JP2009231302A - 窒化物半導体結晶薄膜およびその作製方法、半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
窒化物半導体結晶薄膜およびその作製方法、半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009231302A JP2009231302A JP2008070937A JP2008070937A JP2009231302A JP 2009231302 A JP2009231302 A JP 2009231302A JP 2008070937 A JP2008070937 A JP 2008070937A JP 2008070937 A JP2008070937 A JP 2008070937A JP 2009231302 A JP2009231302 A JP 2009231302A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- layer
- oxygen
- thin film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
【解決手段】シリコン基板101と、シリコン基板101の上にエピタキシャル成長されたAlN結晶からなる緩衝層102と、緩衝層102の上にエピタキシャルにより形成されたGaNからなるチャネル層103と、チャネル層103の上にエピタキシャルにより形成されたAl0.25Ga0.75Nからなるキャリア供給層104とを備える。緩衝層102は、酸素が添加された窒化アルミニウム(AlN)の結晶から構成されている。
【選択図】 図1
Description
Claims (11)
- 基板の上に形成されたアルミニウムを含む窒化物半導体からなる結晶の薄膜であって、
前記薄膜は酸素が添加されていることを特徴とする窒化物半導体結晶薄膜。 - 請求項1記載の窒化物半導体結晶薄膜において、
前記薄膜の前記基板の平面の法線方向の一部領域に酸素が添加されている
ことを特徴とする窒化物半導体結晶薄膜。 - 請求項1または2記載の窒化物半導体結晶薄膜において、
前記基板は、シリコンから構成されたものであることを特徴とする窒化物半導体結晶薄膜。 - 基板の上に形成され、酸素が添加されたアルミニウムを含む窒化物半導体の結晶からなる緩衝層と、
この緩衝層の上に形成された窒化物半導体からなる素子と
を少なくとも備えることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4記載の半導体装置において、
前記緩衝層の前記基板の平面の法線方向の一部領域に酸素が添加されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項4または5記載の半導体装置において、
前記素子は、
前記緩衝層の上に形成されたキャリア供給層と、
このキャリア供給層の下の前記緩衝層の上に形成され、前記キャリア供給層より供給された電子によるチャネルが形成されるキャリア走行層と、
前記キャリア供給層の上に形成されたゲート電極と、
このゲート電極を挟むように前記キャリア供給層の上に形成されたソース電極およびドレイン電極と
を少なくとも備えることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4〜6のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記基板は、シリコンから構成されたものであることを特徴とする半導体装置。 - 基板の上に酸素が添加されたアルミニウムを含む窒化物半導体の層をエピタキシャル成長させる工程を少なくとも備えることを特徴とする窒化物半導体結晶薄膜の作製方法。
- 請求項8記載の窒化物半導体結晶薄膜の作製方法において、
前記基板は、シリコンから構成されたものであることを特徴とする窒化物半導体結晶薄膜の作製方法。 - 酸素が添加されたアルミニウムを含む窒化物半導体をエピタキシャル成長させることで基板の上に緩衝層が形成された状態とする工程と、
前記緩衝層の上に窒化物半導体からなる素子が形成された状態とする工程と
を少なくとも備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項10記載の半導体装置の製造方法において、
前記基板は、シリコンから構成されたものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008070937A JP2009231302A (ja) | 2008-03-19 | 2008-03-19 | 窒化物半導体結晶薄膜およびその作製方法、半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008070937A JP2009231302A (ja) | 2008-03-19 | 2008-03-19 | 窒化物半導体結晶薄膜およびその作製方法、半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009231302A true JP2009231302A (ja) | 2009-10-08 |
Family
ID=41246423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008070937A Pending JP2009231302A (ja) | 2008-03-19 | 2008-03-19 | 窒化物半導体結晶薄膜およびその作製方法、半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009231302A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2609632B1 (de) * | 2010-08-26 | 2019-10-02 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02141495A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 窒化アルミニウム単結晶薄膜を有する積層単結晶基板及びその製造方法 |
JP2003078215A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Nec Corp | Iii族窒化物半導体素子およびその製造方法 |
JP2004043281A (ja) * | 2002-05-16 | 2004-02-12 | Ngk Insulators Ltd | エピタキシャル基板 |
JP2005350321A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 窒化物半導体成長用基板 |
JP2006303475A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-11-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 電界効果トランジスタ |
JP2008034834A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | シリコン基板上の窒化物単結晶成長方法、これを用いた窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2008060519A (ja) * | 2005-12-28 | 2008-03-13 | Ngk Insulators Ltd | AlN系III族窒化物エピタキシャル膜の転位低減方法 |
-
2008
- 2008-03-19 JP JP2008070937A patent/JP2009231302A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02141495A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 窒化アルミニウム単結晶薄膜を有する積層単結晶基板及びその製造方法 |
JP2003078215A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Nec Corp | Iii族窒化物半導体素子およびその製造方法 |
JP2004043281A (ja) * | 2002-05-16 | 2004-02-12 | Ngk Insulators Ltd | エピタキシャル基板 |
JP2005350321A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 窒化物半導体成長用基板 |
JP2006303475A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-11-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 電界効果トランジスタ |
JP2008060519A (ja) * | 2005-12-28 | 2008-03-13 | Ngk Insulators Ltd | AlN系III族窒化物エピタキシャル膜の転位低減方法 |
JP2008034834A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | シリコン基板上の窒化物単結晶成長方法、これを用いた窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2609632B1 (de) * | 2010-08-26 | 2019-10-02 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3067921B1 (en) | Process for producing an epitaxial substrate for a semiconductor element | |
US7518154B2 (en) | Nitride semiconductor substrate and semiconductor element built thereon | |
US9123534B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP5665171B2 (ja) | Iii族窒化物半導体電子デバイス、iii族窒化物半導体電子デバイスを作製する方法 | |
JP3960957B2 (ja) | 半導体電子デバイス | |
US8890208B2 (en) | Group III nitride epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and process for producing group III nitride epitaxial substrate for semiconductor device | |
WO2011055774A1 (ja) | 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法 | |
WO2011099097A1 (ja) | 窒化物半導体装置及びその製造方法 | |
JPWO2005015642A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
EP2290696B1 (en) | Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device | |
US20110049571A1 (en) | Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device | |
US8785942B2 (en) | Nitride semiconductor substrate and method of manufacturing the same | |
JP2009049121A (ja) | ヘテロ接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
US20130015466A1 (en) | Epitaxial substrate for semiconductor device and semiconductor device | |
US9401402B2 (en) | Nitride semiconductor device and nitride semiconductor substrate | |
JP2018117064A (ja) | 窒化物半導体デバイス及び窒化物半導体デバイスの製造方法 | |
WO2018098952A1 (zh) | 氮化镓基外延结构、半导体器件及其形成方法 | |
JP2007123824A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体を用いた電子装置 | |
JP5399021B2 (ja) | 高周波用半導体素子形成用のエピタキシャル基板および高周波用半導体素子形成用エピタキシャル基板の作製方法 | |
KR20150000753A (ko) | 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2018200934A (ja) | 窒化物半導体積層物、半導体装置、窒化物半導体積層物の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2012064977A (ja) | Iii族窒化物半導体積層ウェハ及びiii族窒化物半導体デバイス | |
JP2009231302A (ja) | 窒化物半導体結晶薄膜およびその作製方法、半導体装置およびその製造方法 | |
JP2005129856A (ja) | 半導体電子デバイス | |
JP2020145331A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20100128 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20100513 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Effective date: 20111121 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Effective date: 20111121 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20120703 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120817 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20130528 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20131008 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |