JP2009259913A - チップ部品型led - Google Patents
チップ部品型led Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009259913A JP2009259913A JP2008104897A JP2008104897A JP2009259913A JP 2009259913 A JP2009259913 A JP 2009259913A JP 2008104897 A JP2008104897 A JP 2008104897A JP 2008104897 A JP2008104897 A JP 2008104897A JP 2009259913 A JP2009259913 A JP 2009259913A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing resin
- concave hole
- chip
- led chip
- type led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】LEDチップ搭載用の第1凹穴3aと金属細線接続用の第2凹穴3bとが形成された絶縁基板1の第1凹穴3aを含む部分に金属薄板2aが形成され、第2凹穴3bを含む部分に金属薄板2bが形成され、金属薄板2a上にLEDチップ5が実装され、LEDチップ5が金属細線6を介して金属薄板2bに電気的に接続され、第1凹穴3aを含むLEDチップ5と金属細線6の一部分とがシリコーン樹脂微粒子71aを含有する第1透明樹脂を用いて形成された第1封止樹脂部71にて封止され、第1封止樹脂部71を含む絶縁基板1の表面が第2透明樹脂を用いて形成された第2封止樹脂部72にて封止され、第1封止樹脂部71と第2封止樹脂部72とは異なる材料により形成されている。
【選択図】図1
Description
まず初めに、本発明のチップ部品型LEDの実施形態1について図面を参照しつつ説明する。
<実施形態1の変形例>
次に、前述の実施形態1の変形例について図面を参照しつつ説明する。
<実施形態2>
次に、本発明のチップ部品型LEDの実施形態2について図面を参照しつつ説明する。
<実施形態3>
図6は、本発明のチップ部品型LEDの実施形態3を示す断面図であり、図7は図6に示すチップ部品型LEDの平面図である。但し、以下の説明において、上記実施形態1と同じ(若しくは同じ機能を有する)部材には同符号を付している。
これにより、絶縁基板1の表面に、第1配線パターンとなる金属薄膜4aと、第2配線パターンとなる金属薄膜4bとが絶縁状態で形成され、絶縁基板1の裏面に、第1配線パターンの金属薄膜4aに対向する金属薄膜2aと、第2配線パターンの金属薄膜4bに対向する金属薄膜2bとが絶縁状態で形成される。なお、本実施形態3では、この工程において、金属細線6を配線するための凹溝部11表面のNi/Au層及びCuメッキ層45も除去している。すなわち、凹溝部11表面は絶縁基板1が露出した状態となっている。
<実施形態4>
次に、本発明のチップ部品型LEDの実施形態4について図面を参照しつつ説明する。
2b 金属薄膜(第2配線パターン)
2c 金属薄膜(第3配線パターン)
3a 第1凹穴
3b 第2凹穴
3c 第3凹穴
4a,4b 金属薄膜
5 LEDチップ
6,6a,6b 金属細線
7 封止樹脂部
71 第1封止樹脂部
71d1 下部封止樹脂部
71d2 上部封止樹脂部
72 第2封止樹脂部
10,20,30,40 チップ部品型LED
11 凹溝部
41 LEDチップ搭載位置
42,43 金属細線接続位置
45 メッキ層
71 第1封止樹脂部
72 第2封止樹脂部
Claims (11)
- LEDチップ搭載用の第1凹穴と金属細線接続用の第2凹穴とが形成された絶縁基板の前記第1凹穴を含む部分に第1配線パターンとなる金属薄板が形成され、前記第2凹穴を含む部分に第2配線パターンとなる金属薄板が形成され、前記第1凹穴内の金属薄板上にLEDチップが実装され、このLEDチップが金属細線を介して前記第2凹穴内の金属薄板に電気的に接続され、前記第1凹穴を含むLEDチップと前記金属細線の少なくとも一部分とがシリコーン樹脂微粒子、光拡散剤またはシランカップリング剤を含有する第1透明樹脂を用いて形成された第1封止樹脂部にて封止され、前記第1封止樹脂部を含む前記絶縁基板の表面が第2透明樹脂を用いて形成された第2封止樹脂部にて封止され、第1封止樹脂部と第2封止樹脂部とは異なる材料により形成されていることを特徴とするチップ部品型LED。
- LEDチップ搭載用の第1凹穴と金属細線接続用の第2凹穴とが形成された絶縁基板の前記第1凹穴を含む部分に第1配線パターンとなる金属薄板が形成され、前記第2凹穴を含む部分に第2配線パターンとなる金属薄板が形成され、前記第1凹穴内の金属薄板上にLEDチップが実装され、このLEDチップが金属細線を介して前記第2凹穴内の金属薄板に電気的に接続され、前記第1凹穴を含むLEDチップと前記金属細線の一部分とが第1透明樹脂を用いて形成された第1封止樹脂部にて封止され、前記第1封止樹脂部を含む前記絶縁基板の表面が第2透明樹脂を用いて形成された第2封止樹脂部にて封止され、前記第1封止樹脂部が、前記第1凹穴に充填された下部封止樹脂部と、下部封止樹脂部上に配置された上部封止樹脂部とから構成されており、前記下部封止樹脂部と上部封止樹脂部とが同じ材料を用いて形成されており、前記上部封止樹脂部が前記下部封止樹脂部を上下逆さにした形状であることを特徴とするチップ部品型LED。
- 請求項1または2記載のチップ部品型LEDにおいて、前記第1透明樹脂が液状シリコーン系樹脂であり、前記第2透明樹脂が液状エポキシ系樹脂であるチップ部品型LED。
- 請求項1記載のチップ部品型LEDにおいて、前記絶縁基板の前記第1凹穴と第2凹穴とを仕切る仕切壁部に、前記第1凹穴と第2凹穴とを跨るようにして凹溝部が形成されており、この凹溝部の底面に前記金属細線の略中央部がワイヤボンディングされているチップ部品型LED。
- 請求項1記載のチップ部品型LEDにおいて、前記第1封止樹脂部が前記第1凹穴を含むLEDチップと前記第2凹穴を含む金属細線の全体とを封止しているチップ部品型LED。
- 請求項1または2記載のチップ部品型LEDにおいて、前記LEDチップの垂直断面方向の寸法が、前記絶縁基板の垂直断面方向の寸法よりも大きいチップ部品型LED。
- 請求項1記載のチップ部品型LEDにおいて、前記光拡散剤が、炭酸カルシウム、シリカ、シリコーン、硫化亜鉛、酸化亜鉛、酸化チタン、リン酸チタン、チタン酸マグネシウム、マイカ、ガラスフィラー、硫酸バリウム、クレー(粘土)、タルク、変成シリコーン樹脂を用いて形成されたゴム状弾性体、またはポリメチルシルセスオキサンの無機系拡散剤であるチップ部品型LED。
- 請求項1記載のチップ部品型LEDにおいて、前記光拡散剤が、アクリル系、スチレン系、ポリエステル系、ポリオレフィン系、ウレタン系、ナイロン系、メタクリレート−スチレン系、有機フッ素系またはノルボルネン系の有機系拡散剤であるチップ部品型LED。
- 請求項1から6までのいずれか一つの請求項記載のチップ部品型LEDにおいて、前記第1凹穴の底面と前記第2凹穴の底面とが同じ高さまたは略同じ高さであるチップ部品型LED。
- 請求項1から6までのいずれか一つの請求項記載のチップ部品型LEDにおいて、前記第2凹穴が複数個形成されているチップ部品型LED。
- 請求項1から6までのいずれか一つの請求項記載のチップ部品型LEDにおいて、前記第1凹穴及び第2凹穴の内周面が、前記絶縁基板の裏面側から表面側に向かって漸次拡開する傾斜面に形成されているチップ部品型LED。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008104897A JP5207807B2 (ja) | 2008-04-14 | 2008-04-14 | チップ部品型led |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008104897A JP5207807B2 (ja) | 2008-04-14 | 2008-04-14 | チップ部品型led |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009259913A true JP2009259913A (ja) | 2009-11-05 |
JP5207807B2 JP5207807B2 (ja) | 2013-06-12 |
Family
ID=41386997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008104897A Expired - Fee Related JP5207807B2 (ja) | 2008-04-14 | 2008-04-14 | チップ部品型led |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5207807B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011151323A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにled素子パッケージおよびその製造方法 |
CN102751394A (zh) * | 2011-04-19 | 2012-10-24 | 陈可 | Led像素管配光工艺及新型led像素管 |
KR101197779B1 (ko) | 2011-04-04 | 2012-11-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 필름 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법 |
KR101234011B1 (ko) | 2011-05-25 | 2013-02-18 | 한국광기술원 | 경도가 다른 스피어를 갖는 봉지재 및 이를 이용한 led패키지 |
JP2013149843A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2013544434A (ja) * | 2010-11-05 | 2013-12-12 | ヘレーウス マテリアルズ テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | 多層基板のチップ組み込み式貫通コンタクト |
CN103515512A (zh) * | 2012-06-29 | 2014-01-15 | 四川柏狮光电技术有限公司 | Led二次封装工艺以及通过该工艺制造的led像素管 |
US8841693B2 (en) | 2011-05-18 | 2014-09-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device package and manufacturing method thereof |
JP2017098498A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | ローム株式会社 | Led発光装置 |
JP2017157684A (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-07 | ローム株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2018060932A (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | ローム株式会社 | Ledパッケージ |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59176165U (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | 株式会社東芝 | 光半導体装置 |
JPH1022422A (ja) * | 1996-07-04 | 1998-01-23 | Nippon Motorola Ltd | 2層樹脂封止型集積回路装置及びその製造方法 |
JPH11251644A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Matsushita Electron Corp | 半導体発光装置 |
JP2002299699A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2003532299A (ja) * | 2000-04-26 | 2003-10-28 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子 |
US6682331B1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-01-27 | Agilent Technologies, Inc. | Molding apparatus for molding light emitting diode lamps |
JP2005079329A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード |
JP2005167091A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Nitto Denko Corp | 光半導体装置 |
JP2006210490A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP3128379U (ja) * | 2005-10-28 | 2007-01-11 | 光碩光電股▲ふん▼有限公司 | Ledパッケージ用フリップ層構造 |
JP2007131758A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Kaneka Corp | シリコーン系重合体粒子を含有するシリコーン系組成物 |
JP2007165502A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Yamaichi Electronics Co Ltd | 素子内蔵回路基板およびその製造方法 |
JP2007173287A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 発光素子用配線基板ならびに発光装置 |
WO2008023746A1 (en) * | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor device member, liquid for forming semiconductor device member, method for manufacturing semiconductor device member, and liquid for forming semiconductor device member using the method, phosphor composition, semiconductor light emitting device, illuminating apparatus and image display apparatus |
-
2008
- 2008-04-14 JP JP2008104897A patent/JP5207807B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59176165U (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | 株式会社東芝 | 光半導体装置 |
JPH1022422A (ja) * | 1996-07-04 | 1998-01-23 | Nippon Motorola Ltd | 2層樹脂封止型集積回路装置及びその製造方法 |
JPH11251644A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Matsushita Electron Corp | 半導体発光装置 |
JP2003532299A (ja) * | 2000-04-26 | 2003-10-28 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子 |
JP2002299699A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
US6682331B1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-01-27 | Agilent Technologies, Inc. | Molding apparatus for molding light emitting diode lamps |
JP2005079329A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード |
JP2005167091A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Nitto Denko Corp | 光半導体装置 |
JP2006210490A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP3128379U (ja) * | 2005-10-28 | 2007-01-11 | 光碩光電股▲ふん▼有限公司 | Ledパッケージ用フリップ層構造 |
JP2007131758A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Kaneka Corp | シリコーン系重合体粒子を含有するシリコーン系組成物 |
JP2007165502A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Yamaichi Electronics Co Ltd | 素子内蔵回路基板およびその製造方法 |
JP2007173287A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 発光素子用配線基板ならびに発光装置 |
WO2008023746A1 (en) * | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor device member, liquid for forming semiconductor device member, method for manufacturing semiconductor device member, and liquid for forming semiconductor device member using the method, phosphor composition, semiconductor light emitting device, illuminating apparatus and image display apparatus |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011151323A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにled素子パッケージおよびその製造方法 |
JP2013544434A (ja) * | 2010-11-05 | 2013-12-12 | ヘレーウス マテリアルズ テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | 多層基板のチップ組み込み式貫通コンタクト |
KR101197779B1 (ko) | 2011-04-04 | 2012-11-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 필름 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법 |
CN102751394A (zh) * | 2011-04-19 | 2012-10-24 | 陈可 | Led像素管配光工艺及新型led像素管 |
US8841693B2 (en) | 2011-05-18 | 2014-09-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device package and manufacturing method thereof |
KR101234011B1 (ko) | 2011-05-25 | 2013-02-18 | 한국광기술원 | 경도가 다른 스피어를 갖는 봉지재 및 이를 이용한 led패키지 |
JP2013149843A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
CN103515512A (zh) * | 2012-06-29 | 2014-01-15 | 四川柏狮光电技术有限公司 | Led二次封装工艺以及通过该工艺制造的led像素管 |
JP2017098498A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | ローム株式会社 | Led発光装置 |
JP2017157684A (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-07 | ローム株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2018060932A (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | ローム株式会社 | Ledパッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5207807B2 (ja) | 2013-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5207807B2 (ja) | チップ部品型led | |
TWI476962B (zh) | 發光裝置 | |
US7985980B2 (en) | Chip-type LED and method for manufacturing the same | |
JP5052326B2 (ja) | チップ部品型led及びその製造方法 | |
KR100958024B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 | |
TWI476946B (zh) | 發光二極體裝置及其製造方法 | |
US20110127566A1 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
CN108054254B (zh) | 半导体发光结构及半导体封装结构 | |
TWI505519B (zh) | 發光二極體燈條及其製造方法 | |
JP2009021426A (ja) | チップ部品型led及びその製造方法 | |
US8716730B2 (en) | LED module having a platform with a central recession | |
TW201327948A (zh) | 發光二極體封裝與製作方法 | |
US20090122554A1 (en) | Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting element module and manufacturing method thereof, display device, lighting device, and traffic light | |
US10566511B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
JP2014072415A (ja) | 発光装置 | |
EP2228843A2 (en) | Light emitting device package | |
JP2008198782A (ja) | 発光装置 | |
TW201409779A (zh) | 配線基板、發光裝置及配線基板的製造方法 | |
JP5730711B2 (ja) | 発光装置 | |
TWI455365B (zh) | 發光二極體封裝結構的製造方法 | |
CN111405777A (zh) | 发光装置的制造方法 | |
JP5752841B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
WO2016086446A1 (zh) | 一种发光二极管以及发光二极管的制造方法 | |
TWI591859B (zh) | 發光半導體封裝及相關方法 | |
JP6242437B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100826 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120328 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121120 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121227 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20121227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130219 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160301 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |