JP5346046B2 - Lithographic projection apparatus - Google Patents
Lithographic projection apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP5346046B2 JP5346046B2 JP2011026014A JP2011026014A JP5346046B2 JP 5346046 B2 JP5346046 B2 JP 5346046B2 JP 2011026014 A JP2011026014 A JP 2011026014A JP 2011026014 A JP2011026014 A JP 2011026014A JP 5346046 B2 JP5346046 B2 JP 5346046B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- outlet
- substrate
- liquid
- gas
- liquid confinement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
[0001] 本発明はリソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。 The present invention relates to a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。 A lithographic apparatus is a machine that applies a desired pattern onto a substrate, usually onto a target portion of the substrate. A lithographic apparatus can be used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs). In such cases, a patterning device, alternatively referred to as a mask or reticle, can be used to generate a circuit pattern to be formed on an individual layer of the IC. This pattern can be transferred onto a target portion (eg comprising part of, one, or several dies) on a substrate (eg a silicon wafer). The pattern is usually transferred by imaging onto a layer of radiation sensitive material (resist) provided on the substrate. In general, a single substrate will contain a network of adjacent target portions that are successively patterned. A conventional lithographic apparatus scans a substrate in parallel or anti-parallel to a predetermined direction ("scan" direction) and a so-called stepper that irradiates each target portion by exposing the entire pattern to the target portion at once. However, a so-called scanner is provided that irradiates each target portion by scanning the pattern with a radiation beam in a predetermined direction (“scan” direction). It is also possible to transfer the pattern from the patterning device to the substrate by imprinting the pattern onto the substrate.
[0003] リソグラフィ投影装置では、投影システムの最終素子と基板との間の空間を充填するように、基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。液体は蒸留水が好ましいが、他の液体を使用してもよい。本発明は液体について説明される。しかし、流体は、適切な、特に濡れ性の流体、非圧縮性流体および／または空気より高い屈折率、好ましくは水より高い屈折率の流体でよい。その要点は、より小さいフィチャーを結像可能にすることである。というのは、露光放射が、液体中の方が短い波長を有するからである。（液体の効果は、システムの有効ＮＡ（レンズによって支持されている場合）を上げ、焦点深度も上げることと考えることもできる。） 固体粒子（例えば石英）が浮遊している水などの他の液浸液が提案されている。 In a lithographic projection apparatus, it has been proposed to immerse the substrate in a liquid having a relatively high refractive index, such as water, so as to fill a space between the final element of the projection system and the substrate. The liquid is preferably distilled water, but other liquids may be used. The present invention is described for liquids. However, the fluid may be a suitable, particularly wettable fluid, an incompressible fluid and / or a fluid with a higher refractive index than air, preferably a higher refractive index than water. The point is to allow smaller features to be imaged. This is because the exposure radiation has a shorter wavelength in the liquid. (The effect of the liquid can be thought of as increasing the effective NA of the system (if supported by the lens) and increasing the depth of focus.) Others such as water in which solid particles (eg quartz) are suspended Immersion liquids have been proposed.
[0004] しかし、基板を、または基板と基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータまたはさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。 [0004] However, immersing the substrate or substrate and substrate table in a liquid bath (see, for example, US Pat. No. 4,509,852) also means that there is a large mass of liquid to be accelerated during the scanning exposure. . This requires an additional motor or a more powerful motor, and turbulence in the liquid can cause undesirable and unpredictable effects.
[0005] 提案されている解決法の１つは、液体供給システムが、液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所的区域および投影システムの最終素子と基板の間にのみ液体を提供することである（基板は通常、投影システムの最終素子より大きい表面積を有する）。これを配置構成するための１つの知られている方法がＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２および図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板上に、好ましくは最終素子に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板Ｗが−Ｘ方向にて素子の下でスキャンされると、液体が素子の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって素子の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終素子に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終素子の周囲に配置された入口および出口の様々な方向および数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終素子の周囲の規則的パターンで設けられる。 [0005] One proposed solution is that the liquid supply system uses a liquid confinement system to provide liquid only between the local area of the substrate and the final element of the projection system and the substrate. Yes (the substrate usually has a larger surface area than the final element of the projection system). One known method for arranging this is disclosed in PCT patent application publication WO 99/49504. As illustrated in FIGS. 2 and 3, liquid is supplied onto the substrate by at least one inlet IN, preferably along the direction of movement of the substrate relative to the final element, and at least 1 after passing under the projection system. Removed by two outlets OUT. That is, when the substrate W is scanned under the element in the −X direction, liquid is supplied on the + X side of the element and taken up on the −X side. FIG. 2 schematically shows a configuration in which liquid is supplied via the inlet IN and is taken up on the other side of the element by an outlet OUT connected to a low pressure source. In the illustration of FIG. 2, the liquid is supplied along the direction of movement of the substrate relative to the final element, but this need not be the case. Various orientations and numbers of inlets and outlets arranged around the final element are possible, an example is illustrated in FIG. 3, where four sets of inlets and outlets on each side are regular around the final element. Provided in pattern.
[0006] 投影システムの下で基板を可能な限り迅速に移動できることが望ましい。そのために、液体閉じ込めシステムが局所的区域の液体閉じ込めシステムである場合、それは液体閉じ込めシステムに対して（したがって投影システムに対して）液体の縁部（つまりメニスカス）を強力にくぎ付けし、液体を有意に損失せずに高度のスキャンを可能にするよ
設計しなければならない。単純なシステムが明らかに有利である。
[0006] It is desirable to be able to move the substrate under the projection system as quickly as possible. For that reason, if the liquid confinement system is a local area liquid confinement system, it strongly squeezes the liquid edge (ie meniscus) to the liquid confinement system (and thus to the projection system) and makes the liquid significantly It must be designed to allow advanced scanning without loss. A simple system is clearly advantageous.
[0007] 例えば、投影システムの最終素子と基板との間の空間にて液体のメニスカスを所定の位置にくぎ付けする液体供給システムを提供することが望ましい。 [0007] For example, it is desirable to provide a liquid supply system that squeezes a liquid meniscus in place in the space between the final element of the projection system and the substrate.
[0008] 本発明の一態様によれば、パターニングデバイスからのパターンを液体を通して基板上へ投影するリソグラフィ投影装置であって、液体を基板に隣接する空間に少なくとも部分的に閉じ込める液体閉じ込めシステムを備え、液体閉じ込めシステムが、空間の周囲に配置されて、（ｉ）空間からの液体と（ｉｉ）液体閉じ込めシステムの外側の環境からのガスとの混合物を除去することによって、液体を空間に少なくとも部分的に閉じ込める複数の離散した出口を備える、リソグラフィ投影装置が提供される。 [0008] According to an aspect of the invention, there is provided a lithographic projection apparatus for projecting a pattern from a patterning device through a liquid onto a substrate, comprising a liquid confinement system that at least partially confine the liquid in a space adjacent to the substrate. A liquid confinement system is disposed around the space to remove at least a portion of the liquid into the space by removing a mixture of (i) the liquid from the space and (ii) the gas from the environment outside the liquid confinement system. A lithographic projection apparatus is provided comprising a plurality of discrete outlets that are confined in a confined manner.
[0009] 本発明の一態様によれば、パターニングデバイスからのパターンを基板に投影する投影システムを有するリソグラフィ投影装置であって、液体を投影システムと基板の間の空間に少なくとも部分的に閉じ込める液体閉じ込め構造を備え、液体閉じ込め構造が、空間から液体をおよび空間の外側からガスを除去して、ガス流の生成により空間内の液体のメニスカスを実質的にくぎ付けするように構成された複数の出口を備える、リソグラフィ投影装置が提供される。 [0009] According to an aspect of the invention, there is provided a lithographic projection apparatus having a projection system for projecting a pattern from a patterning device onto a substrate, the liquid at least partially confining the liquid in a space between the projection system and the substrate. A plurality of outlets comprising a confinement structure, wherein the liquid confinement structure is configured to remove liquid from the space and gas from outside the space to substantially nail the meniscus of the liquid in the space by generating a gas flow A lithographic projection apparatus is provided.
[0010] 本発明の一態様によれば、パターニングされた放射ビームを、基板に隣接する空間に設けられた液体を通して基板に投影し、少なくとも部分的には、空間の外側から出口を通してガスを抽出することによって発生したガス流を使用して、隣接する出口の間で液体のメニスカスをくぎ付けすることによって液体を閉じ込めることを含むデバイス製造方法が提供される。 [0010] According to one aspect of the present invention, a patterned radiation beam is projected onto a substrate through a liquid provided in a space adjacent to the substrate, and gas is extracted at least partially through the outlet from outside the space. A device manufacturing method is provided that includes confining a liquid by squeezing a liquid meniscus between adjacent outlets using a gas flow generated by the process.
[0011] 次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。 [0011] Embodiments of the present invention will now be described by way of example only with reference to the accompanying schematic drawings. Corresponding reference characters indicate corresponding parts in the drawings.
[0028] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、 [0028] Figure 1 schematically depicts a lithographic apparatus according to one embodiment of the invention. This device
[0029]− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、 [0029] an illumination system (illuminator) IL configured to condition a radiation beam B (eg UV radiation or DUV radiation);
[0030]− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、 [0030] a support structure (eg mask table) configured to support the patterning device (eg mask) MA and connected to the first positioner PM configured to accurately position the patterning device according to certain parameters MT,
[0031]− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、 [0031] a substrate table (eg, a wafer table) configured to hold a substrate (eg, resist coated wafer) W and connected to a second positioner PW configured to accurately position the substrate according to certain parameters WT,
[0032]− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。 [0032] a projection system (eg a refractive projection lens system) configured to project a pattern imparted to the radiation beam B by the patterning device MA onto a target portion C (eg comprising one or more dies) of the substrate W ) PS.
[0033] 照明システムは、放射の誘導、整形、または制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、またはその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。 [0033] The illumination system includes various types of optical components, such as refractive, reflective, magnetic, electromagnetic, electrostatic, etc. optical components, or any combination thereof, for directing, shaping or controlling radiation. You may go out.
[0034] サポート構造は、パターニングデバイスを支持、つまりその重量を支えている。該マスクサポート構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。このサポート構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。サポート構造は、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。サポート構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。 [0034] The support structure supports, ie bears the weight of, the patterning device. The mask support structure holds the patterning device in a manner that depends on the orientation of the patterning device, the design of the lithographic apparatus, and the like, for example, whether or not the patterning device is held in a vacuum environment. This support structure can use mechanical, vacuum, electrostatic or other clamping techniques to hold the patterning device. The support structure may be a frame or a table, for example, and may be fixed or movable as required. The support structure may ensure that the patterning device is at a desired position, for example with respect to the projection system. Any use of the terms “reticle” or “mask” herein may be considered synonymous with the more general term “patterning device.”
[0035] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。 [0035] As used herein, the term "patterning device" is used broadly to refer to any device that can be used to pattern a cross-section of a radiation beam so as to generate a pattern on a target portion of a substrate. Should be interpreted. It should be noted here that the pattern imparted to the radiation beam may not exactly correspond to the desired pattern in the target portion of the substrate, for example if the pattern includes phase shift features or so-called assist features. In general, the pattern imparted to the radiation beam corresponds to a special functional layer in a device being created in the target portion, such as an integrated circuit.
[0036] パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、減衰型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。 [0036] The patterning device may be transmissive or reflective. Examples of patterning devices include masks, programmable mirror arrays, and programmable LCD panels. Masks are well known in lithography, and include mask types such as binary masks, alternating phase shift masks, attenuated phase shift masks, and various hybrid mask types. . As an example of a programmable mirror array, a matrix array of small mirrors is used, each of which can be individually tilted to reflect the incoming radiation beam in a different direction. The tilted mirror imparts a pattern to the radiation beam reflected by the mirror matrix.
[0037] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、または液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システム、またはその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。 [0037] As used herein, the term "projection system" refers appropriately to other factors such as, for example, the exposure radiation used or the use of immersion liquid or the use of a vacuum, eg refractive optical system, reflective optics. It should be construed broadly to cover any type of projection system, including systems, catadioptric optical systems, magneto-optical systems, electromagnetic optical systems and electrostatic optical systems, or any combination thereof. Any use of the term “projection lens” herein may be considered as synonymous with the more general term “projection system”.
[0038] ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。
あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する）。
[0038] The apparatus shown here is of a transmissive type (eg using a transmissive mask).
Alternatively, the device may be of a reflective type (eg using a programmable mirror array of the type mentioned above or using a reflective mask).
[0039] リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つまたは複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つまたは複数のテーブルで予備工程を実行することができる。 [0039] The lithographic apparatus may be of a type having two (dual stage) or more substrate tables (and / or two or more mask tables). In such “multi-stage” machines, additional tables are used in parallel or one or more tables are used for exposure while one or more tables are used for preliminary processes can do.
[0040] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。 [0040] Referring to FIG. 1, the illuminator IL receives a radiation beam from a radiation source SO. The radiation source and the lithographic apparatus may be separate components, for example when the radiation source is an excimer laser. In such a case, the radiation source is not considered to form part of the lithographic apparatus, and the radiation beam is emitted from the source SO by means of a beam delivery system BD, eg equipped with a suitable guiding mirror and / or beam expander, etc. Passed to IL. In other cases the source may be an integral part of the lithographic apparatus, for example when the source is a mercury lamp. The radiation source SO and the illuminator IL may be referred to as a radiation system together with a beam delivery system BD as required.
[0041] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。 [0041] The illuminator IL may include an adjuster AD for adjusting the angular intensity distribution of the radiation beam. Typically, the outer and / or inner radius range (commonly referred to as σ-outer and σ-inner, respectively) of the intensity distribution at the pupil plane of the illuminator can be adjusted. The illuminator IL may include other various components such as an integrator IN and a capacitor CO. Alternatively, the radiation beam may be adjusted using an illuminator so that desired uniformity and intensity distribution can be obtained across the cross section.
[0042] 放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはマスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールの助けにより実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。 [0042] The radiation beam B is incident on the patterning device (eg, mask MA), which is held on the support structure (eg, mask table MT), and is patterned by the patterning device. The radiation beam B passes through the mask MA and passes through a projection system PS that focuses the beam onto a target portion C of the substrate W. With the help of the second positioner PW and the position sensor IF (eg interferometer device, linear encoder or capacitive sensor), the substrate table WT can be moved precisely to position various target portions C, for example in the path of the radiation beam B . Similarly, for the path of the radiation beam B using a first positioner PM and another position sensor (not explicitly shown in FIG. 1), for example after mechanical retrieval from a mask library or during a scan. Thus, the mask MA can be accurately positioned. In general, the movement of the mask table MT can be realized by using a long stroke module (coarse positioning) and a short stroke module (fine positioning) that form part of the first positioner PM. Similarly, movement of the substrate table WT can be realized with the aid of a long stroke module and a short stroke module forming part of the second positioner PW. In the case of a stepper (as opposed to a scanner) the mask table MT may be connected only to a short stroke actuator or fixed. Mask MA and substrate W may be aligned using mask alignment marks M1, M2 and substrate alignment marks P1, P2. The substrate alignment mark as shown occupies a dedicated target position, but may be arranged in a space between target portions (referred to as a scribe lane alignment mark). Similarly, in situations where a plurality of dies are provided on the mask MA, mask alignment marks may be placed between the dies.
[0043] 図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。 The illustrated lithographic apparatus can be used in at least one of the following modes:
[0044] １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。 [0044] In the step mode, the mask table MT and the substrate table WT are basically kept stationary, while the entire pattern imparted to the radiation beam is projected onto the target portion C at one time (ie, one stationary exposure). ). The substrate table WT is then moved in the X direction and / or Y direction so that another target portion C can be exposed. In the step mode, the size of the target portion C on which an image is formed in one still exposure is limited by the maximum size of the exposure field.
[0045] ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。 [0045] 2. In scan mode, the mask table MT and the substrate table WT are scanned synchronously while a pattern imparted to the radiation beam is projected onto a target portion C (ie, one dynamic exposure). The speed and direction of the substrate table WT relative to the mask table MT can be determined by the enlargement (reduction) and image reversal characteristics of the projection system PS. In the scan mode, the maximum size of the exposure field limits the width of the target portion (in the non-scan direction) in one dynamic exposure, and the length of the scan operation determines the height of the target portion (in the scan direction). .
[0046] ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動またはスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、またはスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。 [0046] 3. In another mode, the mask table MT is held essentially stationary while holding the programmable patterning device, and projects the pattern imparted to the radiation beam onto the target portion C while moving or scanning the substrate table WT. In this mode, a pulsed radiation source is typically used to update the programmable patterning device as needed each time the substrate table WT is moved or between successive radiation pulses during a scan. This mode of operation can be readily applied to maskless lithography that utilizes programmable patterning device, such as a programmable mirror array of a type as referred to above.
[0047] 上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも利用できる。 [0047] Combinations and / or variations on the above described modes of use or entirely different modes of use may also be employed.
[0048] 局所的液体供給システムがある液浸リソグラフィのさらなる解決策が、図４に図示されている。液体は、投影システムＰＬのいずれかの側にある２つの溝入口ＩＮによって供給され、入口ＩＮの半径方向外側に配置された複数の別個の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮおよびＯＵＴは、中心に穴があり、投影される投影ビームが通る板に配置することができる。液体は、投影システムＰＬの一方側にある１つの溝入口ＩＮによって供給されて、投影システムＰＬの他方側にある複数の別個の出口ＯＵＴによって除去され、これによって投影システムＰＬと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れが生じる。どの組合せの入口ＩＮと出口ＯＵＴを使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口ＩＮおよび出口ＯＵＴは不活性である）。 [0048] A further solution for immersion lithography with a localized liquid supply system is illustrated in FIG. The liquid is supplied by two groove inlets IN on either side of the projection system PL and is removed by a plurality of separate outlets OUT arranged radially outside the inlet IN. The inlets IN and OUT can be arranged in a plate with a hole in the center and through which the projection beam to be projected passes. The liquid is supplied by one groove inlet IN on one side of the projection system PL and removed by a plurality of separate outlets OUT on the other side of the projection system PL, so that between the projection system PL and the substrate W A liquid thin film flow occurs. The selection of which combination of inlets IN and outlets OUT to use can be determined by the direction of motion of the substrate W (other combinations of inlets IN and outlets OUT are inactive).
[0049] 局所的液体供給システムがある液浸リソグラフィの提案されている別の解決策は、液体供給システムに、投影システムの最終素子と基板テーブルの間にある空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造を設けることである。このような解決策が図５に図示されている。液体閉じ込め構造は、ＸＹ面では投影システムに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対的運動がある。ある実施形態では、液体閉じ込め構造と基板の表面の間にシールが形成され、これはガスシールなどの非接触シールでよい。 [0049] Another proposed solution for immersion lithography with a localized liquid supply system is to place the liquid supply system along at least part of the boundary of the space between the final element of the projection system and the substrate table. Providing a liquid confinement structure that extends in length. Such a solution is illustrated in FIG. The liquid confinement structure is substantially stationary relative to the projection system in the XY plane, but there is some relative movement in the Z direction (the direction of the optical axis). In some embodiments, a seal is formed between the liquid confinement structure and the surface of the substrate, which may be a contactless seal such as a gas seal.
[0050] 液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＬの最終素子と基板Ｗの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に収容する。液体が基板表面と投影システムの最終素子との間の空間に閉じ込められるように、投影システムの像フィールドの周囲に、基板に対する非接触シール１６を形成することができる。この空間は、投影システムＰＬの最終素子の下方に配置され、それを囲む液体閉じ込め構造１２によって少なくとも一部は形成される。液体は、液体入口１３によって投影システムの下方で液体閉じ込め構造１２内の空間に運び込まれ、液体出口１３によって除去することができる。液体閉じ込め構造１２は、投影システムの最終素子の少し上まで延在し、液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終素子の上まで上昇する。液体閉じ込め構造１２は、その上端が実施形態では投影システムまたはその最終素子の形状に非常に一致することができ、例えば円形でよい内周を有する。底部では、内周は像フィールドの形状に非常に一致し、例えば長方形であるが、そうである必要はない。 [0050] The liquid confinement structure 12 at least partially contains the liquid in the space 11 between the final element of the projection system PL and the substrate W. A contactless seal 16 to the substrate can be formed around the image field of the projection system so that the liquid is confined in the space between the substrate surface and the final element of the projection system. This space is at least partly formed by the liquid confinement structure 12 which is arranged below and surrounds the final element of the projection system PL. Liquid can be brought into the space within the liquid confinement structure 12 below the projection system by the liquid inlet 13 and removed by the liquid outlet 13. The liquid confinement structure 12 extends slightly above the final element of the projection system and the liquid level rises above the final element so that a liquid buffer is provided. The liquid confinement structure 12 may have an inner circumference whose upper end may very closely match the shape of the projection system or its final element in embodiments, for example circular. At the bottom, the inner circumference closely matches the shape of the image field, for example rectangular, but this need not be the case.
[0051] 液体は、使用中に液体閉じ込め構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１に収容される。ガスシールは、空気または合成空気のような気体で形成されるが、実施形態ではＮ2または別の不活性ガスであることが好ましく、圧力下で入口１５を介して液体閉じ込め構造１２と基板の間のギャップに提供され、出口１４を介して抽出される。ガス入口１５への過剰圧力、出口１４への真空のレベル、およびギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流があるように構成される。これらの入口／出口は、空間１１を囲む環状溝でよく、気体１６の流れは、液体を空間１１に収容させるのに効果的である。このようなシステムが、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号で開示されている。 [0051] The liquid is contained in the space 11 by a gas seal 16 formed between the bottom of the liquid confinement structure 12 and the surface of the substrate W during use. The gas seal is formed of a gas such as air or synthetic air, but in embodiments it is preferably N 2 or another inert gas, and the liquid confinement structure 12 and the substrate via the inlet 15 under pressure. Provided in the gap between and extracted through outlet 14. The overpressure to the gas inlet 15, the level of vacuum to the outlet 14, and the gap geometry are configured so that there is a fast gas flow inward to confine the liquid. These inlets / outlets may be annular grooves surrounding the space 11, and the flow of gas 16 is effective to contain the liquid in the space 11. Such a system is disclosed in US Patent Application Publication No. US 2004-0207824, which is hereby incorporated by reference in its entirety.
[0052] それぞれが参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号および米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツインまたはデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置には、基板を支持する２つのテーブルが設けられる。第一位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第二位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は、１つのテーブルのみを有してもよい。 [0052] In European Patent Application Publication No. EP 1420300 and US Patent Application Publication No. US 2004-0136494, each of which is incorporated herein by reference in its entirety, the concept of a twin or dual stage immersion lithographic apparatus is disclosed. Such an apparatus is provided with two tables for supporting the substrate. Leveling measurement is performed on the table at the first position without immersion liquid, and exposure is performed on the table at the second position where immersion liquid is present. Alternatively, the device may have only one table.
[0053] 本発明の実施形態は、図１および図５に示した液体供給システムＩＨを改良したものである（しかし、任意の他の適切な液体供給システムにも適用することができる）。
上述したように、図５の液体供給システムでは、基板Ｗと投影システムＰＳの最終素子との間の空間１１に液体が保持される。液体閉じ込め構造１２は、液体が設けられている空間１１を囲む。液体は任意の方法で提供することができる。図５の実施形態では、液体は入口１３を通して供給される。ガス流１６を使用して、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗの間にシールを作成する。ガスは入口１５を離れ、液浸液とともに出口１４を通って抜き取られる。矢印によって示されたガスの流れが、空間１１の縁部にて液体のメニスカスを実質的に所定の位置にくぎ付けにする。
[0053] Embodiments of the present invention are improvements to the liquid supply system IH shown in FIGS. 1 and 5 (but can be applied to any other suitable liquid supply system).
As described above, in the liquid supply system of FIG. 5, the liquid is held in the space 11 between the substrate W and the final element of the projection system PS. The liquid confinement structure 12 surrounds the space 11 where the liquid is provided. The liquid can be provided in any way. In the embodiment of FIG. 5, liquid is supplied through inlet 13. A gas flow 16 is used to create a seal between the liquid confinement structure 12 and the substrate W. The gas leaves the inlet 15 and is withdrawn through the outlet 14 with the immersion liquid. The gas flow indicated by the arrows squeezes the liquid meniscus substantially in place at the edge of the space 11.
[0054] 図５の実施形態では、入口１５および出口１４は環状であり、ガス流１６によって形成されたシールは、比較的低いスキャン速度で壊れる。本発明の実施形態はこの問題に対応する。 [0054] In the embodiment of FIG. 5, the inlet 15 and outlet 14 are annular, and the seal formed by the gas stream 16 breaks at a relatively low scan rate. Embodiments of the present invention address this problem.
[0055] 図６は、本発明の一実施形態のメニスカスくぎ付けデバイスを示し、これは例えば図５のメニスカスくぎ付け構成１４、１５、１６に取って代わることができる。図６のメニスカスくぎ付けデバイスは、複数の離散した出口５０を備える。これらの出口５０はそれぞれ、円形であるように図示されているが、そうである必要はない。実際、１つまたは複数の出口は、正方形、長方形、長円、三角形、細長いスリットなどから選択した１つまたは複数とすることができる。幾つかの例の形状が図９に与えられている。各出口は、平面図で大きい直径を有し、恐らく０．２ｍｍより大きい、好ましくは０．５ｍｍまたは１ｍｍより大きい最大寸法を持つ。したがって、出口５０が汚染から大きい影響を受ける可能性は低い。 [0055] FIG. 6 illustrates a meniscus staking device according to one embodiment of the present invention, which can replace, for example, the meniscus staking configuration 14, 15, 16 of FIG. The meniscus nip device of FIG. 6 comprises a plurality of discrete outlets 50. Each of these outlets 50 is illustrated as being circular, but this need not be the case. Indeed, the one or more outlets can be one or more selected from squares, rectangles, ellipses, triangles, elongated slits, and the like. Some example shapes are given in FIG. Each outlet has a large diameter in plan view and probably has a maximum dimension greater than 0.2 mm, preferably greater than 0.5 mm or 1 mm. Therefore, it is unlikely that the outlet 50 will be greatly affected by contamination.
[0056] 図６のメニスカスくぎ付けデバイスの出口５０はそれぞれ、別個の低圧源に接続することができる。代替的または追加的に、各出口５０または複数の出口５０を、それ自体が低圧で保持されている共通のチャンバー（環状とすることができる）に接続することができる。この方法で、各出口または複数の出口で均一な低圧を達成することができる。出口５０を真空源に接続する、および／または液体供給システムを囲む環境の圧力を上昇させて必要な低圧を生成することができる。 [0056] Each outlet 50 of the meniscus staking device of FIG. 6 may be connected to a separate low pressure source. Alternatively or additionally, each outlet 50 or multiple outlets 50 can be connected to a common chamber (which can be annular) that is itself held at low pressure. In this way, a uniform low pressure can be achieved at each outlet or at multiple outlets. The outlet 50 can be connected to a vacuum source and / or the pressure in the environment surrounding the liquid supply system can be increased to produce the required low pressure.
[0057] 隣接する出口５０の間に隆線部７０を設けてよい。図６の線ＶＩＩ−ＶＩＩを通る断面図である図７で見られるように、出口５０は、液体閉じ込め構造１２の底面４０からの突起として形成される（つまり、出口５０の底面が、底面４０から垂直方向に変位している）。隆線部７０は、出口５０と同じ高さに配置されるか、液体閉じ込め構造１２の表面と同じ量、またはそれより小さい量だけそこから突出する。出口５０は、例えば管または細長い通路５５の出口である。出口は、基板に面し、基板の上面と実質的に並行であるように配置することが望ましい。その別の考え方は、出口５０が接続されている通路５５の長軸が、基板Ｗの上面に対して実質的に直角（垂直から±４５°以内、望ましくは３５°、２５°、さらには１５°以内）であることである。 [0057] A ridge 70 may be provided between adjacent outlets 50. As seen in FIG. 7, which is a cross-sectional view through line VII-VII in FIG. 6, the outlet 50 is formed as a protrusion from the bottom surface 40 of the liquid confinement structure 12 (ie, the bottom surface of the outlet 50 is the bottom surface 40). From the vertical direction). The ridge 70 is disposed at the same height as the outlet 50 or protrudes therefrom by an amount equal to or less than the surface of the liquid confinement structure 12. The outlet 50 is, for example, an outlet of a tube or an elongated passage 55. Desirably, the outlet faces the substrate and is positioned substantially parallel to the top surface of the substrate. Another way of thinking is that the major axis of the passage 55 to which the outlet 50 is connected is substantially perpendicular to the upper surface of the substrate W (within ± 45 ° from the vertical, preferably 35 °, 25 °, or even 15 (Within °).
[0058] 各出口５０は、液体と気体の混合物を抽出するように設計されている。液体は空間１１から引き出され、気体は出口５０および隆線部７０の液体とは他方側の環境から引き出される。これは矢印１００で示すようなガス流を生成し、このガス流は、図６に示すように、出口５０間のメニスカス９０を実質的に所定の位置に押さえ込むのに効果的である。ガス流は、ガス流によって誘発された圧力勾配および／または液体中の空気流の抗力（剪断）によって、運動量閉塞により閉じ込められた液体の維持に役立つ。 [0058] Each outlet 50 is designed to extract a mixture of liquid and gas. The liquid is drawn from the space 11, and the gas is drawn from the environment on the other side of the outlet 50 and the liquid in the ridge 70. This produces a gas flow as shown by arrow 100, which is effective to hold meniscus 90 between outlets 50 substantially in place as shown in FIG. The gas flow helps to maintain the liquid confined by momentum occlusion by the pressure gradient induced by the gas flow and / or the drag (shear) of the air flow in the liquid.
[0059] 図６に見られるように、出口および隆線部は、平面図で多角形の形状を形成するように配置される。図６の場合、これは菱形の形状であり、その主軸１１０、１２０は投影システムの下で基板Ｗが移動する主要な方向に位置合わせされる。これは、出口および隆線部７０が円形に配置された場合より最大スキャン速度が速いことを保証するのに役立つ。というのは、２つの出口間のメニスカスにかかる力が係数ｃｏｓθで減少するからであり、ここでθは基板Ｗが動く方向に対して２つの出口を結ぶ線が形成する角度である。したがって、出口の形状の主軸１１０を基板の主要な移動方向（通常はスキャン方向）と位置合わせして、第２軸１２０を基板の他の主要な移動方向（通常はステップ方向）と位置合わせさせることによって、スループットを最適化することができる。θが９０°とは異なる任意の構成が有利であることが認識される。したがって、主軸を主要な移動方向と正確に位置合わせすることは、不可欠ではない。形状が円形である場合は、常に移動方向に対して直角に位置合わせされた２つの出口５０があり、したがってこれらの２つの出口間にあるメニスカスが、基板Ｗの移動によって使用可能な最大の力を受けることが、さらに理解されるであろう。以上から、辺が基板の主要移動方向に対して約４５°で位置合わせされた四角形の形状を使用しても、非常に有利であることが分かる。四角形の大きい方の寸法と小さい方の寸法との比率は√２：１であり、このような比率が１．２：１より大きい形状が特に適切である。２つの主軸がある形状の場合、ステップおよびスキャン方向での移動量および移動速度に留意すると、４／９から８／９の間、望ましくは５／９から７／９の間の長さ比が特に適切である。実施形態では、各出口が、平面図で、その最大平面寸法の０．２５倍から１０倍だけ相互から離間される。実施形態では、平面図で１から０．０５の間の縦横比を有する。 [0059] As can be seen in FIG. 6, the outlet and ridges are arranged to form a polygonal shape in plan view. In the case of FIG. 6, this is in the shape of a diamond, and its main axes 110, 120 are aligned in the main direction in which the substrate W moves under the projection system. This helps to ensure that the maximum scanning speed is faster than when the exit and ridges 70 are arranged in a circle. This is because the force applied to the meniscus between the two outlets decreases by a coefficient cos θ, where θ is an angle formed by a line connecting the two outlets with respect to the direction in which the substrate W moves. Therefore, the main axis 110 in the shape of the exit is aligned with the main movement direction (usually the scanning direction) of the substrate, and the second axis 120 is aligned with the other main movement direction (usually the step direction) of the substrate. Thus, the throughput can be optimized. It will be appreciated that any configuration where θ is different from 90 ° is advantageous. Therefore, it is not essential to accurately align the main axis with the main direction of movement. When the shape is circular, there are always two outlets 50 aligned perpendicular to the direction of movement, so the meniscus between these two outlets is the maximum force that can be used by the movement of the substrate W. Will be further understood. From the above, it can be seen that it is very advantageous to use a rectangular shape whose sides are aligned at about 45 ° with respect to the main movement direction of the substrate. The ratio between the larger dimension and the smaller dimension of the square is √2: 1, and shapes with such a ratio greater than 1.2: 1 are particularly suitable. In the case of a shape with two main axes, the length ratio between 4/9 and 8/9, preferably between 5/9 and 7/9, taking into account the movement amount and movement speed in the step and scan directions Especially appropriate. In an embodiment, the outlets are spaced apart from each other by 0.25 to 10 times their maximum planar dimensions in plan view. Embodiments have an aspect ratio between 1 and 0.05 in plan view.
[0060] 図７は、液体閉じ込め構造１２の底面４０からの突起に出口５０が設けられることを示す。しかし、こうである必要はなく、出口５０は液体閉じ込め構造１２の主要底面にあってもよい。この場合、液体は主要底面に突き当たり、したがって望ましくない波の生成の傾向がある自由な上面がない。この場合は定義できる隆線部７０がない。矢印１００は、液体閉じ込め構造１２の外側から出口５０に関連する通路５５へのガスの流れを示し、矢印１５０は、空間から出口５０への液体の道を示す。通路５５および出口５０は、２相抽出（つまり気体と液体）が環状流モードで実行され、気体は実質的に通路５５の中心を流れ、液体は実質的に通路５５の壁に沿って流れるように設計される。その結果、流れが滑らかになり、脈動の発生が少なくなる。 FIG. 7 shows that an outlet 50 is provided on the protrusion from the bottom surface 40 of the liquid confinement structure 12. However, this need not be the case and the outlet 50 may be at the main bottom surface of the liquid confinement structure 12. In this case, the liquid hits the main bottom surface, and thus there is no free top surface that tends to generate undesirable waves. In this case, there is no ridge 70 that can be defined. Arrow 100 indicates the flow of gas from outside the liquid confinement structure 12 to the passage 55 associated with the outlet 50, and arrow 150 indicates the liquid path from the space to the outlet 50. The passage 55 and outlet 50 are such that two-phase extraction (ie, gas and liquid) is performed in an annular flow mode so that gas flows substantially through the center of the passage 55 and liquid substantially flows along the walls of the passage 55. Designed to. As a result, the flow becomes smooth and the occurrence of pulsation is reduced.
[0061] 図７では、出口５０の半径方向内側でも液体閉じ込め構造１２の底面４０と接触しないように、液体のレベルが配置される。しかし、上記で検討したように、こうである必要はない。出口５０の半径方向内側にメニスカスを押さえ込む形体がなく、出口５０の半径方向外側にも他の構成素子またはメニスカスを押さえ込む形体がない。したがって、図５の液体閉じ込めシステムと比較すると、ガス入口１５または同等物がなく、出口１４は、それぞれが例えば低圧源などの接続された幾つかの離散出口５０に分割されている。メニスカスは、出口５０に入るガス流によって誘発される抵抗力で、出口５０の間にくぎ付けにされる。約１５ｍ／ｓ、望ましくは２０ｍ／ｓより大きいガス抵抗速度で十分である。ガスナイフの必要性をなくすことにより、基板からの液体の蒸発量を減少させ、それによって液体の液飛び、さらに熱膨張／収縮効果を減少させることができる。 In FIG. 7, the liquid level is arranged so that it does not come into contact with the bottom surface 40 of the liquid confinement structure 12 even radially inward of the outlet 50. However, as discussed above, this need not be the case. There is no feature for pressing the meniscus radially inward of the outlet 50, and no feature for pressing another component or meniscus on the radially outer side of the outlet 50. Thus, when compared to the liquid confinement system of FIG. 5, there is no gas inlet 15 or equivalent, and the outlet 14 is divided into several discrete outlets 50 each connected, for example a low pressure source. The meniscus is nailed between the outlets 50 with a resistance force induced by the gas flow entering the outlets 50. A gas resistance velocity of about 15 m / s, desirably greater than 20 m / s is sufficient. By eliminating the need for a gas knife, the amount of liquid evaporation from the substrate can be reduced, thereby reducing liquid splashing and further thermal expansion / contraction effects.
[0062] メニスカスを押さえ込むには、それぞれが１ｍｍの直径で、３．９ｍｍ離間された少なくとも３６の離散した針が効果的である。このようなシステムの合計ガス流は、１００l/minのオーダーである。 [0062] To hold down the meniscus, at least 36 discrete needles, each 1 mm in diameter and 3.9 mm apart, are effective. The total gas flow of such a system is on the order of 100 l / min.
[0063] 図８は、可能な出口の構成の他の幾何学的形状を平面図で示す。これは、正方形、および円（点線で示す）の変形を含み、主要移動方向に対して所望の角度を有する上下の延長部が追加されている。この設計は、他の主要移動方向に同様の延長部を含むように、さらに改造することができる。これらの形状は、部分的な星、部分的な円と見なすことができる。完全な星形も良好に働く。最後の例は、円／星の実施形態と同様であるが、全て直線を含む。図８ａは、正方形の実施形態の隅部を詳細に示す。出口５０が、出口５０を結ぶ直線の想像線５１に沿って並んでいる。バリア部材１２の縁部も図示されている。方向Ａのスキャンでは利点がないが、方向Ｂ（出口５０を結ぶ線５１に対して４５°の方向）のスキャンでは、上述したように有意の利点が獲得される。 [0063] FIG. 8 shows in plan view another geometry of possible outlet configurations. This includes the deformation of squares and circles (shown as dotted lines) with the addition of upper and lower extensions having the desired angle with respect to the main direction of movement. This design can be further modified to include similar extensions in other major travel directions. These shapes can be regarded as partial stars and partial circles. Perfect star shape works well. The last example is similar to the circle / star embodiment, but all contain straight lines. FIG. 8a shows the corners of the square embodiment in detail. The outlets 50 are arranged along a straight imaginary line 51 connecting the outlets 50. The edge of the barrier member 12 is also shown. There is no advantage in the scan in the direction A, but in the scan in the direction B (direction of 45 ° with respect to the line 51 connecting the exit 50), a significant advantage is obtained as described above.
[0064] 図９は、出口の幾つかの潜在的形状、および個々の出口間の様々な間隔を示す。出口５０の構成が角を曲がる領域の周囲の典型的な形状（スロットおよび管）も、幾つか図示されている。これについては、図１０から図１２に関して以下でさらに詳細に説明する。図示のように、高さ階段状変化部(step change in height)２２０は、出口５０が配置された線に実質的に平行に走る実質的に直線の線とすることができる。あるいは、高さ階段状変化部２２０は直線でなくてもよい。例えば図示のように、個々の出口５０の間に凹部２２２があってもよい。凹部では、高さ階段状変化部２２０が他の部分より出口５０の配置されている線に近い。 [0064] FIG. 9 illustrates some potential shapes of the outlets and the various spacings between the individual outlets. Some typical shapes (slots and tubes) around the area where the outlet 50 configuration bends around the corner are also shown. This is described in more detail below with respect to FIGS. As shown, the step change in height 220 can be a substantially straight line that runs substantially parallel to the line on which the outlet 50 is located. Alternatively, the height step-like change part 220 may not be a straight line. For example, as shown, there may be recesses 222 between the individual outlets 50. In the concave portion, the stepped height changing portion 220 is closer to the line where the outlet 50 is disposed than other portions.
[0065] 出口５０に伴う１つの問題点は、出口５０における低圧によって発生する基板テーブルＷＴに向かう吸引力が、基板テーブルＷＴを変形する可能性があることである。これに対応する１つの方法は、出口の半径方向外側にさらなる開口を設けることである。さらなる開口は、周囲圧力Ｐampに対して開いている。これは、バリア構造１２および基板テーブルＷＴによって生じた低圧を制限し、出口５０を通る必要な流れにとって使用可能なガスが十分にあることも保証する。さらなる開口の半径方向外側に、ガスナイフを設けることができる。通常、ガスナイフは、約１００リットル／分の空気流を有する。そのガスの５０パーセントは半径方向内側に動き、５０パーセントは半径方向外側に動く。他方で、出口５０を通る必要なガスの流れは、７０リットル／分もあることがあり、したがって追加の３０リットル／分のガスが必要である。この追加のガスは、さらなる開口によって提供することができる。さらなる開口は、スリットの形態（つまり連続的な溝の形態）であるか、複数の離散した穴とすることができる。離散した穴は、例えばアパーチャまたは管とすることができる。追加的または代替的に、ガスナイフからのガスの２５％から７５％は半径方向内側に動き、ガスの２５％から７５％は半径方向外側に動くことができる。例えば、ガスの２５％が半径方向内側に、７５％が半径方向外側に動くか、ガスの７５％が半径方向内側に、２５％が半径方向外側に動くことができる。 [0065] One problem with the outlet 50 is that the suction force toward the substrate table WT generated by the low pressure at the outlet 50 can deform the substrate table WT. One way to deal with this is to provide a further opening radially outward of the outlet. A further opening is open to the ambient pressure P amp . This limits the low pressure created by the barrier structure 12 and the substrate table WT and also ensures that there is enough gas available for the required flow through the outlet 50. A gas knife can be provided radially outside the further opening. Typically, gas knives have an air flow of about 100 liters / minute. 50 percent of the gas moves radially inward and 50 percent moves radially outward. On the other hand, the required gas flow through the outlet 50 can be as much as 70 liters / minute, thus requiring an additional 30 liters / minute of gas. This additional gas can be provided by a further opening. The further opening can be in the form of a slit (ie, in the form of a continuous groove) or a plurality of discrete holes. The discrete holes can be, for example, apertures or tubes. Additionally or alternatively, 25% to 75% of the gas from the gas knife can move radially inward and 25% to 75% of the gas can move radially outward. For example, 25% of the gas can move radially inward and 75% radially outward, or 75% of the gas can move radially inward and 25% radially outward.
[0066] 場合によっては、バリア部材１２の底面に、使用時に基板Ｗに面する液体入口を設ける。このような構成が図１０ａに図示され、ここではバリア部材１２の底面に液体入口２００が存在する。したがって、基板に向かって下方向に液体２１０の流れが提供される。このような液体の流れは、基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴの間のギャップを充填するのに有用である。この液体の流れは、バリア部材１２が基板Ｗの縁部を通り過ぎる場合に、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間のギャップから含まれる気泡を減少させるのに有用である。この特徴は、２００５年１０月６日出願の米国特許出願ＵＳＳＮ１１／２４４，３９０号で詳細に説明されている。このような液体の供給を使用すると、これは、装置の制御が失われた場合に、損傷の防止に役立つことができる。措置を執らずに出口５０に大きい低圧を加えた状態で、バリア部材１２の高さアクチュエータの制御が失われると、バリア部材１２が大きい力で基板Ｗまたは基板テーブルＷＴと衝突することがある。基板Ｗに向かう方向で液体を供給する上述の液体供給を設けると、これは液体ベアリングを形成し、システムの制御が偶発的に失われるのを（少なくともある程度）防止することができる。前述した液体供給は、基板Ｗの縁部の結像中に含まれる気泡を減少させるという主要な機能も果たすことができる。図１０ａから分かるように、出口５０はチャンバー２３０を介して低圧に接続される。チャンバー２３０の存在は、圧力変動の低下にも役立つ。 In some cases, the bottom surface of the barrier member 12 is provided with a liquid inlet that faces the substrate W during use. Such a configuration is illustrated in FIG. 10 a where a liquid inlet 200 is present on the bottom surface of the barrier member 12. Accordingly, a flow of liquid 210 is provided downwardly toward the substrate. Such a liquid flow is useful for filling the gap between the edge of the substrate W and the substrate table WT. This liquid flow is useful for reducing bubbles contained from the gap between the substrate W and the substrate table WT as the barrier member 12 passes over the edge of the substrate W. This feature is described in detail in US patent application USSN 11 / 244,390 filed October 6, 2005. Using such a liquid supply, this can help prevent damage if control of the device is lost. If control of the height actuator of the barrier member 12 is lost in a state where a large low pressure is applied to the outlet 50 without taking measures, the barrier member 12 may collide with the substrate W or the substrate table WT with a large force. Providing the above-described liquid supply that supplies liquid in a direction toward the substrate W can form a liquid bearing and prevent (at least to some extent) accidental loss of control of the system. The liquid supply described above can also perform the main function of reducing bubbles contained during imaging of the edge of the substrate W. As can be seen from FIG. 10 a, the outlet 50 is connected to a low pressure through the chamber 230. The presence of the chamber 230 also helps reduce pressure fluctuations.
[0067] 図１０ｂは、バリア部材１２の平面図である。バリア部材１２は、中心開口２０５と同様に円形である。中心開口２０５は、円形の投影システムＰＳに対応して円形である。液体出口２００も、液体出口２００の半径方向外側で基板上の高さ階段状変化部２１５と同様に、円形である。これで、出口５０は、平面図で半径方向外側に正方形の形状で配置される。他で述べたように、円形などの他の形状を使用してもよい。出口５０の半径方向外側の高さ階段状変化部２２０も正方形である。高さ階段状変化部２２０は、平面図で出口５０から均一な距離にある。高さ階段状変化部２２０は、平面図で出口の中心から０．２ｍｍから１０．０ｍｍの間にあることが好ましい。高さ階段状変化部２１５、２２０では、基板Ｗに最も近いバリア１２の表面の距離の段階状変化(step change in distance)がある。 FIG. 10 b is a plan view of the barrier member 12. The barrier member 12 is circular like the central opening 205. The central opening 205 is circular corresponding to the circular projection system PS. The liquid outlet 200 is also circular in the same manner as the stepped height change portion 215 on the substrate outside the liquid outlet 200 in the radial direction. Thus, the outlet 50 is arranged in a square shape radially outward in the plan view. As stated elsewhere, other shapes such as circles may be used. The stepped height changing portion 220 on the radially outer side of the outlet 50 is also square. The stepped height change portion 220 is at a uniform distance from the outlet 50 in a plan view. The stepped height change portion 220 is preferably between 0.2 mm and 10.0 mm from the center of the exit in a plan view. In the height step-like change portions 215 and 220, there is a step change in distance of the distance of the surface of the barrier 12 closest to the substrate W.
[0068] 出口５０に加えられる低圧を制御する１つの方法は、特定のガス流量を達成するように吸引ポンプを制御することである。このような制御は、始動時に最も適切であるが、バリア部材１２が何らかの理由で基板Ｗまたは基板テーブルＷＴに近づき、出口５０によって生成される低圧が増加すると、欠点を有する。これは、制御を失った場合、特に好ましくない。さらに、このような本質的な非線形の挙動の結果、バリア部材１２の位置を制御するアクチュエータの性能が悪化することがある。この問題を回避する１つの方法は、出口５０を固定圧力の低圧源に接続することである。その方法で、抽出圧力は、バリア部材１２の底部と基板Ｗの上面との間のギャップのサイズとは実質的に関係なく、したがって機械の安全性の問題が最小限になる。混合システムでは、出口５０に取り付けられたポンプを、始動時に所定の流量に到達するように制御し、通常の使用では特定の低圧に到達するように制御することができる。 [0068] One way to control the low pressure applied to the outlet 50 is to control the suction pump to achieve a specific gas flow rate. Such control is most appropriate at start-up, but has drawbacks if the barrier member 12 approaches the substrate W or substrate table WT for any reason and the low pressure generated by the outlet 50 increases. This is particularly undesirable when control is lost. Further, as a result of such intrinsic non-linear behavior, the performance of the actuator that controls the position of the barrier member 12 may be degraded. One way to avoid this problem is to connect outlet 50 to a fixed pressure, low pressure source. In that way, the extraction pressure is substantially independent of the size of the gap between the bottom of the barrier member 12 and the top surface of the substrate W, thus minimizing machine safety issues. In a mixing system, the pump attached to the outlet 50 can be controlled to reach a predetermined flow rate at start-up and can be controlled to reach a specific low pressure during normal use.
[0069] 図１１は、以下の説明以外は図１０ａおよび図１０ｂの実施形態と同じであるさらなる実施形態を示す。図１１では、図示された形体は全て、平面図で円形である。したがって、平面図示はない。しかし、出口５０の構成は、図１０ｂの実施形態のように正方形または菱形または他で説明した別の形状でもよいことが可能であることは明白である。 [0069] FIG. 11 shows a further embodiment that is the same as the embodiment of FIGS. 10a and 10b except as described below. In FIG. 11, all of the illustrated features are circular in plan view. Therefore, there is no plan view. However, it is clear that the configuration of the outlet 50 can be a square or rhombus or another shape as described elsewhere as in the embodiment of FIG. 10b.
[0070] 図１１では、高さ階段状変化部２２０の半径方向外側にバリア部材の能動的構成素子がある。出口５０の半径方向外側に窪み３０２が形成されている。窪み３０２は、高さ階段状変化部２２０を作成する壁によって規定された内壁、およびガスナイフ３１０の（実質的に垂直な）壁によって規定された外壁を有する。窪み内のガスの圧力は、特定の圧力に維持される。これは、特定の圧力でガスリザーバに対して開いた煙突３０５などの導管を設けることによって達成される。実施形態では、特定の圧力は一定でよく、大気圧であることが好ましい。これによって、ガスナイフ３１０が良好に機能し、バリア部材１２上の基板に向かう力が著しく増大しない。 In FIG. 11, there is an active component of the barrier member on the radially outer side of the height staircase change portion 220. A recess 302 is formed on the outer side in the radial direction of the outlet 50. The recess 302 has an inner wall defined by the wall that creates the stepped height change 220 and an outer wall defined by the (substantially vertical) wall of the gas knife 310. The pressure of the gas in the depression is maintained at a specific pressure. This is accomplished by providing a conduit such as a chimney 305 that opens to the gas reservoir at a specific pressure. In the embodiment, the specific pressure may be constant and is preferably atmospheric pressure. As a result, the gas knife 310 functions well and the force toward the substrate on the barrier member 12 does not increase significantly.
[0071] 出口５０は窪み３０２からガスを抽出するので、ガスは２つの機構を介して窪みに提供される。第一は、ガスナイフ３１０の入口３２０からである。入口３２０は、ガスを高速かつ比較的狭い幅で基板Ｗに向かって誘導する。このガスは、半径方向内側に動き、基板Ｗに衝突した後、外側に動く。入口３２０の上流には、加湿されたガスを備えたチャンバー３４０がある。ガスナイフを形成するチャンバー３４０からの入口３２０に加えて、さらなる入口３３０もある。さらなる入口３３０は、加湿されたガスをチャンバー３４０から窪み３０２内に誘導する。これらの形体によってガスが、ガスナイフ３１０から、ガス流とは関係なく選択された出口５０へと流れることができる。ガスナイフ３１０からのガスが全部、出口５０によって抽出されると、ガスナイフの機能が損なわれ、その結果、バリア部材の大きい底領域にわたって低圧が深くなる。その結果、基板に向かって大きい引力があるので、バリア部材１２の制御が不安定になる。その結果、基板または基板テーブルが変形することがある。したがって、入口３３０を通ってさらなるガスが提供される。例えば、入口３２０のガス流の５０％が半径方向内側に動くと、約４０リットル／分になる。しかし、出口５０がメニスカスを適切にくぎ付けにするためには、出口５０を通る約１００リットル／分の流量が必要になる。流量の不足は、入口３３０を通して供給することができる。例えば、入口３３０を通るガスの流量は、約６０リットル／分でよい。入口３２０、３３０からのガス供給には、常に小さい差がある。これらの差は、導管３０５を通る流れによって補償される。しかし、導管３０５を通るガス流は制限されたままであり、したがって窪み３０２内で流れによって誘発される圧力差は無視できるほどである。 [0071] Since the outlet 50 extracts gas from the depression 302, the gas is provided to the depression via two mechanisms. The first is from the inlet 320 of the gas knife 310. The inlet 320 guides gas toward the substrate W at a high speed and a relatively narrow width. This gas moves inward in the radial direction, and moves outward after colliding with the substrate W. Upstream of the inlet 320 is a chamber 340 with humidified gas. In addition to the inlet 320 from the chamber 340 forming a gas knife, there is also an additional inlet 330. A further inlet 330 guides humidified gas from the chamber 340 into the recess 302. These features allow gas to flow from the gas knife 310 to the selected outlet 50 independent of gas flow. When all the gas from the gas knife 310 is extracted by the outlet 50, the function of the gas knife is impaired, resulting in a deep low pressure over a large bottom region of the barrier member. As a result, since there is a large attractive force toward the substrate, the control of the barrier member 12 becomes unstable. As a result, the substrate or substrate table may be deformed. Thus, additional gas is provided through the inlet 330. For example, if 50% of the gas flow at the inlet 320 moves radially inward, it is about 40 liters / minute. However, in order for the outlet 50 to properly nail the meniscus, a flow rate of about 100 liters / minute through the outlet 50 is required. A lack of flow can be supplied through inlet 330. For example, the gas flow rate through the inlet 330 may be about 60 liters / minute. There is always a small difference in the gas supply from the inlets 320, 330. These differences are compensated by the flow through conduit 305. However, the gas flow through the conduit 305 remains limited, so the pressure differential induced by the flow in the recess 302 is negligible.
[0072] 図１１に見られるように、ガスナイフ３１０の入口３２０が現れる表面は、液体入口２００が形成された表面よりも基板から遠い距離にある。入口３２０が通る表面は、出口５０が通る表面より基板に近い。ガスナイフ３１０から、外部出口３５０がバリア部材１２を出る表面への高さ階段状変化部３１５がある。 [0072] As seen in FIG. 11, the surface on which the inlet 320 of the gas knife 310 appears is at a greater distance from the substrate than the surface on which the liquid inlet 200 is formed. The surface through which the inlet 320 passes is closer to the substrate than the surface through which the outlet 50 passes. There is a step height change 315 in height from the gas knife 310 to the surface where the external outlet 350 exits the barrier member 12.
[0073] ガスナイフ３１０の半径方向外側には、さらなる出口３５０がある。この出口は、バリア部材１２の半径方向外側からのガス、さらにガスナイフ３１０の出口を出るガスを除去する。出口３５０の下流にチャンバー３６０を設けて、圧力を調整する。チャンバー３６０が低圧源に接続される。 [0073] On the radially outer side of the gas knife 310 is a further outlet 350. This outlet removes gas from the radially outer side of the barrier member 12 as well as gas exiting the outlet of the gas knife 310. A chamber 360 is provided downstream of the outlet 350 to adjust the pressure. Chamber 360 is connected to a low pressure source.
[0074] 出口３５０があることの利点は、これが入口３２０からガスを引き出すことである。これは、入口３２０から出て環境に入るガスの流れを減少させる。入口３２０から出るガスの流れは、周囲環境のガスと異なる温度および湿度を有する。これは、大気の屈折率を変化させることがあり、これは大気の屈折率に対して敏感な装置の測定システムを妨害する。１つのこのようなシステムは、基板テーブルの位置を測定する干渉計システムである。 [0074] The advantage of having an outlet 350 is that it draws gas from the inlet 320. This reduces the gas flow out of the inlet 320 and into the environment. The gas flow exiting the inlet 320 has a different temperature and humidity than the ambient gas. This can change the refractive index of the atmosphere, which interferes with the measurement system of a device that is sensitive to the refractive index of the atmosphere. One such system is an interferometer system that measures the position of a substrate table.
[0075] 図１２は、バリア部材のさらなる実施形態を示す。この実施形態は、以下の説明を除いて図１１の実施形態と同じである。 [0075] FIG. 12 illustrates a further embodiment of a barrier member. This embodiment is the same as the embodiment of FIG. 11 except for the following description.
[0076] 図１２の実施形態には、高さ階段状変化部２２０が存在しない。代わりに、ガスナイフ４１０には出口４２０を設け、これは出口５０の隣、またはその次に配置される。これはメニスカスの基部におけるガスの速度を上昇させ、それによってメニスカスの安定に役立つことができる。つまり、ガスナイフ４１０の入口４２０は、出口の半径方向すぐ外側に配置される。例えば、出口５０の中心と入口４２０の中心との間の距離は、０．２〜５．０ｍｍ、好ましくは０．２〜３．０ｍｍの範囲である。下限は、実際に製造可能な最小形体サイズに関係がある。上限は、出口の効果を感じることができる範囲に関係がある。図１１の実施形態のガスナイフと同様に、チャンバー３４０を設ける。この実施形態でも、ガスナイフ４１０に加湿されたガスを設ける。 In the embodiment of FIG. 12, there is no height step change portion 220. Instead, the gas knife 410 is provided with an outlet 420, which is located next to or next to the outlet 50. This can increase the gas velocity at the base of the meniscus, thereby helping to stabilize the meniscus. That is, the inlet 420 of the gas knife 410 is disposed just outside the outlet in the radial direction. For example, the distance between the center of the outlet 50 and the center of the inlet 420 is in the range of 0.2 to 5.0 mm, preferably 0.2 to 3.0 mm. The lower limit is related to the smallest feature size that can actually be produced. The upper limit is related to the range in which the effect of the exit can be felt. Similar to the gas knife of the embodiment of FIG. Also in this embodiment, the gas knife 410 is provided with humidified gas.
[0077] ガスナイフ４１０の半径方向外側には、図１１の実施形態のように、出口３５０およびそれに関連するチャンバー３６０がある。 [0077] On the radially outer side of the gas knife 410 is an outlet 350 and associated chamber 360, as in the embodiment of FIG.
[0078] 図１２の実施形態で１つの顕著な特徴は、出口５０の半径方向外側に高さの階段状変化がないことである。代わりに、外部出口３５０を、出口５０の距離よりも基板Ｗから遠い距離に配置できるようにするために、傾斜壁４５０などの傾斜表面を有する形体を、ガスナイフ４１０の入口４２０の半径方向外側に設ける。これは、メニスカスが半径方向外側に動くにつれて、メニスカスがまたがらねばならないギャップが広がる場合に、メニスカスを押さえ込むのに役立つことができる。これはエネルギ的に好ましくない。傾斜壁４５０は基板Ｗの上面に平行ではない。したがって、傾斜壁４５０は、出口５０が形成された表面から、外部出口３５０が形成された表面へと傾斜する。この実施形態は、衝突中の損傷を減少させることができる。 [0078] One notable feature in the embodiment of FIG. 12 is the absence of a step change in height radially outward of the outlet 50. Instead, a feature having an inclined surface, such as an inclined wall 450, may be placed radially outward of the inlet 420 of the gas knife 410 to allow the outer outlet 350 to be located at a distance further from the substrate W than the distance of the outlet 50. Provide. This can help hold down the meniscus as the meniscus moves radially outward as the gap that the meniscus must straddle widens. This is energetically undesirable. The inclined wall 450 is not parallel to the upper surface of the substrate W. Accordingly, the inclined wall 450 is inclined from the surface where the outlet 50 is formed to the surface where the external outlet 350 is formed. This embodiment can reduce damage during a collision.
[0079] 図１１と同様に、図１２の実施形態では、構成素子が全て、平面図で円形である。しかし、そうである必要はない。実際、図１３には、出口５０、ガスナイフ入口４２０および高さ階段状変化部３１５の幾つかの可能な構成が図示されている。図１３に示す実施形態では、出口５０、ガスナイフ４２０および高さ階段状変化部３１５が、平面図で円形ではない。さらに、出口５０の構成の隅部に、さらなる一つの出口または複数の出口５５０を設ける。これらの実施形態では、出口５０によって抽出されない液体が、ガスナイフ入口４２０を出るガスの流れによって隅部へと誘導される。隅部でガスナイフが壊れると、液体が隅部を出ることができ、これは次に、さらなる出口５５０を通って抽出される。高さ階段状変化部３１５が、さらなる出口５５０の周囲を辿る。理解されるように、任意の形状の出口５０またはさらなる出口５５０が可能である。例えば、出口５０は図１３では平面図で円形または長方形として図示されている。さらなる出口５５０は、円形または三日月形の１つの出口、または複数の円形出口として図示されている。認識されるように、任意の形状および任意の数のさらなる出口５５０が可能である。 [0079] Similar to FIG. 11, in the embodiment of FIG. 12, all the components are circular in plan view. But it doesn't have to be. In fact, FIG. 13 illustrates several possible configurations of the outlet 50, the gas knife inlet 420, and the height step change 315. In the embodiment shown in FIG. 13, the outlet 50, the gas knife 420, and the stepped height changing portion 315 are not circular in the plan view. In addition, one or more outlets 550 are provided at the corners of the outlet 50 configuration. In these embodiments, liquid that is not extracted by the outlet 50 is directed to the corners by the gas flow exiting the gas knife inlet 420. If the gas knife breaks at the corner, liquid can exit the corner, which is then extracted through a further outlet 550. A height step change 315 follows around the further exit 550. As will be appreciated, any shape of outlet 50 or additional outlet 550 is possible. For example, the outlet 50 is illustrated in FIG. 13 as a circle or rectangle in plan view. The further outlet 550 is illustrated as a single circular or crescent shaped outlet, or multiple circular outlets. As will be appreciated, any shape and any number of additional outlets 550 are possible.
[0080] 図１４は、出口５０の様々な実施形態を示す。以上から、出口５０は多くの異なる形状を有し、多くの異なるサイズとすることができることが明白である。図１４は、出口５０の縁部がいかに変化するかを示す。出口Ｗ1の幅は、例えば０．１〜２．０ｍｍ、好ましくは０．４〜１．５ｍｍの範囲とすることができる。出口５０のいずれかの側（半径方向内側および外側）の表面も、様々なレベルとすることができる。これらの表面ｈ1、ｈ2の間には、最大０．５ｍｍの高さの差を持たせることもできる。半径方向内側の表面を基板からさらに遠くすることも、あるいは半径方向外側の表面を基板からさらに遠くすることもできる。また、出口５０は必ずしもバリア部材１２内で垂直に延在していない。出口５０は、バリア部材１２内で、出口５０がバリア部材を出る表面に対して角度（例えば６０〜１２０°）をつけて形成することができる。さらに、バリア部材の隅部は、出口５０がバリア部材１２を出る表面に出口５０が近づくほど、その直径が増加するように、丸くすることができる。半径方向外側の縁部を滑らかにすることも、あるいは半径方向内側の縁部を滑らかにすることもできる。あるいは、半径方向内側と半径方向外側の縁部を両方とも滑らかにすることができる。さらに、高さ階段状変化部２２０の縁部にも丸みを持たせることができる。典型的な半径ｒ1、ｒ2は、０．１ｍｍから５ｍｍまたは１ｍｍから５ｍｍまたは１ｍｍから２ｍｍの範囲とすることができる。丸みをつけた縁部にする代わりに、出口５０がバリア部材１２を出る表面に近づくにつれ、出口の幅が直線的に増加するように、切り落とした縁部を有することもある。このような変形は、図１４に示すように、パラメータｈ3およびｈ4として説明することができる。ｈ3は０．５ｍｍから３ｍｍの範囲とすることができ、ｈ4は０．２ｍｍから１ｍｍの範囲とすることができる。
（図示のような）外面、さらに内面（図示せず）の両方を、この方法で改造してもよい。また、出口５０と高さ階段状変化部２２０の間の表面は、基板Ｗに、またはバリア部材１２の底面の残りの部分に平行ではないように機械加工することができる。その表面は、０°と２０°の間の角度θ1でオフセットすることができる。出口５０と高さ階段状変化部２２０の間に角度θ1で表面を設けることと、丸くした隅部ｒ3を設けることとを組み合わせることが可能である。また、図示のように出口５０の幅は内部で変化してもよく、したがって出口は、表面の出口を過ぎると、出口のある表面から離れるほど広くなる。これは、出口の壁に角度θ2をつけることによって達成することができ、これは垂直から０°から２０°の間とすることができる。図１４の最終的な図は、出口５０の半径方向内側および外側の縁部、さらに高さ階段状変化部２２０の縁部に丸みをつけた混合システムを示す。さらに、出口５０の幅に階段状変化があり、したがって出口の幅は、出口５０のある表面から距離ｈ5にある高さ階段状変化部を超えるとＷ2とすることができる。Ｗ2は、例えば０．４〜４ｍｍの範囲とすることができ、変数ｈ5は０．２ｍｍから５ｍｍの間とすることができる。上述した幾何学的形状およびパラメータを変化させて、必要な規格に合わせて性能を最適化することができる。
FIG. 14 shows various embodiments of the outlet 50. From the above, it is apparent that the outlet 50 has many different shapes and can be many different sizes. FIG. 14 shows how the edge of the outlet 50 changes. The width of the outlet W 1 can be, for example, 0.1 to 2.0 mm, preferably 0.4 to 1.5 mm. The surface on either side of the outlet 50 (radially inner and outer) can also be at various levels. It is also possible to have a maximum height difference of 0.5 mm between these surfaces h 1 and h 2 . The radially inner surface can be further away from the substrate, or the radially outer surface can be further away from the substrate. Further, the outlet 50 does not necessarily extend vertically within the barrier member 12. The outlet 50 can be formed in the barrier member 12 at an angle (eg, 60-120 °) with respect to the surface from which the outlet 50 exits the barrier member. Further, the corners of the barrier member can be rounded so that the diameter of the outlet 50 increases as the outlet 50 approaches the surface where the outlet 50 exits the barrier member 12. The radially outer edge can be smoothed or the radially inner edge can be smoothed. Alternatively, both the radially inner and radially outer edges can be smoothed. Further, the edge of the stepped height change portion 220 can be rounded. Typical radii r 1 , r 2 can range from 0.1 mm to 5 mm or 1 mm to 5 mm or 1 mm to 2 mm. Instead of having a rounded edge, it may have a trimmed edge so that as the outlet 50 approaches the surface exiting the barrier member 12, the width of the outlet increases linearly. Such a deformation can be described as parameters h 3 and h 4 as shown in FIG. h 3 can be in the range of 0.5 mm to 3 mm, and h 4 can be in the range of 0.2 mm to 1 mm.
Both the outer surface (as shown) and even the inner surface (not shown) may be modified in this manner. Also, the surface between the outlet 50 and the stepped height change portion 220 can be machined so that it is not parallel to the substrate W or the rest of the bottom surface of the barrier member 12. The surface can be offset by an angle θ 1 between 0 ° and 20 °. It is possible to combine providing a surface at an angle θ 1 between the outlet 50 and the stepped height change portion 220 and providing a rounded corner r 3 . Also, as shown, the width of the outlet 50 may vary internally, so that the outlet becomes wider away from the surface with the outlet after the surface outlet. This can be achieved by making an angle θ 2 on the outlet wall, which can be between 0 ° and 20 ° from vertical. The final view of FIG. 14 shows the mixing system with the radially inner and outer edges of the outlet 50 and the edges of the height step change 220 rounded. Furthermore, there is a step-like change in the width of the outlet 50, and therefore the width of the outlet can be set to W 2 when it exceeds a height step-like change portion at a distance h 5 from the surface where the outlet 50 is located. W 2 can be in the range of 0.4 to 4 mm, for example, and the variable h 5 can be between 0.2 mm and 5 mm. The geometry and parameters described above can be varied to optimize performance to the required standard.
[0081] 図１４の様々な寸法は、円形、長方形、正方形、さらには連続的スリットなどの出口５０に可能な全ての形状に適用可能である。 [0081] The various dimensions of FIG. 14 are applicable to all possible shapes for the outlet 50, such as circular, rectangular, square, and even continuous slits.
[0082] 出口５０を出るガスと液体の混合物内に渦巻または制御された乱流を誘発することも有利である。１つの実施形態では、これは、図１５に示すように、出口の内面にねじ山を設けることによって達成することができる。 [0082] It may also be advantageous to induce a swirl or controlled turbulence in the gas and liquid mixture exiting the outlet 50. In one embodiment, this can be accomplished by providing a thread on the inner surface of the outlet, as shown in FIG.
[0083] 図１６は、様々な異なるタイプの出口５０を示す。図１６は、バリア部材の周囲で、出口５０の半径方向外側の表面と、高さ階段状変化部２２０の半径方向内側との間の距離がいかに変化できるかも示す。特定のポイントで追加の空気流が達成できるように、バリアの周囲の特定部分にガスを提供することができるさらなるガス入口５２、２２３も示す。 FIG. 16 shows a variety of different types of outlets 50. FIG. 16 also shows how the distance between the radially outer surface of the outlet 50 and the radially inner side of the height step change 220 can vary around the barrier member. Also shown are additional gas inlets 52, 223 that can provide gas to specific portions around the barrier so that additional air flow can be achieved at specific points.
[0084] 図１６ａは、高さ階段状変化部２２０から離間されたスリットの形態で出口５０が設けられた単純な実施形態である。図１６ｂおよび図１６ｃは、出口５０が単一のスリットとして設けられ、スリット内に複数の分離部５１がある実施形態に関する。分離部５１は、出口５０がバリア部材を出る表面の全体には延在していない。分離部５１は、流れをスロット５０内の複数の区画に分離するのに効果的である。図１６ｃに示すように、分離部５１の平面図輪郭は、分離部５１が半径方向外側の方向を指すような輪郭である。これは、所望の空気流の生成に役立つことができる。 FIG. 16 a is a simple embodiment in which the outlet 50 is provided in the form of a slit spaced from the stepped height change portion 220. Figures 16b and 16c relate to an embodiment in which the outlet 50 is provided as a single slit and there are a plurality of separators 51 in the slit. The separation part 51 does not extend over the entire surface where the outlet 50 exits the barrier member. The separation unit 51 is effective in separating the flow into a plurality of compartments in the slot 50. As shown in FIG. 16c, the plan view outline of the separating portion 51 is such that the separating portion 51 points in the radially outer direction. This can help to generate the desired airflow.
[0085] 図１６ｄでは、出口５０がバリア部材を出る表面に、窪み２２１が存在する。窪み２２１は、出口５０と高さ階段状変化部２２０の間にある。窪みは、分離部５１の位置に対応する位置にある。 [0085] In FIG. 16d, a recess 221 is present on the surface where the outlet 50 exits the barrier member. The recess 221 is located between the outlet 50 and the height step-like change part 220. The depression is at a position corresponding to the position of the separation unit 51.
[0086] 図１６ｅおよび図１６ｆでは、さらなるガス入口５２、２２３が図示されている。ガス入口は、分離部５１に対応する位置に設けられる。したがって、分離部の位置で、より高速のガスが提供され、これはこれらの区域の密封に役立つことができる。図１６ｅでは、入口５２が分離部５１の端部に設けられる。図１６ｆでは、出口５０と高さ階段状変化部２２０との間に入口２２３が設けられている。高さ階段状変化部２２０の縁部は、図１６ｆでは入口２２３の周囲を辿るが、そうである必要はない。また、図１６ｅおよび図１６ｆの実施形態は、出口５０がスロットの形態である状況で図示されているが、これらのタイプの入口５２、２２３は、出口５０が図１６ａに示すような離散出口である状況でも使用することができる。この場合、入口５２、２２３は、スロット５０が存在しないバリア部材の周囲の位置に設けることができる。入口は、スロット間にあっても、スロット５０と高さ階段状変化部２２０の位置を規定する線の間の表面にあってもよい。 [0086] In FIGS. 16e and 16f, further gas inlets 52, 223 are illustrated. The gas inlet is provided at a position corresponding to the separation unit 51. Thus, at the location of the separation, a faster gas is provided, which can help seal these areas. In FIG. 16 e, the inlet 52 is provided at the end of the separation part 51. In FIG. 16 f, an inlet 223 is provided between the outlet 50 and the stepped height change portion 220. The edge of the stepped height change portion 220 follows the periphery of the inlet 223 in FIG. 16f, but this need not be the case. Also, the embodiment of FIGS. 16e and 16f is illustrated in the situation where the outlet 50 is in the form of a slot, but these types of inlets 52, 223 are discrete outlets as the outlet 50 is shown in FIG. 16a. Can be used in certain situations. In this case, the inlets 52 and 223 can be provided at positions around the barrier member where the slot 50 does not exist. The inlet may be between the slots or at the surface between the slot 50 and a line defining the height step change 220.
[0087] 図１７は、出口５０に平面図で半円形の形状を設けたさらなる実施形態を示す。出口５０の半径方向外側に、連続するスリット２２３が設けられている。スリット２２４は、出口５０にガスの流れを提供する。 FIG. 17 shows a further embodiment in which the outlet 50 is provided with a semi-circular shape in plan view. A continuous slit 223 is provided outside the outlet 50 in the radial direction. The slit 224 provides a gas flow to the outlet 50.
[0088] 認識されるように、上述した形体はいずれも、任意の他の形体とともに使用することができ、本出願に含まれるのは明示的に記載されたこれらの組合せだけではない。 [0088] As will be appreciated, any of the above-described features can be used with any other feature, and not only these explicitly described combinations are included in this application.
[0089] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」または「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツールおよび／またはインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。 [0089] Although the text specifically refers to the use of a lithographic apparatus in the manufacture of ICs, it will be appreciated that the lithographic apparatus described herein has other uses. For example, this is an integrated optical device, guidance and detection patterns for magnetic domain memory, flat panel displays, liquid crystal displays (LCDs), thin film magnetic heads, and the like. In light of these alternative applications, the use of the terms “wafer” or “die” herein are considered synonymous with the more general terms “substrate” or “target portion”, respectively. It will be apparent to those skilled in the art. The substrates described herein are processed before or after exposure, for example, with a track (usually a tool that applies a layer of resist to the substrate and develops the exposed resist), metrology tool and / or inspection tool. be able to. Where appropriate, the disclosure herein may be applied to these and other substrate processing tools. In addition, the substrate can be processed multiple times, for example to produce a multi-layer IC, so the term substrate as used herein can also refer to a substrate that already contains multiple processed layers.
[0090] 本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長またはその辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、および反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか、またはその組合せを指す。 [0090] As used herein, the terms "radiation" and "beam" include not only particle beams such as ion beams or electron beams, but also ultraviolet (UV) radiation (eg, 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm or Covering all types of electromagnetic radiation, including having a wavelength of 126 nm or around). The term “lens” refers to any of a combination of various types of optical components, including refractive and reflective optical components, or a combination thereof, as circumstances permit.
[0091] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることができる。本明細書で言及した１つまたは複数の異なる制御装置は、１つまたは複数のコンピュータプログラムが、リソグラフィ装置の少なくとも１つの構成素子内に配置された１つまたは複数のコンピュータプロセッサによって読み取られる場合に動作可能でよい。１つまたは複数のプロセッサは、制御装置の少なくとも１つと通信するように構成され、それによって制御装置は、１つまたは複数のコンピュータプログラムの機械可読命令に従って動作する。 [0091] While specific embodiments of the invention have been described above, it will be appreciated that the invention may be practiced otherwise than as described. For example, the present invention provides a computer program that includes one or more sequences of machine-readable instructions that describe a method as disclosed above, or a data storage medium (eg, semiconductor memory, etc.) that stores such a computer program. Magnetic or optical disk). One or more different control devices mentioned herein are used when one or more computer programs are read by one or more computer processors located in at least one component of the lithographic apparatus. It may be operable. The one or more processors are configured to communicate with at least one of the controllers so that the controllers operate according to machine-readable instructions of the one or more computer programs.
[0092] 本発明は、任意の液浸リソグラフィ装置、特に上述したタイプに適用可能であるが、それに制限されない。 [0092] The present invention is applicable to any immersion lithographic apparatus, particularly the type described above, but is not limited thereto.
[0093] 本発明の１つまたは複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に上述したタイプに適用可能であるが、それに制限されず、液浸液は、基板の局所的表面区域でのみ浴槽の形態で提供されても、閉じ込められなくてもよい。閉じ込められない構成で、液浸液は基板および／または基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブルおよび／または基板の覆われていない表面全体が濡れる。このような閉じ込められない液浸システムで、液体供給システムは、液浸流体を閉じ込めないか、ある割合の液浸液を閉じ込めるが、液浸液を実質的に完全には閉じ込めない。 [0093] One or more embodiments of the present invention are applicable to any immersion lithographic apparatus, in particular, but not limited to, the type described above, where the immersion liquid is a local surface area of the substrate. It may be provided only in the form of a bathtub or may not be confined. In an unconfined configuration, the immersion liquid can flow over the surface of the substrate and / or substrate table, thus substantially wetting the entire uncovered surface of the substrate table and / or substrate. With such an unconfined immersion system, the liquid supply system does not contain the immersion fluid or contain a proportion of the immersion liquid, but does not substantially completely contain the immersion liquid.
[0094] 本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、投影システムと基板および／または基板テーブルの間の空間に液体を提供するのは、構造の機構または組合せでよい。これは、１つまたは複数の構造、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口および／または空間に液体を提供する１つまたは複数の液体出口の組合せを備えてよい。実施形態では、空間の表面は、基板および／または基板テーブルの一部であるか、基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆うか、基板および／または基板テーブルを囲むことができる。液体供給システムは、任意選択で１つまたは複数の素子をさらに含み、液体の位置、量、品質、形状、流量または任意の他の特徴を制御することができる。 [0094] A liquid supply system as contemplated herein should be interpreted broadly. In certain embodiments, it may be a structural mechanism or combination that provides liquid to the space between the projection system and the substrate and / or substrate table. This includes one or more structures, one or more liquid inlets, one or more gas inlets, one or more gas outlets and / or one or more liquid outlets that provide liquid to the space. Combinations may be provided. In embodiments, the surface of the space can be part of the substrate and / or substrate table, completely cover the surface of the substrate and / or substrate table, or surround the substrate and / or substrate table. The liquid supply system may optionally further include one or more elements to control the position, quantity, quality, shape, flow rate or any other characteristic of the liquid.
[0095] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。 [0095] The descriptions above are intended to be illustrative, not limiting. Thus, it will be apparent to one skilled in the art that modifications may be made to the invention as described without departing from the scope of the claims set out below.
Claims (20)
前記液体を前記基板に隣接する空間に少なくとも部分的に閉じ込める液体閉じ込めシステムを備え、
前記液体閉じ込めシステムが、平面図で前記パターンの投影領域を取り囲む多角形を形成するように前記空間の周囲に相互に隣り合って配置された複数の離散した出口を備えており、
前記複数の離散した出口が、（ｉ）前記空間からの液体と（ｉｉ）前記液体閉じ込めシステムの外側の環境からのガスとの混合物を除去することによって、前記液体を前記空間に少なくとも部分的に閉じ込めることが可能に構成されている、
リソグラフィ投影装置。 A lithographic projection apparatus configured to project a pattern from a patterning device through a liquid onto a substrate,
A liquid confinement system for at least partially confining the liquid in a space adjacent to the substrate;
The liquid confinement system comprises a plurality of discrete outlets arranged adjacent to each other around the space so as to form a polygon surrounding the projection area of the pattern in plan view ;
The plurality of discrete outlets are configured to remove the liquid at least partially into the space by removing a mixture of (i) liquid from the space and (ii) gas from an environment outside the liquid confinement system. Configured to be confined,
Lithographic projection apparatus.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US63507906A | 2006-12-07 | 2006-12-07 | |
| US11/635,079 | 2006-12-07 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007309567A Division JP4902505B2 (en) | 2006-12-07 | 2007-11-30 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011097107A JP2011097107A (en) | 2011-05-12 |
| JP2011097107A5 JP2011097107A5 (en) | 2012-02-09 |
| JP5346046B2 true JP5346046B2 (en) | 2013-11-20 |
Family
ID=39607423
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007309567A Active JP4902505B2 (en) | 2006-12-07 | 2007-11-30 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2011026014A Active JP5346046B2 (en) | 2006-12-07 | 2011-02-09 | Lithographic projection apparatus |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007309567A Active JP4902505B2 (en) | 2006-12-07 | 2007-11-30 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP4902505B2 (en) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1036253A1 (en) * | 2007-12-10 | 2009-06-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| US8421993B2 (en) * | 2008-05-08 | 2013-04-16 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4922359B2 (en) | 2008-07-25 | 2012-04-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | Fluid handling structure, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
| NL2003333A (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-26 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| JP2010205914A (en) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Nikon Corp | Exposure device, exposure method, and method for manufacturing device |
| SG166747A1 (en) * | 2009-05-26 | 2010-12-29 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP5016705B2 (en) * | 2009-06-09 | 2012-09-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | Fluid handling structure |
| NL2005089A (en) * | 2009-09-23 | 2011-03-28 | Asml Netherlands Bv | FLUID HANDLING STRUCTURE, LITHOGRAPHIC EQUIPMENT AND DEVICE MANUFACTURING METHOD. |
| NL2005655A (en) | 2009-12-09 | 2011-06-14 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
| NL2006389A (en) | 2010-04-15 | 2011-10-18 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
| EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
| NL2007182A (en) * | 2010-08-23 | 2012-02-27 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, module for an immersion lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| US20120162619A1 (en) * | 2010-12-27 | 2012-06-28 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, program, and storage medium |
| JP5241862B2 (en) * | 2011-01-01 | 2013-07-17 | キヤノン株式会社 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| NL2008979A (en) | 2011-07-11 | 2013-01-14 | Asml Netherlands Bv | A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
| NL2009139A (en) * | 2011-08-05 | 2013-02-06 | Asml Netherlands Bv | A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
| NL2009271A (en) * | 2011-09-15 | 2013-03-18 | Asml Netherlands Bv | A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
| WO2017121547A1 (en) * | 2016-01-13 | 2017-07-20 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3186100B2 (en) * | 1991-07-12 | 2001-07-11 | ミノルタ株式会社 | Image reading device |
| SG121818A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1679738A4 (en) * | 2003-10-28 | 2008-08-06 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
| JP4954444B2 (en) * | 2003-12-26 | 2012-06-13 | 株式会社ニコン | Channel forming member, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| WO2005081290A1 (en) * | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method of producing the device |
| JP4479269B2 (en) * | 2004-02-20 | 2010-06-09 | 株式会社ニコン | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US9224632B2 (en) * | 2004-12-15 | 2015-12-29 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
| JP2006173295A (en) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Jsr Corp | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method |
| KR20070115859A (en) * | 2005-03-18 | 2007-12-06 | 가부시키가이샤 니콘 | Exposure method, exposure apparatus, device manufacturing method and exposure apparatus evaluating method |
-
2007
- 2007-11-30 JP JP2007309567A patent/JP4902505B2/en active Active
-
2011
- 2011-02-09 JP JP2011026014A patent/JP5346046B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011097107A (en) | 2011-05-12 |
| JP4902505B2 (en) | 2012-03-21 |
| JP2008147652A (en) | 2008-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5346046B2 (en) | Lithographic projection apparatus | |
| US10268127B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JP5731680B2 (en) | Fluid handling structure and method, and lithographic apparatus | |
| JP5576537B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JP4903835B2 (en) | Fluid handling structure, lithographic apparatus, and device manufacturing method | |
| JP5001407B2 (en) | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JP5182961B2 (en) | Fluid handling structure, lithographic apparatus, and device manufacturing method | |
| JP5383739B2 (en) | Fluid handling structure, lithographic apparatus, and device manufacturing method | |
| US20110025994A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JP5065432B2 (en) | Fluid handling device, immersion lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JP5412399B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JP5503938B2 (en) | Immersion lithography equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110308 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110308 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110428 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111219 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120703 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120926 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130724 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130815 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5346046 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |