JP2009284639A - 電力変換器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電力変換器1は、入力部3と、出力部5と、第1の入出力部及び第2の入出力部と、直列に接続されたキャパシタC1及びキャパシタC2と、通電制御ブロックB1、通電制御ブロックB2、通電制御ブロックB3及び通電制御ブロックB4と、これらの通電制御ブロックの通電を制御する制御回路部7とを備えるものであって、各通電制御ブロックの通電制御素子B1aと通電制御素子B1bとの通電方向が逆向きであることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明によれば、電力変換器の構成を簡易化することができる。
図1は電力変換器の回路図である。図4に示すように、電力変換器1は、印加された電圧を昇圧するもので、入力部(第1の入出力部)3と、出力部(第2の入出力部)5と、キャパシタC1と、キャパシタC2と、キャパシタC3と、インダクタL1と、通電制御ブロックB1と、通電制御ブロックB2と、通電制御ブロックB3と、通電制御ブロックB4と、制御回路部7とを備えている。
すなわち、電力変換器1は、入力部3に印加された電圧を昇圧して出力部5に出力する際には、通電制御ブロックB1、通電制御ブロックB4を、単体のダイオードのみで構成してもよい。
次に、図2を参照して、電力変換器1の電流の流れ及び電圧波形について説明する(適宜、図1参照)。図2は昇圧比が小さい場合(1倍から2倍まで)の電流の流れ、通電制御ブロックB1〜B4のスイッチ機能部SW2、SW3、SW5、SW8の各ゲート電圧、キャパシタC1及びキャパシタC2の充電電流の波形、インダクタL1の放出電流の波形を示している。
次に、図3〜図6を参照して、電力変換器1におけるサージ吸収モードについて説明する。電力変換器1では、入力部3から出力部5に電流が通電する導通モードと、電流を遮断する遮断モードとがある。そして、この電力変換器1では、導通モードから遮断モードに移行する際に、通電制御ブロックB1〜B4にサージ電圧(高電圧)がかかり、素子破損の可能性が生じるので、これを防止するために、遮断前の電流方向を考慮して、サージ電圧を緩和するサージ吸収モードを備えている。
図3(a)に示すように、入力部3と出力部5とが導通する場合、電力変換器1Aにおいて、通電制御ブロックB2のスイッチ機能部SW3(1)をOFFにし、通電制御ブロックB3のスイッチ機能部SW5(2)をOFFにし、通電制御ブロックB1のスイッチ機能部SW2(3)をONにし、通電制御ブロックB4のスイッチ機能部SW8(4)をONにし、通電制御ブロックB1のスイッチ機能部SW1(5)をONにし、通電制御ブロックB4のスイッチ機能部SW7(6)をONにし、通電制御ブロックB2のスイッチ機能部SW4(7)をOFFにし、通電制御ブロックB3のスイッチ機能部SW6(8)をOFFにしている。
図3(a)から図3(b)に示した状態になった場合、図4に示したように、電力変換器1において、通電制御ブロックB1のスイッチ機能部SW2(3)をONからOFFに、通電制御ブロックB4のスイッチ機能部SW8(4)をONからOFFに、通電制御ブロックB1のスイッチ部SW1(5)をONからOFFに、通電制御ブロックB4のスイッチ機能部SW7(6)をONからOFFに切り替わるので、通電制御ブロックB1と通電制御ブロックB4とに高電圧が発生する。
次に、図7を参照して、従来の電力変換器(通電制御素子にIGBT+ダイオード)と、電力変換器1とを比較して説明する。
図7(a)の「ゲート波形」に示したように、従来の電力変換器100の場合、IGBT101のLo側と、IGBT103のHi側とをスイッチングしている。このため、図7(a)の「IGBT+ダイオードの場合」に示したように、スイッチングしていない、IGBT101のHi側のダイオード及びIGBT103bのLo側のダイオードのみに電流が流れる。
3 入力部(第1の入出力部)
5 出力部(第2の入出力部)
7 制御回路部
C1、C2、C3 キャパシタ
L1 インダクタ
B1、B2、B3、B4 通電制御ブロック
B1a、B2a、B3a、B4a 通電制御素子(第1の通電制御素子)
B1b、B2b、B3b、B4b 通電制御素子(第2の通電制御素子)
D1、D2、D3、D4 ダイオード機能部
