JP2009245707A - Display device, and method for manufacturing display device - Google Patents

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Hiroshi Sagawa
裕志 佐川
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device and a method for manufacturing the display device capable of preventing the occurrence of a defect due to foreign matter sticking between pixel apertures and damage in configuration of setting a plurality of divided pixels as one sub-pixel and sharing a vapor deposition pattern among a plurality of pixel apertures. <P>SOLUTION: The display device 55 has lower electrodes 43 provided on a substrate 1; an insulating film 45 having a plurality of apertures 45a exposing the lower electrodes 43, and including thin film parts 45c whose film thickness between the apertures 45a adjacent in a predetermined direction is set thinner in comparison with the other parts; vapor deposition patterns 47r 47g, 47b provided in a form of continuously covering the adjacent apertures 45a through the thin film parts 45c including a light emission layer; and upper electrodes 49 provided in a state of holding the vapor deposition patterns 47r, 47g, 47b between themselves and the lower electrodes 43. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は表示装置および表示装置の製造方法に関し、特には、有機電界発光素子を備えた表示装置および、その製造方法に関する。   The present invention relates to a display device and a manufacturing method of the display device, and more particularly to a display device including an organic electroluminescent element and a manufacturing method thereof.

平面型の表示装置を構成する有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に、発光層を含む有機膜を挟持してなる。このような構成の有機電界発光素子を用いた表示装置では、陽極と陰極との間に異物が混入すると、この異物よって陽極−陰極間の短絡が引き起こされ、画素が発光しない滅点欠陥が発生する。このような異物による不具合の影響は、高精細化が図られた表示装置において顕著になる。   An organic electroluminescent element constituting a flat display device is formed by sandwiching an organic film including a light emitting layer between an anode and a cathode. In a display device using an organic electroluminescent element having such a configuration, if a foreign substance is mixed between the anode and the cathode, the foreign substance causes a short circuit between the anode and the cathode, resulting in a dark spot defect in which the pixel does not emit light. To do. The influence of such a defect due to foreign matters becomes significant in a display device with high definition.

そこで、1画素に配置される有機電界発光素子を複数個に画素分割する構成が提案されている。この場合、同一画素内のいずれかの有機電界発光素子が異物によるショート等で欠陥化しても、いずれかの有機電界発光素子が正常に発光するため画素が完全な滅点になることを防止している。   In view of this, a configuration has been proposed in which an organic electroluminescent element arranged in one pixel is divided into a plurality of pixels. In this case, even if one of the organic electroluminescent elements in the same pixel becomes defective due to a short circuit due to a foreign substance, any one of the organic electroluminescent elements emits light normally, thereby preventing the pixel from becoming a complete dark spot. ing.

ここで、以上のような有機電界発光素子を用いた表示装置の製造において、発光層を含む蒸着パターンの形成は、そして、赤(R)緑(G)青(B)の各副画素に対する各有機材料を、マスク蒸着法によってそれぞれの画素に塗り分ける3色塗り分け方式で行われる。図12および図13には、画素分割した構成の表示装置について、マスク蒸着による3色塗り分け方式を示す。尚、図13は、図12の平面図における各部分の断面図である。   Here, in the manufacture of the display device using the organic electroluminescent element as described above, the formation of the vapor deposition pattern including the light emitting layer is performed for each sub-pixel of red (R) green (G) blue (B). An organic material is applied by a three-color coating method in which each pixel is coated by a mask vapor deposition method. 12 and 13 show a three-color painting method by mask vapor deposition for a display device having a pixel-divided configuration. 13 is a cross-sectional view of each part in the plan view of FIG.

図12(1)およびそのA−A’断面図である図13(1)に示すように、基板201上には、平面略矩形形状を有する各色の副画素a(R),a(G),a(B)が設けられている。そして短辺方向に配列された3つの副画素a(R),a(G),a(B)を1組とした略正方形の表示画素を構成している。ここではまず、これらの副画素a(R),a(G),a(B)を、それぞれ3つに画素分割するために、各副画素aのそれぞれに3つの下部電極(例えば陽極)202を形成する。そして、この上部に、3つの下部電極202の中央を開口する開口窓203aを備えた絶縁膜203を形成する。   As shown in FIG. 12 (1) and FIG. 13 (1) which is a cross-sectional view taken along the line AA ′, sub-pixels a (R) and a (G) of respective colors having a substantially rectangular shape on the substrate 201 are formed on the substrate 201. , A (B) are provided. Then, a substantially square display pixel is formed with a set of three sub-pixels a (R), a (G), and a (B) arranged in the short side direction. Here, first, in order to divide these sub-pixels a (R), a (G), and a (B) into three, respectively, three lower electrodes (for example, anodes) 202 are provided for each sub-pixel a. Form. Then, an insulating film 203 having an opening window 203a opening the center of the three lower electrodes 202 is formed on the upper portion.

そして、このような絶縁膜203に蒸着マスク204を対向配置させる。この蒸着マスク204には、各色の画素a(R),a(G),a(B)のうちの1色に対応する複数のマスク開口204aが設けられている。これらのマスク開口204aは、各色の画素a(R),a(G),a(B)毎に設けられている3つの開口窓203aを、一括で露出させる形状となっている。   Then, the vapor deposition mask 204 is disposed opposite to the insulating film 203. The vapor deposition mask 204 is provided with a plurality of mask openings 204a corresponding to one of the pixels a (R), a (G), and a (B) of each color. These mask openings 204a have a shape that collectively exposes three opening windows 203a provided for each color pixel a (R), a (G), and a (B).

そして先ず、例えば赤色の画素a(R)にマスク開口204aを一致させるように、絶縁膜203に対して蒸着マスク204を対向配置させる。この際、絶縁膜203と蒸着マスク204とを密着させる。この状態で、蒸着マスク204側から有機材料の蒸気を供給する。そして、1つのマスク開口204aを通過した蒸気を、3つの開口窓203a内の下部電極202上に一括で蒸着させて赤色発光用の蒸着パターン205rを形成する。   First, for example, the vapor deposition mask 204 is disposed opposite to the insulating film 203 so that the mask opening 204a is aligned with the red pixel a (R). At this time, the insulating film 203 and the vapor deposition mask 204 are brought into close contact with each other. In this state, vapor of the organic material is supplied from the vapor deposition mask 204 side. Then, the vapor that has passed through one mask opening 204a is vapor-deposited on the lower electrode 202 in the three opening windows 203a in a lump to form a red light-evaporation pattern 205r.

その後、図12(2)に示すように、蒸着マスク204の位置をずらす。そして、例えば緑色の画素a(G)にマスク開口204aを一致させ、絶縁膜203と蒸着マスク204を密着させる。この状態で、蒸着マスク204側から有機材料の蒸気を供給し、1つのマスク開口204aを通過した蒸気を、3つの開口窓203a内の下部電極上に一括で蒸着させて緑色発光用の蒸着パターン205gを形成する。   Thereafter, as shown in FIG. 12B, the position of the vapor deposition mask 204 is shifted. Then, for example, the mask opening 204a is aligned with the green pixel a (G), and the insulating film 203 and the vapor deposition mask 204 are brought into close contact with each other. In this state, vapor of an organic material is supplied from the vapor deposition mask 204 side, and vapor that has passed through one mask opening 204a is vapor-deposited collectively on the lower electrode in the three opening windows 203a to form a vapor deposition pattern for green light emission. 205 g is formed.

最後に、図12(3)に示すように、蒸着マスク204の位置を再度ずらし、例えば緑色の画素a(B)にマスク開口204aを一致させ、絶縁膜203と蒸着マスク204とを密着させる。この状態で、蒸着マスク204側から有機材料の蒸気を供給し、1つのマスク開口204aを通過した蒸気を、3つの開口窓203a内の下部電極上に一括で蒸着させて青色発光用の蒸着パターン205bを形成する。   Finally, as shown in FIG. 12C, the position of the vapor deposition mask 204 is shifted again, for example, the mask opening 204a is aligned with the green pixel a (B), and the insulating film 203 and the vapor deposition mask 204 are brought into close contact with each other. In this state, vapor of an organic material is supplied from the vapor deposition mask 204 side, and vapor that has passed through one mask opening 204a is vapor-deposited collectively on the lower electrode in the three opening windows 203a to form a vapor deposition pattern for blue light emission. 205b is formed.

また、以上のような複数の開口窓203a内の下部電極202上に一括で蒸着パターンを蒸着される3色塗り分け方法は、画素分割された構成の表示装置の作製に対して適用されるだけではなく、通常の画素分割されていない表示装置に対しても同様に行われている(下記特許文献1参照)。   In addition, the three-color coating method in which a deposition pattern is deposited on the lower electrode 202 in the plurality of opening windows 203a as described above is only applied to the manufacture of a display device having a pixel-divided configuration. Instead, the same applies to a display device that is not divided into pixels (see Patent Document 1 below).

特開2003−203767号公報(図1および図3参照)Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-203767 (see FIGS. 1 and 3)

しかしながら、このようなマスク蒸着法において、特に1枚の蒸着マスクを各色の蒸着パターンの蒸着に用いる方法には、次のような問題があった。この問題を、先の図12とこれに対応する図13の断面工程図に従って説明する。   However, in such a mask vapor deposition method, the method of using a single vapor deposition mask for vapor deposition of each color vapor deposition pattern has the following problems. This problem will be described with reference to FIG. 12 and the corresponding sectional process diagram of FIG.

すなわち、図12(1)および図13(1)に示したように、はじめの蒸着パターン205rを蒸着形成した後に、図12(2)およびそのA−A’断面である図13(2)に示すように蒸着マスクマスク204をずらす。これにより、絶縁膜203上の蒸着パターン205rに蒸着マスク204が接触する。この接触により、蒸着マスク204側に蒸着パターン205rが密着する場合がある。この場合、図12(3)およびそのB−B’断面である図13(3)に示すように、さらに蒸着マスクマスク204をずらすと、蒸着マスク204に密着した蒸着パターン205rが、先に形成された絶縁膜204上の蒸着パターン205gに接触する。これにより、蒸着パターン205rが蒸着パターン205g側に転写されたり、蒸着パターン205rの押し付けによって蒸着パターン205gに凹状の打痕Mが形成される。   That is, as shown in FIG. 12 (1) and FIG. 13 (1), after the first vapor deposition pattern 205r is formed by vapor deposition, FIG. 12 (2) and FIG. As shown, the deposition mask mask 204 is shifted. Thereby, the vapor deposition mask 204 contacts the vapor deposition pattern 205r on the insulating film 203. Due to this contact, the vapor deposition pattern 205r may be in close contact with the vapor deposition mask 204 side. In this case, as shown in FIG. 12 (3) and FIG. 13 (3) which is a BB ′ cross section, when the vapor deposition mask mask 204 is further shifted, a vapor deposition pattern 205 r in close contact with the vapor deposition mask 204 is formed first. The deposited pattern 205g on the insulating film 204 is contacted. Thereby, the vapor deposition pattern 205r is transferred to the vapor deposition pattern 205g side, or a concave dent M is formed in the vapor deposition pattern 205g by pressing the vapor deposition pattern 205r.

このような状態で、次の工程では、蒸着パターン205g(205r,205b)を覆う状態で、絶縁膜203上の全面に上部電極(例えば陰極)206を成膜し、下部電極202−上部電極206間に蒸着パターン205g(205r,205b)を挟持してなる有機電界発光素子を得る。この場合、上述したように蒸着パターン205rの転写部分や、蒸着パターン205gに形成された凹状の打痕を覆う状態で上部電極206が成膜されることになるため、段差部分において上部電極206が断線し易く、画素が欠陥化する。   In this state, in the next step, an upper electrode (for example, a cathode) 206 is formed on the entire surface of the insulating film 203 so as to cover the vapor deposition pattern 205g (205r, 205b), and the lower electrode 202-the upper electrode 206 are formed. An organic electroluminescent element obtained by sandwiching the vapor deposition pattern 205g (205r, 205b) therebetween is obtained. In this case, as described above, the upper electrode 206 is formed in a state of covering the transferred portion of the vapor deposition pattern 205r and the concave dent formed on the vapor deposition pattern 205g. It is easy to disconnect and the pixel becomes defective.

そこで本発明は、複数の分割画素を1つの副画素とする構成において、分割画素間への異物付着や損傷による欠陥発生を防止できる表示装置および表示装置の製造方法を提供する。   Therefore, the present invention provides a display device and a method for manufacturing the display device that can prevent the occurrence of defects due to adhesion or damage of foreign matter between divided pixels in a configuration in which a plurality of divided pixels are used as one sub-pixel.

このような目的を達成するための本発明の表示装置は、基板上に設けられた下部電極を有している。また、下部電極を露出する複数の開口窓を有すると共に、所定方向に隣接する当該開口窓間の膜厚が他の部分と比較して薄く設定された薄膜部を備えた絶縁膜を有している。さらに、発光層を含み、前記薄膜部を介して隣接する前記開口窓を連続して覆う形状で設けられた蒸着パターンを有している。また下部電極との間に前記蒸着パターンを挟持する状態で設けられた上部電極を有している。   In order to achieve such an object, a display device of the present invention has a lower electrode provided on a substrate. In addition, it has a plurality of opening windows exposing the lower electrode, and an insulating film having a thin film portion in which the film thickness between the opening windows adjacent in a predetermined direction is set to be thinner than other portions Yes. Furthermore, it has the vapor deposition pattern provided in the shape which covers the said opening window adjacent via the said thin film part including a light emitting layer. Moreover, it has the upper electrode provided in the state which pinched | interposed the said vapor deposition pattern between lower electrodes.

1つの蒸着パターンによって連続して覆われる複数の開口窓間の絶縁膜を、薄膜部としたことにより、絶縁膜上に載置される蒸着マスクに対して、開口窓間の絶縁膜部分が接触することが防止される。これにより、蒸着パターンの形成工程において絶縁膜がダメージを受けることが抑えられる。   By making the insulating film between the plurality of opening windows continuously covered by one evaporation pattern into a thin film portion, the insulating film portion between the opening windows is in contact with the evaporation mask placed on the insulating film. Is prevented. Thereby, it is suppressed that an insulating film receives a damage in the formation process of a vapor deposition pattern.

また本発明は、このような表示装置の製造方法でもあり、次の工程を順に行う。先ず、基板上に下部電極を形成する。次に、下部電極を露出する複数の開口窓を有すると共に、所定方向に隣接する当該開口窓間の膜厚が他の部分と比較して薄く設定された薄膜部を備えた絶縁膜を、前記基板上に形成する。その後、薄膜部を介して隣接する前記開口窓を蒸着マスクのマスク開口から連続して露出させた状態での蒸着成膜を行うことにより、当該隣接する開口窓を連続して覆う形状の蒸着パターンを形成する。さらに、蒸着マスクを前記基板に対して相対的に移動させ、異なる位置において前記隣接する開口窓を当該マスク開口から連続して露出させた状態で蒸着成膜を行うことにより、当該隣接する開口窓を連続して覆う形状の別の蒸着パターンを形成する。以上の後、下部電極との間に前記蒸着パターンを挟持する状態で上部電極を形成する。   Moreover, this invention is also a manufacturing method of such a display apparatus, and performs the next process in order. First, a lower electrode is formed on a substrate. Next, an insulating film having a plurality of opening windows exposing the lower electrode and having a thin film portion in which the film thickness between the opening windows adjacent in a predetermined direction is set to be thinner than the other parts, Form on the substrate. After that, by performing vapor deposition film formation in a state in which the adjacent opening window is continuously exposed from the mask opening of the vapor deposition mask through the thin film portion, a vapor deposition pattern having a shape that continuously covers the adjacent open window Form. Furthermore, by moving the vapor deposition mask relative to the substrate and performing the vapor deposition film formation in a state where the adjacent opening window is continuously exposed from the mask opening at different positions, the adjacent opening window is obtained. Another vapor deposition pattern having a shape covering continuously is formed. After the above, the upper electrode is formed in a state where the vapor deposition pattern is sandwiched between the lower electrode.

以上のような本発明では、1つの蒸着パターンによって連続して覆われる複数の開口窓間の絶縁膜を薄膜部としたことにより、初めに形成された蒸着パターンに対して位置を移動させた蒸着マスクが接触することが防止される。このため、蒸着マスクに対して、初めに形成された蒸着パターン材料が付着することが防止される。したがって蒸着マスクに付着した蒸着パターン材料によって、絶縁膜やその上部の蒸着パターンにダメージが加えられることが防止される。   In the present invention as described above, the insulating film between a plurality of opening windows continuously covered by one vapor deposition pattern is used as a thin film portion, so that the vapor deposition is moved with respect to the vapor deposition pattern formed first. The mask is prevented from contacting. For this reason, it is prevented that the vapor deposition pattern material formed initially adheres with respect to a vapor deposition mask. Therefore, damage to the insulating film and the vapor deposition pattern thereon is prevented by the vapor deposition pattern material adhering to the vapor deposition mask.

以上説明したように本発明によれば、複数の開口窓を1つの蒸着パターンで覆う構成の、例えば画素分割された構成の表示装置を作製する際、開口窓(分割画素)間の絶縁膜への異物付着や損傷による欠陥発生を防止することが可能である。   As described above, according to the present invention, when a display device having a configuration in which a plurality of aperture windows are covered with one vapor deposition pattern, for example, a configuration in which pixels are divided, is manufactured, the insulating film between the aperture windows (divided pixels) is formed. It is possible to prevent the occurrence of defects due to foreign matter adhesion or damage.

以下本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、表示装置の製造方法として、薄膜トランジスタに有機電界発光素子を接続されたアクティブマトリックス型の表示装置の製造手順を説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Here, as a manufacturing method of the display device, a manufacturing procedure of an active matrix display device in which an organic electroluminescence element is connected to a thin film transistor will be described.

先ず、図1およびそのA−A’断面に相等する図2に示すように、基板1上に、走査線11および電源線12、これらと垂直に信号線13を配線する。そして、これらの走査線11および電源線12と、信号線13との各交差部に配置される各副画素a(R),a(G),a(B)に、3つのスイッチング用の薄膜トランジスタTr1、3つの駆動用の薄膜トランジスタTr2、さらには3つの容量素子Csからなる画素駆動回路を形成する。各副画素a(R),a(G),a(B)に形成される各画素駆動回路においては、1本の走査線11と1本の信号線13を共有する3つの薄膜トランジスタTrが、それぞれ容量素子Csの下部電極に接続されている。また、これらの容量素子Csの上部電極が、3つの駆動用の薄膜トランジスタTr2のソース電極を構成している。そして、3つの薄膜トランジスタTr2のソース電極には、ここでの図示を省略した有機電界発光素子がそれぞれ接続されている。尚、図2の断面図においては、容量素子Csのみが図示されている。   First, as shown in FIG. 1 and FIG. 2 equivalent to the A-A ′ cross section, the scanning lines 11 and the power supply lines 12 and the signal lines 13 are wired on the substrate 1 perpendicularly thereto. Three switching thin film transistors are provided in each sub-pixel a (R), a (G), a (B) disposed at each intersection of the scanning line 11 and the power supply line 12 and the signal line 13. A pixel driving circuit including Tr1, three driving thin film transistors Tr2, and three capacitive elements Cs is formed. In each pixel driving circuit formed in each sub-pixel a (R), a (G), a (B), three thin film transistors Tr sharing one scanning line 11 and one signal line 13 include: Each is connected to the lower electrode of the capacitive element Cs. Further, the upper electrodes of these capacitive elements Cs constitute source electrodes of three driving thin film transistors Tr2. The organic electroluminescence elements not shown here are connected to the source electrodes of the three thin film transistors Tr2, respectively. In the cross-sectional view of FIG. 2, only the capacitive element Cs is shown.

このような画素駆動回路は、走査線11で選択されたスイッチング用の薄膜トランジスタTr1を介して信号線13から書き込まれた映像信号が保持容量Csに保持される。そして、保持された信号量に応じた電流が、各駆動用の薄膜トランジスタTr2のソースSから、ここでの図示を省略した各有機電界発光素子に供給され、この電流値に応じた輝度で有機電界発光素子が発光する構成として形成する。これにより、各副画素a(R),a(G),a(B)の画素駆動回路に接続される各3つの有機電界発光素子は、同一の電流値に応じた輝度で発光する構成となる。   In such a pixel driving circuit, the video signal written from the signal line 13 via the switching thin film transistor Tr1 selected by the scanning line 11 is held in the holding capacitor Cs. Then, a current corresponding to the held signal amount is supplied from the source S of each driving thin film transistor Tr2 to each organic electroluminescence element not shown here, and an organic electric field with luminance corresponding to this current value. The light emitting element is formed to emit light. Accordingly, each of the three organic electroluminescent elements connected to the pixel driving circuit of each of the sub-pixels a (R), a (G), and a (B) emits light with a luminance corresponding to the same current value. Become.

また特に、走査線11方向に隣接する副画素a(G),a(B)、副画素a(R),a(G)、…は信号線13を対称線として反転して設けられ、電源線12の一部を共有する構成として形成する。   In particular, the subpixels a (G), a (B), subpixels a (R), a (G),... Adjacent in the direction of the scanning line 11 are provided by inverting the signal line 13 as a symmetric line. A part of the line 12 is formed to be shared.

以上のような構成の画素駆動回路を形成する場合、ここでは先ず、基板1上に、第1金属パターン21からなる信号線13の一部および容量素子(Cs)の下部電極部分、さらには薄膜トランジスタTr1,Tr2のゲート電極14を形成する。このような、第1金属パターン21は、例えばスパッタ法により成膜したモリブデン(Mo)膜を、レジストパターンをマスクにしてパターンエッチングすることによって形成する。尚、第1金属パター21は、モリブデン(Mo)により構成されているとは限らず、後の熱工程において変質しにくい高融点の金属であればよい。   In the case of forming the pixel driving circuit having the above configuration, first, on the substrate 1, a part of the signal line 13 made of the first metal pattern 21, the lower electrode part of the capacitive element (Cs), and the thin film transistor The gate electrodes 14 of Tr1 and Tr2 are formed. Such a first metal pattern 21 is formed by pattern etching a molybdenum (Mo) film formed by, for example, a sputtering method using a resist pattern as a mask. Note that the first metal putter 21 is not necessarily made of molybdenum (Mo), and may be a high melting point metal that hardly changes in the subsequent heat process.

次に、図2の断面図に示すように、これらの第1金属パターン21を覆う状態で、例えば酸化シリコンや窒化シリコンを用いたゲート絶縁膜31を成膜する。その後、ゲート絶縁膜31上に非晶質シリコンからなる半導体薄膜32を成膜してこれを結晶化させ、チャネル領域となる半導体薄膜32部分の上部に、絶縁性のストッパ層33をパターン形成する。次いで、ストッパ層33を覆う状態で、例えばn型の不純物を含有するシリコンからなるn型半導体層34を成膜し、n型半導体層34と半導体薄膜32とを、ゲート電極14の上方において島状にパターニングし、薄膜トランジスタTr2(Tr1)を形成する。   Next, as shown in the cross-sectional view of FIG. 2, a gate insulating film 31 using, for example, silicon oxide or silicon nitride is formed in a state of covering the first metal pattern 21. Thereafter, a semiconductor thin film 32 made of amorphous silicon is formed on the gate insulating film 31 and crystallized, and an insulating stopper layer 33 is patterned on the upper portion of the semiconductor thin film 32 serving as a channel region. . Next, an n-type semiconductor layer 34 made of, for example, silicon containing n-type impurities is formed in a state of covering the stopper layer 33, and the n-type semiconductor layer 34 and the semiconductor thin film 32 are placed above the gate electrode 14 in the island. The thin film transistor Tr2 (Tr1) is formed.

次に、図1にも示したように、薄膜トランジスタTr1、Tr2が形成された基板1上に、第2金属パターン22からなる走査線11、電源線12、容量素子Csの上部電極、信号線13の一部分、さらには薄膜トランジスタTr2(Tr1)に接続されたソース電極とドレイン電極とを形成する。これにより各副画素各副画素a(R),a(G),a(B)に、画素駆動回路が設けられる。   Next, as shown in FIG. 1, the scanning line 11 made of the second metal pattern 22, the power supply line 12, the upper electrode of the capacitor element Cs, and the signal line 13 are formed on the substrate 1 on which the thin film transistors Tr <b> 1 and Tr <b> 2 are formed. And a source electrode and a drain electrode connected to the thin film transistor Tr2 (Tr1). As a result, a pixel driving circuit is provided for each subpixel a (R), a (G), and a (B).

尚、以上説明したプロセスと同一プロセスを適用して、ここでの図示を省略した表示領域の周辺に設けられる周辺駆動回路を構成する他の素子および配線を形成する。   Note that the same process as described above is applied to form other elements and wirings constituting a peripheral drive circuit provided in the periphery of the display region not shown here.

次に、図2および、図3の平面図に示すように、画素駆動回路が形成された基板1上に、層間絶縁膜41を形成する。この層間絶縁膜41は、表面平坦に形成されることが望ましい。次に、層間絶縁膜41には、各薄膜トランジスタTr2に接続された容量素子Csに達する3つの接続孔41aが設けられていることとする。尚、層間絶縁膜41は、例えば保護膜としてのパッシベーション膜とその上部の平坦化膜との積層構造であることとする。   Next, as shown in the plan views of FIGS. 2 and 3, an interlayer insulating film 41 is formed on the substrate 1 on which the pixel driving circuit is formed. The interlayer insulating film 41 is desirably formed to have a flat surface. Next, the interlayer insulating film 41 is provided with three connection holes 41a reaching the capacitive element Cs connected to each thin film transistor Tr2. Note that the interlayer insulating film 41 has, for example, a stacked structure of a passivation film as a protective film and a planarizing film on the passivation film.

次に、これらの接続孔41aを介して薄膜トランジスタTr2に接続された下部電極43を、1つの副画素a(R),a(G),a(B)に3つずつパターン形成する。これにより、1つの画素駆動回路で3つの下部電極43が駆動される構成となる。尚、この下部電極43は、有機電界発光素子の陽極(または陰極)として用いられるものである。   Next, the lower electrode 43 connected to the thin film transistor Tr2 through these connection holes 41a is formed in a pattern on each of the subpixels a (R), a (G), and a (B). Accordingly, the three lower electrodes 43 are driven by one pixel driving circuit. The lower electrode 43 is used as an anode (or cathode) of the organic electroluminescent element.

また、これら下部電極43の形成と同一工程で、副画素a(R),a(G),a(B)間に補助電極43aを形成する。尚、補助電極43aの配置状態は、下部電極43との絶縁性が保たれる範囲であれば良く、副画素a(R),a(G),a(B)間の全てに配線される必要はない。   The auxiliary electrode 43a is formed between the sub-pixels a (R), a (G), and a (B) in the same process as the formation of the lower electrode 43. The arrangement state of the auxiliary electrode 43a may be in a range in which insulation with the lower electrode 43 is maintained, and wiring is performed between all the sub-pixels a (R), a (G), and a (B). There is no need.

次に、下部電極43の周縁を覆う形状の絶縁膜45を形成する。本実施形態においてはこの絶縁膜45の形状が特徴的である。すなわち絶縁膜45には、各下部電極43の中央部を開口する開口窓45a、さらには補助電極43aに達する接続孔45bが設けられている。開口窓45aの配置状態は、副画素a(R),a(G),a(B)間で共通であることとする。尚、各開口窓45aは、各副画素副画素a(R),a(G),a(B)を構成する分割画素の画素開口となる。   Next, an insulating film 45 having a shape covering the periphery of the lower electrode 43 is formed. In this embodiment, the shape of the insulating film 45 is characteristic. That is, the insulating film 45 is provided with an opening window 45a that opens the center of each lower electrode 43, and further, a connection hole 45b that reaches the auxiliary electrode 43a. The arrangement state of the opening window 45a is assumed to be common among the sub-pixels a (R), a (G), and a (B). Note that each opening window 45a is a pixel opening of a divided pixel constituting each subpixel subpixel a (R), a (G), a (B).

そして特に、この絶縁膜45は、副画素a(R),a(G),a(B)内に配置された3つの下部電極43間を覆う部分が、副画素a(R),a(G),a(B)間を覆う部分よりも膜厚が薄い薄膜部45cとして形成されている。この薄膜部45cの膜厚は、その周囲の絶縁膜45部分の膜厚の1/2程度であることとする。   In particular, the insulating film 45 has a portion covering the three lower electrodes 43 arranged in the sub-pixels a (R), a (G), and a (B). G) and a (B) are formed as a thin film portion 45c having a thinner film thickness than the portion covering the space. The film thickness of the thin film portion 45c is about ½ of the film thickness of the surrounding insulating film 45 portion.

さらに、この絶縁膜45においては、図1を参照して第1金属パターン21と第2金属パターン22とが積層して配置される位置に対応する部分が、絶縁膜45の下地となる部分(すなわち絶縁膜45が形成される基板)の平均的な高さ方向の部分よりも高くなる。そこで、このような下地が他の部分より高くなる部分を、副画素a(R),a(G),a(B)間を覆う部分よりも膜厚が厚い厚膜部45dとして形成しても良い。この厚膜部45dの膜厚は、その周囲の絶縁膜45部分の膜厚の1.25倍〜1.5弱倍程度であることとする。   Furthermore, in this insulating film 45, a portion corresponding to a position where the first metal pattern 21 and the second metal pattern 22 are stacked and disposed with reference to FIG. That is, it becomes higher than the average height portion of the substrate on which the insulating film 45 is formed. Therefore, a portion where the background is higher than the other portions is formed as a thick film portion 45d having a thickness greater than a portion covering between the sub-pixels a (R), a (G), and a (B). Also good. The thickness of the thick film portion 45d is about 1.25 to 1.5 times the thickness of the surrounding insulating film 45 portion.

以上のように、開口窓45aや接続孔43b、さらには薄膜部45cや厚膜部45dのような膜厚差を有する絶縁膜45の形成は、リソグラフィーによって行うこととする。絶縁膜45は感光性樹脂から成り、絶縁膜45の膜厚に合わせて感光性樹脂の各部分に照射する露光光の露光量を調整することにより、現像後の感光性樹脂を、開口窓45aや接続孔43b、さらには薄膜部45cや厚膜部45dのような膜厚差を有する絶縁膜45として形成する。なお、感光性樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリベンズオキサゾール樹脂、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、またはアクリル樹脂などが用いられる。尚、上述した層間絶縁膜41を構成する平坦化膜も、この絶縁膜45と同様のプロセスで形成される。   As described above, the insulating film 45 having a difference in film thickness such as the opening window 45a and the connection hole 43b, and the thin film portion 45c and the thick film portion 45d is formed by lithography. The insulating film 45 is made of a photosensitive resin. By adjusting the exposure amount of the exposure light applied to each part of the photosensitive resin in accordance with the film thickness of the insulating film 45, the photosensitive resin after the development is removed from the opening window 45a. In addition, the insulating film 45 having a film thickness difference such as the thin film portion 45c and the thick film portion 45d is formed. As the photosensitive resin, polyimide resin, polybenzoxazole resin, novolac resin, polyhydroxystyrene, acrylic resin, or the like is used. Note that the planarizing film constituting the interlayer insulating film 41 is also formed by the same process as the insulating film 45.

以上の後には、3色塗り分け方式を適用したマスク蒸着法によって、赤(R)緑(G)青(B)の各有機材料を、それぞれの副画素a(R),a(G),a(B)に塗り分けて蒸着パターンを形成する。この方式は、従来と同様であって良い。ここでの蒸着パターンの形成を、図4の平面工程図と、その各部断面図である図5の断面工程図に基づいて説明する。尚、図5においては絶縁膜45の下層の画素駆動回路の図示は省略している。   After the above, each organic material of red (R), green (G), and blue (B) is applied to each of the sub-pixels a (R), a (G), A vapor deposition pattern is formed by coating a (B). This method may be the same as the conventional one. The formation of the vapor deposition pattern here will be described based on the plan process diagram of FIG. 4 and the sectional process diagram of FIG. In FIG. 5, the pixel drive circuit below the insulating film 45 is not shown.

すなわち、先ず図4(1)およびそのA−A’断面に対応する図5(1)に示すように、各色の画素a(R),a(G),a(B)のうちの1色に対応する複数のマスク開口204aが設けられた蒸着マスク204を用意する。これらのマスク開口204aは、各色の画素a(R),a(G),a(B)毎に設けられている3つの開口窓45aを、一括で露出させる形状となっている。ただし、絶縁膜45に設けられた接続孔45bは、蒸着マスク204で塞がれた状態に保たれることとする。   That is, first, as shown in FIG. 4 (1) and FIG. 5 (1) corresponding to the AA ′ cross section, one of the pixels a (R), a (G), and a (B) of each color. A vapor deposition mask 204 provided with a plurality of mask openings 204a corresponding to the above is prepared. These mask openings 204a have a shape that collectively exposes three opening windows 45a provided for each color pixel a (R), a (G), and a (B). However, the connection hole 45 b provided in the insulating film 45 is kept closed by the vapor deposition mask 204.

そして先ず、例えば赤色の画素a(R)にマスク開口204aを一致させるように、絶縁膜45に対して蒸着マスク204を対向配置させる。この際、絶縁膜45と蒸着マスク204とを密着させる。この際、基板1上に蒸着マスク204を載置する状態として良い。これにより、絶縁膜45と蒸着マスク204とは接触した状態となる。この状態で、蒸着マスク204側から有機材料の蒸気を供給する。そして、1つのマスク開口204aを通過した蒸気を、3つの開口窓45a内の下部電極45上に一括で蒸着させて赤色発光用の蒸着パターン47rを形成する。   First, for example, the vapor deposition mask 204 is disposed opposite to the insulating film 45 so that the mask opening 204a is aligned with the red pixel a (R). At this time, the insulating film 45 and the vapor deposition mask 204 are brought into close contact with each other. At this time, the vapor deposition mask 204 may be placed on the substrate 1. As a result, the insulating film 45 and the vapor deposition mask 204 are in contact with each other. In this state, vapor of the organic material is supplied from the vapor deposition mask 204 side. Then, the vapor that has passed through one mask opening 204a is vapor-deposited at once on the lower electrode 45 in the three opening windows 45a, thereby forming a red light-emitting vapor deposition pattern 47r.

その後、図4(2)およびそのA−A’断面に対応する図5(2)に示すように、蒸着マスク204の位置をずらす。そして、例えば緑色の画素a(G)にマスク開口204aを一致させると共に、赤色の画素a(R)および青色の画素a(B)を塞ぐ状態で、絶縁膜45と蒸着マスク204を密着させる。この際、基板1上に蒸着マスク204を載置する状態として良い。これにより、絶縁膜45と蒸着マスク204とは接触した状態となる。この状態で、蒸着マスク204側から有機材料の蒸気を供給し、1つのマスク開口204aを通過した蒸気を、3つの開口窓45a内の下部電極45上に一括で蒸着させて緑色発光用の蒸着パターン47gを形成する。   After that, as shown in FIG. 4B and FIG. 5B corresponding to the A-A ′ cross section, the position of the vapor deposition mask 204 is shifted. Then, for example, the mask opening 204a is aligned with the green pixel a (G), and the insulating film 45 and the vapor deposition mask 204 are brought into close contact with each other while the red pixel a (R) and the blue pixel a (B) are closed. At this time, the vapor deposition mask 204 may be placed on the substrate 1. As a result, the insulating film 45 and the vapor deposition mask 204 are in contact with each other. In this state, vapor of an organic material is supplied from the vapor deposition mask 204 side, and vapor that has passed through one mask opening 204a is vapor-deposited collectively on the lower electrode 45 in the three opening windows 45a to deposit green light. A pattern 47g is formed.

最後に、図4(3)およびそのB−B’断面に対応する図5(3)に示すように、に示すように、蒸着マスク204の位置を再度ずらし、例えば青色の画素a(B)にマスク開口204aを一致させると共に、赤色の画素a(R)および緑色の画素a(G)を塞ぎ、絶縁膜45と蒸着マスク204とを密着させる。この際、基板1上に蒸着マスク204を載置する状態として良い。これにより、絶縁膜45と蒸着マスク204とは接触した状態となる。この状態で、蒸着マスク204側から有機材料の蒸気を供給し、1つのマスク開口204aを通過した蒸気を、3つの開口窓45a内の下部電極45上に一括で蒸着させて青色発光用の蒸着パターン47bを形成する。   Finally, as shown in FIG. 4 (3) and FIG. 5 (3) corresponding to the BB ′ cross section, the position of the vapor deposition mask 204 is shifted again as shown in FIG. 4, for example, a blue pixel a (B). The mask opening 204a is matched with the red pixel a (R) and the green pixel a (G), and the insulating film 45 and the vapor deposition mask 204 are brought into close contact with each other. At this time, the vapor deposition mask 204 may be placed on the substrate 1. As a result, the insulating film 45 and the vapor deposition mask 204 are in contact with each other. In this state, vapor of an organic material is supplied from the vapor deposition mask 204 side, and vapor that has passed through one mask opening 204a is vapor-deposited collectively on the lower electrode 45 in the three opening windows 45a to vaporize blue light emission. A pattern 47b is formed.

尚、以上によって形成する蒸着パターン47r,47g,47bは、少なくとも各発光色毎に特有の有機発光層を備えており、例えば陽極側から正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを必要に応じた積層構造で蒸着成膜されることとする。また、これらの蒸着パターン47r,47g,47bは、同一の蒸着マスク204を用いて形成されていることから、同一平面形状で形成されていることになる。   The vapor deposition patterns 47r, 47g, and 47b formed as described above include at least a specific organic light emitting layer for each emission color. For example, from the anode side, a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron The transport layer and the like are formed by vapor deposition with a laminated structure as necessary. Moreover, since these vapor deposition patterns 47r, 47g, and 47b are formed using the same vapor deposition mask 204, they are formed in the same planar shape.

以上のようにして蒸着パターン47r,47g,47bを形成した後には、図2および図6に示したように、これらの蒸着パターン47r,47g,47bを覆う状態で上部電極49を形成する。またこの上部電極49は、絶縁膜45に形成された接続孔45bを介して補助電極43aに接続されるように形成する。この上部電極49は、有機電界発光素子ELの陰極(または陽極)として用いられるものであり、全画素に共通の電極として形成されていることとする。   After the vapor deposition patterns 47r, 47g, 47b are formed as described above, the upper electrode 49 is formed so as to cover these vapor deposition patterns 47r, 47g, 47b as shown in FIGS. The upper electrode 49 is formed so as to be connected to the auxiliary electrode 43a through a connection hole 45b formed in the insulating film 45. The upper electrode 49 is used as a cathode (or an anode) of the organic electroluminescence element EL, and is formed as an electrode common to all pixels.

以上により、層間絶縁膜41上に、下部電極43と上部電極49との間に蒸着パターン47r,47g,47bを挟持してなる有機電界発光素子ELを形成する。この有機電界発光素子ELは、下部電極43において薄膜トランジスタTr2に接続された構成となっている。   As described above, the organic electroluminescent element EL in which the vapor deposition patterns 47r, 47g, 47b are sandwiched between the lower electrode 43 and the upper electrode 49 is formed on the interlayer insulating film 41. This organic electroluminescent element EL has a configuration in which the lower electrode 43 is connected to the thin film transistor Tr2.

次に、基板1の有機電界発光素子EL形成面側に封止基板51を対向配置し、接着性の封止剤53を介してガラス基板1と封止基板51とを貼合せ、表示装置55を完成させる。   Next, the sealing substrate 51 is disposed so as to face the organic electroluminescent element EL forming surface side of the substrate 1, and the glass substrate 1 and the sealing substrate 51 are bonded together via an adhesive sealant 53, and the display device 55. To complete.

以上のようにして得られた表示装置55は、下部電極43と上部電極49との間に発光層を含む蒸着パターン47r,47g,47bを挟持してなる有機電界発光素子ELが、基板1上に配列形成されたものとなる。そして特に、有機電界発光素子ELを分離する開口窓45aを備えた絶縁膜45には、各蒸着パターン47r,47g,47bで共通に覆われた開口窓45a間は、他の部分と比較して膜厚が薄く設定された薄膜部45cとなっている。また、下地の表面高さが他の部分よりも高い位置に対応する部分に、膜厚が他の部分と比較して厚く設定された厚膜部45dを備えたものになる。   In the display device 55 obtained as described above, the organic electroluminescent element EL in which the vapor deposition patterns 47r, 47g, 47b including the light emitting layer are sandwiched between the lower electrode 43 and the upper electrode 49 is formed on the substrate 1. An array is formed. In particular, the insulating film 45 provided with the opening window 45a for separating the organic electroluminescent element EL has a space between the opening windows 45a that is commonly covered with the respective vapor deposition patterns 47r, 47g, and 47b as compared with other portions. The thin film portion 45c has a thin film thickness. Further, a thick film portion 45d having a film thickness set larger than that of the other portion is provided in a portion corresponding to a position where the surface height of the base is higher than that of the other portion.

以上説明した実施形態によれば、1つの蒸着パターン47r,47g,47bによって連続して覆われる複数の開口窓45a間の絶縁膜45部分を薄膜部45cとした。これにより、図5(2)に示したように、初めに形成された蒸着パターン47rに対して、位置を移動させた蒸着マスク204が接触することが防止される。このため、蒸着マスク204に対して、初めに形成された蒸着パターン47r材料が付着することが防止される。そして、図5(3)に示すように、蒸着マスク204の位置をさらに移動した場合に、蒸着マスク204に付着した蒸着パターン材料によって、絶縁膜45やその上部の蒸着パターンにダメージが加えられることを防止できる。   According to the embodiment described above, the insulating film 45 portion between the plurality of opening windows 45a continuously covered by one vapor deposition pattern 47r, 47g, 47b is the thin film portion 45c. Thereby, as shown in FIG. 5B, the deposition mask 204 whose position has been moved is prevented from coming into contact with the deposition pattern 47r formed first. For this reason, the vapor deposition pattern 47r formed first is prevented from adhering to the vapor deposition mask 204. As shown in FIG. 5 (3), when the position of the vapor deposition mask 204 is further moved, the vapor deposition pattern material adhering to the vapor deposition mask 204 causes damage to the insulating film 45 and the vapor deposition pattern above the insulating film 45. Can be prevented.

この結果、複数の開口窓45aを1つの蒸着パターン47r,47g,47bで覆う構成の、例えば画素分割された構成の表示装置55を作製する際、開口窓45a(分割画素)間の絶縁膜45への異物付着や損傷による欠陥発生を防止することが可能である。   As a result, when the display device 55 having a structure in which, for example, the pixel is divided is configured to cover the plurality of opening windows 45a with one vapor deposition pattern 47r, 47g, 47b, the insulating film 45 between the opening windows 45a (divided pixels). It is possible to prevent the occurrence of defects due to foreign matter adhesion or damage to the surface.

また特に、絶縁膜45に、他の部分と比較して下地の表面高さが高い部分に厚膜部45dを設けたことにより、この絶縁膜45に接触して配置される蒸着マスク204は、下地の高さにプラスして膜厚の厚い厚膜部45d上に載置される状態となる。したがって、蒸着マスク204は、おもには厚膜部45dで支持されるため、厚膜部45d以外の絶縁膜45部分に、蒸着マスク204が接触することが防止され、絶縁膜45にダメージが加わることがさらに防止される。   In particular, the deposition mask 204 disposed in contact with the insulating film 45 by providing the insulating film 45 with a thick film portion 45d in a portion where the surface height of the base is higher than other portions, In addition to the height of the base, it is placed on the thick film portion 45d having a large film thickness. Therefore, since the vapor deposition mask 204 is mainly supported by the thick film portion 45d, the vapor deposition mask 204 is prevented from coming into contact with the insulating film 45 other than the thick film portion 45d, and the insulating film 45 is damaged. Is further prevented.

尚、上述した実施形態においては、画素分割方式として、1つの画素駆動回路内に薄膜トランジスタTr1、Tr2および容量素子Csを複数設け、それぞれに対して有機電界発光素子ELの下部電極43を接続させる構成とした。しかしながら、本発明は、1つの蒸着パターン47r,47g,47bで複数の開口窓45a下の下部電極43を覆う構成に広く適用可能であり、画素駆動回路の構成が限定されることはない。したがって、下部電極43毎に異なる画素駆動回路を設けても良く、1つの薄膜トランジスタTr1,Tr2と1つの容量素子Csで構成された画素駆動回路に複数の有機電界発光素子ELを接続させた構成であっても良い。   In the embodiment described above, as a pixel division system, a plurality of thin film transistors Tr1 and Tr2 and a capacitor element Cs are provided in one pixel driving circuit, and the lower electrode 43 of the organic electroluminescence element EL is connected to each of them. It was. However, the present invention is widely applicable to a configuration in which the lower electrode 43 below the plurality of opening windows 45a is covered with one vapor deposition pattern 47r, 47g, 47b, and the configuration of the pixel driving circuit is not limited. Therefore, a different pixel driving circuit may be provided for each lower electrode 43, and a plurality of organic electroluminescence elements EL are connected to a pixel driving circuit constituted by one thin film transistor Tr1, Tr2 and one capacitor element Cs. There may be.

<適用例>
以上説明した本発明に係る製造方法によって得られる表示装置は、図7〜図11に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
<Application example>
Display devices obtained by the manufacturing method according to the present invention described above include various electronic devices shown in FIGS. 7 to 11, such as digital cameras, notebook personal computers, mobile terminal devices such as mobile phones, video cameras, etc. The present invention can be applied to display devices of electronic devices in various fields that display video signals input to electronic devices or video signals generated in electronic devices as images or videos. An example of an electronic device to which the present invention is applied will be described below.

図7は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル102やフィルターガラス103等から構成される映像表示画面部101を含み、その映像表示画面部101として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。   FIG. 7 is a perspective view showing a television to which the present invention is applied. The television according to this application example includes a video display screen unit 101 including a front panel 102, a filter glass 103, and the like, and is created by using the display device according to the present invention as the video display screen unit 101.

図8は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、(A)は表側から見た斜視図、(B)は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部111、表示部112、メニュースイッチ113、シャッターボタン114等を含み、その表示部112として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。   8A and 8B are diagrams showing a digital camera to which the present invention is applied. FIG. 8A is a perspective view seen from the front side, and FIG. 8B is a perspective view seen from the back side. The digital camera according to this application example includes a light emitting unit 111 for flash, a display unit 112, a menu switch 113, a shutter button 114, and the like, and is manufactured by using the display device according to the present invention as the display unit 112.

図9は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体121に、文字等を入力するとき操作されるキーボード122、画像を表示する表示部123等を含み、その表示部123として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。   FIG. 9 is a perspective view showing a notebook personal computer to which the present invention is applied. A notebook personal computer according to this application example includes a main body 121 including a keyboard 122 that is operated when characters and the like are input, a display unit 123 that displays an image, and the like. It is produced by using.

図10は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部131、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ132、撮影時のスタート/ストップスイッチ133、表示部134等を含み、その表示部134として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。   FIG. 10 is a perspective view showing a video camera to which the present invention is applied. The video camera according to this application example includes a main body 131, a lens 132 for shooting an object on a side facing forward, a start / stop switch 133 at the time of shooting, a display unit 134, and the like. It is manufactured by using such a display device.

図11は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、(A)は開いた状態での正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた状態での正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体141、下側筐体142、連結部(ここではヒンジ部)143、ディスプレイ144、サブディスプレイ145、ピクチャーライト146、カメラ147等を含み、そのディスプレイ144やサブディスプレイ145として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。   FIG. 11 is a diagram showing a mobile terminal device to which the present invention is applied, for example, a mobile phone, in which (A) is a front view in an opened state, (B) is a side view thereof, and (C) is in a closed state. (D) is a left side view, (E) is a right side view, (F) is a top view, and (G) is a bottom view. The mobile phone according to this application example includes an upper housing 141, a lower housing 142, a connecting portion (here, a hinge portion) 143, a display 144, a sub display 145, a picture light 146, a camera 147, and the like. And the sub display 145 is manufactured by using the display device according to the present invention.

実施形態の表示装置の製造方法を説明する平面図である。It is a top view explaining the manufacturing method of the display apparatus of embodiment. 実施形態の表示装置の製造方法および表示装置を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method and display apparatus of the display apparatus of embodiment. 実施形態の表示装置の製造方法を説明する平面図である。It is a top view explaining the manufacturing method of the display apparatus of embodiment. 実施形態の表示装置の製造方法を説明する平面工程図である。It is a plane process drawing explaining the manufacturing method of the display device of an embodiment. 実施形態の表示装置の製造方法を説明する断面工程図である。It is sectional process drawing explaining the manufacturing method of the display apparatus of embodiment. 実施形態の表示装置の製造方法および表示装置を説明する平面図である。It is a top view explaining the manufacturing method and display device of a display device of an embodiment. 本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the television to which this invention is applied. 本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、(A)は表側から見た斜視図、(B)は裏側から見た斜視図である。It is a figure which shows the digital camera to which this invention is applied, (A) is the perspective view seen from the front side, (B) is the perspective view seen from the back side. 本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。1 is a perspective view showing a notebook personal computer to which the present invention is applied. 本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the video camera to which this invention is applied. 本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、(A)は開いた状態での正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた状態での正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the portable terminal device to which this invention is applied, for example, a mobile telephone, (A) is the front view in the open state, (B) is the side view, (C) is the front view in the closed state , (D) is a left side view, (E) is a right side view, (F) is a top view, and (G) is a bottom view. 従来の表示装置の製造方法を説明する平面工程図である。It is a plane process drawing explaining the manufacturing method of the conventional display apparatus. 従来の表示装置の製造方法を説明する断面工程図である。It is sectional process drawing explaining the manufacturing method of the conventional display apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1…基板、43…下部電極、43a…補助電極、45…絶縁膜、45a…開口窓、45b…接続孔、45c…薄膜部、45d…厚膜部、47r,47g,47b…蒸着パターン、49…上部電極、55…表示装置、204…蒸着マスク、204a…マスク開口   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Board | substrate, 43 ... Lower electrode, 43a ... Auxiliary electrode, 45 ... Insulating film, 45a ... Opening window, 45b ... Connection hole, 45c ... Thin film part, 45d ... Thick film part, 47r, 47g, 47b ... Deposition pattern, 49 ... Upper electrode, 55 ... Display device, 204 ... Deposition mask, 204a ... Mask opening

Claims (7)

基板上に設けられた下部電極と、
前記下部電極を露出する複数の開口窓を有すると共に、所定方向に隣接する当該開口窓間の膜厚が他の部分と比較して薄く設定された薄膜部を備えた絶縁膜と、
発光層を含み、前記薄膜部を介して隣接する前記開口窓を連続して覆う形状で設けられた蒸着パターンと、
前記下部電極との間に前記蒸着パターンを挟持する状態で設けられた上部電極と
を有する表示装置。
A lower electrode provided on the substrate;
An insulating film having a plurality of opening windows exposing the lower electrode, and having a thin film portion in which the film thickness between the opening windows adjacent to each other in a predetermined direction is set to be thin compared to other parts;
A deposition pattern provided in a shape including a light emitting layer and continuously covering the opening window adjacent through the thin film portion;
And an upper electrode provided in a state of sandwiching the vapor deposition pattern between the lower electrode and the lower electrode.
前記下部電極および絶縁膜が設けられた基板上には、同一平面形状で各色の発光層を含む複数種類の前記蒸着パターンが設けられている
請求項1記載の表示装置。
The display device according to claim 1, wherein a plurality of types of the deposition patterns including a light emitting layer of each color are provided on the substrate on which the lower electrode and the insulating film are provided.
前記絶縁膜には、前記基板の表面高さが他の部分よりも高い位置に対応する部分に、膜厚が他の部分と比較して厚く設定された厚膜部を備えている
請求項1または2に記載の表示装置。
2. The insulating film includes a thick film portion whose thickness is set to be thicker than that of the other portion in a portion corresponding to a position where the surface height of the substrate is higher than that of the other portion. Or the display apparatus of 2.
前記基板上には、前記下部電極と同一層で構成された補助配線が当該下部電極に対して絶縁性を保って設けられており、
前記絶縁膜には、前記補助配線に達する接続孔が設けられている
請求項1〜3のうちの1項に記載の表示装置。
On the substrate, auxiliary wiring composed of the same layer as the lower electrode is provided with insulation against the lower electrode,
The display device according to claim 1, wherein a connection hole reaching the auxiliary wiring is provided in the insulating film.
前記下部電極と上部電極との間に前記蒸着パターンが挟持された部分に有機電界発光素子が形成されている
請求項1〜4のうちの1項に記載の表示装置。
The display device according to claim 1, wherein an organic electroluminescent element is formed in a portion where the vapor deposition pattern is sandwiched between the lower electrode and the upper electrode.
基板上に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極を露出する複数の開口窓を有すると共に、所定方向に隣接する当該開口窓間の膜厚が他の部分と比較して薄く設定された薄膜部を備えた絶縁膜を、前記基板上に形成する工程と、
前記薄膜部を介して隣接する前記開口窓を蒸着マスクのマスク開口から連続して露出させた状態での蒸着成膜を行うことにより、当該隣接する開口窓を連続して覆う形状の蒸着パターンを形成する工程と、
前記蒸着マスクを前記基板に対して相対的に移動させ、異なる位置において前記隣接する開口窓を当該マスク開口から連続して露出させた状態で蒸着成膜を行うことにより、当該隣接する開口窓を連続して覆う形状の別の蒸着パターンを形成する工程と、
前記下部電極との間に前記蒸着パターンを挟持する状態で上部電極を形成する工程と
を行う表示装置の製造方法。
Forming a lower electrode on the substrate;
An insulating film having a plurality of opening windows exposing the lower electrode and having a thin film portion in which a film thickness between the opening windows adjacent to each other in a predetermined direction is set thinner than other portions is formed on the substrate. Forming the step,
By performing vapor deposition film formation in a state where the opening window adjacent through the thin film portion is continuously exposed from the mask opening of the vapor deposition mask, a vapor deposition pattern having a shape continuously covering the adjacent opening window is formed. Forming, and
By moving the vapor deposition mask relative to the substrate and performing vapor deposition film formation in a state where the adjacent opening window is continuously exposed from the mask opening at different positions, the adjacent opening window is Forming another vapor deposition pattern having a continuously covering shape;
Forming the upper electrode in a state where the vapor deposition pattern is sandwiched between the lower electrode and the lower electrode.
前記蒸着パターンを形成する工程では、前記蒸着マスクを前記絶縁膜に接触させて配置する
請求項6記載の表示装置の製造方法。
The method for manufacturing a display device according to claim 6, wherein in the step of forming the vapor deposition pattern, the vapor deposition mask is disposed in contact with the insulating film.
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WO2013046275A1 (en) * 2011-09-29 2013-04-04 パナソニック株式会社 Display panel and method for manufacturing same
JPWO2013046275A1 (en) * 2011-09-29 2015-03-26 パナソニック株式会社 Display panel and manufacturing method thereof

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