JP2009283149A - Method of manufacturing electro-optical device as well as electro-optical device and electronic equipment - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an electro-optical device as well as the electro-optical device and electronic equipment, which can prevent deterioration of a light-emitting layer and therefore without fear of dark-spot defects in pixels that do not emit light, leading to maintenance of image quality. <P>SOLUTION: The method of manufacturing an organic EL display device (the electro-optical device) includes: a step of film-forming a plurality of pixel electrodes 23 on a base substrate 200; a step of forming an organic bank layer 221 which has a plurality of apertures corresponding to formed positions of the pixel electrodes 23; a step of forming a light-emitting layer 60 at each of the apertures; a step of film-forming cathodes 50 to cover the organic bank layer 221 and the light-emitting layer 60; a step of applying coating liquid for an organic buffer layer to cover the cathodes 50 after the step of film-forming the cathodes 50; and a step of forming the organic buffer layer 210 by heating and curing this coating liquid for the organic buffer layer at a temperature of 60°C or less. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing an electro-optical device, an electro-optical device, and an electronic apparatus.

近年、自発光型の平面表示型電気光学装置として、有機薄膜により発光層（電気光学層）等を構成した多層構造の有機エレクトロルミネッセンス（Electroluminescence：ＥＬ）表示装置が開発され、これまでにも様々な提案がなされている。
この有機ＥＬ表示装置は、薄型、軽量、フレキシブル、インクジェット法を用いて作製可能等の優れた特徴を有することから、ディスプレイパネル、電子ペーパー等、様々な分野への応用が進められている。 2. Description of the Related Art In recent years, organic electroluminescence (EL) display devices having a multilayer structure in which a light-emitting layer (electro-optic layer) or the like is formed of an organic thin film have been developed as self-luminous flat display type electro-optic devices. Proposals have been made.
Since this organic EL display device has excellent features such as being thin, lightweight, flexible, and capable of being manufactured using an ink jet method, it is being applied to various fields such as display panels and electronic paper.

従来の有機ＥＬ表示装置では、装置の大型化及び軽薄化に対応するために、ＴＦＴ基板上に、インジウムスズ酸化物（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等の透明電極層（陽極）、有機発光層、ＩＴＯ等の透明電極層（陰極）、透明でガスバリア性に優れた窒化ケイ素、酸化ケイ素等の薄膜封止層を順次成膜しているが、この薄膜封止層が緻密で非常に硬いために、この薄膜封止層の表面に凸凹や急峻な段差があると、これら凸凹や急峻な段差部分に外部応力が集中してクラックや剥離が生じるという問題がある。
そこで、透明電極層（陰極）上に、第１の薄膜封止層、有機緩衝層、第２の薄膜封止層を順次設け、この有機緩衝層により薄膜封止層への応力集中を緩和させた構成の有機ＥＬ表示装置が提案されている（特許文献１）。
この有機緩衝層は、液状の有機緩衝層を湿度が管理された環境下で透明電極層（陰極）及び第１の薄膜封止層を覆うように塗布し、その後、有機発光層の耐熱上限温度以下の環境下で硬化させることにより得ることができる。
特開２００５−８５４８８号公報 In a conventional organic EL display device, a transparent electrode layer (anode) such as indium tin oxide (ITO), an organic light emitting layer, A transparent electrode layer (cathode) such as ITO, and a thin film sealing layer such as silicon nitride and silicon oxide that are transparent and excellent in gas barrier properties are sequentially formed, but because this thin film sealing layer is dense and very hard If the surface of the thin film sealing layer has unevenness or a steep step, there is a problem that external stress concentrates on the unevenness or the steep stepped portion to cause cracking or peeling.
Therefore, a first thin film sealing layer, an organic buffer layer, and a second thin film sealing layer are sequentially provided on the transparent electrode layer (cathode), and this organic buffer layer alleviates stress concentration on the thin film sealing layer. An organic EL display device having the above configuration has been proposed (Patent Document 1).
The organic buffer layer is applied so that the liquid organic buffer layer covers the transparent electrode layer (cathode) and the first thin film sealing layer in an environment in which humidity is controlled, and then the heat resistant upper limit temperature of the organic light emitting layer. It can be obtained by curing under the following environment.
JP 2005-85488 A

ところで、従来の有機ＥＬ表示装置では、第１の薄膜封止層に欠損部分、例えば、異物による破れ、ピンホール、ＴＦＴ基板の形状による破れ等が存在すると、その後の有機緩衝層を塗布・硬化する工程で液状の有機緩衝層中の有機成分が第１の薄膜封止層の欠損部分から透明電極層（陰極）や有機発光層にしみ込んでしまい、その結果、有機発光層が溶けて透明電極層同士が部分的に接触して、ショートしてしまうという不具合が生じる虞があった。
有機発光層を挟んでいる透明電極層同士がショートした場合、このショートした部分の画素の有機発光層に電圧が掛からず、したがって、この画素の部分が発光しない暗点欠陥になり、画像の品質を著しく低下させることとなる。 By the way, in the conventional organic EL display device, when the first thin film sealing layer has a defect such as a break due to a foreign substance, a pinhole, or a break due to the shape of the TFT substrate, a subsequent organic buffer layer is applied and cured. In the process, the organic component in the liquid organic buffer layer soaks into the transparent electrode layer (cathode) and the organic light emitting layer from the defective portion of the first thin film sealing layer, and as a result, the organic light emitting layer is melted and the transparent electrode There was a possibility that the layers might be in contact with each other and short-circuited.
When the transparent electrode layers sandwiching the organic light-emitting layer are short-circuited, no voltage is applied to the organic light-emitting layer of the pixel in this short-circuited portion, so that this pixel portion becomes a dark spot defect that does not emit light, resulting in image quality. Will be significantly reduced.

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、発光層の劣化を防止することができ、したがって、画素に発光しない暗点欠陥が生じる虞が無く、画像の品質を保つことができる電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器を提供することを目的とする。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and can prevent deterioration of the light emitting layer. Therefore, there is no possibility of causing a dark spot defect that does not emit light in the pixel, and the image quality is maintained. An object of the present invention is to provide an electro-optical device manufacturing method, an electro-optical device, and an electronic apparatus.

上記の課題を解決するために、本発明は以下の電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器を採用した。
すなわち、本発明の電気光学装置の製造方法は、基体上に、複数の第１電極を成膜する工程と、前記第１電極の形成位置に対応した複数の開口部を有するバンク構造体を形成する工程と、前記開口部それぞれに電気光学層を形成する工程と、前記バンク構造体及び前記電気光学層を覆う第２電極を成膜する工程と、を有する電気光学装置の製造方法において、前記第２電極を成膜する工程の後に、前記第２電極を覆うように有機緩衝層用塗液を塗布する工程と、前記有機緩衝層用塗液を６０℃以下の温度にて加熱し硬化させて有機緩衝層とする工程と、を有することを特徴とする。 In order to solve the above problems, the present invention employs the following electro-optical device manufacturing method, electro-optical device, and electronic apparatus.
That is, the method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention forms a plurality of first electrodes on a substrate, and a bank structure having a plurality of openings corresponding to the positions where the first electrodes are formed. A method of manufacturing an electro-optical device, comprising: forming an electro-optical layer in each of the openings; and forming a second electrode that covers the bank structure and the electro-optical layer. After the step of forming the second electrode, a step of applying an organic buffer layer coating solution so as to cover the second electrode, and heating and curing the organic buffer layer coating solution at a temperature of 60 ° C. or lower. And an organic buffer layer.

本発明の電気光学装置の製造方法では、第２電極を成膜する工程の後に、第２電極を覆うように有機緩衝層用塗液を塗布する工程と、前記有機緩衝層用塗液を６０℃以下の温度にて加熱し硬化させて有機緩衝層とする工程と、を有するので、有機緩衝層用塗液を加熱により硬化させる際に、この有機緩衝層用塗液の粘度が高い状態で硬化させることができ、得られた有機緩衝層に加熱・硬化に起因する欠損部分が生じるのを防止することができる。したがって、加熱硬化の際の有機緩衝層用塗液の粘度の低下に起因する電極間のショート等の不具合を防止することができ、よって、発光層の劣化を防止することができ、その結果、画素に発光しない暗点欠陥が生じる虞が無く、画像の品質を高品位に保つことができる電気光学装置を作製することができる。   In the method of manufacturing the electro-optical device according to the aspect of the invention, after the step of forming the second electrode, the step of applying the organic buffer layer coating solution so as to cover the second electrode; A step of heating and curing at a temperature of ℃ or less to form an organic buffer layer, so that when the organic buffer layer coating solution is cured by heating, the viscosity of the organic buffer layer coating solution is high. It can be hardened and it can prevent that the defect part resulting from heating and hardening arises in the obtained organic buffer layer. Therefore, it is possible to prevent problems such as a short circuit between the electrodes due to a decrease in the viscosity of the organic buffer layer coating liquid at the time of heat curing, and thus it is possible to prevent deterioration of the light emitting layer. There is no risk of dark spot defects that do not emit light in the pixels, and an electro-optical device capable of maintaining high quality image can be manufactured.

本発明の電気光学装置の製造方法は、前記有機緩衝層用塗液の加熱時の粘度の極小値は１Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法では、有機緩衝層用塗液の加熱時の粘度の極小値を１Ｐａ・ｓ以上としたので、１Ｐａ・ｓ以上という粘度が高い状態で有機緩衝層用塗液を加熱・硬化させることができる。したがって、得られた有機緩衝層に加熱・硬化に起因する欠損部分が生じるのを確実に防止することができ、有機緩衝層の欠損に起因する電極間のショート等の不具合を防止することができる。 The electro-optical device manufacturing method of the present invention is characterized in that the minimum value of the viscosity when the organic buffer layer coating solution is heated is 1 Pa · s or more.
In the method for manufacturing the electro-optical device of the present invention, the minimum value of the viscosity of the organic buffer layer coating liquid when heated is set to 1 Pa · s or higher. Can be heated and cured. Therefore, it is possible to surely prevent a defective portion due to heating / curing from occurring in the obtained organic buffer layer, and it is possible to prevent problems such as a short circuit between electrodes due to a defect in the organic buffer layer. .

本発明の電気光学装置の製造方法は、前記有機緩衝層用塗液を６０℃以下の温度にて加熱し硬化させる工程の後に、さらに、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱し硬化させる工程、を有することを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法では、６０℃以下の温度にて加熱し硬化させる工程の後に、さらに、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱し硬化させる工程、を有するので、２段階での加熱・硬化工程により有機緩衝層用塗液を確実に加熱・硬化させることができる。したがって、得られた有機緩衝層に加熱・硬化に起因する欠損部分が生じるのを確実に防止することができ、有機緩衝層の欠損に起因する電極間のショート等の不具合を確実に防止することができる。 In the method of manufacturing the electro-optical device according to the invention, after the step of heating and curing the organic buffer layer coating liquid at a temperature of 60 ° C. or lower, the resin is further heated and cured at a temperature of 80 ° C. or higher and 100 ° C. or lower. A step of causing
Since the method for manufacturing the electro-optical device of the present invention further includes a step of heating and curing at a temperature of 80 ° C. or more and 100 ° C. or less after the step of heating and curing at a temperature of 60 ° C. or less, 2 The organic buffer layer coating solution can be reliably heated and cured by the heating / curing step in stages. Therefore, it is possible to surely prevent a defective portion due to heating / curing from occurring in the obtained organic buffer layer, and to reliably prevent defects such as a short circuit between electrodes due to a defect in the organic buffer layer. Can do.

本発明の電気光学装置の製造方法は、前記有機緩衝層用塗液を加熱し硬化させる工程の後に、前記有機緩衝層を覆うように第２の有機緩衝層用塗液を塗布する工程と、前記第２の有機緩衝層用塗液を８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱し硬化させて第２の有機緩衝層とする工程と、を有することを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法では、有機緩衝層用塗液を加熱し硬化させる工程の後に、前記有機緩衝層を覆うように第２の有機緩衝層用塗液を塗布する工程と、前記第２の有機緩衝層用塗液を８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱し硬化させて第２の有機緩衝層とする工程と、を有するので、有機緩衝層を２層構造とすることで、有機緩衝層に欠損部分が生じるのを確実に防止することができ、有機緩衝層の欠損に起因する電極間のショート等の不具合を確実に防止することができる。 The electro-optical device manufacturing method of the present invention includes a step of applying a second organic buffer layer coating solution so as to cover the organic buffer layer after the step of heating and curing the organic buffer layer coating solution, Heating the second organic buffer layer coating liquid at a temperature of 80 ° C. or higher and 100 ° C. or lower to cure to form a second organic buffer layer.
In the method of manufacturing the electro-optical device according to the aspect of the invention, after the step of heating and curing the organic buffer layer coating solution, the step of applying the second organic buffer layer coating solution so as to cover the organic buffer layer; And heating the second organic buffer layer coating solution at a temperature of 80 ° C. or higher and 100 ° C. or lower to form a second organic buffer layer, so that the organic buffer layer has a two-layer structure. Thus, it is possible to reliably prevent the defective portion from being generated in the organic buffer layer, and it is possible to reliably prevent problems such as a short circuit between the electrodes due to the defect of the organic buffer layer.

本発明の電気光学装置の製造方法は、前記第２の有機緩衝層の上面は平坦面であることを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法では、第２の有機緩衝層の上面を平坦面としたので、この第２の有機緩衝層に応力が集中する部位が無くなり、この応力に起因するマイクロクラック等の発生を防止することができる。 The method of manufacturing the electro-optical device according to the invention is characterized in that the upper surface of the second organic buffer layer is a flat surface.
In the method of manufacturing the electro-optical device according to the present invention, since the upper surface of the second organic buffer layer is a flat surface, there is no portion where stress is concentrated on the second organic buffer layer, and microcracks caused by the stress are eliminated. Can be prevented.

本発明の電気光学装置の製造方法は、前記有機緩衝層用塗液を、前記バンク構造体が露出しないように、該バンク構造体よりも広い領域に塗布することを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法では、有機緩衝層用塗液をバンク構造体よりも広い領域に塗布することで、バンク構造体の影響により第２の電極の表面に形成される凹凸状の形状を平坦化させることができる。 The method of manufacturing an electro-optical device according to the invention is characterized in that the organic buffer layer coating solution is applied to a wider area than the bank structure so that the bank structure is not exposed.
In the method of manufacturing the electro-optical device according to the invention, the organic buffer layer coating liquid is applied to a wider area than the bank structure, thereby forming the uneven shape formed on the surface of the second electrode due to the influence of the bank structure. The shape can be flattened.

本発明の電気光学装置は、基体上に、複数の第１電極と、前記第１電極の形成位置に対応した複数の開口部を有するバンク構造体と、前記開口部それぞれに形成される電気光学層と、前記バンク構造体及び前記電気光学層を覆う第２電極と、を有する電気光学装置において、前記第２電極を覆うように塗布されるとともに、６０℃以下の温度にて加熱され硬化された有機緩衝層を備えてなることを特徴とする。   The electro-optical device according to the present invention includes a plurality of first electrodes, a bank structure having a plurality of openings corresponding to positions where the first electrodes are formed, and an electro-optic formed in each of the openings. In an electro-optical device having a layer and a second electrode covering the bank structure and the electro-optical layer, the electro-optical device is applied so as to cover the second electrode, and is heated and cured at a temperature of 60 ° C. or lower. And an organic buffer layer.

本発明の電気光学装置では、第２電極を覆うように塗布されるとともに、６０℃以下の温度にて加熱され硬化された有機緩衝層を備えたので、有機緩衝層に加熱・硬化に起因する欠損部分が生じる虞がなく、有機緩衝層の欠損部分等の欠陥に起因する電極間のショート等の不具合を防止することができ、発光層の劣化を防止することができる。したがって、画素に発光しない暗点欠陥が生じる虞が無く、画像の品質を高品位に保つことができ、その結果、劣化の無い鮮やかな画像を長時間表示することができる。   In the electro-optical device of the present invention, the organic buffer layer is applied so as to cover the second electrode and is heated and cured at a temperature of 60 ° C. or lower, and thus the organic buffer layer is caused by heating and curing. There is no possibility that a defective portion is generated, and it is possible to prevent problems such as a short circuit between electrodes caused by defects such as a defective portion of the organic buffer layer, and it is possible to prevent deterioration of the light emitting layer. Therefore, there is no possibility that a dark spot defect that does not emit light occurs in the pixel, the image quality can be maintained at a high quality, and as a result, a vivid image without deterioration can be displayed for a long time.

本発明の電気光学装置は、前記有機緩衝層は、さらに、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱され硬化されてなることを特徴とする。
本発明の電気光学装置では、有機緩衝層を８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて再度加熱・硬化したので、第２電極上に欠損部分の無い有機緩衝層を設けることができ、有機緩衝層の欠損に起因する電極間のショート等の不具合を確実に防止することができる。 In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the organic buffer layer is further heated and cured at a temperature of 80 ° C. or more and 100 ° C. or less.
In the electro-optical device of the present invention, since the organic buffer layer is heated and cured again at a temperature of 80 ° C. or higher and 100 ° C. or lower, an organic buffer layer having no defect portion can be provided on the second electrode. Problems such as a short circuit between electrodes due to a layer defect can be reliably prevented.

本発明の電気光学装置は、前記有機緩衝層を覆うように塗布されるとともに、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱され硬化された第２の有機緩衝層を備えてなることを特徴とする。
本発明の電気光学装置では、有機緩衝層を覆うように、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱され硬化された第２の有機緩衝層を設けたので、有機緩衝層を２層構造とすることで、有機緩衝層の欠損に起因する電極間のショート等の不具合を確実に防止することができる。 The electro-optical device of the present invention includes a second organic buffer layer that is applied so as to cover the organic buffer layer and is heated and cured at a temperature of 80 ° C. or higher and 100 ° C. or lower. And
In the electro-optical device of the present invention, since the second organic buffer layer heated and cured at a temperature of 80 ° C. or higher and 100 ° C. or lower is provided so as to cover the organic buffer layer, the organic buffer layer has a two-layer structure. By doing so, it is possible to reliably prevent problems such as a short circuit between the electrodes due to the loss of the organic buffer layer.

本発明の電子機器は、本発明の電気光学装置を備えてなることを特徴とする。
本発明の電子機器では、本発明の電気光学装置を備えたので、欠損部分が生じる虞の無い有機緩衝層を設けることで、有機緩衝層の欠損部分等の欠陥に起因する電極間のショート等の不具合を防止することができ、発光層の劣化を防止することができる。したがって、画素に発光しない暗点欠陥が生じる虞が無く、画像の品質を高品位に保つことができ、その結果、劣化の無い鮮やかな画像を長時間表示することができる。 An electronic apparatus according to the present invention includes the electro-optical device according to the present invention.
Since the electronic apparatus according to the present invention includes the electro-optical device according to the present invention, by providing an organic buffer layer that does not cause a defective portion, a short circuit between electrodes due to a defect such as a defective portion of the organic buffer layer. Can be prevented, and deterioration of the light emitting layer can be prevented. Therefore, there is no possibility that a dark spot defect that does not emit light occurs in the pixel, the image quality can be maintained at a high quality, and as a result, a vivid image without deterioration can be displayed for a long time.

本発明の電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器を実施するための最良の形態について説明する。
ここでは、電気光学装置として、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いた有機ＥＬ表示装置について説明する。
図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）１の配線構造を示す図であり、この有機ＥＬ表示装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置である。 A method for manufacturing an electro-optical device, an electro-optical device, and an electronic apparatus according to the present invention will be described.
Here, as an electro-optical device, an electroluminescent material which is an example of an electro-optical material, in particular, an organic EL display device using an organic electroluminescence (EL) material will be described.
FIG. 1 is a diagram showing a wiring structure of an organic EL display device (electro-optical device) 1 according to this embodiment. The organic EL display device 1 is an active device using a thin film transistor (TFT) as a switching element. It is a matrix type organic EL display device.

この有機ＥＬ表示装置１は、互いに並列な複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線され、これら走査線１０１と信号線１０２との各交点付近に画素領域Ｘが設けられている。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えたデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備えた走査線駆動回路８０が接続されている。 The organic EL display device 1 includes a plurality of scanning lines 101 parallel to each other, a plurality of signal lines 102 extending in a direction perpendicular to each scanning line 101, and a plurality of power supplies extending in parallel to each signal line 102. Lines 103 are respectively wired, and pixel regions X are provided in the vicinity of intersections of the scanning lines 101 and the signal lines 102.
A data line driving circuit 100 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is connected to the signal line 102. Further, a scanning line driving circuit 80 having a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 101.

さらに、画素領域Ｘ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、この保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）２３と、この画素電極２３と陰極（電極）５０との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。これら画素電極２３と陰極５０と機能層１１０とにより、発光素子（有機ＥＬ素子）が構成されている。   Further, in each pixel region X, a switching TFT 112 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 101, and a storage capacitor for holding a pixel signal supplied from the signal line 102 via the switching TFT 112. 113, a driving TFT 123 to which a pixel signal held by the holding capacitor 113 is supplied to the gate electrode, and a driving current from the power supply line 103 when electrically connected to the power supply line 103 via the driving TFT 123 And a functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 23 and the cathode (electrode) 50 are provided. The pixel electrode 23, the cathode 50, and the functional layer 110 constitute a light emitting element (organic EL element).

この有機ＥＬ表示装置１によれば、走査線１０１を駆動してスイッチング用ＴＦＴ１１２をオン状態にすると、このときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、この保持容量１１３の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。よって、機能層１１０では、これを流れる電流量に応じて発光する。   According to the organic EL display device 1, when the scanning line 101 is driven to turn on the switching TFT 112, the potential of the signal line 102 at this time is held in the holding capacitor 113, and according to the state of the holding capacitor 113. Thus, the on / off state of the driving TFT 123 is determined. Then, a current flows from the power supply line 103 to the pixel electrode 23 through the channel of the driving TFT 123, and further a current flows to the cathode 50 through the functional layer 110. Therefore, the functional layer 110 emits light according to the amount of current flowing through it.

次に、この有機ＥＬ表示装置１の具体的な構成について図２〜図５を参照して説明する。
この有機ＥＬ表示装置１は、図２に示すように電気絶縁性を備えた基板２０と、スイッチング用ＴＦＴ（図示せず）に接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域（図示せず）と、この画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線（図示せず）と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図２中一点鎖線枠内）とを具備するアクティブマトリクス型のものである。
図２においては、基板２０とは、基板２０それ自体と、この基板２０の上に形成されるスイッチング用ＴＦＴや各種回路、及び層間絶縁膜等を含めたものである。なお、図３、４中では、基板２０と、スイッチング用ＴＦＴや各種回路及び層間絶縁膜等とを含めた全体の構成を、基体２００と称している。 Next, a specific configuration of the organic EL display device 1 will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 2, the organic EL display device 1 includes a substrate 20 having electrical insulation and pixel electrodes connected to switching TFTs (not shown) arranged in a matrix on the substrate 20. A pixel electrode area (not shown), a power line (not shown) arranged around the pixel electrode area and connected to each pixel electrode, and at least a substantially rectangular shape in plan view located on the pixel electrode area It is of an active matrix type having a pixel portion 3 (within a chain line in FIG. 2).
In FIG. 2, the substrate 20 includes the substrate 20 itself, switching TFTs and various circuits formed on the substrate 20, and an interlayer insulating film. 3 and 4, the entire configuration including the substrate 20, the switching TFT, various circuits, an interlayer insulating film, and the like is referred to as a base body 200.

画素部３は、中央部分の実表示領域４（図２中二点鎖線枠内）と、この実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画される。
実表示領域４には、それぞれ画素電極を有する表示領域Ｒ、Ｇ、ＢがＡ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向にそれぞれ離間してマトリックス状に配置されている。
また、実表示領域４の両側（図２中左右それぞれの側）かつダミー領域５の下側には、走査線駆動回路８０、８０が設けられている。 The pixel unit 3 includes an actual display area 4 (inside the two-dot chain line in FIG. 2) in the center and a dummy area 5 (area between the one-dot chain line and the two-dot chain line) arranged around the actual display area 4. It is divided into and.
In the actual display area 4, display areas R, G, and B each having a pixel electrode are arranged in a matrix so as to be separated from each other in the AB direction and the CD direction.
Further, scanning line drive circuits 80 and 80 are provided on both sides of the actual display area 4 (on the left and right sides in FIG. 2) and below the dummy area 5, respectively.

さらに、実表示領域４の上側かつダミー領域５の下側には、検査回路９０が設けられている。この検査回路９０は、有機ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備えており、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。   Further, an inspection circuit 90 is provided above the actual display area 4 and below the dummy area 5. The inspection circuit 90 is a circuit for inspecting the operating state of the organic EL display device 1 and includes, for example, inspection information output means (not shown) for outputting the inspection result to the outside, and is in the middle of manufacture or shipment. It is possible to inspect the quality and defects of the display device at the time.

走査線駆動回路８０および検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図３参照）および駆動電圧導通部３４０（図４参照）を介して印加されるようになっている。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、この有機ＥＬ表示装置１の作動制御を行う所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図３参照）および駆動電圧導通部３５０（図４参照）を介して送信および印加される。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。   The driving voltages of the scanning line driving circuit 80 and the inspection circuit 90 are applied from a predetermined power supply unit via the driving voltage conducting unit 310 (see FIG. 3) and the driving voltage conducting unit 340 (see FIG. 4). Yes. Further, the drive control signal and the drive voltage to the scanning line drive circuit 80 and the inspection circuit 90 are supplied from a predetermined main driver or the like that controls the operation of the organic EL display device 1 (see FIG. 3). And is transmitted and applied via the drive voltage conduction unit 350 (see FIG. 4). The drive control signal in this case is a command signal from a main driver or the like related to control when the scanning line drive circuit 80 and the inspection circuit 90 output signals.

この有機ＥＬ表示装置１は、図３及び図４に示すように、基体２００上に、画素電極２３と発光層６０と陰極５０とを備えた発光素子（有機ＥＬ素子）がマトリックス状に多数形成され、さらに、これらを覆う有機緩衝層２１０及びガスバリア層３０等が形成されている。
なお、発光層６０は、具体的にはエレクトロルミネッセンス層であり、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などのキャリア注入層またはキャリア輸送層を備えた構成であればよく、さらには、正孔阻止層（ホールブロッキング層）、電子阻止層（エレクトロン阻止層）を備えた構成であってもよい。 As shown in FIGS. 3 and 4, the organic EL display device 1 has a large number of light emitting elements (organic EL elements) each including a pixel electrode 23, a light emitting layer 60, and a cathode 50 formed in a matrix on a substrate 200. Further, an organic buffer layer 210 and a gas barrier layer 30 are formed to cover them.
In addition, the light emitting layer 60 is specifically an electroluminescence layer, and if it is a structure provided with carrier injection layers or carrier transport layers, such as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer, Furthermore, the structure provided with the positive hole blocking layer (hole blocking layer) and the electronic blocking layer (electron blocking layer) may be sufficient.

基体２００を構成する基板２０としては、この有機ＥＬ表示装置１がいわゆるトップエミッション型の場合、この基板２０の対向側であるガスバリア層３０側から発光した光を取り出すので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。ここで、不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス基板、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施した金属基板、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などの樹脂基板、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。   As the substrate 20 constituting the base body 200, when the organic EL display device 1 is a so-called top emission type, light emitted from the gas barrier layer 30 side, which is the opposite side of the substrate 20, is taken out. Either can be used. Here, as the opaque substrate, for example, a ceramic substrate such as alumina, a metal substrate obtained by subjecting a metal sheet such as stainless steel to an insulation treatment such as surface oxidation, a resin substrate such as a thermosetting resin or a thermoplastic resin, and further Examples thereof include a film (plastic film).

また、この有機ＥＬ表示装置１がいわゆるボトムエミッション型の場合、この基板２０側から発光した光を取り出すので、透明基板あるいは半透明基板を用いることができる。ここで、透明基板あるいは半透明基板としては、ガラス基板、石英基板、樹脂基板（プラスチックシート、プラスチックフィルム等）などが挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。
なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、ガスバリア層３０側から発光した光を取り出すトップエミッション型であるから、基板２０としては、上述した不透明基板、例えば不透明のプラスチックフィルムなどが用いられる。 Further, when the organic EL display device 1 is a so-called bottom emission type, light emitted from the substrate 20 side is taken out, so that a transparent substrate or a translucent substrate can be used. Here, examples of the transparent substrate or the semi-transparent substrate include a glass substrate, a quartz substrate, a resin substrate (plastic sheet, plastic film, etc.), and a glass substrate is particularly preferably used.
Since the organic EL display device 1 of the present embodiment is a top emission type that extracts light emitted from the gas barrier layer 30 side, the above-described opaque substrate, for example, an opaque plastic film or the like is used as the substrate 20.

この基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成されており、この回路部１１上に発光素子（有機ＥＬ素子）がマトリックス状に多数設けられている。
この発光素子は、図５に示すように、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、電気光学物質の一種である有機ＥＬ物質を備えた発光層６０と、陰極５０とが順に積層されたことによって構成されたものである。
この発光素子は、上記の構成のもとに、その発光層６０において、正孔輸送層７０から注入された正孔と陰極５０からの電子とが結合することにより発光する。 A circuit unit 11 including a driving TFT 123 for driving the pixel electrode 23 and the like is formed on the substrate 20, and a large number of light emitting elements (organic EL elements) are provided on the circuit unit 11 in a matrix. ing.
As shown in FIG. 5, the light emitting element includes a pixel electrode 23 that functions as an anode, a hole transport layer 70 that injects / transports holes from the pixel electrode 23, and an organic EL that is a kind of electro-optical material. The light-emitting layer 60 provided with the substance and the cathode 50 are sequentially stacked.
In the light emitting layer 60, this light emitting element emits light by combining holes injected from the hole transport layer 70 and electrons from the cathode 50 in the light emitting layer 60.

画素電極２３は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型であることから、透明である必要がなく、したがって、各種の導電材料から適宜選択することによって形成されている。
正孔輸送層７０を構成する材料としては、例えば、ポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などが用いられる。 The pixel electrode 23 does not need to be transparent because the organic EL display device 1 of the present embodiment is a top emission type, and thus is formed by appropriately selecting from various conductive materials.
As a material constituting the hole transport layer 70, for example, a polythiophene derivative, a polypyrrole derivative, or a doped body thereof is used. Specifically, 3,4-polyethylenediosithiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS) dispersion, that is, 3,4-polyethylenediosithiophene is dispersed in polystyrene sulfonic acid as a dispersion medium. A dispersion in which water is dispersed in water is used.

発光層６０を構成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系有機材料などが好適に用いられる。   As a material for forming the light emitting layer 60, a known light emitting material capable of emitting fluorescence or phosphorescence can be used. Specifically, (poly) fluorene derivative (PF), (poly) paraphenylene vinylene derivative (PPV), polyphenylene derivative (PP), polyparaphenylene derivative (PPP), polyvinyl carbazole (PVK), polythiophene derivative, polymethyl A polysilane organic material such as phenylsilane (PMPS) is preferably used.

これらの発光材料は、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料、あるいはルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。
また、必要に応じて、このような発光層６０の上に電子注入層を設けた構成としてもよい。 These luminescent materials are low molecular weight materials such as perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, or low molecular weight materials such as rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, nile red, coumarin 6, and quinacridone. It can also be used by doping a molecular material.
In addition, it replaces with the polymeric material mentioned above, a conventionally well-known low molecular material can also be used.
Moreover, it is good also as a structure which provided the electron injection layer on such a light emitting layer 60 as needed.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、正孔輸送層７０と発光層６０とは、図３〜図５に示すように基体２００上にてマトリックス状に形成された親液性制御層２５と有機バンク層２２１とにより囲まれた構成とされており、よって、これら正孔輸送層７０および発光層６０は単一の発光素子（有機ＥＬ素子）を構成する素子層となっている。
なお、有機バンク層２２１の開口部２２１ａの各壁面の基体２００表面に対する角度は、１１０度以上かつ１７０度以下の範囲となっている。このような角度の範囲としたのは、発光層６０をウエットプロセスにより形成する際に、開口部２２１ａ内に形成し易くするためである。 In the organic EL display device 1 of the present embodiment, the hole transport layer 70 and the light emitting layer 60 are the lyophilic control layer 25 formed in a matrix on the substrate 200 as shown in FIGS. Thus, the hole transport layer 70 and the light emitting layer 60 are element layers constituting a single light emitting element (organic EL element).
In addition, the angle with respect to the base | substrate 200 surface of each wall surface of the opening part 221a of the organic bank layer 221 is the range of 110 degree | times or more and 170 degrees or less. The reason for setting such an angle range is to facilitate the formation of the light emitting layer 60 in the opening 221a when the light emitting layer 60 is formed by a wet process.

陰極５０は、図３〜図５に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を有し、しかも実表示領域４およびダミー領域５それぞれを覆うように形成されたもので、発光層６０と有機バンク層２２１の上面、さらには有機バンク層２２１の外側部を形成する壁面を覆った状態で基体２００上に形成されている。
この陰極５０は、図２及び図４に示すように、有機バンク層２２１の外側で基体２００の外周部に形成された陰極用配線２０２に接続されている。この陰極用配線２０２にはフレキシブル基板２０３が接続されており、これによって陰極５０は、陰極用配線２０２を介してフレキシブル基板２０３上の図示しない駆動ＩＣ（駆動回路）に接続されている。 As shown in FIGS. 3 to 5, the cathode 50 has a larger area than the total area of the actual display region 4 and the dummy region 5, and is formed so as to cover the actual display region 4 and the dummy region 5. Thus, the light emitting layer 60 and the organic bank layer 221 are formed on the substrate 200 in a state of covering the upper surfaces of the light emitting layer 60 and the organic bank layer 221 and the wall surfaces forming the outer side of the organic bank layer 221.
As shown in FIGS. 2 and 4, the cathode 50 is connected to the cathode wiring 202 formed on the outer periphery of the base body 200 outside the organic bank layer 221. A flexible substrate 203 is connected to the cathode wiring 202, whereby the cathode 50 is connected to a driving IC (driving circuit) (not shown) on the flexible substrate 203 via the cathode wiring 202.

陰極５０の材料としては、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型であることから、光透過性である必要があり、したがって、透明導電材料が用いられる。この透明導電材料としては、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）が好適であるが、これ以外にも、例えば、亜鉛添加酸化インジウム（ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー：Indium Zinc Oxide）（登録商標）等の酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜等を用いることができる。
なお、本実施形態ではＩＴＯを用いている。 As the material of the cathode 50, since the organic EL display device 1 of the present embodiment is a top emission type, it needs to be light transmissive, and therefore, a transparent conductive material is used. As this transparent conductive material, tin-added indium oxide (ITO) is suitable, but besides this, for example, zinc-added indium oxide (IZO / Indium Zinc Oxide) (registered) An indium oxide / zinc oxide-based amorphous transparent conductive film such as a trademark can be used.
In this embodiment, ITO is used.

この陰極５０では、その上に、ケイ素化合物や金属化合物などの無機化合物からなる陰極保護層（図示略）を形成してもよい。この陰極保護層を陰極５０上に形成することにより、製造プロセス時においても、陰極５０への酸素等の侵入を良好に防止することができる。
なお、陰極保護層を形成する場合、基体２００の外周部の絶縁層２８４上まで、１０ｎｍから３００ｎｍ程度の厚みに形成することが好ましい。 In the cathode 50, a cathode protective layer (not shown) made of an inorganic compound such as a silicon compound or a metal compound may be formed thereon. By forming this cathode protective layer on the cathode 50, it is possible to satisfactorily prevent oxygen and the like from entering the cathode 50 even during the manufacturing process.
In addition, when forming a cathode protective layer, it is preferable to form in thickness of about 10 nm to 300 nm to the insulating layer 284 of the outer peripheral part of the base | substrate 200. FIG.

陰極５０の上には、有機バンク層２２１よりも広い範囲で、かつ陰極５０を覆った状態で有機緩衝層２１０が設けられている。
この有機緩衝層２１０は、基体２００側の反りや体積変化により発生する応力を緩和し、不安定な有機バンク層２２１からの陰極５０の剥離を防止する機能を有するもので、下側に位置する有機バンク層２２１の形状の影響により凸凹状とされた陰極５０の凸凹部分を埋めるように形成されており、更に、その上面は略平坦とされている。 On the cathode 50, an organic buffer layer 210 is provided in a range wider than the organic bank layer 221 and covering the cathode 50.
The organic buffer layer 210 has a function of relieving stress generated by warpage and volume change on the base 200 side and preventing the cathode 50 from peeling from the unstable organic bank layer 221, and is positioned on the lower side. The organic bank layer 221 is formed so as to fill the convex and concave portions of the cathode 50 which are convex and concave due to the influence of the shape of the organic bank layer 221, and the upper surface thereof is substantially flat.

この有機緩衝層２１０では、その上面が略平坦化されているので、この有機緩衝層２１０上に形成される硬いガスバリア層３０も平坦化され、応力が集中する部位がなくなる。これにより、ガスバリア層３０におけるクラックの発生を防止することができる。   Since the upper surface of the organic buffer layer 210 is substantially flattened, the hard gas barrier layer 30 formed on the organic buffer layer 210 is also flattened, and there is no portion where stress is concentrated. Thereby, generation | occurrence | production of the crack in the gas barrier layer 30 can be prevented.

この有機緩衝層２１０は、有機緩衝層用塗液を塗布し、得られた塗膜を６０℃以下の温度にて加熱し硬化させることにより、作製されている。
この有機緩衝層用塗液を構成する材料としては、主成分として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン、ポリエーテル、ポリエステルなどの有機化合物が挙げられる。
また、上記の主成分の化学反応を進行させる反応材料としては、水分の存在下（湿気）により反応が進行するトリレンジイソシアネートなどのイソシアネート化合物、メチルトリメトキシシランなどのアルコキシシラン化合物、或いは、アミノケトンやヒドリキシケトン、ビスアシルフォスフィンフオキサイドなどの光重合反応剤等が挙げられる。 The organic buffer layer 210 is produced by applying an organic buffer layer coating solution, and heating and curing the obtained coating film at a temperature of 60 ° C. or lower.
Examples of the material constituting the organic buffer layer coating liquid include organic compounds such as epoxy resins, acrylic resins, silicone resins, polyurethanes, polyethers, and polyesters as main components.
In addition, as a reaction material that promotes the chemical reaction of the main component, an isocyanate compound such as tolylene diisocyanate that undergoes reaction in the presence of moisture (humidity), an alkoxysilane compound such as methyltrimethoxysilane, or an aminoketone And photopolymerization agents such as hydroxyketone and bisacylphosphine oxide.

この有機緩衝層２１０は、有機緩衝層用塗液を６０℃以下の温度にて加熱することにより、発光層６０の耐熱上限温度（約１２０℃〜１４０℃）以下の比較的低温にて硬化させることができる。このように、発光層６０の耐熱上限温度（約１２０℃〜１４０℃）以下の温度で有機緩衝層２１０を硬化させることにより、加熱による発光層６０への悪影響が抑えられる。
なお、この有機緩衝層用塗液は、粘度を調製するための有機溶媒を含んでいるが、さらに乾燥重合時の収縮防止などを目的とした微粒子を添加してもよい。 This organic buffer layer 210 is cured at a relatively low temperature below the heat-resistant upper limit temperature (about 120 ° C. to 140 ° C.) of the light emitting layer 60 by heating the organic buffer layer coating liquid at a temperature of 60 ° C. or less. be able to. As described above, by curing the organic buffer layer 210 at a temperature equal to or lower than the heat resistant upper limit temperature (about 120 ° C. to 140 ° C.) of the light emitting layer 60, adverse effects on the light emitting layer 60 due to heating can be suppressed.
The organic buffer layer coating solution contains an organic solvent for adjusting the viscosity, but fine particles may be added for the purpose of preventing shrinkage during dry polymerization.

また、この有機緩衝層２１０の上に第２の有機緩衝層（図示略）を１層以上形成して、複数層からなる積層構造の有機緩衝層としてもよい。
この場合、有機緩衝層２１０を覆うように有機緩衝層用塗液を塗布し、得られた塗膜を８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱するという工程を繰り返すことにより、複数層からなる積層構造の有機緩衝層を得ることができる。
この有機緩衝層は、複数層とすることにより表面の凹凸が均されて平坦化されるので、表面の平坦度に優れた有機緩衝層とすることができる。 In addition, one or more second organic buffer layers (not shown) may be formed on the organic buffer layer 210 to form a multi-layered organic buffer layer.
In this case, the organic buffer layer coating liquid is applied so as to cover the organic buffer layer 210, and the obtained coating film is heated at a temperature of 80 ° C. or higher and 100 ° C. or lower to repeat the process. Thus, an organic buffer layer having a laminated structure can be obtained.
Since the organic buffer layer is made of a plurality of layers, the surface irregularities are leveled and flattened, so that the organic buffer layer having excellent surface flatness can be obtained.

この有機緩衝層２１０上には、この有機緩衝層２１０の基体２００上で露出する部位を覆うように、ガスバリア層３０が設けられている。そして、このガスバリア層３０は、基体２００の外周部の絶縁層２８４上まで形成されている。なお、この絶縁層２８４は、上述した陰極保護層（図示略）と接触するようにしてもよい。   On the organic buffer layer 210, a gas barrier layer 30 is provided so as to cover a portion of the organic buffer layer 210 exposed on the base body 200. The gas barrier layer 30 is formed up to the insulating layer 284 on the outer periphery of the base body 200. The insulating layer 284 may be in contact with the cathode protective layer (not shown) described above.

ガスバリア層３０は、その内側に外部から酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより陰極５０や発光層６０への酸素や水分の浸入を防止し、酸素や水分による陰極５０や発光層６０の劣化等を抑えるようになっている。
このガスバリア層３０は、例えば無機化合物からなるもので、ケイ素化合物が好ましい。このケイ素化合物としては、ケイ素窒化物、ケイ素酸窒化物、ケイ素酸化物（シリカ等）等が挙げられる。
このケイ素化合物以外の無機化合物としては、例えば、アルミニウム窒化物、アルミニウム酸窒化物、アルミニウム酸化物（アルミナ等）等のアルミニウム化合物、酸化タンタル等のタンタル化合物、酸化チタン等のチタン化合物が挙げられる。 The gas barrier layer 30 is for preventing oxygen and moisture from entering inside from the inside, thereby preventing the entry of oxygen and moisture into the cathode 50 and the light emitting layer 60, and the cathode 50 due to oxygen and moisture. In addition, deterioration of the light emitting layer 60 is suppressed.
The gas barrier layer 30 is made of, for example, an inorganic compound, and is preferably a silicon compound. Examples of the silicon compound include silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide (silica and the like), and the like.
Examples of inorganic compounds other than the silicon compound include aluminum compounds such as aluminum nitride, aluminum oxynitride, and aluminum oxide (such as alumina), tantalum compounds such as tantalum oxide, and titanium compounds such as titanium oxide.

このように、ガスバリア層３０を無機化合物にて形成すれば、このガスバリア層３０と陰極５０の一部との密着性がよくなり、したがって、ガスバリア層３０が欠陥のない緻密な層となって酸素や水分に対するバリア性がより良好になる。
特に、陰極５０をＩＴＯ、ＩＺＯ等の金属酸化物系透明導電材料で構成すれば、ガスバリア層３０との密着性がさらによくなり、酸素や水分に対するバリア性がさらに良好になる。 Thus, when the gas barrier layer 30 is formed of an inorganic compound, the adhesion between the gas barrier layer 30 and a part of the cathode 50 is improved, so that the gas barrier layer 30 becomes a dense layer without defects and oxygen. And the barrier property against moisture becomes better.
In particular, if the cathode 50 is made of a metal oxide transparent conductive material such as ITO or IZO, the adhesion with the gas barrier layer 30 is further improved, and the barrier property against oxygen and moisture is further improved.

このガスバリア層３０は、積層構造としてもよく、例えば、上述したケイ素化合物のうち組成の異なる複数の材料を積層した構造としてもよい。具体的には、陰極５０側からケイ素窒化物層、ケイ素酸窒化物層の順に積層した２層構造、あるいは、陰極５０側からケイ素酸窒化物層、ケイ素酸化物層の順に積層した２層構造等が挙げられる。   The gas barrier layer 30 may have a laminated structure, for example, a structure in which a plurality of materials having different compositions among the silicon compounds described above are laminated. Specifically, a two-layer structure in which a silicon nitride layer and a silicon oxynitride layer are stacked in this order from the cathode 50 side, or a two-layer structure in which a silicon oxynitride layer and a silicon oxide layer are stacked in this order from the cathode 50 side Etc.

例えば、上記の組み合わせと異なる組み合わせの積層構造、例えば、組成比の異なるケイ素酸窒化物層を２層以上積層した場合には、陰極５０側のケイ素酸窒化物層の酸素濃度がこれより外側のケイ素酸窒化物層の酸素濃度より低くなるように構成するのが好ましい。このようにすれば、積層構造のうち陰極５０側の層がその外側の層より酸素濃度が低くなるので、ガスバリア層３０中の酸素が陰極５０を通過してその内側の発光層６０に到り、発光層６０を劣化させてしまうといった不具合を防止することができる。これにより、発光層６０の長寿命化を図ることができる。   For example, in the case of a laminated structure different from the above combination, for example, when two or more silicon oxynitride layers having different composition ratios are laminated, the oxygen concentration of the silicon oxynitride layer on the cathode 50 side is outside this range. The silicon oxynitride layer is preferably configured to have a lower oxygen concentration. In this way, the layer on the cathode 50 side in the laminated structure has a lower oxygen concentration than the outer layer, so that oxygen in the gas barrier layer 30 passes through the cathode 50 and reaches the inner light emitting layer 60. Thus, it is possible to prevent such a problem that the light emitting layer 60 is deteriorated. Thereby, the lifetime of the light emitting layer 60 can be extended.

また、このガスバリア層３０の組成を陰極５０側から外側に向かって連続的に、あるいは不連続的に変化させることにより、ガスバリア層３０の内部に、外側から陰極５０側に向かって酸素濃度に勾配を付けるようにしてもよい。その場合、陰極５０側の酸素濃度が外側の酸素濃度より低くなるようにすれば、上述したようにガスバリア層３０の酸素に対するバリア性が向上し、発光層６０の劣化を防止し、発光層６０の長寿命化を図ることができる。   Further, by changing the composition of the gas barrier layer 30 continuously or discontinuously from the cathode 50 side to the outside, a gradient of oxygen concentration is formed inside the gas barrier layer 30 and from the outside toward the cathode 50 side. You may make it attach. In that case, if the oxygen concentration on the cathode 50 side is made lower than the oxygen concentration on the outside, the barrier property against oxygen of the gas barrier layer 30 is improved as described above, the deterioration of the light emitting layer 60 is prevented, and the light emitting layer 60 is prevented. It is possible to extend the service life.

このガスバリア層３０の厚さは、１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であるのが好ましい。その理由は、厚さが１０ｎｍ未満であると、膜の欠陥や膜厚のバラツキなどによって部分的に貫通する部分が生じる虞があり、その結果、ガスバリア性が損なわれてしまう虞があるからであり、一方、厚さが５００ｎｍを越えると、応力による割れが生じてしまう虞があるからである。   The thickness of the gas barrier layer 30 is preferably 10 nm or more and 500 nm or less. The reason is that if the thickness is less than 10 nm, there may be a partial penetration due to film defects or variations in film thickness, and as a result, gas barrier properties may be impaired. On the other hand, if the thickness exceeds 500 nm, cracking due to stress may occur.

このガスバリア層３０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型であることから、光透過性である必要がある。ここでは、その材質や膜厚を適宜に調整することにより、可視光線領域における光透過率を例えば８０％以上としている。   The gas barrier layer 30 needs to be light transmissive because the organic EL display device 1 of the present embodiment is a top emission type. Here, the light transmittance in the visible light region is set to, for example, 80% or more by appropriately adjusting the material and film thickness.

このガスバリア層３０の外側には、図７に示すように、このガスバリア層３０を覆うように保護層２０４が設けられている。
この保護層２０４は、２層構造のもので、ガスバリア層３０側から接着層２０５と表面保護層２０６とが順次積層された構成である。
接着層２０５は、ガスバリア層３０上に表面保護層２０６を固定させ、かつ外部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を有するもので、例えば、ウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂系接着剤で、表面保護層２０６より柔軟でガラス転移点の低いものである。 As shown in FIG. 7, a protective layer 204 is provided outside the gas barrier layer 30 so as to cover the gas barrier layer 30.
The protective layer 204 has a two-layer structure, in which an adhesive layer 205 and a surface protective layer 206 are sequentially laminated from the gas barrier layer 30 side.
The adhesive layer 205 fixes the surface protective layer 206 on the gas barrier layer 30 and has a buffer function against mechanical shock from the outside. For example, urethane, acrylic, epoxy, polyolefin, etc. It is a resin adhesive and is softer than the surface protective layer 206 and has a lower glass transition point.

このような接着剤には、シランカップリング剤またはアルコキシシランを添加しておくのが好ましい。このようにすれば、接着層２０５とガスバリア層３０との密着性がより良好になり、したがって外部からの機械的衝撃に対する緩衝機能が高くなる。
特に、ガスバリア層３０がケイ素化合物で形成された場合には、接着剤に含まれるシランカップリング剤やアルコキシシランによりガスバリア層３０との密着性を向上させることができ、したがって、ガスバリア層３０のガスバリア性を高めることができる。 It is preferable to add a silane coupling agent or alkoxysilane to such an adhesive. In this way, the adhesiveness between the adhesive layer 205 and the gas barrier layer 30 becomes better, and therefore the buffering function against external mechanical shock is enhanced.
In particular, when the gas barrier layer 30 is formed of a silicon compound, adhesion with the gas barrier layer 30 can be improved by a silane coupling agent or alkoxysilane contained in the adhesive. Can increase the sex.

表面保護層２０６は、接着層２０５上に接着固定されて保護層２０４の最表層を構成するものであり、耐圧性、耐摩耗性、外部光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能のうち少なくとも一つを有する層である。具体的には、高分子層（プラスチックフィルム）、ＤＬＣ（ダイアモンド状カーボン）層、ガラス層等からなるものである。
なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の場合には、表面保護層２０６、接着層２０５共に透光性のものにする必要があるが、ボトムエミッション型の場合には、透光性のものにする必要はない。 The surface protective layer 206 is bonded and fixed on the adhesive layer 205 to constitute the outermost layer of the protective layer 204, and has functions such as pressure resistance, wear resistance, external light antireflection, gas barrier properties, and ultraviolet blocking properties. A layer having at least one of the above. Specifically, it is composed of a polymer layer (plastic film), a DLC (diamond-like carbon) layer, a glass layer, and the like.
When the organic EL display device 1 of the present embodiment is a top emission type, both the surface protective layer 206 and the adhesive layer 205 need to be light transmissive. It is not necessary to make it light.

また、図５に示すように、上述した発光素子（有機ＥＬ素子）の下方かつ基板２０上には、回路部１１が設けられている。この回路部１１は、基体２００を構成するものである。
この基板２０の表面には下地となるＳｉＯ２を主成分とする下地保護層２８１が形成され、この下地保護層２８１上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２および／またはＳｉＮを主成分とするゲート絶縁層２８２が形成されている。 Further, as shown in FIG. 5, the circuit unit 11 is provided below the light emitting element (organic EL element) described above and on the substrate 20. The circuit unit 11 constitutes the base body 200.
On the surface of the substrate 20, a base protective layer 281 mainly composed of SiO 2 as a base is formed, and a silicon layer 241 is formed on the base protective layer 281. On the surface of the silicon layer 241, a gate insulating layer 282 mainly composed of SiO 2 and / or SiN is formed.

このシリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、走査線１０１（図５では略）の一部をなしている。一方、このゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２を主成分とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。 Of the silicon layer 241, a region overlapping with the gate electrode 242 with the gate insulating layer 282 interposed therebetween is a channel region 241a. The gate electrode 242 forms part of the scanning line 101 (not shown in FIG. 5). On the other hand, a first interlayer insulating layer 283 mainly composed of SiO 2 is formed on the surface of the gate insulating layer 282 on which the gate electrode 242 is formed.

また、このシリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられ、このチャネル領域２４１ａのドレイン側には、低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられ、これらは、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構造を構成している。   Further, in the silicon layer 241, a low concentration source region 241b and a high concentration source region 241S are provided on the source side of the channel region 241a, and a low concentration drain region 241c and a high concentration source region 241S are provided on the drain side of the channel region 241a. A concentration drain region 241D is provided, and these constitute a so-called LDD (Light Doped Drain) structure.

これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とを貫通するコンタクトホール２４３ａによりソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、上述した電源線１０３の一部として構成されている。なお、この電源線１０３は、図５においては、ソース電極２４３の位置に紙面に垂直方向に延在している。
一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とを貫通するコンタクトホール２４４ａによりソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。 Among these, the high-concentration source region 241 </ b> S is connected to the source electrode 243 through a contact hole 243 a that penetrates the gate insulating layer 282 and the first interlayer insulating layer 283. The source electrode 243 is configured as a part of the power supply line 103 described above. In FIG. 5, the power supply line 103 extends in the direction perpendicular to the paper surface at the position of the source electrode 243.
On the other hand, the high concentration drain region 241D is connected to the drain electrode 244 made of the same layer as the source electrode 243 by a contact hole 244a that penetrates the gate insulating layer 282 and the first interlayer insulating layer 283.

これらソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３は、例えば、アクリル系樹脂を主成分とする第２層間絶縁層２８４により覆われている。この第２層間絶縁層２８４は、アクリル系樹脂以外の絶縁材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２などの絶縁性セラミックスを用いることもできる。
そして、画素電極２３は、この第２層間絶縁層２８４の表面上に形成されるとともに、第２層間絶縁層２８４に形成されたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介してシリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。 The first interlayer insulating layer 283 on which the source electrode 243 and the drain electrode 244 are formed is covered with, for example, a second interlayer insulating layer 284 whose main component is an acrylic resin. The second interlayer insulating layer 284 may be made of an insulating material other than acrylic resin, for example, insulating ceramics such as SiN and SiO 2 .
The pixel electrode 23 is formed on the surface of the second interlayer insulating layer 284 and is connected to the drain electrode 244 through a contact hole 23 a formed in the second interlayer insulating layer 284. That is, the pixel electrode 23 is connected to the high concentration drain region 241D of the silicon layer 241 through the drain electrode 244.

なお、走査線駆動回路８０および検査回路９０に含まれる駆動回路用のＴＦＴ、すなわち、例えば、これらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型またはＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造とされている。
画素電極２３が形成された第２層間絶縁層２８４の表面には、画素電極２３と、上述した親液性制御層２５及び有機バンク層２２１が設けられている。
この親液性制御層２５は、例えばＳｉＯ２などの親液性材料を主成分とするものであり、また、有機バンク層２２１は、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などからなるものである。 Note that TFTs for driving circuits included in the scanning line driving circuit 80 and the inspection circuit 90, that is, for example, among these driving circuits, N-channel type or P-channel type TFTs constituting an inverter included in the shift register are The structure is the same as that of the driving TFT 123 except that it is not connected to the pixel electrode 23.
On the surface of the second interlayer insulating layer 284 on which the pixel electrode 23 is formed, the pixel electrode 23, the lyophilic control layer 25 and the organic bank layer 221 described above are provided.
The lyophilic control layer 25 is mainly composed of a lyophilic material such as SiO 2 , and the organic bank layer 221 is made of an acrylic resin or a polyimide resin.

そして、この画素電極２３上であり、親液性制御層２５に形成された開口部２５ａおよび有機バンク層２２１に囲まれてなる開口部２２１ａそれぞれの内部には、正孔輸送層７０及び発光層６０がこの順に積層されている。
ここで、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの材料と比べて親液性が高いことを意味している。
以上により、回路部１１は、下地保護層２８１から第２層間絶縁層２８４までの積層構造により構成されている。 Then, the hole transport layer 70 and the light emitting layer are formed inside each of the openings 221 a on the pixel electrode 23 and surrounded by the openings 25 a formed in the lyophilic control layer 25 and the organic bank layer 221. 60 are stacked in this order.
Here, “lyophilic” of the lyophilic control layer 25 in the present embodiment means that the lyophilic property is higher than at least materials such as acrylic resin and polyimide resin constituting the organic bank layer 221. ing.
As described above, the circuit unit 11 has a laminated structure from the base protective layer 281 to the second interlayer insulating layer 284.

ここで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、カラー表示を行うべく各発光層６０が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応するように形成されている。図２に示すように、例えば、発光層６０として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用発光層６０Ｒをそれに対応する表示領域Ｒに、緑色に対応した緑色用発光層６０Ｇをそれに対応する表示領域Ｇに、青色に対応した青色用有機ＥＬ層６０Ｂをそれに対応する表示領域Ｂに、それぞれ設け、これら３種類の表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂによりカラー表示を行う１画素が構成される。
また、これら３種類の表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂ各々の境界には、金属クロムをスパッタリング法などにて成膜したブラックマトリクス（ＢＭ、図示略）が、例えば有機バンク層２２１と親液性制御層２５との間に形成されている。 Here, in the organic EL display device 1 of the present embodiment, each light emitting layer 60 is formed so that the light emission wavelength bands correspond to the three primary colors of light in order to perform color display. As shown in FIG. 2, for example, as the light emitting layer 60, the red light emitting layer 60R corresponding to red in the light emission wavelength band is displayed in the display region R corresponding thereto, and the green light emitting layer 60G corresponding to green is displayed corresponding thereto. In the region G, a blue organic EL layer 60B corresponding to blue is provided in the display region B corresponding to the blue organic EL layer 60B, and one pixel for performing color display is configured by these three types of display regions R, G, and B.
Further, a black matrix (BM, not shown) in which metallic chromium is formed by sputtering or the like is formed at the boundary between each of these three types of display regions R, G, and B, for example, with the organic bank layer 221 and lyophilic control. It is formed between the layer 25.

次に、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法について、図６及び図７を参照して説明する。なお、図６及び図７に示す各断面図は、図２中のＡ−Ｂ線に沿う断面図に対応している。
ここでは、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の場合について説明する。また、基板２０の表面に回路部１１を形成する工程からインクジェット法により発光層６０を形成する工程については、従来技術と変わらないので説明を省略する。 Next, a method for manufacturing the organic EL display device 1 according to this embodiment will be described with reference to FIGS. Each cross-sectional view shown in FIGS. 6 and 7 corresponds to a cross-sectional view taken along line AB in FIG.
Here, the case where the organic EL display device 1 according to the present embodiment is a top emission type will be described. Further, the process of forming the light emitting layer 60 by the ink jet method from the process of forming the circuit portion 11 on the surface of the substrate 20 is not different from the prior art, and thus the description thereof is omitted.

まず、図６（ａ）に示すように、従来公知の方法により、基板２０の表面に、回路部１１、画素電極２３、有機バンク層２２１、発光層６０等を形成し、この発光層６０の３種類の表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂによりカラー表示を行う１画素を構成する。
次いで、これら発光層６０及び有機バンク層２２１の上面、さらには有機バンク層２２１の外側部を構成する壁面を覆うように、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等の物理的気相堆積法（ＰＶＤ）によりＩＴＯ膜を成膜し、陰極５０とする。
なお、陰極５０上に酸化チタン等の陰極保護層（図示略）を成膜するには、真空蒸着法等の物理的気相堆積法（ＰＶＤ）を用いる。 First, as shown in FIG. 6A, the circuit portion 11, the pixel electrode 23, the organic bank layer 221, the light emitting layer 60, and the like are formed on the surface of the substrate 20 by a conventionally known method. One pixel that performs color display is constituted by three types of display regions R, G, and B.
Next, a physical vapor deposition method (PVD) such as a vacuum deposition method or a sputtering method is applied so as to cover the upper surfaces of the light emitting layer 60 and the organic bank layer 221 and the wall surface constituting the outer portion of the organic bank layer 221. ) To form an ITO film to form a cathode 50.
In order to form a cathode protective layer (not shown) such as titanium oxide on the cathode 50, a physical vapor deposition method (PVD) such as a vacuum evaporation method is used.

次いで、図６（ｂ）に示すように、陰極５０の上に、例えばインクジェット法等のウエットプロセスにより有機緩衝層２１０を形成する。
例えば、インクジェット法により形成する場合、まず、インクジェット用の有機緩衝層用塗液（有機緩衝層）を調製する。
この有機緩衝層用塗液は、上述した主成分と、光重合反応剤等と、有機溶媒等の組成及び組成比を調製することで得られる。 Next, as shown in FIG. 6B, an organic buffer layer 210 is formed on the cathode 50 by a wet process such as an inkjet method.
For example, when forming by the inkjet method, first, an organic buffer layer coating liquid (organic buffer layer) for inkjet is prepared.
This organic buffer layer coating solution can be obtained by adjusting the composition and composition ratio of the above-described main component, photopolymerization reaction agent, and the like, and an organic solvent.

この有機緩衝層用塗液は、例えば、主成分であるエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン、ポリエーテル、ポリエステルなどの有機化合物と、この有機化合物の化学反応を進行させる反応材料であるトリレンジイソシアネートなどのイソシアネート化合物、メチルトリメトキシシランなどのアルコキシシラン化合物、或いは、アミノケトンやヒドリキシケトン、ビスアシルフォスフィンフオキサイドなどの光重合反応剤等と、必要に応じて有機溶媒等を所定の質量比で混合することで得られる。   This organic buffer layer coating solution is, for example, a triad which is a reaction material that promotes a chemical reaction between an organic compound such as an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, polyurethane, polyether, or polyester as a main component. A predetermined mass ratio of an isocyanate compound such as diisocyanate, an alkoxysilane compound such as methyltrimethoxysilane, or a photopolymerization reagent such as aminoketone, hydroxyketone, or bisacylphosphine oxide, and an organic solvent as necessary. It is obtained by mixing with.

この有機緩衝層用塗液の粘度は、この有機緩衝層用塗液の後述する加熱時の粘度の極小値が１Ｐａ・ｓ以上となるように、上記の主成分、光重合反応剤等、有機溶媒等の組成及び組成比を選定する必要がある。
図８は、有機緩衝層用塗液の粘度と、加熱温度及び加熱時間との関係を示す図であり、有機緩衝層用塗液を塗布した後、９０℃、６０℃、３０℃それぞれの温度で加熱し続けた場合の、塗液の粘度の変化を示している。 The viscosity of the organic buffer layer coating solution is organic, such as the above main component, photopolymerization reaction agent, etc., so that the minimum value of the viscosity during heating described later of the organic buffer layer coating solution is 1 Pa · s or more. It is necessary to select the composition and composition ratio of the solvent and the like.
FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the viscosity of the organic buffer layer coating solution, the heating temperature, and the heating time. After applying the organic buffer layer coating solution, the temperatures at 90 ° C., 60 ° C., and 30 ° C., respectively. It shows the change in the viscosity of the coating liquid when it is continuously heated.

この図によれば、有機緩衝層用塗液中に加熱により軟化する有機成分が含まれているために、この有機緩衝層用塗液を加熱すると、この有機成分が軟化して塗液の粘性が一旦低下し、極小値を付ける。さらに加熱すると、この有機成分が硬化に向かうために塗液の粘性が上昇に転じ、この塗液の粘性が所定の値以上になった時点で上記の有機成分が硬化することが分かる。
この極小値が１Ｐａ．ｓ以下の場合、有機緩衝層用塗液中の有機成分が陰極５０や発光層６０にしみ込むという不具合が発生する。この不具合は、陰極５０や発光層６０に部分的に接触して、ショート等を引き起こすことになる。したがって、有機緩衝層用塗液中の有機成分が陰極５０や発光層６０にしみ込むのを防止するためには、この有機緩衝層用塗液の粘性の極小値を１Ｐａ．ｓ以上にする必要がある。 According to this figure, since the organic buffer layer coating solution contains an organic component that softens when heated, when the organic buffer layer coating solution is heated, the organic component softens and the viscosity of the coating solution is increased. Drops once and gives a minimum value. Further heating causes the organic component to cure, so that the viscosity of the coating liquid increases, and the organic component is cured when the viscosity of the coating liquid reaches a predetermined value or more.
This minimum value is 1 Pa. In the case of s or less, there is a problem that the organic component in the organic buffer layer coating liquid soaks into the cathode 50 and the light emitting layer 60. This defect partially contacts the cathode 50 and the light emitting layer 60 and causes a short circuit or the like. Therefore, in order to prevent the organic component in the organic buffer layer coating liquid from penetrating into the cathode 50 and the light emitting layer 60, the minimum value of the viscosity of the organic buffer layer coating liquid is set to 1 Pa.s. It must be greater than or equal to s.

このように、有機緩衝層用塗液（有機緩衝層）の加熱時の粘度の極小値を１Ｐａ・ｓ以上とすることにより、１Ｐａ・ｓ以上という粘度が高い状態で有機緩衝層用塗液を加熱・硬化させることができ、したがって、電極間のショート等の不具合が生じる虞のない有機緩衝層２１０を形成することができる。   Thus, by setting the minimum value of the viscosity at the time of heating of the organic buffer layer coating solution (organic buffer layer) to 1 Pa · s or more, the organic buffer layer coating solution can be obtained with a high viscosity of 1 Pa · s or more. Therefore, the organic buffer layer 210 that can be heated and cured and does not cause a problem such as a short circuit between the electrodes can be formed.

次いで、この有機緩衝層用塗液をインクジェットヘッド（図示略）に充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを陰極５０に対向させ、インクジェットヘッドと基体２００（基板２０）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を陰極５０に吐出する。
なお、インクジェット法の替わりに、スリットコート（或いはカーテンコート）法により、有機緩衝層用塗液を塗布してもよい。 Next, the organic buffer layer coating liquid is filled in an ink jet head (not shown), the discharge nozzle of the ink jet head is made to face the cathode 50, and the ink jet head and the substrate 200 (substrate 20) are moved relative to each other while the discharge nozzle is moved. To the cathode 50, the droplets with a controlled liquid amount per droplet are discharged to the cathode 50.
The organic buffer layer coating solution may be applied by slit coating (or curtain coating) instead of the inkjet method.

この有機緩衝層用塗液の塗布は、湿度が管理された環境下で行う。具体的には、−３０℃以下、より好ましくは−６０℃以下の環境温度下で行う。温度を−３０℃以下にすることにより、絶対湿度を数百ｐｐｍ（体積比）程度に抑制することができる。
このように、有機緩衝層用塗液を湿度が管理された環境下に置くことにより、有機緩衝層用塗液を硬化させることなく長時間安定した状態で維持することができる。その理由は、湿度が管理された環境下に置くことで、有機緩衝層用塗液の粘度を調整するために加えた有機溶媒の揮発が抑制され、有機緩衝層用塗液の粘度が維持されるからである。さらに、有機緩衝層用塗液中の反応材料の反応の進行を抑制することができるので、長時間安定した状態を維持することができるからである。 The organic buffer layer coating solution is applied in an environment in which humidity is controlled. Specifically, it is performed at an environmental temperature of −30 ° C. or lower, more preferably −60 ° C. or lower. By setting the temperature to −30 ° C. or lower, the absolute humidity can be suppressed to about several hundred ppm (volume ratio).
Thus, by placing the organic buffer layer coating liquid in an environment in which the humidity is controlled, the organic buffer layer coating liquid can be maintained in a stable state for a long time without being cured. The reason for this is that by placing it in an environment where the humidity is controlled, volatilization of the organic solvent added to adjust the viscosity of the organic buffer layer coating liquid is suppressed, and the viscosity of the organic buffer layer coating liquid is maintained. This is because that. Furthermore, since the progress of the reaction of the reaction material in the organic buffer layer coating solution can be suppressed, a stable state can be maintained for a long time.

すなわち、湿気により急速に反応が進行する反応材料を含む有機緩衝層用塗液を低湿度の環境下に置くことにより、硬化反応が抑制されて進行せず、長時間安定した状態を保つことができる。
また、この有機緩衝層用塗液中に光によって反応が進行する反応材料が含まれていた場合においても、この有機緩衝層用塗液を低湿度の環境下に置くことにより、同様に、硬化反応が抑制されて進行せず、長時間安定した状態を保つことができる。
なお、この有機緩衝層用塗液の塗布は、窒素等の不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。窒素等の不活性ガスをパージすることにより、低湿度の環境下で塗布することができる。 In other words, by placing the organic buffer layer coating liquid containing a reaction material that rapidly reacts with moisture in a low humidity environment, the curing reaction is suppressed and does not proceed, and can remain stable for a long time. it can.
In addition, even when the organic buffer layer coating solution contains a reaction material that reacts with light, the organic buffer layer coating solution is cured in a similar manner by placing it in a low humidity environment. The reaction is suppressed and does not proceed, and a stable state can be maintained for a long time.
In addition, you may perform application | coating of this organic buffer layer coating liquid in inert gas atmosphere, such as nitrogen. By purging with an inert gas such as nitrogen, it can be applied in a low humidity environment.

次いで、吐出した液滴を乾燥処理し、有機緩衝層用塗液に含まれる分散媒や有機溶媒を蒸発させ、塗膜とする。
この乾燥処理は、上記の湿度が管理された環境下における温度より高い温度、例えば０℃〜２５℃の低湿度環境下に保持することで行うことができる。 Next, the discharged droplets are dried, and the dispersion medium and the organic solvent contained in the organic buffer layer coating liquid are evaporated to form a coating film.
This drying process can be performed by maintaining a temperature higher than the temperature in the environment in which the humidity is controlled, for example, in a low humidity environment of 0 ° C. to 25 ° C.

次いで、この塗膜（有機緩衝層）を加熱し、硬化させる。
この加熱・硬化の条件としては、塗膜を６０℃以下の温度にて加熱し、この塗膜の粘度が初期の粘度を上回った時点で、さらに８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱することが好ましい。
図９は、塗膜の加熱時の粘度及び温度と、加熱時間との関係を示す図であり、塗膜を加熱した場合の、塗膜の粘度及び温度の経時変化を示している。 Next, this coating film (organic buffer layer) is heated and cured.
As conditions for this heating and curing, the coating film is heated at a temperature of 60 ° C. or less, and further heated at a temperature of 80 ° C. or more and 100 ° C. or less when the viscosity of the coating film exceeds the initial viscosity. It is preferable to do.
FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the viscosity and temperature during heating of the coating film and the heating time, and shows the change over time in the viscosity and temperature of the coating film when the coating film is heated.

この図によれば、塗膜を６０℃以下の温度にて加熱することにより、塗膜の粘度を１Ｐａ．ｓ以上に保つことができ、したがって、この加熱過程では、有機成分が陰極５０や発光層６０にしみ込む虞がなくなっていることが分かる。
その後、塗膜の粘度が初期の粘度を上回った時点で加熱温度を上昇させ、塗膜を８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱することにより、塗膜中の有機成分が陰極５０や発光層６０にしみ込むことなく硬化し始め、この塗膜の粘性が所定の値以上になった時点で硬化することが分かる。 According to this figure, by heating the coating film at a temperature of 60 ° C. or less, the viscosity of the coating film is 1 Pa.s. It can be understood that the organic component can be prevented from entering the cathode 50 and the light emitting layer 60 during the heating process.
Thereafter, when the viscosity of the coating film exceeds the initial viscosity, the heating temperature is increased, and the coating film is heated at a temperature of 80 ° C. or more and 100 ° C. or less, so that the organic component in the coating film becomes the cathode 50 or It turns out that it hardens | cures without being penetrated into the light emitting layer 60, and it hardens | cures when the viscosity of this coating film becomes more than predetermined value.

このように、塗膜を６０℃以下の温度にて加熱し、塗膜の粘度が初期の粘度を上回った時点でさらに８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱・硬化することにより、陰極５０上に欠損部分の無い有機緩衝層２１０を設けることができ、有機緩衝層２１０の欠損に起因する電極間のショート等の不具合を確実に防止することができる。
また、塗膜を６０℃以下の温度にて加熱し、さらに８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱することにより硬化するので、発光層６０をその耐熱上限温度以上に加熱することなしに、塗膜を確実に加熱・硬化させることができる。したがって、得られた有機緩衝層２１０に加熱・硬化に起因する欠損部分が生じるのを確実に防止することができ、有機緩衝層２１０の欠損に起因する電極間のショート等の不具合を確実に防止することができる。 In this way, the coating film is heated at a temperature of 60 ° C. or less, and when the viscosity of the coating film exceeds the initial viscosity, further heating and curing at a temperature of 80 ° C. or more and 100 ° C. or less, The organic buffer layer 210 having no defect portion can be provided on the substrate 50, and problems such as a short circuit between electrodes due to the defect of the organic buffer layer 210 can be reliably prevented.
In addition, the coating film is cured by heating at a temperature of 60 ° C. or lower, and further by heating at a temperature of 80 ° C. or higher and 100 ° C. or lower, so that the light emitting layer 60 can be heated without exceeding the upper temperature limit. The coating film can be reliably heated and cured. Therefore, it is possible to surely prevent a defective portion due to heating / curing from occurring in the obtained organic buffer layer 210, and to reliably prevent defects such as a short circuit between electrodes due to the defect of the organic buffer layer 210. can do.

なお、得られた有機緩衝層２１０の上に、上記の有機緩衝層用塗液を塗布し、得られた塗膜を８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱するという工程を繰り返すことにより、複数層からなる積層構造の有機緩衝層を得ることができる。
この有機緩衝層は、複数層とすることにより表面の凹凸が均されて平坦化されるので、表面の平坦度に優れた有機緩衝層とすることが可能である。 By repeating the process of applying the above organic buffer layer coating liquid on the obtained organic buffer layer 210 and heating the obtained coating film at a temperature of 80 ° C. or higher and 100 ° C. or lower. Thus, an organic buffer layer having a multilayer structure composed of a plurality of layers can be obtained.
Since the organic buffer layer has a plurality of layers, the surface irregularities are leveled and flattened, so that the organic buffer layer having excellent surface flatness can be obtained.

次いで、図６（ｃ）に示すように、陰極５０及び有機緩衝層２１０を覆うように、すなわち基体２００上にて露出する陰極５０の全ての部位を覆うように、ガスバリア層３０を形成する。
ここで、このガスバリア層３０を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理的気相堆積法（ＰＶＤ）により成膜を行い、次いで、プラズマＣＶＤ法等の化学的気相堆積法（ＣＶＤ）により成膜を行うのが好ましい。 Next, as shown in FIG. 6C, the gas barrier layer 30 is formed so as to cover the cathode 50 and the organic buffer layer 210, that is, to cover all the portions of the cathode 50 exposed on the substrate 200.
Here, as a method of forming this gas barrier layer 30, for example, a film is formed by physical vapor deposition (PVD) such as sputtering or ion plating, and then chemical vapor deposition such as plasma CVD is performed. Preferably, the film is formed by phase deposition (CVD).

一般に、スパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理的気相堆積法（ＰＶＤ）は異質な基板表面に対しても比較的密着性の良い膜が得られるものの、得られた膜が粒塊状で欠陥が発生し易く、また応力の大きい膜になり易いなどの欠点がある。一方、化学的気相堆積法（ＣＶＤ）は、一般に、応力が小さく、ステップカバーレッジ性に優れ、欠陥が少なく緻密で良好な膜が得られるものの、異質な基板表面に対する密着性や造膜性が得られ難いという欠点がある。
そこで、初期の成膜については、物理的気相堆積法（ＰＶＤ）を採用して必要な膜厚の半分あるいはそれ以上を成膜し、後期の成膜については、化学的気相堆積法（ＣＶＤ）を用いることにより、物理的気相堆積法（ＰＶＤ）による膜の欠点を補うようにすれば、全体としてガスバリア性（酸素や水分に対するバリア性）に優れたガスバリア層３０を比較的短時間で形成することができる。 In general, a physical vapor deposition method (PVD) such as sputtering or ion plating can obtain a film with relatively good adhesion even to a different substrate surface, but the obtained film is agglomerated and has defects. Are easily generated, and a film having a large stress is easily formed. On the other hand, chemical vapor deposition (CVD) generally has low stress, excellent step coverage, and a dense and good film with few defects, but adhesion to a different substrate surface and film-forming properties. Is difficult to obtain.
Therefore, for the initial film formation, a physical vapor deposition method (PVD) is employed to form a film having a half or more of the required film thickness, and for the later film formation, a chemical vapor deposition method ( If the defect of the film | membrane by physical vapor deposition method (PVD) is compensated by using CVD), the gas barrier layer 30 excellent in gas barrier property (barrier property with respect to oxygen and moisture) as a whole will be formed in a relatively short time. Can be formed.

このガスバリア層３０は、同一の材料により単層のガスバリア層としてもよく、また、組成の異なる材料で複数の層を順次成膜することにより、積層構造のガスバリア層としてもよい。さらには、単層のガスバリア層を成膜する際に、その組成を膜厚方向で連続的あるいは非連続的に変化させるようにして成膜してもよい。
例えば、組成の異なる材料で複数の層を順次成膜する場合、物理的気相堆積法（ＰＶＤ）により成膜する内側の層（陰極５０側の層）をケイ素窒化物あるいはケイ素酸窒化物などとし、化学的気相堆積法（ＣＶＤ）により成膜する外側の層をケイ素酸窒化物あるいはケイ素酸化物などとするのが好ましい。 The gas barrier layer 30 may be a single gas barrier layer made of the same material, or may be a gas barrier layer having a laminated structure by sequentially forming a plurality of layers with materials having different compositions. Furthermore, when a single gas barrier layer is formed, the composition may be changed continuously or discontinuously in the film thickness direction.
For example, when a plurality of layers are sequentially formed with materials having different compositions, the inner layer (layer on the cathode 50 side) formed by physical vapor deposition (PVD) is silicon nitride or silicon oxynitride. The outer layer formed by chemical vapor deposition (CVD) is preferably silicon oxynitride or silicon oxide.

さらに、物理的気相堆積法（ＰＶＤ）により内側の層を形成する際に、成膜装置内に供給する酸素量を最初は少なくし、以下、連続的あるいは非連続的に増加させることにより、成膜中のガスバリア層３０中の酸素濃度を陰極５０側（内側）では低く、外側ではこれより高くなるようにしてもよい。
なお、このガスバリア層３０の成膜については、単一の成膜法で行ってもよいのはもちろんであるが、その場合にも、酸素濃度が陰極５０側（内側）で低くなるように成膜するのが好ましい。 Furthermore, when forming the inner layer by physical vapor deposition (PVD), the amount of oxygen supplied into the film forming apparatus is initially reduced, and thereafter, continuously or discontinuously, The oxygen concentration in the gas barrier layer 30 during film formation may be low on the cathode 50 side (inside) and higher on the outside.
The gas barrier layer 30 may be formed by a single film forming method, but in this case as well, the oxygen concentration is reduced on the cathode 50 side (inside). A membrane is preferred.

次いで、図７に示すように、ガスバリア層３０上に、接着層２０５と表面保護層２０６とからなる保護層２０４を設ける。
例えば、ガスバリア層３０上に、スリットコート法などにより接着剤を厚みが略均一になるように塗布して接着層２０５とし、この接着層２０５上に薄厚の表面保護層２０６を貼り合わせることにより、形成することができる。
この表面保護層２０６は、耐圧性、耐摩耗性、光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能を有しているので、この表面保護層２０６を含む保護層２０４をガスバリア層３０上に設けることにより、発光層６０や陰極５０はもちろんのこと、ガスバリア層３０をも保護することができる。したがって、発光素子の長寿命化を図ることができる。 Next, as shown in FIG. 7, a protective layer 204 including an adhesive layer 205 and a surface protective layer 206 is provided on the gas barrier layer 30.
For example, an adhesive is applied on the gas barrier layer 30 by a slit coat method or the like so as to have a substantially uniform thickness to form an adhesive layer 205, and a thin surface protective layer 206 is bonded onto the adhesive layer 205. Can be formed.
Since the surface protective layer 206 has functions such as pressure resistance, abrasion resistance, light reflection preventing property, gas barrier property, and ultraviolet blocking property, the protective layer 204 including the surface protective layer 206 is disposed on the gas barrier layer 30. By providing in, the light emitting layer 60 and the cathode 50 as well as the gas barrier layer 30 can be protected. Therefore, the lifetime of the light emitting element can be extended.

また、接着層２０５は機械的衝撃に対して緩衝機能を発揮するので、外部から機械的衝撃が加わった場合においても、ガスバリア層３０、発光層６０、陰極５０等への機械的衝撃を緩和し、この機械的衝撃による発光素子の機能劣化を防止することができる。
以上により、有機ＥＬ表示装置１を作製することができる。 Further, since the adhesive layer 205 exhibits a buffering function against mechanical shock, even when mechanical shock is applied from the outside, the mechanical shock to the gas barrier layer 30, the light emitting layer 60, the cathode 50, etc. is reduced. The functional deterioration of the light emitting element due to this mechanical impact can be prevented.
As described above, the organic EL display device 1 can be manufactured.

以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１によれば、陰極５０上に、有機緩衝層用塗液を塗布してなる塗膜を６０℃以下の温度にて加熱・硬化した有機緩衝層２１０を設けたので、有機緩衝層２１０に加熱・硬化に起因する欠損部分が生じる虞がなくなり、この欠損に起因する電極間のショート等の不具合を防止することができ、発光層６０の劣化を防止することができる。したがって、画素に発光しない暗点欠陥が生じる虞が無く、画像の品質を高品位に保つことができ、その結果、劣化の無い鮮やかな画像を長時間表示することができる。   As described above, according to the organic EL display device 1 of the present embodiment, an organic film obtained by heating and curing a coating film obtained by applying an organic buffer layer coating liquid on the cathode 50 at a temperature of 60 ° C. or lower. Since the buffer layer 210 is provided, there is no possibility that a defect portion due to heating / curing occurs in the organic buffer layer 210, and it is possible to prevent problems such as a short circuit between electrodes due to the defect, and Deterioration can be prevented. Therefore, there is no possibility that a dark spot defect that does not emit light occurs in the pixel, the image quality can be maintained at a high quality, and as a result, a vivid image without deterioration can be displayed for a long time.

また、有機緩衝層用塗液を塗布してなる塗膜を、６０℃以下の温度にて加熱し、さらに、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱・硬化したので、２段階での加熱工程により有機緩衝層２１０を確実に加熱・硬化させることができる。したがって、有機緩衝層２１０に欠損部分が生じるのを確実に防止することができ、有機ＥＬ表示装置１の画素品質の向上及び画素の信頼性の向上を図ることができる。   In addition, the coating film formed by applying the organic buffer layer coating solution was heated at a temperature of 60 ° C. or lower, and further heated and cured at a temperature of 80 ° C. or higher and 100 ° C. or lower. The organic buffer layer 210 can be reliably heated and cured by the heating process. Therefore, it is possible to surely prevent a defective portion from being generated in the organic buffer layer 210, and to improve the pixel quality of the organic EL display device 1 and the reliability of the pixel.

さらに、有機緩衝層２１０を複数層からなる積層構造とし、最上層の有機緩衝層の上面を平坦面とすれば、有機緩衝層に応力が集中する部位が無くなり、この応力に起因するマイクロクラック等の発生を防止することができる。   Further, if the organic buffer layer 210 has a laminated structure composed of a plurality of layers and the upper surface of the uppermost organic buffer layer is a flat surface, there is no portion where stress is concentrated on the organic buffer layer, and microcracks caused by this stress, etc. Can be prevented.

なお、本実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１を例に説明したが、本発明は本実施形態に限定されることなく、ボトムエミッション型にも、また、両側に発光光を出射するタイプのものにも適用可能である。
また、ボトムエミッション型、あるいは両側に発光光を出射するタイプのものとした場合には、基体２００に形成するスイッチング用ＴＦＴ１１２や駆動用ＴＦＴ１２３については、発光素子の直下ではなく、親液性制御層２５および有機バンク層２２１の直下に形成するようにし、開口率を高めるのが好ましい。 In the present embodiment, the top emission type organic EL display device 1 has been described as an example. However, the present invention is not limited to the present embodiment, and the bottom emission type also emits emitted light on both sides. It is also applicable to the types that do.
Further, in the case of a bottom emission type or a type that emits emitted light to both sides, the switching TFT 112 and the driving TFT 123 formed on the base 200 are not directly under the light emitting element but are lyophilic control layers. 25 and the organic bank layer 221 are preferably formed so as to increase the aperture ratio.

また、本実施形態では、第１の電極を陽極、第２の電極を陰極としたが、これらを逆にして第１の電極を陰極、第２の電極を陽極としてもよい。ただし、この場合、発光層６０の位置と正孔輸送層７０の位置を入れ替える必要がある。
さらに、本実施形態では、電気光学装置に有機ＥＬ表示装置１を適用した例について説明したが、本発明は有機ＥＬ表示装置１に限定されることなく、基本的には有機緩衝層２１０を有するものであれば、どのような形態の電気光学装置にも適用可能である。 In the present embodiment, the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode. However, the first electrode may be a cathode and the second electrode may be an anode. However, in this case, it is necessary to exchange the position of the light emitting layer 60 and the position of the hole transport layer 70.
Furthermore, in this embodiment, an example in which the organic EL display device 1 is applied to an electro-optical device has been described. However, the present invention is not limited to the organic EL display device 1 and basically includes an organic buffer layer 210. Any electro-optical device can be applied as long as it is a device.

次に、本発明の電子機器について説明する。電子機器は、上記の有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）１を表示部として有したものであり、具体的には図１０に示すものが挙げられる。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、携帯電話１０００は、上述した有機ＥＬ表示装置１を用いた表示部１００１を備えている。
図１０（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、時計１１００は、上述した有機ＥＬ表示装置１を用いた表示部１１０１を備えている。
図１０（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、情報処理装置１２００は、キーボードなどの入力部１２０１、上述した有機ＥＬ表示装置１を用いた表示部１２０２、情報処理装置本体（筐体）１２０３を備えている。
図１０（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、上述した有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）１を有した表示部１００１，１１０１，１２０２を備えているので、表示部を構成する有機ＥＬ表示装置の発光素子の長寿命化が図られたものとなる。 Next, the electronic apparatus of the present invention will be described. The electronic apparatus has the organic EL display device (electro-optical device) 1 as a display unit, and specifically, the one shown in FIG.
FIG. 10A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 10A, the mobile phone 1000 includes a display unit 1001 using the organic EL display device 1 described above.
FIG. 10B is a perspective view illustrating an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 10B, a timepiece 1100 includes a display unit 1101 using the organic EL display device 1 described above.
FIG. 10C is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. 10C, the information processing apparatus 1200 includes an input unit 1201 such as a keyboard, a display unit 1202 using the organic EL display device 1 described above, and an information processing apparatus body (housing) 1203.
Each of the electronic devices illustrated in FIGS. 10A to 10C includes the display units 1001, 1101, and 1202 including the organic EL display device (electro-optical device) 1 described above, and thus configures the display unit. The life of the light emitting element of the organic EL display device is extended.

本発明の一実施形態の有機ＥＬ表示装置の配線構造を示す図である。It is a figure which shows the wiring structure of the organic electroluminescence display of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the organic electroluminescent display apparatus of one Embodiment of this invention. 図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AB line | wire of FIG. 図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the CD line of FIG. 図３の要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view of FIG. 本発明の一実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す過程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the organic electroluminescence display of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す過程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the organic electroluminescence display of one Embodiment of this invention. 有機緩衝層用塗液の粘度と加熱温度及び加熱時間との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the viscosity of the coating liquid for organic buffer layers, heating temperature, and heating time. 塗膜の加熱時の粘度及び温度と加熱時間との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the viscosity at the time of the heating of a coating film, temperature, and heating time. 本発明の電子機器の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the electronic device of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１…表示装置（電気光学装置）、２３…画素電極（第１電極）、３０…ガスバリア層、５０…陰極（第２電極）、６０…発光層（電気光学層）、２００…基体、２１０…有機緩衝層、２２１…有機バンク層（バンク構造体）、２２１ａ…開口部、１０００…携帯電話（電子機器）、１１００…時計（電子機器）、１２００…情報処理装置（電子機器）、１００１，１１０１，１２０２…表示部（電気光学装置）   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Display apparatus (electro-optical apparatus), 23 ... Pixel electrode (1st electrode), 30 ... Gas barrier layer, 50 ... Cathode (2nd electrode), 60 ... Light emitting layer (electro-optical layer), 200 ... Base | substrate, 210 ... Organic buffer layer 221 Organic bank layer (bank structure) 221a Opening 1000 Mobile phone (electronic device) 1100 Clock (electronic device) 1200 Information processing device (electronic device) 1001, 1101 , 1202... Display unit (electro-optical device)

Claims (10)

基体上に、複数の第１電極を成膜する工程と、前記第１電極の形成位置に対応した複数の開口部を有するバンク構造体を形成する工程と、前記開口部それぞれに電気光学層を形成する工程と、前記バンク構造体及び前記電気光学層を覆う第２電極を成膜する工程と、を有する電気光学装置の製造方法において、
前記第２電極を成膜する工程の後に、
前記第２電極を覆うように有機緩衝層用塗液を塗布する工程と、
前記有機緩衝層用塗液を６０℃以下の温度にて加熱し硬化させて有機緩衝層とする工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 Forming a plurality of first electrodes on a substrate; forming a bank structure having a plurality of openings corresponding to positions where the first electrodes are formed; and forming an electro-optic layer in each of the openings. In a method for manufacturing an electro-optical device, comprising: a step of forming; and a step of forming a second electrode that covers the bank structure and the electro-optical layer.
After the step of forming the second electrode,
Applying an organic buffer layer coating solution so as to cover the second electrode;
Heating the organic buffer layer coating liquid at a temperature of 60 ° C. or lower to cure it to form an organic buffer layer;
A method for manufacturing an electro-optical device. 前記有機緩衝層用塗液の加熱時の粘度の極小値は１Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置の製造方法。   2. The method for manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the minimum value of the viscosity of the organic buffer layer coating liquid upon heating is 1 Pa · s or more. 前記有機緩衝層用塗液を６０℃以下の温度にて加熱し硬化させる工程の後に、
さらに、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱し硬化させる工程、
を有することを特徴とする請求項１または２記載の電気光学装置の製造方法。 After the step of heating and curing the organic buffer layer coating solution at a temperature of 60 ° C. or lower,
And a step of heating and curing at a temperature of 80 ° C. or higher and 100 ° C. or lower,
The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein: 前記有機緩衝層用塗液を加熱し硬化させる工程の後に、
前記有機緩衝層を覆うように第２の有機緩衝層用塗液を塗布する工程と、
前記第２の有機緩衝層用塗液を８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱し硬化させて第２の有機緩衝層とする工程と、
を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の電気光学装置の製造方法。 After the step of heating and curing the organic buffer layer coating solution,
Applying a second organic buffer layer coating solution so as to cover the organic buffer layer;
Heating and curing the second organic buffer layer coating solution at a temperature of 80 ° C. or higher and 100 ° C. or lower to form a second organic buffer layer;
The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein: 前記第２の有機緩衝層の上面は平坦面であることを特徴とする請求項４記載の電気光学装置の製造方法。   5. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 4, wherein the upper surface of the second organic buffer layer is a flat surface. 前記有機緩衝層用塗液を、前記バンク構造体が露出しないように、該バンク構造体よりも広い領域に塗布することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の電気光学装置の製造方法。   6. The electro-optical device according to claim 1, wherein the organic buffer layer coating solution is applied to an area wider than the bank structure so that the bank structure is not exposed. Manufacturing method. 基体上に、複数の第１電極と、前記第１電極の形成位置に対応した複数の開口部を有するバンク構造体と、前記開口部それぞれに形成される電気光学層と、前記バンク構造体及び前記電気光学層を覆う第２電極と、を有する電気光学装置において、
前記第２電極を覆うように塗布されるとともに、６０℃以下の温度にて加熱され硬化された有機緩衝層を備えてなることを特徴とする電気光学装置。 On the substrate, a plurality of first electrodes, a bank structure having a plurality of openings corresponding to positions where the first electrodes are formed, an electro-optic layer formed in each of the openings, the bank structure, and An electro-optical device having a second electrode covering the electro-optical layer;
An electro-optical device comprising an organic buffer layer that is applied so as to cover the second electrode and is heated and cured at a temperature of 60 ° C. or lower. 前記有機緩衝層は、さらに、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱され硬化されてなることを特徴とする請求項７記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 7, wherein the organic buffer layer is further heated and cured at a temperature of 80 ° C. or more and 100 ° C. or less. 前記有機緩衝層を覆うように塗布されるとともに、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱され硬化された第２の有機緩衝層を備えてなることを特徴とする請求項７または８記載の電気光学装置。   9. The second organic buffer layer, which is applied so as to cover the organic buffer layer and is heated and cured at a temperature of 80 ° C. or higher and 100 ° C. or lower. Electro-optic device. 請求項７ないし９のいずれか１項記載の電気光学装置を備えてなることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 7.
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