JP2009245557A - 情報記録方法および情報記録装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ダイレクトオーバーライト特性を改善することが可能な情報記録方法およびその記録方法を用いた情報記録装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザの緩和振動を用いた短パルス光を用いる情報記録方法において、所定の長さのマークを記録する短パルス列の最後尾の記録パルスの後ろに、半導体レーザの発光閾値電流よりも小さい駆動電流で駆動されるクーリングパルスを持ち、さらに消去パルスの先頭に消去パルス駆動電流よりも大きい駆動電流で駆動されるブーストパルスを有する光を用いて、ダイレクトオーバーライト特性を改善する。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体レーザの緩和振動を用いた短パルス光を用いる情報記録方法において、所定の長さのマークを記録する短パルス列の最後尾の記録パルスの後ろに、半導体レーザの発光閾値電流よりも小さい駆動電流で駆動されるクーリングパルスを持ち、さらに消去パルスの先頭に消去パルス駆動電流よりも大きい駆動電流で駆動されるブーストパルスを有する光を用いて、ダイレクトオーバーライト特性を改善する。
【選択図】 図1
Description
この発明は、記録層を有する記録媒体上に情報を光源からのレーザ光により記録する情報記録方法およびその記録方法を用いた光ディスクドライブ装置等の情報記録再生装置に関する。
記録媒体上に光を照射し、発生する熱によって光学的に識別可能なマークを形成して記録を行う光記録媒体の一つに、熱による結晶と非晶質との間の相変化を利用して記録を行う相変化型媒体がある。
相変化型媒体の記録膜は定常状態では結晶であるが、光が照射された領域は加熱・熔融された後、冷却されることで非晶質へと相変化を起こす。
この原理を利用して非晶質部をマークとして形成することにより、情報の記録を行うことができる。
このような相変化型媒体では、マークの始端および終端の位置を記録する2値情報に対応させるPWM(Pulse Width Modulation:パルス幅変調)方式が記録密度向上に有効である。
一般に、光ディスクにPWM方式を適用する場合、光の照射に伴う蓄熱効果を低減するために、長いマークを形成するときには、照射光として単一の光パルスではなく、複数に分割した光パルスを用いていわゆるマルチパルス記録を行う。
さらに進んだ例として、高線密度、狭トラックピッチの高倍速記録においても、単位マークの形成に緩和振動を用いたサブナノ秒クラスの短光パルスを用いることで、熱干渉や再結晶化のない高品位の記録を可能にする方式が、本願発明者を含む開発グループにより既に提案されている。
また、書き換え(オーバーライト)時には、スペース部分に記録パワーより小さい消去パワーを照射することで、前回記録領域に、直接重ね書きすることが可能であることが、知られている。
特許文献1には、消去パワーの先頭に消去先頭パルスを付加してオーバーライト特性を改善するとの記載がある。
特開2006−209935
しかしながら、特許文献1に記載された方法のように、単純に先頭パルスを付加するのでは無駄なエネルギー投入が多くなり、オーバーライト回数を重ねていくことでかえって記録膜の劣化を促進してしまう虞がある。従って、文献1に記載された方法では、高倍速記録時は、媒体の特性を加味して記録波形の最適化を行う必要がある。
なお、相変化記録技術では、マークの形成には加熱の後の急冷(クーリング)が重要であることが知られており、特に高倍速記録に対応するためにサブナノ秒クラスの短い記録パルスを用いて急速に加熱を行う場合は、クーリング期間を十分におかなければ、冷却が不十分となり、マークの形成不良を生じやすくなることが知られている。すなわち、初回記録特性を維持するためには、クーリング期間の設定は重要である。
その一方で、クーリング期間は、レーザパワーを消去パワー以下に落とすことが求められるため、記録パルス後のクーリング期間が長いほど、消去パワーの開始時間が遅れ、非消去領域が拡大し、オーバーライト時に前回記録マークの消し残りが生じて、ダイレクトオーバーライト特性が劣化する虞がある。
この発明の目的は、ダイレクトオーバーライト特性を改善することが可能な情報記録方法およびその記録方法を用いた情報記録装置を提供することである。
この発明は、上記問題点に基づきなされたもので、半導体レーザの緩和振動を用いた短パルス光を用いる情報記録方法において、所定の長さのマークを記録する短パルス列の最後尾の記録パルスの後ろに、半導体レーザの発光閾値電流よりも小さい駆動電流で駆動されるクーリングパルスを持ち、さらに消去パルスの先頭に消去パルス駆動電流よりも大きい駆動電流で駆動されるブーストパルスを有する光を用いて、記録媒体に情報を記録することを特徴とする情報記録方法を提供するものである。
この発明の実施の形態によれば、クーリング期間を十分に設け、引き続く消去パワーの先頭に消去パワーより大きなパワーの短期間の発光を付加して消去領域の先頭を拡大したことにより、投入熱量を抑えることができ、オーバーライトを繰り返した場合においても記録済マークの消し残りが生じて再生信号が劣化することが低減できる。
すなわち、ダイレクトオーバーライト特性が改善され、オーバーライトが繰り返された場合においても、安定な再生信号が得られる記録マークが形成される。
以下、図面を参照して、本発明の全体動作および詳細動作を説明する。
図1は、本発明が適用可能な情報記録再生装置(光ディスクドライブ)の構成の一例を示すブロック図である。
情報記録再生装置(光ディスクドライブ)は、情報記録媒体(光ディスク)100の記録面に情報を記録し、あるいは記録面に記録されている情報を再生する。
光ディスク100の記録面には、同心円状、または螺旋(スパイラル)状に溝が刻まれており、溝の凹部をランド、凸部をグルーブと呼び、グループまたはランドの一周をトラックと呼ぶ。
ユーザデータは、トラック(グルーブのみまたはグルーブおよびランド)に沿って、強度変調されたレーザ光を照射して記録マークを形成することで、記録される。データ再生は、記録時より弱いリードパワー(read power)のレーザ光をトラックに沿って照射して、トラック上にある記録マークによる反射光強度の変化を検出することにより行われる。
記録されたデータは、前記リードパワーより強いイレースパワー(erase power)のレーザ光をトラックに沿って照射し、記録層を結晶化することにより、消去可能である。
光ディスク100は、スピンドルモータ63によって所定の速度で回転される。
スピンドルモータ63に設けられたロータリエンコーダ63Aからは回転角信号が出力される。回転角信号は、スピンドルモータ63が1回転すると例えば5パルス発生する。この回転角信号からスピンドルモータ63の回転角度および回転数がスピンドルモータ制御回路64にて判断される。
光ディスク100に対する情報の記録・再生は、光ピックアップ(Pick Up Head,PUH)65によって行われる。
光ピックアップ(PUH、以下、単に光ヘッドと称する)65は、ギアとスクリューシャフトを介して送りモータ67と連結されており、この送りモータ67は送りモータ制御回路68により制御される。送りモータ67が送りモータ制御回路68からの送りモータ駆動電流により回転することにより、光ヘッド65が光ディスク100の半径方向に移動する。
光ヘッド65には、図示しないワイヤもしくは板バネにより、光ディスク100の記録面と直交する方向および光ディスク100の半径方向に所定距離だけ移動可能に支持された対物レンズ70が設けられている。対物レンズ70は、駆動コイル72の駆動によりフォーカシング方向(記録面と直交する方向すなわち対物レンズ70の光軸方向)への移動が可能で、また駆動コイル71の駆動によりトラッキング方向(光ディスク100の半径方向すなわち対物レンズ70の光軸と直交する方向)への移動が可能である。
レーザ変調制御回路75は、情報記録時(マーク形成時)に、ホスト装置94からインタフェース回路93を介して供給される記録データに基づいて、書き込み用信号をレーザダイオード(レーザ発光素子)79に提供する。
レーザダイオード79が発生するレーザ光は、ハーフミラー96に入射する。ハーフミラー96は、レーザダイオード79が発生するレーザ光を一定比率だけ分岐している。
フォトダイオードにより構成されるモニタ光検出器(FM−PD)95は、レーザ光の一部光をハーフミラー96から受光する。モニタ光検出器(FM−PD)95は、レーザ光の照射パワーに比例した一部光を検出し、受光信号をレーザ変調制御回路75に供給する。
レーザ変調制御回路75は、モニタ光検出器95で受光した反射レーザ光の強度に基づいて、Central Processing Unit(CPU)を含む主演算処理ブロック90により設定された再生時レーザパワー、記録時レーザパワーおよび消去時レーザパワーが適切に得られるように、レーザダイオード79を制御する。
レーザダイオード79は、レーザ変調制御回路75から供給される駆動電流に応じてレーザ光を発生する。レーザダイオード79から発せられるレーザ光は、コリメータレンズ80、ハーフプリズム81、対物レンズ70を介して光ディスク100上に照射される。光ディスク100からの反射光は、対物レンズ70、ハーフプリズム81、集光レンズ82、シリンドリカルレンズ83を介して、光検出器84に導かれる。
光検出器84は、例えば4分割の光検出セルから成り、これら光検出セルの検知信号はRFアンプ85に出力される。RFアンプ85は光検知セルからの信号を処理し、合焦点位置からの誤差を示すフォーカスエラー信号FE、レーザ光のビームスポット中心とトラック中心との誤差を示すトラッキングエラー信号TE、および光検知セル信号の全加算信号である再生信号を生成する。
フォーカスエラー信号FEは、フォーカス制御回路87に供給される。フォーカス制御回路87は、フォーカスエラー信号FEに応じてフォーカス駆動(制御)信号を生成する。フォーカス駆動信号は、フォーカシング方向の駆動コイル71に供給される。これにより、レーザ光が光ディスク100の記録膜上に常時ジャストフォーカスとなるフォーカスサーボが行われる。
トラッキングエラー信号TEは、トラック制御回路88に供給される。トラック制御回路88は、トラッキングエラー信号TEに応じてトラック駆動信号を生成する。トラック制御回路88から出力されるトラック駆動(制御)信号は、トラッキング方向の駆動コイル72に供給される。これにより、レーザ光が光ディスク100上に形成されたトラック上を常にトレースするトラッキングサーボが行われる。
上記フォーカスサーボおよびトラッキングサーボがなされることで、光検出器84の各光検出セルの出力信号の全加算信号RFには、記録情報に対応して光ディスク100のトラック上に形成された記録マークなどからの反射光の変化が反映される。この信号は、データ再生回路78に供給される。データ再生回路78は、PLL回路76からの再生用クロック信号に基づき、記録データを再生する。
上記トラッキング制御回路88によって対物レンズ70が制御されているとき、送りモータ制御回路68により、対物レンズ70が光ヘッド65内の所定位置の近傍に位置するよう、送りモータ67すなわち光ヘッド(PUH)65の位置も制御される。
スピンドルモータ制御回路64、送りモータ制御回路68、レーザ制御回路73、PLL(Phase Locked Loop)回路76、データ再生回路78、フォーカス制御回路87、トラック制御回路88、エラー訂正回路62等は、バス(Bus)89を介して主演算処理ブロック(CPU)90によって制御される。CPU(主演算処理ブロック)90は、インタフェース回路93通じてホスト装置94から提供される動作コマンドに従って、記録再生装置の全体動作を制御する。また、CPU90は、RAM(Random Access Memory)91を作業エリアとして使用し、不揮発メモリ(NV−RAM)99に記録された装置個体毎のパラメータを適宜参照し、ROM(Read Only Memory)92に記録されている本発明によるプログラムを含む制御プログラムに従って所定の動作を行う。なお、エラー訂正回路62は、再生信号のエラー訂正を行なうことはいうまでもない。
また、レーザダイオード(半導体レーザ素子)79が出力するレーザ光の波長λは、例えば450nm(ナノメートル)以下であり、好ましくは、405±5nmである。
また、対物レンズ70の開口数NA(numerical aperture)は、例えば0.6〜0.65であり、光ディスク100に形成されるトラック(案内溝)のピッチ(間隔)TPと後段に説明する最短マーク長L(2T)との間に、レーザダイオード79から出力されるレーザ光の波長をλとするとき、最短マーク長Lが、
λ/(4×NA) ≦ L ≦ λ/(2.5×NA)
であることが好ましい。
λ/(4×NA) ≦ L ≦ λ/(2.5×NA)
であることが好ましい。
また、光ディスク100に形成されるトラック(案内溝)のピッチ(間隔)TPと後段に説明する最短マーク長L(2T)との間に、レーザダイオード79から出力されるレーザ光の波長をλとするとき、トラックピッチTPが、
λ/(2×NA) ≦ TP ≦ λ/(1.3×NA)
であることが好ましい。
λ/(2×NA) ≦ TP ≦ λ/(1.3×NA)
であることが好ましい。
図2は、図1に示した情報記録再生装置におけるレーザ駆動回路の構成の一例を示す。
図2は、記録クロックと記録データから記録波形を生成するライトストラテジ(記録波形(レーザ光)の最適化)回路7503、ピーク(PEAK/WRITE)パワー、イレース(ERASE)パワー、およびリード(READ)パワー、バイアス(BIAS)パワーのそれぞれのレーザ発光を可能とするためにレーザダイオード79に供給すべき個々の駆動電流の指示値を設定するDAC(D/Aコンバータ)部7504〜7507、ピークパワー、イレースパワー、リードパワー、およびバイアスパワーのそれぞれの電流源7508〜7511、信号バス89からの制御信号を解釈し、レーザ変調制御回路75からレーザダイオード79に供給される駆動電流全体を制御するインタフェース(I/F)部7501を含む。
ライトストラテジ回路7503は、詳述しないが、PLL(Phase Locked Loop)回路と変調回路から構成されている。PLL回路は、記録クロックを受信して変調回路に必要なタイミング信号を生成する。変調回路は、記録データを解釈して内部バス7502により設定されたパルス幅、エッジタイミング等のストラテジ情報を含む制御信号に従って記録波形を生成し、各電流源7508〜7511をオン/オフするタイミングを示すタイミング信号に分解する。
タイミング信号は、セレクタ7512へ接続され、それにしたがって、内部バス7502により電流指令値が設定された各電流設定用DAC7504〜7507により、異なった電流値が出力されるように設定された各電流源7508〜7511がオン/オフされることによりレーザ素子79に供給されるレーザ駆動電流の強弱を発生する。これにより、記録時照射パワーの強度変調が達成される。
また、本発明の実施の形態においては、パルス幅および電流値は、信号バス89を通ってCPU90からレーザ変調制御回路75へ、制御信号として供給される。
また、パルス幅および電流値は、インタフェース回路7501、内部バス7502を経由して、ライトストラテジ回路7503および個々の電流設定用DAC7504〜7507に送られる。
なお、図2の例では、イレースブーストパルス用の電流源および電流設定用DACを、PEAKパルスと同じPEAK電流源7504、PEAK電流設定用DAC(電流原)7508と共通に用いる例を示したが、イレースブースト用の電流源および電流設定用DAC(電流原)を個別に設けてもよいことはいうまでもない。
次に、本発明の一実施形態であるサブナノクラスのパルスレーザ光すなわち緩和振動により生起される極めて短期間の発光であるレーザ光を用いた記録処理のために行なわれるキャリブレーション処理について、図3を用いて説明する。
パルスレーザ光すなわち緩和振動により生起される極めて短期間(サブナノクラス)の発光であるレーザ光による記録処理を行なうためには、図2により説明したライトストラテジ回路7503により、ライトストラテジを決定することが必要である。
このため、例えば信号バス89によりCPU90と接続されているレーザ変調制御回路75に所定の制御信号を供給することで、以下のようにキャリブレーションを実行する。
図3に示すフローチャートに従い、初めに、光ディスク100またはサーボドライバ30に用意された初期設定条件を読み込む(ステップS11)。次に、読み込んだ初期設定値に基づいて、例えば5種類等のピーク電流値、駆動パルス幅の中から一つのピーク電流、駆動パルス幅を仮決定する(ステップS12)。
次に、記録再生に用いる光ピックアップヘッドの空間周波数伝達特性に対して、十分に変調度が得られる長いマークを含む信号を記録信号として用い、変調度が十分に得られるようにピーク電流のキャリブレーションを行う(ステップS13)。ここで、十分に変調度が得られる長いマークとは、11Tであるが、これは、一例として6Tないし13Tの中のどれかであれば可能である。なお、Tは、1クロック周期を示し、最短マークは2Tである。
続いて、上記値で発光した緩和振動を含むレーザ光により光ディスク100上の試し書きされた領域に、リード用のレーザ光を照射しこの反射光を検出し(ステップS14)、検出結果に基づいて、ライトストラテジ(記録波形(レーザ光)の最適化)を決定する。
例えば、設定するピーク電流を徐々に上げていき、反射光の検出信号の振幅が最大となるかどうかを判断し(ステップS15)、振幅が最大であるとなった際のピーク電流値について、ライトストラテジのピーク電流値として決定し、ライトストラテジ回路7503の詳述しない記憶領域に記憶する(ステップS16)。
次に、最短長マークと十分に長いマークを混在した記録信号、例えば6Tないし13Tの中のどれか、例えば11Tのマーク、スペースおよび最短マークである2Tのマーク、スペースの混在信号等を用いて、パルス幅のキャリブレーションを行なう。すなわち、仮決定されたパルス幅について、この値で発光した緩和振動をもったレーザ光により光ディスク100上に試し書きを行なう(ステップS17)。
続いて、ステップS12において、緩和振動をもったレーザ光により光ディスク100上に試し書きされた領域に、リード用のレーザ光を照射し、この反射光を検出する(ステップS18)。
以下、再生信号のアシンメトリ(それぞれのTの信号の中心レベルが同じレベルにあるかどうか、を評価する指標)を計算し、およそゼロになるようにパルス幅を調整する(ステップS19)とともに、この時点でのパルス幅をストラテジとして決定し、ライトストラテジ回路7503の詳述しない記憶領域に記憶する(ステップS20)。
上記アシンメトリは、再生RF信号を、高域フィルタを通過させることによりACカップルした状態で0Vを基準に正側(上側)の振幅レベルをピークレベル検出回路で検出した信号をA1(通常は正の値)とし、0Vを基準に負側(下側)の振幅レベルをボトムレベル検出回路で検出した信号をA2(通常は負の値)として、
アシンメトリ値=(A1+A2)/(A1−A2)
により表される値(アシンメトリ値)を用いるとよい。
アシンメトリ値=(A1+A2)/(A1−A2)
により表される値(アシンメトリ値)を用いるとよい。
また、ここで、パルス幅の決定方法として、未記録領域の再生信号レベルから11Tの連続パターンを記録パターンとして用いた場合の検出信号の振幅中心までの信号レベルが、未記録領域の再生信号レベルから最短マーク長(2T,1Tをクロックとしたときの2クロック分)の連続パターンを記録パターンとして用いた場合の検出信号の振幅中までの信号レベルの略2倍となるような関係を実現するパルス幅を探し、このパルス幅をストラテジとして決定し、ライトストラテジ部41等の記憶領域に記憶することでも、同等の効果を得ることができる。
このように、緩和振動の記録処理に用いられるストラテジは、従来の記録処理のように記録マーク長さ毎のパルスエッジタイミングおよび前後のマーク長/スペース長と記録マーク長毎に適応されるエッジタイミング補償値で定義されるのではなく、最短パルス幅のみで定義されることが特徴的である。
このようにして求めライトストラテジ部41に記憶されたライトストラテジは、制御部31の制御下において、データの記録処理の際に読み出される。光レーザの緩和振動を用いた記録処理は、読み出されたライトストラテジに基づいて、ピーク電流値およびイレース電流値等が決定され、光ディスクへの記録処理が行なわれる(ステップS21)。
なお、緩和振動は、一般には、記録パルス長さが1ns(ナノ秒)よりも小さい急峻なパルスを生起するために有益であり、記録パルスとして、レーザダイオード79に供給されるレーザ駆動電流のパルスの立ち上がり/立ち下がり時間が100ps(ピコ秒)を切ることを特徴とする。
また、緩和振動を生起させる条件としては、図4(A)および図4(C)に示す通り、駆動電流は、バイアス電流Ibiとピーク電流Ipeを考えるとき、図4(A)に示すように、レーザダイオード79がレーザ発振を開始する閾値電流Ithよりもやや高いレベルに設定されたバイアス電流Ibiをまず生成し、レーザダイオード79を予備的に駆動する。その後、時刻Bにてバイアス電流Ibiへと引き下げられるまでの間、時刻Aにて、所望のピークパワーを得るためのピーク電流Ipeが印加される。このように、時刻Aから時刻Bまでの間、ピーク電流Ipeが印加されることで、図4(B)に示すようなレーザ出力(レーザ出射光強度の時間変化)が得られる。
すなわち、レーザ駆動電流の大きさが、バイアス電流Ibiである時刻Aまでの間は、出射光強度は、レーザダイオード79から出力されるレーザ光は、光ディスク100にデータを記録することができない極く低いパワーであるが、ピーク電流Ipeが印加され、レーザ光の強度が記録パワーまで増大される。時刻B以降は、出射光の強度は、再び低パワーとなることはいうまでもない。
より詳細に出射光強度を観測すると、図4(B)においては、時刻Aにおいて強度が記録パワーまで引き上げられた際に、定常の記録パワーに安定するまでに、強度が瞬間的に上昇して低下する様子が伺える(図中の矢印c部分)。これは、レーザダイオード79の緩和振動によるものであり、通常の記録パルス生成においては、この緩和振動がなるべく小さくなるように制御を行なう。
緩和振動とは、このように半導体レーザにおいて、駆動電流があるレベルから閾値電流を大きく超える一定のレベルまで急激に上昇した際に生ずる、過渡的な振動現象である。
なお、緩和振動は、振動を繰り返す毎に小さくなり、やがて振動は治まる。
本発明の光記録装置においては、この緩和振動を積極的に記録に利用するものである。
すなわち、本来は、発生を抑制すべき緩和振動であるが、緩和振動に特有の「パルス長が短い」、「エネルギー量(光出力としてのレーザパワーの積分値)は、光ディスク100の記録膜を記録レベルに変化させることができる場合がある」ことを利用して、パルス長が短く急峻な記録パルスを『安定に』得ることを、本発明で達成しようとするものである。
図4(C)に示す通り、レーザダイオード79に、レーザ変調制御回路75から所定の特性の駆動電流を供給すると、図4(D)に見られる通り、振動を伴うが、ピークレベルの高いレーザ出力が、僅かな時間だけ得られる。
より詳細には、レーザダイオード79に、閾値電流Ithより低いレベルに設定されたバイアス電流Ibiを供給し、所定のタイミングすなわち時刻Aにて、通常の記録パルス生成よりも早い立ち上がり時間で急激に、駆動電流を閾値電流Ithよりも高いピーク電流レベルIpeまで引き上げ、通常の記録パルス生成よりも短いナノ秒(ns)レベルの僅かな時間経過後の時刻Dにて、バイアス電流Ibiに戻す。
この場合、図4(D)に見られるように、レーザ出力(レーザ出射光強度の時間変化)が得られる。
すなわち、図4(D)において、閾値電流Ithよりも低いバイアス電流Ibiにより駆動されている時刻Aまでは、レーザダイオード79はレーザ発振を開始しておらず、無視できる程度のレベルであって、発光ダイオードとしての光出射がある程度である。その後、時刻Aにおいて急激に電流が印加されることで、緩和振動が生じて出射光強度も急激に上昇する。
以下、緩和振動の振幅は次第に定常レベルに収束するが、所定の時間すなわち時刻Cを定めて、駆動電流を閾値電流Ithよりも低いIbiに設定することで、あるエネルギー量のレーザ光が得られる。なお、時刻Cは、図4(C)および図4(D)から明らかなように、緩和振動の2周期目のパルスが生成されたタイミングとしている。
このように、緩和振動によるパルスは、通常の記録パルスに比べて、非常に短い時間で出射光強度が上昇し、半導体レーザの構造によって決まる一定の周期で出射光強度が低下するという特徴を持っている。従って、緩和振動によるパルスを記録パルスに用いることにより、通常の記録パルスでは得られない、短い立ち上がり/立下り時間を持ち、かつ強いピーク強度を持った短パルス光を得ることができる。
次に、図5(A)〜(E)を用いてサブナノクラスのパルスレーザ光すなわち緩和振動により生起される短光レーザ光を用いる記録処理の概要を説明する。なお、図5(A)〜(E)は、光ディスク装置の2Tマークおよび3Tマークを形成する場合の各信号の一形態を示すタイミングチャートである。なお、図5(A)は、1TすなわちクロックCLKを示す。
2Tマークを形成する場合、図5(B)に示すように、レーザ変調制御回路75から一つのパルスをレーザダイオード79に供給する。なお、図5(C)において、パルス幅TW、ピーク電流IPEAK、バイアス電流IBIAS、イレース電流IERASEが示されている。なお、3Tマークを形成する場合には、レーザ変調制御回路75から二つのパルスをレーザダイオード79に供給する。
レーザダイオード79から出力されるレーザ光は、図5(D)に示すように、パルス状に非常に急峻なパワーを示しており、数回の振動波形、すなわち図4(A)から(D)を用いて説明した緩和振動が見られるものである。
ここで特筆すべきことは、本発明の一実施形態である緩和振動方式を用いて出力されたレーザ光について、消費電力の点で、周知の方法と比べると、概ね5分の1という非常に少ないエネルギーによって、記録処理が可能となる。すなわち、一例として、これまでの駆動方法では、4Tマークを記録するのにピークパワー10mw、電流値80mA、マルチパルス幅の合計30nsにより、約300pJ(ピコジュール)のエネルギーが必要であったが、緩和振動を用いることで、ピークパワー40mw、電流値150mA、信号時間幅1.5nsの緩和振動を伴ったパルスレーザ光のエネルギーは20pJであり、4Tマークを記録するに際して、記録パルス(レーザ光)を3個とした場合、必要エネルギーは約60pJ(ピコジュール)と、概ね5分の1の非常に少ないエネルギーによって4Tマークの記録が可能となる。
ところで、図5(A)から(E)に示した例では、ライトパルスに引き続いてイレースパルスが出力されるまでの期間、すなわちライトパルスの後方においてイレースパルスが出力されるまでの間の領域に、図6(A)あるいは図6(B)に模式的に示すが、周辺の溶融に伴う再結晶化領域や(図6(A))、レーザオフに伴う非加熱領域(図6(B))が生じることがあることが確認されている。このことは、ダイレクトオーバーライト記録を繰り返す場合、消し残り領域として、再生信号を劣化させる虞がある。
このため、図6(A),(B)に示した再結晶化領域/非加熱領域の出現を抑止するために、図7(A)から(C)に、2値化記録データ(NRZI)、レーザダイオード79を駆動する駆動電流、光出力波形を示すように、ライトパルスの最終パルスについて、クーリング(cooling)期間として、記録パルスのピーク電流をIp、イレース電流をIe、バイアス電流をIb、クーリング期間の電流をIc、ブースト電流をIbst、レーザダイオード79の発振閾値電流をIthとし、それぞれの電流値について、
Ib = Ic < Ith <Ie < Ibst ≦ Ip ・・・(1)
上記の(1)式の関係を与えることにより決定されるブースト電流Ibstによる発光、すなわちブーストパルスを付加することが好ましい。 より詳細には、例えば4Tの記録マークを形成する場合において、記録パルスのパルス幅をTw、クーリングパルスのパルス幅をTc、ブーストパルスのパルス幅をTbst、チャネルクロック間隔をTとし、パルス幅の大小関係として、
Tbst ≦ Tw < 1.5ns(ナノ秒)
0.8T < Tc
とすることで、図6(C)に示すように、図6(A)に見られた再結晶化領域や、図6(B)に見られた消し残り領域となる非加熱領域が生じることを抑止できる。
Ib = Ic < Ith <Ie < Ibst ≦ Ip ・・・(1)
上記の(1)式の関係を与えることにより決定されるブースト電流Ibstによる発光、すなわちブーストパルスを付加することが好ましい。 より詳細には、例えば4Tの記録マークを形成する場合において、記録パルスのパルス幅をTw、クーリングパルスのパルス幅をTc、ブーストパルスのパルス幅をTbst、チャネルクロック間隔をTとし、パルス幅の大小関係として、
Tbst ≦ Tw < 1.5ns(ナノ秒)
0.8T < Tc
とすることで、図6(C)に示すように、図6(A)に見られた再結晶化領域や、図6(B)に見られた消し残り領域となる非加熱領域が生じることを抑止できる。
すなわち、記録(PEAK/WRITE=ライトパルス出力)時、ライトストラテジ生成部7503において、チャネルクロックWCLKと二値化記録データWDATAを検出し、内部バス7502を通して予め設定されたタイミング(パルス幅/パルス数)で、セレクタ7512を制御するタイミング信号を生成する。
図7(A)に示した4T記録マークを書き込む場合、WRITE中のみを考えると、READ電流源7510に接続するスイッチ(READ_SW,セレクタ7512内)をオフにし、図7(B)のBIASのタイミング(Tbst)において、PEAK電流源7508、ERASE電流源7509に接続するスイッチ(PEAK_SW, セレクタ7512内/ERASE_SW,同)をオフ、バイアス電流源7511に接続スイッチ(BIAS_SW,同)をオンに制御する。また、図7(C)に示したように、PEAK(LDアウトプット)のタイミングでは、PEAK_SW(セレクタ7512内)をオンにし、ERASE_SW(同)をオフにする。このときBIAS_SW(同)をオンしておくことで、PEAK電流とBIAS電流を加算した電流が得られることになる。なお、PEAK電流源のみにピークパワーを担わせる場合は、BIAS_SWをオフにしてもよい。
以下、所定のパルス幅時間Tw経過後、再びPEAK_SWをオフにして、BIAS電流のみをレーザダイオード79に供給するとで、緩和振動を伴った極短期間の光パルスが得られる。
従って、この極短期間の光パルス1発を単位パルスとして、単位パルス毎に記録マーク(図5(C)〜(E)参照)が、ディスク100上に記録される。
パルス幅Twは、緩和振動1〜5周期の間に設定されることで、熱干渉がなく、媒体の移動速度に拘わらずに、安定な記録マーク形成が可能となる。なお、本実施例では、単位パルスによって形成される記録マークを最短長マークとしているが、複数の単位パルスによって形成されたマークを最短長マークとすることも考えられる。
以下、再びBIAS電流部において、概ね1T期間のバイアスパルスが出力され、再びパルス幅(期間)TwのPEAK電流が出力される。
従って、4Tマークを記録する場合には、1T間隔をおいて、3発の単位パルスが照射される。
すなわち、記録変調方式に基づいた最短マーク長が2Tの場合、最短マークをM発(M:1以上の整数)の極短期間の光パルスによって表し、記録マークがNT(N:整数、T:チャネルクロック幅)である場合、(N−1)個の1チャネルクロック間隔を置いて連続した最短マークによって、記録マークを形成する。従って、最短マーク長が3Tの場合は、最短マークを1発の前記短光パルスによって表し、記録マークがNT(N:整数、T:チャネルクロック幅)の際、(N−2)個の1チャネルクロック間隔を置いて連続した最短マークによって表すことができる。
一方、一連の記録パルスのうち最後のパルス出力後に、冷却用のクーリング期間として再びBIAS電流部へ移行する。ここで、時間Tc経過後に、イレースブーストパルスとしてさらにPEAK電流期間(PEAKパルス出力)へ移る。なお、このPEAKパルスは、消去のためのパルスであり、これまでのマークを形成するためのPEAKパルスとは役割が異なるものであるが、図2に示した回路を用いる場合、回路規模削減のためにPEAK電流と同じ電流源およびDAC(D/Aコンバータ)を用いていることを想定しているため、PEAKパルスと同一電流値のパルスが出力される。
以下、パルス幅時間Tbst経過後に、イレース電流部分(イレースパルス出力)へ移行する。
このような記録波形(ピーク電流供給)およびクーリング期間を設定することで、書き換え可能な相変化型記録媒体で、高線速度、高線密度、狭トラックピッチという条件下においても、良好な記録特性およびオーバライト特性が得られる。
より詳細には、半導体レーザの緩和振動を用いた短パルス記録において、所定の長さのマークを記録する短パルス列の最後尾の記録パルスの後ろに消去パワーより小さいパワーレベルをもつクーリングパルスを持ち、さらに消去パワーの先頭に消去パワーよりも大きいパワーレベルをもつブーストパルスを付加することで、ダイレクトオーバーライト特性を改善することができる。
なお、クーリングパルスの駆動電流パルス幅をTc、チャネルクロック幅Tとすると、好ましくは、
Tc > 0.8T
である。
Tc > 0.8T
である。
また、ブーストパルスの駆動電流をIbst、ブーストパルス幅をTbst、記録パルスの駆動電流をIp、およびパルス幅をTwとすると、
Ibst ≦ Ip、かつTbst ≦ Twである。
Ibst ≦ Ip、かつTbst ≦ Twである。
また、記録パルスの駆動電流パルス幅Twは、
Tw < 1.5ns(ナノ秒)
である。
Tw < 1.5ns(ナノ秒)
である。
図8は、上述したクーリングパルス幅(Tc)と繰り返し記録(ダイレクトオーバーライト)を、任意回数継続した場合のbER(ビットエラーレート)との関係を示す。すなわち、図8において、bERが小さいほど繰り返し記録におけるエラーレートが低減され、図6(A),(B)に示したような再結晶化領域や非加熱領域の生じる程度が抑止されていることを示す。
なお、図8は、繰り返し回数(ダイレクトオーバーライト(DOW))を5回とした場合のbERを示し、クーリングパルス幅が、0.8T〜1.13Tの範囲内では、繰り返し回数に拘わりなく、消し残りが十分に抑制されていることが認められる。
図9は、図4および図5により説明した現行のオーバーライト記録と本提案のオーバーライト記録によるbERの差、すなわち本提案のオーバーライトにより繰り返し記録の回数に拘わりなくbERが改善された様子を示す。
ダイレクトオーバーライトが繰り返されることで、当然bERは急激に劣化するが、本提案のオーバーライトを採用することで、bERは、1.0×10−6程度で推移する。
以上説明したように、本発明の実施の形態の1つを用いることで、クーリング期間を十分に設け、引き続く消去パワーの先頭に消去パワーより大きなパワーの短期間の発光を付加して消去領域の先頭を拡大したことにより、投入熱量を抑えることができ、オーバーライトを繰り返した場合においても記録済マークの消し残りが生じて再生信号が劣化することが低減できる。
すなわち、ダイレクトオーバーライト特性が改善され、オーバーライトが繰り返された場合においても、安定な再生信号が得られる記録マークが形成される。
なお、本発明は、上述のいずれかの実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記のいずれかの実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
62…エラー訂正回路,63…スピンドルモータ,63A…ロータリエンコーダ,64…スピンドルモータ制御回路,65…光ヘッド,67…送りモータ,68…送りモータ制御回路,70…対物レンズ,71,72…駆動コイル,75…レーザ変調制御回路,76…PLL回路,78…データ再生回路,79…レーザダイオード,80…コリメータレンズ,81…ハーフプリズム,82…集光レンズ,83…シリンドリカルレンズ,84…光検出器,85…RFアンプ,87…フォーカス制御回路,88…トラッキング制御回路,89…信号バス,90…中央演算処理ユニット,91…RAM,92…ROM,93…インタフェース回路,94…ホスト装置,95…モニタ光検出器,96…ハーフミラー,99…不揮発メモリ,100…光ディスク,7501…I/F(インタフェース)部,7502…内部バス,7503…ライトストラテジ回路,7504…ピークパワーDAC,7505…イレースパワーDAC,7506…リードパワーDAC,7507…バイアスパワーDAC,7508…ピークパワー電流源,7509…イレースパワー電流源,7510…リードパワー電流源,7511…バイアスパワー電流源,7512…セレクタ。
Claims (13)
- 半導体レーザの緩和振動を用いた短パルス光を用いる情報記録方法において、
所定の長さのマークを記録する短パルス列の最後尾の記録パルスの後ろに、半導体レーザの発光閾値電流よりも小さい駆動電流で駆動されるクーリングパルスを持ち、さらに消去パルスの先頭に消去パルス駆動電流よりも大きい駆動電流で駆動されるブーストパルスを有する光を用いて、記録媒体に情報を記録することを特徴とする情報記録方法。 - 前記クーリングパルスの駆動電流パルス幅をTc、チャネルクロック幅をTとするとき、
Tc > 0.8T
の範囲であることを特徴とする請求項1記載の情報記録方法。 - 前記ブーストパルスの駆動電流をIbst、ブーストパルス幅をTbst、記録パルスの駆動電流をIp、およびパルス幅をTwとするとき、
Ibst ≦ Ip、かつTbst ≦ Tw
であることを特徴とする請求項1記載の情報記録方法。 - 前記記録パルスの駆動電流パルス幅Twを、
Tw < 1.5ns
とすることを特徴とする請求項1記載の情報記録方法。 - 前記レーザ光の波長をλとし、前記レーザ光を集光するための対物レンズの開口数をNAとした場合に、最短マーク長Lが、
λ/(4×NA) ≦ L ≦ λ/(2.5×NA)
の条件を満たすことを特徴とする請求項1記載の情報記録方法。 - 前記レーザ光の波長をλとし、前記レーザ光を集光するための対物レンズの開口数を NAとした場合に、トラックピッチTPが、
λ/(2×NA) ≦ TP ≦ λ/(1.3×NA)
の条件を満たすことを特徴とする請求項1記載の情報記録方法。 - 前記レーザ光の波長λが450nm以下であることを特徴とする請求項1記載の情報記録方法。
- 所定波長の光を出力する光源と、
この光源に、記録媒体に既に記録されているマークを消去するための消去パワーよりも小さいパワーレベルの第1のパルスの光と、消去パワーよりも大きなパワーレベルの第2のパルス光と、第2のパルス光よりも大きなパワーレベルの第3のパルス光とを出力可能に駆動電流を与える駆動回路と、
この駆動回路に、上記第1ないし第3にパルスを出力させるタイミングを指示する制御回路と、
を有することを特徴とする情報記録装置。 - 前記制御回路は、前記駆動回路に対し、上記第3のパルスのうちの最後部のパルスの後ろに上記第1のパルスを出力させ、上記消去パルスの先頭に上記第2のパルスを出力させることを特徴とする請求項8記載の情報記録装置。
- 前記制御回路は、前記駆動回路に対し、上記第3のパルスのうちの最後部のパルスの後と上記消去パルスとの間に、上記第2のパルスと上記第1のパルスを連続して出力させる
を有することを特徴とする情報記録装置。 - 前記制御回路は、前記駆動回路に対し、上記第1のパルスの駆動電流パルス幅をTc、チャネルクロック幅をTとするとき、
Tc > 0.8T
の範囲となるよう、上記第1のパルスを出力させることを特徴とする請求項8記載の情報記録装置。 - 前記制御回路は、前記駆動回路に対し、上記第2のパルスの駆動電流をIbst、上記第2のパルスのパルス幅をTbst、上記第3のパルスの駆動電流をIp、および上記第3のパルスのパルス幅をTwとするとき、
Ibst ≦ Ip、かつTbst ≦ Tw
となるよう、上記第2のパルスを出力させることを特徴とする請求項8記載の情報記録装置。 - 前記制御回路は、前記駆動回路に対し、上記第3記録パルスの駆動電流のパルス幅Twを、
Tw < 1.5ns
となるよう、上記第3のパルスを出力させることを特徴とする請求項8記載の情報記録装置。
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