JP2009256156A - シリコン単結晶の育成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CZ法によるシリコン単結晶9の育成の際、ショルダー部9aを形成した後の直胴部9bの育成過程で有転位化が生じたとき、直ちにルツボ2を加熱するためのヒータ4の出力を瞬時に大幅に上げてテイル部9cの形成を行い、テイル部9cの形成長さを短くしてシリコン単結晶9をルツボ2内のシリコン融液6から切り離す。これにより、有転位化の発生位置Dからテイル部9cの下端までの長さLが短くでき、シリコン単結晶9内に残留する熱応力の緩和が図れ、シリコン単結晶9の破断や破裂を引き起こす亀裂の発生を防止することができる。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の一実施形態であるシリコン単結晶の育成方法が適用される引き上げ装置の構成を示す縦断面図である。同図に示すように、引き上げ装置の外郭を構成するチャンバ1の内部には、その中心部にルツボ2が配置されている。ルツボ2は二重構造になっており、内側の石英ルツボ2aと、その外側に嵌合される黒鉛ルツボ2bとから構成される。このルツボ2は、支持軸3の上端部に黒鉛ルツボ2bを固定され、その支持軸3の回転駆動、昇降駆動に従って、周方向に回転したり軸方向に昇降する。
2 ルツボ
2a 石英ルツボ
2b 黒鉛ルツボ
3 支持軸
4 ヒータ
5 保温筒
6 シリコン融液
7 ワイヤ(引き上げ軸)
8 種結晶
9 シリコン単結晶
9a ショルダー部
9b 直胴部
9c テイル部
10 熱遮蔽体
11 水冷体
D 有転位化の発生位置
L 有転位化の発生位置からテイル部の下端までの長さ
Claims (5)
- チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成方法において、
シリコン単結晶の直胴部の育成過程で有転位化が生じたとき、直ちにテイル部の形成を行い、テイル部の形成長さを短くしてシリコン単結晶をルツボ内のシリコン融液から切り離すことを特徴とするシリコン単結晶の育成方法。 - 前記直胴部における有転位化の発生位置から前記テイル部の下端までの長さを100mm以下にすることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の育成方法。
- 前記テイル部の形状を先窄まり形状とすることを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン単結晶の育成方法。
- 前記テイル部の形成は、前記ルツボを加熱するヒータの出力を高めることにより前記シリコン融液の温度を上昇させ、引き上げ速度の上昇量を抑制しながら行うことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のシリコン単結晶の育成方法。
- 引き上げ中のシリコン単結晶を、これを囲繞するように配置された水冷体により冷却することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のシリコン単結晶の育成方法。
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