JP2009272428A - 反射防止膜成膜方法および反射防止膜成膜装置 - Google Patents
反射防止膜成膜方法および反射防止膜成膜装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、(a)プラズマを形成するための電極としてホローカソード電極を用いる構成、(b)ホローカソード電極に供給する電力を100KHzから400KHzの低周波とする構成を備える。ホローカソード電極により高密度プラズマを形成し、この高密度プラズマによるプラズマ乖離の効率を高め、成膜速度を向上させる。低周波とすることで、Hラジカルの半導体基板へのイオン照射率を高め、半導体基板のH2パッシベーション効果を高める。さらに、(c)半導体基板とホローカソード電極との距離を、例えば16mm以下に近接させる構成、(d)電極面積単位当たりの印加電力を増加させる構成を備える。
【選択図】図4
Description
(a)プラズマを形成するための電極としてホローカソード電極を用いる構成、
(b)ホローカソード電極に供給する電力を100KHzから400KHzの低周波とする構成、
を備える。
(c)半導体基板とホローカソード電極との距離を、例えば16mm以下に近接させる構成、
(d)電極面積単位当たりの印加電力を増加させる構成
を備える。
Claims (4)
- 太陽電池の表面に窒化シリコン(SiNx)膜の反射防止膜を形成する成膜方法において、
ホローカソード電極に100KHzから400KHzの低周波の電力を供給し、
前記ホローカソード電極によって高密度プラズマを発生させてプロセスガスのプラズマ乖離効率を高めて成膜速度を向上させ、
前記低周波によって水素イオンの半導体基板への入射効率を高めてH2パッシベーション効果を向上させ、
半導体基板に窒化シリコン(SiNx)膜を成膜することを特徴とする太陽電池の反射防止膜成膜方法。 - 前記半導体基板をホローカソード電極に16mm以下に近接させ、電極面積単位当たりの印加電力を増加させることによって、水素イオンの半導体基板への入射効率を高めることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池の反射防止膜成膜方法。
- 太陽電池の半導体表面に窒化シリコン(SiNx)膜の反射防止膜を形成する成膜装置において、
ホローカソード電極と基板電極と、
前記ホローカソード電極と基板電極との間に低周波の電力を供給する高周波電源と、
前記ホローカソード電極と基板電極との間にプラズマガス、およびプロセスガスを導入するガス源とを備えることを特徴とする反射防止膜成膜装置。 - 前記ホローカソード電極と基板電極との電極間距離は16mm以下であり、
前記高周波電源はホローカソード電極に100KHzから400KHzの低周波の電力を供給することを特徴とする、請求項3に記載の反射防止膜成膜装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2008-05-07 JP JP2008121389A patent/JP2009272428A/ja active Pending
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