）のランド部（３４１）を収容部（３０）内に露出させて、ＰＤ用配線層（３４）上に積層された層である。即ち、図６９に例示されるように、中段部構成層（３５）の切り欠きを、下段部構成層（３３）の切り欠きよりも大きく形成することによって、下段部構成層（３３）の表面（３３ａ）にランド部（３４１）を露出させることができる。この中段部構成層（３５）の切り欠きと、下段部構成層（３３）の切り欠きとは、例えば、相似形状とすることができる。
また、この中段部構成層（３５）とＰＤ用配線層（３４）との層間には、本発明の目的を阻害しない範囲で他の層を介していてもよい。即ち、他の層としては、両層を接合するための接合層などが挙げられる。

中段部構成層（３５）は、その切り欠かれて形成された端面である中段部切欠端面（３５１）を有するが、この中段部切欠端面（３５１）の傾斜の有無は特に限定されない。即ち、下段部構成層（３３）及び上段部構成層（３６）の各端面と同様に傾斜されていてもよいが、傾斜されておらず、積層方向に水平に切り立った面とすることができる。
更に、この中段部切欠端面（３５１）の表面には、光反射層が設けられていてもよく、設けられていなくてもよい。このうち光反射層が設けられていない場合（図７０参照）には、底部放熱層（３３）と上部放熱層（３７）との間を絶縁することができる。
また、中段部構成層（３５）の厚さは特に限定されないが、通常、０．２〜１．４ｍｍであり、０．４〜１．２ｍｍとすることが好ましい。

更に、上段部構成層（３６）は、その切り欠かれて形成された端面である上段部切欠端面（３６１）を有し、この上段部切欠端面（３６１）は下方へ向かって広がるように傾斜されている。更に、この上段部切欠端面（３６１）はその表面に光反射層（３９）を有する。この上段部切欠端面（３６１）の作用効果については、前記下段部切欠端面（３３１）と同様である。
また、上段部切欠端面（３６１）の傾斜角度（図２０及び図２４における角度θ）は特に限定されないが、通常、１０〜４５度である。この範囲では、本構造のＰＤ搭載用横受光型基板において特に優れた受光感度を得ることができる。この傾斜角度は、更に、１５〜４２度とすることが好ましく、１５〜３３度とすることがより好ましい。
更に、上段部切欠端面（３６１）の表面の光反射層（３９）は、上段部切欠端面の全面に形成されていてもよく、絶縁などの目的｛例えば、底部放熱層（３２）と上部放熱層（３７）との間の絶縁など｝で光反射層（３９）が形成されていない部分を有していてもよい。

この上段部構成層（３６）の厚さは特に限定されないが、通常、０．２ｍｍ以上であり、０．２〜１．６ｍｍとすることが好ましい。この範囲では、上段部切欠端面（３６１）による反射面積を確保しながら、上部切欠端面（３６１）の傾斜角度をより広い範囲で選択できると共に、ＰＤ搭載用横受光型基板（３）全体の厚さを小さく抑えつつ、上部放熱層及び底部放熱層による熱引き能力を十分に引き出し、耐熱性に優れたＰＤ搭載用横受光型基板を得ることができる。この厚さは、更に、０．３〜１．３ｍｍとすることがより好ましく、０．４〜１．０ｍｍとすることが特に好ましい。

上記「上部放熱層（３７）」は、上段部構成層（３６）上に積層された金属製の放熱層である。この上部放熱層（３７）を備えることにより、ＰＤ（５６）から発せられる熱を特に効率よく熱引きすることができる。この層については、前記ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）における上部放熱層（３７）をそのまま適用できる。
また、図７１〜７４に例示されるように、横方向に加えて、上方からも光の入射を行う場合には、この上部放熱層（３７）の一部を、下段部構成層（３３）、中段部構成層（３５）及び上段部構成層（３６）等と同様に切り欠きを設けることができる。この切り欠きの形状は特に限定されないが、図７１〜７４等に例示されるように、上段部構成層（３６）の切り欠き形状（切り欠きの上面側の形状）と同じ形状とすることができる。

上記「光反射層（３９）」については、前記ＬＥＤ搭載用横発光型基板（３）における上部放熱層（３７）をそのまま適用できる。
また、これまでに述べた下段部構成層、中段部構成層及び上段部構成層について、その断面における相関は特に限定されないが、例えば、図２０及び図２４等に例示されるように、収容部（３０）が開放された方向とは反対の方向を後方向（Ｙ２）とした場合に、中段部構成層（３５）の切欠端面（３５１）は、ＰＤ搭載用横受光型基板（３）の積層断面のうちの少なくともランド部（３４２）を備えた積層断面において、上段部切欠端面（３６１）及び下段部切欠端面（３３１）よりも後方向（Ｙ２）に位置した形態とすることができる。その他、図４３に例示されるように、中段部切欠端面（３５１）を、上段部切欠端面（３６１）の下端と同じ位置に配置することもできる。

［５］受光素子搭載横受光型基板
本発明のＰＤ搭載横受光型基板（２）は、本発明のＰＤ搭載用横受光型基板（３）と、該ＰＤ搭載用横受光型基板（３）の上記収容部（３０）内に実装されたＰＤ（５６）と、を備えることを特徴とする。

上記「受光素子」は、光学素子のうち受光機能を有する素子であり、入射された光エネルギーを電気信号に変換することができる素子である。受光素子としては、ＰＩＮフォトダイオード、ＰＮフォトダイオード、アバランシェフォトダイオード、ＧａＡｓＰフォトダイオード、Ｇｅフォトダイオード、ＩｎＧａＡｓフォトダイオード、ＩｎＰフォトダイオード、ＣｄＳセル、ＣｄＳｅセル、及びＰｄＳセル等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。

また、受光素子の応答波長｛例えば、２５０〜１３００ｎｍ、特に、紫外域用（２５０〜４００ｎｍ）、赤外域用（８５０〜１２００ｎｍ）等｝及び構成等は特に限定されない。また、１つの収容部（３０）に対して、１つのＰＤのみを搭載してもよく、２つ以上を搭載してもよい。更に、１つの収容部（３０）に対して、２つ以上のＰＤ（５６）を搭載する場合には、１種のみのＰＤを搭載してもよく２種以上のＰＤを併用して搭載してもよい。
ＰＤ（５６）の搭載方法は、特に限定されないが、通常、ＰＤ搭載用横受光型基板（３）を構成する底部放熱層（３２）とＰＤ（５６）の絶縁性基板（底部層）とを接合層を介して接合し、且つ、ＰＤの信号端子とＰＤ搭載用横受光型基板（３）のランド部（３４１）とをボンディングワイヤ（５４）で電気的に接続した形態で搭載できる。

また、本発明のＰＤ搭載横受光型基板（２）では、収容部（３０）内を充塞する封止材（３１）を備えることができる。この封止材（３１）は、少なくとも透光性樹脂（３１１）を含有する。透光性樹脂（３１１）は、透光性を有する樹脂である。この透光性とは少なくともＰＤにおける応答波長に対する透光性であり、応答波長について６０％以上（より好ましくは７０〜９５％、更に好ましくは７５〜９５％、特に好ましくは７５〜９０％）の透光率であることが好ましい。
この透光性樹脂（３１１）を構成する樹脂は特に限定されないが、エポキシ樹脂及びシリコン樹脂等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。封止材（３１）全体を１００体積％とした場合に、透光性樹脂（３１１）は１０〜１００体積％（更に１３〜１００体積％、より更に２０〜１００体積％、特に３０〜１００体積％）とすることができる。

また、封止材（３１）は、上記透光性樹脂（３１１）の他に、石英ガラス粒子（３１２）を含有できる。石英ガラス粒子（３１２）を含有する場合は、石英ガラス粒子（３１２）が含有されない場合にはＰＤ（５６）に対して無効光となる光であっても、分散させた上で、光反射層（３９）を利用して集光することができ、特に高い感度で受光を行うことができる。
この石英ガラス粒子（３１２）を含有する場合、透光性樹脂（３１１）は、石英ガラス粒子（３１２）に対してマトリックスとなる。石英ガラス粒子（３１２）は、石英を主成分とする。石英を主成分とすることにより、他のガラス成分等に比較して、長波長の光に対する透過能に優れる。

更に、石英ガラス粒子（３１２）は、石英結晶粒子とは異なり、不純物成分（３１２ａ）が含有される。石英結晶粒子は透光性には優れるものの、光分散性に関しては粒子表面における反射を利用した光分散しか得られない。従って、粒子表面で反射して分散された光は粒子内部を通過することができない。
これに対して、石英ガラス粒子（３１２）は、光分散能力を発揮できる不純物成分（３１２ａ）を内部に含有する。このため、光が粒子内部を透過しながら分散を繰り返すこととなり、粒子の内部及び表面の両方において光分散性を発揮させることができ、効率的な光分散を行うことができる。上記不純物成分（３１２ａ）及び石英ガラス粒子（３１２）の大きさ、形状及び含有量等については前述の通りである。

本発明のＰＤ搭載横受光型基板（２）では、図１０、図１７及び図３１に例示されるように、収容部（３０）は封止材（３１）によって充塞することができる。更に、本発明のＰＤ搭載横受光型基板（２）では、凹レンズ等を備えることができる。レンズは、収容部（３０）に入射される光を集光する機能を有し、これを備えることにより、備えない場合に比べて受光感度を向上させることできる（無効光を集光することができる）。また、備えない場合に比べてレンズ形状の選択によって受光角を調整でき、より広角又はより狭角（指向性）の受光角を得ることができる。

このレンズ（３１９）は封止部（３１）により一体的に形成されていてもよく、別体に形成されていてもよい。また、このうち封止部（３１）により一体的に形成されている場合、封止材（３１）のレンズ部（３１９）には前記石英ガラス粒子（３１２）が含有されなくともよい。即ち、レンズ部（３１９）は透光性樹脂（３１１）のみから形成することができる。また、封止部（３１）とは別体にレンズ（３１９）が形成されている場合、このレンズ（３１９）はガラスレンズ等を用いることができる。

本発明のＰＤ搭載横受光型基板（２）では、本発明のＰＤ搭載用横受光型基板（３）を用いることで、例えば、図７０に例示されるように、外部横方向から入射された光をＰＤ（５６）で受光することができる。即ち、光反射層（３９１）を備えて上方へ向かって広がるように傾斜された下段部切欠端面（３３１）を備えることで、ＰＤ（５６）へ向かって光を上方へ反射させて集光することができる。更に、光反射層（３９２）を備えて下方へ向かって広がるように傾斜された上段部切欠端面（３６１）を備えることで、ＰＤ（５６）へ向かって光を下方へ反射させて集光することができる。これにより、特に収容部（３０）内に封止材（３１）を備える場合には、封止材（３１）内へ光を高効率に分配することができ、封止材（３１）内においても前述の如く効率よく光を分散させることができるために、高い受光感度を得ることができる。

更に、底部放熱層（３２）上面｛収容部（３０）の下面｝に光反射層（３９）を備える（図７０の３９３を備える）場合は、上記効果に加えて、更に、効率よくＰＤ（５６）の光を収容部（３０）内において活用でき、優れた受光感度を得ることができる。加えて、上部放熱層（３７）下面｛収容部（３０）の上面｝に光反射層（３９）を備える（図７０の３９４を備える）場合には、更に、効率よくＰＤ（５６）の光を収容部（３０）内において活用でき、優れた受光感度を得ることができる。

また、本発明のＰＤ搭載横受光型基板（２）では、収容部（３０）内に空間を有する形態とすることができる。即ち、封止材（３１）は、前述の封止材（３１）と同材質から構成されるものの、収容部（３０）を完全には充塞しないように用いた例である。封止材（３１）を構成する透光性樹脂は蓄熱性を有するが、上記のように収容部（３０）内に用いる封止材（３１）を減量することで蓄熱性を低減できる。このため、本発明のＰＤ搭載用横受光型基板（３）及びＰＤ搭載横受光型基板（２）が有している底部放熱層（３２）及び上部放熱層（３７）による放熱機能をより効果的に利用でき、より優れた耐熱性が発揮されるＰＤ搭載用横受光型基板（３）及びＰＤ搭載横受光型基板（２）が得られる。

また、ボンディングワイヤ（５４）とＰＤ（５６）との間、及び、ＰＤ（５６）と底部放熱層（３２）との間、のより高い耐震性等の接続信頼性を得るために、ＰＤ（５６）を封止材（３１）により覆うこともできるが、上記ボンディングワイヤとしてリボンワイヤ（断面が幅広のリボン状であるボンディングワイヤ）を用いた場合にはＰＤ（５６）を封止材（３１）で覆わなくとも高い耐震性を得ることができる。
更に、この構成では、封止材（３１）は、収容部（３０）の空間を密閉する機能を有することで、収容部（３０）内の酸化を抑制できる。更に、封止材（３１）で密閉された収容部（３０）内の空間には非酸化性雰囲気（窒素ガス及び希ガスなど）を充填してより優れた酸化抑制効果を得ることもできる。このような基板は、紫外線受光に特に適する。

本発明のＰＤ搭載横受光型基板（２）及びＰＤ搭載用横受光型基板（３）は、図７５に示すように、複数の基板を同時に一体的に製造することができる。即ち、図７５は、底部放熱層（３２）、底部配線（３２１）、下段部構成層（３３）、ＰＤ用配線層（３４）及び位置決めマーク（３４６）が積層された積層体｛２’（ＰＤ）｝を上方から平面視した形態を示す図である。この後、通常、ＰＤ（５６）が実装され、更に各種上層が積層されることで、複数の連接されたＰＤ搭載横受光型基板（２）が形成され、次いで、これらの各ＰＤ搭載横受光型基板（２）を図７５に示す点線において切断することで、個別のＰＤ搭載横受光型基板（２）が製造される。そして、図７５においては、全てのパーツがＰＤ搭載横受光型基板（２）となるものである。

これに対して、本発明のＰＤ搭載横受光型基板（２）は、前記本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）と同時に対で製造することもできる。即ち、図７６は、底部放熱層（３２）、底部配線（３２１）、下段部構成層（３３）及びＬＥＤ用配線層（３４）が積層された積層体｛２’（ＬＥＤ）｝と、底部放熱層（３２）、底部配線（３２１）、下段部構成層（３３）、ＰＤ用配線層（３４）及び位置決めマーク（３４６）が積層された積層体｛２’（ＰＤ）｝と、が対向して配置されてなる積層体を上方から平面視した形態を示す図である。この図７６に示すように、ＰＤ搭載横受光型基板（２）の収容部（３０）の開口部と、ＬＥＤ搭載横発光型基板（２）の収容部（３０）の開口部と、が対向されるように配置され、各基板（２）を複数個同時に製造することができる。この方法によれば、ＰＤ搭載横受光型基板（２）とＬＥＤ搭載横発光型基板（２）とを対で製造することができるため、ＰＤ搭載横受光型基板（２）とＬＥＤ搭載横発光型基板（２）とのマッチングに優れ、製造時の不良率（マッチング不良による）を低減して低コストで高精度のマッチング特性を有する各基板（２）を効率よく製造することができる。このようにして製造したＰＤ搭載横受光型基板（２）及びＬＥＤ搭載横発光型基板（２）は、各種光通信用途に適しており、例えば、フォトカプラ等として好適に用いることができる。

［６］横受光型モジュール
本発明の横受光型モジュール（１）は、本発明のＰＤ搭載横受光型基板（２）と、該ＰＤ搭載横受光型基板（２）が実装されたマザーボード（６０）と、を備えることを特徴とする。

上記「マザーボード（６０）」は、本発明のＰＤ搭載横受光型基板（２）を搭載する他の基板である。このマザーボード（６０）は、通常、本発明のＰＤ搭載横受光型基板（２）を搭載するため搭載領域と、ＰＤ搭載横受光型基板（２）を制御するための他の電子部品等を搭載する搭載領域と、を備える。

そして、本発明の横受光型モジュール（１）では、ＰＤ搭載用横受光型基板（２）のＰＤ用配線層（３４）を構成するリード部（３４２）は、下段部構成層（３３）の端面のうちの切欠端面（３３１）以外の他の端面に基板実装用ランド部｛例えば、図６８、図７０及び図７４に示す背面配線（３４３）｝として導出されており、基板実装用ランド部（３４３）は、マザーボード（６０）の実装面に配設されたマザーボード表面配線（６１１）｛通常、マザーボード側ランド部｝と、導電性接合材（６２）を介して電気的に接続された構造とすることができる。

即ち、例えば、ＰＤ搭載横受光型基板（２）がマザーボード（６０）に搭載されており、全体として横受光型基板モジュール（１）が構成されている。
更に、この横受光型モジュール（１）では、例えば、１つのマザーボード（６０）に対して、図６５〜図６６に例示されるＰＤ搭載横受光型基板（２）及び／又は、図７１〜図７２に例示されるＰＤ搭載横受光型基板（２）、が合計３つ搭載（４つ以上又は２つ以下であってもよい）できる。また、各ＰＤ搭載横受光型基板（２）のＰＤ用配線層（３４）のリード部（３４２）は、ＰＤ搭載横受光型基板（２）の背面に導出されて背面配線（３４３）を備えている。そして、マザーボード（６０）の表面に形成されたマザーボード表面配線（６１１）と、各ＰＤ搭載横受光型基板（２）の背面配線（３４３）と、が導電性接合材（６２）を介して電気的に接続されている。
また、マザーボード（６０）は、ＰＤ搭載横受光型基板（２）を制御するための他の電子部品等を搭載する搭載領域を備えており、具体的には、電子部品である抵抗（７０）等を各ＰＤ搭載横受光型基板（２）に対応した個数備えている。また、各ＰＤ搭載横受光型基板（２）の１つの背面配線（３４３）は、スルーホール（６１２）を用いて、マザーボードの裏面側のマザーボード裏面配線を介して、接続されるとマザーボード側面の端子部（６１３）へと導出することができる。

［７］横型モジュール
本発明の横受光型モジュール（１）は、本発明のＬＥＤ搭載横発光型基板（２）と、本発明のＰＤ搭載横受光型基板（２）と、ＬＥＤ搭載横発光型基板（２）及びＰＤ搭載横受光型基板（２）が実装されたマザーボード（６０）と、を備えることを特徴とする。

上記「ＬＥＤ搭載横発光型基板（２）」、上記「ＰＤ搭載横受光型基板（２）」、上記「マザーボード（６０）」は、いずれも前述の各々をそのまま適用できる。
本発明の横型モジュールとしては、例えば、図７７に示す横型モジュール（１）とすることができる。即ち、ＬＥＤ搭載横発光型基板｛２（ＬＥＤ）｝が２つと、ＰＤ搭載横受光型基板｛２（ＰＤ）｝が１つと、これらが実装されたマザーボード（６０）とを備えて、全体として横型モジュール（１）が構成されている。

更に、この横型モジュール（１）は、１つのマザーボード（６０）に対して、図６５〜図６６に例示されるＰＤ搭載横受光型基板｛２（ＰＤ）｝１つを中央に搭載され、このＰＤ搭載横受光型基板｛２（ＰＤ）｝を挟んで、図３〜図５に例示されるＬＥＤ搭載横発光型基板｛２（ＬＥＤ）｝が２つ搭載され、合計３つの基板（２）が搭載されている。
尚、横型モジュール（１）に搭載されるＰＤ搭載横受光型基板｛２（ＰＤ）｝は、１つのみであってもよいが、２つ以上を備えてもよい。即ち、例えば、ＬＥＤ搭載横発光型基板｛２（ＬＥＤ）｝１つを中央に備えて、その両脇に２つのＰＤ搭載横受光型基板｛２（ＰＤ）｝を備えることができる。また、ＰＤ搭載横受光型基板｛２（ＰＤ）｝に換えて、図７１〜図７２に例示されるＰＤ搭載横受光型基板を備えてもよい。

また、図７７に示す横型モジュールに搭載された２つのＬＥＤ搭載横発光型基板｛２（ＬＥＤ）｝同士は電気的に並列に接続され｛２つのスルーホール６１２ａ同士はマザーボード６０の裏面側を介して導通されている｝、マザーボード表面配線（６１１）を介してマザーボードの主部から突出された右後端部にＬＥＤ用マザーボード端子部（６１３Ｌ）として導出されている。

一方、図７７に示す横型モジュールに搭載された１つのＰＤ搭載横受光型基板｛２（ＰＤ）｝は、前記ＬＥＤ搭載横発光型基板｛２（ＬＥＤ）｝の構造と同様に、ＰＤ用配線層（３４）のリード部（３４２）がＰＤ搭載横受光型基板｛２（ＬＥＤ）｝の背面に導出されて、マザーボード（６０）の表面に形成されたマザーボード表面配線（６１１）と導電性接合材（６２）を介して電気的に接続され、そして、マザーボード配線（６１１）はスルーホール（６１２ｂ及び６１２ｃ）を介してマザーボード（６０）の主部から突出された左後端部にＰＤ用マザーボード端子部（６１３Ｐ）として導出されている。尚、上記スルーホールのうち６１２ｂ同士及び６１２ｃ同士は各々マザーボード（６０）の裏面側で電気的に接続されている。
尚、マザーボード（６０）が、ＬＥＤ搭載横発光型基板｛２（ＬＥＤ）｝を制御するための他の電子部品等を搭載する搭載領域及び電子部品である抵抗（７０）等を備えていることは前述の通りである。

以下、実施例及び図面により本発明を更に具体的に説明する。
［第１実施形態］（図３〜７及び図２０に例示するＬＥＤ搭載横発光型基板）
〈１〉底部放熱層（３２）及び底部配線（３２１）の形成
厚さ４００μｍの銅箔をフォトリソ法を用いて成形して図２に示す形状の底部放熱層（３２）及び底部配線（３２１）を得た。

〈２〉下段部構成層（３３）及びＬＥＤ用配線層（３４）の形成
厚さ４００μｍの銅箔が積層されたガラスエポキシコアを有する合計厚さ０．８ｍｍの片面銅張積層板の、銅張面側からドリル加工によって、図２の下段部構成層（３３）に示す形状（図３６における中段部構成層側形状が、Ｓ１／Ｌ１＝０．８、Ｓ２／Ｌ２＝０．８）の切り欠きを形成すると共に、角度（θ）２０度の傾斜を有する下段部切欠端面（３３１）を形成して、下段部構成層（３３）を得た。更に、その後、表面洗浄を行った後、銅箔をフォトリソ法を用いて成形して図２に示す形状のＬＥＤ用配線層（３４）を得た。

〈３〉中段部構成層（３５）の形成
厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ基板をドリル加工によって、図２の中段部構成層（３５）に示す形状（図３６におけるＳ１／Ｌ１＝０．８、Ｓ２／Ｌ２＝０．８）の切り欠きを形成して中段部構成層（３５）を得た。

〈４〉上段部構成層（３６）の形成
厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ基板をドリル加工によって、図２の上段部構成層（３６）に示す形状（図３６におけるＬ１、Ｌ２、Ｓ１及びＳ２は下段部構成層と同じ）の切り欠きを形成して上段部構成層（３６）を得た。

〈５〉上部放熱層（３７）
厚さ４００μｍの銅箔を用意した。

〈６〉各層の積層
上記〈１〉〜〈３〉で得られた底部放熱層（３２）、下段部構成層（３３）とＬＥＤ用配線層（３４）との一体物、及び中段部構成層（３５）を、熱プレスにより図７に示す積層状態となるように積層した。
一方、上段部構成層（３６）と上部放熱層（３７）とは図２に示す積層状態となるように熱プレスにより積層した。

〈７〉背面配線（３４３）の形成
上記〈６〉で積層して得られた底部放熱層（３２）、下段部構成層（３３）、ＬＥＤ用配線層（３４）及び中段部構成層（３５）の積層体の背面に、Ｐｔ無電解めっき、Ｎｉ電解めっき及びＣｕ電解めっきを施して背面配線（３４３）を形成した。

〈８〉光反射層（３９）の形成
上記〈７〉で得られた背面配線（３４３）を有する積層体のうち、収容部（３０）内に露出される底部放熱層（３２）の表面、下段部切欠端面（３３１）の表面、ランド部（３４１）の表面、及び背面配線（３４３）の表面に、Ｐｔ無電解めっき、Ｎｉ電気めっき及びＡｇ電解めっきを施して、光反射層（３９）を形成した。尚、背面配線（３４３）表面のめっきはＣｕ防錆用のめっきであり、光反射層（３９）ではない。
更に、上記〈６〉で得られた上段部構成層（３６）と上部放熱層（３７）との積層体の収容部（３０）内に露出される表面全面に、Ｐｔ無電解めっき、Ｎｉ電気めっき及びＡｇ電解めっきを施して、光反射層（３９）を形成した。

〈９〉ＬＥＤ（５０）の搭載
上記〈８〉で得られた、一部に光反射層（３９）が形成された底部放熱層（３２）、下段部構成層（３３）、ＬＥＤ用配線層（３４）及び中段部構成層（３５）の積層体の底部放熱層（３２）の収容部（３０）内に、波長４５５ｎｍの青色ＬＥＤ（５０）を等間隔となるように３つ接合層（５５）を介して接合し、更に、図４、図６及び図５８に示すように、２つの発光部用端子部（５３）とＬＥＤ用配線（３４）のランド部（３４１）とをボンディングワイヤにより電気的に接続した。

〈１０〉各部の一体化
上記〈９〉までに得られたＬＥＤ（５０）が搭載された半部品と、上部放熱層（３７）等を備える半部品と、を熱プレスにより積層して図３に示す状態に一体化した。

〈１１〉封止材の調製
不純物成分（３１２ａ）としてＡｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、及びＦｅ_２Ｏ_３を合計で、石英ガラス粒子（３１２）を含有する石英ガラス粒子（３１２）を用意した。次いで、この石英ガラス粒子（３１２）の表面に、赤色成分を増加させるための演色性改善成分（３１３）を、エポキシ樹脂をバインダとして赤色用の演色性改善成分（３１３）が添着された石英ガラス粒子（３１２）を得た。同様にして、緑色成分を増加させるための演色性改善成分（３１３）が添着された石英ガラス粒子（３１２）を得た。
そして、硬化されて封止材（３１）となる前駆組成物を、シリコン樹脂（３１１）、ＴＡＧ蛍光体（３１４）、演色性改善成分が添着されていない第１の石英ガラス粒子、赤色染料が添着された第２の石英ガラス粒子、緑色染料が添着された第３の石英ガラス粒子を混合して得た。

〈１２〉封止材（３１）の充填及び硬化
上記〈１１〉で得られた前駆組成物を上記〈１０〉までに得られたＬＥＤ（５０）が搭載された積層体の収容部（３０）内に充填した後、硬化させて収容部（３０）内を封止材（３１）により充塞して、ＬＥＤ搭載横発光基板（２）を得た。

［第２実施形態］（図４５に例示する横発光型モジュール）
図４５に示すマザーボード配線６１｛マザーボード表面配線（６１１）及びスルーホール（６１２）を備える｝が形成され、且つ、抵抗（７０）が図４５に示す位置に搭載されたマザーボード（６０）を用意した。
次いで、このマザーボード（６０）のＬＥＤ搭載横発光基板を搭載するための領域に、上記〈１２〉までに得られたＬＥＤ搭載横発光基板（２）を、リフロー炉を用いて導電性接合材であるハンダ（６２）を介して接続して横発光型モジュール（１）を得た。

［第３実施形態］（図６５〜７０に例示するＰＤ搭載横受光型基板）
〈１〉底部放熱層（３２）及び底部配線（３２１）の形成
厚さ４００μｍの銅箔をフォトリソ法を用いて成形して図６７に示す形状の底部放熱層（３２）及び底部配線（３２１）を得た。

〈２〉下段部構成層（３３）及びＰＤ用配線層（３４）の形成
厚さ４００μｍの銅箔が積層されたガラスエポキシコアを有する合計厚さ０．８ｍｍの片面銅張積層板の、銅張面側からドリル加工によって、図２の下段部構成層（３３）に示す形状（図３６における中段部構成層側形状が、Ｓ１／Ｌ１＝０．８、Ｓ２／Ｌ２＝０．８）の切り欠きを形成すると共に、角度（θ）２０度の傾斜を有する下段部切欠端面（３３１）を形成して、下段部構成層（３３）を得た。更に、その後、表面洗浄を行った後、銅箔をフォトリソ法を用いて成形して図６７に示す形状のＰＤ用配線層（３４）及び位置決めマーク（３４６）を得た。

〈３〉中段部構成層（３５）の形成
厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ基板をドリル加工によって、図６７の中段部構成層（３５）に示す形状（図３６におけるＳ１／Ｌ１＝０．８、Ｓ２／Ｌ２＝０．８）の切り欠きを形成して中段部構成層（３５）を得た。

〈４〉上段部構成層（３６）の形成
厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ基板をドリル加工によって、図６７の上段部構成層（３６）に示す形状（図３６におけるＬ１、Ｌ２、Ｓ１及びＳ２は下段部構成層と同じ）の切り欠きを形成して上段部構成層（３６）を得た。

〈６〉各層の積層
上記〈１〉〜〈３〉で得られた底部放熱層（３２）、下段部構成層（３３）とＰＤ用配線層（３４）及び位置決めマーク（３４６）との一体物、及び中段部構成層（３５）を、熱プレスにより図６９に示す積層状態となるように積層した。
一方、上段部構成層（３６）と上部放熱層（３７）とは図６７に示す積層状態となるように熱プレスにより積層した。

〈７〉背面配線（３４３）の形成
上記〈６〉で積層して得られた底部放熱層（３２）、下段部構成層（３３）、ＰＤ用配線層（３４）、位置決めマーク（３４６）及び中段部構成層（３５）の積層体の背面に、Ｐｔ無電解めっき、Ｎｉ電解めっき及びＣｕ電解めっきを施して背面配線（３４３）を形成した。

〈９〉ＰＤ（５６）の搭載
上記〈８〉で得られた、一部に光反射層（３９）が形成された底部放熱層（３２）、下段部構成層（３３）、ＰＤ用配線層（３４）、位置決めマーク（３４６）及び中段部構成層（３５）の積層体の底部放熱層（３２）の収容部（３０）内に、ｐｉｎフォトダイオード（５６）１つを接合層を介して接合し、更に、図６８に示すように、２つの端子部とＰＤ用配線（３４）のランド部（３４１）とをボンディングワイヤ（５４）により電気的に接続した。

〈１０〉各部の一体化
上記〈９〉までに得られたＰＤ（５６）が搭載された半部品と、上部放熱層（３７）等を備える半部品と、を熱プレスにより積層して図６５に示す状態に一体化した。

〈１１〉封止材の調製
不純物成分（３１２ａ）としてＡｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、及びＦｅ_２Ｏ_３を合計で、石英ガラス粒子（３１２）を含有する石英ガラス粒子（３１２）を用意した。そして、硬化されて封止材（３１）となる前駆組成物を、シリコン樹脂及び石英ガラス粒子を混合して得た。

〈１２〉封止材（３１）の充填及び硬化
上記〈１１〉で得られた前駆組成物を上記〈１０〉までに得られたＰＤ（５６）が搭載された積層体の収容部（３０）内に充填した後、硬化させて収容部（３０）内を封止材（３１）により充塞して、ＰＤ搭載横受光基板（２）を得た。

尚、本発明においては、上記の具体的実施例に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した実施例とすることができる。
例えば、図２の分解斜視図に例示された状態のように、各パーツを個片化した上で、積層・組み立てを行いＬＥＤ搭載用横発光型基板を得ることができる。また、図６３及び図６４に例示されるように、各パーツが複数個連接形成されたシート状物などを一括して積層・組み立てを行った上で、裁断して（個片化して）ＬＥＤ搭載用横発光型基板を得ることもできる。ここで、図６３は１つの収容部を備えるＬＥＤ搭載用横発光型基板の製造に用いられるシート状物であり、複数個の下段部構成層（３３）又は上段部構成層（３６）が連接形成された状態を例示しており、図示された点線で切断することで下段部構成層（３３）又は上段部構成層（３６）の個片が得られることとなる。図６４は複数の収容部を備えるＬＥＤ搭載用横発光型基板の製造に用いられるシート状物であり、複数個の下段部構成層（３３）又は上段部構成層（３６）が連接形成された状態を例示しており、図示された点線で切断することで下段部構成層（３３）又は上段部構成層（３６）の個片が得られることとなる。図６３及び図６４には、下段部構成層又は上段部構成層の連接状態を例示しているが、他の層も同様のパターンで形成することができる。

本発明のＬＥＤ搭載用横発光型基板、ＬＥＤ搭載横発光型基板及び横発光型モジュールは、ＬＥＤ関連分野において広く利用される。即ち、例えば、家電製品用部品、移動体（自動車、鉄道、船舶、航空機など）用部品などとして利用される。上記のうち家電製品用部品としては、照明器具、スキャニング用光源（汎用コピー・スキャナ用光源及び製品検査用スキャナ光源）などとして好適である。また、移動体用部品としては、室内照明などとして好適である。

ＬＥＤ搭載用横発光型基板の第１例を示す前面側における斜視図である。図１のＬＥＤ搭載用横発光型基板の前面側における分解斜視図である。ＬＥＤ搭載横発光型基板の第１例（図１の第１例のＬＥＤ搭載用横発光型基板にＬＥＤを搭載した状態）を示す前面側における斜視図である。図３のＬＥＤ搭載横発光型基板においてＬＥＤ用配線層と中段部構成層との間を分解して示した前面側における一部透過分解斜視図である。図４のＬＥＤ搭載横発光型基板の収容部が封止材により充塞された状態を示す前面側における斜視図である。図４のＬＥＤ搭載横発光型基板のＬＥＤ用配線層より下層を分解して示した背面側における斜視図である。図４のＬＥＤ搭載横発光型基板に用いたＬＥＤ搭載用横発光型基板の中段部構成層下に配設されたＬＥＤ用配線層の形態を透過して示す前面側における斜視図である。ＬＥＤ搭載横発光型基板の第２例を示す前面側における斜視図である。図８のＬＥＤ搭載横発光型基板においてＬＥＤ用配線層と中段部構成層との間を分解して示した前面側における一部透過分解斜視図である。図８のＬＥＤ搭載横発光型基板の収容部が封止材により充塞された状態を示す前面側における斜視図である。図８のＬＥＤ搭載横発光型基板に用いたＬＥＤ搭載用横発光型基板を分解して示す前面側における分解斜視図である。図８のＬＥＤ搭載横発光型基板のＬＥＤ用配線層より下層を分解して示した背面側における斜視図である。図８のＬＥＤ搭載横発光型基板に用いたＬＥＤ搭載用横発光型基板の中段部構成層下に配設されたＬＥＤ用配線層の形態を透過して示す前面側における斜視図である。ＬＥＤ搭載用横発光型基板の第３例を示す前面側における斜視図である。ＬＥＤ搭載横発光型基板の第３例（図１４の第３例のＬＥＤ搭載用横発光型基板にＬＥＤを搭載した状態）を示す前面側における斜視図である。図１５のＬＥＤ搭載横発光型基板においてＬＥＤ用配線層と中段部構成層との間を分解して示した前面側における一部透過分解斜視図である。図１５のＬＥＤ搭載横発光型基板の収容部が封止材により充塞された状態の一例を示す前面側における斜視図である。図１５のＬＥＤ搭載横発光型基板の収容部が封止材により充塞された状態の他例を示す前面側における斜視図である。図１５のＬＥＤ搭載横発光型基板に用いたＬＥＤ搭載用横発光型基板（図１４の第３例のＬＥＤ搭載用横発光型基板）を分解して示す前面側における分解斜視図である。図１、図２、図７、図１１、図１３及び図１４のＬＥＤ搭載用横発光型基板の左右中央（ＬＥＤ用配線層を含む）における断面を例示する断面図である。図３〜６、図８〜１０及び図１２のＬＥＤ搭載横発光型基板の左右中央（ＬＥＤ用配線層を含む）における断面を例示する断面図である。図３〜６、図８〜１０及び図１２のＬＥＤ搭載横発光型基板の左右中央（ＬＥＤ用配線層を含む）における断面（ボンディングワイヤを省略）における光路を説明する説明図である。レンズを備えた形態の図３〜６、図８〜１０及び図１２のＬＥＤ搭載横発光型基板の左右中央（ＬＥＤ用配線層を含む）における断面を例示する断面図である。図１４及び図１９のＬＥＤ搭載用横発光型基板の左右中央（ＬＥＤ用配線層を含む）における断面を例示する断面図である。図１５〜１７のＬＥＤ搭載横発光型基板の左右中央（ＬＥＤ用配線層を含む）における断面を例示する断面図である。図１５〜１７のＬＥＤ搭載横発光型基板が透光性カバー層を備えた場合の左右中央（ＬＥＤ用配線層を含む）における断面を例示する断面図である。図１５〜１７のＬＥＤ搭載横発光型基板の左右中央（ＬＥＤ用配線層を含む）における断面（ボンディングワイヤを省略）における光路を説明する説明図である。レンズを備えた形態の図１５〜１７のＬＥＤ搭載横発光型基板の左右中央（ＬＥＤ用配線層を含む）における断面を例示する断面図である。下段部構成層、中段部構成層及び上段部構成層における切り欠きの形状の第１例を示す平面図である。下段部構成層、中段部構成層及び上段部構成層における切り欠きの形状の第２例を示す平面図である。下段部構成層、中段部構成層及び上段部構成層における切り欠きの形状の第３例を示す平面図である。下段部構成層、中段部構成層及び上段部構成層における切り欠きの形状の第４例を示す平面図である。下段部構成層、中段部構成層及び上段部構成層における切り欠きの形状の第５例を示す平面図である。下段部構成層、中段部構成層及び上段部構成層における切り欠きの形状の第６例を示す平面図である。下段部構成層、中段部構成層及び上段部構成層における切り欠きの形状の第７例を示す平面図である。下段部構成層、中段部構成層及び上段部構成層における切り欠きの形状を説明する説明図である。下段部構成層、中段部構成層及び上段部構成層における切り欠きの形状の第８例を示す平面図である。下段部構成層、中段部構成層及び上段部構成層における切り欠きの形状の第９例を示す平面図である。図１、図２、図７、図１１、図１３及び図１４のＬＥＤ搭載用横発光型基板の左右中央断面（ＬＥＤ用配線層を含む断面）における光反射層及び背面放熱層の形成状態を示す第１例の断面図である。図１、図２、図７、図１１、図１３及び図１４のＬＥＤ搭載用横発光型基板の左右中央断面（ＬＥＤ用配線層を含む断面）における光反射層の形成状態を示す第２例の断面図である。図１、図２、図７、図１１、図１３及び図１４のＬＥＤ搭載用横発光型基板の左右中央断面（ＬＥＤ用配線層を含む断面）における光反射層の形成状態を示す第３例の断面図である。第４例のＬＥＤ搭載用横発光型基板のＬＥＤ用配線層を含む左右中央における光反射層の形成状態を示す断面図である。図１、図２、図７、図１１、図１３及び図１４のＬＥＤ搭載用横発光型基板の左右中央断面（ＬＥＤ用配線層を含む断面）における下段部構成層、中段部構成層及び上段部構成層の形態を例示する断面図である。横発光型モジュールの左右中央（図３〜６、図８〜１０及び図１２のＬＥＤ搭載横発光型基板のＬＥＤ用配線層を含む）における断面を例示する断面図である。横発光型モジュールの一例を示す背面側における斜視図である。３つのＬＥＤ（単色発光）が搭載された複数の収容部を備えるＬＥＤ搭載用横発光型基板及び横発光型モジュールにおける回路の一例を示す回路図である。複数の収容部を備えるＬＥＤ搭載用横発光型基板の一例を示す前面側における斜視図である。ＬＥＤ搭載用横発光型基板の底部放熱層と下段部構成層とＬＥＤ用配線層との積層形態の第１例を示すＬＥＤ用配線層側における平面図である。ＬＥＤ搭載用横発光型基板の底部放熱層と下段部構成層とＬＥＤ用配線層との積層形態の第２例を示す底部放熱層側及びＬＥＤ用配線層側における各平面図である。ＬＥＤ搭載用横発光型基板の底部放熱層と下段部構成層とＬＥＤ用配線層との積層形態の第３例を示す底部放熱層側及びＬＥＤ用配線層側における各平面図である。ＬＥＤ搭載用横発光型基板の底部放熱層と下段部構成層とＬＥＤ用配線層と中段部構成層との積層形態の例示する前面側における斜視図である。底部吸熱体を備えるＬＥＤ搭載横発光型基板の左右中央（ＬＥＤ用配線層を含む）における断面を例示する断面図である。底部ヒートシンクを備えるＬＥＤ搭載横発光型基板の左右中央（ＬＥＤ用配線層を含む）における断面を例示する断面図である。底部吸熱体を備えるＬＥＤ搭載用横発光型基板を分解して示す前面側における分解斜視図である。図５２のＬＥＤ搭載横発光型基板が搭載された横発光型モジュールの左右中央（ＬＥＤ用配線層を含む）における断面を例示する断面図である。図５３のＬＥＤ搭載横発光型基板が搭載された横発光型モジュールの左右中央（ＬＥＤ用配線層を含む）における断面を例示する断面図である。収容部に形成された封止材の形態を例示するＬＥＤ搭載横発光型基板の左右中央（ＬＥＤ用配線層を含む）における断面を例示する断面図である。ＬＥＤ搭載横発光型基板におけるＬＥＤの搭載状態を例示する断面図である。封止材を説明する説明図である。演色性改善成分が添着された石英ガラス粒子の第１例の形態を説明する説明図である。演色性改善成分が添着された石英ガラス粒子の第２例の形態を説明する説明図である。演色性改善成分が添着された石英ガラス粒子の第３例の形態を説明する説明図である。ＬＥＤ搭載用横発光型基板の製造方法の一例を説明する説明図である。ＬＥＤ搭載用横発光型基板の製造方法の他例を説明する説明図である。ＰＤ搭載横受光型基板の第１例を示す前面側における斜視図である。図６５のＰＤ搭載横受光型基板においてＰＤ用配線層と中段部構成層との間を分解して示した前面側における一部透過分解斜視図である。図６５のＰＤ搭載横受光型基板に用いるＰＤ搭載用横受光型基板の前面側における分解斜視図である。図６５のＰＤ搭載横受光型基板のＰＤ用配線層より下層を分解して示した背面側における斜視図である。図６５のＰＤ搭載横受光型基板に用いたＰＤ搭載用横受光型基板の中段部構成層下に配設されたＰＤ用配線層の形態を透過して示す前面側における斜視図である。図６５〜６６のＰＤ搭載横受光型基板の左右中央（位置決めマークを含む）における断面（ボンディングワイヤを省略）における光路を説明する説明図である。ＰＤ搭載横受光型基板の第２例を示す前面側における斜視図である。図７１のＰＤ搭載横受光型基板においてＰＤ用配線層と中段部構成層との間を分解して示した前面側における一部透過分解斜視図である。図７１のＰＤ搭載横受光型基板に用いるＰＤ搭載用横受光型基板の前面側における分解斜視図である。図７１〜７２のＰＤ搭載横受光型基板の左右中央（位置決めマークを含む）における断面（ボンディングワイヤを省略）における光路を説明する説明図である。複数個のＰＤ搭載横受光型基板を同時に形成する際の製造方法を説明する説明図である。ＬＥＤ搭載横発光型基板とＰＤ搭載横受光型基板とを同時に形成する際の製造方法を説明する説明図である。ＬＥＤ搭載横発光型基板とＰＤ搭載横受光型基板との両方を搭載した横型モジュールの一例を示す背面側における斜視図である。

符号の説明

１；横発光型モジュール、横受光型モジュール、横型モジュール、
２；ＬＥＤ搭載横発光型基板及びＰＤ搭載横受光型基板、２（ＬＥＤ）；ＬＥＤ搭載横発光型基板、２（ＰＤ）；ＰＤ搭載横受光型基板、
３；ＬＥＤ搭載用横発光型基板及びＰＤ搭載用横受光型基板、
３０；収容部、３０１；下段部、３０２；中段部、３０３；上段部、
３１；封止材、３１１；透光性樹脂、３１２；石英ガラス粒子、３１２ａ；不純物成分、３１３；添着成分（演色性改善成分）、３１４；蛍光体、３１５；添着材、３１８；透光性カバー層、３１９；レンズ（レンズ部）、
３２；底部放熱層、３２１；、底部配線、
３３；下段部構成層、３３ａ；下段部構成層表面、３３ｂ；下段部構成層裏面、
３３１；下段部切欠端面、
３４；ＬＥＤ用配線層及びＰＤ用配線層、３４１；ランド部、３４２；リード部、３４３；背面配線、３４４；端子部（ＬＥＤ搭載横発光型基板の端子部及びＰＤ搭載横受光型基板の端子部）、３４５；スルーホール、３４６；位置決めマーク、
３５；中段部構成層、３５１；中段部切欠端面、
３６；上段部構成層、３６１；上段部切欠端面、
３７；上部放熱層、３７１；背面放熱層、
３８１；底部熱吸収体、３８１ａ；熱吸収部材、３８１ｂ；枠体、３８１ｃ；緩衝領域、３８１ｄ；底板、３８３；底部ヒートシンク、
３９；光反射層、３９１；下段部切欠端面の光反射層、３９２；上段部切欠端面の光反射層、３９３；収容部下面の光反射層、３９４；収容部上面の光反射層、
４０；上部絶縁層、
５０；ＬＥＤ、５１；絶縁基板（ＬＥＤ絶縁基板）、５２；発光部、５３；発光部用端子、５４；ボンディングワイヤ、５５；接合層、５６；受光素子（ＰＤ）、
６０；マザーボード、６０１；貫通孔（排熱部材用貫通孔）、
６１；マザーボード配線、６１１；マザーボード表面配線、６１２、６１２ａ、６１２ｂ及び６１２ｃ；スルーホール、６１３；マザーボード端子部、６１３Ｌ；ＬＥＤ用マザーボード端子部、６１３Ｐ；ＰＤ用マザーボード端子部、
６２；導電性接合材、
７０；電子部品（チップ抵抗）、
Ｚ１；積層方向（上方向）、Ｚ２；積層方向（下方向）、
Ｙ１；積層方向に垂直な方向（収容部が開放された方向、横方向）、Ｙ２；積層方向に垂直な方向（後方向）
２’（ＬＥＤ）；ＬＥＤ搭載横発光型基板２となる積層体、２’（ＰＤ）；ＰＤ搭載横発光型基板２となる積層体。

Claims

樹脂質絶縁材を積層して構成され、その積層方向に対して垂直な１つの方向に開放された収容部を備え、該収容部内にＬＥＤを実装した場合に、該ＬＥＤの光を上記収容部の開放された方向へ出射するＬＥＤ搭載用横発光型基板であって、
上記ＬＥＤの底面が接合されることとなる金属製の底部放熱層と、
上記収容部のうちの下段部を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記底部放熱層上に積層された樹脂質絶縁材からなる下段部構成層と、
上記下段部構成層上に積層され、且つランド部及びリード部を備えるＬＥＤ用配線層と、
上記収容部のうちの中段部を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記ＬＥＤ用配線層の上記ランド部を該収容部内に露出させて該ＬＥＤ用配線層上に積層された樹脂質絶縁材からなる中段部構成層と、
上記収容部のうちの上段部を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記中段部構成層上に積層された樹脂質絶縁材からなる上段部構成層と、
上記上段部構成層上に積層された金属製の上部放熱層と、を備え、
上記下段部構成層の上記切り欠かれて形成された端面である下段部切欠端面は上方へ向かって広がるように傾斜され、上記上段部構成層の上記切り欠かれて形成された端面である上段部切欠端面は下方へ向かって広がるように傾斜されており、
上記下段部切欠端面及び上記上段部切欠端面の表面に光反射層を有することを特徴とするＬＥＤ搭載用横発光型基板。
上記収容部は、上記積層方向に対して垂直な上記１つの方向にのみ開放されている請求項１に記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板。
上記収容部は、更に、上記積層方向に対して水平な上方向にも開放されている請求項１に記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板。
上記外広がりの形状は、略半円形状である請求項１乃至３のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板。
上記収容部内を充塞する封止材を備え、
上記封止材は、透光性樹脂と石英ガラス粒子とを含有する請求項１乃至４のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板。
上記石英ガラス粒子は、外表面に演色性改善成分が添着されている請求項５に記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板。
上記収容部を複数備え且つ該収容部は列設されている請求項１乃至６のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板。
上記収容部のうちの１つの収容部内に露出された上記ランド部と、上記収容部のうちの他の収容部内に露出された上記ランド部と、は上記ＬＥＤ用配線層において電気的に接続されている請求項７に記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板。
上記底部放熱層の層下及び／又は上記上部放熱層の層上に、熱吸収体を備える請求項１乃至８のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板。
請求項１乃至９のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載用横発光型基板と、該ＬＥＤ搭載用横発光型基板の上記収容部内に実装されたＬＥＤと、を備えることを特徴とするＬＥＤ搭載横発光型基板。
上記ＬＥＤは、絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された発光部と、該発光部の上面に形成され且つ該発光部を発光させるための発光部用端子と、を備え、
上記絶縁性基板と上記ＬＥＤ搭載用横発光型基板を構成する上記底部放熱層とは接着剤を介して接合されており、
上記発光部端子と上記ＬＥＤ搭載用横発光型基板の上記ランド部とはボンディングワイヤを介して電気的に接続されている請求項１０に記載のＬＥＤ搭載横発光型基板。
上記ＬＥＤを１つ又は２つ以上を備え、該ＬＥＤの合計出力が１Ｗ以上である請求項１０又は１１に記載のＬＥＤ搭載横発光型基板。
請求項１０乃至１２のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載横発光型基板と、該ＬＥＤ搭載横発光型基板が実装されたマザーボードと、を備えることを特徴とする横発光型モジュール。
上記ＬＥＤ搭載用横発光型基板の上記ＬＥＤ用配線層を構成するリード部は、上記下段部構成層の端面のうちの上記切欠端面以外の他の端面に基板実装用ランド部として導出されており、
上記基板実装用ランド部は、上記マザーボードの実装面に配設されたマザーボード表面配線と、導電性接合材を介して電気的に接続されている請求項１３に記載の横発光型モジュール。
樹脂質絶縁材を積層して構成され、その積層方向に対して垂直な１つの方向に開放された収容部を備え、該収容部内に受光素子を実装した場合に、上記収容部の開放された方向から入射された光を該受光素子で受光する受光素子搭載用横受光型基板であって、
上記受光素子の底面が接合されることとなる金属製の底部放熱層と、
上記収容部のうちの下段部を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記底部放熱層上に積層された樹脂質絶縁材からなる下段部構成層と、
上記下段部構成層上に積層され、且つランド部及びリード部を備える受光素子用配線層と、
上記収容部のうちの中段部を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記受光素子用配線層の上記ランド部を該収容部内に露出させて該受光素子用配線層上に積層された樹脂質絶縁材からなる中段部構成層と、
上記収容部のうちの上段部を構成するために平面視外広がりの形状に一部が切り欠かれ、且つ上記中段部構成層上に積層された樹脂質絶縁材からなる上段部構成層と、
上記上段部構成層上に積層された金属製の上部放熱層と、を備え、
上記下段部構成層の上記切り欠かれて形成された端面である下段部切欠端面は上方へ向かって広がるように傾斜され、上記上段部構成層の上記切り欠かれて形成された端面である上段部切欠端面は下方へ向かって広がるように傾斜されており、
上記下段部切欠端面及び上記上段部切欠端面の表面に光反射層を有することを特徴とする受光素子搭載用横受光型基板。
上記収容部は、上記積層方向に対して垂直な上記１つの方向にのみ開放されている請求項１５に記載の受光素子搭載用横受光型基板。
上記収容部は、更に、上記積層方向に対して水平な上方向にも開放されている請求項１６に記載の受光素子搭載用横受光型基板。
請求項１５乃至１７のうちのいずれかに記載の受光素子搭載用横受光型基板と、該受光素子搭載用横受光型基板の上記収容部内に実装された受光素子と、を備えることを特徴とする受光素子搭載横受光型基板。
請求項１８に記載の受光素子搭載横受光型基板と、該受光素子搭載横受光型基板が実装されたマザーボードと、を備えることを特徴とする横受光型モジュール。
請求項１０乃至１２のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載横発光型基板と、請求項１８に記載の受光素子搭載横受光型基板と、該ＬＥＤ搭載横発光型基板及び受光素子搭載横受光型基板が実装されたマザーボードと、を備えることを特徴とする横型モジュール。