SW1、SW2、SW3、SW4 スイッチ機能部
Claims (5)
- 第1の入出力部及び第2の入出力部が、直列に接続された第1のキャパシタ及び第2のキャパシタと、第1の通電制御ブロック、第2の通電制御ブロック、第3の通電制御ブロック及び第4の通電制御ブロックとを介して接続され、これらの通電制御ブロックの通電を制御する制御回路部を備える電力変換器であって、
前記第1の通電制御ブロックは、前記第1の入出力部の正極側を前記第1のキャパシタの正極側及び前記第2の入出力部の正極側に接続し、
前記第2の通電制御ブロックは、前記第1の入出力部の正極側を前記第1のキャパシタの負極側及び前記第2のキャパシタの正極側に接続し、
前記第3の通電制御ブロックは、前記第1の入出力部の負極側を前記第1のキャパシタの負極側及び前記第2のキャパシタの正極側に接続し、
前記第4の通電制御ブロックは、前記第1の入出力部の負極側を前記第2のキャパシタの負極側及び前記第2の入出力部の負極側に接続し、
前記通電制御ブロックは、
前記第1の入出力部と前記第2の入出力部との間を流れる電流を遮断又は一方向に通電する第1の通電制御素子及び第2の通電制御素子とを備え、
前記第1の通電制御素子と前記第2の通電制御素子との通電方向が逆向きであることを特徴とする電力変換器。 - 第1の入出力部及び第2の入出力部が、直列に接続された第1のキャパシタ及び第2のキャパシタと、第1の通電制御ブロック及び第2の通電制御ブロックと、第1のダイオード及び第2のダイオードとを介して接続され、これらの通電制御ブロックの通電を制御する制御回路部を備える電力変換器であって、
前記第1のダイオードは、前記第1の入出力部の正極側を前記第1のキャパシタの正極側及び前記第2の入出力部の正極側に接続し、
前記第1の通電制御ブロックは、前記第1の入出力部の正極側を前記第1のキャパシタの負極側及び前記第2のキャパシタの正極側に接続し、
前記第2の通電制御ブロックは、前記第1の入出力部の負極側を前記第1のキャパシタの負極側及び前記第2のキャパシタの正極側に接続し、
前記第2のダイオードは、前記第1の入出力部の負極側を前記第2のキャパシタの負極側及び前記第2の入出力部の負極側に接続し、
前記通電制御ブロックは、
前記第1の入出力部と前記第2の入出力部との間を流れる電流を遮断又は一方向に通電する第1の通電制御素子及び第2の通電制御素子とを備え、
前記第1の通電制御素子と前記第2の通電制御素子との通電方向が逆向きであることを特徴とする電力変換器。 - 第1の入出力部及び第2の入出力部が、直列に接続された第1のキャパシタ及び第2のキャパシタと、第1の通電制御ブロック及び第2の通電制御ブロックと、第1のダイオード及び第2のダイオードとを介して接続され、これらの通電制御ブロックの通電を制御する制御回路部を備える電力変換器であって、
前記第1の通電制御ブロックは、前記第1の入出力部の正極側を前記第1のキャパシタの正極側及び前記第2の入出力部の正極側に接続し、
前記第1のダイオードは、前記第1の入出力部の正極側を前記第1のキャパシタの負極側及び前記第2のキャパシタの正極側に接続し、
前記第2のダイオードは、前記第1の入出力部の負極側を前記第1のキャパシタの負極側及び前記第2のキャパシタの正極側に接続し、
前記第2の通電制御ブロックは、前記第1の入出力部の負極側を前記第2のキャパシタの負極側及び前記第2の入出力部の負極側に接続し、
前記通電制御ブロックは、
前記第1の入出力部と前記第2の入出力部との間を流れる電流を遮断又は一方向に通電する第1の通電制御素子及び第2の通電制御素子とを備え、
前記第1の通電制御素子と前記第2の通電制御素子との通電方向が逆向きであることを特徴とする電力変換器。 - 前記第1の通電制御素子と前記第2の通電制御素子の少なくとも一方は、Insulated Gate Bipolar Transistorであることを特徴とする請求項1から請求項3までに記載の電力変換器。
- 前記制御回路部は、前記電流を通電させる導通モードと、前記電流を遮断する遮断モードと、前記導通モードから前記遮断モードに移行する際にサージ電圧を吸収するサージ吸収モードとを備えることを特徴とする請求項1から請求項4までに記載の電力変換器。
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