JP2009218384A - 基板処理装置および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】設置や処理順の変更に多大な手間や時間を必要としない基板処理装置、および有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ装置などを製造するための基板処理装置において、固定チャンバ１５ｂ、１５ｄを接続する基板搬送室３２の内部には、一対のローラ５４ａ、５４ｂの間にベルト５３が張架され、かかるベルト５３には基板搭載部５１が一体に構成されている。ローラ５４ａ、５４ｂを回転させると、ベルト５３と一体に基板搭載部５１も移動する。このため、ベルト５３を急加速あるいは急減速した場合でも、基板搭載部５１の位置がずれないので、被処理基板１を高速搬送することができる。また、基板搬送室３２の内部から外部に引き出す回転軸５４ｃ、５４ｄの本数が少ない。
【選択図】図４

Description

本発明は、大気と異なる雰囲気下で被処理基板を処理する基板処理装置、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関するものである。

有機エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）装置（以下、有機ＥＬ装置という）、液晶装置、半導体装置などを製造する際に用いられる基板処理装置は、被処理基板に処理を施す複数のチャンバを有している（例えば、特許文献１参照）。

かかる基板処理装置において、被処理基板を基板搬送室を介して搬送する場合には、例えば、図６（ａ）、（ｂ）に平面構成および縦断面を模式的に示すように、基板搬送室１０３２の内部に対して、被処理基板１の搬送方向（矢印Ｂで示す方向）に複数本のローラ１０５４を並列するように配置しておき、これらのローラ１０５４を回転させることにより、被処理基板１を搭載したトレイ１０５１をローラ上で移動させていく方式が採用されることが多い。かかる基板搬送機構の場合には、複数のローラ１０５４を各々駆動する必要があるため、ローラ１０５４の回転軸１０５６を基板搬送室１０３２の外部まで引き出し、基板搬送室１０３２の外部で回転軸１０５６と駆動装置１０５５とを伝達機構１０５７を介して接続した構成となる。なお、図６に示す基板搬送室１０３２の構成は、本発明の特徴を説明するために本願発明者が案出したものであり、従来技術とは相違する。
特開２００６− １９０８９４号公報

しかしながら、図６（ａ）、（ｂ）に示す基板搬送機構の場合、トレイ１０５１がローラ１０５４上を移動するため、急激な加速や減速を行なうと、トレイ１０５１の位置がずれてしまうので、被処理基板１の高速搬送が行なえないという問題点がある。また、チャンバ１０１３を大気と異なる雰囲気、例えば、真空雰囲気や不活性ガス雰囲気に保持するには、基板搬送室１０３２も大気と異なる雰囲気に保持しておくことが好ましいが、図６（ａ）、（ｂ）に示す基板搬送機構の場合には、多数本の回転軸１０５６を基板搬送室１０３２の壁面を貫通させる必要があるため、貫通部分が多く、貫通部分での漏れを完全に防止するのに多大な設備費用がかかるという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板搬送室内で被処理基板を高速搬送するこことのできる基板処理装置を提供することにある。

また、本発明の課題は、基板搬送室内を大気と異なる雰囲気に保持するのに適した基板処理装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、大気と異なる雰囲気に保持される複数のチャンバと、前記複数のチャンバを接続する１乃至複数の基板搬送室とを備えた基板処理装置において、前記基板搬送室の内部には、前記被処理基板の搬送方向で離間する一対のローラと、該一対のローラの間に張架されて前記被処理基板の搬送方向に移動するベルトと、該ベルトと一体に構成され、当該ベルトにより牽引される基板搭載部とが設けられていることを特徴とする。

本発明を適用した基板処理装置において、基板搬送室の内部には、一対のローラの間にベルトが張架され、かかるベルトには基板搭載部と一体に構成されているため、ローラを回転させると、ベルトと一体に基板搭載部も移動する。このように、基板搭載部はベルトと一体化しているため、ベルトを急加速あるいは急減速した場合でも、基板搭載部の位置がずれないので、被処理基板を高速搬送することができる。

本発明は、前記基板搬送室が大気と異なる雰囲気に保持される場合に適用すると特に効果的である。すなわち、被処理基板を搭載したトレイなどの基板搭載部をローラ搬送する場合、基板の搬送方向に配列した複数本のローラの各々から回転軸を基板搬送室の外部まで引き出す必要があるが、本発明によれば、最低２本のローラでよいため、基板搬送室の内部から外部に引き出す回転軸の本数が少ない。従って、基板搬送室を気密状態に構成するのが容易である。

本発明において、前記ローラは、前記基板搬送室の外部に配置された駆動装置により駆動されることが好ましい。このように構成すると、駆動装置から発生する異物によって基板搬送室が汚染されることを防止することができる。

本発明において、前記ベルトは、両端部が前記一対のローラに固定された有端ベルトであり、前記ローラは、双方向に回転して前記ベルトを双方向に駆動可能であることが好ましい。このように構成すると、無端ベルトを用いた場合と比較して、ローラとベルトとの位置ずれが発生しにくいので、被処理基板の位置精度が高いという利点がある。

本発明において、前記ベルトは、ステンレス等の金属製であることが好ましい。このように構成すると、ベルトの寿命が長いという利点がある。

本発明において、前記基板搬送室の内部には、前記基板搭載部の姿勢および移動経路を規定するガイドが配置されていることが好ましい。かかるガイドは、レール状に延在していることが好ましい。このように構成すると、ベルトの延在方向の途中位置にガイドローラなどを配置しなくても、前記基板搭載部の姿勢や移動経路を高い精度で制御することができる。

本発明では、大気と異なる雰囲気に保持される複数のチャンバと、前記複数のチャンバを接続する１乃至複数の基板搬送室とを備えた基板処理装置において被処理基板に複数の処理を順次行なう有機ＥＬ装置の製造方法において、前記１乃至複数の基板搬送室の内部に、前記被処理基板の搬送方向で離間する一対のローラと、該一対のローラの間に張架されて前記被処理基板の搬送方向に移動するベルトと、該ベルトと一体に構成され、当該ベルトにより牽引される基板搭載部とを設けておき、前記ベルトを移動させることにより、前記被処理基板を前記基板搭載部に搭載した状態で前記基板搬送室内を搬送することを特徴とする。

以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、本発明を適用した基板処理装置を説明する前に、当該基板処理装置を用いて製造される各種電気光学装置や半導体装置の一例として、有機ＥＬ装置の構成およびその製造方法を説明しておく。

［有機ＥＬ装置の概要説明］
（有機ＥＬ装置の構成）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置の平面的な構成を各構成要素と共に第２基板側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。なお、図１（ｂ）にはカラーフィルタ層などの図示を省略してある。

図１（ａ）、（ｂ）において、本形態の有機ＥＬ装置１００では、素子基板としての第１基板１１０と、封止基板およびカラーフィルタ層基板の双方の機能を担う第２基板１２０とを備えており、第１基板１１０において、複数の有機ＥＬ素子１８０が形成されている面側に第２基板１２０が重ねて配置されている。

第１基板１１０と第２基板１２０とは、第１シール材層１９１および第２シール材層１９２によって貼り合わされている。かかる第１シール材層１９１および第２シール材層１９２の詳細な構成は後述するが、第１シール材層１９１は、図１（ａ）にドットを密に付した領域で示してあるように、画素領域１１０ａの周りを囲む周辺領域１１０ｃに沿って枠状に形成されている。これに対して、第２シール材層１９２は、図１（ａ）にドットを疎に付した領域で示してあるように、第１シール材層１９１で囲まれた領域の全体にわたって形成されている。なお、第１基板１１０において、第２基板１２０からの張り出し領域には端子１０２が形成されている。また、第１基板１１０において、周辺領域１１０ｃや、画素領域１１０ａと周辺領域１１０ｃとに挟まれた領域を利用してデータ線駆動回路や走査線駆動回路（図示せず）が形成されている。

（有機ＥＬ素子の構成）
図２は、本発明を適用した有機ＥＬ装置の細部の断面構成を模式的に示す断面図である。なお、図２には、有機ＥＬ素子として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応する３つの有機ＥＬ素子のみを示してある。

図２に示すように、第１基板１１０は、石英基板、ガラス基板、セラミック基板、金属基板などからなる支持基板１１０ｄを備えている。支持基板１１０ｄの表面には、絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１４、１１５が形成され、絶縁膜１１５の上層に有機ＥＬ素子１８０が形成されている。本形態において、絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１５は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などにより形成された酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などから形成され、絶縁膜１１４は、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる平坦化膜として形成されている。絶縁膜１１１は下地絶縁層であり、図示を省略するが、絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１４の層間などを利用して、有機ＥＬ素子１８０に対する通電を制御する薄膜トランジスタや配線が形成されている。

本形態の有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション型であり、矢印Ｌ１で示すように、支持基板１１０ｄからみて有機ＥＬ素子１８０が形成されている側から光を取り出すので、支持基板１１０ｄとしては、アルミナなどのセラミックス、ステンレススチールなどといった不透明な基板を用いることができる。また、絶縁膜１１４、１１５の層間には、真空蒸着法などにより形成されたアルミニウム、銀、それらの合金からなる光反射層１４１が形成されており、有機ＥＬ素子１８０から支持基板１１０ｄに向けて出射された光を光反射層１４１で反射することにより、光を出射可能である。なお、有機ＥＬ装置１００をボトムエミッション型で構成した場合、支持基板１１０ｄの側から光を取り出すので、支持基板１１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板が用いられる。

第１基板１１０では、絶縁膜１１５の上層にＩＴＯ膜などからなる第１電極層１８１（陽極／画素電極）が島状に形成されており、第１電極層１８１の上層には、発光領域を規定するための開口部を備えた感光性樹脂などからなる厚い隔壁１５１が形成されている。

第１電極層１８１の上層には、有機機能層１８２および第２電極層１８３（陰極）が積層されており、第１電極層１８１、有機機能層１８２および第２電極層１８３によって、有機ＥＬ素子１８０が形成されている。本形態において、有機機能層１８２および第２電極層１８３は、隔壁１５１が形成されている領域も含めて、画素領域１１０ａの全面にわたって形成されている。

本形態において、有機機能層１８２は、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体からなる正孔注入層、ＴＰＤ（トリフェニルジアミン）系正孔輸送層、アントラセン系ドーパントやルブレン系ドーパントを含むスチリルアミン系材料（ホスト）からなる発光層、アルミニウムキノリノール（Ａｌｑ₃）からなる電子注入層をこの順に積層した構造を有しており、その上層にＭｇＡｇなどの薄膜金属からなる第２電極層１８３が形成されている。また、有機機能層１８２と第２電極層１８３との間には、ＬｉＦからなる電子注入バッファ層が形成されることもある。これらの材料のうち、有機機能層１８２を構成する各層、および電子注入バッファ層は、真空蒸着法で順次形成することができる。また、第２電極層１８３などを構成する金属系材料については真空蒸着法により形成でき、第１電極層１８１を構成するＩＴＯなどの酸化物材料についてはＥＣＲプラズマスパッタ法やプラズマガン方式イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタ法などの高密度プラズマ成膜法により形成することができる。

本形態において、有機ＥＬ素子１８０は、白色光、または赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の混合色光を出射する。このため、有機ＥＬ装置１００では、第２基板１２０において、有機ＥＬ素子１８０と対向する位置に形成した赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタ層１２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）によって色変換を行なうことにより、フルカラー表示を行なう。このため、第２基板１２０には、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリオレフィンなどプラスチック基板や、ガラス基板などからなる透光性の支持基板１２０ｄに、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタ層１２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、カラーフィルタ層１２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の間で光の漏洩を防止するための遮光層１２３（ブラックマトリックス層）、透光性の平坦化膜１２４、酸窒化シリコン層などからなる透光性のガスバリア層１２５がこの順に形成されている。本形態において、カラーフィルタ層１２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、遮光層１２３、平坦化膜１２４、およびガスバリア層１２５は、第２基板１２０の画素領域１１０ａのみに形成され、周辺領域１１０ｃには形成されていない。このため、第２基板１２０の周辺領域１１０ｃでは、支持基板１２０ｄが露出している。カラーフィルタ層１２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）は、透明バインダー層に顔料または染料が混合されている層であり、遮光層１２３は、黒色顔料を含んだ樹脂からなる。

（封止構造）
このように構成した有機ＥＬ装置１００において、有機機能層１８２、陰極として用いた第２電極層１８３、電子注入層などは、水分により劣化しやすく、かかる劣化は、電子注入効果の劣化を惹き起こし、ダークスポットと呼ばれる非発光部分を発生させてしまう。そこで、本形態では、第２基板１２０を封止基板として第１基板１１０と貼り合せた構成と、第１基板１１０に対して以下に説明する封止膜１６０を形成した構成とを併用する。

まず、第１基板１１０には、第２電極層１８３の上層に画素領域１１０ａよりも広い領域にわたって封止膜１６０が形成されている。かかる封止膜１６０として、本形態では、第２電極層１８３上に積層されたシリコン化合物層からなる第１層１６１、この第１層１６１上に積層された樹脂層からなる第２層１６２、およびこの第２層１６２上に積層されたシリコン化合物からなる第３層１６３を備えた積層膜が用いられている。第１層１６１および第３層１６３は、高密度プラズマ源を用いた高密度プラズマ気相成長法、例えば、ブラズマガン方式イオンプレーティング、ＥＣＲプラズマスパッタ、ＥＣＲプラズマＣＶＤ、表面波プラズマＣＶＤ、ＩＣＰ−ＣＶＤなどを用いて成膜された窒化シリコン（ＳｉＮ_x）膜や酸窒化シリコン（ＳｉＯ_xＮ_y）膜などから構成されており、かかる薄膜は、低温で成膜しても水分を確実に遮断する高密度ガスバリア層として機能する。第２層１６２は、樹脂層から構成されており、隔壁１５１や配線などに起因する表面凹凸を平坦化して第１層１６１および第２層１６２にクラックが発生するのを防止する有機緩衝層として機能している。

本形態では、封止膜１６０を構成する第１層１６１および第３層１６３は、画素領域１１０ａ、画素領域１１０ａの近傍領域、および画素領域１１０ａから離れた周辺領域１１０ｃの全てを含む第１基板１１０の全面に形成されている。これに対して、第２層１６２（有機緩衝層）は、画素領域１１０ａ、および画素領域１１０ａの近傍領域のみに分厚く形成され、画素領域１１０ａから離れた周辺領域１１０ｃには形成されていない。また、絶縁膜１１４、１１５は概ね、画素領域１１０ａのみ形成されている。

次に、本形態では、図１（ａ）、（ｂ）および図２に示すように、第１基板１１０と第２基板１２０との間では、周辺領域１１０ｃに沿って第１シール材層１９１が矩形枠状に形成されている。また、第１シール材層１９１で囲まれた領域の全体にわたって透光性の第２シール材層１９２が形成され、第１基板１１０と第２基板１２０とは、第１シール材層１９１および第２シール材層１９２によって貼り合わされている。本形態において、第１シール材層１９１（第１シール材１９１ａ）には、紫外線によって硬化するエポキシ系接着剤が用いられている。第２シール材層１９２（第２シール材１９２ａ）には、熱によって硬化するエポキシ系接着剤が用いられている。

（製造方法）
図１（ａ）、（ｂ）および図２を参照して、本形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法を説明する。本形態の有機ＥＬ装置１００を製造するにあたっては、第１基板１１０および第２基板１２０を単品サイズの大きさの状態で貼り合せる方法の他、第１基板１１０および第２基板１２０を多数取りできる大型基板の状態で貼り合わせ、その後、大型基板を単品サイズの大きさに切断する方法を採用することもある。これらのいずれの方法を採用しても、基本的な構成は同一であるので、以下の説明では、単品サイズおよび大型基板にかかわらず、第１基板１１０および第２基板１２０として説明する。

まず、真空蒸着法やＣＶＤ法などを利用して第１基板１１０に有機ＥＬ素子１８０や封止膜１６０などを形成する。次に、第１シール材塗布工程においては、窒素雰囲気中でディスペンサ描画、スクリーン印刷法、マイクロピエゾヘッドを用いたインクジェット法などにより、第１基板１１０に対して、第１基板１１０の周辺領域１１０ｃに沿うように、前記した光硬化性のエポキシ樹脂材料からなる第１シール材１９１ａを１ｍｍ以下の狭い幅寸法に塗布する。その際、第１シール材１９１ａを１ｍｍ以下の狭い幅寸法に塗布するという観点から、第１シール材１９１ａの塗布時の粘度は、室温で２万〜２０万ｍＰａ・ｓ程度が好ましく、４〜１０万ｍＰａ・ｓ程度がさらに好ましい。

次に、第２シール材塗布工程においては、窒素雰囲気中でディスペンサ描画、スクリーン印刷法、マイクロピエゾヘッドを用いたインクジェット法などにより、第１基板１１０において、第１シール材１９１ａ囲まれた領域内に、前記した熱硬化性のエポキシ樹脂材料からなる第２シール材１９２ａを塗布する。かかる第２シール材１９２ａは、ベタ状、ドット状、ストライプ状などのパターンに塗布される。第２シール材１９２ａの塗布時の粘度は、薄膜でかつ充填性を上げるという観点から、５００ｍＰａ・ｓ以下、さらには３００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。

次に、重ね合わせ工程においては、真空度１Ｐａ程度の減圧雰囲気中で、第１シール材１９１ａおよび第２シール材１９２ａを間に挟むように、第１基板１１０と第２基板１２０とを重ね合わせる。その際、約６００Ｎ程度の力で第２基板１２０を第１基板１１０に向けて加圧し、この状態を約２００秒保持する。かかる重ね合わせ工程では、まず、第１シール材１９１ａが第２基板１２０に接触して内側が密閉され、その後、第１基板１１０と第２基板１２０と間で第２シール材１９２ａが展開する。

次に、常圧に戻すと、大気圧によって加圧されたのと同様な状態になるので、第１基板１１０と第２基板１２０との間で第２シール材１９２ａが隅々まで展開し、第２シール材１９２ａの充填性が向上する。その際、第１シール材１９１ａは、第２シール材１９２ａに対するバンクとして機能する。このため、減圧状態から常圧に戻した際に大気圧によって加圧されたのと同様な状態になっても、第２シール材１９２ａは、第１シール材１９１ａによって堰き止められる。なお、第１基板１１０と第２基板１２０との間には、それらの間に介在する第１シール材１９１ａおよび第２シール材１９２ａによって所定の間隙が確保される。また、第１シール材１９１ａにビーズ状あるいはファイバー状のギャップ材を添加しておき、これらのギャップ材によって、第１基板１１０と第２基板１２０との間に間隙を確保してもよい。

次に、硬化工程では、第１基板１１０または／および第２基板１２０の側から第１シール材１９１ａに対して３０ｍＷ/ｃｍ²程度のパワーで２０００ｍＪ/ｃｍ²程度の光量の紫外線を照射して第１シール材１９１ａを選択的に硬化させて、第１シール材層１９１を形成する。次に、第１シール材層１９１によって貼り合わされた第１基板１１０と第２基板１２０とをホットプレート上に配置した状態で６０〜１００℃の加熱を行い、第１基板１１０と第２基板１２０との間で第２シール材１９２ａを隅々まで行き渡らせながら第２シール材１９２ａを硬化させ、第２シール材層１９２を形成する。このようにして、第１基板１１０と第２基板１２０とを第１シール材層１９１および第２シール材層１９２によって貼り合わせた構造とする。

なお、上記形態では、有機機能層１８２を画素領域１１０ａの全面に形成した例を説明したが、隔壁１５１で囲まれた領域内にインクジェット法などで有機機能層を選択的に塗布した後、定着させて、第１電極層１８１の上層に正孔注入層および発光層からなる有機機能層が形成された有機ＥＬ装置に発明を適用してもよい。この場合、正孔注入層には、３、４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などが用いられ、発光層には、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、１９１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープした材料などが用いられる。

図１および図２を参照して説明したように、有機ＥＬ装置は、真空雰囲気（減圧雰囲気）や窒素雰囲気など、大気と異なる状態での複数の処理により製造される。そこで、本形態では、図３に示すように、基板処理装置を構成してある。

図３は、本発明を適用した基板処理装置の構成を示す模式平面図である。図３に示すように、基板処理装置１１は、被処理基板１を備えた有機ＥＬ装置、液晶装置、半導体装置などの製造に用いられる装置であり、クラスタ型の処理ステーション１３ａ〜１３ｆを複数有している。また、基板処理装置１１は、複数の処理ステーション１３ａ〜１３ｆと連通可能に接続された基板搬送エリア１４を備えている。従って、有機ＥＬ装置を製造する場合、被処理基板１としての素子基板１１０（図１および図２参照）に対し、真空雰囲気下でのＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法などを用いた各膜の形成工程、フォトリソグラフィ技術を利用したパターニング工程、窒素雰囲気下での有機膜の封止工程、窒素雰囲気下でのインクジェット技術を利用した印刷工程などの処理を行なうことができる。

また、第２処理ステーション１３ｂの第２固定チャンバ１５ｂにおいて、８つの辺部２０のうち１つの辺部２０には、被処理基板１を第２処理ステーション１３ｂから第４処理ステーション１３ｄに直接搬送する直通の基板搬送室３２が接続されており、かかる直通の基板搬送室３２は、第４処理ステーション１３ｄにおいて、第４固定チャンバ１５ｄの８つの辺部２０のうち１つの辺部２０に接続されている。また、第４固定チャンバ１５ｄにはアンロード室３３が存続されている。なお、固定チャンバ１５ｂ、１５ｄにおいて、直通の基板搬送室３２と接続されている辺部２０には、図示しないゲートバルブが設けられており、かかるゲートバルブを閉状態から開状態にすることにより、被処理基板１を第２固定チャンバ１５ｂから第４固定チャンバ１５ｄに直接搬送することができる。従って、処理の内容によっては、例えば、第２固定チャンバ１５ｂに被処理基板１を搬入するときは搬送チャンバ２３を使用し、第２固定チャンバ１５ｂから第４固定チャンバ１５ｄに被処理基板１を搬出するときには直通の基板搬送室３２を使用することができる。よって、直通の基板搬送室３２で搬送している被処理基板１とは別の被処理基板１を、搬送チャンバ２３によって他の固定チャンバ１５に搬送することができる。

以下、複数の処理ステーション１３ａ〜１３ｆのうち、第１処理ステーション１３ａを中心に具体的に説明する。

第１処理ステーション１３ａは、大気と異なる雰囲気の第１固定チャンバ１５ａを備えている。第１固定チャンバ１５ａの周囲には、大気と異なる雰囲気中で被処理基板１に所望の処理を施すための処理チャンバ１６が複数配置されている。被処理基板１は、大気と異なる雰囲気下での処理が連続的に行われるため、複数の処理チャンバ１６間や複数の処理ステーション１３間で搬送される。その他の処理ステーション１３ｂ〜１３ｆも同様な構成を備えている。

ここで、第１処理ステーション１３ａは、真空雰囲気の第１固定チャンバ１５ａを備えており、例えば、１０^-5Ｐａの真空雰囲気に設定されている。第１固定チャンバ１５ａは、例えば、８つの辺部２０を有する正八角形の平面形状に形成されている。具体的には、各辺部２０は、互いに１３５°の内角をもって連なっている。このように、第１固定チャンバ１５ａが、正八角形の平面形状を有していることにより、辺部２０の数を多くすることが可能となり、辺部２０に対して多くの処理チャンバ１６を接続することができる。

第１固定チャンバ１５ａの中央付近には、基板搬送ロボット１７が配置されている。基板搬送ロボット１７は、被処理基板１の搬送、取り上げ、載置などを行なうアーム１８を備えている。また、第１固定チャンバ１５ａや処理チャンバ１６には、真空雰囲気にするための真空引き装置（図示せず）が接続されている。

また、８つの辺部２０のうち１つの辺部２０には、例えば、被処理基板１を外部から基板処理装置１１内に搬入するロード室１９が接続されている。８つの辺部２０のうち４つの辺部２０には、処理チャンバ１６が接続されている。４つの辺部２０には、辺部２０を開状態又は閉状態に切り換えるゲートバルブ（図示せず）が設けられている。また、８つの辺部２０のうち基板搬送エリア１４側の１つの辺部２０（基板の受け渡し口）は、ゲートバルブ２１（第１ゲートバルブ）を介して基板搬送エリア１４と連通可能に接続されている。

他の処理ステーション１３ｂ〜１３ｆは、上記した第１処理ステーション１３ａと同様の構成となっている。但し、本形態では、第１処理ステーション１３ａ〜第３処理ステーション１３ｃは、真空雰囲気で被処理基板１に処理を行ない、第４処理ステーション１３ｄ〜第６処理ステーション１３ｆは、不活性ガス雰囲気中、例えば、窒素雰囲気中で被処理基板１に処理を行なう。このため、第１処理ステーション１３ａ〜第３処理ステーション１３ｃには、固定チャンバ１５ａ〜１５ｃや処理チャンバ１６を真空引きするためのポンプなどが構成されている一方、第４処理ステーション１３ｄ〜第６処理ステーション１３ｆには、固定チャンバ１５ｄ〜１５ｆおよび処理チャンバ１６を窒素ガスで置換するための真空ポンプおよび窒素ガス供給装置が構成されている。なお、第６処理ステーション１３ｆは、例えば、第１固定チャンバ１５ａの８つの辺部２０のうち１つの辺部２０に、被処理基板１を基板処理装置１１から外部に搬出するアンロード室２２が接続されている。

基板搬送エリア１４は、略長方形に形成されており、基板搬送エリア１４を挟む両側で固定チャンバ１５ａ〜１５ｆの８つの辺部２０のうち１つの辺部２０が接続されている。ここで、基板搬送エリア１４には、被処理基板１を搬送する搬送チャンバ２３と、搬送チャンバ２３を移動させる搬送基台２４と、搬送基台２４を基板搬送エリア１４の長辺方向に沿って案内する搬送レールとしての搬送ガイド２５（基板搬送路）とが配置されている。この搬送ガイド２５によって、搬送チャンバ２３を長辺方向に往復移動させることができる。搬送チャンバ２３において、固定チャンバ１５ａ〜１５ｆとの基板の受け渡し口にはゲートバルブ２６（第２ゲートバルブ）が取り付けられている。

基板搬送エリア１４は、搬送チャンバ２３にゴミなどが付着しないように、クリーン度の高い雰囲気に設定されている。これにより、基板搬送エリア１４内へのゴミの侵入を抑え、搬送チャンバ２３と各固定チャンバ１５ａ〜１５ｆとがゲートバルブ２１、２６を介して密着した場合でも、ゴミを巻き込むようなことを防ぐことができる。

搬送チャンバ２３は、内部が真空雰囲気や窒素雰囲気（不活性ガス雰囲気）に設定されており、被処理基板１を載置するテーブル（図示せず）が設けられている。

搬送基台２４には、搬送チャンバ２３の中を真空雰囲気や窒素雰囲気（不活性ガス雰囲気）にするための真空ポンプ２７（例えば、ドライポンプ）や窒素ガス供給装置（図示せず）が取り付けられている。但し、搬送チャンバ２３の中を真空雰囲気にするための真空ポンプ２７のみが取り付けられることもある。

搬送チャンバ２３は、搬送基台２４を固定台として、法線を軸に回転させることが可能となっている。具体的には、例えば、１８０°の範囲で回動させることが可能となっている。より具体的には、例えば、９０°間隔で回動するようになっている。これにより、搬送チャンバ２３の姿勢は、固定チャンバ１５ａ〜１５ｆとの基板受け渡し口が位置する方向が、固定チャンバ１５ａ〜１５ｆが位置する側に向いた姿勢と、搬送ガイド２５および基板搬送エリア１４が延在している側に向いた姿勢との間で切り換えられ、基板搬送エリア１４の周囲に配置された処理ステーション１３ａ〜１３ｆ（固定チャンバ１５ａ〜１５ｆ）との間で被処理基板１の授受を行なうことができる。

更に、搬送チャンバ２３は、搬送基台２４を固定台として、各固定チャンバ１５ａ〜１５ｆが配置されている方向（図３における上下方向）に往復移動することが可能に設けられている。これにより、搬送チャンバ２３のゲートバルブ２６と、第１処理ステーション１３ａのゲートバルブ２１とを密着させることが可能となり、搬送チャンバ２３と各固定チャンバ１５ａ〜１５ｆとの間で被処理基板１を行き来させることができる。

搬送ガイド２５は、例えば、凸状に形成されており、第１処理ステーション１３ａ側から第５処理ステーション１３ｅ側に延びて形成されている。また、搬送基台２４には凹状の窪みが形成されており、凸状の搬送ガイド２５と凹状の搬送基台２４とが摺動可能に合わさって配置されている。つまり、搬送ガイド２５を案内にして搬送基台２４を移動させることにより、搬送チャンバ２３を容易に固定チャンバ１５ａ〜１５ｆの位置に移動させることができる。

第１固定チャンバ１５ａと基板搬送エリア１４との位置関係は、第１固定チャンバ１５ａのゲートバルブ２１と搬送チャンバ２３のゲートバルブ２６とが密着できると共に、真空雰囲気中で被処理基板１を搬送できればよく、例えば、基板搬送エリア１４から第１固定チャンバ１５ａの配置位置が離れていてもよい。つまり、接続部分だけ規定の精度で密着できるようにしておけばよい。また、ゲートバルブ２１、２６が上記した位置関係を満足していれば、固定チャンバ１５ａ〜１５ｆの位置が互いにずれていてもよい。

（基板搬送室３２の構成）
図４（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した基板処理装置に構成した基板搬送室の平面構成および断面構成を模式的に示す説明図である。

図３に示す基板処理装置１１においては、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、第２処理ステーション１３ｂの第２固定チャンバ１５ｂと、第４処理ステーション１３ｄの第４固定チャンバ１５ｄとを接続する基板搬送室３２は、上壁３２ｃ、底壁３２ｄおよび側壁３２ａ、３２ｂにより囲まれた空間であり、真空雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気等、大気と異なる雰囲気に保持されている。

このような基板搬送室３２において、第２固定チャンバ１５ｂから第４固定チャンバ１５ｄに基板を搬送するにあたって、まず、基板搬送室３２の内部には、被処理基板１の搬送方向（矢印Ｂで示す方向）で離間する一対のローラ５４ａ、５４ｂが配置されているとともに、一対のローラ５４ａ、５４ｂの間にはベルト５３が張架されている。ベルト５３は、ステンレス等からなる金属製のベルトであり、ベルト５３の上面にはレイ状の基板搭載部５１が固定されている。ベルト５３としては、単板の他、積層板や金属メッシュを多層にしたものなどを用いることもできる。いずれの場合も、ベルト５３として金属製のものを用いれば、寿命が長いという利点がある。なお、金属製のものと同等の特性を得ることができる場合には、ベルト５３を他の材質により構成してもよい。

