JP2009259731A - Light emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To form transparent layers different in layer thicknesses among organic EL pixels without repeating photolithography processes several times. <P>SOLUTION: The method of manufacturing a light emitting device 1 includes a second step of forming a light reflecting layer 21 in a light emitting region 19 on a substrate 10, a third step of supplying liquid material C including a transparent resin onto the light reflecting layer 21, a fourth step of curing the liquid material C to form a transparent resin layer 79 on the light reflecting layer 21, a fifth step of forming a transparent conductive layer 65 on the substrate 10 where the transparent resin layer 79 is formed, a sixth step of patterning the transparent conductive layer 65 to form a first electrode 25 in the light emitting region 19, a seventh step of forming a light emitting function layer 26 on the first electrode 25, and an eighth step of forming a second electrode 27 having semi-reflectivity on the light emitting function layer 26. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は発光装置、及び発光装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device.

発光装置の１つである有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置は、近年、液晶表示装置に代わる表示装置として期待されており、実用化が進んでいる。有機ＥＬ装置は、一般的に、表示領域内に規則的に配置された発光画素としての有機ＥＬ画素を備えている。個々の有機ＥＬ画素は、陰極（電子注入電極）から注入される電子と陽極（ホール注入電極）から注入される正孔とを発光層（有機ＥＬ層）内部で再結合させる際に生じる発光を射出する。三原色を射出する有機ＥＬ画素、すなわち赤色光を射出する有機ＥＬ画素と緑色光を射出する有機ＥＬ画素と青色光を射出する有機ＥＬ画素を表示領域内に規則的に配置することにより、カラー表示が可能である。   In recent years, an organic EL (electroluminescence) device, which is one of light emitting devices, has been expected as a display device that can replace a liquid crystal display device, and is in practical use. An organic EL device generally includes organic EL pixels as light emitting pixels regularly arranged in a display area. Each organic EL pixel emits light generated when electrons injected from the cathode (electron injection electrode) and holes injected from the anode (hole injection electrode) are recombined inside the light emitting layer (organic EL layer). Eject. Organic EL pixels that emit three primary colors, that is, organic EL pixels that emit red light, organic EL pixels that emit green light, and organic EL pixels that emit blue light are regularly arranged in the display region, thereby providing color display. Is possible.

上記三原色の光を得る方法として、各々の有機ＥＬ画素ごとに異なる色の光を生じる発光層を形成する方法と、全ての有機ＥＬ画素に共通の、広い波長領域の光を生じる発光層を形成し、カラーフィルタを用いて特定の波長領域の光を得る方法と、がある。有機ＥＬ画素ごとに異なる発光層を形成することによるコスト、及びカラーフィルタを用いずに理想的なピーク波長の光を得ることの困難性のため、近年は後者の方法が注目されている。
一方で、カラーフィルタのみによって特定の波長領域の光を得ることは、カットされる波長の光による損失が大きいと言う問題がある。そこで、陽極を構成するＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）等の無機透明層の層厚を有機ＥＬ画素ごとに変化させて、電極間（陰極と陽極との間）、あるいはいずれか一方の電極と別途形成された光反射層との間の共振長を有機ＥＬ画素ごとに異なる値とした上で上述の発光を共振させて、カラーフィルタを透過する前に特定の波長を強調する方法が検討されている（特許文献１及び２参照）。 As a method of obtaining the light of the three primary colors, a method of forming a light emitting layer that generates light of a different color for each organic EL pixel and a light emitting layer that generates light in a wide wavelength region common to all organic EL pixels are formed. In addition, there is a method for obtaining light in a specific wavelength region using a color filter. In recent years, the latter method has attracted attention because of the cost of forming a different light emitting layer for each organic EL pixel and the difficulty of obtaining light having an ideal peak wavelength without using a color filter.
On the other hand, obtaining light in a specific wavelength region using only a color filter has a problem that loss due to light having a wavelength to be cut is large. Therefore, the thickness of the inorganic transparent layer such as ITO (indium oxide / tin alloy) constituting the anode is changed for each organic EL pixel, and between the electrodes (between the cathode and the anode) or any one of the electrodes A method has been studied in which the resonance length between the light reflection layer formed separately and a value different for each organic EL pixel is resonated to resonate the light emission described above and emphasize a specific wavelength before passing through the color filter. (See Patent Documents 1 and 2).

特許第２７９７８８３号公報Japanese Patent No. 2797883 特開２００４−１１９１３１号公報JP 2004-119131 A

しかし、ＩＴＯ等の無機透明層を有機ＥＬ画素ごとに異なる層厚で形成するためには、薄膜形成工程とフォトリソグラフィー工程を複数回繰り返す必要がある。したがって、上述の技術は、プロセスの複雑化及び製造コストの上昇をもたらすという問題を有している。   However, in order to form an inorganic transparent layer such as ITO with a different layer thickness for each organic EL pixel, it is necessary to repeat the thin film formation step and the photolithography step a plurality of times. Therefore, the above-described technique has a problem that it leads to process complexity and an increase in manufacturing cost.

本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］
基板上に規則的に配置された複数の発光領域の各々に、上記基板側から順に第１の電極と発光機能層と第２の電極とが積層された構造を有する発光画素を備える発光装置の製造方法であって、上記発光領域に光反射層又は半反射層を形成する第２の工程と、上記光反射層上又は上記半反射層上に透明樹脂を含む液状材料を供給する第３の工程と、上記液状材料を硬化させて、上記光反射層上又は上記半反射層上に透明樹脂層を形成する第４の工程と、上記透明樹脂層が形成された上記基板上に透明導電層を形成する第５の工程と、上記透明導電層をパターニングして、上記発光領域に上記第１の電極を形成する第６の工程と、上記第１の電極上に発光機能層を形成する第７の工程と、上記発光機能層上に光反射性又は半反射性を有する上記第２の電極を形成する第８の工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 [Application Example 1]
A light-emitting device including a light-emitting pixel having a structure in which a first electrode, a light-emitting functional layer, and a second electrode are stacked in order from the substrate side in each of a plurality of light-emitting regions regularly arranged on a substrate. In the manufacturing method, a second step of forming a light reflective layer or a semi-reflective layer in the light emitting region, and a third step of supplying a liquid material containing a transparent resin on the light reflective layer or the semi-reflective layer A fourth step of curing the liquid material to form a transparent resin layer on the light reflecting layer or the semi-reflective layer; and a transparent conductive layer on the substrate on which the transparent resin layer is formed. A sixth step of patterning the transparent conductive layer to form the first electrode in the light emitting region, and a fifth step of forming a light emitting functional layer on the first electrode. Step 7 and the first step having light reflectivity or semi-reflectivity on the light emitting functional layer. Method of manufacturing a light emitting device comprising: the eighth step of forming a electrode, comprising a.

このような製造方法によれば、フォトリソグラフィー法を用いずに、上記発光領域に任意の層厚の透明樹脂層を形成できる。そして、上記光反射層又は上記半反射層と上記第２の電極との間の光学的距離を調整できる。したがって、製造コストを抑制しつつ、上記第１の電極と上記第２の電極との間で発光した光を、上記光反射層又は上記半反射層と上記第２の電極との間で共振させて、特定の波長範囲の光を強調できる。なお、発光機能層とは、単層の発光層及び少なくとも発光層を含む複数の層の積層体の双方を含む概念である。   According to such a manufacturing method, a transparent resin layer having an arbitrary layer thickness can be formed in the light emitting region without using a photolithography method. The optical distance between the light reflecting layer or the semi-reflecting layer and the second electrode can be adjusted. Accordingly, the light emitted between the first electrode and the second electrode is caused to resonate between the light reflecting layer or the semi-reflecting layer and the second electrode while suppressing the manufacturing cost. Thus, light in a specific wavelength range can be emphasized. Note that the light emitting functional layer is a concept including both a single light emitting layer and a laminate of a plurality of layers including at least a light emitting layer.

［適用例２］
上述の製造方法であって、上記複数の発光領域に各々形成される発光画素は、赤色光を発光する赤色発光画素と緑色光を発光する緑色発光画素と青色光を発光する青色発光画素と、の規則的に配置された三種類の発光画素を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 [Application Example 2]
In the manufacturing method described above, the light emitting pixels formed in each of the plurality of light emitting regions include a red light emitting pixel that emits red light, a green light emitting pixel that emits green light, and a blue light emitting pixel that emits blue light, A method for manufacturing a light-emitting device, comprising three types of regularly arranged light-emitting pixels.

このような製造方法によれば、フォトリソグラフィー法を用いずに、上述の三種類の発光画素の内の任意の発光画素の発光領域に、任意の層厚の透明樹脂層を形成して、上記光反射層又は上記半反射層と上記第２の電極との間の光学的距離を調整できる。そのため、上記第１の電極あるいは上記発光機能層の層厚を、共振長を考慮せずに設定できる。したがって、製造コストを抑制しつつ、表示品質の向上した、カラー表示可能な発光装置を得ることができる。   According to such a manufacturing method, without using a photolithography method, a transparent resin layer having an arbitrary layer thickness is formed in the light emitting region of an arbitrary light emitting pixel among the above three types of light emitting pixels. The optical distance between the light reflection layer or the semi-reflection layer and the second electrode can be adjusted. Therefore, the layer thickness of the first electrode or the light emitting functional layer can be set without considering the resonance length. Therefore, it is possible to obtain a light-emitting device capable of color display with improved display quality while suppressing manufacturing costs.

［適用例３］
上述の製造方法であって、上記光反射層又は上記半反射層は金属層であり、上記基板上に有機樹脂層を形成する第１の工程と、上記基板上に各々の上記発光画素に対応する駆動素子を形成する第９の工程とを実施し、上記第１の工程と上記第２の工程との間に、上記有機樹脂層の一部を選択的に除去して上記駆動素子の電極の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを形成する第１０の工程を実施し、上記第２の工程は、上記金属層をパターニングして上記発光領域に上記光反射層又は上記半反射層を形成し、かつ、上記金属層をパターニングして、上記コンタクトホールの形成領域に上記光反射層又は上記半反射層と所定の間隔を隔てるコンタクトホールキャップを形成する工程であり、上記第６の工程は、上記透明導電層をパターニングして、上記コンタクトホールの形成領域と上記発光領域との２つの領域に跨る上記第１の電極を形成する工程である、ことを特徴とする発光装置の製造方法。 [Application Example 3]
In the manufacturing method described above, the light reflecting layer or the semi-reflective layer is a metal layer, and corresponds to each of the light emitting pixels on the substrate, and a first step of forming an organic resin layer on the substrate. And a ninth step of forming the driving element to be performed, and a part of the organic resin layer is selectively removed between the first step and the second step, so that an electrode of the driving element is formed. A tenth step of forming a contact hole exposing at least a part of the light-emitting layer, and the second step includes forming the light-reflecting layer or the semi-reflective layer in the light-emitting region by patterning the metal layer. And a step of patterning the metal layer to form a contact hole cap spaced apart from the light reflecting layer or the semi-reflective layer in the contact hole forming region, and the sixth step includes Put the transparent conductive layer on the putter And ring, is a step of forming the first electrode extending over the two regions of the forming region and the emission region of the contact hole, the method of manufacturing the light emitting device, characterized in that.

このような製造方法によれば、コンタクトホールを介して接続する、上述の駆動素子の電極と上記第１の電極との接続抵抗（コンタクト抵抗）を低減しつつ、コンタクトホールキャップと同層からなる上記光反射層または上記半反射層上に共振長を調整するための上記透明樹脂層を形成できる。したがって、工程数を低減しつつ、表示品質が向上した発光装置を得ることができる。   According to such a manufacturing method, the contact resistance is made of the same layer as the contact hole cap while reducing the connection resistance (contact resistance) between the electrode of the driving element and the first electrode connected via the contact hole. The transparent resin layer for adjusting the resonance length can be formed on the light reflecting layer or the semi-reflecting layer. Therefore, a light-emitting device with improved display quality while reducing the number of steps can be obtained.

［適用例４］
上述の製造方法であって、上記第３の工程は、上記第４の工程で形成された上記透明樹脂層の光学的距離と上記透明導電層の光学的距離と上記発光機能層の光学的距離との和が、該透明樹脂層が形成される発光画素の発光を上記光反射層又は上記半反射層と上記第２の電極との間で発生する共振により強調する光学的距離となるように、上記液状材料を供給する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。 [Application Example 4]
In the manufacturing method described above, the third step includes an optical distance of the transparent resin layer, an optical distance of the transparent conductive layer, and an optical distance of the light emitting functional layer formed in the fourth step. And an optical distance that emphasizes the light emission of the light emitting pixel on which the transparent resin layer is formed by resonance generated between the light reflecting layer or the semi-reflecting layer and the second electrode. A method for manufacturing a light-emitting device, which is a step of supplying the liquid material.

このような製造方法によれば、上記透明樹脂層が形成された発光画素の発光の色純度を向上できる。したがって、表示品質がより一層向上したカラー表示可能な発光装置を、製造コストを抑制しつつ得ることができる。   According to such a manufacturing method, the color purity of light emission of the light emitting pixel on which the transparent resin layer is formed can be improved. Therefore, a light-emitting device capable of color display with further improved display quality can be obtained while suppressing manufacturing costs.

［適用例５］
上述の製造方法であって、上記第３の工程は、上記三種類の発光画素のうちの二種類の発光画素に対応する上記光反射層上又は上記半反射層上に、上記液状材料を供給する工程であり、上記第７の工程は、上記基板上全面に共通の上記発光機能層を形成する工程であり、上記第５の工程と上記第７の工程とは、上記透明導電層の光学的距離と上記発光機能層の光学的距離との和が、上記光反射層又は上記半反射層と上記第２の電極との間で共振により、上記三種類の発光画素のうちの上記透明導電層が形成されない発光画素の発光が強調される光学的距離となるように、上記透明導電層及び上記発光機能層を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。 [Application Example 5]
In the manufacturing method described above, in the third step, the liquid material is supplied onto the light reflecting layer or the semi-reflective layer corresponding to two types of the light emitting pixels among the three types of light emitting pixels. The seventh step is a step of forming the common light emitting functional layer on the entire surface of the substrate, and the fifth step and the seventh step are optical components of the transparent conductive layer. The sum of the optical distance and the optical distance of the light emitting functional layer is resonant between the light reflecting layer or the semi-reflective layer and the second electrode, so that the transparent conductive of the three types of light emitting pixels is A method for manufacturing a light-emitting device, comprising the step of forming the transparent conductive layer and the light-emitting functional layer so as to have an optical distance that emphasizes light emission of a light-emitting pixel in which no layer is formed.

このような製造方法によれば、上記三種類の発光画素の発光を共振させつつ上記第３の工程を簡略化できる。したがって、上記発光の色純度に影響を与えずに、発光装置の製造コストを低減できる。   According to such a manufacturing method, the third step can be simplified while resonating the light emission of the three types of light emitting pixels. Therefore, the manufacturing cost of the light emitting device can be reduced without affecting the color purity of the light emission.

［適用例６］
上述の製造方法であって、上記第７の工程は、白色光を発光する上記発光機能層を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。 [Application Example 6]
The method for manufacturing a light-emitting device according to the above-described manufacturing method, wherein the seventh step is a step of forming the light-emitting functional layer that emits white light.

白色光は広い波長範囲の光を含んでいるので、このような製造方法によれば、共振長、すなわち上記光反射層又は上記半反射層と上記第２の電極との間の光学的距離の設定により、各々の発光画素により一層好適な三原色光を発光させることができる。したがって、このような製造方法によれば、表示品質がより一層向上したカラー表示可能な発光装置を、製造コストを抑制しつつ得ることができる。なお、上述の白色光を発光する発光機能層は、該発光機能層に含まれる発光層を、夫々異なる色を発光する複数の発光層を積層して形成してもよい。   Since white light includes light in a wide wavelength range, according to such a manufacturing method, the resonance length, that is, the optical distance between the light reflecting layer or the semi-reflecting layer and the second electrode is measured. By setting, it is possible to emit light of three primary colors more suitable for each light emitting pixel. Therefore, according to such a manufacturing method, a light emitting device capable of color display with further improved display quality can be obtained while suppressing manufacturing costs. Note that the light emitting functional layer that emits white light described above may be formed by stacking a plurality of light emitting layers that emit light of different colors.

［適用例７］
上述の製造方法であって、上記第３の工程は、上記液状材料をインクジェット法により吐出して供給する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。 [Application Example 7]
In the above manufacturing method, the third step is a step of discharging and supplying the liquid material by an ink jet method.

インクジェット法は液状材料の供給量及び供給位置の制御性が高いため、上記透明樹脂層の形成における層厚制御性が向上する。したがって、このような製造方法によれば、上記発光画素間において共振により強調される波長の均一性を向上でき、表示品質がより一層向上したカラー表示可能な発光装置を得ることができる。   Since the inkjet method has high controllability of the supply amount and supply position of the liquid material, the layer thickness controllability in forming the transparent resin layer is improved. Therefore, according to such a manufacturing method, the uniformity of the wavelength emphasized by resonance between the light emitting pixels can be improved, and a light emitting device capable of color display with further improved display quality can be obtained.

［適用例８］
上述の製造方法であって、上記第２の工程と上記第３の工程との間に、上記基板上に酸素含有ガスを処理ガスとするプラズマ処理及びフッ素含有ガスを処理ガスとするプラズマ処理を施して上記有機樹脂層の露出した表面に撥液性を付与し、上記光反射層又は上記半反射層の表面に親液性を付与する第１１の工程を実施することを特徴とする発光装置の製造方法。 [Application Example 8]
In the manufacturing method described above, plasma processing using an oxygen-containing gas as a processing gas and plasma processing using a fluorine-containing gas as a processing gas on the substrate between the second step and the third step. And performing an eleventh step of imparting liquid repellency to the exposed surface of the organic resin layer and imparting lyophilicity to the surface of the light reflecting layer or the semi-reflective layer. Manufacturing method.

このような製造方法によれば、上記第３の工程において供給する液状材料を、上記光反射層又は上記半反射層の表面に略均一に分布させ得ると共に、上記光反射層又は上記半反射層の周囲の上記有機樹脂層の露出した表面に流出することを回避できる。したがって、上記透明樹脂層を上記光反射層上又は上記半反射層上にのみ、かつ良好な層厚均一性をもって形成できる。その結果、より一層表示品質の向上した発光装置を得ることができる。
なお、上述の「露出した表面」とは、上記光反射層又は上記半反射層とコンタクトホールキャップとが形成されていない領域である。 According to such a manufacturing method, the liquid material supplied in the third step can be distributed substantially uniformly on the surface of the light reflecting layer or the semi-reflective layer, and the light reflecting layer or the semi-reflective layer. It is possible to avoid outflow to the exposed surface of the organic resin layer around the. Therefore, the transparent resin layer can be formed only on the light reflection layer or the semi-reflection layer and with good layer thickness uniformity. As a result, a light emitting device with further improved display quality can be obtained.
The “exposed surface” described above is a region where the light reflecting layer or the semi-reflecting layer and the contact hole cap are not formed.

［適用例９］
上述の製造方法であって、上記第２の工程は、光反射層を形成する工程であり、上記第８の工程は、半反射性を有する上記第２の電極を形成する工程であること、を特徴とする発光装置の製造方法。 [Application Example 9]
In the manufacturing method described above, the second step is a step of forming a light reflecting layer, and the eighth step is a step of forming the second electrode having semi-reflectivity, A method of manufacturing a light emitting device.

このような製造方法によれば、上記光反射層と上述の半反射性を有する第２の電極との間で発光を共振させつつ、共振により特定の波長範囲の光が強調された光を上記第２の電極側から射出させることが可能な、トップエミッション型の発光装置を得ることができる。   According to such a manufacturing method, while the light emission is resonated between the light reflection layer and the second electrode having the semi-reflectivity, the light in which the light in the specific wavelength range is emphasized by the resonance is used. A top-emission light-emitting device that can be emitted from the second electrode side can be obtained.

［適用例１０］
上述の製造方法であって、上記第１の工程は透明性を有する上記有機樹脂層を形成する工程であり、上記第２の工程は半反射層を形成する工程であり、上記第８の工程は、光反射性を有する上記第２の電極を形成する工程であること、を特徴とする発光装置の製造方法。 [Application Example 10]
In the manufacturing method described above, the first step is a step of forming the organic resin layer having transparency, the second step is a step of forming a semi-reflective layer, and the eighth step Is a step of forming the second electrode having light reflectivity. A method of manufacturing a light-emitting device,

このような製造方法によれば、上記半反射層と上述の光反射性を有する第２の電極との間で発光を共振させつつ、共振により特定の波長範囲の光が強調された光を上記半反射層及び上述の透明性を有する有機樹脂層を介して上記基板側から射出させることが可能な、ボトムエミッション型の発光装置を得ることができる。   According to such a manufacturing method, while the light emission is resonated between the semi-reflective layer and the second electrode having the above-described light reflectivity, the light in which light in a specific wavelength range is emphasized by the resonance is described above. A bottom emission type light-emitting device that can be emitted from the substrate side through the semi-reflective layer and the organic resin layer having transparency described above can be obtained.

［適用例１１］
上述の製造方法であって、上記第２の電極の、上記発光機能層と対向する面の反対側に、上記三種類の発光画素の夫々の発光色に対応するカラーフィルタを配置する第１２の工程を更に実施することを特徴とする発光装置の製造方法。 [Application Example 11]
In the above-described manufacturing method, a twelfth color filter in which color filters corresponding to the respective emission colors of the three types of light emitting pixels are arranged on the opposite side of the surface of the second electrode facing the light emitting functional layer. The manufacturing method of the light-emitting device characterized by further implementing a process.

このような製造方法によれば、共振により特定の波長範囲の光を強調された後、上記第２の電極を透過してくる光の色純度を、上記カラーフィルタを透過させることでより一層向上させることが可能な、トップエミッション型の発光装置を得ることができる。   According to such a manufacturing method, after the light in a specific wavelength range is emphasized by resonance, the color purity of the light transmitted through the second electrode is further improved by transmitting the color filter. Thus, a top emission type light-emitting device can be obtained.

［適用例１２］
上述の製造方法であって、上記第２の工程の前に、上記半反射層の、上記発光機能層と対向する面の反対側の上記半反射層を平面視で含む領域に、上記三種類の発光画素の夫々の発光色に対応するカラーフィルタを形成する第１３の工程を更に含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 [Application Example 12]
In the manufacturing method described above, before the second step, the three types of the semi-reflective layer may be provided in a region including the semi-reflective layer opposite to the surface facing the light emitting functional layer in a plan view. A method for manufacturing a light emitting device, further comprising a thirteenth step of forming a color filter corresponding to each emission color of the light emitting pixels.

このような製造方法によれば、共振により特定の波長範囲の光を強調された後、上記半反射層を透過してくる光の色純度を、上記カラーフィルタを透過させることでより一層向上させることが可能な、ボトムエミッション型の発光装置を得ることができる。   According to such a manufacturing method, after light in a specific wavelength range is emphasized by resonance, the color purity of the light transmitted through the semi-reflective layer is further improved by transmitting the color filter. Thus, a bottom emission type light emitting device can be obtained.

［適用例１３］
上述の製造方法で形成されたことを特徴とする発光装置。 [Application Example 13]
A light-emitting device formed by the above-described manufacturing method.

このような発光装置であれば、フォトリソグラフィー法によらずに、各々の発光画素の発光色に合わせた共振長が得られるため、製造コストを増加させずに高品質の画像を表示できる。   Such a light-emitting device can display a high-quality image without increasing the manufacturing cost because a resonance length that matches the emission color of each light-emitting pixel can be obtained without using a photolithography method.

［適用例１４］
基板上に規則的に配置された複数の発光領域の各々に、赤色光を発光する赤色発光画素と緑色光を発光する緑色発光画素と青色光を発光する青色発光画素と、三種類の発光画素を備える発光装置であって、上記三種類の発光画素の各々は上記基板側から順に光反射層又は半反射層と透明導電性を有する第１の電極と発光機能層と光反射層性又は半反射層性を有する第２の電極とが積層された構造を有しており、上記三種類の発光画素のうちの二種類の発光画素は、上記光反射層又は上記半反射層と上記第１の電極との間に共振長調整用の透明樹脂層が配置されていることを特徴とする発光装置。 [Application Example 14]
Each of a plurality of light emitting regions regularly arranged on the substrate has three types of light emitting pixels: a red light emitting pixel that emits red light, a green light emitting pixel that emits green light, and a blue light emitting pixel that emits blue light. Each of the three types of light-emitting pixels includes a light reflecting layer or semi-reflective layer, a transparent conductive first electrode, a light-emitting functional layer, and a light reflecting layer property or semi-sequentially from the substrate side. A second electrode having a reflective layer property is laminated, and two of the three types of light emitting pixels are the light reflecting layer or the semi-reflective layer and the first light emitting pixel. A transparent resin layer for adjusting a resonance length is disposed between the electrode and the light emitting device.

このような構成であれば、上記第１の電極の形成に伴う成膜工程及びパターニング工程を各一回ずつとした上で、上記共振長を上記三種類の発光画素間で夫々異なる値に設定できる。したがって、かかる発光装置であれば、上記第１の電極の形成コストを低減し、上記光反射層又は上記半反射層に与えるダメージを抑制しつつ、上記三種類の発光画素の各々に、夫々異なる波長範囲の光を強調させることができる。   With such a configuration, the film formation process and the patterning process associated with the formation of the first electrode are performed once, and the resonance length is set to a different value among the three types of light emitting pixels. it can. Therefore, in such a light emitting device, the cost of forming the first electrode is reduced, and damage to the light reflecting layer or the semi-reflective layer is suppressed, and each of the three types of light emitting pixels is different. Light in the wavelength range can be emphasized.

［適用例１５］
上述の発光装置であって、上記三種類の発光画素は、上記透明樹脂層の有無及び該透明樹脂層の層厚を除き、材料及び厚さが同一の層で構成されていることを特徴とする発光装置。 [Application Example 15]
In the above light-emitting device, the three types of light-emitting pixels are configured by layers having the same material and thickness except for the presence or absence of the transparent resin layer and the thickness of the transparent resin layer. Light-emitting device.

このような構成の発光装置であれば、製造コストを低減しつつ、上記三種類の発光画素の各々に、夫々異なる波長範囲の光を強調させることができる。   With the light emitting device having such a configuration, light in different wavelength ranges can be emphasized in each of the three types of light emitting pixels while reducing the manufacturing cost.

以下、図面を参照し、発光装置及び発光装置の製造方法の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。   Hereinafter, embodiments of a light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device will be described with reference to the drawings. In the drawings shown below, the dimensions and ratios of the components are appropriately different from the actual ones in order to make the components large enough to be recognized on the drawings.

（第１の実施形態）
＜Ａ．有機ＥＬ装置の構成＞
図１は、本実施形態の製造方法の対象となる発光装置としての有機ＥＬ装置１の全体構成を示す回路構成図である。有機ＥＬ装置１は、表示領域１００に規則的に配置された複数の発光画素としての有機ＥＬ画素２０の発光を個別に制御して該表示領域に画像を形成する、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。なお、有機ＥＬ装置１は、第２の電極の側から光を射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置であるが、回路構成についてはボトムエミッション型の有機ＥＬ装置も同一である。 (First embodiment)
<A. Configuration of organic EL device>
FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing an overall configuration of an organic EL device 1 as a light emitting device that is an object of the manufacturing method of the present embodiment. The organic EL device 1 is an active matrix organic EL device that individually controls light emission of the organic EL pixels 20 as a plurality of light emitting pixels regularly arranged in the display region 100 to form an image in the display region. It is. The organic EL device 1 is a top emission type organic EL device that emits light from the second electrode side, but the bottom emission type organic EL device is the same in circuit configuration.

有機ＥＬ装置１は、表示領域１００とその周辺の領域とを備えている。表示領域１００には、Ｘ方向に延在する複数の走査線１０２と、Ｙ方向に延在する複数の信号線１０４と、同じくＹ方向に延在する複数の容量線１０６と、が形成されている。Ｘ方向が信号線１０４と容量線１０６とで規定され、Ｙ方向が走査線１０２の中心線で規定される方形の区画が、画素領域１０１である。   The organic EL device 1 includes a display area 100 and a peripheral area. In the display area 100, a plurality of scanning lines 102 extending in the X direction, a plurality of signal lines 104 extending in the Y direction, and a plurality of capacitance lines 106 extending in the Y direction are formed. Yes. A rectangular area in which the X direction is defined by the signal line 104 and the capacitor line 106 and the Y direction is defined by the center line of the scanning line 102 is a pixel region 101.

各々の画素領域１０１には、有機ＥＬ画素２０を構成する要素である、走査線１０２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１０８と、スイッチング用ＴＦＴ１０８を介して信号線１０４から供給される画素信号を保持する保持容量１１０と、保持容量１１０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動素子としての駆動用ＴＦＴ１１２と、駆動用ＴＦＴ１１２を介して容量線１０６から駆動電流が流れ込む画素電極２５（図２参照）等が形成されている。なお、画素とは上述の各構成要素を含む機能的な概念であり、画素領域１０１は表示領域１００内を規則的に区分する平面的な概念である。   In each pixel region 101, a switching TFT (thin film transistor) 108, which is a component constituting the organic EL pixel 20, a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 102, and a signal is transmitted via the switching TFT 108. A storage capacitor 110 that holds a pixel signal supplied from the line 104, a driving TFT 112 as a driving element to which a pixel signal held by the storage capacitor 110 is supplied to the gate electrode, and a capacitor line 106 via the driving TFT 112 A pixel electrode 25 (see FIG. 2) from which a drive current flows is formed. The pixel is a functional concept including the above-described components, and the pixel area 101 is a planar concept that regularly partitions the display area 100.

表示領域１００の周辺の領域には、走査線駆動回路１２０、及び信号線駆動回路１３０が形成されている。走査線駆動回路１２０は、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて、走査線１０２に走査信号を順次供給する。信号線駆動回路１３０は、信号線１０４に画像信号を供給する。容量線１０６には、図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。走査線駆動回路１２０の動作と信号線駆動回路１３０の動作とは、同期信号線１４０を介して外部回路から供給される同期信号により相互に同期が図られている。   A scanning line driving circuit 120 and a signal line driving circuit 130 are formed in an area around the display area 100. The scanning line driving circuit 120 sequentially supplies scanning signals to the scanning line 102 in accordance with various signals supplied from an external circuit (not shown). The signal line driver circuit 130 supplies an image signal to the signal line 104. A pixel driving current is supplied to the capacitor line 106 from an external circuit (not shown). The operation of the scanning line driving circuit 120 and the operation of the signal line driving circuit 130 are synchronized with each other by a synchronization signal supplied from an external circuit via the synchronization signal line 140.

走査線１０２が駆動されスイッチング用ＴＦＴ１０８がオン状態になると、その時点の信号線１０４の電位が保持容量１１０に保持され、保持容量１１０の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１１２のレベルが決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１２を介して容量線１０６から画素電極２５（図２参照）に駆動電流が流れ、有機ＥＬ画素２０は駆動電流の大きさに応じて発光する。   When the scanning line 102 is driven and the switching TFT 108 is turned on, the potential of the signal line 104 at that time is held in the holding capacitor 110, and the level of the driving TFT 112 is determined according to the state of the holding capacitor 110. Then, a driving current flows from the capacitor line 106 to the pixel electrode 25 (see FIG. 2) via the driving TFT 112, and the organic EL pixel 20 emits light according to the magnitude of the driving current.

有機ＥＬ画素２０には、射出する光の色により規定される赤色発光画素としての赤色有機ＥＬ画素２０Ｒ、緑色発光画素としての緑色有機ＥＬ画素２０Ｇ、青色発光画素としての青色有機ＥＬ画素２０Ｂ、の三種類がある。有機ＥＬ画素２０は、上記三種類の有機ＥＬ画素の総称である。他の名称（「共振長」等）についても同様に、Ｒ，Ｇ，Ｂの符号を削除した場合は三種類の該名称の総称である。   The organic EL pixel 20 includes a red organic EL pixel 20R as a red light emitting pixel defined by the color of emitted light, a green organic EL pixel 20G as a green light emitting pixel, and a blue organic EL pixel 20B as a blue light emitting pixel. There are three types. The organic EL pixel 20 is a general term for the above three types of organic EL pixels. Similarly, for other names (such as “resonance length”), when the symbols R, G, and B are deleted, they are generic names of the three types.

後述するように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、共通の発光機能層から得られた発光を共振により特定の波長範囲の光を強調することにより、上記の三種類の光を射出している。独立に制御される個々の有機ＥＬ画素２０が駆動電流の大きさに応じて赤、緑、青の三原色のいずれかの光を射出することで、表示領域１００にカラー画像が形成される。なお、共通の発光機能層を用いるのではなく、上記三種類の有機ＥＬ画素の夫々に異なる発光機能層を形成してもよい。かかる態様は後述する変形例３で述べる。なお、有機ＥＬ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの配置の順序は図１に示す順序に限定されるものではなく、Ｒ，Ｂ，Ｇの順序に配置することも可能である。   As will be described later, the organic EL device 1 of the present embodiment emits the above three types of light by emphasizing light in a specific wavelength range by resonance of light emission obtained from a common light emitting functional layer. Yes. A color image is formed in the display area 100 by each of the independently controlled organic EL pixels 20 emitting one of the three primary colors of red, green, and blue according to the magnitude of the drive current. Instead of using a common light emitting functional layer, a different light emitting functional layer may be formed for each of the three types of organic EL pixels. Such an aspect will be described in Modification 3 described later. Note that the order of arrangement of the organic EL pixels 20R, 20G, and 20B is not limited to the order shown in FIG. 1, and it is also possible to arrange them in the order of R, B, and G.

次に、画素領域１０１内における、画素を構成する各要素の平面的な態様について述べる。図２は、画素領域１０１内における、１画素を構成する各要素の配置を模試的に示す平面図である。Ｘ方向に隣り合うように形成された、赤色有機ＥＬ画素２０Ｒと、緑色有機ＥＬ画素２０Ｇと、青色有機ＥＬ画素２０Ｂと、の計三種類の有機ＥＬ画素２０を示している。平面的な構成は射出する光の色とは関係ないため、以下、上記三種類の画素を区別することなく説明する。   Next, a planar aspect of each element constituting the pixel in the pixel region 101 will be described. FIG. 2 is a plan view schematically showing the arrangement of each element constituting one pixel in the pixel region 101. 3 shows a total of three types of organic EL pixels 20 including a red organic EL pixel 20R, a green organic EL pixel 20G, and a blue organic EL pixel 20B, which are formed adjacent to each other in the X direction. Since the planar configuration is not related to the color of the emitted light, the three types of pixels will be described below without distinction.

図示するように、画素領域１０１は、Ｘ方向を走査線１０２で区画されＹ方向を信号線１０４と容量線１０６とで区画されている。そして、各々の画素領域１０１内には、光が射出される領域である発光領域１９が形成されている。発光領域１９には、後述する第１の電極としての画素電極（陽極）２５と発光機能層２６（図９参照）と第２の電極としての陰極２７（図９参照）とが基板１０（図９参照）側から順に積層されている。   As shown in the figure, the pixel region 101 is partitioned by the scanning line 102 in the X direction and partitioned by the signal line 104 and the capacitor line 106 in the Y direction. In each pixel region 101, a light emitting region 19 that is a region from which light is emitted is formed. In the light emitting region 19, a pixel electrode (anode) 25 as a first electrode (to be described later), a light emitting functional layer 26 (see FIG. 9), and a cathode 27 (see FIG. 9) as a second electrode are provided on the substrate 10 (see FIG. 9). 9 reference) are laminated in order from the side.

画素領域１０１内の、発光領域１９以外の領域は隔壁７７（図８（ａ）参照）で覆われている。したがって、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１のように、平面視で画素電極２５が発光領域１９よりも大きい場合、発光領域１９の周囲には、画素電極２５と隔壁７７とが重なる環状の領域が形成される。
なお、発光領域１９は、実際に発光を射出する領域であり、画素領域１０１内の一部の領域である。後述する隔壁７７（図８（ａ）参照）等が形成されている領域は、画素領域１０１には含まれるが発光領域１９には含まれない。また、三種類の有機ＥＬ画素（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）の夫々の発光領域１９の面積は、同一に限定されるものではない。 A region other than the light emitting region 19 in the pixel region 101 is covered with a partition wall 77 (see FIG. 8A). Therefore, like the organic EL device 1 according to the present embodiment, when the pixel electrode 25 is larger than the light emitting region 19 in plan view, an annular region in which the pixel electrode 25 and the partition wall 77 overlap each other around the light emitting region 19. Is formed.
The light emitting area 19 is an area that actually emits light, and is a partial area in the pixel area 101. A region in which a partition wall 77 (see FIG. 8A) to be described later is formed is included in the pixel region 101 but not in the light emitting region 19. Further, the areas of the light emitting regions 19 of the three types of organic EL pixels (20R, 20G, 20B) are not limited to the same.

駆動用ＴＦＴ１１２は、第１の半導体層３１と、走査線１０２と同一の層をパターニングして形成された第１のゲート電極３３等からなる。第１の半導体層３１と第１のゲート電極３３とが重なる領域がチャネル領域であり、該チャネル領域の両側にソース領域３５とドレイン領域３６とが形成されている。ソース領域３５は、第３のコンタクトホール５３を介して容量線１０６の突出部分と接続している。   The driving TFT 112 includes a first semiconductor layer 31, a first gate electrode 33 formed by patterning the same layer as the scanning line 102, and the like. A region where the first semiconductor layer 31 and the first gate electrode 33 overlap is a channel region, and a source region 35 and a drain region 36 are formed on both sides of the channel region. The source region 35 is connected to the protruding portion of the capacitor line 106 through the third contact hole 53.

ドレイン領域３６は、第１のコンタクトホール５１内に形成された、駆動用ＴＦＴ１１２の電極としての第１の中継電極４１、及び、コンタクトホールとしての第２のコンタクトホール５２の形成領域（以下、「コンタクトホール形成領域」と称する。）と、該領域を囲む若干の幅を有する環状の領域とを合わせた領域に形成されたコンタクトキャップ２２を介して画素電極２５と接続している。本実施形態の有機ＥＬ装置１では、第１のコンタクトホール５１と第２のコンタクトホール５２とは、平面視で重なっている。また、第１の中継電極４１とコンタクトキャップ２２とは、平面視で重なっている。   The drain region 36 is formed in the first contact hole 51, the first relay electrode 41 as the electrode of the driving TFT 112, and the formation region of the second contact hole 52 as the contact hole (hereinafter, “ It is connected to the pixel electrode 25 via a contact cap 22 formed in a region including a contact hole forming region and a ring-shaped region having a slight width surrounding the region. In the organic EL device 1 of the present embodiment, the first contact hole 51 and the second contact hole 52 overlap in plan view. Further, the first relay electrode 41 and the contact cap 22 overlap each other in plan view.

ここで、コンタクトホール形成領域とは、アライメントずれを考慮した上で第２のコンタクトホール５２を確実に平面視で含む領域である。アライメントずれが０の場合、コンタクトホール形成領域は第２のコンタクトホール５２と平面視で重なる。アライメントずれが０ではない場合、コンタクトホール形成領域は、第２のコンタクトホール５２の周囲を囲む、アライメントずれ値と同じ（値の）幅を有する環状の領域を含んでいる。そして、コンタクトキャップ２２は、平面視でコンタクトホール形成領域２３（図３参照）を含むように形成される。   Here, the contact hole formation region is a region that reliably includes the second contact hole 52 in a plan view in consideration of misalignment. When the misalignment is 0, the contact hole formation region overlaps with the second contact hole 52 in plan view. When the misalignment is not 0, the contact hole forming region includes an annular region surrounding the second contact hole 52 and having the same (value) width as the misalignment value. The contact cap 22 is formed so as to include a contact hole forming region 23 (see FIG. 3) in plan view.

図３（ａ）〜（ｃ）に、コンタクトキャップ２２の形状の例を示す。図３（ａ）に示すコンタクトキャップ２２は、図２に示すコンタクトキャップ２２と同様に、コンタクトホール形成領域２３の周囲を僅かに含むように形成されている。コンタクトホール形成領域２３の平面視の形状は第２のコンタクトホール５２にアライメントずれ値と同じ幅の環状領域を加えた形状であり、コンタクトキャップ２２の平面視の形状は、該形状に略同一の幅の環状領域を加えた形状である。   FIGS. 3A to 3C show examples of the shape of the contact cap 22. The contact cap 22 shown in FIG. 3A is formed so as to slightly include the periphery of the contact hole forming region 23, similarly to the contact cap 22 shown in FIG. The shape of the contact hole formation region 23 in plan view is a shape obtained by adding an annular region having the same width as the alignment deviation value to the second contact hole 52, and the shape of the contact cap 22 in plan view is substantially the same as the shape. It is the shape which added the annular area of the width.

図３（ｂ）に示すコンタクトキャップ２２の平面視の形状は、図３（ａ）に示すものと同一のコンタクトホール形成領域２３に対して充分な余裕をもたせた形状である。発光領域１９に対しては所定の間隔を有しており、後述する透明樹脂を含む液状材料の供給工程（第３の工程）において、発光領域１９と重なる光反射層２１上に供給された該液状材料がコンタクトキャップ２２にまで流出することは回避される。図３（ｃ）に示すコンタクトキャップ２２の平面視の形状は、図３（ｂ）に示すものが更に拡大されて、第１のゲート電極３３と重なる領域まで延長されている。ただし、発光領域１９に対しては同様の間隔を有している。   The shape of the contact cap 22 in plan view shown in FIG. 3B is a shape with a sufficient margin for the same contact hole forming region 23 as that shown in FIG. The light emitting region 19 has a predetermined interval, and the liquid material containing a transparent resin, which will be described later, is supplied onto the light reflecting layer 21 that overlaps the light emitting region 19 in the step of supplying the liquid material (third step). It is avoided that the liquid material flows out to the contact cap 22. The shape of the contact cap 22 shown in FIG. 3C in plan view is further enlarged from that shown in FIG. 3B and extended to a region overlapping the first gate electrode 33. However, the light emitting region 19 has a similar interval.

図２に示すスイッチング用ＴＦＴ１０８は、第２の半導体層３２と、走査線１０２の一部が突出してなる第２のゲート電極３４等からなっている。第２の半導体層３２と第２のゲート電極３４とが重なる領域がチャネル領域である。そして、該チャネル領域の両側にソース領域３７とドレイン領域３８とが形成されている。ドレイン領域３８は第４のコンタクトホール５４を介して信号線１０４と接続している。ソース領域３７は、第５のコンタクトホール５５を介して第２の中継電極４２と接続している。第２の中継電極４２の一方の端部は第６のコンタクトホール５６を介して第１のゲート電極３３と接続し、もう一方の端部は第７のコンタクトホール５７を介して、走査線１０２と同一の層をパターニングして形成された下部電極４３と接続している。下部電極４３は、第１の層間絶縁層７１（図４参照）と容量線１０６から突出してなる上部電極４４とで保持容量１１０を構成している。
なお、図２においては、発光機能層２６（図８参照）等は図示を省略している。以下、本実施形態の、発光装置としての有機ＥＬ装置の製造方法を、図２に示すＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、及びＣ−Ｃ’線における断面図を用いて説明する。 The switching TFT 108 shown in FIG. 2 includes a second semiconductor layer 32, a second gate electrode 34 from which a part of the scanning line 102 protrudes, and the like. A region where the second semiconductor layer 32 and the second gate electrode 34 overlap is a channel region. A source region 37 and a drain region 38 are formed on both sides of the channel region. The drain region 38 is connected to the signal line 104 through the fourth contact hole 54. The source region 37 is connected to the second relay electrode 42 through the fifth contact hole 55. One end of the second relay electrode 42 is connected to the first gate electrode 33 via the sixth contact hole 56, and the other end is connected to the scanning line 102 via the seventh contact hole 57. Are connected to a lower electrode 43 formed by patterning the same layer. The lower electrode 43 forms a storage capacitor 110 with the first interlayer insulating layer 71 (see FIG. 4) and the upper electrode 44 projecting from the capacitor line 106.
In FIG. 2, the light emitting functional layer 26 (see FIG. 8) and the like are not shown. Hereinafter, the manufacturing method of the organic EL device as the light emitting device of the present embodiment will be described with reference to cross-sectional views taken along lines AA ′, BB ′, and CC ′ shown in FIG. 2.

＜Ｂ．有機ＥＬ装置の製造方法＞
図４（ａ）〜図１０は、本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法を示す工程断面図である。本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法は、発光領域１９に画素電極２５を形成するまでの工程に特徴がある。そこで、図４（ａ）〜図１０では、赤色有機ＥＬ画素２０Ｒと該赤色有機ＥＬ画素を駆動する駆動用ＴＦＴ１１２のＡ−Ａ’線における断面と、緑色有機ＥＬ画素２０Ｇと該緑色有機ＥＬ画素を駆動する駆動用ＴＦＴ１１２のＢ−Ｂ’線における断面と、青色有機ＥＬ画素２０Ｂと該青色有機ＥＬ画素を駆動する駆動用ＴＦＴ１１２のＣ−Ｃ’線における断面と、を繋ぎ合わせた断面図を表示し、スイッチング用ＴＦＴ１０８と保持容量１１０は図示を省略している。また、発光領域１９を、発光色により赤色発光領域１９Ｒ、緑色発光領域１９Ｇ、青色発光領域１９Ｂ、のいずれかの符号を付与している。以下、図４（ａ）〜図１０の工程断面図に沿って説明する。 <B. Manufacturing method of organic EL device>
4A to 10 are process cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the organic EL device 1 of the present embodiment. The manufacturing method of the organic EL device 1 according to the present embodiment is characterized in the steps until the pixel electrode 25 is formed in the light emitting region 19. Therefore, in FIGS. 4A to 10, the red organic EL pixel 20 </ b> R and the cross section taken along the line AA ′ of the driving TFT 112 that drives the red organic EL pixel, the green organic EL pixel 20 </ b> G, and the green organic EL pixel are illustrated. Sectional drawing which connected the cross section in the BB 'line of the driving TFT112 which drives this, and the cross section in the CC' line of the driving TFT112 which drives this blue organic EL pixel 20B and this blue organic EL pixel. The switching TFT 108 and the storage capacitor 110 are not shown. Further, the light emitting area 19 is given any one of the red light emitting area 19R, the green light emitting area 19G, and the blue light emitting area 19B depending on the light emission color. Hereinafter, the process will be described with reference to the process cross-sectional views of FIGS.

まず、図４（ａ）に示すように、第９の工程として基板１０上に公知の技術により駆動用ＴＦＴ１１２を形成する。同様に、図示しないスイッチング用ＴＦＴ１０８（図２参照）及び保持容量１１０の下部電極４３（図２参照）も形成する。駆動用ＴＦＴ１１２は、ソース領域３５とドレイン領域３６とを含む第１の半導体層３１と、ゲート絶縁層７０とゲート電極３３とからなる。なお、上述したように、有機ＥＬ装置１はトップエミッション型であるから、基板１０は透明性を特に必要としない。   First, as shown in FIG. 4A, a driving TFT 112 is formed on the substrate 10 by a known technique as a ninth step. Similarly, a switching TFT (not shown) 108 (see FIG. 2) and a lower electrode 43 (see FIG. 2) of the storage capacitor 110 are also formed. The driving TFT 112 includes a first semiconductor layer 31 including a source region 35 and a drain region 36, a gate insulating layer 70, and a gate electrode 33. As described above, since the organic EL device 1 is a top emission type, the substrate 10 does not particularly need transparency.

次に、駆動用ＴＦＴ１１２等が形成された基板１０上の全面に、酸窒化シリコン等からなる第１の層間絶縁層７１を形成する。そして該層間絶縁層の一部をフォトリソグラフィー法により選択的に除去して、ソース領域３５の表面の一部を露出させる第３のコンタクトホール５３、及びドレイン領域３６の表面の一部を露出させる第１のコンタクトホール５１形成する。なお、かかる工程で、図示しない第４〜第７のコンタクトホール（５４、５５、５６、及び５７）も同時に形成する。   Next, a first interlayer insulating layer 71 made of silicon oxynitride or the like is formed on the entire surface of the substrate 10 on which the driving TFTs 112 and the like are formed. Then, a part of the interlayer insulating layer is selectively removed by a photolithography method, and a part of the surface of the third contact hole 53 and the drain region 36 exposing the part of the surface of the source region 35 is exposed. A first contact hole 51 is formed. In this process, fourth to seventh contact holes (54, 55, 56, and 57) (not shown) are also formed at the same time.

そして、基板１０上全面に形成したＡｌ等の導電材料層を（成膜し、該導電材料層を）パターニングして、駆動用ＴＦＴ１１２の電極としての第１の中継電極４１を形成する。上記のパターニングにより、容量線１０６、第２の中継電極４２（図２参照）、及び信号線１０４（図２参照）も同時に形成する。容量線１０６の一部は、図示するように第３のコンタクトホール５３に埋設され、ソース領域３５と電気的に接続される。
そして更に、第１の中継電極４１等が形成された基板１０上全面に、第１の工程として、アクリルからなる有機材料層としての平坦化層７３を形成する。平坦化層７３の形成材料は有機系であり、かつ絶縁性を有することが必要である。アクリル以外に、例えばポリイミド等を用いてもよい。 Then, a conductive material layer such as Al formed on the entire surface of the substrate 10 is patterned (formed and the conductive material layer is patterned) to form a first relay electrode 41 as an electrode of the driving TFT 112. Through the above patterning, the capacitor line 106, the second relay electrode 42 (see FIG. 2), and the signal line 104 (see FIG. 2) are also formed at the same time. A part of the capacitor line 106 is embedded in the third contact hole 53 as shown in the figure, and is electrically connected to the source region 35.
Further, as a first step, a planarizing layer 73 as an organic material layer made of acrylic is formed on the entire surface of the substrate 10 on which the first relay electrode 41 and the like are formed. The material for forming the planarization layer 73 must be organic and have insulating properties. In addition to acrylic, for example, polyimide may be used.

そして、第１０の工程として、平坦化層７３の一部をフォトリソグラフィー法により選択的に除去して、駆動用ＴＦＴ１１２のドレイン領域３６に接続する第１の中継電極４１の一部を露出させるコンタクトホールとしての第２のコンタクトホール５２を形成する。   Then, as a tenth step, a part of the planarizing layer 73 is selectively removed by photolithography to expose a part of the first relay electrode 41 connected to the drain region 36 of the driving TFT 112. A second contact hole 52 as a hole is formed.

次に、図４（ｂ）に示すように、基板１０上全面に密着改善層としての、層厚１０ｎｍのＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）層６２と導電性を有する材料としての層厚８０ｎｍの金属層としてのＡｌ（アルミニウム）層６３とを順に成膜（積層）する。ＩＴＯ層６２とＡｌ層６３との積層体は、後述するようにパターニングにより光反射層２１（図５（ａ）参照）となるため、透明性（透過性）を有さず、基板１０と対向する側の反対側の面は光反射性が高いことが必要である。Ａｌは極薄く成膜すると半反射性となるが、８０ｎｍであれば光を殆んど透過せず光反射層として用いることができる。   Next, as shown in FIG. 4B, an ITO (indium oxide / tin alloy) layer 62 having a thickness of 10 nm as an adhesion improving layer on the entire surface of the substrate 10 and a layer thickness of 80 nm as a conductive material. An Al (aluminum) layer 63 as a metal layer is sequentially formed (laminated). Since the laminated body of the ITO layer 62 and the Al layer 63 becomes the light reflection layer 21 (see FIG. 5A) by patterning as described later, it does not have transparency (transparency) and faces the substrate 10. It is necessary that the surface on the opposite side to the light-receiving side has high light reflectivity. Al becomes semi-reflective when deposited very thinly, but if it is 80 nm, it hardly transmits light and can be used as a light reflecting layer.

ここで、「光反射性（を有する）」とは、照射された光の１００％を反射するという意味に限定されるものではない。照射された光の少なくとも６０％、好ましくは８０％、特に好ましくは略１００％を反射させる（機能を有する）、という意味も含まれる。反射されない光は透過されてもよく、吸収され熱として発散されてもよい。
同様に、「透明性（を有する）」とは、照射された光の略１００％を透過させるという意味に限定されるものではない。照射された光の少なくとも６０％、好ましくは８０％、特に好ましくは略１００％を透過させる（機能を有する）、という意味も含まれる。透過されない光は反射されてもよく、吸収され熱として発散されてもよい。
更に、後述する半反射性とは、照射された光の５０％を反射するという意味に限定されるものではない。照射された光の３０％乃至７０％、好ましくは４０％乃至６０％、特に好ましくは略５０％を反射させる（機能を有する）、という意味も含まれる。反射されない光はすべて透過されることが好ましいが、（該反射されない光の）一部は吸収され、熱として発散されてもよい。 Here, “having light reflectivity” is not limited to the meaning of reflecting 100% of the irradiated light. The meaning of reflecting (having a function) at least 60% of the irradiated light, preferably 80%, particularly preferably about 100% is also included. Light that is not reflected may be transmitted, absorbed and dissipated as heat.
Similarly, “transparency (having)” is not limited to the meaning of transmitting substantially 100% of the irradiated light. The meaning of transmitting (having a function) at least 60%, preferably 80%, particularly preferably about 100% of the irradiated light is also included. Light that is not transmitted may be reflected, absorbed and dissipated as heat.
Furthermore, the semi-reflectivity described later is not limited to the meaning of reflecting 50% of the irradiated light. The meaning of reflecting (having a function) 30% to 70%, preferably 40% to 60%, particularly preferably about 50% of the irradiated light is also included. All light that is not reflected is preferably transmitted, but some (of the non-reflected light) may be absorbed and dissipated as heat.

パターニングにより光反射層２１となる層の形成材料はＡｌに限定はされず、Ａｇ（銀）等の他の金属あるいはＡｌ合金等を用いてもよい。ＩＴＯ層６２は、有機材料からなる平坦化層７３とＡｌ層６３との密着性を改善するために形成するが、本発明の具体化において必須のものではない。また、本発明の具体化において、後述するコンタクトキャップ２２（図５（ａ）参照）は必須の要件ではない。該コンタクトキャップを形成しない場合、光反射層２１は反射性を有していれば良く、導電性を有することは必須ではない。したがって、かかる場合、光反射層２１となる層の形成材料には、金属酸化物のように導電性を殆んど有しない光反射性の材料を用いることもできる。なお、以下に示す図においては、ＩＴＯ層６２は図示を省略する。したがって、上述の積層体をパターニングして形成される光反射層２１は、Ａｌ層６３の単層からなるように図示される。   The material for forming the layer that becomes the light reflection layer 21 by patterning is not limited to Al, and other metals such as Ag (silver), Al alloys, or the like may be used. The ITO layer 62 is formed in order to improve the adhesion between the planarizing layer 73 made of an organic material and the Al layer 63, but is not essential in the embodiment of the present invention. In the embodiment of the present invention, a contact cap 22 (see FIG. 5A) described later is not an essential requirement. When the contact cap is not formed, the light reflection layer 21 only needs to have reflectivity, and it is not essential to have conductivity. Therefore, in such a case, a light-reflective material having almost no electrical conductivity, such as a metal oxide, can be used as a material for forming the layer that becomes the light-reflective layer 21. In the drawings shown below, the ITO layer 62 is not shown. Therefore, the light reflection layer 21 formed by patterning the above-described laminate is illustrated as being composed of a single layer of the Al layer 63.

次に、図５（ａ）に示すように、第２の工程としてＩＴＯ層６２とＡｌ層６３との積層体をパターニングして発光領域１９に光反射層２１を形成し、同時に、少なくともコンタクトホール形成領域２３（図３参照）を含み、かつ、発光領域１９とは所定の間隔を有する領域にコンタクトキャップ２２を形成する。   Next, as shown in FIG. 5A, as a second step, the laminate of the ITO layer 62 and the Al layer 63 is patterned to form the light reflecting layer 21 in the light emitting region 19, and at the same time, at least the contact hole A contact cap 22 is formed in a region including a formation region 23 (see FIG. 3) and having a predetermined distance from the light emitting region 19.

上述したように、コンタクトホール形成領域２３は、アライメントずれを考慮した上で第２のコンタクトホール５２を確実に平面視で含む領域であり、第２のコンタクトホール５２の周囲を囲む、狭い幅の環状の領域を含む領域である。コンタクトキャップ２２を形成する目的は、ドレイン領域３６と接続する第１の中継電極４１と画素電極２５との接続抵抗の低減である。したがって、コンタクトキャップ２２の形状は光反射層２１との間に所定の間隔を設ければよく、コンタクトホール形成領域２３内に限定される必要はない。   As described above, the contact hole formation region 23 is a region that surely includes the second contact hole 52 in a plan view in consideration of misalignment, and has a narrow width that surrounds the second contact hole 52. It is an area including an annular area. The purpose of forming the contact cap 22 is to reduce the connection resistance between the first relay electrode 41 connected to the drain region 36 and the pixel electrode 25. Accordingly, the shape of the contact cap 22 is not limited to the contact hole forming region 23 as long as a predetermined interval is provided between the contact cap 22 and the light reflecting layer 21.

次に、図５（ｂ）に示すように、第１１の工程として基板１０上全面に酸素含有ガスとしてのＯ2ガスのプラズマＡによるプラズマ処理とフッ素含有ガスとしてのＣＦ4ガスのプラズマＢによるプラズマ処理とを連続して行う。かかる処理により、光反射層２１とコンタクトキャップ２２との表面では、フォトリソグラフィー工程等で付着した残渣が酸化により除去され清浄化される。したがって、光反射層２１とコンタクトキャップ２２との表面に親液性が付与される。一方、ＩＴＯ層６２とＡｌ層６３との積層体が上記第５の工程で選択的に除去され、有機材料からなる平坦化層７３が露出している領域の表面は、該有機材料に含まれている炭素原子が、プラズマＢに含まれるフッ素原子と化合する。その結果、該領域の表面に、撥液性が付与される。 Next, as shown in FIG. 5B, as an eleventh step, the entire surface of the substrate 10 is subjected to plasma treatment using O 2 gas plasma A as an oxygen-containing gas and CF 4 gas plasma B serving as fluorine-containing gas. Plasma treatment is continuously performed. By such treatment, the residue attached in the photolithography process or the like is removed by oxidation on the surface of the light reflection layer 21 and the contact cap 22 and cleaned. Accordingly, lyophilicity is imparted to the surfaces of the light reflecting layer 21 and the contact cap 22. On the other hand, the surface of the region where the laminate of the ITO layer 62 and the Al layer 63 is selectively removed in the fifth step and the planarizing layer 73 made of an organic material is exposed is included in the organic material. Carbon atoms combine with fluorine atoms contained in the plasma B. As a result, liquid repellency is imparted to the surface of the region.

次に、図６（ａ）に示すように、第３の工程として図示しないインクジェット装置のノズル８１から、赤色発光領域１９Ｒの光反射層２１上と緑色発光領域１９Ｇの光反射層２１上とに、透明樹脂を含む液状材料Ｃを吐出する。コンタクトキャップ２２上には吐出しない。また、青色発光領域１９Ｂの光反射層２１上には吐出しない。
ここで、透明樹脂を含む液状材料とは、硬化後に透明樹脂を得られる液状材料である。したがって、アクリル、メタクリル、エポキシ等の透明樹脂自体を含む液体の他に、該透明樹脂の前駆体及び該前駆体を含む液体（例えば該前駆体を溶質とする溶液）も該当する。また、「含む液体」ということは、溶質としての該透明樹脂等を溶解する溶液、及び該透明樹脂等を分散された分散液の双方が含まれる。更に、「溶液」と「分散液」との中間的な液体も含まれる。 Next, as shown in FIG. 6A, from the nozzle 81 of the ink jet apparatus (not shown) as a third step, on the light reflecting layer 21 in the red light emitting region 19R and on the light reflecting layer 21 in the green light emitting region 19G. Then, the liquid material C containing transparent resin is discharged. It does not discharge onto the contact cap 22. Moreover, it does not discharge on the light reflection layer 21 in the blue light emitting region 19B.
Here, the liquid material containing a transparent resin is a liquid material from which a transparent resin can be obtained after curing. Therefore, in addition to a liquid containing a transparent resin itself such as acrylic, methacrylic, epoxy and the like, a precursor of the transparent resin and a liquid containing the precursor (for example, a solution containing the precursor as a solute) are also applicable. In addition, “containing liquid” includes both a solution that dissolves the transparent resin or the like as a solute, and a dispersion in which the transparent resin or the like is dispersed. Furthermore, an intermediate liquid between “solution” and “dispersion” is also included.

上記第３の工程により光反射層２１の表面は親液性となっているので、吐出された透明樹脂を含む液状材料（以下、「液状材料」と称する。）Ｃは光反射層２１上全域に略均一に広がる。一方、光反射層２１の周囲の、平坦化層７３が露出している領域の表面は撥液性が付与されているため、液状材料Ｃは該領域へは流出しない。
コンタクトキャップ２２の表面も、第６の工程で親液性が付与されている。しかし、コンタクトキャップ２２と光反射層２１とは、表面が撥液性である平坦化層７３によって隔てられているため、液状材料Ｃはコンタクトキャップ２２へは流出しない。したがって、液状材料Ｃは光反射層２１上に留まる。 Since the surface of the light reflecting layer 21 is made lyophilic by the third step, the liquid material (hereinafter referred to as “liquid material”) C containing the discharged transparent resin is the entire area on the light reflecting layer 21. Spread almost uniformly. On the other hand, since the surface of the region around the light reflecting layer 21 where the planarizing layer 73 is exposed is given liquid repellency, the liquid material C does not flow out to the region.
The surface of the contact cap 22 is also given lyophilicity in the sixth step. However, since the contact cap 22 and the light reflecting layer 21 are separated by the planarizing layer 73 having a liquid repellent surface, the liquid material C does not flow out to the contact cap 22. Accordingly, the liquid material C remains on the light reflecting layer 21.

次に、図６（ｂ）に示すように、第４の工程として液状材料Ｃを硬化させて、赤色発光領域１９Ｒの光反射層２１上と緑色発光領域１９Ｇの光反射層２１上とに、透明樹脂層７９を形成する。透明樹脂層７９の層厚は、赤色発光領域１９Ｒでは１１５ｎｍ、緑色発光領域１９Ｇでは４５ｎｍである。硬化後の層厚が上記の値となるように、上記第７の工程では液状材料Ｃの吐出量を設定する。なお、上記の硬化は、加熱あるいは紫外線照射等の方法により行う。   Next, as shown in FIG. 6 (b), the liquid material C is cured as a fourth step, on the light reflecting layer 21 in the red light emitting region 19R and on the light reflecting layer 21 in the green light emitting region 19G. A transparent resin layer 79 is formed. The thickness of the transparent resin layer 79 is 115 nm in the red light emitting region 19R and 45 nm in the green light emitting region 19G. In the seventh step, the discharge amount of the liquid material C is set so that the layer thickness after curing becomes the above value. In addition, said hardening is performed by methods, such as a heating or ultraviolet irradiation.

次に、図７（ａ）に示すように、第５の工程として基板１０上全面に透明導電材料としての層厚３０ｎｍのＩＴＯ層６５を形成する。形成は、スパッタ法あるいは蒸着法によることが好ましい。   Next, as shown in FIG. 7A, as a fifth step, an ITO layer 65 having a layer thickness of 30 nm as a transparent conductive material is formed on the entire surface of the substrate 10. The formation is preferably performed by sputtering or vapor deposition.

次に、図７（ｂ）に示すように、第６の工程としてＩＴＯ層６５を、光反射層２１とコンタクトキャップ２２に跨るようにパターニングして、第１の電極としての画素電極２５を形成する。上述したように、コンタクトキャップ２２が第１の中継電極４１を介して駆動用ＴＦＴ１１２のドレイン領域３６と接続しており、また、該コンタクトキャップ上には透明樹脂層７９は形成されていない。したがって、画素電極２５は、コンタクトホール形成領域２３において、駆動用ＴＦＴ１１２のドレイン領域３６と電気的に接続する。   Next, as shown in FIG. 7B, as a sixth step, the ITO layer 65 is patterned so as to straddle the light reflecting layer 21 and the contact cap 22 to form the pixel electrode 25 as the first electrode. To do. As described above, the contact cap 22 is connected to the drain region 36 of the driving TFT 112 via the first relay electrode 41, and the transparent resin layer 79 is not formed on the contact cap. Therefore, the pixel electrode 25 is electrically connected to the drain region 36 of the driving TFT 112 in the contact hole forming region 23.

次に、図８（ａ）に示すように、基板１０上の発光領域１９を除く領域に、隔壁７７を形成する。隔壁７７は、基板１０上全面に形成したポリイミド等の有機又は無機の絶縁材料層材料層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして形成する。   Next, as shown in FIG. 8A, a partition wall 77 is formed in a region excluding the light emitting region 19 on the substrate 10. The partition wall 77 is formed by patterning an organic or inorganic insulating material layer material layer such as polyimide formed on the entire surface of the substrate 10 by a photolithography method.

次に、図８（ｂ）に示すように、第７の工程として基板１０上全面に発光機能層２６を形成し、更に該発光機能層上に第８の工程として半反射性を有する第２の電極としての陰極２７を形成する。   Next, as shown in FIG. 8B, a light emitting functional layer 26 is formed on the entire surface of the substrate 10 as a seventh step, and further a semi-reflective second layer is formed on the light emitting functional layer as an eighth step. A cathode 27 is formed as an electrode.

本実施形態の有機ＥＬ装置１に形成される発光機能層２６は、全ての波長の可視光線を略均一に含んだ光を発光する白色発光機能層であり、三種の有機ＥＬ画素２０に共通して形成される。各有機ＥＬ画素２０は共振により特定の波長範囲の光を強調し、更に後述するカラーフィルタ層７６により、より一層色純度を向上させて射出する。   The light-emitting functional layer 26 formed in the organic EL device 1 of the present embodiment is a white light-emitting functional layer that emits light that substantially includes visible light of all wavelengths, and is common to the three types of organic EL pixels 20. Formed. Each organic EL pixel 20 emphasizes light in a specific wavelength range due to resonance, and further emits with improved color purity by a color filter layer 76 described later.

発光機能層２６は図示しない複数の層からなる。具体的には基板１０側から順に、正孔注入輸送層、発光層（有機ＥＬ層）、電子輸送層、及び電子注入層が積層されており、合計の層厚は１９５ｎｍである。上記の各層は真空蒸着法又はスパッタ法により成膜される。上述したように、マスク等は用いられず、基板１０上全面に同一の層が成膜される。発光層は、単一の材料層を用いて白色光を発光させることが困難な場合、二種類以上の材料層を積層してもよい。本実施形態の有機ＥＬ装置１では、各層の材料は以下のものを用いている。   The light emitting functional layer 26 includes a plurality of layers (not shown). Specifically, a hole injecting and transporting layer, a light emitting layer (organic EL layer), an electron transporting layer, and an electron injecting layer are laminated in order from the substrate 10 side, and the total layer thickness is 195 nm. Each of the above layers is formed by vacuum deposition or sputtering. As described above, a mask or the like is not used, and the same layer is formed on the entire surface of the substrate 10. When it is difficult to emit white light using a single material layer, the light emitting layer may be a laminate of two or more types of material layers. In the organic EL device 1 of the present embodiment, the following materials are used for each layer.

正孔注入輸送層は、正孔注入層としてのＨＩ４０６（出光興産株式会社製）と正孔輸送層としてのＨＴ３２０（出光興産株式会社製）を積層している。発光層は、青緑色発光層と赤色発光層の積層体である。青緑色発光層は、ホスト材料として出光興産株式会社製のＢＨ２１５にドーパントとしての出光興産株式会社製のＢＤ１０２を加えた材料で形成している。赤色発光層は、ホスト材料として出光興産株式会社製のＢＨ２１５に、ドーパントとして出光興産株式会社製のＲＤ００１を加えた材料で形成されている。電子輸送層はＡｌｑ３（アルミニウムキノリノール）、電子注入層はＬｉＦ（弗化リチウム）で、夫々形成している。   The hole injection transport layer is formed by stacking HI406 (made by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) as a hole injection layer and HT320 (made by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) as a hole transport layer. The light emitting layer is a laminate of a blue-green light emitting layer and a red light emitting layer. The blue-green light emitting layer is formed of a material obtained by adding BD102 made by Idemitsu Kosan Co., Ltd. as a dopant to BH215 made by Idemitsu Kosan Co., Ltd. as a host material. The red light emitting layer is formed of a material obtained by adding RD001 manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd. as a dopant to BH215 manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd. as a host material. The electron transport layer is formed of Alq3 (aluminum quinolinol), and the electron injection layer is formed of LiF (lithium fluoride).

陰極２７は、層厚１２．５ｎｍのＭｇＡｇ（マグネシウム・銀）合金等をスパッタ法等により成膜して形成する。上記の材料をかかる層厚に形成することで、半反射性を有する電極を形成できる。陰極２７は、画素電極２５とは異なり表示領域１００全域で同電位となる。なお、上記の層厚で成膜した後、隔壁７７上に更にマスクを用いて成膜して発光領域１９を避けて厚膜部を形成してもよい。発光領域１９における半反射性を維持しつつ、単位面積当たりの抵抗を低減できる。   The cathode 27 is formed by depositing a MgAg (magnesium / silver) alloy or the like having a layer thickness of 12.5 nm by a sputtering method or the like. By forming the above material in such a layer thickness, an electrode having semi-reflectivity can be formed. Unlike the pixel electrode 25, the cathode 27 has the same potential throughout the display region 100. Note that, after forming the film with the above layer thickness, a thick film portion may be formed on the partition wall 77 using a mask to avoid the light emitting region 19. The resistance per unit area can be reduced while maintaining the semi-reflectivity in the light emitting region 19.

次に、図９に示すように、陰極２７が形成された基板１０上の全面に、第１のパシベーション層８５と応力緩和層８６と第２のパシベーション層８７とを順に積層する。第１のパシベーション層８５は層厚２００ｎｍのＳｉＯ2、応力緩和層８６は層厚２０００ｎｍのアクリル樹脂、第２のパシベーション層８７は層厚４００ｎｍのＳｉＯ2、で夫々形成する。かかる材料層を積層することで、水分等の滲入を抑制し、完成後の有機ＥＬ装置１において有機ＥＬ画素２０の劣化を抑制できる。 Next, as shown in FIG. 9, a first passivation layer 85, a stress relaxation layer 86, and a second passivation layer 87 are sequentially stacked on the entire surface of the substrate 10 on which the cathode 27 is formed. The first passivation layer 85 is formed of SiO 2 having a thickness of 200 nm, the stress relaxation layer 86 is formed of acrylic resin having a thickness of 2000 nm, and the second passivation layer 87 is formed of SiO 2 having a thickness of 400 nm. By laminating such material layers, infiltration of moisture and the like can be suppressed, and deterioration of the organic EL pixel 20 in the completed organic EL device 1 can be suppressed.

次に、図１０に示すように、第１２の工程として基板１０にカラーフィルタ層７６が形成された対向基板１２をアクリル樹脂等からなる接着層７８を介して貼り合わせて、矢印の方向に光を射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置１を完成させる。カラーフィルタ層７６は、赤色発光領域１９Ｒに対応する赤色カラーフィルタ７５Ｒ、緑色発光領域１９Ｇに対応する緑色カラーフィルタ７５Ｇ、青色発光領域１９Ｂに対応する青色カラーフィルタ７５Ｂ、及び各々のカラーフィルタを区画するブラックマトリクス７５Ｋからなる。
カラーフィルタ層７６は本発明の具体化において必須のものではないが、後述する共振によって各有機ＥＬ画素毎に異なる色（波長範囲）となって射出される光の色純度を、さらに向上させることができる。 Next, as shown in FIG. 10, as a twelfth step, the counter substrate 12 having the color filter layer 76 formed on the substrate 10 is bonded through an adhesive layer 78 made of acrylic resin or the like, and light is emitted in the direction of the arrow. The top emission type organic EL device 1 for injecting is completed. The color filter layer 76 defines a red color filter 75R corresponding to the red light emitting region 19R, a green color filter 75G corresponding to the green light emitting region 19G, a blue color filter 75B corresponding to the blue light emitting region 19B, and each color filter. It consists of a black matrix 75K.
The color filter layer 76 is not essential in the embodiment of the present invention, but further improves the color purity of light emitted in a different color (wavelength range) for each organic EL pixel due to resonance described later. Can do.

以上の工程により、光反射層２１の発光機能層側の界面（表面）と陰極２７の発光機能層側の界面（表面）との間の光学的距離である共振長７が、三種類の有機ＥＬ画素２０で夫々異なる値を有する有機ＥＬ装置１を得ることができる。すなわち、有機ＥＬ装置１は、赤色有機ＥＬ画素２０Ｒ及び緑色有機ＥＬ画素２０Ｇが、光反射層２１と画素電極２５との間に透明樹脂層７９を備えているため、赤色有機ＥＬ画素２０Ｒの共振長７Ｒと緑色有機ＥＬ画素２０Ｇの共振長７Ｇと青色有機ＥＬ画素２０Ｂの共振長７Ｂとが夫々異なる値に設定されている。そして、かかる共振長により、有機ＥＬ画素２０毎で夫々異なる波長範囲の光を強調した上で射出できる。そのため、発光機能層２６に白色発光機能層を用いているにもかかわらず、カラーフィルタ層７６の効果と合わせて、赤、緑、青の三原色の光を射出してカラー表示を行うことができる。   Through the above steps, the resonance length 7 which is the optical distance between the interface (surface) on the light emitting functional layer side of the light reflecting layer 21 and the interface (surface) on the light emitting functional layer side of the cathode 27 is changed to three types of organic substances. The organic EL device 1 having different values for each EL pixel 20 can be obtained. That is, in the organic EL device 1, since the red organic EL pixel 20R and the green organic EL pixel 20G include the transparent resin layer 79 between the light reflection layer 21 and the pixel electrode 25, the resonance of the red organic EL pixel 20R. The length 7R, the resonance length 7G of the green organic EL pixel 20G, and the resonance length 7B of the blue organic EL pixel 20B are set to different values. The resonance length can be emitted after emphasizing light in a different wavelength range for each organic EL pixel 20. Therefore, although the white light emitting functional layer is used for the light emitting functional layer 26, in combination with the effect of the color filter layer 76, light of the three primary colors of red, green, and blue can be emitted to perform color display. .

また、有機ＥＬ装置１では、共振長７の設定すなわち三種類の有機ＥＬ画素２０間で異なる共振長７を設定する手段が透明樹脂層７９の形成のみである。すなわち、基板１０上に形成される透明樹脂層７９以外の要素は三種類の有機ＥＬ画素２０間で同一である。そして、透明樹脂層７９は、フォトリソグラフィー法を用いずに、インクジェット装置を用いて形成されている。したがって、以上の工程により、コストの増加及び歩留りの低下を抑制しつつ、有機ＥＬ画素２０間で異なる共振長７の設定を可能とし、白色発光機能層を用いてカラー表示が可能な有機ＥＬ装置１を得ることができる。   Further, in the organic EL device 1, the setting of the resonance length 7, that is, the means for setting the resonance length 7 different among the three types of organic EL pixels 20 is only the formation of the transparent resin layer 79. That is, the elements other than the transparent resin layer 79 formed on the substrate 10 are the same among the three types of organic EL pixels 20. The transparent resin layer 79 is formed using an ink jet apparatus without using a photolithography method. Therefore, the organic EL device capable of setting a different resonance length 7 between the organic EL pixels 20 and performing color display using the white light emitting functional layer while suppressing an increase in cost and a decrease in yield through the above steps. 1 can be obtained.

上述の共振長は、以下の式に基づいて設定される。
２×共振長（７Ｒ，７Ｇ，７Ｂ）＋φ２＋φ３＝ｍλ・・・・・・・・・（１）
ここで
φ２＝光反射層２１の、発光機能層２６側界面での位相差、
φ３＝陰極２７の発光機能層２６側界面での位相差、
であり、ｍは正の整数である。
φ２及びφ３は、画素電極２５及び透明樹脂層７９の屈折率及び消衰係数等により変化する。したがって、共振長７は、画素電極２５等の形成材料に合わせてその都度最適化する必要がある。透明樹脂層７９の層厚は液状材料Ｃの吐出量を制御することにより連続的に設定（調整）できるので、本実施形態の製造方法によれば、常に最適な共振長７を設定して、表示品質が向上した有機ＥＬ装置１を得ることができる。 The above-described resonance length is set based on the following equation.
2 × resonance length (7R, 7G, 7B) + φ2 + φ3 = mλ (1)
Here, φ2 = phase difference at the light emitting functional layer 26 side interface of the light reflecting layer 21,
φ3 = phase difference at the light emitting functional layer 26 side interface of the cathode 27,
And m is a positive integer.
φ2 and φ3 vary depending on the refractive index and extinction coefficient of the pixel electrode 25 and the transparent resin layer 79. Therefore, it is necessary to optimize the resonance length 7 in accordance with the material for forming the pixel electrode 25 and the like each time. Since the layer thickness of the transparent resin layer 79 can be continuously set (adjusted) by controlling the discharge amount of the liquid material C, according to the manufacturing method of the present embodiment, the optimum resonance length 7 is always set, The organic EL device 1 with improved display quality can be obtained.

（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態として有機ＥＬ装置２の製造方法について説明する。図１１（ａ）〜図１５は、本実施形態の有機ＥＬ装置２の製造方法を示す工程断面図である。本実施形態の製造方法の対象である有機ＥＬ装置２は、透明基板１１側（第１の電極としての画素電極２５側）から光を射出するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置である。第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１と、は光の射出する方向が異なるのみであり、回路構成は同一である。そこで、回路図、平面図は省略し、工程断面図のみを用いて説明する。また、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略する。 (Second Embodiment)
Then, the manufacturing method of the organic EL apparatus 2 is demonstrated as 2nd Embodiment. FIG. 11A to FIG. 15 are process cross-sectional views illustrating the method for manufacturing the organic EL device 2 of the present embodiment. The organic EL device 2 that is the object of the manufacturing method of the present embodiment is a bottom emission type organic EL device that emits light from the transparent substrate 11 side (the pixel electrode 25 side as the first electrode). The organic EL device 1 according to the first embodiment is different only in the light emission direction, and the circuit configuration is the same. Therefore, a circuit diagram and a plan view will be omitted, and description will be made using only process cross-sectional views. Moreover, the same code | symbol is provided to the component which is common in the organic EL apparatus 1 concerning 1st Embodiment, and description of description is partially abbreviate | omitted.

まず、図１１（ａ）に示すように、第９の工程として、透明基板１１上に公知の技術により駆動用ＴＦＴ１１２を形成する。同時に、図示しないスイッチング用ＴＦＴ１０８（図２参照）等も形成する。なお、有機ＥＬ装置２はボトムエミッション型であるため、ＴＦＴ等が形成される基板（透明基板１１）は透明性が必要である。   First, as shown in FIG. 11A, as a ninth step, a driving TFT 112 is formed on the transparent substrate 11 by a known technique. At the same time, a switching TFT 108 (see FIG. 2) (not shown) is formed. Since the organic EL device 2 is a bottom emission type, the substrate (transparent substrate 11) on which TFTs and the like are formed needs to be transparent.

次に、駆動用ＴＦＴ１１２が形成された透明基板１１上の全面に、酸窒化シリコン等からなる第１の層間絶縁層７１を形成する。そして該第１の層間絶縁層の一部をフォトリソグラフィー法により選択的に除去して、ソース領域３５の表面の一部を露出させる第３のコンタクトホール５３、及びドレイン領域３６の表面の一部を露出させる第１のコンタクトホール５１形成する。   Next, a first interlayer insulating layer 71 made of silicon oxynitride or the like is formed on the entire surface of the transparent substrate 11 on which the driving TFT 112 is formed. Then, a part of the first interlayer insulating layer is selectively removed by a photolithography method to expose a part of the surface of the source region 35 and a part of the surface of the drain region 36. A first contact hole 51 is formed to expose.

そして、透明基板１１上全面に形成したＡｌ等の導電材料層をパターニングして、電極としての第１の中継電極４１を形成する。上記のパターニングにより、容量線１０６等も同時に形成する。容量線１０６の一部は、図示するように第３のコンタクトホール５３に埋設され導通を得る。そして更に、第１の中継電極４１等が形成された透明基板１１上全面に、酸窒化シリコン等からなる第２の層間絶縁層７２を形成する。   Then, a conductive material layer such as Al formed on the entire surface of the transparent substrate 11 is patterned to form the first relay electrode 41 as an electrode. Through the above patterning, the capacitor line 106 and the like are formed at the same time. A part of the capacitor line 106 is buried in the third contact hole 53 as shown in the figure to obtain electrical continuity. Further, a second interlayer insulating layer 72 made of silicon oxynitride or the like is formed on the entire surface of the transparent substrate 11 on which the first relay electrode 41 and the like are formed.

次に、図１１（ｂ）に示すように、第１３の工程として、第２の層間絶縁層７２上の発光領域１９を平面視で含む領域に、各々の発光色に合わせたカラーフィルタ７５を形成する。すなわち、赤色発光領域１９Ｒには赤色カラーフィルタ７５Ｒを、緑色発光領域１９Ｇには緑色カラーフィルタ７５Ｇを、青色発光領域１９Ｂには青色カラーフィルタ７５Ｂを、夫々形成する。   Next, as shown in FIG. 11B, as a thirteenth step, a color filter 75 that matches the emission color is formed in a region including the emission region 19 on the second interlayer insulating layer 72 in plan view. Form. That is, a red color filter 75R is formed in the red light emitting region 19R, a green color filter 75G is formed in the green light emitting region 19G, and a blue color filter 75B is formed in the blue light emitting region 19B.

次に、図１２（ａ）に示すように、カラーフィルタ（７５Ｒ，７５Ｇ，７５Ｂ）が形成された透明基板１１上全面に、第１の工程として、アクリル等の透明性の有機材料からなる、有機材料層としての透明平坦化層７４を形成する。そして第１０の工程として、透明平坦化層７４の一部をフォトリソグラフィー法により選択的に除去して、第１の中継電極４１の一部を露出させる、コンタクトホールとしての第２のコンタクトホール５２を形成する。   Next, as shown in FIG. 12A, the entire surface of the transparent substrate 11 on which the color filters (75R, 75G, 75B) are formed is made of a transparent organic material such as acrylic as a first step. A transparent flattening layer 74 as an organic material layer is formed. As a tenth step, a part of the transparent planarization layer 74 is selectively removed by a photolithography method, and a part of the first relay electrode 41 is exposed to expose the second contact hole 52 as a contact hole. Form.

次に、図１２（ｂ）に示すように、透明基板１１上全面に、密着改善層としての層厚１０ｎｍのＩＴＯ層（図示せず）と、金属層としての層厚１０ｎｍのＡｌ層６６を形成する。Ａｌ層は一般的には光反射性を有するが、１０ｎｍと極薄く成膜することで、導電性かつ半反射性の層とすることができる。ＩＴＯ層は導電性と透明性とを有しているため、上述のＩＴＯ層とＡｌ層６６との積層体は、半反射性と導電性とを兼ね備えることとなる。なお、上述のＩＴＯ層は、透明平坦化層７４とＡｌ層６６との密着性を改善するために形成するが、第１の本実施形態におけるＩＴＯ層６２と同様に、本発明の具体化において必須のものではない。   Next, as shown in FIG. 12B, an ITO layer (not shown) having a thickness of 10 nm as an adhesion improving layer and an Al layer 66 having a thickness of 10 nm as a metal layer are formed on the entire surface of the transparent substrate 11. Form. The Al layer generally has light reflectivity, but can be formed as a conductive and semi-reflective layer by forming a film as thin as 10 nm. Since the ITO layer has conductivity and transparency, the above-described laminate of the ITO layer and the Al layer 66 has both semi-reflectivity and conductivity. In addition, although the above-mentioned ITO layer is formed in order to improve the adhesiveness between the transparent planarization layer 74 and the Al layer 66, in the embodiment of the present invention, like the ITO layer 62 in the first embodiment. It is not essential.

次に、図１３（ａ）に示すように、第２の工程として、ＩＴＯ層（図示せず）とＡｌ層６６との積層体をパターニングして、発光領域１９に半反射層２９を形成し、同時に、少なくともコンタクトホール形成領域２３（図３参照）を含み、かつ、発光領域１９とは所定の間隔を有する領域にコンタクトキャップ３０を形成する。   Next, as shown in FIG. 13A, as a second step, a laminate of an ITO layer (not shown) and an Al layer 66 is patterned to form a semi-reflective layer 29 in the light emitting region 19. At the same time, the contact cap 30 is formed in a region including at least the contact hole forming region 23 (see FIG. 3) and having a predetermined distance from the light emitting region 19.

上述の第１の実施形態と同様に、コンタクトホール形成領域２３は、アライメントずれを考慮した上で平面視で第２のコンタクトホール５２を確実に含む領域であり、第２のコンタクトホール５２の周囲を囲む、狭い幅の環状の領域を含む領域である。コンタクトキャップ３０を形成する目的は、ドレイン領域３６と接続する第１の中継電極４１と画素電極２５との接続抵抗の低減である。したがって、コンタクトキャップ３０の形状は半反射層２９との間に所定の間隔を設ければよく、コンタクトホール形成領域２３内に限定される必要はない。そして、上記のパターニング後に、第１の実施形態と同様に第１１の工程として、Ｏ2ガスのプラズマによるプラズマ処理とＣＦ4ガスのプラズマによるプラズマ処理とを連続して行い、半反射層２９とコンタクトキャップ３０の表面に親液性を付与し、かつ透明平坦化層７４の露出している表面に撥液性を付与する。 Similar to the first embodiment described above, the contact hole formation region 23 is a region that surely includes the second contact hole 52 in plan view in consideration of misalignment, and is around the second contact hole 52. Is a region including an annular region having a narrow width. The purpose of forming the contact cap 30 is to reduce the connection resistance between the first relay electrode 41 connected to the drain region 36 and the pixel electrode 25. Therefore, the shape of the contact cap 30 is not limited to the contact hole formation region 23 as long as a predetermined interval is provided between the contact cap 30 and the semi-reflective layer 29. Then, after the above patterning, as the eleventh step as in the first embodiment, the plasma treatment using the O 2 gas plasma and the plasma treatment using the CF 4 gas plasma are continuously performed, The lyophilic property is imparted to the surface of the contact cap 30, and the lyophobic property is imparted to the exposed surface of the transparent planarizing layer 74.

次に、図１３（ｂ）に示すように、赤色発光領域１９Ｒに形成された半反射層２９上と緑色発光領域１９Ｇに形成された半反射層２９上とに、透明樹脂層７９を形成する。透明樹脂層７９の形成は、上記の第１の実施形態と同様に行う。すなわち、第３の工程として上記２箇所の半反射層２９上にインクジェット法により吐出した（透明樹脂を含む）液状材料Ｃを、第４の工程として加熱あるいは紫外線照射等により硬化させる。透明樹脂層７９の層厚は、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同じく、赤色発光領域１９Ｒでは１１５ｎｍ、緑色発光領域１９Ｇでは４５ｎｍである。   Next, as shown in FIG. 13B, a transparent resin layer 79 is formed on the semi-reflective layer 29 formed in the red light-emitting region 19R and on the semi-reflective layer 29 formed in the green light-emitting region 19G. . The transparent resin layer 79 is formed in the same manner as in the first embodiment. That is, the liquid material C (including the transparent resin) discharged by the ink jet method on the two semi-reflective layers 29 as the third step is cured by heating or ultraviolet irradiation as the fourth step. The layer thickness of the transparent resin layer 79 is 115 nm in the red light emitting region 19R and 45 nm in the green light emitting region 19G, as in the organic EL device 1 of the first embodiment.

次に、図１４に示すように、半反射層２９とコンタクトキャップ３０に跨る、第１の電極としての画素電極２５を形成する。画素電極２５の形成は、上記の第１の実施形態と同様に行う。すなわち、第５の工程として透明基板１１上全面に形成された層厚３０ｎｍのＩＴＯ層を、第６の工程として半反射層２９とコンタクトキャップ３０に跨るようにパターニングして形成する。かかる工程により、コンタクトホール形成領域２３において、駆動用ＴＦＴ１１２のドレイン領域３６と電気的に接続し、（青色発光領域１９Ｂ以外の）発光領域では透明樹脂層７９を介して半反射層２９と対向する画素電極２５が得られる。   Next, as shown in FIG. 14, a pixel electrode 25 as a first electrode is formed across the semi-reflective layer 29 and the contact cap 30. The pixel electrode 25 is formed in the same way as in the first embodiment. That is, an ITO layer having a thickness of 30 nm formed on the entire surface of the transparent substrate 11 as a fifth step is formed by patterning so as to straddle the semi-reflective layer 29 and the contact cap 30 as a sixth step. Through this process, the contact hole forming region 23 is electrically connected to the drain region 36 of the driving TFT 112, and the light emitting region (other than the blue light emitting region 19B) faces the semi-reflective layer 29 through the transparent resin layer 79. A pixel electrode 25 is obtained.

次に、図１５に示すように、透明基板１１上の発光領域１９を除く領域に、隔壁７７を形成する。そして、第７の工程として透明基板１１上全面に、発光機能層２６を形成し、更に該発光機能層上に第８の工程として反射性を有する第２の電極としての陰極２８形成する。本実施形態の有機ＥＬ装置２はボトムエミッション型であり陰極は反射層として機能する必要がある。そのため、陰極２８は層厚略１００ｎｍのＡｌで形成し、略１００％の反射性を付与している。発光機能層２６は有機ＥＬ装置１の発光機能層と同一の構成である。   Next, as shown in FIG. 15, a partition wall 77 is formed in a region excluding the light emitting region 19 on the transparent substrate 11. Then, a light emitting functional layer 26 is formed on the entire surface of the transparent substrate 11 as a seventh step, and further, a cathode 28 as a second electrode having reflectivity is formed on the light emitting functional layer as an eighth step. The organic EL device 2 of the present embodiment is a bottom emission type, and the cathode needs to function as a reflective layer. Therefore, the cathode 28 is made of Al having a layer thickness of approximately 100 nm and imparts approximately 100% reflectivity. The light emitting functional layer 26 has the same configuration as the light emitting functional layer of the organic EL device 1.

そして陰極２８上に、第１の実施形態と同様に、第１のパシベーション層８５と応力緩和層８６と第２のパシベーション層８７とを順に積層する。そして、第２のパシベーション層８７まで形成された透明基板１１を接着層７８を介して対向基板１３と貼り合わせて有機ＥＬ装置２を得る。対向基板１３は有機ＥＬ装置１で用いる対向基板１２とは異なり、透明を有さない材料からなる基板を用いることができる。
以上の工程により、三種類の有機ＥＬ画素（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）の各々において、発光機能層２６で生じた光を陰極２８と半反射層２９との間で共振させた後、該半反射層及びカラーフィルタ７５（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を介して矢印の方向に射出するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置２が得られる。 Then, the first passivation layer 85, the stress relaxation layer 86, and the second passivation layer 87 are sequentially stacked on the cathode 28, as in the first embodiment. Then, the transparent substrate 11 formed up to the second passivation layer 87 is bonded to the counter substrate 13 through the adhesive layer 78 to obtain the organic EL device 2. Unlike the counter substrate 12 used in the organic EL device 1, the counter substrate 13 can be a substrate made of a material that does not have transparency.
Through the above steps, in each of the three types of organic EL pixels (20R, 20G, 20B), the light generated in the light emitting functional layer 26 is resonated between the cathode 28 and the semi-reflective layer 29, and then the semi-reflective The bottom emission type organic EL device 2 that emits in the direction of the arrow through the layers and the color filters 75 (R, G, B) is obtained.

本実施形態にかかる有機ＥＬ装置２は、赤色有機ＥＬ画素２０Ｒ及び緑色有機ＥＬ画素２０Ｇが、半反射層２９と画素電極２５との間に透明樹脂層７９を備えているため、赤色有機ＥＬ画素２０Ｒの共振長７Ｒと緑色有機ＥＬ画素２０Ｇの共振長７Ｇと青色有機ＥＬ画素２０Ｂの共振長７Ｂとが夫々異なる値に設定されている。したがって、有機ＥＬ装置２は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１と同様に、発光機能層２６に白色発光機能層を用いているにもかかわらず、カラーフィルタ７５の効果と合わせて、赤、緑、青の三原色の光を射出できる。したがって、本実施形態の製造方法によれば、コストの増加及び歩留りの低下を抑制しつつ、カラー表示が可能なボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を得ることができる。
なお、共振長７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の設定等については、上述の第１の実施形態の製造方法と同一である。 In the organic EL device 2 according to the present embodiment, since the red organic EL pixel 20R and the green organic EL pixel 20G include the transparent resin layer 79 between the semi-reflective layer 29 and the pixel electrode 25, the red organic EL pixel The resonance length 7R of 20R, the resonance length 7G of the green organic EL pixel 20G, and the resonance length 7B of the blue organic EL pixel 20B are set to different values. Therefore, the organic EL device 2 is combined with the effect of the color filter 75 in spite of using the white light-emitting functional layer for the light-emitting functional layer 26 in the same manner as the organic EL device 1 according to the first embodiment. Can emit light of the three primary colors red, green and blue. Therefore, according to the manufacturing method of the present embodiment, it is possible to obtain a bottom emission type organic EL device capable of color display while suppressing an increase in cost and a decrease in yield.
The setting of the resonance length 7 (R, G, B) is the same as the manufacturing method of the first embodiment described above.

（第３の実施形態）
続いて、第３の実施形態として、駆動素子が形成されている領域に重なるように発光領域１９が形成されている有機ＥＬ装置について述べる。図１６は、本実施形態の有機ＥＬ装置の、画素領域１０１内の画素電極２５、及び発光領域１９の態様を示す平面図であり、駆動用ＴＦＴ１１２（図２等参照）等は図示を省略している。 (Third embodiment)
Subsequently, as a third embodiment, an organic EL device in which a light emitting region 19 is formed so as to overlap with a region where a driving element is formed will be described. FIG. 16 is a plan view showing aspects of the pixel electrode 25 in the pixel region 101 and the light emitting region 19 of the organic EL device of the present embodiment, and illustration of the driving TFT 112 (see FIG. 2 and the like) is omitted. ing.

本実施形態の有機ＥＬ装置は、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同様のトップエミッション型の有機ＥＬ装置である。基本的な構成も有機ＥＬ装置１と同様である。そして、有機ＥＬ画素２０が形成されている領域すなわち発光領域１９が、駆動用ＴＦＴ１１２等の形成領域（図２参照）にまで広がっている点で有機ＥＬ装置１と異なっている。   The organic EL device of this embodiment is a top emission type organic EL device similar to the organic EL device 1 of the first embodiment. The basic configuration is the same as that of the organic EL device 1. The organic EL device 1 is different from the organic EL device 1 in that the region where the organic EL pixel 20 is formed, that is, the light emitting region 19 extends to the formation region (see FIG. 2) of the driving TFT 112 and the like.

図１６に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ装置１と同様に、コンタクトキャップ２２が第２のコンタクトホール５２の形成領域を含む領域に形成されている。発光領域１９（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は、走査線１０２と信号線１０４と容量線１０６とで囲まれる領域内における、コンタクトキャップ２２が形成されている領域とその周囲の領域を除く略全域に形成されている。夫々の発光領域１９には、図示しない光反射層２１が形成されており、赤色発光領域１９Ｒと緑色発光領域１９Ｇには図示しない透明樹脂層７９が形成されている。また、画素電極２５も、発光領域１９に合わせて、走査線１０２と信号線１０４と容量線１０６とで囲まれる領域の略全域に形成されている。   As shown in FIG. 16, in the organic EL device of the present embodiment, the contact cap 22 is formed in a region including the formation region of the second contact hole 52, similarly to the organic EL device 1. The light emitting region 19 (R, G, B) is in almost the entire region except the region where the contact cap 22 is formed and the surrounding region in the region surrounded by the scanning line 102, the signal line 104, and the capacitor line 106. Is formed. A light reflecting layer 21 (not shown) is formed in each light emitting region 19, and a transparent resin layer 79 (not shown) is formed in the red light emitting region 19R and the green light emitting region 19G. In addition, the pixel electrode 25 is also formed in substantially the entire region surrounded by the scanning line 102, the signal line 104, and the capacitor line 106 in accordance with the light emitting region 19.

平坦化層７３により駆動用ＴＦＴ１１２等により生じた段差が解消されているため、上述の領域全体で平坦な光反射層２１等が形成でき、透明樹脂層７９により各発光領域１９において夫々最適な共振長７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が形成されている。そして、トップエミッション型であるため、駆動用ＴＦＴ１１２等に妨げられることなく発光領域１９から光を射出できる。したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置は、色純度の向上した光を高い開口率で射出でき、表示品質がより一層向上している。   Since the level difference caused by the driving TFT 112 and the like is eliminated by the flattening layer 73, the flat light reflection layer 21 and the like can be formed in the entire region, and the transparent resin layer 79 can optimize the resonance in each light emitting region 19 respectively. A length 7 (R, G, B) is formed. Since it is a top emission type, light can be emitted from the light emitting region 19 without being obstructed by the driving TFT 112 or the like. Therefore, the organic EL device of this embodiment can emit light with improved color purity with a high aperture ratio, and display quality is further improved.

（変形例１）
上記の第１〜第３の実施形態の有機ＥＬ装置では、青色有機ＥＬ画素２０Ｂには透明樹脂層７９を形成していない。しかし本発明は、青色有機ＥＬ画素２０Ｂにも透明樹脂層７９を形成する態様としても具体化できる。上記の第１〜第３の実施形態の青色有機ＥＬ画素２０Ｂにおいては、画素電極２５の光学的距離と発光機能層２６の光学的距離との合計は青色光の共振長となるように、すなわち青色光を共振により強調する層厚となるように定められている。しかし、発光機能を優先した場合、上述の合計の光学的距離が青色光の共振長と一致しにくい場合もあり得る。特に発光機能層２６は３色の有機ＥＬ画素２０に共通なので、全ての条件を満足させる層厚の設定が困難な場合もあり得る。かかる場合、青色有機ＥＬ画素２０Ｂにも透明樹脂層７９を形成して、発光機能層２６は発光の機能を満足させる様に形成しつつ、共振長７Ｂ、すなわち青色有機ＥＬ画素２０Ｂの光反射層２１と陰極２７との間の光学的距離を青色光を強調するために好適な値とすることができる。 (Modification 1)
In the organic EL devices of the above first to third embodiments, the transparent resin layer 79 is not formed on the blue organic EL pixel 20B. However, the present invention can be embodied as an aspect in which the transparent resin layer 79 is formed also on the blue organic EL pixel 20B. In the blue organic EL pixel 20B of the first to third embodiments described above, the total of the optical distance of the pixel electrode 25 and the optical distance of the light emitting functional layer 26 is equal to the resonance length of blue light. It is determined to have a layer thickness that emphasizes blue light by resonance. However, when priority is given to the light emitting function, the total optical distance described above may not easily match the resonance length of blue light. In particular, since the light emitting functional layer 26 is common to the organic EL pixels 20 of the three colors, it may be difficult to set a layer thickness that satisfies all the conditions. In such a case, the transparent resin layer 79 is also formed on the blue organic EL pixel 20B, and the light emitting functional layer 26 is formed so as to satisfy the light emitting function, while the resonance length 7B, that is, the light reflecting layer of the blue organic EL pixel 20B. The optical distance between 21 and the cathode 27 can be a value suitable for enhancing blue light.

（変形例２）
上記の第１〜第３の実施形態の有機ＥＬ装置では、赤色有機ＥＬ画素２０Ｒと緑色有機ＥＬ画素２０Ｇとに透明樹脂層７９を形成している。しかし本発明は、上記二種類の有機ＥＬ画素の双方又は少なくとも一方には、透明樹脂層７９を形成しない態様としても具体化できる。
発光機能層２６の発光色が略完全な白色ではなく赤色又は緑色に偏った色の光である場合があり得る。また、第１の電極の光学的距離と発光機能層２６の光学的距離との和が赤色光又は緑色光のどちらかの光の共振長と略一致する場合もあり得る。かかる有機ＥＬ装置の場合、共振長７を透明樹脂層７９によって調整する必要がないため、上記二種類の有機ＥＬ画素の双方又は少なくとも一方には透明樹脂層７９を形成しなくとも三原色光を射出でき、カラー画像の表示が可能となる。 (Modification 2)
In the organic EL devices of the first to third embodiments, the transparent resin layer 79 is formed on the red organic EL pixel 20R and the green organic EL pixel 20G. However, the present invention can be embodied as an aspect in which the transparent resin layer 79 is not formed on both or at least one of the two types of organic EL pixels.
There may be a case where the light emission color of the light emitting functional layer 26 is light of a color biased to red or green rather than substantially perfect white. In addition, the sum of the optical distance of the first electrode and the optical distance of the light-emitting functional layer 26 may substantially coincide with the resonance length of either red light or green light. In such an organic EL device, since the resonance length 7 does not need to be adjusted by the transparent resin layer 79, the three primary colors are emitted without forming the transparent resin layer 79 on both or at least one of the two types of organic EL pixels. And a color image can be displayed.

（変形例３）
上記の第１〜第３の実施形態の有機ＥＬ装置では、ドレイン領域３６上に形成した第１の中継電極４１を駆動素子（駆動用ＴＦＴ１１２）の電極とし、光反射層２１と同一の材料層をパターニングして得られるコンタクトキャップ２２は、該第１の中継電極と接続させている。しかし本発明は、ドレイン領域３６を駆動素子の電極として、該ドレイン領域にコンタクトキャップ２２を介して画素電極２５を接続する態様としても具体化できる。また、第１の層間絶縁層７１と平坦化層７３とを共通の層として、該共通の層に形成されたコンタクトホールを介してドレイン領域３６とコンタクトキャップ２２を直接接続させることもできる。 (Modification 3)
In the organic EL devices of the first to third embodiments described above, the first relay electrode 41 formed on the drain region 36 is used as an electrode of a drive element (drive TFT 112), and the same material layer as the light reflecting layer 21 The contact cap 22 obtained by patterning is connected to the first relay electrode. However, the present invention can also be embodied as a mode in which the drain region 36 is used as an electrode of a driving element, and the pixel electrode 25 is connected to the drain region via the contact cap 22. Alternatively, the first interlayer insulating layer 71 and the planarization layer 73 can be used as a common layer, and the drain region 36 and the contact cap 22 can be directly connected through a contact hole formed in the common layer.

（変形例４）
上記の第１〜第３の実施形態の有機ＥＬ装置では、発光機能層２６は３色の有機ＥＬ画素２０で共通である。しかし本発明は、有機ＥＬ画素２０毎に異なる発光機能層２６を用いる態様としても具体化できる。発光機能層２６を構成する複数の層の内、特に発光層を有機ＥＬ画素２０毎に異なる材料で形成すればよい。具体的には、赤色有機ＥＬ画素２０Ｒには赤色光発光層、緑色有機ＥＬ画素２０Ｇには緑色光発光層、青色有機ＥＬ画素２０Ｂには青色光発光層、を夫々形成して、各有機ＥＬ画素の発光色に近い波長範囲の光を発光させる。かかる構成であれば、共振の効果と合わせて、より一層色純度の向上を計ることができる。そして共振により充分に色純度を向上させることで、カラーフィルタ層７６を用いない態様も可能である。
なお、有機ＥＬ画素毎に異なる発光層を形成する手法としては、マスクスパッタにより局所的に該発光層を形成する手法が好ましい。液滴吐出法を用いてもよい。 (Modification 4)
In the organic EL devices of the first to third embodiments, the light emitting functional layer 26 is common to the organic EL pixels 20 of three colors. However, the present invention can also be embodied as an aspect using a different light emitting functional layer 26 for each organic EL pixel 20. Of the plurality of layers constituting the light emitting functional layer 26, in particular, the light emitting layer may be formed of a different material for each organic EL pixel 20. Specifically, a red light emitting layer is formed on the red organic EL pixel 20R, a green light emitting layer is formed on the green organic EL pixel 20G, and a blue light emitting layer is formed on the blue organic EL pixel 20B. Light in a wavelength range close to the emission color of the pixel is emitted. With such a configuration, it is possible to further improve the color purity in combination with the resonance effect. In addition, an aspect in which the color filter layer 76 is not used is also possible by sufficiently improving the color purity by resonance.
As a method of forming a different light emitting layer for each organic EL pixel, a method of locally forming the light emitting layer by mask sputtering is preferable. A droplet discharge method may be used.

発光装置としての有機ＥＬ装置の全体構成を示す回路構成図。The circuit block diagram which shows the whole structure of the organic electroluminescent apparatus as a light-emitting device. 画素領域内における、画素を構成する各要素の配置を示す模式平面図。The schematic plan view which shows arrangement | positioning of each element which comprises a pixel in a pixel area. コンタクトキャップの形状の例を示す図。The figure which shows the example of the shape of a contact cap. 第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。Process sectional drawing which shows the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of 1st Embodiment. 第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。Process sectional drawing which shows the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of 1st Embodiment. 第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。Process sectional drawing which shows the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of 1st Embodiment. 第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。Process sectional drawing which shows the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of 1st Embodiment. 第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。Process sectional drawing which shows the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of 1st Embodiment. 第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。Process sectional drawing which shows the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of 1st Embodiment. 第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。Process sectional drawing which shows the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of 1st Embodiment. 第２の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。Process sectional drawing which shows the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of 2nd Embodiment. 第２の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。Process sectional drawing which shows the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of 2nd Embodiment. 第２の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。Process sectional drawing which shows the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of 2nd Embodiment. 第２の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。Process sectional drawing which shows the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of 2nd Embodiment. 第２の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。Process sectional drawing which shows the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of 2nd Embodiment. 第３の実施形態の有機ＥＬ装置の発光領域等を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the light emission area | region etc. of the organic electroluminescent apparatus of 3rd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１…第１の実施形態の有機ＥＬ装置、２…第２の実施形態の有機ＥＬ装置、７…共振長、７Ｂ…青色有機ＥＬ画素の共振長、７Ｇ…緑色有機ＥＬ画素の共振長、７Ｒ…赤色有機ＥＬ画素の共振長、１０…基板、１１…透明基板、１２…対向基板、１３…対向基板、１９…発光領域、１９Ｒ…赤色発光領域、１９Ｇ…緑色発光領域、１９Ｂ…青色発光領域、２０…発光画素としての有機ＥＬ画素、２０Ｒ…赤色発光画素としての赤色有機ＥＬ画素、２０Ｇ…緑色発光画素としての緑色有機ＥＬ画素、２０Ｂ…青色発光画素としての青色有機ＥＬ画素、２１…光反射層、２２…コンタクトキャップ、２３…コンタクトホール形成領域、２５…第１の電極としての画素電極、２６…白色発光機能層、２７…第２の電極としての陰極、２８…第２の電極としての陰極、２９…半反射層、３０…コンタクトキャップ、３１…第１の半導体層、３２…第２の半導体層、３３…第１のゲート電極、３４…第２のゲート電極、３５…ソース領域、３６…ドレイン領域、３７…ソース領域、３８…ドレイン領域、４１…駆動素子の電極としての第１の中継電極、４２…第１の中継電極、４３…下部電極、４４…上部電極、５１…第１のコンタクトホール、５２…第２のコンタクトホール、５３…第３のコンタクトホール、５４…第４のコンタクトホール、５５…第５のコンタクトホール、５６…第６のコンタクトホール、５７…第７のコンタクトホール、６２…密着改善層としてのＩＴＯ層、６３…金属層としてのＡｌ層、６５…ＩＴＯ層、６６…金属層としてのＡｌ層、７０…ゲート絶縁層、７１…第１の層間絶縁層、７２…第２の層間絶縁層、７３…有機材料層としての平坦化層、７４…有機材料層としての透明平坦化層、７５…カラーフィルタ、７５Ｂ…青色カラーフィルタ、７５Ｇ…緑色カラーフィルタ、７５Ｋ…ブラックマトリクス、７５Ｒ…赤色カラーフィルタ、７６…カラーフィルタ層、７７…隔壁、７８…接着層、７９…透明樹脂層、８１…ノズル、８５…第１のパシベーション層、８６…応力緩和層、８７…第２のパシベーション層、１００…表示領域、１０１…画素領域、１０２…走査線、１０４…信号線、１０６…容量線、１０８…スイッチング用ＴＦＴ、１１０…保持容量、１１２…駆動素子としての駆動用ＴＦＴ、１２０…走査線駆動回路、１３０…信号線駆動回路、１４０…同期信号線、Ａ…酸素含有ガスとしてのＯ2ガスのプラズマ、Ｂ…フッ素含有ガスとしてのＣＦ4ガスのプラズマ、Ｃ…透明樹脂を含む液状材料。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL device of 1st Embodiment, 2 ... Organic EL device of 2nd Embodiment, 7 ... Resonance length, 7B ... Resonance length of blue organic EL pixel, 7G ... Resonance length of green organic EL pixel, 7R ... resonance length of red organic EL pixel, 10 ... substrate, 11 ... transparent substrate, 12 ... counter substrate, 13 ... opposite substrate, 19 ... light emitting region, 19R ... red light emitting region, 19G ... green light emitting region, 19B ... blue light emitting region , 20 ... an organic EL pixel as a light emitting pixel, 20R ... a red organic EL pixel as a red light emitting pixel, 20G ... a green organic EL pixel as a green light emitting pixel, 20B ... a blue organic EL pixel as a blue light emitting pixel, 21 ... light Reflective layer, 22 ... contact cap, 23 ... contact hole forming region, 25 ... pixel electrode as first electrode, 26 ... white light emitting functional layer, 27 ... cathode as second electrode, 28 ... second electricity , Semi-reflective layer, 30 ... contact cap, 31 ... first semiconductor layer, 32 ... second semiconductor layer, 33 ... first gate electrode, 34 ... second gate electrode, 35 ... source Region 36, drain region 37, source region 38, drain region 41, first relay electrode as drive element electrode 42, first relay electrode 43, lower electrode 44, upper electrode 51 ... first contact hole, 52 ... second contact hole, 53 ... third contact hole, 54 ... fourth contact hole, 55 ... fifth contact hole, 56 ... sixth contact hole, 57 ... first 7. Contact hole of 62, ITO layer as adhesion improving layer, 63 ... Al layer as metal layer, 65 ... ITO layer, 66 ... Al layer as metal layer, 70 ... Gate insulating layer, 71 ... 1 interlayer insulating layer, 72... Second interlayer insulating layer, 73. Flattening layer as organic material layer, 74... Transparent flattening layer as organic material layer, 75... Color filter, 75 B. blue color filter, 75 G ... green color filter, 75K ... black matrix, 75R ... red color filter, 76 ... color filter layer, 77 ... partition wall, 78 ... adhesive layer, 79 ... transparent resin layer, 81 ... nozzle, 85 ... first passivation layer, 86 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Stress relaxation layer, 87 ... 2nd passivation layer, 100 ... Display area, 101 ... Pixel area, 102 ... Scanning line, 104 ... Signal line, 106 ... Capacitance line, 108 ... Switching TFT, 110 ... Retention capacitance, 112 ... TFT for driving as driving element, 120 ... Scanning line driving circuit, 130 ... Signal line driving circuit, 140 ... Synchronous signal line, A ... As oxygen-containing gas O 2 gas plasma, B: CF 4 gas plasma as fluorine-containing gas, C: liquid material containing transparent resin.

Claims (15)

基板上に規則的に配置された複数の発光領域の各々に、前記基板側から順に第１の電極と発光機能層と第２の電極とが積層された構造を有する発光画素を備える発光装置の製造方法であって、
前記発光領域に光反射層又は半反射層を形成する第２の工程と、
前記光反射層上又は前記半反射層上に透明樹脂を含む液状材料を供給する第３の工程と、
前記液状材料を硬化させて、前記光反射層上又は前記半反射層上に透明樹脂層を形成する第４の工程と、
前記透明樹脂層が形成された前記基板上に透明導電層を形成する第５の工程と、
前記透明導電層をパターニングして、前記発光領域に前記第１の電極を形成する第６の工程と、
前記第１の電極上に発光機能層を形成する第７の工程と、
前記発光機能層上に光反射性又は半反射性を有する前記第２の電極を形成する第８の工程と、
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 A light-emitting device including a light-emitting pixel having a structure in which a first electrode, a light-emitting functional layer, and a second electrode are stacked in order from the substrate side in each of a plurality of light-emitting regions regularly arranged on a substrate. A manufacturing method comprising:
A second step of forming a light reflecting layer or a semi-reflective layer in the light emitting region;
A third step of supplying a liquid material containing a transparent resin on the light reflection layer or the semi-reflection layer;
A fourth step of curing the liquid material to form a transparent resin layer on the light reflection layer or the semi-reflection layer;
A fifth step of forming a transparent conductive layer on the substrate on which the transparent resin layer is formed;
A sixth step of patterning the transparent conductive layer to form the first electrode in the light emitting region;
A seventh step of forming a light emitting functional layer on the first electrode;
An eighth step of forming the second electrode having light reflectivity or semi-reflectivity on the light emitting functional layer;
A method for manufacturing a light-emitting device, comprising: 請求項１に記載の発光装置の製造方法であって、
前記複数の発光領域に各々形成される発光画素は、赤色光を発光する赤色発光画素と緑色光を発光する緑色発光画素と青色光を発光する青色発光画素と、の規則的に配置された三種類の発光画素を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 A method of manufacturing a light emitting device according to claim 1,
The light emitting pixels respectively formed in the plurality of light emitting regions are regularly arranged of a red light emitting pixel that emits red light, a green light emitting pixel that emits green light, and a blue light emitting pixel that emits blue light. A method for manufacturing a light emitting device, comprising: a type of light emitting pixel. 請求項２に記載の発光装置の製造方法であって、
前記光反射層又は前記半反射層は金属層であり、
前記基板上に有機樹脂層を形成する第１の工程と、前記基板上に各々の前記発光画素に対応する駆動素子を形成する第９の工程とを実施し、
前記第１の工程と前記第２の工程との間に、前記有機樹脂層の一部を選択的に除去して前記駆動素子の電極の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを形成する第１０の工程を実施し、
前記第２の工程は、前記金属層をパターニングして前記発光領域に前記光反射層又は前記半反射層を形成し、かつ、前記金属層をパターニングして、前記コンタクトホールの形成領域に前記光反射層又は前記半反射層と所定の間隔を隔てるコンタクトホールキャップを形成する工程であり、
前記第６の工程は、前記透明導電層をパターニングして、前記コンタクトホールの形成領域と前記発光領域との２つの領域に跨る前記第１の電極を形成する工程である、
ことを特徴とする発光装置の製造方法。 A method for manufacturing a light emitting device according to claim 2,
The light reflection layer or the semi-reflection layer is a metal layer,
Performing a first step of forming an organic resin layer on the substrate and a ninth step of forming a driving element corresponding to each of the light emitting pixels on the substrate;
A tenth contact hole is formed between the first step and the second step to selectively remove a part of the organic resin layer to expose at least a part of the electrode of the driving element. Carry out the process,
In the second step, the metal layer is patterned to form the light reflecting layer or the semi-reflective layer in the light emitting region, and the metal layer is patterned to form the light in the contact hole forming region. Forming a contact hole cap spaced apart from the reflective layer or the semi-reflective layer by a predetermined distance;
The sixth step is a step of patterning the transparent conductive layer to form the first electrode straddling two regions of the contact hole forming region and the light emitting region.
A method for manufacturing a light-emitting device. 請求項３に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第３の工程は、前記第４の工程で形成された前記透明樹脂層の光学的距離と前記透明導電層の光学的距離と前記発光機能層の光学的距離との和が、該透明樹脂層が形成される発光画素の発光を前記光反射層又は前記半反射層と前記第２の電極との間で発生する共振により強調する光学的距離となるように、前記液状材料を供給する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。 A method for manufacturing a light emitting device according to claim 3,
In the third step, the sum of the optical distance of the transparent resin layer, the optical distance of the transparent conductive layer and the optical distance of the light emitting functional layer formed in the fourth step is the transparent resin. Supplying the liquid material so as to have an optical distance that emphasizes the light emission of the light-emitting pixel in which the layer is formed by resonance generated between the light reflection layer or the semi-reflection layer and the second electrode. A method for manufacturing a light-emitting device. 請求項４に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第３の工程は、前記三種類の発光画素のうちの二種類の発光画素に対応する前記光反射層上又は前記半反射層上に、前記液状材料を供給する工程であり、
前記第７の工程は、前記基板上全面に共通の前記発光機能層を形成する工程であり、
前記第５の工程と前記第７の工程とは、前記透明導電層の光学的距離と前記発光機能層の光学的距離との和が、前記光反射層又は前記半反射層と前記第２の電極との間で共振により、前記三種類の発光画素のうちの前記透明導電層が形成されない発光画素の発光が強調される光学的距離となるように、前記透明導電層及び前記発光機能層を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。 It is a manufacturing method of the light-emitting device according to claim 4,
The third step is a step of supplying the liquid material on the light reflecting layer or the semi-reflective layer corresponding to two types of light emitting pixels among the three types of light emitting pixels,
The seventh step is a step of forming the common light emitting functional layer on the entire surface of the substrate,
In the fifth step and the seventh step, the sum of the optical distance of the transparent conductive layer and the optical distance of the light emitting functional layer is such that the light reflective layer or the semi-reflective layer and the second The transparent conductive layer and the light emitting functional layer are arranged so as to have an optical distance that emphasizes light emission of a light emitting pixel in which the transparent conductive layer is not formed among the three types of light emitting pixels due to resonance with the electrode. A manufacturing method of a light-emitting device, which is a forming step. 請求項５に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第７の工程は、白色光を発光する前記発光機能層を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。 A method for manufacturing a light emitting device according to claim 5,
The method of manufacturing a light emitting device, wherein the seventh step is a step of forming the light emitting functional layer that emits white light. 請求項６に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第３の工程は、前記液状材料をインクジェット法により吐出して供給する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。 It is a manufacturing method of the light-emitting device according to claim 6,
The method of manufacturing a light emitting device, wherein the third step is a step of discharging and supplying the liquid material by an ink jet method. 請求項７に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第２の工程と前記第３の工程との間に、
前記基板上に酸素含有ガスを処理ガスとするプラズマ処理及びフッ素含有ガスを処理ガスとするプラズマ処理を施して前記有機樹脂層の露出した表面に撥液性を付与し、前記光反射層又は前記半反射層の表面に親液性を付与する第１１の工程を実施することを特徴とする発光装置の製造方法。 It is a manufacturing method of the light-emitting device according to claim 7,
Between the second step and the third step,
Plasma treatment using an oxygen-containing gas as a processing gas and plasma treatment using a fluorine-containing gas as a processing gas are performed on the substrate to impart liquid repellency to the exposed surface of the organic resin layer, and the light reflecting layer or the 11. A method for manufacturing a light emitting device, comprising performing an eleventh step of imparting lyophilicity to a surface of a semi-reflective layer. 請求項８に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第２の工程は、光反射層を形成する工程であり、
前記第８の工程は、半反射性を有する前記第２の電極を形成する工程であること、を特徴とする発光装置の製造方法。 A method for manufacturing a light emitting device according to claim 8,
The second step is a step of forming a light reflecting layer,
The method of manufacturing a light emitting device, wherein the eighth step is a step of forming the second electrode having semi-reflectivity. 請求項８に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第１の工程は透明性を有する前記有機樹脂層を形成する工程であり、
前記第２の工程は半反射層を形成する工程であり、
前記第８の工程は、光反射性を有する前記第２の電極を形成する工程であること、を特徴とする発光装置の製造方法。 A method for manufacturing a light emitting device according to claim 8,
The first step is a step of forming the organic resin layer having transparency,
The second step is a step of forming a semi-reflective layer,
The method of manufacturing a light emitting device, wherein the eighth step is a step of forming the second electrode having light reflectivity. 請求項９に記載の発光装置の製造方法であって、前記第２の電極の、前記発光機能層と対向する面の反対側に、前記三種類の発光画素の夫々の発光色に対応するカラーフィルタを配置する第１２の工程を更に実施することを特徴とする発光装置の製造方法。   The light emitting device manufacturing method according to claim 9, wherein colors corresponding to light emission colors of the three types of light emitting pixels are provided on the opposite side of the surface of the second electrode facing the light emitting functional layer. A method for manufacturing a light emitting device, further comprising a twelfth step of arranging a filter. 請求項１０に記載の発光装置の製造方法であって、前記第２の工程の前に、前記半反射層の、前記発光機能層と対向する面の反対側の前記半反射層を平面視で含む領域に、前記三種類の発光画素の夫々の発光色に対応するカラーフィルタを形成する第１３の工程を更に含むことを特徴とする発光装置の製造方法。   The method of manufacturing a light-emitting device according to claim 10, wherein the semi-reflective layer on the opposite side of the surface facing the light-emitting functional layer of the semi-reflective layer is viewed in a plan view before the second step. A method of manufacturing a light emitting device, further comprising a thirteenth step of forming a color filter corresponding to each of the light emission colors of the three types of light emitting pixels in a region to be included. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の製造方法で形成されたことを特徴とする発光装置。   A light-emitting device formed by the manufacturing method according to claim 1. 基板上に規則的に配置された複数の発光領域の各々に、赤色光を発光する赤色発光画素と緑色光を発光する緑色発光画素と青色光を発光する青色発光画素と、三種類の発光画素を備える発光装置であって、
前記三種類の発光画素の各々は前記基板側から順に光反射層又は半反射層と透明導電性を有する第１の電極と発光機能層と光反射層性又は半反射層性を有する第２の電極とが積層された構造を有しており、
前記三種類の発光画素のうちの二種類の発光画素は、前記光反射層又は前記半反射層と前記第１の電極との間に共振長調整用の透明樹脂層が配置されていることを特徴とする発光装置。 Each of a plurality of light emitting regions regularly arranged on the substrate has three types of light emitting pixels: a red light emitting pixel that emits red light, a green light emitting pixel that emits green light, and a blue light emitting pixel that emits blue light. A light emitting device comprising:
Each of the three types of light emitting pixels has a light reflecting layer or semi-reflective layer, a first electrode having transparent conductivity, a light emitting functional layer, and a second having light reflecting layer property or semi-reflective layer property in order from the substrate side. It has a structure in which electrodes are stacked,
Two of the three types of light emitting pixels are such that a transparent resin layer for adjusting a resonance length is disposed between the light reflecting layer or the semi-reflective layer and the first electrode. A light emitting device characterized. 請求項１４に記載の発光装置であって、
前記三種類の発光画素は、前記透明樹脂層の有無及び該透明樹脂層の層厚を除き、材料及び厚さが同一の層で構成されていることを特徴とする発光装置。 The light-emitting device according to claim 14,
The three types of light emitting pixels are constituted by layers having the same material and thickness except for the presence or absence of the transparent resin layer and the layer thickness of the transparent resin layer.
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