JP2009271236A - Method of manufacturing organic semiconductor device, and element substrate - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a flexible organic semiconductor device, and to provide an element substrate. <P>SOLUTION: The method of manufacturing an organic semiconductor device 11 comprises steps of: producing an element substrate 1 by fixing a shielding substrate 6 formed of a glass substrate to one main surface 4a of a flexible resin substrate 4 and making a support substrate 2 formed of a glass substrate adhere to the other main surface 4b of the resin substrate 4; forming an organic semiconductor element 12 that is an organic EL element having an organic semiconductor layer 14 on the shielding substrate 6 of the element substrate 1; and removing the support substrate 2 from an element substrate 1A. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、可撓性を有する有機半導体装置の製造方法及び有機半導体装置を製造するための素子基板に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a flexible organic semiconductor device and an element substrate for manufacturing the organic semiconductor device.

近年、可撓性を有する有機半導体装置及びその有機半導体装置を製造するための可撓性を有する素子基板が知られている。このような可撓性の基板の材料には、樹脂が採用される場合が多い。しかしながら、樹脂は、水分やガス等を透過するため、基板上に形成された有機半導体素子の劣化が速いといった問題があった。そこで、水分等の透過を抑制することが可能な素子基板が求められている。   In recent years, a flexible organic semiconductor device and a flexible element substrate for manufacturing the organic semiconductor device are known. Resin is often used as the material for such a flexible substrate. However, since the resin permeates moisture, gas, etc., there is a problem that the organic semiconductor element formed on the substrate is rapidly deteriorated. Therefore, there is a demand for an element substrate that can suppress the transmission of moisture and the like.

特許文献１には、ＳｉＯ２等からなるガスバリア層がＣＶＤ法などによりプラスチック基板上に形成された素子基板が開示されている。この素子基板を用いて有機半導体装置を製造する場合、ガスバリア層上に有機半導体素子が形成される。しかしながら、ＣＶＤ法によってプラスチック基板上にピンホール等を形成することなくガスバリア層を形成することは困難であり、特許文献１の技術では、水分等を十分に遮蔽できないといった問題があった。 Patent Document 1 discloses an element substrate in which a gas barrier layer made of SiO 2 or the like is formed on a plastic substrate by a CVD method or the like. When an organic semiconductor device is manufactured using this element substrate, an organic semiconductor element is formed on the gas barrier layer. However, it is difficult to form a gas barrier layer without forming a pinhole or the like on a plastic substrate by a CVD method, and the technique of Patent Document 1 has a problem that moisture and the like cannot be sufficiently shielded.

そこで、特許文献２には、ガラス層の両面または片面にプラスチック層が接着された素子基板が開示されている。この素子基板を用いて有機半導体装置を製造する場合、プラスチック層、ガラス層のいずれかに有機半導体素子が形成される。特許文献２の技術では、ガラス層の片面にプラスチック層を接着した場合、両層の線膨張係数の違いから、製造中に素子基板が熱による反りによって変形するといった問題があった。また、特許文献２には、ガラス層の両面にプラスチック層を接着することによって、変形を抑制できる技術も開示されている。しかしながら、プラスチック層は面方向に水分等を透過するので、特許文献２の技術では、水分等の遮蔽が十分でないといった問題があった。   Therefore, Patent Document 2 discloses an element substrate in which a plastic layer is bonded to both surfaces or one surface of a glass layer. When manufacturing an organic semiconductor device using this element substrate, an organic semiconductor element is formed in either a plastic layer or a glass layer. In the technique of Patent Document 2, when a plastic layer is bonded to one side of a glass layer, there is a problem that the element substrate is deformed due to warping due to heat during manufacturing due to the difference in linear expansion coefficient between the two layers. Patent Document 2 also discloses a technique that can suppress deformation by adhering a plastic layer to both surfaces of a glass layer. However, since the plastic layer permeates moisture and the like in the surface direction, the technique of Patent Document 2 has a problem that moisture and the like are not sufficiently shielded.

特許文献３には、樹脂層の両面に薄板ガラスが設けられた素子基板が開示されている。この素子基板を用いて有機半導体装置を製造する場合、一方の薄板ガラスに有機半導体素子が形成される。このように、特許文献３の技術では、樹脂層の両面に薄板ガラスを接着することによって、面方向の水分等の遮蔽能力を高めつつ、製造中の反りによる変形を抑制できた。
特開２００３−５１３８３号公報 特開平１１−３２９７１５号公報 特許３０５９８６６号 Patent Document 3 discloses an element substrate in which thin glass is provided on both surfaces of a resin layer. When manufacturing an organic semiconductor device using this element substrate, an organic semiconductor element is formed on one thin glass plate. Thus, with the technique of patent document 3, the deformation | transformation by the curvature in manufacture was able to be suppressed, improving the shielding capability, such as the water | moisture content of a surface direction, by adhere | attaching thin glass on both surfaces of a resin layer.
JP 2003-51383 A JP 11-329715 A Japanese Patent No. 3059866

しかしながら、特許文献３の技術では、樹脂層の両面に薄板ガラスを設けているので、この素子基板を用いて製造された有機半導体装置の可撓性が小さいといった課題がある。   However, in the technique of Patent Document 3, since thin glass is provided on both surfaces of the resin layer, there is a problem that the flexibility of an organic semiconductor device manufactured using this element substrate is small.

本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、可撓性の高い有機半導体装置の製造方法及び素子基板を提供することを目的としている。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide a method for manufacturing a highly flexible organic semiconductor device and an element substrate.

上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、可撓性を有する樹脂基板の一方の主面に無機絶縁材料からなる遮蔽基板を固着するとともに、前記樹脂基板の他方の主面に支持基板を接着して素子基板を作製する工程と、前記素子基板の遮蔽基板上に有機半導体素子を形成する工程と、前記支持基板を前記素子基板から除去する工程とを備たことを特徴とする有機半導体装置の製造方法である。   In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a shielding substrate made of an inorganic insulating material is fixed to one main surface of a flexible resin substrate, and the other main surface of the resin substrate is fixed. A step of fabricating an element substrate by adhering a support substrate to the substrate, a step of forming an organic semiconductor element on a shielding substrate of the element substrate, and a step of removing the support substrate from the element substrate. An organic semiconductor device manufacturing method.

また、請求項２に記載の発明は、前記支持基板の厚みは、前記樹脂基板の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の有機半導体装置の製造方法である。   The invention according to claim 2 is the method of manufacturing an organic semiconductor device according to claim 1, wherein the thickness of the support substrate is larger than the thickness of the resin substrate.

また、請求項３に記載の発明は、前記樹脂基板の厚みは、前記遮蔽基板の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機半導体装置の製造方法である。   The invention according to claim 3 is the method of manufacturing an organic semiconductor device according to claim 1 or 2, wherein the thickness of the resin substrate is larger than the thickness of the shielding substrate.

また、請求項４に記載の発明は、前記樹脂基板と前記遮蔽基板とを固着する力は、前記支持基板と前記樹脂基板とを接着する力よりも大きいことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の有機半導体装置の製造方法である。   According to a fourth aspect of the present invention, the force for fixing the resin substrate and the shielding substrate is larger than the force for bonding the support substrate and the resin substrate. 4. The method for producing an organic semiconductor device according to any one of items 3.

また、請求項５に記載の発明は、前記樹脂基板の一方の主面、または、前記樹脂基板の一方の主面に固着される前記遮蔽基板の面は、粗面化されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の有機半導体装置の製造方法である。   The invention according to claim 5 is characterized in that one main surface of the resin substrate or the surface of the shielding substrate fixed to one main surface of the resin substrate is roughened. A method for producing an organic semiconductor device according to any one of claims 1 to 4.

また、請求項６に記載の発明は、前記樹脂基板は、白濁化されていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の有機半導体装置の製造方法である。   The invention according to claim 6 is the method for producing an organic semiconductor device according to any one of claims 1 to 5, wherein the resin substrate is white turbid.

また、請求項７に記載の発明は、可撓性を有する樹脂基板と、前記樹脂基板の一方の主面に固着された遮蔽基板と、前記樹脂基板の他方の主面に取り外し可能に接着された支持基板とを備えていることを特徴とする素子基板である。   According to a seventh aspect of the present invention, a flexible resin substrate, a shielding substrate fixed to one main surface of the resin substrate, and a removable main surface of the resin substrate are detachably bonded. And a supporting substrate.

また、請求項８に記載の発明は、前記支持基板の厚みは、前記樹脂基板の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項７に記載の素子基板である。   The invention according to claim 8 is the element substrate according to claim 7, wherein the thickness of the support substrate is larger than the thickness of the resin substrate.

また、請求項９に記載の発明は、前記樹脂基板の厚みは、前記遮蔽基板の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の素子基板である。   The invention according to claim 9 is the element substrate according to claim 7 or 8, wherein the thickness of the resin substrate is larger than the thickness of the shielding substrate.

また、請求項１０に記載の発明は、前記樹脂基板と前記遮蔽基板とを固着する力は、前記支持基板と前記樹脂基板とを接着する力よりも小さいことを特徴とする請求項７〜請求項９のいずれか１項に記載の素子基板である。   The invention described in claim 10 is characterized in that a force for fixing the resin substrate and the shielding substrate is smaller than a force for bonding the support substrate and the resin substrate. 10. The element substrate according to any one of items 9.

また、請求項１１に記載の発明は、前記樹脂基板の一方の主面、または、前記樹脂基板の一方の主面に固着される前記遮蔽基板の面は、粗面化されていることを特徴とする請求項７〜請求項１０のいずれか１項に記載の素子基板である。   The invention according to claim 11 is characterized in that one main surface of the resin substrate or the surface of the shielding substrate fixed to one main surface of the resin substrate is roughened. It is an element substrate of any one of Claims 7-10.

また、請求項１２に記載の発明は、前記樹脂基板は、白濁化されていることを特徴とする請求項７〜請求項１１のいずれか１項に記載の素子基板である。   The invention according to claim 12 is the element substrate according to any one of claims 7 to 11, wherein the resin substrate is white turbid.

本発明によれば、樹脂基板の一方の面に取り外し可能に支持基板を接着して、有機半導体素子を形成した後に、支持基板を取り外している。これにより、完成した有機半導体装置の可撓性を高めることができる。   According to the present invention, the support substrate is detachably bonded to one surface of the resin substrate to form the organic semiconductor element, and then the support substrate is removed. Thereby, the flexibility of the completed organic semiconductor device can be improved.

（第１実施形態）
以下、図面を参照して、本発明の第１実施形態による素子基板について説明する。第１実施形態による素子基板は、可撓性を有する有機ＥＬ素子や有機トランジスタ等を製造するためのものである。図１は、第１実施形態による素子基板の断面図である。 (First embodiment)
Hereinafter, an element substrate according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The element substrate according to the first embodiment is for manufacturing a flexible organic EL element, organic transistor, or the like. FIG. 1 is a cross-sectional view of an element substrate according to the first embodiment.

素子基板１は、光透過性及び可撓性を有し、有機ＥＬ素子や有機トランジスタ等の有機半導体素子を有する有機半導体装置を製造するためのものである。図１に示すように、素子基板１は、支持基板２と、接着層３と、樹脂基板４と、固着層５と、遮蔽基板６とを備えている。   The element substrate 1 is for manufacturing an organic semiconductor device having optical transparency and flexibility and having an organic semiconductor element such as an organic EL element or an organic transistor. As shown in FIG. 1, the element substrate 1 includes a support substrate 2, an adhesive layer 3, a resin substrate 4, a fixing layer 5, and a shielding substrate 6.

支持基板２は、後述する有機半導体素子を製造する工程において、素子基板１が変形することを抑制するためのものである。支持基板２は、約５００μｍの厚みを有するガラス基板からなる。尚、支持基板２の厚みは、５００μｍに限定されるものではないが、樹脂基板４の厚みより大きい方が好ましい。支持基板２は、光を透過可能に構成されている。尚、有機半導体装置の製造工程において、支持基板２は、有機半導体素子が形成された後、剥離される。   The support substrate 2 is for suppressing the deformation of the element substrate 1 in a process of manufacturing an organic semiconductor element described later. The support substrate 2 is made of a glass substrate having a thickness of about 500 μm. The thickness of the support substrate 2 is not limited to 500 μm, but is preferably larger than the thickness of the resin substrate 4. The support substrate 2 is configured to transmit light. In the manufacturing process of the organic semiconductor device, the support substrate 2 is peeled off after the organic semiconductor element is formed.

接着層３は、支持基板２と樹脂基板４とを取り外し可能に接着するためのものである。接着層３は、アクリル系ＵＶ硬化樹脂からなる。   The adhesive layer 3 is for detachably bonding the support substrate 2 and the resin substrate 4. The adhesive layer 3 is made of an acrylic UV curable resin.

樹脂基板４は、可撓性を有する。樹脂基板４は、約１００μｍの厚みを有するＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）からなる。樹脂基板４は、光を散乱させるために、光を透過可能な程度に白濁化されている。樹脂基板４の一方の主面４ａには、固着層５を介して遮蔽基板６が固着される。樹脂基板４の他方の主面４ｂには、接着層３を介して支持基板２が取り外し可能に接着される。樹脂基板４の一方の主面４ａは、光を散乱させ、且つ、遮蔽基板６との固着力を高めるために粗面化されている。   The resin substrate 4 has flexibility. The resin substrate 4 is made of PEN (polyethylene naphthalate) having a thickness of about 100 μm. The resin substrate 4 is clouded to such an extent that light can be transmitted in order to scatter light. A shielding substrate 6 is fixed to one main surface 4 a of the resin substrate 4 via a fixing layer 5. The support substrate 2 is detachably bonded to the other main surface 4 b of the resin substrate 4 via the adhesive layer 3. One main surface 4 a of the resin substrate 4 is roughened in order to scatter light and increase the fixing force with the shielding substrate 6.

固着層５は、樹脂基板４と遮蔽基板６とを固着するためのものである。固着層５は、エポキシ系硬化樹脂からなる。ここで、固着層５による樹脂基板４と遮蔽基板６とを固着する力は、接着層３による支持基板２と樹脂基板４とを接着する力よりも大きい。   The fixing layer 5 is for fixing the resin substrate 4 and the shielding substrate 6 together. The fixing layer 5 is made of an epoxy-based cured resin. Here, the force for fixing the resin substrate 4 and the shielding substrate 6 by the fixing layer 5 is larger than the force for bonding the support substrate 2 and the resin substrate 4 by the adhesive layer 3.

遮蔽基板６は、樹脂基板４を透過する水分やガス等を遮蔽して、有機半導体素子を保護するためのものである。遮蔽基板６は、約５０μｍの厚みを有するガラス基板からなる。遮蔽基板６は、光を透過可能に構成されている。遮蔽基板６の上面（外面）は、有機半導体素子が形成される成長主面８である。遮蔽基板６の下面は、光を散乱させ、且つ、樹脂基板４との固着力を高めるために粗面化されている。   The shielding substrate 6 is for protecting the organic semiconductor element by shielding moisture, gas, and the like that permeate the resin substrate 4. The shielding substrate 6 is made of a glass substrate having a thickness of about 50 μm. The shielding substrate 6 is configured to transmit light. The upper surface (outer surface) of the shielding substrate 6 is a main growth surface 8 on which an organic semiconductor element is formed. The lower surface of the shielding substrate 6 is roughened in order to scatter light and increase the adhesion with the resin substrate 4.

上述したように、第１実施形態による素子基板１では、支持基板２が、樹脂基板４に取り外し可能に接着されている。これにより、有機半導体素子を形成後、支持基板２を樹脂基板４から取り外すことができる。この結果、有機半導体装置の完成後における、素子基板１の可撓性を高めることができる。   As described above, in the element substrate 1 according to the first embodiment, the support substrate 2 is detachably bonded to the resin substrate 4. Thereby, the support substrate 2 can be removed from the resin substrate 4 after forming the organic semiconductor element. As a result, the flexibility of the element substrate 1 after completion of the organic semiconductor device can be improved.

また、素子基板１では、ガラス基板からなる支持基板２を樹脂基板４に接着している。これにより、フォトリソグラフィー工程等の加熱する工程において、素子基板１が反り等のよって変形することを抑制できる。更に、素子基板１では、支持基板２を樹脂基板４よりも厚くすることによって、より変形を抑制できる。   In the element substrate 1, the support substrate 2 made of a glass substrate is bonded to the resin substrate 4. Thereby, it can suppress that the element substrate 1 deform | transforms by curvature etc. in the process of heating, such as a photolithography process. Furthermore, in the element substrate 1, deformation can be further suppressed by making the support substrate 2 thicker than the resin substrate 4.

（第２実施形態）
以下、図面を参照して、本発明の第２実施形態による有機半導体装置について説明する。第２実施形態による有機半導体装置１１は、面光源照明や面光源バックライト等に適用されるものである。図２は、第２実施形態による有機半導体装置の断面図である。尚、第１実施形態と同じ構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。 (Second Embodiment)
Hereinafter, an organic semiconductor device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The organic semiconductor device 11 according to the second embodiment is applied to a surface light source illumination, a surface light source backlight, and the like. FIG. 2 is a cross-sectional view of the organic semiconductor device according to the second embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same structure as 1st Embodiment, and description is abbreviate | omitted.

図２に示すように、第２実施形態による有機半導体装置１１は、素子基板１Ａと、有機半導体素子１２とを備えている。   As shown in FIG. 2, the organic semiconductor device 11 according to the second embodiment includes an element substrate 1 </ b> A and an organic semiconductor element 12.

素子基板１Ａは、樹脂基板４と、固着層５と、遮蔽基板６とを備えている。有機半導体装置１１では、樹脂基板４から支持基板２が製造工程の途中で除去されている（図２点線参照）。   The element substrate 1 </ b> A includes a resin substrate 4, a fixing layer 5, and a shielding substrate 6. In the organic semiconductor device 11, the support substrate 2 is removed from the resin substrate 4 during the manufacturing process (see the dotted line in FIG. 2).

有機半導体素子１２は、光を発光可能な有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子である。有機半導体素子１２は、アノード電極１３と、有機半導体層１４と、カソード電極１５と、アノード端子１６と、絶縁膜１７と、封止膜１８とを備えている。   The organic semiconductor element 12 is an organic EL (electroluminescence) element that can emit light. The organic semiconductor element 12 includes an anode electrode 13, an organic semiconductor layer 14, a cathode electrode 15, an anode terminal 16, an insulating film 17, and a sealing film 18.

アノード電極１３は、有機半導体層１４に正孔を注入するためのものである。アノード電極１３は、素子基板１Ａの成長主面８に形成されている。アノード電極１３は、光を透過可能な約１００ｎｍの厚みを有するＩＴＯ（酸化インジウムスズ）からなる。アノード電極１３の一端部は、Ａｌ膜からなるアノード端子１６と接続されている。   The anode electrode 13 is for injecting holes into the organic semiconductor layer 14. The anode electrode 13 is formed on the main growth surface 8 of the element substrate 1A. The anode electrode 13 is made of ITO (indium tin oxide) having a thickness of about 100 nm capable of transmitting light. One end of the anode electrode 13 is connected to an anode terminal 16 made of an Al film.

有機半導体層１４は、光を発光するためのものである。有機半導体層１４は、アノード電極１３上に電気的に接続された状態で形成されている。有機半導体層１４には、正孔輸送層及び電子輸送層がアノード電極１３側から順に積層されている。正孔輸送層は、約５０ｎｍの厚みを有するＮＰＤ（ジフェニルナフチルジアミン）膜からなる。電子輸送層は、約５０ｎｍの厚みを有し、色素を混入させたキノリノールアルミ錯体（Ａｌｑ３）膜からなる。尚、有機半導体層１４の屈折率は、約１．７３である。また、アノード電極１３からの正孔注入を促進するために銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）をアノード電極１３と有機半導体層１４との間に積層してもよい。 The organic semiconductor layer 14 is for emitting light. The organic semiconductor layer 14 is formed on the anode electrode 13 in an electrically connected state. In the organic semiconductor layer 14, a hole transport layer and an electron transport layer are sequentially stacked from the anode electrode 13 side. The hole transport layer is made of an NPD (diphenylnaphthyldiamine) film having a thickness of about 50 nm. The electron transport layer has a thickness of about 50 nm and is made of a quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) film mixed with a dye. The refractive index of the organic semiconductor layer 14 is about 1.73. Further, copper phthalocyanine (CuPc) may be laminated between the anode electrode 13 and the organic semiconductor layer 14 in order to promote hole injection from the anode electrode 13.

カソード電極１５は、有機半導体層１４に電子を注入するためのものである。カソード電極１５は、有機半導体層１４上に電気的に接続された状態で形成されている。カソード電極１５は、約１００ｎｍの厚みを有するＡｌ膜からなる。カソード電極１５の一端部は、素子基板１Ａの成長主面８に形成され、外部端子として機能する。カソード電極１５は、ＳｉＯ２からなる絶縁膜１７によってアノード電極１３と絶縁されている。 The cathode electrode 15 is for injecting electrons into the organic semiconductor layer 14. The cathode electrode 15 is formed on the organic semiconductor layer 14 in an electrically connected state. The cathode electrode 15 is made of an Al film having a thickness of about 100 nm. One end of the cathode electrode 15 is formed on the main growth surface 8 of the element substrate 1A and functions as an external terminal. The cathode electrode 15 is insulated from the anode electrode 13 by an insulating film 17 made of SiO 2 .

封止膜１８は、有機半導体層１４を封止して、水分等から保護するためのものである。封止膜１８は、絶縁性の合成樹脂からなる。封止膜１８は、有機半導体層１４が形成されている領域を覆うように形成されている。   The sealing film 18 is for sealing the organic semiconductor layer 14 and protecting it from moisture and the like. The sealing film 18 is made of an insulating synthetic resin. The sealing film 18 is formed so as to cover a region where the organic semiconductor layer 14 is formed.

次に、上述した第２実施形態による有機半導体装置の動作を説明する。   Next, the operation of the organic semiconductor device according to the second embodiment will be described.

まず、有機半導体装置１１では、外部電源によってアノード電極１３とカソード電極１５との間に電圧が印加される。これにより、アノード電極１３から有機半導体層１４には、正孔が注入される。また、カソード電極１５から有機半導体層１４には、電子が注入される。注入された正孔と電子は、有機半導体層１４内で再結合して光を発光する。その後、光は、アノード電極１３と素子基板１Ａとを透過する。ここで、素子基板１Ａを透過する光は、粗面化された遮蔽基板６の下面及び樹脂基板４の主面４ａによって散乱される。この後、光は、樹脂基板４の主面４ｂから出射される。   First, in the organic semiconductor device 11, a voltage is applied between the anode electrode 13 and the cathode electrode 15 by an external power source. As a result, holes are injected from the anode electrode 13 into the organic semiconductor layer 14. Electrons are injected from the cathode electrode 15 into the organic semiconductor layer 14. The injected holes and electrons recombine in the organic semiconductor layer 14 to emit light. Thereafter, the light passes through the anode electrode 13 and the element substrate 1A. Here, the light transmitted through the element substrate 1 </ b> A is scattered by the roughened lower surface of the shielding substrate 6 and the main surface 4 a of the resin substrate 4. Thereafter, the light is emitted from the main surface 4 b of the resin substrate 4.

次に、上述した第２実施形態による有機半導体装置１１の製造方法について説明する。図３〜図９は、第２実施形態による有機半導体装置の各製造工程を説明する図である。   Next, a method for manufacturing the organic semiconductor device 11 according to the above-described second embodiment will be described. 3 to 9 are diagrams illustrating each manufacturing process of the organic semiconductor device according to the second embodiment.

まず、図３に示すように、可撓性を有する樹脂基板４の一方の主面４ａに軟化状態のエポキシ系ＵＶ硬化樹脂材を塗布する。その後、ガラス基板からなる遮蔽基板６をエポキシ系ＵＶ硬化樹脂材上に載置する。この状態で、遮蔽基板６側から紫外線（ＵＶ）を照射する。これにより、エポキシ系ＵＶ硬化樹脂が硬化して、固着層５となり、樹脂基板４に遮蔽基板６が固着される。   First, as shown in FIG. 3, a softened epoxy-based UV curable resin material is applied to one main surface 4a of the resin substrate 4 having flexibility. Thereafter, the shielding substrate 6 made of a glass substrate is placed on the epoxy UV curable resin material. In this state, ultraviolet rays (UV) are irradiated from the shielding substrate 6 side. As a result, the epoxy UV curable resin is cured to form the fixing layer 5, and the shielding substrate 6 is fixed to the resin substrate 4.

次に、図４に示すように、樹脂基板４の他方の主面４ｂに軟化状態のアクリル系ＵＶ硬化樹脂を塗布する。その後、アクリル系ＵＶ硬化樹脂上に支持基板２を載置する。この状態で、支持基板２側から紫外線（ＵＶ）を照射する。これにより、アクリル系ＵＶ硬化樹脂が硬化して、接着層３となり、樹脂基板４に支持基板２が接着される。これにより、素子基板１が完成する。   Next, as shown in FIG. 4, a soft acrylic resin is applied to the other main surface 4 b of the resin substrate 4. Thereafter, the support substrate 2 is placed on the acrylic UV curable resin. In this state, ultraviolet rays (UV) are irradiated from the support substrate 2 side. Thereby, the acrylic UV curable resin is cured to form the adhesive layer 3, and the support substrate 2 is bonded to the resin substrate 4. Thereby, the element substrate 1 is completed.

次に、素子基板１の成長主面８の全面にＩＴＯ膜（図示略）を形成する。この後、図５に示すように、フォトリソグラフィー技術によりレジスト膜５１を形成する。次に、レジスト膜５１から露出しているＩＴＯ膜をエッチングする。これにより、パターニングされたアノード電極１３が形成される。   Next, an ITO film (not shown) is formed on the entire growth main surface 8 of the element substrate 1. Thereafter, as shown in FIG. 5, a resist film 51 is formed by a photolithography technique. Next, the ITO film exposed from the resist film 51 is etched. Thereby, the patterned anode electrode 13 is formed.

次に、素子基板１の成長主面８及びアノード電極１３の全面にＳｉＯ２膜（図示略）を形成する。この後、図６に示すように、素子基板１を加熱した状態で、フォトリソグラフィー技術によりレジスト膜５２を形成する。次に、レジスト膜５２から露出しているＳｉＯ２膜をエッチングする。これにより、パターニングされた絶縁膜１７が形成される。 Next, a SiO 2 film (not shown) is formed on the entire growth main surface 8 and the anode electrode 13 of the element substrate 1. Thereafter, as shown in FIG. 6, a resist film 52 is formed by a photolithography technique while the element substrate 1 is heated. Next, the SiO 2 film exposed from the resist film 52 is etched. Thereby, a patterned insulating film 17 is formed.

次に、図７に示すように、開口部を有するシャドウマスク５３を用いて、アノード電極１３上の所定の領域に有機半導体層１４を蒸着させる。   Next, as shown in FIG. 7, the organic semiconductor layer 14 is deposited on a predetermined region on the anode electrode 13 using a shadow mask 53 having an opening.

次に、図８に示すように、所定の領域にカソード電極１５及びアノード端子１６を蒸着する。その後、封止膜１８を形成する。これにより、素子基板１の遮蔽基板６上に有機半導体素子１２が完成する。   Next, as shown in FIG. 8, the cathode electrode 15 and the anode terminal 16 are vapor-deposited in a predetermined region. Thereafter, the sealing film 18 is formed. Thereby, the organic semiconductor element 12 is completed on the shielding substrate 6 of the element substrate 1.

次に、図９に示すように、樹脂基板４から支持基板２を剥離させる。これにより、素子基板１Ａから支持基板２が除去されて、有機半導体装置１１が完成する。尚、完成後の有機半導体装置１１の樹脂基板４の主面４ｂには、接着層３が残ってもよい。   Next, as shown in FIG. 9, the support substrate 2 is peeled from the resin substrate 4. Thereby, the support substrate 2 is removed from the element substrate 1A, and the organic semiconductor device 11 is completed. Note that the adhesive layer 3 may remain on the main surface 4 b of the resin substrate 4 of the completed organic semiconductor device 11.

上述したように、第２実施形態による有機半導体装置１１の製造方法では、樹脂基板４から支持基板２を取り外すことができるように接着している。これにより、有機半導体素子１２を形成した後、支持基板２を樹脂基板４から剥離することができる。この結果、有機半導体装置１１の完成後の可撓性を高めることができる。   As described above, in the method for manufacturing the organic semiconductor device 11 according to the second embodiment, the support substrate 2 is bonded so that it can be removed from the resin substrate 4. Thereby, after forming the organic semiconductor element 12, the support substrate 2 can be peeled from the resin substrate 4. FIG. As a result, the flexibility after completion of the organic semiconductor device 11 can be enhanced.

また、有機半導体装置１１の製造方法では、ガラス基板からなる支持基板２が接着された素子基板１を用いている。これにより、フォトリソグラフィー工程等において、素子基板１を加熱しても、反り等の変形を抑制できる。このため、レジスト膜５１、５２のパターニングの精度を高めることができる。この結果、レジスト膜５１、５２によってパターニングされるアノード電極１３及び絶縁膜１７の形状の精度を向上させることができる。更に、素子基板１では、支持基板２を樹脂基板４よりも厚くしているので、より変形を抑制できる。   In the method for manufacturing the organic semiconductor device 11, the element substrate 1 to which the support substrate 2 made of a glass substrate is bonded is used. Thereby, even if the element substrate 1 is heated in a photolithography process or the like, deformation such as warpage can be suppressed. For this reason, the patterning accuracy of the resist films 51 and 52 can be increased. As a result, the accuracy of the shapes of the anode electrode 13 and the insulating film 17 patterned by the resist films 51 and 52 can be improved. Furthermore, in the element substrate 1, since the support substrate 2 is thicker than the resin substrate 4, deformation can be further suppressed.

また、有機半導体装置１１では、遮蔽基板６の下面及び樹脂基板４の主面４ａが粗面化されているので、素子基板１Ａを透過する光が散乱される。これにより、素子基板１Ａの樹脂基板４の主面４ａによって反射される光が低減される。この結果、光の取出効率を向上させることができる。また、有機半導体装置１１では、遮蔽基板６の下面及び樹脂基板４の主面４ａを粗面化することによって、アンカー効果により固着層５による固着力をより大きくすることができる。   Moreover, in the organic semiconductor device 11, since the lower surface of the shielding substrate 6 and the main surface 4a of the resin substrate 4 are roughened, light transmitted through the element substrate 1A is scattered. Thereby, the light reflected by the main surface 4a of the resin substrate 4 of the element substrate 1A is reduced. As a result, the light extraction efficiency can be improved. Further, in the organic semiconductor device 11, by fixing the lower surface of the shielding substrate 6 and the main surface 4 a of the resin substrate 4, the fixing force by the fixing layer 5 can be increased due to the anchor effect.

また、有機半導体装置１１では、樹脂基板４を白濁化させることによって、素子基板１Ａを透過する光を散乱することができる。これにより、素子基板１Ａの樹脂基板４の内部に閉じ込められる光が低減される。この結果、透過する光の取出効率を向上させることができる。   In the organic semiconductor device 11, the light transmitted through the element substrate 1 </ b> A can be scattered by making the resin substrate 4 cloudy. Thereby, the light confined inside the resin substrate 4 of the element substrate 1A is reduced. As a result, the extraction efficiency of transmitted light can be improved.

また、素子基板１を作製する際の接着層３及び固着層５の硬化プロセスは、通常、紫外線を照射することによって行われる。ここで、上述したように、有機半導体装置１１では、樹脂基板４を白濁化させているので、照射された紫外線を反射させて増強させることができる。この結果、接着層３及び固着層５の硬化プロセスの効率を向上させることができる。   Further, the curing process of the adhesive layer 3 and the fixing layer 5 when the element substrate 1 is manufactured is usually performed by irradiating ultraviolet rays. Here, as described above, in the organic semiconductor device 11, since the resin substrate 4 is clouded, the irradiated ultraviolet rays can be reflected and enhanced. As a result, the efficiency of the curing process of the adhesive layer 3 and the fixing layer 5 can be improved.

（第３実施形態）
以下、図面を参照して、本発明の第３実施形態による有機半導体装置について説明する。図１０は、第３実施形態による有機半導体装置の断面図である。尚、上述した実施形態と同じ構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。 (Third embodiment)
Hereinafter, an organic semiconductor device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 10 is a cross-sectional view of an organic semiconductor device according to the third embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structure same as embodiment mentioned above, and description is abbreviate | omitted.

図１０に示すように、第３実施形態による有機半導体装置２１は、素子基板１Ａと、有機半導体素子２２とを備えている。   As shown in FIG. 10, the organic semiconductor device 21 according to the third embodiment includes an element substrate 1 </ b> A and an organic semiconductor element 22.

素子基板１Ａは、樹脂基板４と、固着層５と、遮蔽基板６とを備えている。有機半導体装置２１では、樹脂基板４から支持基板２が製造工程の途中で除去されている（図１０点線参照）。   The element substrate 1 </ b> A includes a resin substrate 4, a fixing layer 5, and a shielding substrate 6. In the organic semiconductor device 21, the support substrate 2 is removed from the resin substrate 4 during the manufacturing process (see the dotted line in FIG. 10).

有機半導体素子２２は、オン・オフ切り換え可能な有機トランジスタ素子である。有機半導体素子２２は、ゲート電極２３と、ゲート絶縁膜２４と、ソース電極２５と、ドレイン電極２６と、有機半導体層２７と、封止膜２８とを備えている。   The organic semiconductor element 22 is an organic transistor element that can be switched on and off. The organic semiconductor element 22 includes a gate electrode 23, a gate insulating film 24, a source electrode 25, a drain electrode 26, an organic semiconductor layer 27, and a sealing film 28.

ゲート電極２３は、ソース電極２５及びドレイン電極２６間の電流をオン・オフ切り換えるためのものである。また、ゲート電極２３は、ソース電極２５及びドレイン電極２６間の電流量を調整するためのものである。ゲート電極２３は、約１００ｎｍの厚みを有するＡｌ膜からなる。ゲート電極２３は、素子基板１Ａの成長主面８の略中央部に形成されている。   The gate electrode 23 is for switching the current between the source electrode 25 and the drain electrode 26 on and off. The gate electrode 23 is for adjusting the amount of current between the source electrode 25 and the drain electrode 26. The gate electrode 23 is made of an Al film having a thickness of about 100 nm. The gate electrode 23 is formed at a substantially central portion of the main growth surface 8 of the element substrate 1A.

ゲート絶縁膜２４は、ゲート電極２３を電極２５、２６から絶縁するためのものである。ゲート絶縁膜２４は、ＳｉＯ２膜からなる。ゲート絶縁膜２４は、ゲート電極２３を覆うように形成されている。 The gate insulating film 24 is for insulating the gate electrode 23 from the electrodes 25 and 26. The gate insulating film 24 is made of a SiO 2 film. The gate insulating film 24 is formed so as to cover the gate electrode 23.

ソース電極２５は、有機半導体層２７に正孔を注入するためのものである。ドレイン電極２６は、有機半導体層２７に電子を注入するためのものである。ソース電極２５及びドレイン電極２６は、約１００ｎｍの厚みを有するＡｕ膜からなる。ソース電極２５及びドレイン電極２６は、素子基板１Ａの成長主面８及びゲート絶縁膜２４上に形成されている。ゲート絶縁膜２４上において、ソース電極２５及びドレイン電極２６との間には、所定の間隔が形成されている。   The source electrode 25 is for injecting holes into the organic semiconductor layer 27. The drain electrode 26 is for injecting electrons into the organic semiconductor layer 27. The source electrode 25 and the drain electrode 26 are made of an Au film having a thickness of about 100 nm. The source electrode 25 and the drain electrode 26 are formed on the growth main surface 8 and the gate insulating film 24 of the element substrate 1A. On the gate insulating film 24, a predetermined interval is formed between the source electrode 25 and the drain electrode 26.

有機半導体層２７は、ソース電極２５及びドレイン電極２６の間に、電流の経路を形成するためのものである。有機半導体層２７は、約５０ｎｍの厚みを有する高移動度ペンタセン膜からなる。有機半導体層２７は、ソース電極２５及びドレイン電極２６から露出されたゲート絶縁膜２４上に形成されている。有機半導体層２７の一部は、ソース電極２５及びドレイン電極２６の上面に形成されている。   The organic semiconductor layer 27 is for forming a current path between the source electrode 25 and the drain electrode 26. The organic semiconductor layer 27 is made of a high mobility pentacene film having a thickness of about 50 nm. The organic semiconductor layer 27 is formed on the gate insulating film 24 exposed from the source electrode 25 and the drain electrode 26. A part of the organic semiconductor layer 27 is formed on the upper surfaces of the source electrode 25 and the drain electrode 26.

封止膜２８は、有機半導体層２７を封止して、水分等から保護するためのものである。封止膜２８は、絶縁性の合成樹脂からなる。封止膜２８は、有機半導体層２７が形成されている領域を覆うように形成されている。   The sealing film 28 is for sealing the organic semiconductor layer 27 and protecting it from moisture and the like. The sealing film 28 is made of an insulating synthetic resin. The sealing film 28 is formed so as to cover a region where the organic semiconductor layer 27 is formed.

次に、上述した第３実施形態による有機半導体装置２１の動作を説明する。   Next, the operation of the organic semiconductor device 21 according to the above-described third embodiment will be described.

まず、有機半導体装置２１では、ソース電極２５とドレイン電極２６との間にバイアス電圧が印加される。次に、ゲート電極２３に電圧が印加される。これにより、ソース電極２５から有機半導体層２７には、正孔が注入される。注入された正孔は、ドレイン電極２６へと輸送される。これにより、ソース電極２５とドレイン電極２６との間に電流が流れる。この状態からゲート電極２３への電圧印加を停止すると、ソース電極２５から有機半導体層２７への正孔の注入が停止されて、電流の流れが遮断される。   First, in the organic semiconductor device 21, a bias voltage is applied between the source electrode 25 and the drain electrode 26. Next, a voltage is applied to the gate electrode 23. Thereby, holes are injected from the source electrode 25 into the organic semiconductor layer 27. The injected holes are transported to the drain electrode 26. As a result, a current flows between the source electrode 25 and the drain electrode 26. When the voltage application to the gate electrode 23 is stopped from this state, the injection of holes from the source electrode 25 to the organic semiconductor layer 27 is stopped, and the current flow is interrupted.

次に、上述した第３実施形態による有機半導体装置２１の製造方法について説明する。図１１〜図１６は、第３実施形態による有機半導体装置の各製造工程を説明する図である。   Next, a method for manufacturing the organic semiconductor device 21 according to the above-described third embodiment will be described. 11-16 is a figure explaining each manufacturing process of the organic-semiconductor device by 3rd Embodiment.

まず、第２実施形態と同様の製造方法により素子基板１を作製する。   First, the element substrate 1 is manufactured by the same manufacturing method as in the second embodiment.

次に、素子基板１の成長主面８の全面にＡｌ膜（図示略）を形成する。その後、図１１に示すように、素子基板１を加熱した状態で、フォトリソグラフィー技術によりレジスト膜６１を形成する。次に、レジスト膜６１から露出しているＡｌ膜をエッチングする。これにより、パターニングされたゲート電極２３が形成される。   Next, an Al film (not shown) is formed on the entire growth main surface 8 of the element substrate 1. Thereafter, as shown in FIG. 11, a resist film 61 is formed by a photolithography technique while the element substrate 1 is heated. Next, the Al film exposed from the resist film 61 is etched. Thereby, the patterned gate electrode 23 is formed.

次に、素子基板１の成長主面８及びゲート電極２３上にＳｉＯ２膜（図示略）を形成する。その後、図１２に示すように、素子基板１を加熱した状態で、フォトリソグラフィー技術によりレジスト膜６２を形成する。次に、レジスト膜６２から露出しているＳｉＯ２膜をエッチングする。これにより、パターニングされたゲート絶縁膜２４が形成される。 Next, a SiO 2 film (not shown) is formed on the growth main surface 8 and the gate electrode 23 of the element substrate 1. Thereafter, as shown in FIG. 12, a resist film 62 is formed by a photolithography technique while the element substrate 1 is heated. Next, the SiO 2 film exposed from the resist film 62 is etched. As a result, a patterned gate insulating film 24 is formed.

次に、素子基板１の成長主面８及びゲート絶縁膜２４上にＡｕ膜（図示略）を形成する。その後、図１３に示すように、素子基板１を加熱した状態で、フォトリソグラフィー技術によりレジスト膜６３を形成する。次に、レジスト膜６３から露出しているＡｕ膜をエッチングする。これにより、パターニングされたソース電極２５及びドレイン電極２６が形成される。   Next, an Au film (not shown) is formed on the growth principal surface 8 of the element substrate 1 and the gate insulating film 24. Thereafter, as shown in FIG. 13, a resist film 63 is formed by a photolithography technique while the element substrate 1 is heated. Next, the Au film exposed from the resist film 63 is etched. Thereby, the patterned source electrode 25 and drain electrode 26 are formed.

次に、図１４に示すように、シャドウマスク６４を用いて、ゲート絶縁膜２４及び電極２５、２６上の所定の領域に有機半導体層２７を形成する。   Next, as shown in FIG. 14, an organic semiconductor layer 27 is formed in a predetermined region on the gate insulating film 24 and the electrodes 25 and 26 using a shadow mask 64.

次に、図１５に示すように、封止膜２８を形成する。これにより、有機半導体素子２２が完成する。   Next, as shown in FIG. 15, a sealing film 28 is formed. Thereby, the organic semiconductor element 22 is completed.

次に、図１６に示すように、樹脂基板４から支持基板２を剥離させる。これにより、有機半導体装置２１が完成する。   Next, as shown in FIG. 16, the support substrate 2 is peeled from the resin substrate 4. Thereby, the organic semiconductor device 21 is completed.

上述したように、第３実施形態による有機半導体装置２１の製造方法では、樹脂基板４から支持基板２を取り外すことができるように接着している。これにより、有機半導体素子２２を形成した後、支持基板２を樹脂基板４から剥離することができる。この結果、有機半導体装置２１の完成後の可撓性を高めることができる。   As described above, in the method for manufacturing the organic semiconductor device 21 according to the third embodiment, the support substrate 2 is bonded so as to be removable from the resin substrate 4. Thereby, after forming the organic semiconductor element 22, the support substrate 2 can be peeled from the resin substrate 4. As a result, the flexibility after completion of the organic semiconductor device 21 can be enhanced.

また、有機半導体装置２１の製造方法では、樹脂基板４よりも厚いガラス基板からなる支持基板２が接着された素子基板１を用いている。これにより、フォトリソグラフィー工程等において、素子基板１を加熱しても、反り等の変形を抑制できる。このため、レジスト膜６１〜６３のパターニングの精度を高めることができる。この結果、レジスト膜６１〜６３によってパターニングされる電極２３、２５、２６及びゲート絶縁膜２４の形状の精度を向上させることができる。更に、素子基板１では、支持基板２を樹脂基板４よりも厚くしているので、より変形を抑制できる。   In the method for manufacturing the organic semiconductor device 21, the element substrate 1 to which the support substrate 2 made of a glass substrate thicker than the resin substrate 4 is bonded is used. Thereby, even if the element substrate 1 is heated in a photolithography process or the like, deformation such as warpage can be suppressed. For this reason, the precision of the patterning of the resist films 61 to 63 can be increased. As a result, it is possible to improve the accuracy of the shapes of the electrodes 23, 25, and 26 and the gate insulating film 24 that are patterned by the resist films 61 to 63. Furthermore, in the element substrate 1, since the support substrate 2 is thicker than the resin substrate 4, deformation can be further suppressed.

（実験）
次に、上述した本発明による実施形態の効果を証明するために行った実験について説明する。本実験では、素子基板を加熱して、素子基板上に形成されたレジスト膜の変形を調べた。具体的には、５μｍの幅を有するレジスト膜を素子基板上に形成して、このレジスト膜の幅を各素子基板の９個所で測定した。 (Experiment)
Next, an experiment performed to prove the effect of the embodiment according to the present invention described above will be described. In this experiment, the element substrate was heated to examine the deformation of the resist film formed on the element substrate. Specifically, a resist film having a width of 5 μm was formed on the element substrate, and the width of the resist film was measured at nine locations on each element substrate.

上述した第１実施形態と同じ構成の試料を第１実施例とした。即ち、１００μｍの厚みを有するＰＥＮからなる樹脂基板の一方の面に５０μｍの厚みを有するガラス基板からなる遮蔽基板を固着し、樹脂基板の他方の面に５００μｍの厚みを有するガラス基板からなる支持基板を接着した。支持基板の厚みを３００μｍに構成した以外は、第１実施例と同じ構成の試料を第２実施例とした。支持基板の厚みを５０μｍに構成した以外は、第１実施例と同じ構成の試料を第３実施例とした。尚、第１実施例は、３個作製した。第２実施例は、２個作製した。   A sample having the same configuration as that of the first embodiment was used as the first example. That is, a shielding substrate made of a glass substrate having a thickness of 50 μm is fixed to one surface of a resin substrate made of PEN having a thickness of 100 μm, and a supporting substrate made of a glass substrate having a thickness of 500 μm is attached to the other surface of the resin substrate. Glued. A sample having the same configuration as that of the first example was used as the second example except that the thickness of the support substrate was set to 300 μm. A sample having the same configuration as that of the first example was used as the third example except that the thickness of the support substrate was set to 50 μm. In the first example, three pieces were produced. In the second example, two pieces were produced.

本実験では、５μｍの幅のレジスト膜を形成するためのマスクパターンを用いたフォトリソグラフィー技術による、各実施例にレジスト膜を形成した。尚、レジスト膜を形成する工程において、支持基板側から素子基板を９０℃で９０秒加熱した後、１１０℃で１分加熱した。加熱後のレジスト膜の幅を、それぞれの素子基板の９個所で測定した。   In this experiment, a resist film was formed in each example by a photolithography technique using a mask pattern for forming a resist film having a width of 5 μm. In the step of forming a resist film, the element substrate was heated at 90 ° C. for 90 seconds from the support substrate side, and then heated at 110 ° C. for 1 minute. The width of the resist film after heating was measured at nine locations on each element substrate.

結果を図１７に示す。図１７における平均（μｍ）は、各試料で測定された９個所のレジスト膜の幅の平均である。また、評価値は、各素子基板で測定された９個所のレジスト膜の幅の標準偏差を、レジスト膜の幅の平均で割ったものに１００を掛けたものである。評価値平均とは、評価値の平均である。   The results are shown in FIG. The average (μm) in FIG. 17 is the average of the widths of nine resist films measured for each sample. The evaluation value is obtained by multiplying 100 by dividing the standard deviation of the widths of nine resist films measured on each element substrate by the average of the resist film widths. The average evaluation value is the average evaluation value.

図１７に示すように、第１実施例では、測定個所の幅の平均が、５．０μｍまたはそれに近い値になった。また、第２実施例でも、測定個所の幅の平均が、４．０μｍとなった。一方、支持基板が樹脂基板よりも薄い第３実施例では、測定個所の幅の平均が、３．４μｍとなった。これらの結果から、支持基板は、樹脂基板よりも厚い方が好ましいことがわかる。また、このことは、評価値及び評価値平均からも、支持基板が、樹脂基板よりも厚い方が好ましいことがわかる。   As shown in FIG. 17, in the first example, the average of the widths of the measurement points was 5.0 μm or a value close thereto. Also in the second example, the average width of the measurement points was 4.0 μm. On the other hand, in the third example in which the support substrate is thinner than the resin substrate, the average of the widths of the measurement points was 3.4 μm. From these results, it can be seen that the support substrate is preferably thicker than the resin substrate. In addition, this indicates that the support substrate is preferably thicker than the resin substrate from the evaluation value and the average evaluation value.

以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。   As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail using embodiment, this invention is not limited to embodiment described in this specification. The scope of the present invention is determined by the description of the claims and the scope equivalent to the description of the claims. Hereinafter, modified embodiments in which the above-described embodiment is partially modified will be described.

上述した各実施形態における材料、数値、形状等は、一例であり、適宜変更可能である。   The materials, numerical values, shapes, and the like in the above-described embodiments are examples and can be changed as appropriate.

例えば、遮蔽基板は、ガラス基板以外のＳｉＮ等の無機絶縁材料からなる基板を採用することができる。遮蔽基板の厚みは、適宜変更可能であるが、可撓性を維持するためには、樹脂基板の厚みよりも小さい方が好ましい。遮蔽基板は、Ｎａ等のアルカリ金属を含まないものが好ましい。   For example, as the shielding substrate, a substrate made of an inorganic insulating material such as SiN other than the glass substrate can be adopted. The thickness of the shielding substrate can be changed as appropriate, but it is preferably smaller than the thickness of the resin substrate in order to maintain flexibility. The shielding substrate preferably does not contain an alkali metal such as Na.

また、支持基板は、ガラス基板以外の絶縁材料や金属等からなる基板を採用することができる。支持基板の厚みは、適宜変更可能であるが、樹脂基板の厚みよりも大きい方が好ましい。   Moreover, the support substrate can employ a substrate made of an insulating material other than a glass substrate, metal, or the like. The thickness of the support substrate can be appropriately changed, but is preferably larger than the thickness of the resin substrate.

また、樹脂基板を構成する材料としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリカーボネート、ポリエチレン、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）等を採用することができる。   Moreover, as a material constituting the resin substrate, PET (polyethylene terephthalate), polycarbonate, polyethylene, PES (polyethersulfone), or the like can be employed.

また、遮蔽基板や樹脂基板の粗面化は、省略してもよい。   Further, the roughening of the shielding substrate or the resin substrate may be omitted.

また、上述した実施形態では、有機半導体素子の例として、有機ＥＬ素子及び有機トランジスタをあげたが、有機発光トランジスタ等の他の有機半導体素子を採用してもよい。   In the above-described embodiment, the organic EL element and the organic transistor are given as examples of the organic semiconductor element. However, other organic semiconductor elements such as an organic light emitting transistor may be adopted.

第１実施形態による素子基板の断面図である。It is sectional drawing of the element substrate by 1st Embodiment. 第２実施形態による有機半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the organic-semiconductor device by 2nd Embodiment. 第２実施形態による有機半導体装置の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic-semiconductor device by 2nd Embodiment. 第２実施形態による有機半導体装置の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic-semiconductor device by 2nd Embodiment. 第２実施形態による有機半導体装置の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic-semiconductor device by 2nd Embodiment. 第２実施形態による有機半導体装置の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic-semiconductor device by 2nd Embodiment. 第２実施形態による有機半導体装置の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic-semiconductor device by 2nd Embodiment. 第２実施形態による有機半導体装置の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic-semiconductor device by 2nd Embodiment. 第２実施形態による有機半導体装置の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic-semiconductor device by 2nd Embodiment. 第３実施形態による有機半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the organic-semiconductor device by 3rd Embodiment. 第３実施形態による有機半導体装置の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic-semiconductor device by 3rd Embodiment. 第３実施形態による有機半導体装置の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic-semiconductor device by 3rd Embodiment. 第３実施形態による有機半導体装置の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic-semiconductor device by 3rd Embodiment. 第３実施形態による有機半導体装置の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic-semiconductor device by 3rd Embodiment. 第３実施形態による有機半導体装置の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic-semiconductor device by 3rd Embodiment. 第３実施形態による有機半導体装置の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic-semiconductor device by 3rd Embodiment. 実施例の実験結果を示す表である。It is a table | surface which shows the experimental result of an Example.

符号の説明Explanation of symbols

１、１Ａ 素子基板
２ 支持基板
３ 接着層
４ 樹脂基板
４ａ、４ｂ 主面
５ 固着層
６ 遮蔽基板
８ 成長主面
１１ 有機半導体装置
１２ 有機半導体素子
１３ アノード電極
１４ 有機半導体層
１５ カソード電極
１６ アノード端子
１７ 絶縁膜
１８ 封止膜
２１ 有機半導体装置
２２ 有機半導体素子
２３ ゲート電極
２４ ゲート絶縁膜
２５ ソース電極
２６ ドレイン電極
２７ 有機半導体層
２８ 封止膜
５１、５２、６１、６２、６３ レジスト膜
５３、６４ シャドウマスク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1A Element substrate 2 Support substrate 3 Adhesive layer 4 Resin substrate 4a, 4b Main surface 5 Adhering layer 6 Shielding substrate 8 Growth main surface 11 Organic semiconductor device 12 Organic semiconductor element 13 Anode electrode 14 Organic semiconductor layer 15 Cathode electrode 16 Anode terminal Reference Signs List 17 insulating film 18 sealing film 21 organic semiconductor device 22 organic semiconductor element 23 gate electrode 24 gate insulating film 25 source electrode 26 drain electrode 27 organic semiconductor layer 28 sealing films 51, 52, 61, 62, 63 resist films 53, 64 Shadow mask

Claims (12)

可撓性を有する樹脂基板の一方の主面に無機絶縁材料からなる遮蔽基板を固着するとともに、前記樹脂基板の他方の主面に支持基板を接着して素子基板を作製する工程と、
前記素子基板の遮蔽基板上に有機半導体素子を形成する工程と、
前記支持基板を前記素子基板から除去する工程とを備たことを特徴とする有機半導体装置の製造方法。 A step of adhering a shielding substrate made of an inorganic insulating material to one main surface of a flexible resin substrate, and adhering a support substrate to the other main surface of the resin substrate to produce an element substrate;
Forming an organic semiconductor element on a shielding substrate of the element substrate;
And a step of removing the support substrate from the element substrate. 前記支持基板の厚みは、前記樹脂基板の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の有機半導体装置の製造方法。   The method of manufacturing an organic semiconductor device according to claim 1, wherein a thickness of the support substrate is larger than a thickness of the resin substrate. 前記樹脂基板の厚みは、前記遮蔽基板の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機半導体装置の製造方法。   The method of manufacturing an organic semiconductor device according to claim 1, wherein a thickness of the resin substrate is larger than a thickness of the shielding substrate. 前記樹脂基板と前記遮蔽基板とを固着する力は、前記支持基板と前記樹脂基板とを接着する力よりも大きいことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の有機半導体装置の製造方法。   4. The organic material according to claim 1, wherein a force for fixing the resin substrate and the shielding substrate is larger than a force for bonding the support substrate and the resin substrate. 5. A method for manufacturing a semiconductor device. 前記樹脂基板の一方の主面、または、前記樹脂基板の一方の主面に固着される前記遮蔽基板の面は、粗面化されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の有機半導体装置の製造方法。   5. One of the main surfaces of the resin substrate or the surface of the shielding substrate fixed to the one main surface of the resin substrate is roughened. A method for producing an organic semiconductor device according to claim 1. 前記樹脂基板は、白濁化されていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の有機半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing an organic semiconductor device according to claim 1, wherein the resin substrate is white turbid. 可撓性を有する樹脂基板と、
前記樹脂基板の一方の主面に固着された遮蔽基板と、
前記樹脂基板の他方の主面に取り外し可能に接着された支持基板とを備えていることを特徴とする素子基板。 A flexible resin substrate;
A shielding substrate fixed to one main surface of the resin substrate;
An element substrate comprising: a support substrate removably bonded to the other main surface of the resin substrate. 前記支持基板の厚みは、前記樹脂基板の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項７に記載の素子基板。   The element substrate according to claim 7, wherein a thickness of the support substrate is larger than a thickness of the resin substrate. 前記樹脂基板の厚みは、前記遮蔽基板の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の素子基板。   The element substrate according to claim 7 or 8, wherein the thickness of the resin substrate is larger than the thickness of the shielding substrate. 前記樹脂基板と前記遮蔽基板とを固着する力は、前記支持基板と前記樹脂基板とを接着する力よりも小さいことを特徴とする請求項７〜請求項９のいずれか１項に記載の素子基板。   10. The element according to claim 7, wherein a force for fixing the resin substrate and the shielding substrate is smaller than a force for bonding the support substrate and the resin substrate. 11. substrate. 前記樹脂基板の一方の主面、または、前記樹脂基板の一方の主面に固着される前記遮蔽基板の面は、粗面化されていることを特徴とする請求項７〜請求項１０のいずれか１項に記載の素子基板。   The one main surface of the resin substrate or the surface of the shielding substrate fixed to one main surface of the resin substrate is roughened. 2. The element substrate according to item 1. 前記樹脂基板は、白濁化されていることを特徴とする請求項７〜請求項１１のいずれか１項に記載の素子基板。   The element substrate according to claim 7, wherein the resin substrate is white turbid.
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