JP2009252962A - 半導体装置,半導体装置の製造方法及び表示装置 - Google Patents
半導体装置,半導体装置の製造方法及び表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009252962A JP2009252962A JP2008098346A JP2008098346A JP2009252962A JP 2009252962 A JP2009252962 A JP 2009252962A JP 2008098346 A JP2008098346 A JP 2008098346A JP 2008098346 A JP2008098346 A JP 2008098346A JP 2009252962 A JP2009252962 A JP 2009252962A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- pattern
- layer
- manufacturing
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 150
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 10
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 102
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1292—Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】基板と、前記基板上に印刷工程によって形成を規定されたチャネル領域を備え、チャネル領域のチャネル長Lを規定するパターンと同一層内におけるパターン寸法もしくはパターン間寸法のうち、最小の寸法をaとし、L≧2aであって、かつ、チャネル領域のチャネル幅Wを規定するパターンと同一層内におけるパターン寸法もしくはパターン間寸法のうち、最小の寸法をbとし、W≧2bである。
【選択図】図1
Description
また、従来の有機半導体では、素子形成面積が大きくなり、光を透過させる領域を確保できないため、画素電極をTFT上に形成した反射型ディスプレイやトップエミッション型発光ディスプレイに用途が限定されてしまう。
(1)基板と、前記基板上に印刷工程によって形成を規定されたチャネル領域を備えた半導体装置であって、
前記チャネル領域のチャネル長Lを規定するパターンと同一層内におけるパターン寸法もしくはパターン間寸法のうち、最小の寸法をaとし、L≧2aであって、かつ、
前記チャネル領域のチャネル幅Wを規定するパターンと同一層内におけるパターン寸法もしくはパターン間寸法のうち、最小の寸法をbとし、W≧2bである半導体装置。
(2)前記最小寸法aが10μm以上であって、かつ、前記最小寸法bが10μm以上である(1)に記載の半導体装置。
(3)前記チャネル長Lを規定するパターン、及び、前記チャネル幅Wを規定するパターンの加工精度をcとしたとき、
W/LのばらつきD=L(W+L)c/W(L2−c2)≦0.1を満たす(2)に記載の半導体装置。
(4)前記加工精度cが2μm以上である(3)に記載の半導体装置。
(5)前記ばらつきD=L(W+L)c/W(L2−c2)≦0.05を満たす(3)又は(4)に記載の半導体装置。
(6)前記半導体層の移動度が0.5cm2/Vs以上である(1)から(5)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(7)前記半導体層の移動度が10cm2/Vs以上である(1)から(5)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(8)前記基板上にゲート絶縁膜が形成され、該ゲート絶縁膜の静電容量が10nF/cm2以下である(1)から(6)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(9)前記半導体層が無機酸化物を含む(1)から(8)のいずれ1つに記載の半導体装置。
(10)前記無機酸化物がインジウム、亜鉛、ガリウム、スズ、アルミニウムのいずれかを含む(9)に記載の半導体装置。
(11)前記チャネル領域に対して光入射側に、波長域が400nm以下の光の少なくとも一部を吸収する光吸収層を備えている(1)から(10)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(12)前記光吸収層が、前記基板又は偏光板の少なくとも一方を兼ねる(11)に記載の半導体装置。
(13)上記(1)から(12)のいずれか1つに記載された半導体装置を備えた表示装置。
(14)基板と、前記基板上に印刷工程によって形成を規定されたチャネル領域を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記チャネル領域のチャネル長Lを規定するパターンと同一層内におけるパターン寸法もしくはパターン間寸法のうち、最小の寸法をaとし、L≧2aであって、かつ、
前記チャネル領域のチャネル幅Wを規定するパターンと同一層内におけるパターン寸法もしくはパターン間寸法のうち、最小の寸法をbとし、W≧2bである半導体装置の製造方法。
(15)前記半導体層と前記パターン層とのうち少なくとも一方をインクジェット印刷によって形成する(14)に記載の半導体装置の製造方法。
(16)前記最小寸法aが10μm以上であって、かつ、前記最小寸法bが10μm以上である(14)又は(15)に記載の半導体装置の製造方法。
(17)前記チャネル長Lを規定するパターン、及び、前記チャネル幅Wを規定するパターンの加工精度をcとしたとき、
W/LのばらつきをDとしたとき、D=L(W+L)c/W(L2−c2)≦0.1を満たす(16)に記載の半導体装置の製造方法。
(18)前記加工精度cが2μm以上で、かつ、前記ばらつきD=L(W+L)c/W(L2−c2)≦0.05を満たす(17)に記載の半導体装置の製造方法。
(19)前記半導体層の移動度が0.5cm2/Vs以上である(14)から(18)のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(20)前記半導体層の移動度が10cm2/Vs以上である(14)から(18)のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(21)前記基板上にゲート絶縁膜が形成され、該ゲート絶縁膜の静電容量が10nF/cm2以下である(14)から(20)のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(22)前記半導体層が無機酸化物を含む(14)から(21)のいずれ1つに記載の半導体装置の製造方法。
(23)前記無機酸化物がインジウム、亜鉛、ガリウム、スズ、アルミニウムのいずれかを含む(22)に記載の半導体装置の製造方法。
(24)前記チャネル領域に対して光入射側に、波長域が400nm以下の光の少なくとも一部を吸収する光吸収層を備えている(14)から(23)のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(25)前記光吸収層が、前記基板又は偏光板の少なくとも一方を兼ねる(24)に記載の半導体装置の製造方法。
図1は、本発明にかかる半導体装置の構成を説明する平面図である。図2は、従来技術による半導体装置の構成例を示す平面図である。
本実施形態の半導体装置10は、ガラス等の透明な基板上にマトリクス状に配置した複数の画素形成領域Pを備え、各画素形成領域P毎に、TFT素子が形成されている。
光入射側の透明なガラス基板11の上に透明な絶縁層12が形成され、絶縁層12上にゲート電極13が所定のパターンで画素形成領域ごとに形成されている。ゲート電極13を覆うようにゲート絶縁膜14が形成されている。ゲート絶縁膜14の上面のおいて、下層のゲート電極13の上に位置する領域に無機酸化物の半導体層18が所定のパターンで形成されている。
先ず、図6(a)に示すように、基板11上(例えばガラス基板や、PET、PEN、PES等のフィルム基板上)に、ITO、IZO、GZO等による透明のゲート電極13をインクジェット、スクリーン印刷等の印刷技術で形成する。
例えば、上記実施形態の半導体装置は、基板側にゲート電極を構成した、所謂、ボトムゲート型の構成を例に説明したが、基板の上部側にゲート電極を配置した、所謂、トップゲート型の構成とすることできる。
また、本発明かかる半導体装置は、上記表示装置に限定されず、半導体センサに適用することもできる。
13 ゲート電極
15a ソース電極層(パターン層)
15b ドレイン電極層(パターン層)
18 半導体層
L チャネル長さ
W チャネル幅
Claims (25)
- 基板と、前記基板上に印刷工程によって形成を規定されたチャネル領域を備えた半導体装置であって、
前記チャネル領域のチャネル長Lを規定するパターンと同一層内におけるパターン寸法もしくはパターン間寸法のうち、最小の寸法をaとし、L≧2aであって、かつ、
前記チャネル領域のチャネル幅Wを規定するパターンと同一層内におけるパターン寸法もしくはパターン間寸法のうち、最小の寸法をbとし、W≧2bである半導体装置。 - 前記最小寸法aが10μm以上であって、かつ、前記最小寸法bが10μm以上である請求項1に記載の半導体装置。
- 前記チャネル長Lを規定するパターン、及び、前記チャネル幅Wを規定するパターンの加工精度をcとしたとき、
W/LのばらつきD=L(W+L)c/W(L2−c2)≦0.1を満たす請求項2に記載の半導体装置。 - 前記加工精度cが2μm以上である請求項3に記載の半導体装置。
- 前記ばらつきD=L(W+L)c/W(L2−c2)≦0.05を満たす請求項3又は4に記載の半導体装置。
- 前記半導体層の移動度が0.5cm2/Vs以上である請求項1から5のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記半導体層の移動度が10cm2/Vs以上である請求項1から5のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記基板上にゲート絶縁膜が形成され、該ゲート絶縁膜の静電容量が10nF/cm2以下である請求項1から6のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記半導体層が無機酸化物を含む請求項1から8のいずれ1つに記載の半導体装置。
- 前記無機酸化物がインジウム、亜鉛、ガリウム、スズ、アルミニウムのいずれかを含む請求項9に記載の半導体装置。
- 前記チャネル領域に対して光入射側に、波長域が400nm以下の光の少なくとも一部を吸収する光吸収層を備えている請求項1から10のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記光吸収層が、前記基板又は偏光板の少なくとも一方を兼ねる請求項11に記載の半導体装置。
- 上記請求項1から12のいずれか1つに記載された半導体装置を備えた表示装置。
- 基板と、前記基板上に印刷工程によって形成を規定されたチャネル領域を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記チャネル領域のチャネル長Lを規定するパターンと同一層内におけるパターン寸法もしくはパターン間寸法のうち、最小の寸法をaとし、L≧2aであって、かつ、
前記チャネル領域のチャネル幅Wを規定するパターンと同一層内におけるパターン寸法もしくはパターン間寸法のうち、最小の寸法をbとし、W≧2bである半導体装置の製造方法。 - 前記半導体層と前記パターン層とのうち少なくとも一方をインクジェット印刷によって形成する請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記最小寸法aが10μm以上であって、かつ、前記最小寸法bが10μm以上である請求項14又は15に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記チャネル長Lを規定するパターン、及び、前記チャネル幅Wを規定するパターンの加工精度をcとしたとき、
W/LのばらつきをDとしたとき、D=L(W+L)c/W(L2−c2)≦0.1を満たす請求項16に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記加工精度cが2μm以上で、かつ、前記ばらつきD=L(W+L)c/W(L2−c2)≦0.05を満たす請求項17に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体層の移動度が0.5cm2/Vs以上である請求項14から18のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体層の移動度が10cm2/Vs以上である請求項14から18のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板上にゲート絶縁膜が形成され、該ゲート絶縁膜の静電容量が10nF/cm2以下である請求項14から20のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体層が無機酸化物を含む請求項14から21のいずれ1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記無機酸化物がインジウム、亜鉛、ガリウム、スズ、アルミニウムのいずれかを含む請求項22に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記チャネル領域に対して光入射側に、波長域が400nm以下の光の少なくとも一部を吸収する光吸収層を備えている請求項14から23のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記光吸収層が、前記基板又は偏光板の少なくとも一方を兼ねる請求項24に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008098346A JP5376826B2 (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | 半導体装置,半導体装置の製造方法及び表示装置 |
US12/418,671 US7851803B2 (en) | 2008-04-04 | 2009-04-06 | Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008098346A JP5376826B2 (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | 半導体装置,半導体装置の製造方法及び表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009252962A true JP2009252962A (ja) | 2009-10-29 |
JP5376826B2 JP5376826B2 (ja) | 2013-12-25 |
Family
ID=41132430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008098346A Active JP5376826B2 (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | 半導体装置,半導体装置の製造方法及び表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7851803B2 (ja) |
JP (1) | JP5376826B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013525913A (ja) * | 2010-04-28 | 2013-06-20 | ドンジン セミケム カンパニー リミテッド | タッチパネルおよびその製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5977523B2 (ja) * | 2011-01-12 | 2016-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタの作製方法 |
CN105244404B (zh) * | 2015-10-19 | 2018-02-06 | 昆山龙腾光电有限公司 | 集成光电传感器 |
US10566401B2 (en) * | 2017-06-28 | 2020-02-18 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate and preparing method therefor, and OLED display device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004288836A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Toshiba Corp | 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2006165528A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | 画像表示装置 |
JP2006286773A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法並びに薄膜トランジスタアレイおよび薄膜トランジスタディスプレイ |
JP2007335560A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ、表示装置、有機薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2008065225A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ、それを用いた画像表示装置およびその駆動方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU7091400A (en) | 1999-08-31 | 2001-03-26 | E-Ink Corporation | Transistor for an electronically driven display |
JP2001318627A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
US8040469B2 (en) * | 2004-09-10 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same |
WO2007013537A1 (en) * | 2005-07-27 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anthracene derivative, material for light emitting element, light emitting element, light emitting device, and electronic appliance |
KR100729043B1 (ko) * | 2005-09-14 | 2007-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
JP2007088001A (ja) | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Ricoh Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた画像表示装置並びに薄膜トランジスタの製造方法 |
US8330887B2 (en) * | 2007-07-27 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
-
2008
- 2008-04-04 JP JP2008098346A patent/JP5376826B2/ja active Active
-
2009
- 2009-04-06 US US12/418,671 patent/US7851803B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004288836A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Toshiba Corp | 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2006165528A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | 画像表示装置 |
JP2006286773A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法並びに薄膜トランジスタアレイおよび薄膜トランジスタディスプレイ |
JP2007335560A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ、表示装置、有機薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2008065225A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ、それを用いた画像表示装置およびその駆動方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013525913A (ja) * | 2010-04-28 | 2013-06-20 | ドンジン セミケム カンパニー リミテッド | タッチパネルおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7851803B2 (en) | 2010-12-14 |
US20090250694A1 (en) | 2009-10-08 |
JP5376826B2 (ja) | 2013-12-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10317763B2 (en) | Display device | |
JP2014225680A (ja) | 半導体装置,半導体装置の製造方法,表示装置及び表示装置の製造方法 | |
KR101113394B1 (ko) | 액정표시장치의 어레이 기판 | |
JP5060738B2 (ja) | 画像表示装置 | |
WO2017054271A1 (zh) | 低温多晶硅tft基板 | |
JP7085352B2 (ja) | 表示装置 | |
WO2017065199A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2023029646A (ja) | 表示装置 | |
JP4141309B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
WO2011043300A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US10361229B2 (en) | Display device | |
WO2019146264A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
US20130256668A1 (en) | Array substrate and method of fabricating the same | |
JP2011049529A (ja) | トランジスタ回路 | |
JP2010135384A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法及び液晶表示装置 | |
JP2009211009A (ja) | 液晶表示装置 | |
TWI519879B (zh) | 顯示面板及包含該顯示面板的顯示裝置 | |
WO2013021607A1 (ja) | 液晶表示装置、および液晶表示装置の製造方法 | |
TWI651574B (zh) | 顯示面板及其製造方法 | |
JP5376826B2 (ja) | 半導体装置,半導体装置の製造方法及び表示装置 | |
WO2014042058A1 (ja) | 回路基板、その製造方法及び表示装置 | |
JP2019186301A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
US9577113B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
KR102132412B1 (ko) | 표시장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
US9035364B2 (en) | Active device and fabricating method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110208 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111216 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120914 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20121004 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130312 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130827 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130924 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5376826 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |