JP2009272640A - Fluid handling structure, lithography device, and device manufacturing method - Google Patents

Fluid handling structure, lithography device, and device manufacturing method Download PDF

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Daniel Joseph Maria Direks
ディレックス，ダニエル，ヨゼフ，マリア
Maria Hubertus Philips Danny
フィリップス，ダニー，マリア，ヒューベルタス
Johannes Gerardus Van Den Dungen Clemens
デン ダンゲン，クレメンス，ヨハネス，ゲラルドス ヴァン
Koen Steffens
ステッフェンス，コエン
Putten Arnold Jan Van
プッテン，アーノルド，ヤン ヴァン
Adrianus Cornelis Schepers Maikel
シェペルズ，マイケル，アドリアヌス，コルネリス
Paul Petrus Joannes Berkvens
バークヴェンズ，ポール，ペトラス，ヨアネス
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To disclose a fluid handling structure where the size and structure of a fluid extraction opening are designated to reduce vibration transmitted to the fluid handling structure as a result of two-phase extraction. <P>SOLUTION: The area of respective fluid extraction openings, the total area of all of the fluid extraction openings, and/or the space between adjacent fluid extraction openings can be controlled. When vibration decreases, precision in exposure is improved. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

[0001] 本発明は流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイスを製造する方法に関する。 The present invention relates to a fluid handling structure, a lithographic apparatus and a method for manufacturing a device.

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。 A lithographic apparatus is a machine that applies a desired pattern onto a substrate, usually onto a target portion of the substrate. A lithographic apparatus can be used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs). In such cases, a patterning device, alternatively referred to as a mask or reticle, can be used to generate a circuit pattern to be formed on an individual layer of the IC. This pattern can be transferred onto a target portion (eg comprising part of, one, or several dies) on a substrate (eg a silicon wafer). The pattern is usually transferred by imaging onto a layer of radiation sensitive material (resist) provided on the substrate. In general, a single substrate will contain a network of adjacent target portions that are successively patterned. A conventional lithographic apparatus scans a substrate in parallel or anti-parallel to a predetermined direction ("scan" direction) and a so-called stepper that irradiates each target portion by exposing the entire pattern to the target portion at once. However, it includes a so-called scanner in which each target portion is irradiated by scanning the pattern with a radiation beam in a predetermined direction (“scan” direction). It is also possible to transfer the pattern from the patterning device to the substrate by imprinting the pattern onto the substrate.

[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。液体は蒸留水であることが望ましいが、別の液体を使用することもできる。本明細書は液体に関して説明される。しかし、別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることができることである（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる）。固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族及び／又はフルオロハイドロカーボンなどの炭化水素、及び水溶液である。 It has been proposed to immerse the substrate in the lithographic projection apparatus in a liquid having a relatively high refractive index, such as water, so as to fill a space between the final element of the projection system and the substrate. The liquid is preferably distilled water, although other liquids can be used. This specification is described with reference to liquids. However, other fluids may be suitable, particularly wetting fluids, incompressible fluids, and / or fluids with a higher refractive index than air, desirably higher refractive index than water. Fluids other than gases are particularly desirable. The point is that the exposure radiation has a shorter wavelength in the liquid, so that the features to be imaged can be made smaller (the effect of the liquid can increase the effective numerical aperture (NA) of the system). Can also be viewed as increasing the depth of focus). Other immersion liquids have also been proposed, such as water in which solid particles (e.g. quartz) are suspended, or liquids with suspensions of nanoparticles (e.g. particles with a maximum dimension of up to 10 nm). The suspended particles may or may not have the same or the same refractive index as the liquid in which they are suspended. Other liquids that may be suitable are hydrocarbons such as aromatic and / or fluorohydrocarbons, and aqueous solutions.

[0004] 基板を、又は基板と基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えばＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。 [0004] Submersing the substrate or the substrate and substrate table in a liquid bath (see, for example, US Pat. No. 4,509,852) also means that there is a large mass of liquid that should be accelerated during a scanning exposure. This requires an additional motor or a more powerful motor, and turbulence in the liquid can cause undesirable and unpredictable effects.

[0005] 液浸装置内で、液浸液は流体ハンドリングシステム又は装置によって取り扱われる。実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給することができ、したがって流体供給システムとすることができる。実施形態では、流体ハンドリングシステムは流体を閉じ込めることができ、したがって流体閉じ込めシステムとすることができる。実施形態では、流体ハンドリングシステムは流体にバリアを提供することができ、したがってバリア部材とすることができる。実施形態では、流体ハンドリングシステムは、例えば液体の取扱いに役立てるために、流体（気体など）の流れを生成又は使用することができる。実施形態では、液浸液を液浸流体として使用することができる。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムとすることができる。 [0005] Within the immersion apparatus, immersion liquid is handled by a fluid handling system or apparatus. In an embodiment, the fluid handling system may supply immersion fluid and thus be a fluid supply system. In an embodiment, the fluid handling system can confine fluid and thus be a fluid confinement system. In an embodiment, the fluid handling system can provide a barrier to the fluid and thus can be a barrier member. In an embodiment, the fluid handling system may generate or use a flow of fluid (such as a gas), eg, to aid in handling liquids. In embodiments, immersion liquid can be used as the immersion fluid. In that case, the fluid handling system may be a liquid handling system.

[0006] 提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所区域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号で提案されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。液体供給及び液体除去デバイス中の矢印は液体の流れの方向を示す。 [0006] One proposed arrangement is that the liquid supply system uses a liquid confinement system to provide liquid only to a local area of the substrate and between the final element of the projection system and the substrate (the substrate is Typically has a larger surface area than the final element of the projection system). One method that has been proposed to arrange this is proposed in PCT Patent Application Publication No. WO 99/49504. As illustrated in FIGS. 2 and 3, liquid is supplied by the at least one inlet onto the substrate, preferably along the direction of movement of the substrate relative to the final element, and after passing under the projection system, the at least one Removed by exit. That is, as the substrate is scanned under the element in the -X direction, liquid is supplied on the + X side of the element and taken up on the -X side. FIG. 2 schematically shows a configuration in which liquid is supplied via an inlet and taken up on the other side of the element by an outlet connected to a low pressure source. In the illustration of FIG. 2, the liquid is supplied along the direction of movement of the substrate relative to the final element, although this need not be the case. Various orientations and numbers of inlets and outlets arranged around the final element are possible, an example is illustrated in FIG. 3, where four sets of inlets and outlets on each side are regular around the final element. Provided in a pattern. Arrows in the liquid supply and liquid removal device indicate the direction of liquid flow.

[0007] 図４は、本発明の実施形態によるリソグラフィ投影装置で使用する例示的液体供給システムを示している。液体が、投影システムＰＬのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に構成された複数の別個の出口によって除去される。図４の実施形態では、入口及び出口は、投影される投影ビームが通る穴を有する板に配置される。液体は、投影システムＰＬの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＬの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＬと投影システムＰＬの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口ＩＮ及び出口ＯＵＴは動作しない）。 [0007] FIG. 4 depicts an exemplary liquid supply system for use in a lithographic projection apparatus according to an embodiment of the invention. Liquid is supplied by two groove inlets on either side of the projection system PL and removed by a plurality of separate outlets configured radially outward of the inlets. In the embodiment of FIG. 4, the inlet and outlet are arranged in a plate having a hole through which the projected projection beam passes. The liquid is supplied by one groove inlet on one side of the projection system PL and removed by a plurality of separate outlets on the other side of the projection system PL, so that a liquid film between the projection system PL and the projection system PL is obtained. Cause the flow of. The selection of which combination of inlets and outlets to use can be determined by the direction of movement of the substrate W (other combinations of inlets IN and outlets OUT do not operate).

[0008] それぞれが参照により全体を本明細書に組み込まれるＥＰ１４２０３００号及びＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを備える。第一位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第二位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は１つのテーブルのみを有してよい。 [0008] EP 1420300 and US 2004-0136494, each of which is hereby incorporated by reference in its entirety, disclose the concept of a twin or dual stage immersion lithographic apparatus. Such an apparatus comprises two tables that support a substrate. Leveling measurement is performed on the table at the first position without immersion liquid, and exposure is performed on the table at the second position where immersion liquid is present. Alternatively, the device may have only one table.

[0009] ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成を開示している。このようなシステムは、実質的に基板の上面全体が液体で覆われる。これが有利なのは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているからである。これは、基板の温度制御及び処理にとって有利なことがある。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を提供する。この液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは基板の温度制御及び処理を改良することができるが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題を軽減する１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／１１９８０９号に記載され、ここでは全ての位置で基板Ｗを覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。 [0009] WO 2005/064405 discloses an all wet configuration in which the immersion liquid is not confined. In such a system, substantially the entire top surface of the substrate is covered with liquid. This is advantageous because the entire top surface of the substrate is exposed to substantially the same condition. This may be advantageous for substrate temperature control and processing. In WO 2005/064405, a liquid supply system provides liquid to the gap between the final element of the projection system and the substrate. This liquid can leak onto the rest of the substrate. The barrier at the edge of the substrate table prevents liquid from escaping and can therefore be removed from the top surface of the substrate table in a controlled manner. While such a system can improve substrate temperature control and processing, immersion liquid evaporation may still occur. One way to alleviate that problem is described in U.S. Patent Application Publication No. US 2006/119809, where the substrate W is covered in all positions and the immersion liquid is placed on itself and the substrate and / or the substrate table holding the substrate. A member is provided that is configured to extend between the top surface.

[0010] 上述したような液浸リソグラフィシステムでは、例えば液浸システムの動作を通して、液浸システム内に振動などの外乱が生じることがある。外乱は液浸液を通って伝達されることがあり、これは投影される放射ビームが通る液体を含む。このような外乱は、露光の精度に悪影響を及ぼすことがあり、例えば位置決めの精度及び安定性に影響し、したがって位置決めにエラーを引き起こすか、集光に影響するか、その両方である。 In the immersion lithography system as described above, disturbances such as vibration may occur in the immersion system, for example, through operation of the immersion system. Disturbances may be transmitted through the immersion liquid, including the liquid through which the projected radiation beam passes. Such disturbances can adversely affect exposure accuracy, for example, affecting positioning accuracy and stability, thus causing positioning errors or focusing, or both.

[0011] したがって、液浸液の外乱力が減少するか、実質的に解消される流体ハンドリングシステムを提供することが望ましい。 [0011] Accordingly, it is desirable to provide a fluid handling system in which the disturbance force of the immersion liquid is reduced or substantially eliminated.

[0012] 本発明の態様によれば、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、複数の流体抽出開口が設けられた表面を備え、流体抽出開口が、
基板及び／又は基板テーブルの表面に向かって配向され、
（ｉ）液浸空間からの液浸液と（ｉｉ）液浸液の外側にある雰囲気からの気体との混合物を除去することによって、液浸空間内に液浸液のメニスカスを形成するように構成され、メニスカスが、基板及び／基板テーブルの表面と、流体抽出開口が設けられた表面との間に形成され、
流体抽出開口全部の所与の総面積について、各流体抽出開口の面積は、外乱力が減少するように設定される、
流体ハンドリング構造が提供される。 [0012] According to an aspect of the present invention, there is provided a fluid handling structure for a lithographic apparatus, comprising a surface provided with a plurality of fluid extraction openings,
Oriented towards the surface of the substrate and / or substrate table,
So as to form a meniscus of immersion liquid in the immersion space by removing a mixture of (i) the immersion liquid from the immersion space and (ii) a gas from the atmosphere outside the immersion liquid. And a meniscus is formed between the surface of the substrate and / or substrate table and the surface provided with the fluid extraction apertures,
For a given total area of all fluid extraction openings, the area of each fluid extraction opening is set so that the disturbance force is reduced,
A fluid handling structure is provided.

[0013] 本発明の態様によれば、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、複数の流体抽出開口が設けられた表面を備え、流体抽出開口が、
基板及び／又は基板テーブルの表面に向かって配向され、
（ｉ）液浸空間からの液浸液と（ｉｉ）液浸液の外側にある雰囲気からの気体との混合物を除去することによって、液浸空間内に液浸液のメニスカスを形成するように構成され、メニスカスが、基板及び／基板テーブルの表面と、開口が設けられた表面との間に形成され、
各流体抽出開口の面積は０．１ｍｍ2以内である、
流体ハンドリング構造が提供される。 [0013] According to an aspect of the present invention, there is provided a fluid handling structure for a lithographic apparatus, comprising a surface provided with a plurality of fluid extraction openings,
Oriented towards the surface of the substrate and / or substrate table,
So as to form a meniscus of immersion liquid in the immersion space by removing a mixture of (i) the immersion liquid from the immersion space and (ii) a gas from the atmosphere outside the immersion liquid. Configured, a meniscus is formed between the surface of the substrate and / or substrate table and the surface provided with openings,
The area of each fluid extraction opening is within 0.1 mm 2 ;
A fluid handling structure is provided.

[0014] 本発明の態様によれば、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、複数の流体抽出開口が設けられた表面を備え、流体抽出開口が、
基板及び／又は基板テーブルの表面に向かって配向され、
（ｉ）液浸空間からの液浸液と（ｉｉ）液浸液の外側にある雰囲気からの気体との混合物を除去することによって、液浸空間内に液浸液のメニスカスを形成するように構成され、メニスカスが、基板及び／基板テーブルの表面と、開口が設けられた表面との間に形成され、
各流体抽出開口の最大寸法が０．４ｍｍ以内である、
流体ハンドリング構造が提供される。 [0014] According to an aspect of the present invention, there is provided a fluid handling structure for a lithographic apparatus, comprising a surface provided with a plurality of fluid extraction openings, the fluid extraction openings comprising:
Oriented towards the surface of the substrate and / or substrate table,
So as to form a meniscus of immersion liquid in the immersion space by removing a mixture of (i) the immersion liquid from the immersion space and (ii) a gas from the atmosphere outside the immersion liquid. Configured, a meniscus is formed between the surface of the substrate and / or substrate table and the surface provided with openings,
The maximum dimension of each fluid extraction opening is within 0.4 mm;
A fluid handling structure is provided.

[0015] 本発明の態様によれば、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、複数の流体抽出開口が設けられた表面を備え、流体抽出開口が、
基板及び／又は基板テーブルの表面に向かって配向され、
（ｉ）液浸空間からの液浸液と（ｉｉ）液浸液の外側にある雰囲気からの気体との混合物を除去することによって、液浸空間内に液浸液のメニスカスを画定するように構成され、メニスカスが、基板及び／基板テーブルの表面と、開口が設けられた表面との間に形成され、
流体抽出開口によって形成されるリニア構成の１メートル当たりに設けられるその面積が、２５ｍｍ2ｍ-1から１００ｍｍ2ｍ-1の範囲である、
流体ハンドリング構造が提供される。 [0015] According to an aspect of the invention, there is provided a fluid handling structure for a lithographic apparatus, comprising a surface provided with a plurality of fluid extraction openings, the fluid extraction openings comprising:
Oriented towards the surface of the substrate and / or substrate table,
So as to define a meniscus of immersion liquid in the immersion space by removing a mixture of (i) immersion liquid from the immersion space and (ii) gas from an atmosphere outside the immersion liquid. Configured, a meniscus is formed between the surface of the substrate and / or substrate table and the surface provided with openings,
The area provided per meter of the linear configuration formed by the fluid extraction aperture is in the range of 25 mm 2 m −1 to 100 mm 2 m −1 ;
A fluid handling structure is provided.

[0016] 本発明の態様によれば、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、複数の流体抽出開口が設けられた表面を備え、流体抽出開口が、
基板及び／又は基板テーブルの表面に向かって配向され、
（ｉ）液浸空間からの液浸液と（ｉｉ）液浸液の外側にある雰囲気からの気体との混合物を除去することによって、液浸空間内に液浸液のメニスカスを形成するように構成され、メニスカスが、基板及び／基板テーブルの表面と、開口が設けられた表面との間に形成され、
流体抽出開口全部を組み合わせた総面積が、３０ｍｍ2以内である、
流体ハンドリング構造が提供される。 [0016] According to an aspect of the present invention, there is provided a fluid handling structure for a lithographic apparatus, comprising a surface provided with a plurality of fluid extraction openings, the fluid extraction openings comprising:
Oriented towards the surface of the substrate and / or substrate table,
So as to form a meniscus of immersion liquid in the immersion space by removing a mixture of (i) the immersion liquid from the immersion space and (ii) a gas from the atmosphere outside the immersion liquid. Configured, a meniscus is formed between the surface of the substrate and / or substrate table and the surface provided with openings,
The total area combining all the fluid extraction openings is within 30 mm 2 ,
A fluid handling structure is provided.

[0017] 本発明の態様によれば、液浸リソグラフィ装置であって、
光軸を有する投影システムと、
基板を支持する基板テーブルと、
複数の流体抽出開口が設けられた表面を備え且つ投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に液浸液を供給し、閉じ込める流体ハンドリング構造とを備え、流体抽出開口が、
基板及び／又は基板テーブルの表面に向かって配向され、
（ｉ）空間からの液浸液と（ｉｉ）液浸液の外側にある雰囲気からの気体との混合物を除去することによって、空間内に液浸液のメニスカスを形成するように構成され、メニスカスが、基板及び／基板テーブルの表面と、開口が設けられた表面との間に形成され、
以下の特徴、
各流体抽出開口の面積が０．１ｍｍ2以内である、
各流体抽出開口の最大寸法が０．４ｍｍ以内である、
流体抽出開口の全部を組み合わせた総面積が３０ｍｍ2以内である、及び
流体抽出開口によって形成されたリニア構成の１メートル当たりに設けられるその面積が２５ｍｍ2ｍ-1から１００ｍｍ2ｍ-1の範囲である、
のうち１つ又は複数を有する、液浸リソグラフィ装置が提供される。 [0017] According to an aspect of the invention, there is provided an immersion lithographic apparatus comprising:
A projection system having an optical axis;
A substrate table that supports the substrate;
A fluid handling structure comprising a surface provided with a plurality of fluid extraction openings and supplying and confining immersion liquid into a space between the projection system and the substrate and / or substrate table, the fluid extraction openings comprising:
Oriented towards the surface of the substrate and / or substrate table,
(I) configured to form a meniscus of immersion liquid in the space by removing a mixture of immersion liquid from the space and (ii) gas from an atmosphere outside the immersion liquid; Is formed between the surface of the substrate and / or substrate table and the surface provided with openings,
The following features,
The area of each fluid extraction opening is within 0.1 mm 2 ;
The maximum dimension of each fluid extraction opening is within 0.4 mm;
The combined total area of the fluid extraction openings is within 30 mm 2 and the area provided per meter of the linear configuration formed by the fluid extraction openings ranges from 25 mm 2 m −1 to 100 mm 2 m −1 Is,
An immersion lithographic apparatus is provided having one or more of the following:

[0018] 本発明の態様によれば、
投影システムと基板の間の液浸空間に液浸液を提供し、
流体ハンドリング構造の複数の流体抽出開口に低圧を加えることによって、液浸空間から液浸液を回収し、
流体抽出開口のそれぞれに０．１ｍｍ2以内の面積を提供することを含む、
デバイス製造方法が提供される。 [0018] According to an aspect of the invention,
Providing immersion liquid in the immersion space between the projection system and the substrate;
Recovering immersion liquid from the immersion space by applying low pressure to a plurality of fluid extraction openings in the fluid handling structure;
Providing an area within 0.1 mm 2 for each of the fluid extraction openings,
A device manufacturing method is provided.

[0019] 次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。 リソグラフィ投影装置内で使用する液体供給システムを示した図である。 リソグラフィ投影装置内で使用する液体供給システムを示した図である。 リソグラフィ投影装置内で使用する液体供給システムを示した図である。 リソグラフィ投影装置内で使用する液体閉じ込め構造を示した図である。 本発明の実施形態によるメニスカス固定システムを示した略平面図である。 本発明の実施形態によるメニスカス固定システムを投影システムの光軸に実質的に平行に示した断面平面図である。 本発明の実施形態による図６に示したメニスカス固定システムの３つの隣接する流体抽出開口を示した平面図である。 本発明の実施形態による図６に示したメニスカス固定システムの３つの流体抽出開口を示した平面図である。 本発明の実施形態により、例えば閉じ込め構造などの液浸システム内で測定した外乱力対流体抽出開口の様々な構成及び幾何形状の周波数を示したグラフである。 本発明の実施形態による流体ハンドリング構造の実際的な実施形態を示した平面図である。 図１０の実施形態の変形を示した図である。 図１１及び図１２の実施形態の変形を示した図である。 図１１及び図１２の実施形態の変形を示した図である。 本発明の実施形態による流体ハンドリング構造を示した略断面図である。 [0019] Embodiments of the present invention will now be described by way of example only with reference to the accompanying schematic drawings. Corresponding reference characters indicate corresponding parts in the drawings.
1 shows a lithographic apparatus according to an embodiment of the invention. 1 shows a liquid supply system for use in a lithographic projection apparatus. 1 shows a liquid supply system for use in a lithographic projection apparatus. 1 shows a liquid supply system for use in a lithographic projection apparatus. FIG. 3 shows a liquid confinement structure for use in a lithographic projection apparatus. 1 is a schematic plan view showing a meniscus fixing system according to an embodiment of the present invention. 1 is a cross-sectional plan view showing a meniscus securing system according to an embodiment of the invention substantially parallel to the optical axis of a projection system. FIG. 7 is a plan view showing three adjacent fluid extraction openings of the meniscus fixation system shown in FIG. 6 according to an embodiment of the present invention. 7 is a plan view showing three fluid extraction openings of the meniscus fixation system shown in FIG. 6 according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a graph illustrating various configurations and geometric frequencies of disturbance forces versus fluid extraction apertures measured in an immersion system, such as a confinement structure, according to an embodiment of the present invention. It is the top view which showed practical embodiment of the fluid handling structure by embodiment of this invention. It is the figure which showed the deformation | transformation of embodiment of FIG. It is the figure which showed the deformation | transformation of embodiment of FIG.11 and FIG.12. It is the figure which showed the deformation | transformation of embodiment of FIG.11 and FIG.12. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a fluid handling structure according to an embodiment of the present invention.

[0020] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。 [0020] Figure 1 schematically depicts a lithographic apparatus according to one embodiment of the invention. This device
An illumination system (illuminator) IL configured to condition a radiation beam B (eg UV radiation or DUV radiation);
A support structure (eg mask table) MT configured to support the patterning device (eg mask) MA and connected to a first positioner PM configured to accurately position the patterning device according to certain parameters;
A substrate table (eg wafer table) WT configured to hold a substrate (eg resist coated wafer) W and connected to a second positioner PW configured to accurately position the substrate according to certain parameters;
A projection system (eg a refractive projection lens system) PS configured to project a pattern imparted to the radiation beam B by the patterning device MA onto a target portion C (eg comprising one or more dies) of the substrate W; including.

[0021] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。 [0021] The illumination system includes various types of optical components, such as refractive, reflective, magnetic, electromagnetic, electrostatic, etc. optical components, or any combination thereof, for directing, shaping or controlling radiation. You may go out.

[0022] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。 [0022] The support structure MT holds the patterning device. The support structure MT holds the patterning device in a manner that depends on the orientation of the patterning device, the design of the lithographic apparatus, and the like, for example, whether or not the patterning device is held in a vacuum environment. The support structure MT can use clamping techniques such as mechanical, vacuum, electrostatic, etc. to hold the patterning device. The support structure MT may be a frame or a table, for example, and may be fixed or movable as required. The support structure MT may ensure that the patterning device is at a desired position, for example with respect to the projection system. Any use of the terms “reticle” or “mask” herein may be considered synonymous with the more general term “patterning device.”

[0023] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。 [0023] As used herein, the term "patterning device" is used broadly to refer to any device that can be used to pattern a cross-section of a radiation beam so as to generate a pattern on a target portion of a substrate. Should be interpreted. It should be noted here that the pattern imparted to the radiation beam may not exactly correspond to the desired pattern in the target portion of the substrate, for example if the pattern includes phase shift features or so-called assist features. In general, the pattern imparted to the radiation beam corresponds to a special functional layer in a device being created in the target portion, such as an integrated circuit.

[0024] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。 [0024] The patterning device may be transmissive or reflective. Examples of patterning devices include masks, programmable mirror arrays, and programmable LCD panels. Masks are well known in lithography, and include mask types such as binary masks, Levenson phase shift masks, attenuated phase shift masks, and various hybrid mask types. It is. As an example of a programmable mirror array, a matrix array of small mirrors is used, each of which can be individually tilted to reflect the incoming radiation beam in a different direction. The tilted mirror imparts a pattern to the radiation beam reflected by the mirror matrix.

[0025] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。 [0025] As used herein, the term "projection system" refers appropriately to other factors such as, for example, the exposure radiation used or the use of immersion liquid or the use of a vacuum, eg refractive optical system, reflective optics. It should be construed broadly to cover any type of projection system, including systems, catadioptric optical systems, magneto-optical systems, electromagnetic optical systems and electrostatic optical systems, or any combination thereof. Any use of the term “projection lens” herein may be considered as synonymous with the more general term “projection system”.

[0026] ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。 The apparatus shown here is of a transmissive type (eg using a transmissive mask). Alternatively, the device may be of a reflective type (eg using a programmable mirror array of the type mentioned above or using a reflective mask).

[0027] リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。 [0027] The lithographic apparatus may be of a type having two (dual stage) or more substrate tables (and / or two or more patterning device tables). In such “multi-stage” machines, additional tables can be used in parallel, or one or more other tables can be used for exposure while one or more tables perform the preliminary process can do.

[0028] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。 [0028] Referring to FIG. 1, the illuminator IL receives a radiation beam from a radiation source SO. The source and the lithographic apparatus may be separate components, for example when the source is an excimer laser. In such a case, the radiation source is not considered to form part of the lithographic apparatus, and the radiation beam is emitted from the source SO by means of a beam delivery system BD, for example equipped with a suitable guiding mirror and / or beam expander. Passed to IL. In other cases the source may be an integral part of the lithographic apparatus, for example when the source is a mercury lamp. The radiation source SO and the illuminator IL may be referred to as a radiation system together with a beam delivery system BD as required.

[0029] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。 The illuminator IL may include an adjuster AD that adjusts the angular intensity distribution of the radiation beam. In general, the outer and / or inner radius range (commonly referred to as σ-outer and σ-inner, respectively) of the intensity distribution at the pupil plane of the illuminator IL can be adjusted. The illuminator IL may include various other components such as an integrator IN and a capacitor CO. Alternatively, the radiation beam may be adjusted using an illuminator so that desired uniformity and intensity distribution can be obtained across the cross section.

[0030] 放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造ＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブラインアラインメントマークとして知られる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。 [0030] The radiation beam B is incident on the patterning device (eg, mask) MA, which is held on the support structure (eg, mask table) MT, and is patterned by the patterning device. The radiation beam B passes through the patterning device MA and passes through a projection system PS that focuses the beam onto a target portion C of the substrate W. With the help of the second positioner PW and the position sensor IF (eg interferometer device, linear encoder or capacitive sensor), the substrate table WT can be moved precisely to position the various target portions C, for example in the path of the radiation beam B. . Similarly, for the path of the radiation beam B using a first positioner PM and another position sensor (not explicitly shown in FIG. 1), eg after mechanical retrieval from a mask library or during a scan. Thus, the patterning device MA can be accurately positioned. In general, movement of the support structure MT can be realized with the aid of a long stroke module (coarse positioning) and a short stroke module (fine positioning) which form part of the first positioner PM. Similarly, the movement of the substrate table WT can be realized using a long stroke module and a short stroke module that form part of the second positioner PW. In the case of a stepper (as opposed to a scanner) the support structure MT may be connected to a short stroke actuator only or may be fixed. Patterning device MA and substrate W may be aligned using patterning device alignment marks M1, M2 and substrate alignment marks P1, P2. The substrate alignment mark as shown occupies a dedicated target portion, but may be located in the space between the target portions (known as the scribe line alignment mark). Similarly, in situations in which a plurality of dies are provided on the patterning device MA, patterning device alignment marks may be placed between the dies.

[0031] 図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。 The illustrated lithographic apparatus can be used in at least one of the following modes:
1. In step mode, the support structure MT and the substrate table WT are basically kept stationary, while the entire pattern imparted to the radiation beam is projected onto the target portion C at one time (ie one static exposure). ). Next, the substrate table WT is moved in the X and / or Y direction so that another target portion C can be exposed. In the step mode, the size of the target portion C on which an image is formed in one still exposure is limited by the maximum size of the exposure field.
2. In scan mode, the support structure MT and the substrate table WT are scanned synchronously while a pattern imparted to the radiation beam is projected onto a target portion C (ie, one dynamic exposure). The speed and direction of the substrate table WT relative to the support structure MT can be determined by the enlargement (reduction) and image reversal characteristics of the projection system PS. In the scan mode, the maximum size of the exposure field limits the width of the target portion (in the non-scan direction) in one dynamic exposure, and the length of the scan operation determines the height of the target portion (in the scan direction). .
3. In another mode, the support structure MT is held essentially stationary while holding the programmable patterning device, and projects the pattern imparted to the radiation beam onto the target portion C while moving or scanning the substrate table WT. In this mode, a pulsed radiation source is typically used to update the programmable patterning device as needed each time the substrate table WT is moved or between successive radiation pulses during a scan. This mode of operation can be readily applied to maskless lithography that utilizes programmable patterning device, such as a programmable mirror array of a type as referred to above.

[0032] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。 [0032] Combinations and / or variations on the above described modes of use or entirely different modes of use may also be employed.

[0033] 投影システムＰＳの最終要素と基板の間に液体を提供する構成は、３つの一般的カテゴリに分類することができる。それは槽型構成、いわゆる局所液浸システム及びオールウェット構成である。槽型構成では、実質的に基板Ｗの全体及び任意選択で基板テーブルＷＴの一部が液体槽に浸される。 [0033] Configurations that provide liquid between the final element of the projection system PS and the substrate can be classified into three general categories. It is a tank type configuration, a so-called local immersion system and an all wet configuration. In the bath configuration, substantially the entire substrate W and optionally a portion of the substrate table WT is immersed in the liquid bath.

[0034] いわゆる局所液浸システムでは、液体が基板の局所領域にのみ提供される液体供給システムが使用される。液体によって充填された空間は基板の上面より平面図で小さい。液体で充填された領域は、基板Ｗがその領域の下で移動している間、投影システムＰＳに対して実質的に静止したままである。 [0034] In so-called local immersion systems, a liquid supply system is used in which liquid is provided only to a local area of the substrate. The space filled with the liquid is smaller in plan view than the upper surface of the substrate. The area filled with liquid remains substantially stationary with respect to the projection system PS while the substrate W moves under that area.

[0035] オールウェット構成では、液体が閉じ込められない。実質的に基板の上面全体、及び基板テーブルの全部又は一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは浅い。液体は、ウェーハ上の液体の薄膜などの膜でよい。図２から図５の液体供給デバイスのいずれも、このようなシステムにも使用することができる。しかし、密封特徴部が存在しないか、動作しないか、通常ほど効率的でないか、それ以外にも局所区域のみに液体を密封するには有効でない。 [0035] In the all wet configuration, the liquid is not confined. Substantially the entire top surface of the substrate and all or part of the substrate table is covered with immersion liquid. At least the depth of the liquid covering the substrate is shallow. The liquid may be a film such as a thin film of liquid on the wafer. Any of the liquid supply devices of FIGS. 2-5 can be used in such a system. However, the sealing feature is not present, does not work, is not as efficient as usual, or otherwise is not effective in sealing the liquid only in the local area.

[0036] 図２から図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが図示されている。図２から図４に開示した液体供給システムは、以上で説明されている。提案されている別の構成は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在するバリア部材を液体供給システムに提供する。このような構成が、図５に図示されている。 [0036] In FIGS. 2-5, four different types of localized liquid supply systems are illustrated. The liquid supply system disclosed in FIGS. 2 to 4 has been described above. Another proposed arrangement provides the liquid supply system with a barrier member that extends along at least part of the boundary of the space between the final element of the projection system and the substrate table. Such a configuration is illustrated in FIG.

[0037] 図５は、本体１２を有するバリア部材がある局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造を概略的に示す。本体１２は投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の文章で基板Ｗの表面に言及する場合、それは他に明記しない限り、追加的又は代替的に基板テーブルの表面も指すことに留意されたい。）流体ハンドリング構造は、投影システムに対してＸＹ面では実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってよい。実施形態では、本体１２と基板Ｗの表面との間にシールが形成され、流体シール、ガスシール又は毛管力シールのような非接触シールでよい。 FIG. 5 schematically illustrates a local liquid supply system or fluid handling structure with a barrier member having a body 12. The body 12 extends along at least part of the boundary of the space between the final element of the projection system and the substrate table WT or substrate W. (Note that in the following text, when referring to the surface of the substrate W, it also refers to the surface of the substrate table in addition or alternatively, unless stated otherwise.) Although it is substantially stationary on the XY plane, there may be some relative movement in the Z direction (the direction of the optical axis). In embodiments, a seal is formed between the body 12 and the surface of the substrate W and may be a contactless seal such as a fluid seal, a gas seal or a capillary force seal.

[0038] 本体１２は、投影システムＰＬの最終要素と基板Ｗの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に封じ込める。基板Ｗの表面と投影システムＰＬの最終要素の間の空間内に液体が閉じ込められるように、基板Ｗに対する非接触シール１６を、投影システムの像フィールドの周囲に形成することができる。空間は、投影システムＰＬの最終要素の下方に配置され、それを囲む本体１２によって少なくとも部分的に形成される。液体を、液体用開口１３を通して投影システムの下方で、本体１２内の空間に入れる。液体は、開口１３によって除去することができる。本体１２は投影システムの最終要素の少し上まで延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。実施形態では、本体１２は、その上端が投影システム又はその最終要素の形状に非常に一致することができる内周を有し、例えば円形でよい。底部では、内周が像フィールドの形状に非常に一致し、例えば長方形でよいが、そうである必要はない。 The main body 12 at least partially encloses the liquid in the space 11 between the final element of the projection system PL and the substrate W. A contactless seal 16 to the substrate W can be formed around the image field of the projection system so that liquid is confined in the space between the surface of the substrate W and the final element of the projection system PL. The space is at least partly formed by the body 12 which is located below and surrounds the final element of the projection system PL. Liquid enters the space within the body 12 through the liquid opening 13 below the projection system. Liquid can be removed by opening 13. The body 12 can extend slightly above the final element of the projection system. The liquid level rises above the final element so that a liquid buffer is provided. In an embodiment, the body 12 has an inner circumference whose upper end can very closely match the shape of the projection system or its final element, for example circular. At the bottom, the inner circumference closely matches the shape of the image field, for example it may be rectangular, but this need not be the case.

[0039] 液体は、使用中に本体１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシールは、気体、例えば空気又は合成空気によって形成されるが、実施形態ではＮ2又は別の不活性ガスによって形成される。ガスシール内の気体は、圧力下で気体入口用開口１５を介してバリア部材１２と基板Ｗの間のギャップに提供される。気体は気体出口用開口１４を介して抽出される。気体入口用開口１５への過剰圧力、気体出口用開口１４の真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流１６があるように構成される。本体１２と基板Ｗの間で液体にかかる気体の力が、液体を空間１１に封じ込める。気体出口及び入口用開口は、空間１１を囲む環状溝でよい。環状溝は連続的又は不連続的でよい。気体１６の流れは、液体を空間１１に封じ込めるのに有効である。このようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。 The liquid is confined in the space 11 by a gas seal 16 formed between the bottom of the main body 12 and the surface of the substrate W during use. The gas seal is formed by a gas, such as air or synthetic air, but in embodiments is formed by N 2 or another inert gas. The gas in the gas seal is provided to the gap between the barrier member 12 and the substrate W through the gas inlet opening 15 under pressure. The gas is extracted through the gas outlet opening 14. The overpressure on the gas inlet opening 15, the vacuum level of the gas outlet opening 14, and the gap geometry are configured so that there is an inward high velocity gas flow 16 confining the liquid. The force of the gas applied to the liquid between the main body 12 and the substrate W encloses the liquid in the space 11. The gas outlet and the inlet opening may be an annular groove surrounding the space 11. The annular groove may be continuous or discontinuous. The flow of the gas 16 is effective to contain the liquid in the space 11. Such a system is disclosed in United States patent application publication no. US 2004-0207824.

[0040] 本発明の実施形態は、メニスカスが特定の点を越えて前進するのを防止することを目的とする、流体ハンドリング構造内で使用する特定のタイプの抽出器に関する。つまり、本発明の実施形態は、液体メニスカスを所定の位置に釘付けにするメニスカス固定デバイスに関する。メニスカスは、投影システムの最終要素と、投影システムの最終要素に面する基板及び／又は基板テーブルの表面のような対向表面との間の空間内にある液体の縁部でよい。メニスカス固定構成は、例えば２００７年１１月３０日出願の米国特許出願ＵＳ１１／９８７，５６９号に記載されているいわゆるgas drag extractorの原理を利用する。そのシステムでは、抽出穴が有角形状に配置される。角はステップ及びスキャン方向に位置合わせされる。これは、２つの出口開口がステップ又はスキャンの方向に対して直角に位置合わせされた場合と比較して、ステップ又はスキャン方向の所与の速度について２つの出口間のメニスカスにかかる力を減少させる。しかし本発明の実施形態では、開口は有角形状に配置する必要はない。本発明の実施形態では、基板及び／又は基板テーブルの表面のような対向表面は、開口が設けられた表面に面している。 [0040] Embodiments of the present invention relate to a particular type of extractor for use in a fluid handling structure aimed at preventing the meniscus from advancing beyond a particular point. In other words, embodiments of the present invention relate to a meniscus fixation device that nails a liquid meniscus in place. The meniscus may be the edge of the liquid in the space between the final element of the projection system and the opposing surface, such as the surface of the substrate and / or substrate table facing the final element of the projection system. The meniscus fixing arrangement utilizes the principle of the so-called gas drag extractor described, for example, in US patent application US 11 / 987,569, filed November 30, 2007. In the system, the extraction holes are arranged in an angular shape. The corners are aligned with the step and scan directions. This reduces the force on the meniscus between the two outlets for a given velocity in the step or scan direction compared to when the two outlet openings are aligned perpendicular to the step or scan direction. . However, in the embodiment of the present invention, the openings need not be arranged in a square shape. In an embodiment of the invention, the opposing surface, such as the surface of the substrate and / or substrate table, faces the surface provided with openings.

[0041] 図６は、本発明の実施形態の流体ハンドリング構造又はシステムのメニスカス固定特徴部を平面図で概略的に示す。メニスカス固定デバイスの特徴部が図示され、これは例えば図５のメニスカス固定構成１４、１５、１６に取って代わるか、それを増強することができる。図６のメニスカス固定デバイスは、複数の別個の開口５０を備える。これらの開口５０はそれぞれ、円形として図示されているが、そうである必要はない。開口５０はそれぞれ、以下の形状、つまり円形、正方形、長方形、長円形、三角形、細長いスリットなどから選択された形状の１つにすることができる。複数の開口のうち、複数の開口が同様の形状を有するか、開口のうち少なくとも１つが他の形状とは異なる形状を有してよい。 [0041] FIG. 6 schematically illustrates, in plan view, a meniscus locking feature of a fluid handling structure or system according to an embodiment of the invention. The features of the meniscus fixation device are illustrated, which can replace or augment, for example, the meniscus fixation configuration 14, 15, 16 of FIG. The meniscus fixation device of FIG. 6 comprises a plurality of separate openings 50. Each of these openings 50 is illustrated as circular, but this need not be the case. Each of the openings 50 can be in one of the following shapes: a shape selected from a circle, square, rectangle, oval, triangle, elongated slit, and the like. Among the plurality of openings, the plurality of openings may have the same shape, or at least one of the openings may have a shape different from the other shapes.

[0042] 図６のメニスカス固定デバイスの各開口５０は、別個の低圧源に接続することができる。代替的又は追加的に、それぞれ又は複数の開口５０を、それ自体が低圧に保持された共通のチャンバ（環状でよい）に接続することができる。この方法で、それぞれ又は複数の開口５０にて、均一の低圧を達成することができる。所望の圧力差を生成するために、開口５０を真空源に接続することができる、及び／又は流体ハンドリング構造又はシステム（又は閉じ込め構造、バリア部材、本体又は液体供給システム）を囲む雰囲気の圧力を上昇させることができる。 [0042] Each opening 50 of the meniscus fixation device of FIG. 6 may be connected to a separate low pressure source. Alternatively or additionally, each or a plurality of openings 50 can be connected to a common chamber (which may be annular) that itself is held at a low pressure. In this way, a uniform low pressure can be achieved at each or a plurality of openings 50. To create the desired pressure differential, the opening 50 can be connected to a vacuum source and / or the pressure of the atmosphere surrounding the fluid handling structure or system (or confinement structure, barrier member, body or liquid supply system). Can be raised.

[0043] 図６の実施形態では、開口は流体抽出開口である。つまり、流体ハンドリング構造に入る気体、液体又は両方が通過するための入口である。つまり、この入口は空間１１からの出口と見なすことができる。これについて、以下でさらに詳細に説明する。 [0043] In the embodiment of FIG. 6, the aperture is a fluid extraction aperture. That is, an inlet for the passage of gas, liquid or both entering the fluid handling structure. That is, this entrance can be regarded as an exit from the space 11. This will be described in more detail below.

[0044] 開口５０は、流体ハンドリング構造の表面に形成される。その表面は、使用時には基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴに面している。実施形態では、開口５０は流体ハンドリング構造１２の平坦な表面にある。実施形態では、基板部材の底面に***が存在してよい。その実施形態では、開口は***内にあってよい。実施形態では、開口５０は針によって画定することができる。幾つかの針、例えば隣接する針の本体を、相互に接合することができる。針を相互に接合して、１つの本体を形成することができる。１つの本体が角の形状を形成することができる。 [0044] The opening 50 is formed in the surface of the fluid handling structure. The surface faces the substrate W and / or the substrate table WT when in use. In an embodiment, the opening 50 is in a flat surface of the fluid handling structure 12. In embodiments, a ridge may be present on the bottom surface of the substrate member. In that embodiment, the opening may be in the ridge. In an embodiment, the opening 50 can be defined by a needle. Several needles, for example the bodies of adjacent needles, can be joined together. Needles can be joined together to form a body. One body can form a corner shape.

[0045] 図７に見られるように、開口５０は例えば管又は細長い通路５５の端部でよい。開口５０は、使用時に基板Ｗに面するように配置することが望ましい。開口５０の縁部（つまり表面からの出口）は、実質的に基板Ｗの上面と平行である。開口は、使用時に基板Ｗ及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルＷＴに向かって配向される。その別の考え方は、開口５０が接続されている通路５５の縦軸が、基板Ｗの上面に対して実質的に直角（直角から±４５°以内、望ましくは３５°、２５°、さらには１５°以内）である、ということである。 As seen in FIG. 7, the opening 50 can be, for example, the end of a tube or elongated passage 55. It is desirable to arrange the opening 50 so as to face the substrate W in use. The edge (that is, the exit from the surface) of the opening 50 is substantially parallel to the upper surface of the substrate W. The opening is oriented toward the substrate W and / or the substrate table WT configured to support the substrate in use. Another way of thinking is that the longitudinal axis of the passage 55 to which the opening 50 is connected is substantially perpendicular to the upper surface of the substrate W (within ± 45 ° from the right angle, preferably 35 °, 25 °, or even 15 Is within °).

[0046] 各開口５０は、液体と気体の混合物を抽出するように設計される。液体は空間１１から抽出され、気体は開口５０の液体とは他方側にある雰囲気から抽出される。この抽出は、矢印１００に示すような気体の流れを生成する。この気体の流れは、メニスカス９０を図６に示すように開口５０間の実質的に所定の位置に釘付けるのに効果的である。気体の流れは、運動量の閉塞によって、気体の流れが誘発する圧力勾配によって、及び／又は液体上の気体の流れの抵抗（剪断）によって閉じ込められた液体を維持するのに役立つ。 [0046] Each opening 50 is designed to extract a mixture of liquid and gas. The liquid is extracted from the space 11, and the gas is extracted from the atmosphere on the other side of the liquid in the opening 50. This extraction produces a gas flow as indicated by arrow 100. This gas flow is effective in nailing the meniscus 90 in a substantially predetermined position between the openings 50 as shown in FIG. The gas flow helps to maintain the liquid confined by momentum occlusion, by the pressure gradient induced by the gas flow, and / or by the resistance (shear) of the gas flow over the liquid.

[0047] 開口５０は、流体ハンドリング構造１２が液体を供給する先である空間１１を囲む。つまり、開口５０は空間の周囲で実質的に継続的に離間される（しかし、以下で述べるように、隣接する開口５０間の間隔は変化してよい）。本発明の実施形態では、液体は、開口５０によって画定された液浸空間１１の全周で、例えば各開口５０を通して同時に抽出される。これが達成されるのは、開口５０が例えば空間１１を囲むように、（例えば有角形状などの閉じた形状で）空間の周囲に分布できるからである。有角形状のような形状の縁部は、線を形成することができる。線に沿って開口５０が分布することにより、開口の線形アレイを形成することができる。 [0047] The opening 50 surrounds the space 11 to which the fluid handling structure 12 supplies liquid. That is, the openings 50 are substantially continuously spaced around the space (but the spacing between adjacent openings 50 may vary, as will be described below). In an embodiment of the present invention, the liquid is extracted simultaneously, for example through each opening 50, all around the immersion space 11 defined by the openings 50. This is achieved because the openings 50 can be distributed around the space (for example, in a closed shape such as a square shape) so as to surround the space 11, for example. Edges of shapes such as angular shapes can form lines. Distribution of the apertures 50 along the line can form a linear array of apertures.

[0048] 図６及び図７に関して上述したように、開口５０を備える流体ハンドリング構造を使用する従来通りの液浸リソグラフィ装置では、力の外乱及び／又は振動が発生することがある。これらの力の外乱は、例えば位置決め及び焦点に影響することにより、基板の露光の精度及び／又は繰り返し性に悪影響を及ぼし得る。外乱力は、例えば流体抽出開口５０を通して抽出される２相抽出流によって発生する。 [0048] As described above with respect to FIGS. 6 and 7, in a conventional immersion lithographic apparatus using a fluid handling structure with an opening 50, force disturbances and / or vibrations may occur. These force disturbances can adversely affect the exposure accuracy and / or repeatability of the substrate, for example, by affecting positioning and focus. The disturbance force is generated by, for example, a two-phase extraction flow extracted through the fluid extraction opening 50.

[0049] ２相流体抽出に由来する２つの主な外乱力の源がある。第一の外乱源（以降、上流源と呼ぶ）は、２相流体抽出によって開口５０そのものにて発生する外乱力である。これは、開口５０を通る２相の流れによって引き起こされることがある。第二の外乱源（以降、下流源と呼ぶ）は、流体ハンドリング構造内で開口５０の下流で発生する外乱力である。例えば、このような外乱の下流源は、その後に移送される２相流体が通るダクト内の２相流によって発生することがある。代替的又は追加的に、下流外乱力は、開口５０にて低圧を発生するために使用される吸引デバイス（ポンプ）などによって、又は２相流体の流れの２つの相を分離するために使用される分離タンク内で、又はその両方で発生することがある。 [0049] There are two main sources of disturbance forces derived from two-phase fluid extraction. The first disturbance source (hereinafter referred to as upstream source) is a disturbance force generated at the opening 50 itself by two-phase fluid extraction. This may be caused by a two-phase flow through the opening 50. A second disturbance source (hereinafter referred to as a downstream source) is a disturbance force generated downstream of the opening 50 in the fluid handling structure. For example, downstream sources of such disturbances may be generated by a two-phase flow in a duct through which a two-phase fluid that is subsequently transferred passes. Alternatively or additionally, downstream disturbance forces are used, such as by a suction device (pump) used to generate a low pressure at the opening 50, or to separate the two phases of the two-phase fluid flow. May occur in the separation tank or both.

[0050] 上記で説明した２つの異なる源によって発生した外乱力（又は振動）は、基板Ｗの露光精度を低下させることがある。例えば、外乱力によって液浸リソグラフィ装置の部分（基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴ、及び／又は投影システムＰＳの部分など）が、例えば振動により制御不可の状態で動作することがある。これは、露光放射に対する基板の位置の精度を低下させることがある。その結果、基板Ｗの露光精度が低下することがある。 The disturbance force (or vibration) generated by the two different sources described above may reduce the exposure accuracy of the substrate W. For example, a part of the immersion lithographic apparatus (such as the substrate W and / or the substrate table WT and / or part of the projection system PS) may be operated out of control, for example by vibrations, due to disturbance forces. This can reduce the accuracy of the position of the substrate relative to the exposure radiation. As a result, the exposure accuracy of the substrate W may decrease.

[0051] 基板Ｗの露光精度は、追加的又は代替的に集光エラーに由来する力の外乱によって低下することがある。例えば、基板を配置すると（上述したように、所望の位置ではないこともある）、露光中に振動が基板の動き（例えば振動(vibrate)、揺れ(shake)又は揺動(oscillate)）を引き起こすことがある。これは、基板Ｗの露光精度に負の影響を及ぼすことがある。 [0051] The exposure accuracy of the substrate W may additionally or alternatively be reduced by force disturbances resulting from light collection errors. For example, when a substrate is placed (as described above, it may not be in the desired position), vibrations cause movement of the substrate (eg, vibrate, shake or oscillate) during exposure. Sometimes. This may negatively affect the exposure accuracy of the substrate W.

[0052] したがって外乱力が存在すると、図６及び図７に関して上述したようないわゆるメニスカス固定流体ハンドリング構造の有効性に深刻な障害となる。したがって、これらの外乱力によって与えられる問題を克服しようとして、多大な努力及び経費が払われている。 Thus, the presence of disturbance forces is a serious obstacle to the effectiveness of the so-called meniscus fixed fluid handling structure as described above with respect to FIGS. Therefore, great efforts and costs have been made to overcome the problems posed by these disturbance forces.

[0053] 本発明は流体抽出開口５０の特定の構成及び／又は幾何形状を提示する。これらの構成及び／又は幾何形状は、２相抽出流によって発生する望ましくない外乱力の問題に対処することが判明している。提示されている流体抽出開口５０の特定の構成及び／又は幾何形状は、以下で説明するように流体ハンドリング構造に幾つかの予想外の利点を与える。 [0053] The present invention presents a particular configuration and / or geometry of the fluid extraction aperture 50. These configurations and / or geometries have been found to address the problem of undesired disturbance forces caused by a two-phase extraction flow. The particular configuration and / or geometry of the fluid extraction opening 50 that is presented provides several unexpected advantages to the fluid handling structure as described below.

[0054] 図１０は、抽出開口５０の様々な異なるサイズ及び構成について、３σ力（ｙ軸、線形目盛）に対する周波数（ｘ軸、対数目盛）のグラフを示す。図１０に示すグラフは、実験的に測定したデータを使用して生成されている。３σ力は、所与の周波数にわたって測定した累積外乱力を表す。 [0054] FIG. 10 shows a graph of frequency (x-axis, logarithmic scale) versus 3σ force (y-axis, linear scale) for various different sizes and configurations of the extraction aperture 50. The graph shown in FIG. 10 is generated using experimentally measured data. The 3σ force represents the cumulative disturbance force measured over a given frequency.

[0055] ４つの異なる曲線Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの生成に使用した開口５０に幾何形状及び構成は、以下の通りである。 [0055] The geometry and configuration of the aperture 50 used to generate four different curves A, B, C, D are as follows.

[0056] 曲線Ａ：開口２８８個、各開口は０．２ｍｍ×０．２ｍｍ [0056] Curve A: 288 openings, each opening is 0.2 mm x 0.2 mm

[0057] 曲線Ｂ：開口１８４個、各開口は０．２５ｍｍ×０．２５ｍｍ [0057] Curve B: 184 openings, each opening is 0.25 mm x 0.25 mm

[0058] 曲線Ｃ：開口２８８個、各開口は０．２５ｍｍ×０．２５ｍｍ [0058] Curve C: 288 openings, each opening is 0.25 mm x 0.25 mm

[0059] 曲線Ｄ：開口１１２個、各開口は０．５ｍｍ×０．５ｍｍ [0059] Curve D: 112 openings, each opening is 0.5 mm x 0.5 mm

[0060] ４つの異なる曲線を生成するために使用した機器のパラメータのデータセットは、表１に提供されている。
[0060] A data set of instrument parameters used to generate four different curves is provided in Table 1.

[0061] 曲線Ａ〜Ｄの生成に使用された各開口５０の形状は、各事例で正方形であった。しかし、そうである必要はない。図８及び図９に関して以下で説明するように、正方形の開口ではなく異なる形状（円形、長方形又は三角形など）の開口を使用してもよい。各開口及び／又は全開口５０の面積及び間隔に関して本明細書で説明する利点は、以上で列挙したもの全部を含めて、任意の異なる形状の開口にも当てはまる。 [0061] The shape of each opening 50 used to generate the curves A to D was square in each case. But it doesn't have to be. As described below with respect to FIGS. 8 and 9, openings of different shapes (such as circular, rectangular or triangular) may be used rather than square openings. The advantages described herein with respect to the area and spacing of each opening and / or all openings 50 also apply to any differently shaped opening, including all of those listed above.

[0062] 外乱力に驚くほど大きい効果を与えることが判明している１つのパラメータは、各流体抽出開口５０の面積である。図１０の曲線ＡとＢの比較が、この点を表す。 [0062] One parameter that has been found to have a surprisingly large effect on disturbance forces is the area of each fluid extraction opening 50. Comparison of curves A and B in FIG. 10 represents this point.

[0063] 上述したように、曲線Ａは０．２ｍｍ×０．２ｍｍの寸法の流体抽出開口を使用して生成されている。したがって、各流体抽出開口５０は０．０４ｍｍ2の面積を有する。合計で２８８個の開口があるので、全流体抽出開口５０の総面積は１１．５２ｍｍ2である。比較して、曲線Ｂは０．２５ｍｍ×０．２５ｍｍの寸法の流体抽出開口を使用して生成されている。したがって、曲線Ｂの生成に使用された各流体抽出開口５０は０．０６２５ｍｍ2の面積を有する。曲線Ｂは１８４個の開口の幾何形状を使用して生成されたので、この事例の全流体抽出開口５０の総面積は１１．５ｍｍ2である。つまり曲線Ａを生成する幾何形状で使用された全流体抽出開口５０の総面積と事実上同じである（実際には総面積の０．２％以内である）。曲線ＡとＢの生成に使用された流体ハンドリング構造１２の幾何形状における他の材料パラメータは、全て同一である。したがって、曲線ＡとＢの幾何形状間にある外乱力測定値の差は全て、個々の各開口５０の面積における差に帰することができる。 [0063] As described above, curve A has been generated using a fluid extraction aperture with dimensions of 0.2 mm x 0.2 mm. Accordingly, each fluid extraction opening 50 has an area of 0.04 mm 2 . Since there are a total of 288 openings, the total area of all fluid extraction openings 50 is 11.52 mm 2 . In comparison, curve B has been generated using a fluid extraction aperture with dimensions of 0.25 mm × 0.25 mm. Thus, each fluid extraction aperture 50 used to generate curve B has an area of 0.0625 mm 2 . Since curve B was generated using a 184 aperture geometry, the total area of all fluid extraction apertures 50 in this case is 11.5 mm 2 . That is, it is virtually the same as the total area of all fluid extraction apertures 50 used in the geometry generating curve A (actually within 0.2% of the total area). All other material parameters in the geometry of the fluid handling structure 12 used to generate curves A and B are all the same. Thus, any difference in disturbance force measurements between the curves A and B geometry can be attributed to differences in the area of each individual opening 50.

[0064] 図１０に見られるように、例えば基板Ｗにて、又は液体閉じ込め構造上で測定した外乱力は、曲線Ａの生成に使用された幾何形状の方が曲線Ｂの生成に使用された幾何形状より大幅に小さい。したがって図１０は、抽出開口の所与の総面積について、外乱力は各流体抽出開口５０のサイズ（例えば面積）が減少するにつれて減少することを示す。 [0064] As seen in FIG. 10, for example, the disturbance force measured at the substrate W or on the liquid confinement structure, the geometry used to generate curve A was used to generate curve B. Much smaller than the geometric shape. Thus, FIG. 10 shows that for a given total area of extraction openings, the disturbance force decreases as the size (eg, area) of each fluid extraction opening 50 decreases.

[0065] 個々の各流体抽出開口５０の面積が小さすぎる場合、流体抽出に効果がないことがある。というのは、流体抽出が非能率的になり得るからである。これは、非常に小さい穴を通して生じる損失の増加に起因することがある。また、特定サイズ未満の穴を製造すると、重大な製造の問題を呈することがある。特定のサイズ未満の穴は、そのクリーニングに伴う問題により、望ましくないことがある。 [0065] If the area of each individual fluid extraction opening 50 is too small, fluid extraction may not be effective. This is because fluid extraction can be inefficient. This may be due to the increased loss that occurs through very small holes. Also, manufacturing holes less than a certain size can present significant manufacturing problems. Holes below a certain size may be undesirable due to problems with their cleaning.

[0066] 実施形態では、個々の各流体抽出開口の面積は０．１ｍｍ2以下でよい。実施形態では、個々の各流体抽出開口の面積は、０．０１ｍｍ2から０．１ｍｍ2の範囲とすることができる。この範囲は、特定サイズ未満の穴を有することに関する外乱力を減少させるという驚くような利点を与える。この範囲は、特定の値未満ではない開口の面積に伴う効率的な抽出ももたらす。実施形態では、各流体抽出開口５０の面積は０．０２ｍｍ2から０．０９ｍｍ2の範囲である。実施形態では、各流体抽出開口５０の面積は０．０４ｍｍ2から０．０６２５ｍｍ2の範囲である。実施形態では、各流体抽出開口５０の面積は０．０３ｍｍ2から０．０８ｍｍ2の範囲である。実施形態では、各流体抽出開口５０の面積は０．０４ｍｍ2から０．０７ｍｍ2の範囲である。実施形態では、各流体抽出開口５０の面積は約０．０５ｍｍ2である。実施形態では、各流体抽出開口５０の面積は約０．０６ｍｍ2 である。 [0066] In an embodiment, the area of each individual fluid extraction opening may be 0.1 mm 2 or less. In an embodiment, the area of each individual fluid extraction opening may range from 0.01 mm 2 to 0.1 mm 2 . This range provides the surprising advantage of reducing the disturbance forces associated with having holes below a certain size. This range also provides an efficient extraction with the area of the opening not less than a certain value. In the embodiment, the area of each fluid extraction opening 50 is in the range of 0.02 mm 2 of 0.09 mm 2. In the embodiment, the area of each fluid extraction opening 50 is in the range of 0.04 mm 2 of 0.0625 mm 2. In the embodiment, the area of each fluid extraction opening 50 is in the range of 0.03 mm 2 of 0.08 mm 2. In an embodiment, the area of each fluid extraction opening 50 ranges from 0.04 mm 2 to 0.07 mm 2 . In an embodiment, the area of each fluid extraction opening 50 is about 0.05 mm 2 . In an embodiment, the area of each fluid extraction opening 50 is about 0.06 mm 2 .

[0067] 上述したように、各流体抽出開口５０について記載された断面積の範囲を使用することに伴う利点は、任意の形状（例えば任意の２次元形状）を有する開口５０に当てはまる。例えば、各流体抽出開口５０は図８に示すように円形の断面を有することができる。図８では、円形の各流体抽出開口５０の直径（又は最大寸法）をｄと表示する。実施形態では、ｄの値は０．４ｍｍ以下とすることができる。実施形態では、ｄの値は０．１ｍｍから０．４ｍｍの範囲とすることができる。実施形態では、ｄの値は０．２ｍｍから０．３ｍｍの範囲、例えば０．２ｍｍ、０．２５ｍｍ及び０．３ｍｍとすることができる。実施形態では、図８に示す各円形開口５０の直径ｄは０．２５ｍｍである。別の実施形態では、ｄの値は０．０８ｍｍから０．３２ｍｍ、又は０．１５ｍｍから０．２５ｍｍ、又は０．１６ｍｍから０．２４ｍｍの範囲とすることができる。 [0067] As noted above, the advantages associated with using the cross-sectional area ranges described for each fluid extraction aperture 50 apply to apertures 50 having any shape (eg, any two-dimensional shape). For example, each fluid extraction opening 50 may have a circular cross section as shown in FIG. In FIG. 8, the diameter (or the maximum dimension) of each circular fluid extraction opening 50 is denoted by d. In the embodiment, the value of d can be 0.4 mm or less. In an embodiment, the value of d can be in the range of 0.1 mm to 0.4 mm. In an embodiment, the value of d can be in the range of 0.2 mm to 0.3 mm, such as 0.2 mm, 0.25 mm, and 0.3 mm. In the embodiment, the diameter d of each circular opening 50 shown in FIG. 8 is 0.25 mm. In another embodiment, the value of d can range from 0.08 mm to 0.32 mm, or from 0.15 mm to 0.25 mm, or from 0.16 mm to 0.24 mm.

[0068] 実施形態では、各開口５０は正方形とすることができる。このような実施形態が図９に図示されている。図９では、正方形の開口５０の各辺の長さ（又は最大側部寸法）がｘとして与えられている。実施形態では、正方形開口５０の各辺の長さｘは０．４ｍｍ以下とすることができる。実施形態では、正方形開口５０の各辺の長さｘは０．１ｍｍから０．４ｍｍの範囲とすることができる。実施形態では、正方形開口５０の各辺の長さｘは０．２ｍｍから０．３ｍｍの範囲、例えば０．２ｍｍ、０．２５ｍｍ及び０．３ｍｍとすることができる。実施形態では、正方形開口５０の各辺の長さｘは０．２５ｍｍである。 [0068] In an embodiment, each opening 50 may be square. Such an embodiment is illustrated in FIG. In FIG. 9, the length (or maximum side dimension) of each side of the square opening 50 is given as x. In the embodiment, the length x of each side of the square opening 50 can be 0.4 mm or less. In the embodiment, the length x of each side of the square opening 50 can be in the range of 0.1 mm to 0.4 mm. In the embodiment, the length x of each side of the square opening 50 can be in the range of 0.2 mm to 0.3 mm, for example, 0.2 mm, 0.25 mm, and 0.3 mm. In the embodiment, the length x of each side of the square opening 50 is 0.25 mm.

[0069] 正方形、長方形又は細長い形状（例えば細長いスリット）などの直線の辺を有する形状の開口は、最大側部寸法で言及される。円形又は長円のように直線の側部がない形状の開口は、最大寸法で言及される。したがって、本明細書で最大寸法に言及する場合、それはｄとｘの両方に言及している。さらなる実施形態では、開口５０の最大断面寸法は０．１ｍｍから０．４ｍｍの範囲とすることができる。直線の形状では、最大断面寸法はその最大寸法である最長辺であり、側部が湾曲した形状では、最長断面寸法はその最大寸法である最長軸である。実施形態では、直線形状の開口５０の最長辺は０．２ｍｍから０．３ｍｍの範囲、例えば０．２ｍｍ、０．２５ｍｍ及び０．３ｍｍとすることができる。 [0069] Openings with shapes that have straight sides, such as squares, rectangles, or elongated shapes (eg, elongated slits) are referred to with maximum side dimensions. Openings that have no straight sides, such as circles or ovals, are referred to by their maximum dimensions. Thus, when referring to the maximum dimension herein, it refers to both d and x. In a further embodiment, the maximum cross-sectional dimension of the opening 50 can range from 0.1 mm to 0.4 mm. In the straight shape, the maximum cross-sectional dimension is the longest side that is the maximum dimension, and in the shape in which the side is curved, the longest cross-sectional dimension is the longest axis that is the maximum dimension. In an embodiment, the longest side of the linear opening 50 can be in the range of 0.2 mm to 0.3 mm, such as 0.2 mm, 0.25 mm, and 0.3 mm.

[0070] 本発明によって示された外乱力減少の利点は、所与の数の流体抽出開口５０、又は所与の長さの流体抽出開口の線形構成について、各開口５０間に最大距離（つまり最大ピッチ又は間隔）を有することによって提供することができる。隣接する開口間のピッチは、隣接する開口の類似する特徴部間の距離でよい。実施形態では、類似した特徴部とは、開口５０の幾何中心のような開口の中心である。実施形態では、本明細書で述べる開口５０の任意の幾何形状及び／又は寸法のピッチは、０．４ｍｍから２ｍｍの範囲である。実施形態では、本明細書で述べる開口５０の任意の幾何形状及び／又は寸法のピッチは、０．５ｍｍから１．５ｍｍの範囲である。実施形態では、本明細書で述べる開口５０の任意の幾何形状及び／又は寸法のピッチは、０．７ｍｍから１ｍｍの範囲である。つまり、開口５０の線形構成１メートル当たりの流体抽出開口５０の数は、重要なパラメータになり得る。本発明の実施形態は、圧力低下が最適化された動作状態の範囲内にある場合に、開口５０で圧力が低下する状態で動作することが望ましい。抽出開口の総面積が小さすぎる場合、加えられる圧力低下は高すぎる。開口の総面積が大きすぎる場合、圧力低下は小さすぎて有効ではない。したがって、総面積は特定のシステムにとって重要である。単位長さ当たりの総面積、及び開口の所定の寸法について単位長さ当たりの開口数はそれぞれ、特定のシステム構成に関係なく、本発明の圧力低下の実際的な動作範囲を達成するのに役立つパラメータである。実施形態では、１メートル当たりの流体抽出開口５０の数は５００ｍ-1から２５００ｍ-1の範囲である。実施形態では、１メートル当たりの流体抽出開口５０の数は１０００ｍ-1から２０００ｍ-1の範囲である。実施形態では、１メートル当たりの流体抽出開口５０の数は約１５００ｍ-1である。 [0070] The disturbance force reduction advantage demonstrated by the present invention is that for a given number of fluid extraction apertures 50, or a linear configuration of fluid extraction apertures of a given length, the maximum distance between each aperture 50 (ie, Maximum pitch or spacing). The pitch between adjacent openings may be the distance between similar features of adjacent openings. In an embodiment, the similar feature is the center of the opening, such as the geometric center of the opening 50. In embodiments, the pitch of any geometry and / or dimensions of the openings 50 described herein is in the range of 0.4 mm to 2 mm. In embodiments, the pitch of any geometry and / or dimension of the openings 50 described herein is in the range of 0.5 mm to 1.5 mm. In embodiments, the pitch of any geometry and / or dimensions of the openings 50 described herein is in the range of 0.7 mm to 1 mm. That is, the number of fluid extraction openings 50 per meter of linear configuration of openings 50 can be an important parameter. Embodiments of the present invention desirably operate in a state where the pressure is reduced at the opening 50 when the pressure drop is within the range of optimized operating conditions. If the total area of the extraction openings is too small, the applied pressure drop is too high. If the total area of the openings is too large, the pressure drop is too small to be effective. Thus, the total area is important for a particular system. The total area per unit length and the number of apertures per unit length for a given dimension of the aperture each help to achieve the practical operating range of pressure drop of the present invention, regardless of the specific system configuration. It is a parameter. In an embodiment, the number of fluid extraction openings 50 per meter ranges from 500 m −1 to 2500 m −1 . In an embodiment, the number of fluid extraction openings 50 per meter ranges from 1000 m −1 to 2000 m −1 . In an embodiment, the number of fluid extraction openings 50 per meter is about 1500 m −1 .

[0071] 基板Ｗにて測定される外乱力に予想外の重要な効果を与えると判明したパラメータは、全流体抽出開口５０の総面積である。図１０の曲線Ｃ及びＢはこの点を示す。曲線Ｃは、それぞれが０．２５ｍｍ×０．２５ｍｍの寸法を有する３８８個の正方形の流体抽出開口５０を使用して生成されている。したがって、曲線Ｃの生成に使用される全流体抽出開口５０の総面積は１８ｍｍ2である。曲線Ｂは、それぞれが曲線Ｃの生成に使用されたのと同じ寸法、つまり０．２５ｍｍ×０．２５ｍｍの寸法を有する１８４個の正方形の流体抽出開口５０を使用して生成された。したがって、曲線Ｂの生成に使用される全流体抽出開口５０の総面積は１１．５ｍｍ2である。曲線Ｂ及びＣの生成に使用される流体ハンドリング構造１２の幾何形状の他の材料パラメータは同一である。 A parameter that has been found to have an unexpected and important effect on the disturbance force measured on the substrate W is the total area of all fluid extraction openings 50. Curves C and B in FIG. 10 illustrate this point. Curve C is generated using 388 square fluid extraction apertures 50 each having a dimension of 0.25 mm × 0.25 mm. Therefore, the total area of all fluid extraction openings 50 used to generate curve C is 18 mm 2 . Curve B was generated using 184 square fluid extraction apertures 50 each having the same dimensions used to generate curve C, ie, 0.25 mm × 0.25 mm. Accordingly, the total area of all fluid extraction openings 50 used to generate curve B is 11.5 mm 2 . Other material parameters of the geometry of the fluid handling structure 12 used to generate curves B and C are the same.

[0072] 図１０は、全流体抽出開口５０の総面積を曲線Ｃから曲線Ｂで１８ｍｍ2から１１．５ｍｍ2へと減少させると、基板Ｗに伝達される外乱力が有意に減少することを示す。したがって、流体抽出開口５０の総面積が減少すると、基板Ｗに伝達される外乱力を減少させることができる。 [0072] FIG. 10 is, decreasing from 18 mm 2 to 11.5 mm 2 in the curve B the total area of all fluid extraction opening 50 from the curve C, and that the disturbance force transmitted to the substrate W is significantly reduced Show. Accordingly, when the total area of the fluid extraction opening 50 is reduced, the disturbance force transmitted to the substrate W can be reduced.

[0073] しかし、流体抽出開口５０の総面積は、特定の最低値未満に減少させないことが好ましい。というのは、総面積が特定の値を下回ると、流体抽出が無効になり得るからである。これは、流体抽出の非効率性に起因することがある。例えばこれは、非常に小さい面積を通して流体を抽出することにより発生する過度の損失に起因することがある。 [0073] However, the total area of the fluid extraction openings 50 is preferably not reduced below a certain minimum value. This is because fluid extraction can be disabled if the total area falls below a certain value. This may be due to fluid extraction inefficiencies. For example, this may be due to excessive losses caused by extracting fluid through a very small area.

[0074] 実施形態では、全流体抽出開口５０の組み合わせた総面積は３０ｍｍ2以下、好ましくは２０ｍｍ2未満とすることができる。実施形態では、全流体抽出開口５０の組み合わせた総面積は２ｍｍ2から３０ｍｍ2の範囲である。実施形態では、全流体抽出開口５０の組み合わせた総面積は２ｍｍ2から２０ｍｍ2の範囲である。実施形態では、全流体抽出開口５０の組み合わせた総面積は５ｍｍ2から１８ｍｍ2の範囲である。実施形態では、全流体抽出開口５０の組み合わせた総面積は７ｍｍ2から１５ｍｍ2の範である。実施形態では、全流体抽出開口５０の組み合わせた総面積は９ｍｍ2から１３ｍｍ2の範囲である。実施形態では、全流体抽出開口５０の組み合わせた総面積は約１１．５ｍｍ2である。 [0074] In an embodiment, the combined total area of all fluid extraction openings 50 may be 30 mm 2 or less, preferably less than 20 mm 2 . In an embodiment, the combined total area of all fluid extraction openings 50 ranges from 2 mm 2 to 30 mm 2 . In an embodiment, the combined total area of all fluid extraction openings 50 ranges from 2 mm 2 to 20 mm 2 . In an embodiment, the combined total area of all fluid extraction openings 50 ranges from 5 mm 2 to 18 mm 2 . In an embodiment, the combined total area of all fluid extraction openings 50 ranges from 7 mm 2 to 15 mm 2 . In an embodiment, the combined total area of all fluid extraction openings 50 ranges from 9 mm 2 to 13 mm 2 . In an embodiment, the combined total area of all fluid extraction openings 50 is about 11.5 mm 2 .

[0075] 実施形態によれば、本発明の利点は、特定サイズ（例えば面積）である幾つかの開口５０を有することによって提供されると言うことができ、開口の絶対数は特定の範囲内及び／又は特定の値未満である。 [0075] According to embodiments, it can be said that the advantages of the present invention are provided by having several openings 50 that are of a certain size (eg area), the absolute number of openings being within a certain range. And / or less than a certain value.

[0076] 以上で説明したように、各流体抽出開口５０の面積及び全流体抽出開口５０の総面積は、基板Ｗにおける外乱力に予想外の重要な効果を与える。（本明細書で基板Ｗに加えられる外乱力に言及する場合、それは反対の表現がない限り基板テーブルＷＴ又は基板テーブルＷＴと基板Ｗの両方に加えられる外乱力への言及も含むことに留意されたい。）各流体抽出開口５０の面積及び全流体抽出開口５０の総面積は、以上で検討したように、互いとは別個に、基板Ｗに提供される外乱力に重要な効果を与えることがある。しかし、図１０の曲線Ａ、Ｂ及びＣは、この２つの効果が一緒に作用し得ることを示す。 [0076] As described above, the area of each fluid extraction opening 50 and the total area of all fluid extraction openings 50 have an unexpected and important effect on the disturbance force in the substrate W. (It is noted that when reference is made herein to disturbance forces applied to the substrate W, it also includes references to the disturbance force applied to the substrate table WT or both the substrate table WT and the substrate W, unless there is an opposite expression. The area of each fluid extraction aperture 50 and the total area of all fluid extraction apertures 50 can have a significant effect on the disturbance forces provided to the substrate W separately from each other, as discussed above. is there. However, curves A, B and C in FIG. 10 show that the two effects can work together.

[0077] 特に曲線Ｃの幾何形状から曲線Ｂの幾何形状に示された外乱力の減少は、全流体抽出開口５０の総面積が減少した結果であると説明することができる。というのは、以上で説明したように、曲線ＢとＣの生成に使用された個々の開口は同一であるが、曲線Ｂの生成に使用された幾何形状の方が曲線Ｃの生成に使用された幾何形状より開口５０が少ない（１８４の開口対２８８個の開口）ので、全流体抽出開口の総面積は曲線Ｃから曲線Ｂで減少するからである。総面積の減少量は１８ｍｍ2から１１．５ｍｍ2である。 [0077] In particular, the decrease in the disturbance force shown from the geometric shape of the curve C to the geometric shape of the curve B can be explained as a result of a decrease in the total area of the total fluid extraction opening 50. This is because, as explained above, the individual apertures used to generate curves B and C are the same, but the geometry used to generate curve B is used to generate curve C. This is because the total area of all fluid extraction openings decreases from curve C to curve B because there are fewer openings 50 than the previous geometry (184 openings vs. 288 openings). The total area reduction is 18 mm 2 to 11.5 mm 2 .

[0078] 全流体抽出開口５０の総面積における非常に類似した減少が、曲線Ｃの生成に使用された幾何形状と比較して、曲線Ａの生成に使用された幾何形状の変化にも当てはまる。この場合、実際の減少量は曲線Ｃの１８ｍｍ2から曲線Ａの１１．５２ｍｍ2である。しかし図１０に示すように、例えば基板Ｗにおける、又は流体閉じ込め構造１２上での液浸システム内の外乱力の減少量は、曲線Ｃと曲線Ｂの間よりも曲線Ｃと曲線Ａの間の方がはるかに大きい。というのは、曲線Ｂの幾何形状に与えられたのと同じ総面積の減少量に加えて、曲線Ａでは個々の各流体抽出開口５０の面積も０．０６２５ｍｍ2から０．０４ｍｍ2に減少しているからである。（ｉ）全流体抽出開口５０の総面積、及び（ｉｉ）個々の各流体抽出開口５０の面積の両方を減少させることの複合効果は、曲線Ｃから曲線Ａへの外乱力の減少量が、曲線Ｃから曲線Ｂへの外乱力の減少量より大きいということである。 [0078] A very similar decrease in the total area of all fluid extraction apertures 50 applies to the change in geometry used to generate curve A as compared to the geometry used to generate curve C. In this case, the actual reduction is 11.52Mm 2 curve A from 18 mm 2 of curve C. However, as shown in FIG. 10, for example, the amount of disturbance force reduction in the immersion system at the substrate W or on the fluid confinement structure 12 is between the curves C and A rather than between the curves C and B. Is much bigger. In addition to decreasing the amount of the same total area as given on the geometry of the curve B, the area of each individual fluid extraction opening 50 in the curve A also decreased from 0.0625 mm 2 to 0.04 mm 2 because Because. The combined effect of reducing both (i) the total area of all fluid extraction openings 50 and (ii) the area of each individual fluid extraction opening 50 is that the amount of disturbance force reduction from curve C to curve A is: That is, the amount of disturbance force decreasing from the curve C to the curve B is larger.

[0079] 開口５０は線に沿って、例えば線形アレイの形態で分布してよい。このような線は、閉じた形状の縁部とすることができる。線、例えば線形アレイ（つまり線形構成）に沿った１メートル当たりの開口５０の総抽出面積は、基板Ｗに伝達される外乱力に重大な影響を及ぼすことがある。実施形態では、１メートル当たりの開口５０の総抽出面積は、２５ｍｍ2ｍ-1から１００ｍｍ2ｍ-1の範囲である。実施形態では、１メートル当たりの開口５０の総抽出面積は４０ｍｍ2ｍ-1から９０ｍｍ2ｍ-1、望ましくは５０ｍｍ2ｍ-1から８５ｍｍ2ｍ-1、さらに望ましくは６０ｍｍ2ｍ-1から８０ｍｍ2ｍ-1、又はさらに６５ｍｍ2ｍ-1から７５ｍｍ2ｍ-1の範囲である。 [0079] The openings 50 may be distributed along the line, for example in the form of a linear array. Such a line can be a closed edge. The total extracted area of openings 50 per meter along a line, eg, a linear array (ie, linear configuration), can have a significant impact on the disturbance forces transmitted to the substrate W. In an embodiment, the total extraction area of the openings 50 per meter ranges from 25 mm 2 m −1 to 100 mm 2 m −1 . In an embodiment, the total extraction area of openings 50 per meter is from 40 mm 2 m −1 to 90 mm 2 m −1 , desirably 50 mm 2 m −1 to 85 mm 2 m −1 , more desirably 60 mm 2 m −1. It is in the range of 80 mm 2 m −1 or even 65 mm 2 m −1 to 75 mm 2 m −1 .

[0080] 図１０は、曲線Ａ、Ｂ及びＣの生成に使用された流体ハンドリング構造内の開口５０の幾何形状及び構成は、曲線Ｄの生成に使用された流体抽出開口５０の幾何形状及び構成と比較して、基板Ｗに加えられる外乱力の大幅な減少を生じることを示す。以上の説明に留意すると、これは予想されることである。というのは、曲線Ｄの生成に使用される幾何形状は全流体抽出開口５０の総面積が最大で（２８ｍｍ2）、個々の各流体抽出開口５０の面積も最大（０．２５ｍｍ2）だからである。つまり、曲線Ｄの生成に使用される幾何形状は、４つの異なる曲線の生成に使用される４つの異なる幾何形状のうち、このタイプの従来通りの流体ハンドリングシステムの幾何形状に最も近いが、この幾何形状は従来通りの流体ハンドリングシステムの幾何形状と同じではない。 [0080] FIG. 10 shows the geometry and configuration of the opening 50 in the fluid handling structure used to generate curves A, B, and C. The geometry and configuration of the fluid extraction aperture 50 used to generate curve D It shows that a significant decrease in the disturbance force applied to the substrate W occurs. Keeping the above description in mind, this is expected. This is because the geometry used to generate curve D has the maximum total area of all fluid extraction openings 50 (28 mm 2 ) and the area of each individual fluid extraction opening 50 is also maximum (0.25 mm 2 ). is there. That is, the geometry used to generate curve D is closest to the geometry of this type of conventional fluid handling system among the four different geometries used to generate four different curves. The geometry is not the same as that of a conventional fluid handling system.

[0081] 曲線Ａ、Ｂ及びＣに関して述べた流体抽出開口の様々な構成は、開口のサイズ及び開口のピッチに様々な寸法を有する開口の線形アレイ状に構成された開口を有する。実施形態では、アレイの単位長当たりの開口数は異なってよい。したがって、考察される開口の様々な構成は、例えば液浸空間１１の周囲など、同じ長さのアレイにわたって画定される総面積を有する。したがって、流体抽出開口の総面積は、ある単位長にわたる抽出開口の面積密度として表すことができる。したがって、開口の面積密度は、隣接する開口間の開口ピッチ、各開口の断面積及び／又は単位長当たりの開口数というパラメータに依存してよい。 [0081] The various configurations of fluid extraction apertures described with respect to curves A, B, and C have apertures configured in a linear array of apertures having various dimensions in aperture size and aperture pitch. In embodiments, the numerical aperture per unit length of the array may be different. Accordingly, the various configurations of the apertures considered have a total area defined over an array of the same length, eg, around the immersion space 11. Thus, the total area of the fluid extraction openings can be expressed as the area density of the extraction openings over a unit length. Thus, the area density of the openings may depend on parameters such as the opening pitch between adjacent openings, the cross-sectional area of each opening and / or the number of openings per unit length.

[0082] 総称的用語では、特定の範囲内の面積密度を有する抽出開口５０のアレイによって、これらの利点を達成することができる。開口のアレイはそれぞれ、例えば開口の断面積、アレイ内の開口のピッチ及び数などのパラメータによって画定することができる。各パラメータは特定の範囲内でよい。 [0082] In generic terms, these advantages can be achieved by an array of extraction apertures 50 having an area density within a particular range. Each array of openings can be defined by parameters such as, for example, the cross-sectional area of the openings, the pitch and number of openings in the array. Each parameter may be within a specific range.

[0083] 上述した流体抽出開口５０の構成及び幾何形状を使用すると、基板Ｗに伝達される外乱力の減少がある。減少の理由は、各流体抽出開口５０を通る流体の流速の上昇であり得ると考えられる。速度の上昇は面積の減少に起因し得る。これは、全開口５０の総面積の減少でもよい。追加的又は代替的に、個々の各開口５０の面積が減少してよい。２相流の速度が全体的に上昇してよい。２相流のうち液体相の速度が上昇してよい。２相流のうち気体の速度が上昇してよい。２相流のうち気体相の流速の比例的な上昇は、２相流のうち液体相の速度の比例的な上昇より大きいと考えられる。 [0083] Using the configuration and geometry of the fluid extraction aperture 50 described above, there is a reduction in the disturbance force transmitted to the substrate W. It is believed that the reason for the decrease may be an increase in fluid flow rate through each fluid extraction opening 50. The increase in speed can be attributed to a decrease in area. This may be a reduction in the total area of all openings 50. Additionally or alternatively, the area of each individual opening 50 may be reduced. The speed of the two-phase flow may increase overall. The speed of the liquid phase may increase in the two-phase flow. The gas velocity may increase in the two-phase flow. The proportional increase in the flow rate of the gas phase in the two-phase flow is considered to be greater than the proportional increase in the velocity of the liquid phase in the two-phase flow.

[0084] 開口５０を通る流体の速度上昇は、流体中の外乱力（振動など）を減衰又は阻止するように作用できると考えられる。その結果、基板Ｗが経験する外乱力が減少する。 [0084] It is believed that an increase in the velocity of the fluid through the opening 50 can act to damp or prevent disturbance forces (such as vibrations) in the fluid. As a result, the disturbance force experienced by the substrate W is reduced.

[0085] 以上で説明したように、提案された流体抽出開口５０の特定の幾何形状及び／又は構成は、外乱力に驚くほど大きい効果を与えることが判明している。特に、開口５０の総面積及び／又は個々の各開口５０の面積が特定のレベル未満に減少した場合に、そうなることが判明している。というのは、外乱力の上流源と外乱力の下流源との両方が、上述した開口の幾何形状及び構成では予想外に減少しているからである。 [0085] As explained above, the particular geometry and / or configuration of the proposed fluid extraction aperture 50 has been found to have a surprisingly large effect on disturbance forces. In particular, it has been found that this is the case when the total area of the openings 50 and / or the area of each individual opening 50 is reduced below a certain level. This is because both the upstream source of disturbance forces and the downstream source of disturbance forces are unexpectedly reduced with the aperture geometry and configuration described above.

[0086] 本明細書で説明する流体抽出開口５０の幾何形状及び構成の結果、流体抽出開口５０の従来通りの幾何形状及び構成の場合よりも安定したメニスカス９０が生成される。その利点は、基板Ｗと流体ハンドリング構造１２の間のギャップを減少できることである。追加的又は代替的利点は、スキャン速度（つまり露光中の基板Ｗと投影システムＰＳとの相対速度）を、液滴及び／又は気泡の形成がない状態で上げられることである。液滴が形成され、開口５０によって画定されたメニスカス９０から逃げることがある。（本明細書で表面上の液滴に言及した場合、液体の薄膜にも言及していることがあるのを留意されたい。）例えば接触している基板及び／又は基板テーブル上に存在する液滴がメニスカス９０と接触する、例えば衝突することによって、液浸空間１１内に気泡が形成されることがある。このような液滴及び／又は気泡は、欠陥の源になるなど、露光に悪影響を及ぼすことがある。例えば、気泡は、露光放射ビームがそれを通過する場合、その特性に影響する、例えばそれを減衰することがあり、したがって不良フィーチャを生成することがある。基板上の液滴は汚れを引き起こし、それによって基板の少なくとも部分が使用不能になる、つまり不良になるか、例えば汚染などの欠陥の現になることがある。欠陥の発生率が高い基板は棄却されることがある。 [0086] As a result of the geometry and configuration of the fluid extraction aperture 50 described herein, a more stable meniscus 90 is produced than with the conventional geometry and configuration of the fluid extraction aperture 50. The advantage is that the gap between the substrate W and the fluid handling structure 12 can be reduced. An additional or alternative advantage is that the scanning speed (ie the relative speed between the substrate W during exposure and the projection system PS) can be increased without the formation of droplets and / or bubbles. Droplets may form and escape from the meniscus 90 defined by the openings 50. (Note that when we refer to droplets on a surface herein, we may also refer to a thin film of liquid.) For example, liquid present on a contacting substrate and / or substrate table. Bubbles may be formed in the immersion space 11 when the droplet contacts the meniscus 90, for example, collides with the meniscus 90. Such droplets and / or bubbles can adversely affect exposure, such as being a source of defects. For example, a bubble can affect its properties, for example, attenuate it when the exposure radiation beam passes through it, and can thus produce bad features. Droplets on the substrate can cause fouling, which can render at least a portion of the substrate unusable, i.e., defective, or exhibit defects such as contamination. A substrate with a high defect rate may be rejected.

[0087] 本明細書で述べる幾何形状及び構成を有する流体抽出開口５０を設けることのさらなる利点は、流体抽出開口５０の周囲で気体に運ばれることがある液浸液の小さい体積又は細かい液滴（以降ではミストと呼ぶ）の生成が減少することである。従来、このようなミストはこのタイプの流体ハンドリング構造に重大な制限を与える。ミストは、例えば液浸システムから逃げる場合、リソグラフィ装置への損傷の危険を生じることがある。液浸システムの外側のコンポーネントは、ミストを含む雰囲気を有する環境で動作するように適応していないことがある。このようなコンポーネントは、このような環境で故障することがある。ミストは、基板Ｗに接触し、集まることがある（例えば基板Ｗ上に落下するか、着陸することがある）。ミストは、基板の表面上に液滴を形成することがあり、例えば乾燥汚れの形成など、本明細書で述べる欠陥問題につながる。 [0087] A further advantage of providing a fluid extraction aperture 50 having the geometry and configuration described herein is that a small volume or fine droplet of immersion liquid that may be carried into the gas around the fluid extraction aperture 50 (Hereinafter referred to as mist) is reduced. Traditionally, such mists impose significant limitations on this type of fluid handling structure. Mist can create a risk of damage to the lithographic apparatus, for example, if it escapes from an immersion system. Components outside the immersion system may not be adapted to operate in an environment having an atmosphere containing mist. Such components can fail in such an environment. The mist may come into contact with the substrate W and collect (for example, it may fall on the substrate W or land). Mist can form droplets on the surface of the substrate, leading to defect problems described herein, such as the formation of dry dirt.

[0088] このようなミスト生成の減少は、より安定した２相流が本明細書で述べる幾何形状及び／又は構成の流体抽出出口で生成されている結果であると考えることができる。特に、このような開口を通る２相は、気体相と液体相のよりよい分離を呈することができる。 [0088] Such a reduction in mist generation can be considered a result of a more stable two-phase flow being generated at the fluid extraction outlet of the geometry and / or configuration described herein. In particular, the two phases passing through such openings can exhibit a better separation of the gas phase and the liquid phase.

[0089] 図６から図９及び図１１から図１３に関して以上で説明したように、流体抽出開口５０の幾何形状及び構成は、流体抽出開口５０の様々な平面図形（又は開口５０によって固定されたメニスカスの平面図形）に適用することができる。流体抽出開口５０の幾何形状及び構成は、流体抽出開口５０の任意の安定した平面図形構成に適用することができる。平面図形構成は、図６から図９及び図１１から図１３に関して述べた構成に制限されない。 [0089] As described above with respect to FIGS. 6-9 and 11-13, the geometry and configuration of the fluid extraction aperture 50 is fixed by the various planar shapes (or apertures 50) of the fluid extraction aperture 50. It can be applied to a meniscus plane figure). The geometry and configuration of the fluid extraction aperture 50 can be applied to any stable planar graphic configuration of the fluid extraction aperture 50. The planar graphic configuration is not limited to the configurations described with reference to FIGS. 6 to 9 and FIGS. 11 to 13.

[0090] 実施形態では、複数の流体抽出開口によって画定された形状の周囲合計は、１５０ｍｍから４００ｍｍ、好ましくは２００ｍｍから３００ｍｍの範囲である。 [0090] In an embodiment, the perimeter sum of the shape defined by the plurality of fluid extraction openings ranges from 150 mm to 400 mm, preferably from 200 mm to 300 mm.

[0091] 図６のような実施形態では、開口５０は、平面図で有角形状（つまり角５２がある形状）を形成するように配置される。図６の場合、これは湾曲した縁部又は辺５４がある正方形の形状である。縁部５４は負の曲率半径を有する。つまり、角５２から離れた領域で有角形状の中心に向かって湾曲している。 In the embodiment as shown in FIG. 6, the openings 50 are arranged so as to form a cornered shape (that is, a shape with corners 52) in a plan view. In the case of FIG. 6, this is a square shape with curved edges or sides 54. The edge 54 has a negative radius of curvature. That is, it is curved toward the center of the angular shape in a region away from the corner 52.

[0092] 正方形は、投影システムの下で基板Ｗが移動する主要方向に位置合わせされた主軸１１０、１２０を有する。これは、開口５０を円形形状に構成した場合よりも最高スキャン速度が速くなることを保証するのに役立つ。というのは、２つの開口５０間でメニスカスにかかる力がｃｏｓθの率で減少するからである。ここでθは、基板Ｗの移動方向に対して２つの開口５０を結ぶ線が作る角度である。 [0092] The square has principal axes 110, 120 aligned in a major direction in which the substrate W moves under the projection system. This helps to ensure that the maximum scanning speed is faster than when the aperture 50 is configured in a circular shape. This is because the force applied to the meniscus between the two openings 50 decreases at a rate of cos θ. Here, θ is an angle formed by a line connecting the two openings 50 with respect to the moving direction of the substrate W.

[0093] したがって、正方形を使用することにより、ステップ及びスキャン方向での動作を等しい最高速度にすることができる。方向の一方、例えばスキャン方向での動作がステップ方向での動作より速いことが望ましい場合は、菱形を使用することができる。このような構成では、菱形の主軸をスキャン方向と位置合わせすることができる。菱形の場合、各角は鋭角でよいが、菱形の隣接する２辺間の角度は、例えばステップ方向で鈍角でよい。つまり９０°より大きい（例えば約９０°から１２０°の範囲、実施形態では９０°から１０５°の範囲、又は実施形態では８５°から１０５°の範囲である）。 [0093] Thus, by using a square, the operation in the step and scan directions can be at the same maximum speed. If it is desired that movement in one of the directions, for example in the scanning direction, is faster than movement in the step direction, a diamond can be used. In such a configuration, the rhombus principal axis can be aligned with the scan direction. In the case of a rhombus, each angle may be an acute angle, but the angle between two adjacent sides of the rhombus may be an obtuse angle in the step direction, for example. That is, it is greater than 90 ° (eg, in the range of about 90 ° to 120 °, in the range of 90 ° to 105 ° in the embodiment, or in the range of 85 ° to 105 ° in the embodiment).

[0094] 開口５０の形状の主軸を基板の主要移動方向（通常はスキャン方向）に位置合わせし、第二軸を基板の他の主要移動方向（通常はステップ方向）に位置合わせすることにより、スループットを最適化することができる。θが９０°と異なる任意の構成が有利であることが認識される。したがって、主軸と主要移動方向との正確な位置合わせは不可欠ではない。形状が円形である場合は、常に移動方向に対して直角に位置合わせされた２つの開口があり、したがってこれら２つの開口間のメニスカスは基板Ｗの移動によって得られる最大の力を受けることが、さらに認識される。にもかかわらず、以上で検討した流体抽出開口５０の幾何形状及び／又は構成について、外乱力の減少に関する利点は、全ての平面図形の構成にも当てはまる。したがって本発明の実施形態は、開口の円形、及び楕円形の平面図形構成を含む全ての平面図形構成を含む。 [0094] By aligning the main axis of the shape of the opening 50 with the main movement direction (usually the scanning direction) of the substrate and aligning the second axis with the other main movement direction (usually the step direction) of the substrate, Throughput can be optimized. It will be appreciated that any configuration in which θ is different from 90 ° is advantageous. Therefore, accurate alignment between the main axis and the main movement direction is not essential. When the shape is circular, there are always two openings aligned perpendicular to the direction of movement, so that the meniscus between these two openings is subject to the maximum force obtained by the movement of the substrate W; Further recognized. Nevertheless, with respect to the geometry and / or configuration of the fluid extraction aperture 50 discussed above, the advantages associated with reducing disturbance forces also apply to all planar configuration. Accordingly, embodiments of the present invention include all planar graphic configurations, including circular and elliptical planar graphic configurations.

[0095] 負の半径を有する縁部を設けることの利点は、角をより鋭利にできることである。スキャン方向に位置合わせされた角５２とステップ方向に位置合わせされた角５２との両方で、７５°から８５°の範囲、又はさらにそれより小さい角度を達成可能にすることができる。この特徴部がない場合は、両方向に位置合わせされた角５２が同じ角度を有するために、これらの角が９０°になる。９０°未満が望ましい場合は、１方向が９０°未満の角を有するように選択する必要があり、その結果、他方の角は９０°より大きい角度を有する。湾曲した縁部を設けるのではなく、縁部が直線であるが、２つの角の間の直線の半径方向内側にある点で合う星形の開口を有することも可能である（図１２及び図１３参照）。星形の実施形態では、形状の辺に沿った角がメニスカスを固定する。鋭利な角の場合、メニスカスを固定する力は角に、つまり形状の縁部の短い長さに集中する。より滑らかに湾曲した角、例えば大きい曲率半径を有する角は、角の曲線のより長い長さに沿って、つまり角の周囲に固定力を分散させる。したがって、基板と流体ハンドリング構造との特定の相対速度について、両方の角に加えられる有効メニスカス固定力は同じである。しかし、縁部の画定された長さについて、鋭利な角の有効固定力は、滑らかに湾曲した角の場合より大きい。これによって、鋭利な角に固定されたメニスカスは、滑らかに湾曲した角によって固定にされたメニスカスよりも、基板と流体ハンドリング構造との間のより低い相対速度で不安定になる。 [0095] An advantage of providing an edge with a negative radius is that the corners can be sharper. Both the angle 52 aligned in the scan direction and the angle 52 aligned in the step direction can make it possible to achieve an angle in the range of 75 ° to 85 ° or even smaller. Without this feature, the corners 52 aligned in both directions have the same angle, so these angles are 90 °. If less than 90 ° is desired, one direction should be selected to have an angle less than 90 °, so that the other angle has an angle greater than 90 °. Rather than providing a curved edge, it is also possible to have a star-shaped opening that meets at a point that is radially inward of the straight line between the two corners (FIGS. 12 and 12). 13). In star embodiments, the corners along the sides of the shape fix the meniscus. In the case of a sharp corner, the force to fix the meniscus is concentrated on the corner, ie the short length of the edge of the shape. Smoother curved corners, eg, corners with a large radius of curvature, disperse the fixing force along the longer length of the corner curve, ie around the corners. Thus, for a particular relative velocity between the substrate and the fluid handling structure, the effective meniscus pinning force applied to both corners is the same. However, for a defined length of the edge, the effective fixing force for sharp corners is greater than for smoothly curved corners. This makes the meniscus fixed at a sharp corner unstable at a lower relative speed between the substrate and the fluid handling structure than a meniscus fixed by a smoothly curved corner.

[0096] 図７は、開口５０が流体ハンドリング構造の底部４０の表面５１に設けられていることを示す。しかし、こうである必要はなく、開口５０は流体ハンドリング構造の底面からの突起にあってもよい。矢印１００は、流体ハンドリング構造の外側から開口５０に関連する通路５５に入る気体の流れを示し、矢印１５０は、空間から開口５０に入る液体の通路を示す。通路５５及び開口５０は、２相抽出（つまり気体と液体）が、気体が実質的に通路５５の中心を通って流れ、液体が実質的に通路５５の壁に沿って流れる環状流れモードで生じるように設計することが望ましい。その結果、脈動の発生が少ない滑らかな流れになる。 [0096] FIG. 7 shows that an opening 50 is provided in the surface 51 of the bottom 40 of the fluid handling structure. However, this need not be the case and the opening 50 may be in a protrusion from the bottom surface of the fluid handling structure. Arrow 100 indicates the flow of gas entering the passage 55 associated with the opening 50 from the outside of the fluid handling structure, and arrow 150 indicates the passage of liquid entering the opening 50 from the space. Passage 55 and opening 50 cause two-phase extraction (ie, gas and liquid) in an annular flow mode where gas flows substantially through the center of passage 55 and liquid flows substantially along the walls of passage 55. It is desirable to design as follows. As a result, the flow becomes smooth with less pulsation.

[0097] 実施形態では、出口５０の半径方向内側にメニスカス固定特徴部がない。実施形態では、開口５０の半径方向外側に他のコンポーネント又はメニスカス固定特徴部がない。したがって図５の液体閉じ込めシステムと比較して、この実施形態では気体入口１５又は同等物がなく、出口１４が幾つかの別個の開口５０に分割されており、それぞれが例えば低圧源に接続されている。メニスカスは、開口５０に入る気体流によって誘発されたドラグ力で開口５０間に固定される。約１５ｍ／秒、望ましくは２０ｍ／秒より速い気体ドラグ速度で十分である。ガスナイフの必要性を回避することにより、基板からの液体の蒸発量を減少させ、それにより液体の跳ね、さらに熱膨張／収縮効果の両方を減少させることができる。 In an embodiment, there is no meniscus locking feature radially inward of the outlet 50. In embodiments, there are no other components or meniscus locking features radially outward of the opening 50. Thus, compared to the liquid confinement system of FIG. 5, there is no gas inlet 15 or equivalent in this embodiment, the outlet 14 is divided into several separate openings 50, each connected to a low pressure source, for example. Yes. The meniscus is secured between the openings 50 with a drag force induced by the gas flow entering the openings 50. A gas drag speed of about 15 m / sec, preferably greater than 20 m / sec is sufficient. By avoiding the need for a gas knife, the amount of liquid evaporation from the substrate can be reduced, thereby reducing both liquid splash and thermal expansion / contraction effects.

[0098] しかし本発明の実施形態は、図示の構造に限定されない。メニスカス固定特徴部が、開口５０の半径方向内側及び／又は半径方向外側に存在してよい。実施形態では、開口５０の半径方向外側に設けられたガスナイフがある。実施形態では、エアナイフによって提供される気体の流れが平衡する。平衡した気体流とは、ガスナイフの開口を通して供給される気体流が、開口５０を通して実質的に除去されるという意味である。この方法で、気体が半径方向内側に流れる。半径方向外側への気体の流れはない。このような構成は、エアナイフの幾つかの設計の動作によって生じる外乱を最小化する。参照により本明細書に組み込まれる米国特許出願ＵＳ２００７−００３０４６４Ａ１号を参照されたい。 However, the embodiment of the present invention is not limited to the illustrated structure. Meniscus locking features may be present radially inward and / or radially outward of opening 50. In the embodiment, there is a gas knife provided radially outside the opening 50. In an embodiment, the gas flow provided by the air knife is balanced. By balanced gas flow is meant that the gas flow supplied through the opening of the gas knife is substantially removed through the opening 50. In this way, gas flows radially inward. There is no gas flow radially outward. Such a configuration minimizes the disturbance caused by the operation of several designs of the air knife. See US Patent Application US2007-0030464A1, which is incorporated herein by reference.

[0099] 流体ハンドリング構造の底部の他の幾何形状が可能である。例えば、ＵＳ２００４−２０２７８２４号に開示された構造のいずれも、本発明の実施形態で使用することができる。 [0099] Other geometries of the bottom of the fluid handling structure are possible. For example, any of the structures disclosed in US 2004-2027824 can be used in embodiments of the present invention.

[00100] 図１１は、本発明の実際的な実施形態を平面図で示す。図１１では、開口５０が図６と同様の有角形状で設けられている。図６の実施形態のように、図１１の実施形態では各角の頂点に開口が存在する。 [00100] FIG. 11 shows a practical embodiment of the present invention in plan view. In FIG. 11, the opening 50 is provided with the same angular shape as that in FIG. 6. Like the embodiment of FIG. 6, in the embodiment of FIG. 11, there is an opening at the apex of each corner.

[00101] 実施形態では、開口の有角形状は４つの角及び４つの辺を有し、各辺が負の曲率半径を有する。しかし、他の有角形状があっても適切なことがある。例えば８辺形は、例えば制限されたレイアウト空間でスキャン速度を改良するという利点を有することがある。少なくとも４つの辺がある形状を使用することができる。角がない形状も使用してよい。 [00101] In an embodiment, the angular shape of the opening has four corners and four sides, each side having a negative radius of curvature. However, other angular shapes may be appropriate. For example, an octagon may have the advantage of improving scan speed, for example in a limited layout space. A shape with at least four sides can be used. Shapes without corners may also be used.

[00102] 基板（及び基板テーブル）と投影システム（及び液体閉じ込め構造）との間の相対運動の方向に位置合わせされた角がある形状を有することが望ましい。というのは、このような形状は角がない形状よりも、相対運動の方向における相対運動の速度上昇を容易にするからである。相対運動が高速になると、スキャン速度の上昇、したがって像欠陥を増加させずにスループットの上昇を達成することができる。特定の構成では、２つの表面間のメニスカスが限界相対速度の上ではもはや安定しないことがある。限界速度の上では、液滴が液浸空間から逃げることがある。液滴が蒸発し、それが位置する表面に望ましくない熱負荷を加え、表面の歪みを引き起こすことがある。蒸発する液滴は、蒸発する元となる表面を汚染する残滓を後に残し、結像パターンに影響することがある。液滴が液浸空間に戻ることがあり、ここでメニスカスと接触（例えば衝突）すると、液浸空間内に気泡を形成させることがある。次に、気泡が投影ビームと干渉し、像欠陥を引き起こすことがある。 [00102] It is desirable to have a shape with corners aligned in the direction of relative motion between the substrate (and substrate table) and the projection system (and liquid confinement structure). This is because such a shape makes it easier to increase the speed of relative motion in the direction of relative motion than a shape without corners. As the relative motion increases, an increase in scan speed and thus an increase in throughput can be achieved without increasing image defects. In certain configurations, the meniscus between the two surfaces may no longer be stable above the critical relative velocity. Above the critical speed, droplets can escape from the immersion space. The droplets can evaporate, adding an undesirable heat load to the surface on which it is located and causing surface distortion. Evaporating droplets can leave behind residues that contaminate the evaporating surface and can affect the imaging pattern. The droplet may return to the immersion space, and contact with the meniscus (for example, collision) may cause bubbles to be formed in the immersion space. The bubbles can then interfere with the projection beam and cause image defects.

[00103] 反対方向に動作が生じることがあるので、形状は対向する角を有してよい。投影システムに対する基板の相対運動の好ましい方向は、相互に、例えばスキャン方向及びステップ方向に対して直角である。したがって実施形態では４つの角があり、それぞれがスキャン方向又はステップ方向に位置合わせされる。 [00103] The shape may have opposing corners as movement may occur in the opposite direction. Preferred directions of relative movement of the substrate with respect to the projection system are perpendicular to each other, for example the scan direction and the step direction. Thus, in the embodiment, there are four corners, each aligned in the scan direction or step direction.

[00104] 実施形態では、４つの辺の４つの角度は全て、それぞれ９０°である。しかし本明細書で言及するように、そうでないこともある。これは、好ましい方向の一方で他方よりも、例えばスキャン方向でステップ方向よりも速い相対運動を達成するのに役立つことがある。スキャン速度の上昇は、形状の角に９０°未満の角度を付けることによって達成することができる。４辺形（又は４つの主な辺及び４つの主な角がある形状）では、４つの主な角を合計３６０°になる角度にしなければならない。したがって、２つの対向する角はそれぞれ９０°未満の角度を有する場合、他方の２つの角は９０°を超える角度を有するはずである。（主な角に言及した場合、それは４つの外角及びそれぞれが反射角を有する幾つかの中間角を有する５辺以上の形状を指すことに留意されたい。主な辺は、２つの隣接する主な角に接続した形状の辺である。） [00104] In an embodiment, all four angles of the four sides are each 90 degrees. However, as mentioned herein, this may not be the case. This may help to achieve a relative movement that is faster in one of the preferred directions than in the other, for example, in the scan direction than in the step direction. Increasing scan speed can be achieved by angling less than 90 ° to the corners of the shape. For a quadrilateral (or a shape with four main sides and four main angles), the four main angles must be angles that total 360 °. Thus, if two opposing angles each have an angle less than 90 °, the other two angles should have an angle greater than 90 °. (Note that when referring to the main corner, it refers to a shape of five or more sides with four outer angles and several intermediate angles each having a reflection angle. It is a side with a shape connected to a corner.)

[00105] 図１１には中心開口２００が図示されている。この中心開口２００は液浸空間１１を画定する。図１１の実施形態では、中心開口は平面図で円形である。しかし、例えば開口５０の形状と同じ（又は以降で述べる実施形態では、さらなる開口１０５の形状と同じ）形状など、他の形状を使用してもよい。他の形状も適切なことがある。これは全ての実施形態に当てはまる。 [00105] A central opening 200 is illustrated in FIG. The central opening 200 defines the immersion space 11. In the embodiment of FIG. 11, the central opening is circular in plan view. However, other shapes may be used, such as, for example, the same shape as the opening 50 (or the same as the shape of the further opening 105 in the embodiments described below). Other shapes may be appropriate. This is true for all embodiments.

[00106] 図１２は図６と同様の実際的な実施形態を示す。各角５２は、２つの角５２の間の直線から半径方向内側に突き出した縁部を有する。しかし図１２では、縁部がそれぞれ２つの直線部分を有する（及び湾曲部分がない）。直線部分は、２つの角５２間の直線の半径方向内側にある点に収束する。したがって、縁部の方向の変化は、方向の変化が連続的である図１１の実施形態と比較すると突然である（つまり１点にある）。この形状は、特に直線の半径方向内側のポイントに、縁部が滑らかに湾曲した形状によって固定されたメニスカスよりも安定性が低いメニスカスを有することがある。 [00106] FIG. 12 shows a practical embodiment similar to FIG. Each corner 52 has an edge protruding radially inward from the straight line between the two corners 52. However, in FIG. 12, the edges each have two straight portions (and no curved portions). The straight line portion converges to a point that is radially inward of the straight line between the two corners 52. Thus, the change in edge direction is abrupt (ie, at one point) compared to the embodiment of FIG. 11 where the change in direction is continuous. This shape may have a meniscus that is less stable than a meniscus secured by a smoothly curved shape, particularly at a point radially inward of a straight line.

[00107] 図１３ａ及び図１３ｂは、それぞれ図１１及び図１２と同様の実施形態を示すが、ただし各角の角度が図１１及び図１２の７５°ではなく６０°である。これは、本発明の実施形態が角で様々な角度を有することが可能であることを示す。実施形態では、角の角度は６０°から９０°の範囲、又は７５°から９０°の範囲、又は７５°から８５°の範囲である。 [00107] FIGS. 13a and 13b show an embodiment similar to FIGS. 11 and 12, respectively, except that the angle of each corner is 60 degrees instead of 75 degrees in FIGS. This indicates that embodiments of the present invention can have various angles at the corners. In embodiments, the angle of the angle is in the range of 60 ° to 90 °, or in the range of 75 ° to 90 °, or in the range of 75 ° to 85 °.

[00108] 図１４は、本発明の実施形態の流体ハンドリング構造の部分を断面図で示す。流体ハンドリング構造は、投影システムＰＬの最終要素と基板Ｗの間にある空間１１の周囲にバリア１２を形成する。液体が、図５の実施形態のように主に入口／出口開口１３によってその空間１１に提供される。図６から図９及び図１１から図１３に関して述べたように、バリア部材１２の底面５１に一連の開口５０が形成される。底面には、流体ハンドリング構造から流体（例えば液体）を提供するための出口である１つ又は複数のさらなる開口１０５が形成される。さらなる開口１０５は、空間１１に液体を提供する入口と見なすことができる。流体ハンドリングシステムの出口１０５からの液体は、基板Ｗに向かって誘導される。このタイプの出口は以前には、基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴの間のギャップに気体が捕捉されることによって液浸液中に気泡が発生する可能性を低下させるために設けられていた。しかし、出口１０５の幾何形状は、流体ハンドリング構造が液体を封じ込める有効性に影響を及ぼす。 [00108] FIG. 14 shows a cross-sectional view of a portion of a fluid handling structure of an embodiment of the present invention. The fluid handling structure forms a barrier 12 around the space 11 between the final element of the projection system PL and the substrate W. Liquid is provided to the space 11 primarily by the inlet / outlet openings 13 as in the embodiment of FIG. As described with reference to FIGS. 6 to 9 and FIGS. 11 to 13, a series of openings 50 are formed in the bottom surface 51 of the barrier member 12. The bottom surface is formed with one or more additional openings 105 that are outlets for providing fluid (eg, liquid) from the fluid handling structure. The further opening 105 can be regarded as an inlet providing liquid to the space 11. Liquid from the outlet 105 of the fluid handling system is directed towards the substrate W. This type of outlet was previously provided to reduce the possibility of bubbles being generated in the immersion liquid by trapping gas in the gap between the edge of the substrate W and the substrate table WT. . However, the geometry of the outlet 105 affects the effectiveness of the fluid handling structure to contain the liquid.

[00109] 特に、流体供給出口１０５は、平面図で開口５０の形状と同様の形状を平面図で有することが望ましい。実際、出口１０５及び開口５０の形状は角があることが望ましいが、円形又は楕円形など、任意の他の形状でもよい。実施形態では、各形状は各角の頂点に出口１０５又は開口５０を有する。複数の出口１０５はそれぞれ開口５０から１０ｍｍ以内、望ましくは５ｍｍ以内にあることが望ましい。つまり実施形態では、開口５０によって作成された形状の全ての部分が、出口１０５によって作成された形状の部分から１０ｍｍ以内にある。 [00109] In particular, the fluid supply outlet 105 desirably has a shape similar to the shape of the opening 50 in the plan view. In fact, it is desirable for the shapes of the outlet 105 and the opening 50 to have corners, but any other shape such as a circle or an ellipse may be used. In an embodiment, each shape has an outlet 105 or opening 50 at the corner apex. Each of the plurality of outlets 105 is preferably within 10 mm, preferably within 5 mm from the opening 50. That is, in the embodiment, all the parts of the shape created by the opening 50 are within 10 mm from the part of the shape created by the outlet 105.

[00110] 出口１０５は、例えば投影システムＰＳの光軸に対して開口５０の半径方向内側にある。開口５０を流体抽出入口と見なすことができ、出口１０５を流体供給出口と見なすことができる。 [00110] The outlet 105 is, for example, radially inward of the opening 50 with respect to the optical axis of the projection system PS. The opening 50 can be considered a fluid extraction inlet and the outlet 105 can be considered a fluid supply outlet.

[00111] 出口１０５から出る液体の流れが多くなると、スキャン速度の上昇が可能になる。これは望ましくない。というのは、熱調整が不良の液体が投影システムＰＳと基板Ｗの間の空間１１へと辿り着く危険があるからである。これはオーバーレイエラーにつながり得る。代わりに、出口１０５を通る液体の総流量を維持しながら、角の付近で出口１０５の密度を上げ、縁部の中央で出口の密度を下げることが提案されている。これは、出口１０５を通る液体の総流量を増加させずに、より高いスキャン速度で安定したメニスカスを維持するという所望の効果を達成するのに役立つ。或いは、これによって所与の最高スキャン速度にて出口を通る流量を減少させることができる。 [00111] When the flow of liquid exiting the outlet 105 increases, the scanning speed can be increased. This is undesirable. This is because there is a risk that the liquid with poor thermal adjustment may reach the space 11 between the projection system PS and the substrate W. This can lead to overlay errors. Instead, it has been proposed to increase the density of the outlet 105 near the corner and reduce the density of the outlet in the middle of the edge while maintaining the total flow rate of liquid through the outlet 105. This helps to achieve the desired effect of maintaining a stable meniscus at a higher scan speed without increasing the total liquid flow rate through the outlet 105. Alternatively, this can reduce the flow rate through the outlet at a given maximum scan speed.

[00112] 実施形態では、リソグラフィ装置の流体ハンドリング構造があり、流体ハンドリング構造は複数の流体抽出開口が設けられた表面を備える。流体抽出開口は、基板及び／又は基板テーブルの表面に向かって配向され、（ｉ）液浸空間からの液浸液と（ｉｉ）液浸液の外側の雰囲気からの気体との混合物を除去することによって、液浸空間内に液浸液のメニスカスを形成するように構成され、メニスカスが基板及び／又は基板テーブルの表面と、流体抽出開口が設けられた表面との間に形成される。全流体抽出開口の所与の総面積について、各流体抽出開口の面積は外乱力が減少するように設定される。 [00112] In an embodiment, there is a fluid handling structure of a lithographic apparatus, the fluid handling structure comprising a surface provided with a plurality of fluid extraction openings. The fluid extraction opening is oriented toward the surface of the substrate and / or substrate table to remove a mixture of (i) immersion liquid from the immersion space and (ii) gas from the atmosphere outside the immersion liquid. Thus, a meniscus of immersion liquid is formed in the immersion space, and the meniscus is formed between the surface of the substrate and / or substrate table and the surface provided with the fluid extraction opening. For a given total area of all fluid extraction openings, the area of each fluid extraction opening is set so that the disturbance force is reduced.

[00113] 各流体抽出開口の面積は０．１ｍｍ2以下とすることができる。各流体抽出開口の面積は、０．０１ｍｍ2から０．１ｍｍ2の範囲とすることができる。各流体抽出開口の面積は、０．０４ｍｍ2から０．０６２５ｍｍ2の範囲とすることができる。全流体抽出開口の総面積は、３０ｍｍ2以下とすることができる。全流体抽出開口の総面積は、２ｍｍ2から２０ｍｍ2の範囲とすることができる。全流体抽出開口の総面積は、５ｍｍ2から１８ｍｍ2の範囲とすることができる。 [00113] The area of each fluid extraction opening may be 0.1 mm 2 or less. The area of each fluid extraction opening can be in the range of 0.01 mm 2 to 0.1 mm 2 . The area of each fluid extraction opening may be in the range of 0.04 mm 2 of 0.0625 mm 2. The total area of all fluid extraction openings can be 30 mm 2 or less. The total area of all fluid extraction openings can range from 2 mm 2 to 20 mm 2 . The total area of all fluid extraction openings can range from 5 mm 2 to 18 mm 2 .

[00114] 実施形態では、リソグラフィ装置の流体ハンドリング構造があり、流体ハンドリング構造は複数の流体抽出開口が設けられた表面を備える。流体抽出開口は、基板及び／又は基板テーブルの表面に向かって配向され、（ｉ）液浸空間からの液浸液と（ｉｉ）液浸液の外側の雰囲気からの気体との混合物を除去することによって、液浸空間内に液浸液のメニスカスを形成するように構成される。メニスカスが基板及び／又は基板テーブルの表面と、流体抽出開口が設けられた表面との間に形成される。各流体抽出開口の最大寸法は０．４ｍｍ以下である。 [00114] In an embodiment, there is a fluid handling structure of a lithographic apparatus, the fluid handling structure comprising a surface provided with a plurality of fluid extraction openings. The fluid extraction opening is oriented toward the surface of the substrate and / or substrate table to remove a mixture of (i) immersion liquid from the immersion space and (ii) gas from the atmosphere outside the immersion liquid. Accordingly, a meniscus of the immersion liquid is formed in the immersion space. A meniscus is formed between the surface of the substrate and / or substrate table and the surface provided with fluid extraction openings. The maximum dimension of each fluid extraction opening is 0.4 mm or less.

[00115] 各流体抽出開口の最大寸法は、０．１ｍｍから０．４ｍｍの範囲とすることができる。各流体抽出開口の最大寸法は、０．２ｍｍから０．３ｍｍの範囲とすることができる。 [00115] The maximum dimension of each fluid extraction opening may range from 0.1 mm to 0.4 mm. The maximum dimension of each fluid extraction opening can range from 0.2 mm to 0.3 mm.

[00116] 実施形態では、リソグラフィ装置の流体ハンドリング構造が提供され、流体ハンドリング構造は複数の流体抽出開口が設けられた表面を備える。流体抽出開口は、基板及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルの表面に向かって配向され、（ｉ）液浸空間からの液浸液と（ｉｉ）液浸液の外側の雰囲気からの気体との混合物を除去することによって、液浸空間内に液浸液のメニスカスを形成するように構成される。メニスカスが基板及び／又は基板テーブルの表面と、流体抽出開口が形成された表面との間に規定される。これらが形成する線形構成の１メートル当たりに設けられる複数の流体抽出開口の総面積は、２５ｍｍ2ｍ-1から１００ｍｍ2ｍ-1の範囲である。 [00116] In an embodiment, a fluid handling structure of a lithographic apparatus is provided, the fluid handling structure comprising a surface provided with a plurality of fluid extraction openings. The fluid extraction opening is oriented toward the substrate and / or the surface of the substrate table configured to support the substrate, and (i) an immersion liquid from the immersion space and (ii) an atmosphere outside the immersion liquid. By removing the mixture with the gas from the liquid, a liquid meniscus is formed in the liquid immersion space. A meniscus is defined between the surface of the substrate and / or substrate table and the surface on which the fluid extraction openings are formed. The total area of the plurality of fluid extraction openings provided per meter of the linear configuration formed by these ranges from 25 mm 2 m −1 to 100 mm 2 m −1 .

[00117] 隣接する流体抽出開口の中心間距離は、０．４ｍｍから２ｍｍの範囲とすることができる。隣接する流体抽出開口の中心間距離は、０．７ｍｍから１ｍｍの範囲とすることができる。 [00117] The distance between the centers of adjacent fluid extraction openings can be in the range of 0.4 mm to 2 mm. The distance between the centers of adjacent fluid extraction openings can be in the range of 0.7 mm to 1 mm.

[00118] 複数の流体抽出開口によって画定された形状の総周長は、１５０ｍｍから４００ｍｍの範囲でよい。平面図では、複数の流体抽出開口は閉じた形状を形成するように構成することができる。平面図では、複数の流体抽出開口は少なくとも４つの辺がある形状を形成するように構成することができる。流体ハンドリング構造は、液浸液を液浸空間に供給する入口開口をさらに備えてよい。 [00118] The total perimeter of the shape defined by the plurality of fluid extraction openings may range from 150 mm to 400 mm. In plan view, the plurality of fluid extraction openings can be configured to form a closed shape. In plan view, the plurality of fluid extraction openings can be configured to form a shape with at least four sides. The fluid handling structure may further comprise an inlet opening for supplying immersion liquid to the immersion space.

[00119] 実施形態では、光軸を有する投影システム、基板を支持する基板テーブル、及び流体ハンドリング構造を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。流体ハンドリング構造は、複数の流体抽出開口が設けられた表面を備える。流体ハンドリング構造は、投影システムと基板及び／又は基板テーブルの表面との間にある空間に液浸液を供給し、閉じ込めるように構成される。流体抽出開口は、基板及び／又は基板テーブルの表面に向かって配向され、（ｉ）空間からの液浸液と（ｉｉ）液浸液の外側の雰囲気からの気体との混合物を除去することによって、空間内に液浸液のメニスカスを形成するように構成される。メニスカスが基板及び／又は基板テーブルの表面と、流体抽出開口が設けられた表面との間に形成される。流体抽出開口は、以下の特徴のうち１つ又は複数を有する。つまり、各流体抽出開口の面積が０．１ｍｍ2以下である、各流体抽出開口の最大寸法が０．４ｍｍ以下である、全流体抽出開口の組み合わせた総面積が３０ｍｍ2以下である、及びこれらが形成した線形構成の１メートル当たりに設けられた流体抽出開口の面積が２５ｍｍ2ｍ-1から１００ｍｍ2ｍ-1の範囲である。 [00119] In an embodiment, an immersion lithographic apparatus is provided comprising a projection system having an optical axis, a substrate table supporting a substrate, and a fluid handling structure. The fluid handling structure includes a surface provided with a plurality of fluid extraction openings. The fluid handling structure is configured to supply and contain immersion liquid in a space between the projection system and the surface of the substrate and / or substrate table. The fluid extraction apertures are oriented towards the surface of the substrate and / or substrate table, by removing a mixture of (i) immersion liquid from the space and (ii) gas from the atmosphere outside the immersion liquid. , Configured to form a meniscus of immersion liquid in the space. A meniscus is formed between the surface of the substrate and / or substrate table and the surface provided with fluid extraction openings. The fluid extraction opening has one or more of the following features. That is, the area of each fluid extraction opening is 0.1 mm 2 or less, the maximum dimension of each fluid extraction opening is 0.4 mm or less, the combined total area of all fluid extraction openings is 30 mm 2 or less, and these The area of the fluid extraction opening provided per meter of the linear configuration formed by is in the range of 25 mm 2 m −1 to 100 mm 2 m −1 .

[00120] 構成では、投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間にある液浸空間に液浸液を提供し、流体ハンドリング構造内の複数の流体抽出開口に低圧を加えることによって液浸空間から液浸液を回収し、各流体抽出開口に０．１ｍｍ2以下の面積を提供することを含む、デバイス製造方法が提供される。 [00120] In an arrangement, an immersion liquid is provided in an immersion space between the projection system and the substrate and / or substrate table, and from the immersion space by applying a low pressure to a plurality of fluid extraction openings in the fluid handling structure. A device manufacturing method is provided that includes collecting immersion liquid and providing each fluid extraction opening with an area of 0.1 mm 2 or less.

[00121] 認識されるように、以上で述べた特徴部はいずれも任意の他の特徴部とともに使用することができ、本出願の対象となるのは明示的に述べたこれらの組合せだけではない。 [00121] As will be appreciated, any of the features described above can be used with any other feature, and this application is not limited to these explicitly stated combinations. .

[00122] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。 [00122] Although the text specifically refers to the use of a lithographic apparatus in the manufacture of ICs, it should be understood that the lithographic apparatus described herein has other uses. For example, this is the manufacture of integrated optical systems, guidance and detection patterns for magnetic domain memories, flat panel displays, liquid crystal displays (LCDs), thin film magnetic heads, and the like. In light of these alternative applications, the use of the terms “wafer” or “die” herein are considered synonymous with the more general terms “substrate” or “target portion”, respectively. Those skilled in the art will recognize that this may be the case. The substrates described herein may be processed before or after exposure, for example, with a track (usually a tool that applies a layer of resist to the substrate and develops the exposed resist), metrology tools, and / or inspection tools. be able to. Where appropriate, the disclosure herein may be applied to these and other substrate processing tools. In addition, the substrate can be processed multiple times, for example to produce a multi-layer IC, so the term substrate as used herein can also refer to a substrate that already contains multiple processed layers.

[00123] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。 [00123] As used herein, the terms "radiation" and "beam" include any type including ultraviolet (UV) radiation (eg, having a wavelength of 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm or 126 nm, or around these). Of electromagnetic radiation. The term “lens” refers to any one or combination of various types of optical components, including refractive and reflective optical components, as the situation allows.

[00124] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。 [00124] While specific embodiments of the invention have been described above, it will be appreciated that the invention may be practiced otherwise than as described. For example, embodiments of the present invention may include a computer program that includes one or more sequences of machine-readable instructions that describe a method as disclosed above, or a data storage medium (eg, a computer program) that stores such a computer program (eg, Semiconductor memory, magnetic or optical disk). In addition, machine-readable instructions can be implemented with two or more computer programs. Two or more computer programs can be stored in one or more different memories and / or data storage media.

[00125] 本明細書で述べるコントローラは、リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に配置された１つ又は複数のコンピュータプロセッサで１つ又は複数のコンピュータプログラムを読み取った場合に、それぞれが、又は組み合わせて動作可能であってよい。コントローラはそれぞれ、又は組み合わせて信号を受信、処理及び送信するのに適切な任意の構成を有することができる。１つ又は複数のプロセッサが、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成される。例えば、各コントローラは、上述した方法の機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行するために、１つ又は複数のプロセッサを含んでよい。コントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はこのような媒体を受信するハードウェアを含んでよい。したがって、コントローラは１つ又は複数のプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。 [00125] The controllers described herein are each or a combination of one or more computer programs read by one or more computer processors located in at least one component of the lithographic apparatus. It may be operable. The controllers may have any suitable configuration for receiving, processing and transmitting signals, either individually or in combination. One or more processors are configured to communicate with at least one of the controllers. For example, each controller may include one or more processors to execute a computer program that includes machine-readable instructions for the methods described above. The controller may include a data storage medium that stores such a computer program and / or hardware that receives such a medium. Thus, the controller can operate according to the machine-readable instructions of one or more programs.

[00126] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。 [00126] One or more embodiments of the present invention provide for any immersion lithographic apparatus, in particular whether the immersion liquid is provided in the form of a bath or only in a localized surface area of the substrate. Regardless of whether it is confined, it can be applied to the types described above, but is not limited thereto. In an unconfined configuration, the immersion liquid can flow over the surface of the substrate and / or substrate table, thus substantially wetting the entire uncovered surface of the substrate table and / or substrate. In such an unconfined immersion system, the liquid supply system may not be able to confine the immersion liquid, or may provide a certain percentage of immersion liquid confinement, but does not substantially confine the immersion liquid. Not complete.

[00127] 本明細書で想定するような液体供給システム又は流体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組み合わせでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体開口を含む１つ又は複数の流体開口、１つ又は複数の気体開口、又は１つ又は複数の２相流の開口の組み合わせを備えてよい。開口はそれぞれ、液浸空間への入口（又は流体ハンドリング構造からの出口）又は液浸空間からの出口（又は流体ハンドリング構造への入口）でよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。 [00127] A liquid supply system or fluid supply system as contemplated herein should be interpreted broadly. In certain embodiments, this may be a mechanism or combination of structures that provides liquid to the space between the projection system and the substrate and / or substrate table. This comprises a combination of one or more structures, one or more fluid openings including one or more liquid openings, one or more gas openings, or one or more two-phase flow openings. It's okay. Each of the openings may be an inlet to the immersion space (or an outlet from the fluid handling structure) or an outlet from the immersion space (or an inlet to the fluid handling structure). In embodiments, the surface of the space may be part of the substrate and / or substrate table, the surface of the space may completely cover the surface of the substrate and / or substrate table, or the space may cover the substrate and / or substrate table. You can surround it. The liquid supply system may optionally further include one or more elements that control the position, quantity, quality, shape, flow rate or any other characteristic of the liquid.

[00128] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を改修できることが当業者には明白である。 [00128] The descriptions above are intended to be illustrative, not limiting. Thus, it will be apparent to one skilled in the art that modifications may be made to the invention as described without departing from the scope of the claims set out below.

Claims (15)

複数の流体抽出開口が設けられた表面を備える、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、前記流体抽出開口が、
基板及び／又は基板テーブルの表面に向かって配向され、
（ｉ）液浸空間からの液浸液と（ｉｉ）前記液浸液の外側にある雰囲気からの気体との混合物を除去することによって、前記液浸空間内に前記液浸液のメニスカスを形成するように構成され、前記メニスカスが、前記基板及び／前記基板テーブルの表面と、前記流体抽出開口が設けられた前記表面との間に形成され、
前記流体抽出開口全部の所与の合計面積について、各流体抽出開口の面積が、外乱力が減少するように設定される、流体ハンドリング構造。 A fluid handling structure for a lithographic apparatus, comprising a surface provided with a plurality of fluid extraction openings, the fluid extraction openings comprising:
Oriented towards the surface of the substrate and / or substrate table,
Forming a meniscus of the immersion liquid in the immersion space by removing a mixture of the immersion liquid from the immersion space and (ii) a gas from the atmosphere outside the immersion liquid The meniscus is formed between the surface of the substrate and / or the substrate table and the surface provided with the fluid extraction opening,
A fluid handling structure, wherein for a given total area of all of the fluid extraction openings, the area of each fluid extraction opening is set such that the disturbance force is reduced. 各流体抽出開口の面積が０．１ｍｍ2以下である、請求項１に記載の流体ハンドリング構造。 The fluid handling structure according to claim 1, wherein an area of each fluid extraction opening is 0.1 mm 2 or less. 各流体抽出開口の前記面積が０．０１ｍｍ2から０．１ｍｍ2の範囲である、請求項２に記載の流体ハンドリング構造。 The fluid handling structure of claim 2 , wherein the area of each fluid extraction opening ranges from 0.01 mm 2 to 0.1 mm 2 . 各流体抽出開口の前記面積が０．０４ｍｍ2から０．０６２５ｍｍ2の範囲である、請求項３に記載の流体ハンドリング構造。 The area of each fluid extraction opening is in the range of 0.04 mm 2 of 0.0625 mm 2, the fluid handling structure of claim 3. 全流体抽出開口の前記総面積が３０ｍｍ2以下である、請求項１から４のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。 The fluid handling structure according to any one of claims 1 to 4, wherein the total area of all fluid extraction openings is 30 mm 2 or less. 全流体抽出開口の前記総面積が２ｍｍ2から２０ｍｍ2の範囲である、請求項５に記載の流体ハンドリング構造。 The fluid handling structure of claim 5, wherein the total area of all fluid extraction openings is in the range of 2 mm 2 to 20 mm 2 . 全流体抽出開口の前記総面積が５ｍｍ2から１８ｍｍ2の範囲である、請求項６に記載の流体ハンドリング構造。 The fluid handling structure of claim 6, wherein the total area of all fluid extraction openings is in the range of 5 mm 2 to 18 mm 2 . 複数の流体抽出開口が設けられた表面を備える、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、前記流体抽出開口が、
基板及び／又は基板テーブルの表面に向かって配向され、
（ｉ）液浸空間からの液浸液と（ｉｉ）前記液浸液の外側にある雰囲気からの気体との混合物を除去することによって、前記液浸空間内に前記液浸液のメニスカスを形成するように構成され、前記メニスカスが、前記基板及び／前記基板テーブルの表面と、前記流体抽出開口が設けられた前記表面との間に形成され、
各流体抽出開口の最大寸法が０．４ｍｍ以内である流体ハンドリング構造。 A fluid handling structure for a lithographic apparatus, comprising a surface provided with a plurality of fluid extraction openings, the fluid extraction openings comprising:
Oriented towards the surface of the substrate and / or substrate table,
Forming a meniscus of the immersion liquid in the immersion space by removing a mixture of the immersion liquid from the immersion space and (ii) a gas from the atmosphere outside the immersion liquid The meniscus is formed between the surface of the substrate and / or the substrate table and the surface provided with the fluid extraction opening,
A fluid handling structure in which the maximum dimension of each fluid extraction opening is within 0.4 mm. 各流体抽出開口の前記最大寸法が０．１ｍｍから０．４ｍｍの範囲である、請求項８に記載の流体ハンドリング構造。   The fluid handling structure of claim 8, wherein the maximum dimension of each fluid extraction opening is in the range of 0.1 mm to 0.4 mm. 各流体抽出開口の前記最大寸法が０．２ｍｍから０．３ｍｍの範囲である、請求項９に記載の流体ハンドリング構造。   The fluid handling structure of claim 9, wherein the maximum dimension of each fluid extraction opening ranges from 0.2 mm to 0.3 mm. 複数の流体抽出開口が設けられた表面を備える、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、前記流体抽出開口が、
基板及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルの表面に向かって配向され、
（ｉ）液浸空間からの液浸液と（ｉｉ）前記液浸液の外側にある雰囲気からの気体との混合物を除去することによって、前記液浸空間内に前記液浸液のメニスカスを形成するように構成され、前記メニスカスが、前記基板及び／前記基板テーブルの表面と、前記流体抽出開口が形成された前記表面との間に画定され、
前記複数の流体抽出開口によって形成されるリニア構成の１メートル当たりに設けられるその総面積が、２５ｍｍ2ｍ-1から１００ｍｍ2ｍ-1の範囲である流体ハンドリング構造。 A fluid handling structure for a lithographic apparatus, comprising a surface provided with a plurality of fluid extraction openings, the fluid extraction openings comprising:
Oriented toward a substrate and / or a surface of a substrate table configured to support the substrate;
Forming a meniscus of the immersion liquid in the immersion space by removing a mixture of the immersion liquid from the immersion space and (ii) a gas from the atmosphere outside the immersion liquid The meniscus is defined between a surface of the substrate and / or the substrate table and the surface on which the fluid extraction opening is formed;
A fluid handling structure in which a total area provided per meter of a linear configuration formed by the plurality of fluid extraction openings is in a range of 25 mm 2 m −1 to 100 mm 2 m −1 . 隣接する流体抽出開口の中心間距離が０．７ｍｍから２ｍｍの範囲である、請求項１から１１のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。   The fluid handling structure according to any one of claims 1 to 11, wherein a distance between centers of adjacent fluid extraction openings is in a range of 0.7 mm to 2 mm. 隣接する流体抽出開口の中心間距離が０．４ｍｍから１ｍｍの範囲である、請求項１から１２のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。   The fluid handling structure according to any one of claims 1 to 12, wherein a distance between centers of adjacent fluid extraction openings is in a range of 0.4 mm to 1 mm. 光軸を有する投影システムと、
基板を支持する基板テーブルと、
複数の流体抽出開口が設けられた表面を備え且つ前記投影システムと前記基板及び／又は前記基板テーブルの間の空間に液浸液を供給し、閉じ込める流体ハンドリング構造とを備え、前記流体抽出開口が、
前記基板及び／又は前記基板テーブルの前記表面に向かって配向され、
（ｉ）前記空間からの液浸液と（ｉｉ）前記液浸液の外側にある雰囲気からの気体との混合物を除去することによって、前記空間内に前記液浸液のメニスカスを形成するように構成され、前記メニスカスが、前記基板及び／前記基板テーブルの前記表面と、前記流体抽出開口が設けられた前記表面との間に形成され、
以下の特徴、
各流体抽出開口の面積が０．１ｍｍ2以内である、
各流体抽出開口の最大寸法が０．４ｍｍ以内である、
前記流体抽出開口の全部を組み合わせた総面積が３０ｍｍ2以内である、及び
流体抽出開口によって形成されたリニア構成の１メートル当たりに設けられるその面積が２５ｍｍ2ｍ-1から１００ｍｍ2ｍ-1の範囲である、
のうち１つ又は複数を有する、液浸リソグラフィ装置。 A projection system having an optical axis;
A substrate table that supports the substrate;
A fluid handling structure comprising a surface provided with a plurality of fluid extraction openings and supplying and confining immersion liquid into a space between the projection system and the substrate and / or the substrate table, the fluid extraction openings comprising: ,
Oriented towards the surface of the substrate and / or the substrate table,
(I) removing a mixture of immersion liquid from the space and (ii) gas from an atmosphere outside the immersion liquid to form a meniscus of the immersion liquid in the space. The meniscus is formed between the surface of the substrate and / or the substrate table and the surface provided with the fluid extraction opening,
The following features,
The area of each fluid extraction opening is within 0.1 mm 2 ;
The maximum dimension of each fluid extraction opening is within 0.4 mm;
The combined total area of the fluid extraction openings is within 30 mm 2 and the area provided per meter of the linear configuration formed by the fluid extraction openings is between 25 mm 2 m −1 and 100 mm 2 m −1 Range,
An immersion lithographic apparatus comprising one or more of: 投影システムと基板の間の液浸空間に液浸液を提供し、
流体ハンドリング構造の複数の流体抽出開口に低圧を加えることによって、前記液浸空間から前記液浸液を回収し、
前記流体抽出開口のそれぞれに０．１ｍｍ2以内の面積を提供することを含む、
デバイス製造方法。 Providing immersion liquid in the immersion space between the projection system and the substrate;
Recovering the immersion liquid from the immersion space by applying low pressure to a plurality of fluid extraction openings of the fluid handling structure;
Providing an area within 0.1 mm 2 for each of the fluid extraction openings,
Device manufacturing method.
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