本形態において、ベルト５３は、両端部が一対のローラ５４ａ、５４ｂに固定された有端ベルトである。また、ベルト５３は、長さ方向の途切れ部分の２つの端部が、基板搭載部５１の下面で突出する連結部５１ｅに接続されている。また、基板搬送室３２では、基板搭載部５１の下方位置には、被処理基板１の搬送方向に向かって左右一対のガイドレール５２が延在しており、かかるガイドレール５２は、基板搭載部５１の連結部５１ｅを左右両側から挟むように配置されている。このため、下流側のローラ５４ｂが、矢印Ａ１で示すように回転すると、ベルト５３は、被処理基板１の搬送方向に移動し、それに伴って、基板搭載部５１も被処理基板１の搬送方向に移動する。これに対して、上流側のローラ５４ａが、矢印Ａ２で示すように回転すると、ベルト５３は、被処理基板１の搬送方向とは逆方向に移動し、それに伴って、基板搭載部５１も被処理基板１の搬送方向とは逆方向に移動する。その間、ガイドレール５２は、基板搬送室３２の姿勢および移動経路を制御する。

かかる駆動を行なうために、本形態では、ローラ５４ａ、５４ｂの回転軸５４ｃ、５４ｄは、側壁３２ａを貫通して基板搬送室３２の外部まで引き出されており、かかる側壁３２ａにおいて、２本の回転軸５４ｃ、５４ｄの貫通部分には所定のシールが施されている。また、基板搬送室３２の外部では、回転軸５４ｃ、５４ｄの各々に対して、モータを備えた駆動装置５５ａ、５５ｂが接続されている。

ここで、基板搭載部５１の底部には４つの貫通穴５１ｂが形成されている。また、基板搬送室３２の底壁３２ｄには、基板搭載部５１が最も第２固定チャンバ１５ｂに接近した状態で貫通穴５１ｂに重なる位置に４つの貫通穴３２ｅが形成されており、かかる４つの貫通穴３２ｅの内部には、貫通穴３２ｅを塞ぐように４本の昇降ピン５７が配置されている。また、基板搬送室３２の底壁３２ｄには、基板搭載部５１が最も第４固定チャンバ１５ｄに接近した状態で貫通穴５１ｂに重なる位置にも４つの貫通穴３２ｆが形成されており、かかる４つの貫通穴３２ｆの内部には、貫通穴３２ｆを塞ぐように４本の昇降ピン５８が配置されている。かかる昇降ピン５７、５８は、後述するように、貫通穴３２ｅ、３２ｆの内部で上下方向に移動し、第２固定チャンバ１５ｂ内の基板搬送ロボット１７と基板搭載部５１との間、および基板搭載部５１と第４固定チャンバ１５ｄ内の基板搬送ロボット１７との間で基板を授受する際に用いられる。

（基本的な搬送動作）
次に、基板処理装置１１の基本的な搬送動作について、図３を参照しながら説明する。なお、本形態の基板処理装置１１は、例えば、第１処理ステーション１３ａから第６処理ステーション１３ｆまで順に処理を行っていくものとする。

まず、被処理基板１を、ロード室１９を介して基板処理装置１１内に搬入する。次に、第１処理ステーション１３ａにおいては、真空雰囲気中で被処理基板１に所望の処理を施す。被処理基板１は、基板搬送ロボット１７によって、ロード室１９から処理チャンバ１６に搬送される。また、各処理チャンバ１６間の搬送も基板搬送ロボット１７が行う。

次に、被処理基板１を、第１処理ステーション１３ａから基板搬送エリア１４内の搬送チャンバ２３に搬送する。まず、搬送チャンバ２３を第１処理ステーション１３ａに近い位置まで移動させる。なお、予め第１処理ステーション１３ａの位置に待機させておくようにしてもよい。また、搬送チャンバ２３を移動させる際、ゲートバルブ２６が基板搬送エリア１４に接触しないよう、ゲートバルブ２６が基板搬送エリア１４の長手方向側に向くように搬送チャンバ２３を回転させておくことが好ましい。いずれの場合も、第１処理ステーション１３ａは真空雰囲気になっているので、搬送チャンバ２３内を真空雰囲気にしておく。

次に、ゲートバルブ２６が第１処理ステーション１３ａの方向に向くように搬送チャンバ２３を回転させ、その後、搬送チャンバ２３を第１固定チャンバ１５ａの方向に移動させて、第１固定チャンバ１５ａのゲートバルブ２１と搬送チャンバ２３のゲートバルブ２６とを密着させる。

次に、ゲートバルブ２１、２６を閉状態から開状態にして、第１固定チャンバ１５ａと搬送チャンバ２３とを連通させる。そして、基板搬送ロボット１７を用いて、第１固定チャンバ１５ａから搬送チャンバ２３に処理が施された被処理基板１を搬送し、図示しないテーブルに被処理基板１を載置する。被処理基板１を搬送した後、ゲートバルブ２１、２６を開状態から閉状態にする。

次に、被処理基板１を第２処理ステーション１３ｂに搬送する。まず、搬送チャンバ２３を第２固定チャンバ１５ｂ側に移動させ、その後、ゲートバルブ２６が第２処理ステーション１３ｂの方向に向くように搬送チャンバ２３を回転させる。そして、搬送チャンバ２３を第２処理ステーション１３ｂ側に移動させて、搬送チャンバ２３のゲートバルブ２６と第２処理ステーション１３ｂのゲートバルブ２１とを密着させる。ここで、第２処理ステーション１３ｂでは、真空雰囲気中で被処理基板１に処理を行なうため、搬送チャンバ２３内を真空雰囲気にしておく。

次に、ゲートバルブ２１、２６を閉状態から開状態にして、第２固定チャンバ１５ｂと搬送チャンバ２３とを連通させる。そして、基板搬送ロボット１７を用いて、搬送チャンバ２３から第２固定チャンバ１５ｂに被処理基板１を搬送し、更に、被処理基板１を第２処理ステーション１３ｂの処理チャンバ１６に搬送する。被処理基板１を搬送した後、ゲートバルブ２１、２６を開状態から閉状態にする。

以下、同様の方法によって、第２処理ステーション１３ｂから第６処理ステーション１３ｆまで被処理基板１を搬送し、被処理基板１に処理を施す。そして、第６処理ステーション１３ｆの処理が終了した後、アンロード室２２から被処理基板１を取り出す。

その間、第４処理ステーション１３ｄから第６処理ステーション１３ｆでは、窒素雰囲気中で被処理基板１に処理を行なうため、固定チャンバ１５ｄ〜１５ｆおよび処理チャンバ１６は窒素雰囲気になっている。このため、第４処理ステーション１３ｄから第６処理ステーション１３ｆの固定チャンバ１５ｄ〜１５ｆと、搬送チャンバ２３との間で被処理基板１の授受を行う際には、搬送チャンバ２３の内部については、真空雰囲気あるいは窒素雰囲気にしておく。

このように構成した基板処理装置１１によれば、処理可能な状態に立ち上げるまでの時間を短縮できる効果に加えて、例えば、開発や試作段階における様々な条件出し、様々な処理順番で処理を行うような場合に効果を得ることができる。すなわち、本形態の基板処理装置１１では、基板搬送エリア１４と各固定チャンバ１５ａ〜１５ｆのそれぞれとが連通可能に接続されているので、基板処理装置１１を立ち上げる際、搬送ガイド２４（基板搬送路）および基板搬送エリア１４を基準に複数の固定チャンバ１５ａ〜 １５ｆを同時に接続させていくことが可能となり、立ち上げ時間を早くすることができる。

また、搬送チャンバ２３が移動して各固定チャンバ１５ａ〜１５ｆに被処理基板１を搬送するので、各固定チャンバ１５ａ〜 １５ｆを処理順に並べる必要がなく、これにより、新しく工程を追加したい場合、基板搬送エリア１４に新たな固定チャンバ１５を接続するだけで対応できる。また、接続する固定チャンバ１５以外は、作業を停止しなくても対応できるので、生産性が低下することを抑えることができる。更に、工程順を変えたい場合、搬送チャンバ２３の搬送順序を変えるだけで対応することができるので、他の固定チャンバ１５に悪影響を与えることなく対応することが可能となり、生産性を向上させることができる。

さらに、真空雰囲気とされる第１処理ステーション１３ａから第３処理ステーション１３ｃの固定チャンバ１５ａ〜１５ｃと搬送チャンバ２３との間で被処理基板１の授受を行う際には、搬送チャンバ２３の内部については真空雰囲気にしておき、窒素雰囲気とされる第４処理ステーション１３ｄから第６処理ステーション１３ｆの固定チャンバ１５ｄ〜１５ｆと搬送チャンバ２３との間で被処理基板１の授受を行う際には、搬送チャンバ２３の内部については真空雰囲気あるいは窒素雰囲気としておくので、基板搬送を行なう際、被処理基板１に形成した膜などが劣化せず、かつ、各処理ステーション１３ａ〜１３ｆの雰囲気を乱すことがない。

また、基板搬送エリア１４がクリーン度の高い雰囲気になっているので、搬送チャンバ２３が移動したり各固定チャンバ１５のゲートバルブ２１と密着したりした場合でも、ゲートバルブ２１、２６を清潔に保つことができる。よって、基板処理装置１１内などに不純物が混入することを防ぐことができる。

（基板搬送室３２での搬送動作）
図５は、本発明を適用した基板処理装置の基板搬送室で行なわれる基板搬送動作の説明図である。本形態の基板処理装置１１において、被処理基板１を第２処理ステーション１３ｂから第４処理ステーション１３ｄに直接搬送する場合には、まず、図５（ａ）に示すように、基板搭載部５１が最も第２固定チャンバ１５ｂに接近した位置にある。この状態で、第２固定チャンバ１５ｂの基板搬送ロボット１７が被処理基板１を基板搭載部５１の真上位置まで移動させると、昇降ピン５７が基板搭載部５１の貫通穴５１ｂを通って基板搭載部５１の上方まで上昇し、昇降ピン５７が被処理基板１を支持した時点で基板搬送ロボット１７が退避する。

次に、図５（ｂ）に示すように、昇降ピン５７が下降すると、被処理基板１は基板搭載部５１の上面に載置される。

次に、図４（ａ）に示す駆動装置５５ｂによってローラ５４ｄが矢印Ａ１で示す方向に駆動されると、図５（ｃ）に示すように、ベルト５３は、ローラ５４ｄに巻回されるように第４固定チャンバ１５ｄの方に移動し、それに伴い、被処理基板１を搭載した基板搭載部５１も第４固定チャンバ１５ｄの方に移動する。そして、基板搭載部５１が最も第４固定チャンバ１５ｄに接近した位置でローラ５４ｄが停止する。その際、ローラ５４ｄの回転速度は、基板搭載部５１が急加速して移動を開始した後、急減速しながら停止するように制御される。その間、図４（ａ）に示す駆動装置５５ａによってローラ５４ａも矢印Ａ１で示す方向に駆動する場合があり、このように同期させると、駆動装置５５ｂでの負荷の軽減や振動などを防止することができる。

このようにして、図５（ｄ）に示すように、基板搭載部５１が第４固定チャンバ１５ｄに最も接近した位置で停止すると、昇降ピン５７が基板搭載部５１の貫通穴５１ｂを通って基板搭載部５１の上方まで上昇し、被処理基板１を支持した状態となる。次に、第４固定チャンバ１５ｄの基板搬送ロボット１７が被処理基板１を保持し、その後、昇降ピン５７が下降すると、被処理基板１は、固定チャンバ１５ｄの基板搬送ロボット１７に受け渡される。しかる後には、図４（ａ）に示す駆動装置５５ａによってローラ５４ａが矢印Ａ２で示す方向に駆動されると、図５（ａ）に示すように、ベルト５３は、ローラ５４ａに巻回されるように第２固定チャンバ１５ｂの方に移動し、元の位置に戻る。その間、図４（ａ）に示す駆動装置５５ｂによってローラ５４ｂａも矢印Ａ２で示す方向に駆動する場合があり、このように同期させると、駆動装置５５ａでの負荷の軽減や振動などを防止することができる。

このように、本形態の基板処理装置１１において、基板搬送室３２の内部には、一対のローラ５４ａ、５４ｂの間にベルト５３が張架され、かかるベルト５３には基板搭載部５１が一体に構成されているため、ローラ５４ａ、５４ｂを回転させると、ベルト５３と一体に基板搭載部５１も移動する。このように、基板搭載部５１はベルト５３と一体化しているため、ベルト５３を急加速あるいは急減速した場合でも、基板搭載部５１の位置がずれないので、被処理基板１を高速搬送することができる。

また、本形態では、被処理基板１を搬送するのに最低２本のローラ５４ａ、５４ｂでよいため、基板搬送室３２の内部から外部に引き出す回転軸５４ｃ、５４ｄの本数が少ない。従って、基板搬送室３２を気密状態にするためのシール個所が少ないので、基板搬送室３２を大気と異なる状態に保持するのが容易である。

また、本形態において、ローラ５４ａ、５４ｂは、基板搬送室３２の外部に配置された駆動装置５５ａ、５５ｂにより駆動されるため、駆動装置５５ａ、５５ｂから発生する異物によって基板搬送室３２が汚染されることを防止することができる。

さらに、ベルト５３は、両端部が一対のローラ５４ａ、５４ｂに固定された有端ベルトであり、ローラ５４ａ、５４ｂは、双方向に回転して前記ベルト５３を双方向に駆動可能である。従って、無端ベルトを用いた場合と比較して、ローラ５４ａ、５４ｂとベルト５３との位置ずれが発生しにくいので、被処理基板１の位置精度が高いという利点がある。

さらにまた、基板搬送室３２の内部にはガイドレール５２が配置されているので、ベルト５３の延在方向の途中位置にガイドローラなどを配置しなくても、基板搭載部５１の姿勢や移動経路を高い精度で制御することができる。

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、直通の基板搬送室３２を用いて被処理基板１を第２固定チャンバ１５ｂから第４固定チャンバ１５ｄの一方向に搬送する例を説明したが、複数のチャンバ間で直通の基板搬送室３２を介して被処理基板１を往復搬送するようにしてもよく、３以上のチャンバが直通の基板搬送室３２によって直接接続されている形態を採用してもよい。

上記実施の形態では、２本のローラ５４ａ、５４ｂの各々に駆動装置５５ａ、５５ｂを設けたが、共通の駆動装置によって、ローラ５４ａ、５４ｂを駆動してもよい。

上記実施の形態では、ベルト５３として有端ベルトを用いたが、ローラ面に凹凸を備えたローラを用い、ベルトとしては、ローラ面の凹凸と係合する凹凸を備えた無端のタイミングベルトを用いてもよく、この場合、ベルトは、２本のローラを周回するように張架される。

上記実施の形態では、各固定チャンバ１５ａ〜１５ｆの平面形状をいずれも正八角形としたが、これに限定されず、例えば、対向する２つの辺部２０を部分的に延ばした形状の八角形でもよいし、六角形、四角形、又は丸形状でもよい。

上記実施の形態では、真空雰囲気および窒素雰囲気で被処理基板１に処理を行なう例を説明したが、いずれの処理ステーションでも窒素雰囲気中で被処理基板１に処理を行なう基板処理装置に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態では不活性雰囲気として窒素雰囲気の例を説明したが、不活性ガス雰囲気としては、アルゴンガスやヘリウムガスなどといった希ガス雰囲気、あるいは窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気を採用してもよい。

上記実施の形態では、基板処理装置１１において処理する被処理基板１を１枚ずつ処理する例を説明したが、複数枚の被処理基板１を同時に処理するようにしてもよい。いずれの場合も、ロード室１９から被処理基板１を搬入する際に、生産性などを考えて、１枚のみを処理するか複数枚を処理するかを選択すればよい。

上記実施の形態では、ゲートバルブ２１を辺部２０の１つに直接設けた例を説明したが、例えば、蛇腹状の搬送路を介して辺部２０と基板搬送エリア１４とを接続するようにしてもよい。これによれば、蛇腹状の搬送路がフレキシブル性を有するので、基板搬送エリア１４に対して各固定チャンバ１５の配置位置がずれていたとしても気密に接続することができる。また、早く基板搬送エリア１４と各固定チャンバ１５とを接続させることができる。

（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置の平面的な構成を各構成要素と共に第２基板側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。 本発明を適用した有機ＥＬ装置の細部の断面構成を模式的に示す断面図である。 本発明を適用した基板処理装置の平面構成を模式的に示す説明図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した基板処理装置に構成した基板搬送室の平面構成および断面構成を模式的に示す説明図である。 本発明を適用した基板処理装置の基板搬送室で行なわれる基板搬送動作の説明図である。 比較例に係る基板処理装置に構成した基板搬送室の平面構成および断面構成を模式的に示す説明図である。

符号の説明

１・・被処理基板、１１・・基板処理装置、１３ａ〜１３ｆ・・処理ステーション、３２・・基板搬送室、１５ａ〜１５ｆ・・固定チャンバ、１６・・処理チャンバ、１７・・基板搬送ロボット、１８・・アーム、２３・・搬送チャンバ、３３・・アンロード室、５１・・基板搭載部、５２・・ガイドレール、５３・・ベルト、５４ａ、５４ｂ・・ローラ、５４ｃ、５４ｄ・・回転軸、５５ａ、５５ｂ・・駆動装置、５７、５８・・昇降ピン、１００・・有機ＥＬ装置

Claims (8)

1. 大気と異なる雰囲気に保持される複数のチャンバと、前記複数のチャンバを接続する１乃至複数の基板搬送室とを備えた基板処理装置において、
   前記基板搬送室の内部には、前記被処理基板の搬送方向で離間する一対のローラと、該一対のローラの間に張架されて前記被処理基板の搬送方向に移動するベルトと、該ベルトと一体に構成され、当該ベルトにより牽引される基板搭載部とが設けられていることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記基板搬送室は、大気と異なる雰囲気に保持されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記ローラは、前記基板搬送室の外部に配置された駆動装置により駆動されることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記ベルトは、両端部が前記一対のローラに固定された有端ベルトであり、
   前記ローラは、双方向に回転して前記ベルトを双方向に駆動可能であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記ベルトは、金属製であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記基板搬送室の内部には、前記基板搭載部の姿勢および移動経路を規定するガイドが配置されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記ガイドは、レール状に延在していることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の基板処理装置。
8. 大気と異なる雰囲気に保持される複数のチャンバと、前記複数のチャンバを接続する１乃至複数の基板搬送室とを備えた基板処理装置において被処理基板に複数の処理を順次行なう有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
   前記１乃至複数の基板搬送室の内部に、前記被処理基板の搬送方向で離間する一対のローラと、該一対のローラの間に張架されて前記被処理基板の搬送方向に移動するベルトと、該ベルトと一体に構成され、当該ベルトにより牽引される基板搭載部とを設けておき、
   前記ベルトを移動させることにより、前記被処理基板を前記基板搭載部に搭載した状態で前記基板搬送室内を搬送することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。

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