JP2009259374A - インプリント用モールド構造体及びそれを用いたインプリント方法、並びに磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】剥離性が高いインプリント用モールド構造体、転写工程後にレジストからモールドを剥離する際、レジストに転写されたパターンの破損を低減するインプリント方法、並びに信号品位を向上させた磁気記録媒体及びその製造方法の提供。
【解決手段】転写工程と、硬化工程とを少なくとも含むインプリント方法に用いられるインプリント用モールド構造体１であって、前記インプリント用モールド構造体１の前記転写面の硬度をＨＭＳとし、前記転写工程における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＢＲとし、前記硬化工程後における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＡＲとしたとき、ＨＢＲ＜ＨＭＳ＜ＨＡＲ（ただし、ＨＭＳ≦１ＧＰａ）を満たすインプリント用モールド構造体等である。
【選択図】図１
【解決手段】転写工程と、硬化工程とを少なくとも含むインプリント方法に用いられるインプリント用モールド構造体１であって、前記インプリント用モールド構造体１の前記転写面の硬度をＨＭＳとし、前記転写工程における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＢＲとし、前記硬化工程後における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＡＲとしたとき、ＨＢＲ＜ＨＭＳ＜ＨＡＲ（ただし、ＨＭＳ≦１ＧＰａ）を満たすインプリント用モールド構造体等である。
【選択図】図１
Description
本発明は、インプリント用モールド構造体及びそれを用いたインプリント方法、並びに、磁気記録媒体、及びその製造方法に関する。
近年、高速性やコストパフォーマンス性に優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器や、ビデオカメラなどのポータブル機器に搭載され始めている。
そして、ポータブル機器に搭載される記録デバイスとしてのシェアの拡大に伴い、より一層の小型大容量化という要求に応える必要があり、記録密度を向上させる技術が求められている。
前記ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体におけるデータトラック間隔の狭小化や、磁気ヘッドの幅を狭小化するという手法が従来より用いられてきた。
しかしながら、前記データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、記録密度に限界があった。
一方、前記磁気ヘッドの幅を狭小化することによる面記録密度の向上にも限界があった。
そして、ポータブル機器に搭載される記録デバイスとしてのシェアの拡大に伴い、より一層の小型大容量化という要求に応える必要があり、記録密度を向上させる技術が求められている。
前記ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体におけるデータトラック間隔の狭小化や、磁気ヘッドの幅を狭小化するという手法が従来より用いられてきた。
しかしながら、前記データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、記録密度に限界があった。
一方、前記磁気ヘッドの幅を狭小化することによる面記録密度の向上にも限界があった。
そこで、前記クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている。前記ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである。
また、前記熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている。
また、前記熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている。
上記ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアを製造する際には、レジストパターン形成用モールド（以下、「モールド」ということがある）を用いて、磁気記録媒体の表面に形成されたレジスト層に所望のパターンを転写するインプリンティング法（インプリントプロセス）が用いられる（特許文献１参照）。
前記インプリントプロセスでは形状加工対象物に対してレジスト塗布、モールドを密着、圧力を印加し、レジストパターンを形成する。これまではモールドの表層に硬質保護層（例えば、ＤＬＣ膜）を形成し、モールドの耐久性向上が検討されてきた（特許文献２参照）。しかし、本方式ではモールドと加工対象物間にナノメーターサイズのコンタミネーション（パーティクル）が存在すると、加工対象物に直接的に、かつ局所的に圧力が印加されてしまうため、加工対象物自身を破損してしまうことがあった。
本発明者は、前記モールドの硬度に対して、転写工程前のレジストの硬度を下げることで、パターンの断面積、及び深さによらず、レジストへのパターン押圧が容易になると考え、パターンの成形性が改善すると考え、実施した。その結果、パターンの成形性は大幅に改善された。加えて、モールドとレジストとの間に存在するパーティクルもモールドにダメージを与えることなく、レジストに埋没し、パーティクルに起因するモールドの破損を大幅に改善できることができた。
このようにして、パターンの形成性、パーティクルによるモールドの耐久性劣化を改善することができたが、転写後のレジストパターンの形状を詳細に解析した結果、パターンの断面に微小なバリが発生していることが確認された。このレジストパターン（レジストマスク）で作製した磁気記録媒体の再生信号を確認したところ、マスクバリの影響により、信号対称性が劣化し、サーボ領域においてはアドレス誤検出が発生し、ドライブとして機能しないケースがあった。
このようにして、パターンの形成性、パーティクルによるモールドの耐久性劣化を改善することができたが、転写後のレジストパターンの形状を詳細に解析した結果、パターンの断面に微小なバリが発生していることが確認された。このレジストパターン（レジストマスク）で作製した磁気記録媒体の再生信号を確認したところ、マスクバリの影響により、信号対称性が劣化し、サーボ領域においてはアドレス誤検出が発生し、ドライブとして機能しないケースがあった。
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、剥離性が高いインプリント用モールド構造体、転写工程後にレジストからモールドを剥離する際、レジストに転写されたパターンの破損を低減するインプリント方法、並びに、信号品位を向上させた磁気記録媒体、及び磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 磁気記録媒体の基板上に少なくとも磁性層が積層された積層体上に、インプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層が形成され、該インプリントレジスト層に、基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が配列されることによって凹凸部が形成されたインプリント用モールド構造体の前記凹凸部を転写面として押圧して、前記凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層を硬化させる硬化工程と、
を少なくとも含むインプリント方法に用いられるインプリント用モールド構造体であって、
前記インプリント用モールド構造体の転写側の最表面の硬度をＨＭＳとし、前記転写工程における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＢＲとし、前記硬化工程後における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＡＲとすると、下記数式（１）を満たすことを特徴とするインプリント用モールド構造体である。
ＨＢＲ＜ＨＭＳ＜ＨＡＲ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
ただし、ＨＭＳ≦１ＧＰａである。
該＜１＞に記載のインプリント用モールド構造体においては、転写工程においてレジストパターンを形成した後、レジストからモールドを剥離する際に、該モールドの剥離によって発生する外力を、該モールドに形成されたパターン側が吸収し、レジストに形成されたパターンの破損を軽減することができる。
＜２＞ インプリント用モールド構造体の転写側面に一層以上の剥離層を有する前記＜１＞に記載のインプリント用モールド構造体である。
＜３＞ インプリント用モールド構造体の転写側の最表面が、剥離層である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体である。
＜４＞ 剥離層の材料が、フルオロカーボン（ＣＦ）系材料である前記＜２＞から＜３＞のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体である。
＜５＞ インプリント用モールド構造体の基板の硬度をＨＭＢとすると、下記数式（２）を満たす前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体である。
ＨＭＳ＜ＨＭＢ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
ただし、ＨＭＢ≧５ＧＰａである。
＜６＞ 磁気記録媒体の基板上に少なくとも磁性層が積層された積層体上に、インプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層が形成され、該インプリントレジスト層に、基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が配列されることによって凹凸部が形成されたインプリント用モールド構造体の前記凹凸部を転写面として押圧して、前記凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層を硬化させる硬化工程と、
を少なくとも含むインプリント方法であって、
前記インプリント用モールド構造体の転写側の最表面の硬度をＨＭＳとし、前記転写工程における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＢＲとし、前記硬化工程後における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＡＲとしたとき、下記数式（１）を満たすことを特徴とするインプリント方法である。
ＨＢＲ＜ＨＭＳ＜ＨＡＲ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
ただし、ＨＭＳ≦１ＧＰａである。
＜７＞ インプリント用モールド構造体の転写側の最表面に剥離層を有し、該剥離層の硬度をＨＭＳとし、該インプリント用モールド構造体の基板の硬度をＨＭＢとしたとき、下記数式（２）を満たす前記＜６＞に記載のインプリント方法である。
ＨＭＳ＜ＨＭＢ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
ただし、ＨＭＢ≧５ＧＰａである。
＜８＞ 剥離層の材料が、フルオロカーボン（ＣＦ）系材料である前記＜７＞に記載のインプリント方法である。
＜９＞ 基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が配列されることによって形成された凹凸部を有するインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に少なくとも磁性層が積層された積層体上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層を硬化させる硬化工程と、
前記凹凸パターンが転写され、硬化したインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁性層をエッチングして、前記凹凸パターンに基づく磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、
前記磁性層を分断した凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、
を少なくとも含む磁気記録媒体の製造方法であって、
前記インプリント用モールド構造体の転写側の最表面の硬度をＨＭＳとし、前記転写工程における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＢＲとし、前記硬化工程後における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＡＲとしたとき、下記数式（１）を満たすことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
ＨＢＲ＜ＨＭＳ＜ＨＡＲ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
ただし、ＨＭＳ≦１ＧＰａである。
＜１０＞ インプリント用モールド構造体の転写側の最表面に剥離層を有し、該剥離層の硬度をＨＭＳとし、該インプリント用モールド構造体の基板の硬度をＨＭＢとしたとき、下記数式（２）を満たす前記＜９＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
ＨＭＳ＜ＨＭＢ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
ただし、ＨＭＢ≧５ＧＰａである。
＜１１＞ 剥離層の材料が、フルオロカーボン（ＣＦ）系材料である前記＜１０＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜１２＞ 前記＜９＞から＜１１＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
＜１＞ 磁気記録媒体の基板上に少なくとも磁性層が積層された積層体上に、インプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層が形成され、該インプリントレジスト層に、基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が配列されることによって凹凸部が形成されたインプリント用モールド構造体の前記凹凸部を転写面として押圧して、前記凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層を硬化させる硬化工程と、
を少なくとも含むインプリント方法に用いられるインプリント用モールド構造体であって、
前記インプリント用モールド構造体の転写側の最表面の硬度をＨＭＳとし、前記転写工程における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＢＲとし、前記硬化工程後における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＡＲとすると、下記数式（１）を満たすことを特徴とするインプリント用モールド構造体である。
ＨＢＲ＜ＨＭＳ＜ＨＡＲ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
ただし、ＨＭＳ≦１ＧＰａである。
該＜１＞に記載のインプリント用モールド構造体においては、転写工程においてレジストパターンを形成した後、レジストからモールドを剥離する際に、該モールドの剥離によって発生する外力を、該モールドに形成されたパターン側が吸収し、レジストに形成されたパターンの破損を軽減することができる。
＜２＞ インプリント用モールド構造体の転写側面に一層以上の剥離層を有する前記＜１＞に記載のインプリント用モールド構造体である。
＜３＞ インプリント用モールド構造体の転写側の最表面が、剥離層である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体である。
＜４＞ 剥離層の材料が、フルオロカーボン（ＣＦ）系材料である前記＜２＞から＜３＞のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体である。
＜５＞ インプリント用モールド構造体の基板の硬度をＨＭＢとすると、下記数式（２）を満たす前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体である。
ＨＭＳ＜ＨＭＢ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
ただし、ＨＭＢ≧５ＧＰａである。
＜６＞ 磁気記録媒体の基板上に少なくとも磁性層が積層された積層体上に、インプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層が形成され、該インプリントレジスト層に、基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が配列されることによって凹凸部が形成されたインプリント用モールド構造体の前記凹凸部を転写面として押圧して、前記凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層を硬化させる硬化工程と、
を少なくとも含むインプリント方法であって、
前記インプリント用モールド構造体の転写側の最表面の硬度をＨＭＳとし、前記転写工程における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＢＲとし、前記硬化工程後における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＡＲとしたとき、下記数式（１）を満たすことを特徴とするインプリント方法である。
ＨＢＲ＜ＨＭＳ＜ＨＡＲ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
ただし、ＨＭＳ≦１ＧＰａである。
＜７＞ インプリント用モールド構造体の転写側の最表面に剥離層を有し、該剥離層の硬度をＨＭＳとし、該インプリント用モールド構造体の基板の硬度をＨＭＢとしたとき、下記数式（２）を満たす前記＜６＞に記載のインプリント方法である。
ＨＭＳ＜ＨＭＢ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
ただし、ＨＭＢ≧５ＧＰａである。
＜８＞ 剥離層の材料が、フルオロカーボン（ＣＦ）系材料である前記＜７＞に記載のインプリント方法である。
＜９＞ 基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が配列されることによって形成された凹凸部を有するインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に少なくとも磁性層が積層された積層体上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層を硬化させる硬化工程と、
前記凹凸パターンが転写され、硬化したインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁性層をエッチングして、前記凹凸パターンに基づく磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、
前記磁性層を分断した凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、
を少なくとも含む磁気記録媒体の製造方法であって、
前記インプリント用モールド構造体の転写側の最表面の硬度をＨＭＳとし、前記転写工程における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＢＲとし、前記硬化工程後における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＡＲとしたとき、下記数式（１）を満たすことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
ＨＢＲ＜ＨＭＳ＜ＨＡＲ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
ただし、ＨＭＳ≦１ＧＰａである。
＜１０＞ インプリント用モールド構造体の転写側の最表面に剥離層を有し、該剥離層の硬度をＨＭＳとし、該インプリント用モールド構造体の基板の硬度をＨＭＢとしたとき、下記数式（２）を満たす前記＜９＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
ＨＭＳ＜ＨＭＢ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
ただし、ＨＭＢ≧５ＧＰａである。
＜１１＞ 剥離層の材料が、フルオロカーボン（ＣＦ）系材料である前記＜１０＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜１２＞ 前記＜９＞から＜１１＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
本発明によると、従来における問題を解決することができ、剥離性が高いインプリント用モールド構造体、転写工程後にレジストからモールドを剥離する際、レジストに転写されたパターンの破損を低減するインプリント方法、並びに、信号品位を向上させた磁気記録媒体、及び磁気記録媒体の製造方法を提供することができる。
以下、本発明のインプリント用モールド構造体について図面を参照して説明する。
（インプリント用モールド構造体）
図１は、本発明のインプリント用モールド構造体の概略構成を示す斜視図である。
図１に示すように、インプリント用モールド構造体１は、加工対象物（例えば、後述する図４におけるインプリントレジスト２５）を押圧するものであり、円板状の基板２と、基板２の一の表面２ａ上に、該表面２ａを基準として、所定の間隔で複数の凸部５が配列されることによって、凸部５，５間に形成された凹部４と共に構成される凹凸部３を少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を備える。
図１は、本発明のインプリント用モールド構造体の概略構成を示す斜視図である。
図１に示すように、インプリント用モールド構造体１は、加工対象物（例えば、後述する図４におけるインプリントレジスト２５）を押圧するものであり、円板状の基板２と、基板２の一の表面２ａ上に、該表面２ａを基準として、所定の間隔で複数の凸部５が配列されることによって、凸部５，５間に形成された凹部４と共に構成される凹凸部３を少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を備える。
ここで、インプリント用モールド構造体１に形成される凹凸部３は、表面２ａを基準として同心円状に、所定の間隔で複数の凸部が配列されることによって形成されたデータ領域の凹凸部３と、表面２ａ上に、該表面２ａを基準として複数の凸部が半径方向に所定の間隔で放射状に配列されることによって形成されたサーボ領域の凹凸部４と、該サーボ領域の凹凸部４に隣接して形成され、サーボ領域の凹凸部４とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を備える。
また、基板２の半径方向を含む面における凹凸部３の断面形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、略矩形をなしていることが好ましい。
なお、凹凸部３の断面形状は、後述するエッチング工程を制御することにより、任意の形状を選択することができる。
なお、凹凸部３の断面形状は、後述するエッチング工程を制御することにより、任意の形状を選択することができる。
ここで、前記サーボ領域は、前記データ領域を分断するように、円周方向において略等間隔で複数形成されている。
また、サーボ領域は、プリアンブル部、アドレス部、及びバースト部に分けられる。
前記プリアンブル部は、再生信号のクロックを同期させるための情報が記録された領域である。具体的には、磁気記録媒体１００の回転偏心等により生ずる時間ズレに対し、サーボ信号再生用クロックを同期させるＰＬＬ処理や、信号再生振幅を適正に保つＡＧＣ処理を行うために設けられている。
また、サーボ領域は、プリアンブル部、アドレス部、及びバースト部に分けられる。
前記プリアンブル部は、再生信号のクロックを同期させるための情報が記録された領域である。具体的には、磁気記録媒体１００の回転偏心等により生ずる時間ズレに対し、サーボ信号再生用クロックを同期させるＰＬＬ処理や、信号再生振幅を適正に保つＡＧＣ処理を行うために設けられている。
アドレス部は、サーボマークと呼ばれるサーボ信号認識コード、セクタ情報、シリンダ情報等が、前記プリアンブル部の円周方向におけるピッチと同一のピッチで、マンチェスタコードにより形成された領域である。
前記シリンダ情報は、サーボトラック毎にその情報が変化するパターンとなる。そのため、ヘッドシーク動作時のアドレス判読ミスの影響が小さくなる様に、グレイコードと呼ばれる隣接トラックとの変化が最小となるコード変換をしてから、マンチェスタコード化して記録されている。
前記シリンダ情報は、サーボトラック毎にその情報が変化するパターンとなる。そのため、ヘッドシーク動作時のアドレス判読ミスの影響が小さくなる様に、グレイコードと呼ばれる隣接トラックとの変化が最小となるコード変換をしてから、マンチェスタコード化して記録されている。
前記バースト部は、シリンダアドレスのオントラック状態からのオフトラック量を検出するためのオフトラック検出用領域で、更にＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄバーストと呼ばれる４つの径方向にパターン位相をずらしたマークが形成されている。
各バーストには、周方向に複数個のマークが前記プリアンブル部と同一のピッチ周期で配置され、径方向周期は、アドレスパターンの変化周期に比例、換言すれば、サーボトラック周期に比例した周期で設けられている。本実施形態では、各バーストは、周方向に１０周期分形成され、径方向に、サーボトラック周期の２倍長周期で繰返すパターンを取っている。
各バーストには、周方向に複数個のマークが前記プリアンブル部と同一のピッチ周期で配置され、径方向周期は、アドレスパターンの変化周期に比例、換言すれば、サーボトラック周期に比例した周期で設けられている。本実施形態では、各バーストは、周方向に１０周期分形成され、径方向に、サーボトラック周期の２倍長周期で繰返すパターンを取っている。
インプリント用モールド構造体１においては、前記転写工程における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＢＲとし、前記硬化工程後における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＡＲとしたとき、下記数式（１）を満たすように、転写面（凹凸パターンが形成された側の面）の硬度が選択されることが好ましい。
ＨＢＲ＜ＨＭＳ＜ＨＡＲ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
ただし、ＨＭＳ≦１ＧＰａである。
ＨＢＲ＜ＨＭＳ＜ＨＡＲ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
ただし、ＨＭＳ≦１ＧＰａである。
また、インプリント用モールド構造体１の転写面側には、一層以上の剥離層が形成されることが好ましく、最表層が、剥離層であることがより好ましい。
［剥離層］
剥離層５の硬度ＨＭＳは、転写工程におけるインプリントレジスト層の硬度をＨＢＲとし、硬化工程後におけるインプリントレジスト層の硬度をＨＡＲとしたとき、下記数式（１）を満たす。
ＨＢＲ＜ＨＭＳ＜ＨＡＲ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
ただし、ＨＭＳ≦１ＧＰａである。
剥離層５の硬度ＨＭＳは、転写工程におけるインプリントレジスト層の硬度をＨＢＲとし、硬化工程後におけるインプリントレジスト層の硬度をＨＡＲとしたとき、下記数式（１）を満たす。
ＨＢＲ＜ＨＭＳ＜ＨＡＲ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
ただし、ＨＭＳ≦１ＧＰａである。
また、インプリント用モールド構造体１の基板２の硬度をＨＭＢとし、インプリント用モールド構造体の転写側の最表面である剥離層５の硬度ＨＭＳは、下記数式（２）を満たすことが更に好ましい。
ＨＭＳ＜ＨＭＢ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
ただし、ＨＭＢ≧５ＧＰａである。
ＨＭＳ＜ＨＭＢ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
ただし、ＨＭＢ≧５ＧＰａである。
また、剥離層５の材料としては、加工対象物（レジスト）に対して剥離機能を有する材料であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばフルオロカーボン（ＣＦ）系材料、公知のフッ素系樹脂、炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、フッ素系シランカップリング剤などが挙げられる。これらの中でも、基板への吸着性、基板表面への被覆率等を高くできるなどの点でフルオロカーボン（ＣＦ）系材料が特に好ましい。
前記フルオロカーボン（ＣＦ）系材料としては、例えばパーフルオロポリエーテル基を有するものとしては、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ）ｎ、又はこれらの共重合体、などが挙げられる。
前記フッ素系シランカップリング剤としては、分子中に少なくとも１個、好ましくは１〜１０個のアルコキシシラン基、クロロシラン基を有する化合物であり、分子量２００〜５００,０００のものが好ましい。前記アルコキシシラン基としては、-Ｓｉ（ＯＣＨ３）３基、-Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３基、-Ｓｉ（ＯＣＨ３）３基などが挙げられる。前記クロロシラン基としては、-Ｓｉ（Ｃｌ）３基などが挙げられる。具体的には、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ-ハイドロデシルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルジメチルクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ-ハイドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ-ハイドロオクチルトリメトキシシラン、などが挙げられる。
前記フッ素系樹脂としては、例えばＰＴＦＡ、ＰＦＡ、ＦＥＰ、ＥＴＦＥなどが挙げられる。
前記炭化水素系潤滑剤としては、例えばステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類；ステアリン酸ブチル等のエステル類；オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類；リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類；ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類；ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類；ステアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。
前記フッ素系潤滑剤としては、上記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部又は全部をフルオロアルキル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑剤が挙げられる。前記パーフルオロポリエーテル基としては、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ）ｎ又はこれらの共重合体等である。
なお、上市されている剥離機能を有する材料としては、例えばＺ−ＴＥＴＲＡＯＬ、Ｚ−ＤＯＬ（ソルベイ・ソレクシス社製）などが特に好ましい。
前記フルオロカーボン（ＣＦ）系材料としては、例えばパーフルオロポリエーテル基を有するものとしては、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ）ｎ、又はこれらの共重合体、などが挙げられる。
前記フッ素系シランカップリング剤としては、分子中に少なくとも１個、好ましくは１〜１０個のアルコキシシラン基、クロロシラン基を有する化合物であり、分子量２００〜５００,０００のものが好ましい。前記アルコキシシラン基としては、-Ｓｉ（ＯＣＨ３）３基、-Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３基、-Ｓｉ（ＯＣＨ３）３基などが挙げられる。前記クロロシラン基としては、-Ｓｉ（Ｃｌ）３基などが挙げられる。具体的には、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ-ハイドロデシルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルジメチルクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ-ハイドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ-ハイドロオクチルトリメトキシシラン、などが挙げられる。
前記フッ素系樹脂としては、例えばＰＴＦＡ、ＰＦＡ、ＦＥＰ、ＥＴＦＥなどが挙げられる。
前記炭化水素系潤滑剤としては、例えばステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類；ステアリン酸ブチル等のエステル類；オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類；リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類；ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類；ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類；ステアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。
前記フッ素系潤滑剤としては、上記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部又は全部をフルオロアルキル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑剤が挙げられる。前記パーフルオロポリエーテル基としては、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ）ｎ又はこれらの共重合体等である。
なお、上市されている剥離機能を有する材料としては、例えばＺ−ＴＥＴＲＡＯＬ、Ｚ−ＤＯＬ（ソルベイ・ソレクシス社製）などが特に好ましい。
＜硬度の測定方法＞
ここで、前記硬度は、ナノインデンターなどの測定装置を用いて測定することができる。なお、ナノインデンターとは、先端半径０．１μｍ〜１μｍ程度の三角錐圧子を試料に数十ｎｍ〜数十μｍまで押し込んだ際の微小荷重と微小変位の関係、圧子を戻し除荷した際の微小荷重と微小変位の関係を計測し、得られた荷重−変位曲線からナノメータ領域の深さでの硬度や弾性率を求める超微小押し込み硬さ試験（ナノインデンテーション試験）に用いる超微小押し込み硬さ試験機のことである。
具体的な測定方法としては、ＴＲＩＢＯＳＣＯＰＥ（ＨＹＳＩＴＲＯＮ社製）を用いて、ダイヤモンド先端稜角９０度、先端曲率半径４０ｎｍの三角錐型を用いて押し込み加重５μＮで押し込み速度３ｎｍ／秒で押し込み、最大５μＮまでの圧力を印加し、その後圧力を徐々に戻す。このときの最大荷重５μＮを圧子接触部の投影面積で除算して硬度を求めた。
ここで、前記硬度は、ナノインデンターなどの測定装置を用いて測定することができる。なお、ナノインデンターとは、先端半径０．１μｍ〜１μｍ程度の三角錐圧子を試料に数十ｎｍ〜数十μｍまで押し込んだ際の微小荷重と微小変位の関係、圧子を戻し除荷した際の微小荷重と微小変位の関係を計測し、得られた荷重−変位曲線からナノメータ領域の深さでの硬度や弾性率を求める超微小押し込み硬さ試験（ナノインデンテーション試験）に用いる超微小押し込み硬さ試験機のことである。
具体的な測定方法としては、ＴＲＩＢＯＳＣＯＰＥ（ＨＹＳＩＴＲＯＮ社製）を用いて、ダイヤモンド先端稜角９０度、先端曲率半径４０ｎｍの三角錐型を用いて押し込み加重５μＮで押し込み速度３ｎｍ／秒で押し込み、最大５μＮまでの圧力を印加し、その後圧力を徐々に戻す。このときの最大荷重５μＮを圧子接触部の投影面積で除算して硬度を求めた。
［その他の部材］
前記その他の部材としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、モールド基材４と剥離層５の間に介装されたモールド層等が挙げられる。
前記その他の部材としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、モールド基材４と剥離層５の間に介装されたモールド層等が挙げられる。
＜＜インプリントレジスト層＞＞
前記インプリントレジスト層２５は、インプリントレジスト組成物（以下、「インプリントレジスト液」ということがある）を磁気記録媒体の基板に塗布することによって形成される層である。
前記インプリントレジスト組成物としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができる。例えば、熱可塑性樹脂、や紫外線硬化樹脂等の光硬化性樹脂が挙げられ、ノボラック系樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、有機ガラス樹脂、無機ガラス樹脂などが好ましく、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂が特に好ましい。
前記インプリントレジスト層の厚みとしては、モールド１の表面２ａ上に形成される凸部の高さに対して５％以上、２００％未満であることが好ましい。前記厚みが、５％未満であると、レジスト量が不足し、所望のレジストパターンを形成することができないことがある。
前記インプリントレジスト層の厚みは、例えば、レジスト塗布基板より一部レジストを剥離、剥離後の段差をＡＦＭ装置（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００、日本ビーコ株式会社製）にて測定することができる。
前記インプリントレジスト層２５は、インプリントレジスト組成物（以下、「インプリントレジスト液」ということがある）を磁気記録媒体の基板に塗布することによって形成される層である。
前記インプリントレジスト組成物としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができる。例えば、熱可塑性樹脂、や紫外線硬化樹脂等の光硬化性樹脂が挙げられ、ノボラック系樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、有機ガラス樹脂、無機ガラス樹脂などが好ましく、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂が特に好ましい。
前記インプリントレジスト層の厚みとしては、モールド１の表面２ａ上に形成される凸部の高さに対して５％以上、２００％未満であることが好ましい。前記厚みが、５％未満であると、レジスト量が不足し、所望のレジストパターンを形成することができないことがある。
前記インプリントレジスト層の厚みは、例えば、レジスト塗布基板より一部レジストを剥離、剥離後の段差をＡＦＭ装置（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００、日本ビーコ株式会社製）にて測定することができる。
［インプリントレジスト組成物の粘度］
前記インプリントレジスト組成物の粘度は、例えば、超音波式粘度計などを用いて測定される。
このようにして測定された前記インプリントレジスト組成物の粘度Ｐは、０．５〜７０（ｍＰａ・ｓ）が好ましい。
前記インプリントレジスト組成物の粘度は、例えば、超音波式粘度計などを用いて測定される。
このようにして測定された前記インプリントレジスト組成物の粘度Ｐは、０．５〜７０（ｍＰａ・ｓ）が好ましい。
＜インプリント用モールド構造体の作製方法＞
以下、本発明のインプリント用モールド構造体の作製方法の例について図面を参照して説明する。なお、本発明に用いられるインプリント用モールド構造体は、下記の作製方法以外の作製方法により作製されたものであってもよい。
以下、本発明のインプリント用モールド構造体の作製方法の例について図面を参照して説明する。なお、本発明に用いられるインプリント用モールド構造体は、下記の作製方法以外の作製方法により作製されたものであってもよい。
−原盤の作製−
図３Ａ〜図３Ｂは、モールド構造体１の作製方法を示す断面図である。図３Ａに示すように、まず、Ｓｉ基板１０上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、Ｓｉ基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤１１を得る。
図３Ａ〜図３Ｂは、モールド構造体１の作製方法を示す断面図である。図３Ａに示すように、まず、Ｓｉ基板１０上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、Ｓｉ基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤１１を得る。
原盤１１からモールドを作製するモールドの作製方法としてはメッキ法、ナノインプリント法などを用いることができる。
メッキ法でのモールド作製方法は以下の通りである。
まず、原盤１１の表面に導電層（不図示）を形成する。
前記導電膜の形成方法としては、一般的に真空製膜方法（スパッタリング、蒸着など）、無電解メッキ法などを用いることができる。
前記導電層の材料としては、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏのうち、少なくとも一種類の元素を含有する金属、合金を用いることができ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ合金などが好ましい。また、導電性を示すＴｉＯなどの非金属材質も前記導電層として使用可能である。
前記導電層の膜厚は、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲が好ましく、１０ｎｍ〜２５ｎｍの範囲がより好ましい。
上記導電層を形成した原盤を用い、メッキ法にて金属、及び合金材料を積層して、所定の厚みとなるまで形成した後に、原盤１１からメッキ基体を剥離することでモールドを形成する。
ここで、前記モールドを構成するメッキ素材としては、Ｎｉ、Ｃｒ、ＦｅＣｏ合金などを使用することができ、Ｎｉ素材を用いたものが特に好ましい。
また、引き剥がし後のモールド１の厚みは、３０μｍ〜５００μｍの範囲が好ましく、４５μｍ〜３００μｍの範囲がより好ましい。前記厚みが、３０μｍ未満であると、モールドの剛性が低下し機械特性を確保することができない。
加えて、上記転写工程（ＮＩＬ、ナノインプリントリソグラフィ）を多数回実施することで、モールド１自身が変形し、著しく実用特性が低下することがある。したがって、モールドの厚みが５００μｍ以上では剛性が高くなりすぎるため、ＮＩＬ時のモールド１と、磁気記録媒体の基板４０との間の密着を確保することができない。
密着確保のためには、密着圧力を上げる必要があるため、異物などが混入した際にはモールド１と、磁気記録媒体の基板４０との間に致命的な形状欠陥が発生する。
メッキ法でのモールド作製方法は以下の通りである。
まず、原盤１１の表面に導電層（不図示）を形成する。
前記導電膜の形成方法としては、一般的に真空製膜方法（スパッタリング、蒸着など）、無電解メッキ法などを用いることができる。
前記導電層の材料としては、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏのうち、少なくとも一種類の元素を含有する金属、合金を用いることができ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ合金などが好ましい。また、導電性を示すＴｉＯなどの非金属材質も前記導電層として使用可能である。
前記導電層の膜厚は、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲が好ましく、１０ｎｍ〜２５ｎｍの範囲がより好ましい。
上記導電層を形成した原盤を用い、メッキ法にて金属、及び合金材料を積層して、所定の厚みとなるまで形成した後に、原盤１１からメッキ基体を剥離することでモールドを形成する。
ここで、前記モールドを構成するメッキ素材としては、Ｎｉ、Ｃｒ、ＦｅＣｏ合金などを使用することができ、Ｎｉ素材を用いたものが特に好ましい。
また、引き剥がし後のモールド１の厚みは、３０μｍ〜５００μｍの範囲が好ましく、４５μｍ〜３００μｍの範囲がより好ましい。前記厚みが、３０μｍ未満であると、モールドの剛性が低下し機械特性を確保することができない。
加えて、上記転写工程（ＮＩＬ、ナノインプリントリソグラフィ）を多数回実施することで、モールド１自身が変形し、著しく実用特性が低下することがある。したがって、モールドの厚みが５００μｍ以上では剛性が高くなりすぎるため、ＮＩＬ時のモールド１と、磁気記録媒体の基板４０との間の密着を確保することができない。
密着確保のためには、密着圧力を上げる必要があるため、異物などが混入した際にはモールド１と、磁気記録媒体の基板４０との間に致命的な形状欠陥が発生する。
なお、上記モールドを原盤１１として用いて、モールド１の複製を行ってもよい。
ナノインプリント法を用いたモールドの複製方法は以下の通りである。
図３Ｂに示すように、熱可塑性樹脂、あるいは光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が一方の面に形成された基板３０に対して、原盤１１を押し当て、原盤１１上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層２５に転写される。
ナノインプリント法を用いたモールドの複製方法は以下の通りである。
図３Ｂに示すように、熱可塑性樹脂、あるいは光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が一方の面に形成された基板３０に対して、原盤１１を押し当て、原盤１１上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層２５に転写される。
ここで、基板３０の材料は、光透過性を有し、モールド構造体１として機能する強度を有する材料であれば、特に制限されることなく、目的に応じて適宜選択される。例えば、石英（ＳｉＯ２）、有機樹脂（ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリカーボネート、低融点フッ素樹脂）等が好ましく、石英（ＳｉＯ２）が特に好ましい。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、基板３０にインプリントレジスト層２４が形成される一方の面から出射するように、基板３０の他方の面から光を入射した場合に、インプリントレジスト液が十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他方の面から前記一方の面へ波長４００ｎｍ以下の光の光透過率が５０％以上であることを意味する。
また、前記「モールド構造体として機能する強度」とは、基板３０上に形成されたインプリントレジスト層２４に対して、平均面圧力が１ｋｇｆ／ｃｍ２以上という条件下で押し当て、加圧しても剥離可能に破損しない強度を意味する。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、基板３０にインプリントレジスト層２４が形成される一方の面から出射するように、基板３０の他方の面から光を入射した場合に、インプリントレジスト液が十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他方の面から前記一方の面へ波長４００ｎｍ以下の光の光透過率が５０％以上であることを意味する。
また、前記「モールド構造体として機能する強度」とは、基板３０上に形成されたインプリントレジスト層２４に対して、平均面圧力が１ｋｇｆ／ｃｍ２以上という条件下で押し当て、加圧しても剥離可能に破損しない強度を意味する。
−硬化工程−
その後、インプリントレジスト層２４に熱を印加する、あるいは、紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させる。紫外線を照射してパターンを硬化する場合は、パターニング後であってモールド構造体と磁気記録媒体とを剥離した後に紫外線を照射し硬化してもよい。
その後、インプリントレジスト層２４に熱を印加する、あるいは、紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させる。紫外線を照射してパターンを硬化する場合は、パターニング後であってモールド構造体と磁気記録媒体とを剥離した後に紫外線を照射し硬化してもよい。
−パターン形成工程−
その後、転写されたパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体１を得る。また積層体の表面に無機系材質を形成し、レジストマスクを基として無機系材質マスクを形成し、この無機系材質マスクを用いて積層体をエッチングし、モールド構造体１を形成してもよい。
その後、転写されたパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体１を得る。また積層体の表面に無機系材質を形成し、レジストマスクを基として無機系材質マスクを形成し、この無機系材質マスクを用いて積層体をエッチングし、モールド構造体１を形成してもよい。
［剥離層形成工程］
その後、必要に応じて、剥離層５を形成する場合には、モールド構造体１における凹凸部３が形成された転写面上に、前記数式（１）及び（２）を満たす材料からなる剥離層５を形成して、インプリント用モールド構造体１を得る。
その後、必要に応じて、剥離層５を形成する場合には、モールド構造体１における凹凸部３が形成された転写面上に、前記数式（１）及び（２）を満たす材料からなる剥離層５を形成して、インプリント用モールド構造体１を得る。
（磁気記録媒体）
以下、本発明に係るインプリント用モールド構造体を用いて作製されたディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体を、図面を参照して説明する。ただし、本発明に係る磁気記録媒体は、本発明に係るインプリント用モールド構造体を用いて製造されていれば、下記の製造方法以外の製造方法により作製されたものであってもよい。
以下、本発明に係るインプリント用モールド構造体を用いて作製されたディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体を、図面を参照して説明する。ただし、本発明に係る磁気記録媒体は、本発明に係るインプリント用モールド構造体を用いて製造されていれば、下記の製造方法以外の製造方法により作製されたものであってもよい。
図４に示すように、磁性層５０と、インプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２５とがこの順に形成された磁気記録媒体の基板４０に対して、モールド構造体１を押し当て、加圧することにより、モールド構造体１上に形成されたデータ領域の凹凸部３、及びサーボ領域の凹凸部４のパターンがインプリントレジスト層２５に転写される。
ここで、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層２５として、インプリント用モールド構造体の作製におけるインプリントレジスト層２４と同じインプリントレジスト組成物を採用してもよい。
以下、特に断らない限り、インプリントレジスト層、及びインプリントレジスト組成物は、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層２５、及び該インプリントレジスト層２５を形成するインプリントレジスト組成物を指すものとする。
以下、特に断らない限り、インプリントレジスト層、及びインプリントレジスト組成物は、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層２５、及び該インプリントレジスト層２５を形成するインプリントレジスト組成物を指すものとする。
その後、データ領域の凹凸部３、及びサーボ領域の凹凸部４のパターンが転写されたインプリントレジスト層２５をマスクにして、エッチング工程を行い、モールド構造体１上に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを磁性層５０に形成し、凹部に非磁性材料を埋め込むことによって、非磁性層７０を形成し、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜形成などのその他の工程を行って磁気記録媒体１００を得る。
前記エッチング工程は、データ領域におけるインプリントレジスト層２５に形成されたレジスト凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を、データ領域の磁性層５０に形成する工程である。
前記凸凹形状の形成方法としては、イオンビームエッチング、反応性化学エッチング、ウェットエッチングなどの手法を用いることができる。
イオンビームエッチングでのプロセスガスとしてはアルゴン（Ａｒ）、反応性化学エッチングのエッチャントとしてはＣＯ＋ＮＨ３、塩素ガスなどを用いることができる。
前記その他の工程としては、必要に応じて、前記磁性層の凹部をＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；潤滑油等の非磁性材料で埋める工程、表面を平坦化する工程、平坦化した表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等で保護膜を形成する工程、最後に潤滑剤を塗布する工程などが挙げられる。
前記エッチング工程は、データ領域におけるインプリントレジスト層２５に形成されたレジスト凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を、データ領域の磁性層５０に形成する工程である。
前記凸凹形状の形成方法としては、イオンビームエッチング、反応性化学エッチング、ウェットエッチングなどの手法を用いることができる。
イオンビームエッチングでのプロセスガスとしてはアルゴン（Ａｒ）、反応性化学エッチングのエッチャントとしてはＣＯ＋ＮＨ３、塩素ガスなどを用いることができる。
前記その他の工程としては、必要に応じて、前記磁性層の凹部をＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；潤滑油等の非磁性材料で埋める工程、表面を平坦化する工程、平坦化した表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等で保護膜を形成する工程、最後に潤滑剤を塗布する工程などが挙げられる。
図５は、本発明の磁気記録媒体の構成を示す斜視図である。
上記のようにして作製された本発明の磁気記録媒体は、図５に示すように、基板４０の一の表面上に、同心円状に、所定の間隔で形成された複数のデータ領域の磁性パターン部５１が非磁性層７０によって隔たれて形成されている。なお、サーボ領域の磁性パターン部においても構成は同様である。
上記のようにして作製された本発明の磁気記録媒体は、図５に示すように、基板４０の一の表面上に、同心円状に、所定の間隔で形成された複数のデータ領域の磁性パターン部５１が非磁性層７０によって隔たれて形成されている。なお、サーボ領域の磁性パターン部においても構成は同様である。
また、図示はしないが、基板４０の表面上においては、データ領域の磁性パターン部５１が形成された領域はデータ領域を分断するように、前記表面上においてサーボ領域の磁性パターン部が形成されたサーボ領域が円周方向において略等間隔で複数形成されている。
本発明の磁気記録媒体においても、基板４０の表面の法線方向から見た磁性パターン部５１の形状（以下、磁性パターン部５１の平面形状ということがある）は、略矩形をなしている。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
（実施例１）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
＜＜原盤の作製＞＞
直径８インチの円板状のＳｉ基板上に電子線レジストを、スピンコート法を用いて１００ｎｍの厚みに塗布した。
回転式電子線露光装置にて所望のパターンを露光、現像することで、凹凸パターンを有する前記電子線レジストをＳｉ基板上に形成する。
凹凸パターンを有する前記電子線レジストをマスクとして、前記Ｓｉ基板に対して反応性イオンエッチング処理を行い、Ｓｉ基板上に凹凸形状を形成する。
残存した前記電子線レジストを、可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥した後に原盤を得た。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
＜＜原盤の作製＞＞
直径８インチの円板状のＳｉ基板上に電子線レジストを、スピンコート法を用いて１００ｎｍの厚みに塗布した。
回転式電子線露光装置にて所望のパターンを露光、現像することで、凹凸パターンを有する前記電子線レジストをＳｉ基板上に形成する。
凹凸パターンを有する前記電子線レジストをマスクとして、前記Ｓｉ基板に対して反応性イオンエッチング処理を行い、Ｓｉ基板上に凹凸形状を形成する。
残存した前記電子線レジストを、可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥した後に原盤を得た。
ここで、前記凹凸パターンは、データ部における凹凸パターンと、サーボ部における凹凸パターンとに大別される。
データ部は、凸部の巾：１２０ｎｍ、凹部の巾：３０ｎｍ（トラックピッチ＝１５０ｎｍ）の凹凸パターンとした。
サーボ部に関しては、基準信号長を９０ｎｍとし、総セクタ数を２４０とし、プリアンブル部（４５ｂｉｔ）、ＳＡＭ部（１０ｂｉｔ）、ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部（８ｂｉｔ）、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部（３２ｂｉｔ）、及びＢｕｒｓｔ部で構成されている。
前記ＳＡＭ部は、“００００１０１０１１”であり、前記ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｂｉｎａｒｙ変換を用いて形成され、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｇｒａｙ変換を用いて形成され、最終的にマンチェスター変換を用いて形成される。
また、前記Ｂｕｒｓｔ部における凹凸パターンは、一般的な位相バースト信号（１６ｂｉｔ）である。
データ部は、凸部の巾：１２０ｎｍ、凹部の巾：３０ｎｍ（トラックピッチ＝１５０ｎｍ）の凹凸パターンとした。
サーボ部に関しては、基準信号長を９０ｎｍとし、総セクタ数を２４０とし、プリアンブル部（４５ｂｉｔ）、ＳＡＭ部（１０ｂｉｔ）、ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部（８ｂｉｔ）、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部（３２ｂｉｔ）、及びＢｕｒｓｔ部で構成されている。
前記ＳＡＭ部は、“００００１０１０１１”であり、前記ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｂｉｎａｒｙ変換を用いて形成され、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｇｒａｙ変換を用いて形成され、最終的にマンチェスター変換を用いて形成される。
また、前記Ｂｕｒｓｔ部における凹凸パターンは、一般的な位相バースト信号（１６ｂｉｔ）である。
その後、石英基板上にアクリル系レジスト（ＰＡＫ−０１−５００、東洋合成工業株式会社製）を１００ｎｍ、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）によって形成した。
そして、前記原盤を使用し、ナノインプリントを行った。ナノインプリント後の凹凸レジストパターンを元にエッチャントとしてＣＨＦ３を用いたＲＩＥでインプリント用モールド構造体を作製した。なお、作製したインプリント用モールド構造体の転写側面（レジストに押し当てる側の面）には、ウェット法により剥離層を形成した。該剥離層を構成する剥離剤としては、ＥＧＣ−１７２０（住友３Ｍ社製；フッ素系表面処理剤）を用いた。
そして、前記原盤を使用し、ナノインプリントを行った。ナノインプリント後の凹凸レジストパターンを元にエッチャントとしてＣＨＦ３を用いたＲＩＥでインプリント用モールド構造体を作製した。なお、作製したインプリント用モールド構造体の転写側面（レジストに押し当てる側の面）には、ウェット法により剥離層を形成した。該剥離層を構成する剥離剤としては、ＥＧＣ−１７２０（住友３Ｍ社製；フッ素系表面処理剤）を用いた。
＜＜モールド構造体の基板の硬度ＨＭＢの測定＞＞
前記石英基板の硬度ＨＭＢを測定した。該硬度（表面硬度）の測定は、剥離層形成前に行った。該表面硬度は、微小硬度で表現される。通常のビッカース、ヌーブ硬度測定のように、大きな荷重の印加を行う測定方法では、対象とする極表面の硬度を評価できない、という経験に基づくものである。具体的には、測定装置としてＴＲＩＢＯＳＣＯＰＥ（ＨＹＳＩＴＲＯＮ社製）を用いた。これは、２枚の電極板の中間に、圧子が設置されたピックアップ電極を置き、該ピックアップ電極の動きに伴う静電容量の変化より、力と変位を高感度に検出する方法で、前記硬度ＨＭＢの測定を行った。結果を表１に示す。
前記石英基板の硬度ＨＭＢを測定した。該硬度（表面硬度）の測定は、剥離層形成前に行った。該表面硬度は、微小硬度で表現される。通常のビッカース、ヌーブ硬度測定のように、大きな荷重の印加を行う測定方法では、対象とする極表面の硬度を評価できない、という経験に基づくものである。具体的には、測定装置としてＴＲＩＢＯＳＣＯＰＥ（ＨＹＳＩＴＲＯＮ社製）を用いた。これは、２枚の電極板の中間に、圧子が設置されたピックアップ電極を置き、該ピックアップ電極の動きに伴う静電容量の変化より、力と変位を高感度に検出する方法で、前記硬度ＨＭＢの測定を行った。結果を表１に示す。
＜＜モールド構造体の最表面（剥離層）の硬度ＨＭＳの測定＞＞
モールドの最表面（剥離層）の硬度ＨＭＳを測定した。前記硬度は、剥離層形成後に測定した。なお、該硬度ＨＭＳの測定方法は、前記硬度ＨＭＢの測定方法と、同様にして行った。結果を表１に示す。
モールドの最表面（剥離層）の硬度ＨＭＳを測定した。前記硬度は、剥離層形成後に測定した。なお、該硬度ＨＭＳの測定方法は、前記硬度ＨＭＢの測定方法と、同様にして行った。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
２．５インチガラス基板上に、以下の手順で各層を形成し、磁気記録媒体を作製した。
作製した磁気記録媒体は、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層（「磁気記録層」ということがある）、保護層、及び潤滑剤層が順次形成されている。
なお、軟磁性膜、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層はスパッタリング法で形成し、潤滑剤層はディップ法で形成した。
２．５インチガラス基板上に、以下の手順で各層を形成し、磁気記録媒体を作製した。
作製した磁気記録媒体は、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層（「磁気記録層」ということがある）、保護層、及び潤滑剤層が順次形成されている。
なお、軟磁性膜、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層はスパッタリング法で形成し、潤滑剤層はディップ法で形成した。
＜軟磁性層の形成＞
軟磁性層として、ＣｏＺｒＮｂよりなる層を１００ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記ガラス基板を、ＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．６Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，５００Ｗで成膜した。
軟磁性層として、ＣｏＺｒＮｂよりなる層を１００ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記ガラス基板を、ＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．６Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，５００Ｗで成膜した。
＜第１の非磁性配向層の形成＞
第１の非磁性配向層として、５ｎｍの厚みのＴｉ層を形成した。
具体的に、第１の非磁性配向層は、Ｔｉターゲットと対向設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、５ｎｍの厚みになるようにＴｉシード層を成膜した。
第１の非磁性配向層として、５ｎｍの厚みのＴｉ層を形成した。
具体的に、第１の非磁性配向層は、Ｔｉターゲットと対向設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、５ｎｍの厚みになるようにＴｉシード層を成膜した。
＜第２の非磁性配向層の形成＞
その後、第２の非磁性配向層として、１０ｎｍの厚みのＲｕ層を形成した。
第１の非磁性配向層形成後に、Ｒｕターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、１０ｎｍの厚みになるように第２の非磁性配向層としてＲｕ層を成膜した。
その後、第２の非磁性配向層として、１０ｎｍの厚みのＲｕ層を形成した。
第１の非磁性配向層形成後に、Ｒｕターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、１０ｎｍの厚みになるように第２の非磁性配向層としてＲｕ層を成膜した。
＜磁気記録層の形成＞
その後、磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔＯ層を１５ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、ＣｏＰｔＣｒターゲットと対向させて設置し、Ｏ２ ０．０４％を含むＡｒガスを、圧力が１８Ｐａとなるようにして流入させ、ＤＣ ２９０Ｗで放電し、磁気記録層を形成した。
その後、磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔＯ層を１５ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、ＣｏＰｔＣｒターゲットと対向させて設置し、Ｏ２ ０．０４％を含むＡｒガスを、圧力が１８Ｐａとなるようにして流入させ、ＤＣ ２９０Ｗで放電し、磁気記録層を形成した。
＜保護層の形成＞
磁性層形成後に、Ｃターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを、圧力が０．５Ｐａになるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、Ｃ保護層を４ｎｍの厚みで形成した。
なお、磁気記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）とした。
また、本実施例における磁気記録媒体の第１の非磁性材料は、ＰｔＯである。
磁性層形成後に、Ｃターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを、圧力が０．５Ｐａになるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、Ｃ保護層を４ｎｍの厚みで形成した。
なお、磁気記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）とした。
また、本実施例における磁気記録媒体の第１の非磁性材料は、ＰｔＯである。
＜インプリントレジスト層の形成＞
前記保護層上に、アクリル系レジスト（東洋合成工業株式会社製、ＰＡＫ−０１−５００）を１００ｎｍの厚みになるように、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）により、インプリントレジスト層を形成した。
前記保護層上に、アクリル系レジスト（東洋合成工業株式会社製、ＰＡＫ−０１−５００）を１００ｎｍの厚みになるように、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）により、インプリントレジスト層を形成した。
＜＜レジストの硬度ＨＢＲの測定＞＞
硬化工程を施す前のレジストの硬度ＨＢＲを測定した。具体的には、石英基板上に、レジスト層（ＰＡＫ−０１−５００、東洋合成工業株式会社製）を、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）により、１００ｎｍ厚みで形成した。該レジストの硬度ＨＢＲは、測定装置ＴＲＩＢＯＳＣＯＰＥ（ＨＹＳＩＴＲＯＮ社製）を用いて、測定した。ダイヤモンド先端稜角９０度、先端曲率半径４０ｎｍの三角錐型を用いて押し込み加重５μＮ、押し込み速度３ｎｍ／秒で押し込み、最大５μＮまでの圧力を印加し、その後圧力を徐々に戻した。このときの最大荷重５μＮを圧子接触部の投影面積で除算して、硬度を求めた。結果を表１に示す。
硬化工程を施す前のレジストの硬度ＨＢＲを測定した。具体的には、石英基板上に、レジスト層（ＰＡＫ−０１−５００、東洋合成工業株式会社製）を、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）により、１００ｎｍ厚みで形成した。該レジストの硬度ＨＢＲは、測定装置ＴＲＩＢＯＳＣＯＰＥ（ＨＹＳＩＴＲＯＮ社製）を用いて、測定した。ダイヤモンド先端稜角９０度、先端曲率半径４０ｎｍの三角錐型を用いて押し込み加重５μＮ、押し込み速度３ｎｍ／秒で押し込み、最大５μＮまでの圧力を印加し、その後圧力を徐々に戻した。このときの最大荷重５μＮを圧子接触部の投影面積で除算して、硬度を求めた。結果を表１に示す。
＜転写工程及び硬化工程＞
インプリントレジスト層が形成された基板に対して、上記モールドの凹凸部が形成された側の面を対向させて配置し、インプリントレジスト層が形成された基板を３ＭＰａの圧力にて１０秒間密着させ、紫外線を１０ｍＪ／ｃｍ２照射した。
以上の工程を終了した後、インプリントレジスト層が形成された基板から前記モールドを剥離した。
その後、前記モールドの凹凸部に基づく凹凸パターンをインプリントレジスト層に転写することによって、該インプリントレジスト層に形成された凹凸パターンのうち、凹部に残存したインプリントレジスト層を、Ｏ２反応性化学エッチングにて除去した。このＯ２反応性化学エッチングは、前記凹部において前記磁性層が露出するように行われる。
インプリントレジスト層が形成された基板に対して、上記モールドの凹凸部が形成された側の面を対向させて配置し、インプリントレジスト層が形成された基板を３ＭＰａの圧力にて１０秒間密着させ、紫外線を１０ｍＪ／ｃｍ２照射した。
以上の工程を終了した後、インプリントレジスト層が形成された基板から前記モールドを剥離した。
その後、前記モールドの凹凸部に基づく凹凸パターンをインプリントレジスト層に転写することによって、該インプリントレジスト層に形成された凹凸パターンのうち、凹部に残存したインプリントレジスト層を、Ｏ２反応性化学エッチングにて除去した。このＯ２反応性化学エッチングは、前記凹部において前記磁性層が露出するように行われる。
＜＜レジストの硬度ＨＡＲの測定＞＞
モールドの押圧によってパターンが転写されたレジストに対して、紫外線が照射されたことにより硬化したレジストの硬度ＨＡＲを測定した。
上記レジスト塗布済み石英基板に、紫外線を照射し、レジストを十分に硬化させた。紫外線の照射条件は、１０ｍＪ／ｃｍ２、３０秒間であった。その後、レジストの硬度ＨＡＲを測定した。具体的には、測定装置ＴＲＩＢＯＳＣＯＰＥ（ＨＹＳＩＴＲＯＮ社製）を用いて、測定した。ダイヤモンド先端稜角９０度、先端曲率半径４０ｎｍの三角錐型を用いて押し込み加重５μＮ、押し込み速度３ｎｍ／秒で押し込み、最大５μＮまでの圧力を印加し、その後圧力を徐々に戻した。このときの最大荷重５μＮを圧子接触部の投影面積で除算して、硬度ＨＡＲを求めた。結果を表１に示す。
モールドの押圧によってパターンが転写されたレジストに対して、紫外線が照射されたことにより硬化したレジストの硬度ＨＡＲを測定した。
上記レジスト塗布済み石英基板に、紫外線を照射し、レジストを十分に硬化させた。紫外線の照射条件は、１０ｍＪ／ｃｍ２、３０秒間であった。その後、レジストの硬度ＨＡＲを測定した。具体的には、測定装置ＴＲＩＢＯＳＣＯＰＥ（ＨＹＳＩＴＲＯＮ社製）を用いて、測定した。ダイヤモンド先端稜角９０度、先端曲率半径４０ｎｍの三角錐型を用いて押し込み加重５μＮ、押し込み速度３ｎｍ／秒で押し込み、最大５μＮまでの圧力を印加し、その後圧力を徐々に戻した。このときの最大荷重５μＮを圧子接触部の投影面積で除算して、硬度ＨＡＲを求めた。結果を表１に示す。
＜磁性パターン部形成工程＞
前記凹部に残存したインプリントレジスト層を除去した後に、磁性層の凹凸形状の加工を実施した。
磁性層の加工としては、イオンビームエッチング法を用いた。
具体的には、Ａｒガスを用い、イオン加速エネルギーは５００ｅＶとし、磁性層に対して垂直方向よりイオンビームを入射した。
このようにして磁性層を加工した後、Ｏ２反応性化学エッチングにて、磁性層（未加工部分）上に残存したレジストを除去した。
その後、ディップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を２ｎｍの厚みに塗布した。
前記凹部に残存したインプリントレジスト層を除去した後に、磁性層の凹凸形状の加工を実施した。
磁性層の加工としては、イオンビームエッチング法を用いた。
具体的には、Ａｒガスを用い、イオン加速エネルギーは５００ｅＶとし、磁性層に対して垂直方向よりイオンビームを入射した。
このようにして磁性層を加工した後、Ｏ２反応性化学エッチングにて、磁性層（未加工部分）上に残存したレジストを除去した。
その後、ディップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を２ｎｍの厚みに塗布した。
＜非磁性パターン部形成工程＞
上記磁性層を加工した後に、磁性材料を含む層として、厚みが５０ｎｍとなるように、スパッタリングを実施してＳｉＯ２層を形成し、イオンビームエッチングにて磁性層と、非磁性層とが面一になるように、ＳｉＯ２層を除去した。
上記磁性層を加工した後に、磁性材料を含む層として、厚みが５０ｎｍとなるように、スパッタリングを実施してＳｉＯ２層を形成し、イオンビームエッチングにて磁性層と、非磁性層とが面一になるように、ＳｉＯ２層を除去した。
＜＜レジストパターンの成形性の評価＞＞
磁性体層を形成する前の磁気記録媒体の中間体を用い、データ領域と、サーボ領域との間のレジスト形状を比較し、レジストパターンの成形性の評価を以下のように実施した。
まず、転写工程を経てレジストパターンが形成された垂直磁気記録媒体の中間体を破断し、走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ Ｓ８００、株式会社日立製作所製）を用いて、破断後の断面に対するデータ領域のレジストパターンの残レジスト膜厚Ａ、サーボ領域におけるバースト部のレジストパターンの残レジスト膜厚Ｂを測長し、両者の比（Ｂ／Ａ）を磁気記録媒体について半径２５ｍｍ、ほぼ等角度間隔で８箇所の測定を行い、これらの平均値を算出し、下記基準で評価した。結果を表１に示す。
〔評価基準〕
○：比（Ｂ／Ａ）の値が０．８〜１．０
×：比（Ｂ／Ａ）の値が０．８未満
磁性体層を形成する前の磁気記録媒体の中間体を用い、データ領域と、サーボ領域との間のレジスト形状を比較し、レジストパターンの成形性の評価を以下のように実施した。
まず、転写工程を経てレジストパターンが形成された垂直磁気記録媒体の中間体を破断し、走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ Ｓ８００、株式会社日立製作所製）を用いて、破断後の断面に対するデータ領域のレジストパターンの残レジスト膜厚Ａ、サーボ領域におけるバースト部のレジストパターンの残レジスト膜厚Ｂを測長し、両者の比（Ｂ／Ａ）を磁気記録媒体について半径２５ｍｍ、ほぼ等角度間隔で８箇所の測定を行い、これらの平均値を算出し、下記基準で評価した。結果を表１に示す。
〔評価基準〕
○：比（Ｂ／Ａ）の値が０．８〜１．０
×：比（Ｂ／Ａ）の値が０．８未満
＜磁気記録媒体の評価＞
＜＜サーボ信号の品位の評価＞＞
サーボアドレスエラー評価として、アイメス社製ＢｉｔＦｉｎｄｅｒを評価装置として使用した。該装置において、ＶＣＭモードとして、リード巾１２０ｎｍ、ライト巾２００ｎｍのＧＭＲヘッドを装着し、サーボフォローイングの評価を実施した。具体的には、サーボフォロー状態でのアドレスエラー率を算出した。５０周分のアドレスエラー発生数を検出し、評価対象となる全セクタ数に対するアドレスエラー率を求め、下記基準で評価した。結果を表１に示す。
〔評価基準〕
○：アドレスエラー率が０．１％未満
×：アドレスエラー率が０．１％以上
＜＜サーボ信号の品位の評価＞＞
サーボアドレスエラー評価として、アイメス社製ＢｉｔＦｉｎｄｅｒを評価装置として使用した。該装置において、ＶＣＭモードとして、リード巾１２０ｎｍ、ライト巾２００ｎｍのＧＭＲヘッドを装着し、サーボフォローイングの評価を実施した。具体的には、サーボフォロー状態でのアドレスエラー率を算出した。５０周分のアドレスエラー発生数を検出し、評価対象となる全セクタ数に対するアドレスエラー率を求め、下記基準で評価した。結果を表１に示す。
〔評価基準〕
○：アドレスエラー率が０．１％未満
×：アドレスエラー率が０．１％以上
（実施例２）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１において、モールド構造体の転写側表面に形成した剥離層の材料を、Ｚ−ＤＯＬ（ソルベイ・ソレクシス社製；フルオロカーボン系材料）に代えた以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１において、モールド構造体の転写側表面に形成した剥離層の材料を、Ｚ−ＤＯＬ（ソルベイ・ソレクシス社製；フルオロカーボン系材料）に代えた以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして、実施例２の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして、実施例２の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
＜＜レジストパターンの成形性の評価＞＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（実施例３）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１において、アクリル系レジスト（東洋合成工業株式会社製、ＰＡＫ−０１−５００）をノボラック系レジスト（ｍｒ−Ｉ７０００Ｅ、マイクロレジスト社製）に代えた以外は、実施例１と同様にして、実施例３の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
実施例１において、アクリル系レジスト（東洋合成工業株式会社製、ＰＡＫ−０１−５００）をノボラック系レジスト（ｍｒ−Ｉ７０００Ｅ、マイクロレジスト社製）に代えた以外は、実施例１と同様にして、実施例３の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
＜＜レジストパターンの成形性の評価＞＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（実施例４）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１における基板を、石英からニッケル（Ｎｉ）に代え、Ｎｉモールド作製にメッキ法を用いた以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１における基板を、石英からニッケル（Ｎｉ）に代え、Ｎｉモールド作製にメッキ法を用いた以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして実施例４の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして実施例４の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
＜＜レジストパターンの成形性の評価＞＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（実施例５）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１における基板を、石英からアルミニウム（Ａｌ）に代え、Ａｌモールド作製にＮＩＬ（ナノインプリントリソグラフィ）及びＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を用いた以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１における基板を、石英からアルミニウム（Ａｌ）に代え、Ａｌモールド作製にＮＩＬ（ナノインプリントリソグラフィ）及びＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を用いた以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして、実施例５の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして、実施例５の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
＜＜レジストパターンの成形性の評価＞＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（実施例６）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１において、モールド構造体の転写側表面に形成した剥離層の材料を、Ｚ−ＴＥＴＲＡＯＬ（ソルベイ・ソレクシス社製；フルオロカーボン材料）に代えた以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１において、モールド構造体の転写側表面に形成した剥離層の材料を、Ｚ−ＴＥＴＲＡＯＬ（ソルベイ・ソレクシス社製；フルオロカーボン材料）に代えた以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして実施例６の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして実施例６の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
＜＜レジストパターンの成形性の評価＞＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（比較例１）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１において、剥離層の形成の代わりに、イオンガンにより、ＤＬＣ（ダイヤモンダライクカーボン）層５０ｎｍを形成した以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１において、剥離層の形成の代わりに、イオンガンにより、ＤＬＣ（ダイヤモンダライクカーボン）層５０ｎｍを形成した以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして比較例１の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして比較例１の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
＜＜レジストパターンの成形性の評価＞＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（比較例２）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１において、剥離層の形成の代わりに、Ｃ（カーボン）層をスパッタリングして形成した以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
なお、前記Ｃ（カーボン）層は、ＲＩＥによるエッチング後に、モールドの凹凸面をＣターゲットに対向させて設置し、Ａｒガスを、圧力が０．３Ｐａになるように流入させ、ＤＣ７００Ｗで放電し、Ｃ（カーボン）層を１００ｎｍの厚みで形成した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１において、剥離層の形成の代わりに、Ｃ（カーボン）層をスパッタリングして形成した以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
なお、前記Ｃ（カーボン）層は、ＲＩＥによるエッチング後に、モールドの凹凸面をＣターゲットに対向させて設置し、Ａｒガスを、圧力が０．３Ｐａになるように流入させ、ＤＣ７００Ｗで放電し、Ｃ（カーボン）層を１００ｎｍの厚みで形成した。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして比較例２の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして比較例２の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
＜＜レジストパターンの成形性の評価＞＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（比較例３）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１において、剥離層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１において、剥離層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして比較例３の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして比較例３の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
＜＜レジストパターンの成形性の評価＞＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（比較例４）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１において、基板を石英からＮｉに代え、剥離層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１において、基板を石英からＮｉに代え、剥離層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして比較例４の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして比較例４の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
＜＜レジストパターンの成形性の評価＞＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（比較例５）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製し、硬度ＨＭＳ及びＨＭＢを測定した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、アクリル系レジスト（東洋合成工業株式会社製、ＰＡＫ−０１−５００）の代わりにテフロン（登録商標）を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例５の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、アクリル系レジスト（東洋合成工業株式会社製、ＰＡＫ−０１−５００）の代わりにテフロン（登録商標）を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例５の磁気記録媒体を作製し、硬度ＨＢＲ及びＨＡＲを測定した。結果を表１に示す。
＜＜レジストパターンの成形性の評価＞＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
また、数式（１）を満たす実施例１〜６において作製されたインプリント用モールド構造体を用いることにより、数式（１）を満たさない比較例１〜５よりも、信号品位特性に優れた磁気記録媒体を提供することができた。
１ モールド構造体
２ 基板
２ａ 表面
３ 凹凸部
４ 凹部
５ 凸部
６ 剥離層
１０ Ｓｉ基板
１１ Ｓｉ原盤
２１ フォトレジスト層
２４ インプリントレジスト層
２５ インプリントレジスト層
３０ 被加工基板
４０ 磁気記録媒体の基板
５０ 磁性層
７０ 非磁性層
９０ 積層体
１００ 磁気記録媒体
２ 基板
２ａ 表面
３ 凹凸部
４ 凹部
５ 凸部
６ 剥離層
１０ Ｓｉ基板
１１ Ｓｉ原盤
２１ フォトレジスト層
２４ インプリントレジスト層
２５ インプリントレジスト層
３０ 被加工基板
４０ 磁気記録媒体の基板
５０ 磁性層
７０ 非磁性層
９０ 積層体
１００ 磁気記録媒体
Claims (12)
- 磁気記録媒体の基板上に少なくとも磁性層が積層された積層体上に、インプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層が形成され、該インプリントレジスト層に、基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が配列されることによって凹凸部が形成されたインプリント用モールド構造体の前記凹凸部を転写面として押圧して、前記凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層を硬化させる硬化工程と、
を少なくとも含むインプリント方法に用いられるインプリント用モールド構造体であって、
前記インプリント用モールド構造体の転写側の最表面の硬度をＨＭＳとし、前記転写工程における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＢＲとし、前記硬化工程後における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＡＲとすると、下記数式（１）を満たすことを特徴とするインプリント用モールド構造体。
ＨＢＲ＜ＨＭＳ＜ＨＡＲ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
ただし、ＨＭＳ≦１ＧＰａである。 - インプリント用モールド構造体の転写側面に一層以上の剥離層を有する請求項１に記載のインプリント用モールド構造体。
- インプリント用モールド構造体の転写側の最表面が、剥離層である請求項１から２のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体。
- 剥離層の材料が、フルオロカーボン（ＣＦ）系材料である請求項２から３のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体。
- インプリント用モールド構造体の基板の硬度をＨＭＢとすると、下記数式（２）を満たす請求項１から４のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体。
ＨＭＳ＜ＨＭＢ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
ただし、ＨＭＢ≧５ＧＰａである。 - 磁気記録媒体の基板上に少なくとも磁性層が積層された積層体上に、インプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層が形成され、該インプリントレジスト層に、基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が配列されることによって凹凸部が形成されたインプリント用モールド構造体の前記凹凸部を転写面として押圧して、前記凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層を硬化させる硬化工程と、
を少なくとも含むインプリント方法であって、
前記インプリント用モールド構造体の転写側の最表面の硬度をＨＭＳとし、前記転写工程における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＢＲとし、前記硬化工程後における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＡＲとしたとき、下記数式（１）を満たすことを特徴とするインプリント方法。
ＨＢＲ＜ＨＭＳ＜ＨＡＲ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
ただし、ＨＭＳ≦１ＧＰａである。 - インプリント用モールド構造体の転写側の最表面に剥離層を有し、該剥離層の硬度をＨＭＳとし、該インプリント用モールド構造体の基板の硬度をＨＭＢとしたとき、下記数式（２）を満たす請求項６に記載のインプリント方法。
ＨＭＳ＜ＨＭＢ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
ただし、ＨＭＢ≧５ＧＰａである。 - 剥離層の材料が、フルオロカーボン（ＣＦ）系材料である請求項７に記載のインプリント方法。
- 基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が配列されることによって形成された凹凸部を有するインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に少なくとも磁性層が積層された積層体上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層を硬化させる硬化工程と、
前記凹凸パターンが転写され、硬化したインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁性層をエッチングして、前記凹凸パターンに基づく磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、
前記磁性層を分断した凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、
を少なくとも含む磁気記録媒体の製造方法であって、
前記インプリント用モールド構造体の転写側の最表面の硬度をＨＭＳとし、前記転写工程における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＢＲとし、前記硬化工程後における前記インプリントレジスト層の硬度をＨＡＲとしたとき、下記数式（１）を満たすことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
ＨＢＲ＜ＨＭＳ＜ＨＡＲ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
ただし、ＨＭＳ≦１ＧＰａである。 - インプリント用モールド構造体の転写側の最表面に剥離層を有し、該剥離層の硬度をＨＭＳとし、該インプリント用モールド構造体の基板の硬度をＨＭＢとしたとき、下記数式（２）を満たす請求項９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
ＨＭＳ＜ＨＭＢ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
ただし、ＨＭＢ≧５ＧＰａである。 - 剥離層の材料が、フルオロカーボン（ＣＦ）系材料である請求項１０に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 請求項９から１１のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造されたことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008321436A JP4977121B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-12-17 | インプリント用モールド構造体及びそれを用いたインプリント方法、並びに磁気記録媒体の製造方法 |
| EP09004171A EP2105920A1 (en) | 2008-03-25 | 2009-03-24 | Imprint mold structure and imprint method using the same, and method for manufacturing magnetic recording medium |
| US12/409,977 US20090242509A1 (en) | 2008-03-25 | 2009-03-24 | Imprint mold structure and imprint method using the same, and method for manufacturing magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008078757 | 2008-03-25 | ||
| JP2008078757 | 2008-03-25 | ||
| JP2008321436A JP4977121B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-12-17 | インプリント用モールド構造体及びそれを用いたインプリント方法、並びに磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009259374A true JP2009259374A (ja) | 2009-11-05 |
| JP4977121B2 JP4977121B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008321436A Expired - Fee Related JP4977121B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-12-17 | インプリント用モールド構造体及びそれを用いたインプリント方法、並びに磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090242509A1 (ja) |
| EP (1) | EP2105920A1 (ja) |
| JP (1) | JP4977121B2 (ja) |
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| JP2017073542A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-04-13 | 東洋合成工業株式会社 | 組成物 |
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-
2008
- 2008-12-17 JP JP2008321436A patent/JP4977121B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20090242509A1 (en) | 2009-10-01 |
| JP4977121B2 (ja) | 2012-07-18 |
| EP2105920A1 (en) | 2009-09-30 |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |