JP2009273272A - インバータモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】コモンモード電流の発生を抑制したインバータモジュールを提供する。
【解決手段】スイッチング素子TRと、スイッチング素子TRに逆並列接続されたダイオードDと、を1つのアームとし、2つのアームをそれぞれ上アーム及び下アームとして直列に接続したアーム直列接続体をモジュール化したインバータモジュールにおいて、スイッチング素子TRとダイオードDとを冷却するための冷却装置28と、スイッチング素子TR及びダイオードDと冷却装置28とに挟まれる絶縁基板22と、を設け、上アームに含まれるスイッチング素子TR及びダイオードDと冷却装置28との間に構成されるキャパシタが、下アームに含まれるスイッチング素子TR及びダイオードDと冷却装置28との間に構成されるキャパシタよりも小さくなるようにする。
【選択図】図3
【解決手段】スイッチング素子TRと、スイッチング素子TRに逆並列接続されたダイオードDと、を1つのアームとし、2つのアームをそれぞれ上アーム及び下アームとして直列に接続したアーム直列接続体をモジュール化したインバータモジュールにおいて、スイッチング素子TRとダイオードDとを冷却するための冷却装置28と、スイッチング素子TR及びダイオードDと冷却装置28とに挟まれる絶縁基板22と、を設け、上アームに含まれるスイッチング素子TR及びダイオードDと冷却装置28との間に構成されるキャパシタが、下アームに含まれるスイッチング素子TR及びダイオードDと冷却装置28との間に構成されるキャパシタよりも小さくなるようにする。
【選択図】図3
Description
本発明は、インバータ回路に用いられるインバータモジュールに関する。
電力変換装置のインバータモジュールでは、インバータと負荷(通常はモータ)との間においてコモンモード電圧が発生する。このコモンモード電圧に起因してコモンモード電流が流れ、放射ノイズの原因になる等の問題を引き起こす場合がある。
特許文献1には、スイッチングアームの直列回路を含むパッケージにおいて、パッケージの外側に冷却用の銅ベースが配置され、スイッチングアームの直列回路における下アームが実装される銅ベースの面積より上アームが実装される銅ベースの面積を大きくすることによって、コモンモード電流の発生を低減させる技術が開示されている。
また、特許文献2には、インバータと電気機器との間にコモンモード用のチョークコイルを接続し、そのチョークコイルと電気機器との間の配線にコンデンサと抵抗の直列接続体を接続し、それら直列接続体を共通接続したうえで電源よりも高い周波数に対して接地と同電位となる仮想接地部に接続することによって、コモンモード電流の発生を低減させる技術が開示されている。
また、特許文献3には、インバータ回路の入力側に設けたノイズフィルタを装置の筐体を介して接地した制御装置であって、交流ラインに接続されたコンデンサと、コンデンサの間に設けられたコイルとを備え、コンデンサの間の接続点と筐体との間に設けられたクランパと、クランパに並列接続されるコンデンサと、を備えることによって、コモンモード電流の発生を低減させる技術が開示されている。
上記従来技術においてチョークコイル等を含むフィルタを設ける技術では、インバータと負荷(モータ等)との間には数百Aもの大電流が流れる場合があり、インダクタンスの磁気飽和を防ぐために巨大なコイルを用いる必要がある。これによって、インバータモジュールの小型化が阻害されてしまうという問題もある。
また、コモンモード電流による磁気的ノイズが外部に漏れることを防ぐために電磁シールドを設ける技術は装置の製造コストを増大させ、またノイズ源を取り除くものではないので根本的な対策にならないという問題がある。
本発明の1つの態様は、スイッチング素子と、前記スイッチング素子に逆並列接続されたダイオードと、を1つのアームとし、2つのアームをそれぞれ上アーム及び下アームとして直列に接続したアーム直列接続体をモジュール化したインバータモジュールであって、各アームは、前記スイッチング素子と前記ダイオードとを冷却するための冷却装置と、前記スイッチング素子及び前記ダイオードと前記冷却装置とに挟まれる絶縁基板と、を備え、前記上アームに含まれる前記スイッチング素子及び前記ダイオードと前記冷却装置との間のキャパシタが、前記下アームに含まれる前記スイッチング素子及び前記ダイオードと前記冷却装置との間のキャパシタよりも小さいことを特徴とするインバータモジュールである。
ここで、前記下アームに含まれる前記スイッチング素子及び前記ダイオードと前記冷却装置との間のキャパシタを、前記上アームに含まれる前記スイッチング素子及び前記ダイオードと前記冷却装置との間のキャパシタの33倍以上とすることが好適である。
また、前記上アームに含まれる前記絶縁基板の厚さを、前記下アームに含まれる前記絶縁基板の厚さの100倍以上とすることが好適である。
また、前記下アームに含まれる前記スイッチング素子及び前記ダイオードと前記冷却装置との間に外部キャパシタを接続することも好適である。
すなわち、前記上アームに含まれる前記スイッチング素子及び前記ダイオードと前記冷却装置との間のキャパシタと前記下アームに含まれる前記スイッチング素子及び前記ダイオードと前記冷却装置との間のキャパシタとを、インバータモジュールに接続される負荷のケースとインバータモジュールのケースとが同電位となるようにすることが好適である。
本発明によれば、インバータモジュールにおけるコモンモード電流の発生を抑制することができる。これにより、電磁ノイズを低減することができる。
図1は、基本的なインバータ回路100を示す図である。インバータ回路100は、電源200と、負荷(モータ)300と、の間に接続される。インバータ回路100は、6個のダイオードD1〜D6を含む整流器モジュール10、コンデンサ12、電力用スイッチング素子TR1〜TR6及びダイオードD7〜D12を含むインバータモジュール14を含んで構成される。
整流器モジュール10は、ダイオードD1〜D6を2つずつ直列に接続した3つの直列接続体を並列に接続して構成される。整流器モジュール10は、コンデンサ12及びインバータモジュール14と並列に接続される。また、3つの直列接続体に含まれる2つのダイオード間に電源200の各相が印加される。
インバータモジュール14は、スイッチング素子TR1〜TR6の各々にダイオードD7〜D12の各々が逆並列に接続されたアームを6つ備えて構成される。スイッチング素子TR1〜TR6は、例えば、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)、電界効果トランジスタ(MOSFET)等の大電力スイッチング素子とされる。また、ダイオードD7〜D12は、例えば、大容量のPINダイオードとされる。6つのアームは2つずつ上アーム及び下アームとして直列に接続した3つの直列接続体とされ、さらに3つの直列接続体が並列に接続されてインバータモジュール14が構成される。3つの直列接続体に含まれる2つのアーム間に負荷300の各相が接続される。
各アームは、図2の斜視図及び図3の側面図に示すように、スイッチング素子TR(TR1〜TR6)、ダイオードD(D7〜D12)、第1電極20、絶縁基板22、第2電極24、はんだ材26及び冷却装置28を含んで構成される。
スイッチング素子TRの高電圧側端子(NチャネルIGBTのコレクタ、NチャネルMOSFETのドレイン等)は、はんだ材26によって、第1電極20に接続される。また、ダイオードDの高電圧側端子(PINダイオードのカソード等)も第1電極20に接続される。第1電極20は、絶縁基板22の表面に接着され、絶縁基板22の裏面は第2電極24に接着される。さらに第2電極24は、はんだ材26によって冷却装置28に電気的に接続を保ちつつ接着される。
このような構成により、第1電極20と第2電極24との間に挟まれた絶縁基板22によって、第1電極20と第2電極24との間にキャパシタが生成される。したがって、各アームの等価回路は、図4に示すように、スイッチング素子TRの高電圧側端子とダイオードDの高電圧側端子との接続側にキャパシタCが接続されたものとなる。
本実施の形態では、上アームに生成されるキャパシタCUが、下アームに生成されるキャパシタCLよりも小さくなるように各アームを構成する。例えば、上アームと下アームに用いる絶縁基板22を同じ材料とした場合、上アームを構成する絶縁基板22の厚さを下アームを構成する絶縁基板22よりも厚くする。また、上アームを構成する絶縁基板22の誘電率を下アームを構成する絶縁基板22の誘電率よりも小さくする。
図5は、インバータモジュール14をインバータ回路100に適用した場合の等価回路を示す図である。ここでは、インバータモジュール14内の寄生インダクタンスを無視している。
インバータモジュールと負荷(モータ)とを接続するケーブルのインダクタンスLcと、負荷(モータ)とケースとの間のキャパシタCMと、インバータモジュールに生成されるキャパシタCU,CLと、からなるブリッジ回路を構成する。このブリッジ回路によって、電気的なバランスがとられ、負荷(モータ)のケースの電位とインバータモジュールのケースの電位とをほぼ一定に保ち、車両等を経由して負荷(モータ)とインバータとの間を流れるコモンモード電流を抑制することができる。
インバータの動作モードは、(1)上アーム1相及び下アーム2相が導通、(2)上アーム2相及び下アーム1相が導通、の2つに分けられ、図6の等価回路に示すように、これら2つの状態を繰り返す。
図5に示すシステム全体の等価回路と図6のインバータの動作モードとを考慮すると、インバータの高電圧側から低電圧側へと至るには2つの経路が生ずる。すなわち、第1の経路は、図7に示すように、導通する上アーム→モータへのケーブルの寄生インダクタLc→モータ巻線とモータケース間の寄生キャパシタCM→モータケース→モータケースとモータ巻線間の寄生キャパシタCM→モータへのケーブルの寄生インダクタLc→導通する下アームという経路である。第2の経路は、図8に示すように、導通する上アーム→導通する上アームと組になる下アームの寄生キャパシタCL→冷却装置28のケース→導通する下アームの寄生キャパシタCL→導通する下アームという経路と、導通していない上アームの寄生キャパシタCU→冷却装置28のケース→導通する下アームの寄生キャパシタCL→導通する下アームという経路のいずれかである。
図9は、これら2つの経路をコモンモード電流の経路となる冷却装置28のケース及びモータケースの間の寄生インダクタLGを挟んだブリッジ回路として書き換えた図である。図9(a)は上アーム1相及び下アーム2相が導通である場合、図9(b)は上アーム2相及び下アーム1相が導通である場合の等価回路である。
図10は、これらの回路をさらに簡素化して示した図である。この回路において、数式(1)が成り立つ場合にコモンモード電流は流れなくなる。
Za:Zb=Zc:Zd・・・・・・・・(1)
Za:Zb=Zc:Zd・・・・・・・・(1)
図9(a)及び(b)のいずれの状態においても数式(1)が成り立つようにするための条件は下アームの寄生キャパシタCLが上アームの寄生キャパシタCUよりも十分に大きいことである。すなわち、下アームの寄生キャパシタCL>>上アームの寄生キャパシタCUが成り立つ場合にコモンモード電流は流れなくなる。
回路シミュレーションを用いて本実施の形態の作用を確認した。シミュレーションは図11の回路構成によって行った。図12にシミュレーションの結果を示す。なお、このシミュレーションではインバータの各相の電圧は波高値217V、周期200μ秒(デューティ50%)、パルスの立ち上がり及び立ち下がり時間50n秒とした。
上アームの寄生キャパシタCUが0の場合、寄生インダクタLGを流れるコモンモード電流は非常に小さくなった。また、上アームの寄生キャパシタCUを増加させると、下アームの寄生キャパシタCLを流れる電流と寄生インダクタLGを流れる電流との比は寄生キャパシタCLと寄生キャパシタCU×3との比にほぼ比例することが分かった。
下アームの寄生キャパシタCLと、3つの上アームの寄生キャパシタCUの並列接続がつくるキャパシタCU(=3CU)との比CL/CUを100以上、すなわち、下アームの寄生キャパシタCLと、上アームの寄生キャパシタCUの寄生との比CL/CUを33以上にすれば高いノイズ低減効果を得ることができる。
例えば、上アームを構成する絶縁基板22の厚さを下アームを構成する絶縁基板22の厚さの100倍以上厚くすることが好適である。例えば、上アームを構成する絶縁基板22を窒化アルミニウム(AlN)やアルミナ(Al2O3)で0.5mm以上5mm以下とした場合、このような下アームを構成するためには絶縁基板22としてDLC(Diamond Like Carbon)や窒化シリコン(SiN)等で0.005mm以上0.05mm以下とするとよい。
なお、図13に示すように、図3の構成において下アームの第1電極20と第2電極24との間に外部キャパシタCextを接続してキャパシタを調整する構成としてもよい。図14は、図13のように外部キャパシタCextを接続した場合の等価回路を示す図である。このように、外部キャパシタCextを接続することによって、下アームの寄生キャパシタCLが上アームの寄生キャパシタCUよりも十分に大きくなるようにすることができる。例えば、上アームと下アームの絶縁基板22を同じ材料及び同じ厚さとした場合、下アームの第1電極20と第2電極24との間に形成されるキャパシタCLが上アームの第1電極20と第2電極24との間に形成されるキャパシタCUよりも大きくなる。
10 整流器モジュール、12 コンデンサ、14 インバータモジュール、20 第1電極、22 絶縁基板、24 第2電極、26 はんだ材、28 冷却装置、100 インバータ回路、200 電源、300 負荷(モータ)。
Claims (5)
- スイッチング素子と、前記スイッチング素子に逆並列接続されたダイオードと、を1つのアームとし、2つのアームをそれぞれ上アーム及び下アームとして直列に接続したアーム直列接続体をモジュール化したインバータモジュールであって、
各アームは、前記スイッチング素子と前記ダイオードとを冷却するための冷却装置と、前記スイッチング素子及び前記ダイオードと前記冷却装置とに挟まれる絶縁基板と、を備え、
前記上アームに含まれる前記スイッチング素子及び前記ダイオードと前記冷却装置との間のキャパシタが、前記下アームに含まれる前記スイッチング素子及び前記ダイオードと前記冷却装置との間のキャパシタよりも小さいことを特徴とするインバータモジュール。 - 請求項1に記載のインバータモジュールであって、
前記下アームに含まれる前記スイッチング素子及び前記ダイオードと前記冷却装置との間のキャパシタを、前記上アームに含まれる前記スイッチング素子及び前記ダイオードと前記冷却装置との間のキャパシタの33倍以上とすることを特徴とするインバータモジュール。 - 請求項1又は2に記載のインバータモジュールであって、
前記上アームに含まれる前記絶縁基板の厚さを、前記下アームに含まれる前記絶縁基板の厚さの100倍以上とすることを特徴とするインバータモジュール。 - 請求項1又は2に記載のインバータモジュールであって、
前記下アームに含まれる前記スイッチング素子及び前記ダイオードと前記冷却装置との間に外部キャパシタを接続することを特徴とするインバータモジュール。 - 請求項1〜4のいずれか1つに記載のインバータモジュールであって、
前記上アームに含まれる前記スイッチング素子及び前記ダイオードと前記冷却装置との間のキャパシタと前記下アームに含まれる前記スイッチング素子及び前記ダイオードと前記冷却装置との間のキャパシタとを、インバータモジュールに接続される負荷のケースとインバータモジュールのケースとが同電位となるようにすることを特徴とするインバータモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008122500A JP2009273272A (ja) | 2008-05-08 | 2008-05-08 | インバータモジュール |
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WO2019106792A1 (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置及び空気調和装置 |
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2008
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