JP2009212099A - Member for multilayer wiring board and method of manufacturing multilayer wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子部品を実装する多層配線板、及び、多層配線板の製造方法に関し、特に、導電性バンプからなるビアを備え、高密度配線が可能な多層配線板の製造方法に関する。 The present invention relates to a multilayer wiring board on which electronic components are mounted and a method for manufacturing the multilayer wiring board, and more particularly to a method for manufacturing a multilayer wiring board that includes vias made of conductive bumps and enables high-density wiring.
近年、電子機器の小型軽量化、高速化、多機能化に伴い、電子機器に搭載される配線板においても高密度実装に対する要求が高まっている。係る要求に対応するため、複数の絶縁性基材と導電性パターンを交互に積み重ねて電子部品を実装する多層配線板の開発が進められている。
代表的な多層配線板の製造技術として、松下電子部品のALIVHや、東芝や大日本印刷のB2itが知られている。
ALIVH(Any Layer
Interstitial Via Ｈole
structure multi layered printed wiring board)は、絶縁基材に層間接続穴を形成してから穴部を導電性材料で埋め込む技術である。最初に、プリプレグ（配線板の材料となる絶縁性基材シート）にレーザー光を照射し微細なビアホールを形成する。形成したビアホールを導電ペーストで充填してビア（層間接続部）を形成し、係るプリプレグ上に銅箔を積層熱プレスする。さらに、フォトリソグラフィー及びエッチングにより導電性パターンを形成して配線板部材とし、係る配線板部材を積層熱プレスして多層配線板を製造する。
ALIVHは、ビアホール上に配線や電子部品を配置できるので、配線長の短縮や高密度実装が可能である。
しかし、ビアホールの数が増えるとレーザー光照射の加工時間が増え製造コストが高くなる、また、積層熱プレスで接着する銅箔のビアに対する密着強度が高くないので、落下試験の際にオープン不良が発生しやすく信頼性が低いという問題がある。
In recent years, as electronic devices have become smaller, lighter, faster, and more multifunctional, there has been an increasing demand for high-density mounting even on wiring boards mounted on electronic devices. In order to meet such demands, development of multilayer wiring boards for mounting electronic components by alternately stacking a plurality of insulating substrates and conductive patterns has been underway.
As representative multilayer wiring board manufacturing technologies, Matsushita Electronic Parts's ALIVH and Toshiba and Dai Nippon Printing's B 2 it are known.
ALIVH (Any Layer
Interstitial Via Hole
The structure multi layered printed wiring board) is a technique in which an interlayer connection hole is formed in an insulating substrate and then the hole is embedded with a conductive material. First, a fine via hole is formed by irradiating a prepreg (insulating base material sheet as a wiring board material) with laser light. The formed via hole is filled with a conductive paste to form a via (interlayer connection portion), and a copper foil is laminated and hot-pressed on the prepreg. Further, a conductive pattern is formed by photolithography and etching to form a wiring board member, and the wiring board member is laminated and hot pressed to produce a multilayer wiring board.
ALIVH can arrange wiring and electronic parts on the via hole, so it is possible to shorten the wiring length and achieve high-density mounting.
However, as the number of via holes increases, the processing time of laser light irradiation increases and the manufacturing cost increases, and the adhesion strength of the copper foil bonded with the laminated hot press to the vias is not high, so open failures are not possible during the drop test. There is a problem that it is easy to occur and has low reliability.
B2it(Buried
Bump Interconnection Technology)は、導体板上に山形又は略円錐状の導電性バンプを形成してから絶縁性プリプレグ基材を加熱軟化させてプレス貫挿させ、導電性バンプからなるビアを形成する技術である。B2itに関連する技術が、特許文献１及び特許文献２に開示されている。
特許文献１には、山形の導体バンプを合成樹脂系支持体の厚さ方向に貫挿し層間配線を形成する技術が開示されている。
特許文献２には、導体板上に形成した略円錐状の導体バンプ上に未硬化の絶縁材料基材を配設・加圧して貫挿させ、導体板をパターニングして基板ユニットを作製し、係る基板ユニットを複数枚積層して、加圧加熱して硬化させる技術が開示されている。
図１６は、従来のプリプレグシートをバンプで貫挿させる方式の配線板の製造方法を示す図である。
図１６（ａ）は、導電性箔５０１の上に、導電性ペーストの印刷工程によって、略円錐状の導電性バンプ５０２を形成した状態の説明図である。
図１６（ｂ）は、導電性箔１０の上に略円錐状の導電性バンプ５０２を形成した中間物を、硬化前状態の絶縁性樹脂、プリプレグシート５０３と対向させた状態の図である。
図１６（ｃ）は、加熱下で導電性バンプ５０２の先端部を前記絶縁材料基板のプリプレグ５０３から突出させた状態の図で、プリプレグのガラス繊維基材の破断と樹脂層の分離が起きている様である。
図１６（ｄ）は前記導体バンプ２０を硬化前状態の絶縁性樹脂、プリプレグシート５０３に貫挿させ、熱加圧でバンプが圧着された断面図である。
図１６（ｅ）は、プリプレグのガラス繊維基材の破断屑５０８がバンプ面に残っている状態である。
B2itは、ALIVHと同様に、ビアホール上に窪みができず配線や電子部品を配置できるので、配線長の短縮や高密度実装が可能である。また、ALIVHと異なり、一括してビアを形成するので、ビアホールの数が増えても製造コストは増えない。導電性バンプは、プリプレグ積層前に印刷で銅箔上に形成されるので、銅箔に対する密着性も良いという長所がある。
一方、B2itには以下の問題点がある。
(1)バンプ貫挿時ならびに多層配線板形成の際の積層熱プレス時に、大きな圧力がアスペクト比の高い導電性バンプ及びプリプレグに加わる。現状でビアの面内密度は約30万個/m2であるが、将来は100万個/m2程度になると予想されている。この場合極めて大きな圧力が導電性バンプやプリプレグに加わるため、導電性バンプやプリプレグの破損による不良率が高くなる。従って、B2itでは、高密度化への対応が困難である。
(2) B2itでは、導電性バンプに機械的強度が必要であり、その外径を100μm以上にする必要がある。高密度実装を実現するため、導電性バンプの底面径は30μm〜50μmをターゲットとして微細化が進められている。しかし、B2itでは、バンプのアスペクト比が高く、かつプリプレグの薄膜化に限界があるために対応が困難である。
(3) 導電性バンプのアスペクト比（高さ／外径）を0.8〜1.0以上にしないと、導電性バンプがプリプレグを貫挿しない。また、プリプレグの一般的な材料であるガラスクロス含浸絶縁樹脂基材の厚さを薄くすることにも限界がある（〜30μｍｔ以上）。さらに、良好な導電性バンプの貫挿特性を得るにはプリプレグの厚さの約３倍の導電性バンプ高さが必要となる。そのため、上述の貫挿可能なアスペクトを確保すると、導電性バンプの底面径の微細化に限界（min. 72〜90μm）が発生する。その上、プリプレグの厚さ、プレス工程の温度についても、適切に調整しないと導電性バンプがプリプレグを貫挿しない。従って、B2itでは、導電性バンプ形成、貫挿工程、及び、積層熱プレス工程等の製造条件のマージンが小さく、歩留りが低いという問題がある。
(4) 外径が微細で高アスペクトの導電性バンプを印刷形成可能な導電ペーストの開発は困難を極める。
(5) 硬化前状態の絶縁性樹脂のプリプレグシートを加熱軟化させて突起状の導電性バンプに押圧して貫挿させる工程において、前記プリプレグシートはガラスクロス基材が繊維フィラメント束で縦横に織られた構造体になっているために、導電性バンプがフィラメント束の交差部に当たる場合とフィラメント束とフィラメント束との間に当たる場合とでは貫挿の抵抗差が大きく、抵抗の大きい部分ほど絶縁性樹脂プリプレグシートと導電性バンプとの界面部において、絶縁性樹脂および又はガラスクロスの破砕残部が生じてしまう。これらの絶縁性樹脂及び／又はガラスクロスの破砕残部は、後工程での導電性バンプと配線板の導体層との積層加圧にて、接触抵抗値の増大ないしは導通不良を起こし、配線板の歩留りを低下させていた。
B 2 it (Buried
Bump Interconnection Technology) is a technology for forming vias made of conductive bumps by forming conductive bumps having a mountain shape or a substantially conical shape on a conductive plate, and then heat-softening the insulating prepreg base material to press through. is there. Technologies related to B 2 it are disclosed in
In
FIG. 16 is a diagram illustrating a method of manufacturing a wiring board in which a conventional prepreg sheet is inserted through bumps.
FIG. 16A is an explanatory view showing a state in which a substantially conical
FIG. 16B is a view showing a state in which an intermediate in which a substantially conical
FIG. 16C shows a state in which the tip of the
FIG. 16D is a cross-sectional view in which the conductive bump 20 is inserted into the pre-curing insulating resin,
FIG. 16 (e) shows a state in which the rupture waste 508 of the glass fiber base material of the prepreg remains on the bump surface.
B 2 it, like ALIVH, does not have a depression on the via hole, and wiring and electronic parts can be placed, so that the wiring length can be shortened and high-density mounting can be achieved. Further, unlike ALIVH, vias are formed in a lump, so that the manufacturing cost does not increase even if the number of via holes increases. Since the conductive bump is formed on the copper foil by printing before prepreg lamination, there is an advantage that the adhesiveness to the copper foil is good.
On the other hand, B 2 it has the following problems.
(1) A large pressure is applied to conductive bumps and prepregs having a high aspect ratio at the time of bump insertion and laminating hot pressing for forming a multilayer wiring board. Currently, the in-plane density of vias is about 300,000 pieces / m 2 , but it is expected to be about 1 million pieces / m 2 in the future. In this case, an extremely large pressure is applied to the conductive bumps and prepregs, so that the defect rate due to breakage of the conductive bumps and prepregs increases. Therefore, B 2 it is difficult to cope with high density.
(2) In B 2 it, the conductive bumps must have mechanical strength, and the outer diameter must be 100 μm or more. In order to realize high-density mounting, miniaturization is progressing with the base diameter of the conductive bump being 30 μm to 50 μm. However, B 2 it is difficult to cope with because the bump has a high aspect ratio and there is a limit to thinning the prepreg.
(3) Unless the aspect ratio (height / outer diameter) of the conductive bump is 0.8 to 1.0 or more, the conductive bump does not penetrate the prepreg. In addition, there is a limit to reducing the thickness of the glass cloth-impregnated insulating resin base material, which is a general material of prepreg (up to 30 μm t ). Furthermore, to obtain good conductive bump penetration characteristics, a conductive bump height of about three times the prepreg thickness is required. For this reason, if the above-described aspect capable of being inserted is ensured, there is a limit (min. 72 to 90 μm) in miniaturization of the bottom diameter of the conductive bump. In addition, the conductive bumps do not penetrate the prepreg unless the thickness of the prepreg and the temperature of the pressing process are properly adjusted. Therefore, B 2 it has a problem that a margin for manufacturing conditions such as conductive bump formation, an insertion process, and a laminated hot pressing process is small and the yield is low.
(4) It is extremely difficult to develop a conductive paste capable of printing and forming high-aspect conductive bumps with a fine outer diameter.
(5) In the step of heat softening the pre-curing insulating resin prepreg sheet and pressing it into the projecting conductive bumps, the prepreg sheet is woven vertically and horizontally with a fiber filament bundle. Therefore, there is a large difference in penetration resistance when the conductive bump hits the intersection of the filament bundle and between the filament bundle and the filament bundle. At the interface between the resin prepreg sheet and the conductive bump, an insulating resin and / or a glass cloth crushing residue is generated. These insulating resin and / or glass cloth crushing residue causes an increase in contact resistance value or poor conduction due to lamination pressurization of the conductive bump and the conductive layer of the wiring board in the subsequent process, and Yield was lowered.
一方、特許文献４には、B2itのような貫挿法を用いずに導体バンプからなるビアを形成する従来技術として、第一の金属箔上に形成された導体バンプ群上にカーテンコーター法により絶縁性樹脂組成物を塗布し、さらに、第二の金属箔を重ねてプレスする方法が開示されている。絶縁性樹脂組成物を塗布する方法として、カーテンコーター法以外にも、スプレー法や熱軟化性のフィルム状にして導体バンプ上から被膜する方法が記載されている。特許文献４に開示された方法は、導体バンプに対し機械的圧力が加わらないために、上記のB2itにおける問題は回避できる。しかし、この方法は、高い粘度の絶縁性樹脂を、カーテンコート法では液体のまま、スプレー法では液滴状にして、導体バンプ上に塗布する方法であるため、導体バンプの先端部に絶縁性樹脂が付着しやすく、導体バンプと第二の金属箔との接触不良の発生率が高いという問題がある。また、熱軟化性のフィルムを導体バンプの上に被膜する場合は、導体バンプの先端部は露出しないので層間接続を形成できないという問題がある。
On the other hand,
本発明は、高密度実装化に対応が可能で、かつ、製造歩留りが高く、製造コストの低い多層配線板用の部材、及び多層配線板の製造方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a member for a multilayer wiring board that can cope with high-density mounting, has a high manufacturing yield, and has a low manufacturing cost, and a method for manufacturing the multilayer wiring board.
本発明（１）は、少なくとも、一つ又は複数の導電性パターンと、前記導電性パターン上に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群の先端部を突出させて前記導電性バンプ群周囲に形成された絶縁性未硬化被膜とからなり、前記絶縁性未硬化被膜が、前記導電性バンプ群上及び前記導電性バンプ群周囲に絶縁性樹脂配合液を塗布して流動性被膜を形成し、前記絶縁性樹脂配合液の樹脂を実質的に硬化反応させない条件で溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を固化、膜減りさせて形成した被膜であることを特徴とする多層配線板用の部材である。
本発明（２）は、少なくとも、一つ又は複数の導電性パターンと、前記導電性パターン上に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群の先端部を突出させて前記導電性バンプ群周囲に形成された絶縁性未硬化被膜とからなり、導電性バンプ群を構成するバンプの形状が略円錐台状、又は、略円柱状であり、前記バンプの上断面形状が、中心角が180°以下のゆるやかな円弧であることを特徴とする多層配線板用の部材である。
本発明（３）は、前記導電性バンプ群を構成するバンプの形状が略円錐台状、又は、略円柱状であり、前記バンプの上断面形状が、中心角が180°以下のゆるやかな円弧であることを特徴とする請求項１記載の多層配線板用の部材である。
本発明（４）は、少なくとも、一つ又は複数の導電性パターンと、前記導電性パターン上に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群の先端部を突出させて前記導電性バンプ群周囲に形成された絶縁性未硬化被膜とからなり、導電性バンプ群を構成するバンプの底面積に対する上面の露出面積比が20%以上である、多層配線板用の部材である。
本発明（５）は、前記導電性バンプ群を構成するバンプの底面積に対する上面の露出面積比が20%以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか1項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（６）は、少なくとも、一つ又は複数の導電性パターンと、前記導電性パターン上に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群の先端部を突出させて前記導電性バンプ群周囲に形成された絶縁性未硬化被膜とからなり、前記導電性バンプ群の個々の底面径が１０〜１５０μmであることを特徴とする多層配線板用の部材である。
本発明（７）は、前記導電性バンプ群の個々の底面径が１０〜１５０μmであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（８）は、前記導電性バンプ群の高さをh2、前記絶縁性未硬化被膜の厚さをt4、前記導電性パターンの厚さをt5としたとき、h2、t4、t5がh2 + t5 > t4の関係を満たし、t4が１．５μｍ〜４０μｍであり、t5が２０μｍ以下であることを特徴とする請求項６又は７のいずれか１項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（９）は、少なくとも、一つ又は複数の導電性パターンと、前記導電性パターン上に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群の先端部を突出させて前記導電性バンプ群周囲に形成された絶縁性未硬化被膜とからなり、前記導電性バンプ群の個々の底面径が３０〜５０μmであることを特徴とする多層配線板用の部材である。
本発明（１０）は、前記導電性バンプ群の個々の底面径が３０〜５０μmであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（１１）は、前記導電性バンプ群の高さをh2、前記絶縁性未硬化被膜の厚さをt4、前記導電性パターンの厚さをt5としたとき、h2、t4、t5がh2 + t5 > t4の関係を満たし、t4が１０μｍ〜２０μｍであり、t5が１５μｍ以下であることを特徴とする請求項９又は１０のいずれか１項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（１２）は、前記導電性バンプ群における前記導電性バンプ群の高さを底面径で割ったアスペクト比が、０．３以上、０．７以下であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（１３）は、少なくとも、一つ又は複数の導電性パターンと、前記導電性パターン上に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群の先端部を突出させて前記導電性バンプ群周囲に形成された絶縁性未硬化被膜とからなり、前記導電性バンプ群の面密度が３０万個／m2〜５００万個／m2である、多層配線板用の部材である。
本発明（１４）は、前記導電性バンプ群の面密度が３０万個／m2〜５００万個／m2である、請求項１乃至１２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（１５）は、前記絶縁性未硬化被膜の乾燥・固化温度が、６０℃以上、１６０℃以下であることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか1項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（１６）は、前記絶縁性未硬化樹脂は、繊維基材を有しないことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれかに１項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（１７）は、前記絶縁性未硬化被膜が、（Ａ）成分は、フェノール骨格とビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、及び／又は重量平均分子量が１，５００〜７０，０００であり、かつ水酸基を有する二官能性直鎖状エポキシ樹脂であり、並びに（Ｂ）成分は、フェノール性水酸基の少なくとも一部を脂肪酸でエステル化した変性フェノールノボラック、を含むエポキシ樹脂組成物であり、さらに
（Ｃ）成分として、イソシアネート化合物を配合し、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液から溶剤を揮発させて得られたことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（１８）は、前記（Ａ）成分１００重量部に対して、（Ｂ）成分が３０〜２００重量部で、（Ｃ）成分が１００〜４００重量部であることを特徴とする請求項１７記載の多層配線板用の部材である。
本発明（１９）は、前記絶縁性未硬化被膜が、（Ａ）成分は、フェノール骨格とビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、及び／又は重量平均分子量が１，５００〜７０，０００であり、かつ水酸基を有する二官能性直鎖状エポキシ樹脂であり、並びに（Ｂ）成分は、フェノール性水酸基の少なくとも一部を脂肪酸でエステル化した変性フェノールノボラック、を含むエポキシ樹脂組成物であり、さらに
（Ｄ）成分として、ジビニルベンゼンを配合し、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液から溶剤を揮発させて得られたことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（２０）は、前記（Ａ）成分１００重量部に対して、（Ｂ）成分が３０〜２００重量部で、（Ｄ）成分が４０〜１８０重量部であることを特徴とする請求項１９記載の多層配線板用の部材である。
本発明（２１）は、前記絶縁性未硬化被膜が、（Ａ）成分は、フェノール骨格とビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、及び／又は重量平均分子量が１，５００〜７０，０００であり、かつ水酸基を有する二官能性直鎖状エポキシ樹脂であり、並びに（Ｂ）成分は、フェノール性水酸基の少なくとも一部を脂肪酸でエステル化した変性フェノールノボラック、を含むエポキシ樹脂組成物であり、さらに
（Ｃ）成分として、イソシアネート化合物、および（Ｄ）成分として、ジビニルベンゼンを配合し、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液から溶剤を揮発させて得られたことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（２２）は、前記（Ａ）成分１００重量部に対して、（Ｂ）成分が３０〜２００重量部で、（Ｃ）成分が１００〜４００重量部で、（Ｄ）成分が４０〜１８０重量部であることを特徴とする請求項２１記載の多層配線板用の部材である。
本発明（２３）は、前記絶縁性未硬化被膜が、（Ａ）成分は、熱硬化性の数平均分子量１０００以上３０００以下の両末端に官能基をもったオリゴフェニレンエーテルであり、並びに（Ｂ）成分は、ビニル芳香族炭化水素を主体とするハードセグメントブロック部と、共役ジエンを主体とするソフトセグメントブロック部とから構成されたブロック共重合体であり、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液から溶剤を揮発させて得られたことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（２４）は、前記絶縁性樹脂配合液にて（Ａ）成分１００重量部に対して、（Ｂ）成分が６７重量部以上１５０重量部以下であることを特徴とする請求項２３記載の多層配線板用の部材である。
本発明（２５）は、前記絶縁性未硬化被膜の（Ｂ）成分が、ゴム及び／又はスチレン−ブタジェン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、
スチレン−エチレン／ブタジェン−スチレン共重合体から選ばれた１以上の熱可塑性エラストマーであることを特徴とする請求項２３又は２４のいずれか1項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（２６）は、前記絶縁性未硬化被膜の硬化後の比誘電率が、５ＧＨｚにおいて２．０〜３．０の範囲であり、誘電正接が５ＧＨｚにおいて０．００１〜０．００５の範囲のいずれかを満たすものであることを特徴とする請求項１乃至２５のいずれか１項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（２７）は、少なくとも、一つ又は複数の導電性パターンと、前記導電性パターン上に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群の先端部を突出させて前記導電性バンプ群周囲に形成された絶縁性未硬化被膜とからなり、前記導電性パターンが熱硬化型の導電ペーストの塗布又は印刷により形成されるものであることを特徴とする多層配線板用の部材である。
本発明（２８）は、前記導電性パターンが熱硬化型の導電ペーストの塗布又は印刷により形成されるものであることを特徴とする請求項１乃至２６のいずれか1項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（２９）は、前記導電性パターンの膜厚が１〜２０μmの範囲であることを特徴とする請求項２７又は２８のいずれか1項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（３０）は、少なくとも、一つ又は複数の導電性パターンと、前記導電性パターン上に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群の先端部を突出させて前記導電性バンプ群周囲に形成された絶縁性未硬化被膜とからなり、前記導電性パターンが導電ペーストの塗布又は印刷により形成されるものであり、前記導電ペーストが、有機溶媒の存在又は非存在下に、カルボン酸の銀塩と脂肪族アミンを混合し、還元剤を添加して反応温度２０〜８０℃で反応させた反応物から回収した銀微粒子を含む導電ペーストであり、
導電ペーストに含まれる銀微粒子が、
(a)一次粒子の平均粒子径が４０〜３５０nmであり、
(b)結晶子径が２０〜７０nmであり、かつ
(c)結晶子径に対する平均粒子径の比が１〜５である、多層配線板用の部材である。
本発明（３１）は、前記導電性パターンが導電ペーストの塗布又は印刷により形成されるものであり、前記導電性ペーストが、有機溶媒の存在又は非存在下に、カルボン酸の銀塩と脂肪族アミンを混合し、還元剤を添加して反応温度２０〜８０℃で反応させた反応物から回収した銀微粒子を含む導電ペーストであり、
導電ペーストに含まれる銀微粒子が、
(a)一次粒子の平均粒子径が４０〜３５０nmであり、
(b)結晶子径が２０〜７０nmであり、かつ
(c)結晶子径に対する平均粒子径の比が１〜５である、
請求項１乃至２９のいずれか１項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（３２）は、前記導電性パターンの膜厚が５μm以下であることを特徴とする請求項３０又は３１のいずれか1項記載の多層配線板用の部材である。
本発明（３３）は、一つ又は複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材を積層して形成された多層配線板である。
本発明（３４）は、一つ又は複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材からなる表面回路層と一つ又は複数のコア基板を積層して形成された複合多層配線板である。
本発明（３５）は、少なくとも、支持基板上に導電性パターンを形成する工程と、前記導電性パターン上に突起状の導電性バンプ群を形成する工程と、前記支持基板、前記導電性パターン、及び、前記導電性バンプ群上及び前記導電性バンプ群周囲に揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成する工程と、前記揮発性溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせて絶縁性未硬化被膜とし、前記導電性バンプ群の先端部を前記絶縁性未硬化被膜から突出させる工程とからなる多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（３６）は、前記導電性パターン、及び／又は、前記導電性バンプ群をスクリーン印刷により形成する請求項３５項記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（３７）は、前記絶縁性樹脂配合液の不揮発性成分の含有量が、１０重量％〜８０重量％である請求項３５又は３６のいずれか１項記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（３８）は、前記流動性被膜の膜厚t3と、前記絶縁性未硬化被膜の膜厚t4から算出した膜減り率((t3-t4)/t3)*100が、25%以上、85%以下である請求項３５乃至３７のいずれか１項記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（３９）は、前記絶縁性未硬化被膜の乾燥・固化温度が、６０℃以上、１６０℃以下であることを特徴とする請求項３５乃至３８のいずれか1項記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（４０）は、前記絶縁性未硬化樹脂は、繊維基材を有しないことを特徴とする請求項３５乃至３９のいずれかに１項記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（４１）は、前記絶縁性未硬化被膜が、（Ａ）成分は、フェノール骨格とビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、及び／又は重量平均分子量が１，５００〜７０，０００であり、かつ水酸基を有する二官能性直鎖状エポキシ樹脂であり、並びに（Ｂ）成分は、フェノール性水酸基の少なくとも一部を脂肪酸でエステル化した変性フェノールノボラック、を含むエポキシ樹脂組成物であり、さらに
（Ｃ）成分として、イソシアネート化合物を配合し、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液から溶剤を揮発させて得られたことを特徴とする請求項３５乃至４０のいずれか１項記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（４２）は、前記（Ａ）成分１００重量部に対して、（Ｂ）成分が３０〜２００重量部で、（Ｃ）成分が１００〜４００重量部であることを特徴とする請求項４１記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（４３）は、前記絶縁性未硬化被膜が、（Ａ）成分は、フェノール骨格とビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、及び／又は重量平均分子量が１，５００〜７０，０００であり、かつ水酸基を有する二官能性直鎖状エポキシ樹脂であり、並びに（Ｂ）成分は、フェノール性水酸基の少なくとも一部を脂肪酸でエステル化した変性フェノールノボラック、を含むエポキシ樹脂組成物であり、さらに
（Ｄ）成分として、ジビニルベンゼンを配合し、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液から溶剤を揮発させて得られたことを特徴とする請求項３５乃至４０のいずれか１項記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（４４）は、前記（Ａ）成分１００重量部に対して、（Ｂ）成分が３０〜２００重量部で、（Ｄ）成分が４０〜１８０重量部であることを特徴とする請求項４３記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（４５）は、前記絶縁性未硬化被膜が、（Ａ）成分は、フェノール骨格とビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、及び／又は重量平均分子量が１，５００〜７０，０００であり、かつ水酸基を有する二官能性直鎖状エポキシ樹脂であり、並びに（Ｂ）成分は、フェノール性水酸基の少なくとも一部を脂肪酸でエステル化した変性フェノールノボラック、を含むエポキシ樹脂組成物であり、さらに
（Ｃ）成分として、イソシアネート化合物、および（Ｄ）成分として、ジビニルベンゼンを配合し、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液から溶剤を揮発させて得られたことを特徴とする請求項３５乃至４０のいずれか１項記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（４６）は、前記（Ａ）成分１００重量部に対して、（Ｂ）成分が３０〜２００重量部で、（Ｃ）成分が１００〜４００重量部で、（Ｄ）成分が４０〜１８０重量部であることを特徴とする請求項４５記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（４７）は、前記絶縁性未硬化被膜が、（Ａ）成分は、熱硬化性の数平均分子量１０００以上３０００以下の両末端に官能基をもったオリゴフェニレンエーテルであり、並びに（Ｂ）成分は、ビニル芳香族炭化水素を主体とするハードセグメントブロック部と、共役ジエンを主体とするソフトセグメントブロック部とから構成されたブロック共重合体であり、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液から溶剤を揮発させて得られたことを特徴とする請求項３５乃至４０のいずれか１項記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（４８）は、前記絶縁性樹脂配合液にて（Ａ）成分１００重量部に対して、（Ｂ）成分が６７重量部以上１５０重量部以下であることを特徴とする請求項４７記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（４９）は、前記絶縁性未硬化被膜の（Ｂ）成分が、ゴム及び／又はスチレン−ブタジェン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、
スチレン−エチレン／ブタジェン−スチレン共重合体から選ばれた１以上の熱可塑性エラストマーであることを特徴とする請求項４７又は４８のいずれか1項記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（５０）は、前記絶縁性樹脂配合液における、（Ａ）成分と（Ｂ）成分を合計した樹脂濃度を１５重量％以上４０重量％以下として、流動性被膜の厚さt3ならびに絶縁性被膜の厚さt4を制御することを特徴とする請求項４７乃至４９のいずれか1項記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（５１）は、前記絶縁性未硬化被膜の硬化後の比誘電率が、５ＧＨｚにおいて２．０〜３．０の範囲であり、誘電正接が５ＧＨｚにおいて０．００１〜０．００５の範囲のいずれかを満たすものであることを特徴とする請求項３５乃至５０のいずれか１項記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（５２）は、少なくとも、一つ又は複数の導電性パターンと、前記導電性パターン上に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群の先端部を突出させて前記導電性バンプ群周囲に形成された絶縁性未硬化被膜とからなり、前記導電性パターンが熱硬化型の導電ペーストの塗布又は印刷により形成されるものであることを特徴とする多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（５３）は、前記導電性パターンが熱硬化型の導電ペーストの塗布又は印刷により形成されるものであることを特徴とする請求項３５乃至５１のいずれか1項記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（５４）は、少なくとも、一つ又は複数の導電性パターンと、前記導電性パターン上に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群の先端部を突出させて前記導電性バンプ群周囲に形成された絶縁性未硬化被膜とからなり、前記導電性パターンが導電ペーストの塗布又は印刷により形成されるものであり、前記導電ペーストが、有機溶媒の存在又は非存在下に、カルボン酸の銀塩と脂肪族アミンを混合し、還元剤を添加して反応温度２０〜８０℃で反応させた反応物から回収した銀微粒子を含む導電ペーストであり、
導電ペーストに含まれる銀微粒子が、
(a)一次粒子の平均粒子径が４０〜３５０nmであり、
(b)結晶子径が２０〜７０nmであり、かつ
(c)結晶子径に対する平均粒子径の比が１〜５である、多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（５５）は、前記導電性パターンが導電ペーストの塗布又は印刷により形成されるものであり、前記導電ペーストが、有機溶媒の存在又は非存在下に、カルボン酸の銀塩と脂肪族アミンを混合し、還元剤を添加して反応温度２０〜８０℃で反応させた反応物から回収した銀微粒子を含む導電ペーストであり、
導電ペーストに含まれる銀微粒子が、
(a)一次粒子の平均粒子径が４０〜３５０nmであり、
(b)結晶子径が２０〜７０nmであり、かつ
(c)結晶子径に対する平均粒子径の比が１〜５である、
請求項３５乃至５１のいずれか１項記載の多層配線板用の部材の製造方法である。
本発明（５６）は、少なくとも、請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材と最上層配線板部材を位置合わせ・積層し、加圧下で加熱する工程とからなる多層配線板の製造方法である。
本発明（５７）は、少なくとも、請求項３５乃至５５のいずれか１項記載の多層配線板用の部材の製造方法により製造した複数の多層配線板用の部材と最上層配線板部材を位置合わせ・積層し、加圧下で加熱する工程とからなる多層配線板の製造方法である。
本発明（５８）は、第一の多層配線板部材が、少なくとも、導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群の先端部を突出させて前記導電性バンプ群周囲に形成された絶縁性未硬化被膜とからなり、前記絶縁性未硬化被膜が、前記導電性バンプ群上及び前記導電性バンプ群周囲に絶縁性樹脂配合液を塗布して流動性被膜を形成し、前記絶縁性樹脂配合液の樹脂を実質的に硬化反応させない条件で溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を固化、膜減りさせて形成した被膜であることを特徴とする多層配線板部材であり、第一の導電性箔と、前記第一の多層配線板用の部材と、一つ又は複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材と、第二の導電性箔を順に積層し、一括積層熱プレスした後に、前記第一の導電性箔及び／又は前記第二の導電性箔をパターニングして配線を形成する工程を含むことを特徴とする多層配線板の製造方法である。
本発明（５９）は、少なくとも、複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材と、第一の導電性箔を順に積層し、一括積層熱プレスした後に、前記第一の導電性箔をパターニングして配線を形成する工程を含むことを特徴とする多層配線板の製造方法である。
本発明（６０）は、第一の多層配線板部材が、導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群の先端部を突出させて前記導電性バンプ群周囲に形成された絶縁性未硬化被膜とからなり、前記絶縁性未硬化被膜が、前記導電性バンプ群上及び前記導電性バンプ群周囲に絶縁性樹脂配合液を塗布して流動性被膜を形成し、前記絶縁性樹脂配合液の樹脂を実質的に硬化反応させない条件で溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を固化、膜減りさせて形成した被膜であることを特徴とする多層配線板部材であり、少なくとも、前記第一の多層配線板用の部材と、一つ又は複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材を順に積層し、一括積層熱プレスして積層体を形成した後に、前記積層体の上面と下面に導電ペーストの印刷・乾燥・固化により配線を形成する工程を含むことを特徴とする多層配線板の製造方法である。
本発明（６１）は、複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材を順に積層し、一括積層熱プレスして積層体を形成した後に、前記積層体の上面に導電ペーストの印刷・乾燥・固化により配線を形成する工程を含むことを特徴とする多層配線板の製造方法である。
本発明（６２）は、複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材を順に積層し、一括積層熱プレスして積層体を形成する工程を含み、最下層及び最上層の前記多層配線板用の部材は配線が前記積層体の外面に配置されるように積層することを特徴とする多層配線板の製造方法である。
本発明（６３）は、第一の多層配線板部材が、少なくとも、導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群の先端部を突出させて前記導電性バンプ群周囲に形成された絶縁性未硬化被膜とからなり、前記絶縁性未硬化被膜が、前記導電性バンプ群上及び前記導電性バンプ群周囲に絶縁性樹脂配合液を塗布して流動性被膜を形成し、前記絶縁性樹脂配合液の樹脂を実質的に硬化反応させない条件で溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を固化、膜減りさせて形成した被膜であることを特徴とする多層配線板部材であり、第一の導電性箔と、前記第一の多層配線板用の部材と、一つ又は複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材と、コア基板と、一つ又は複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材と、第二の導電性箔を順に積層し、一括積層熱プレスした後に、前記第一の導電性箔及び／又は前記第二の導電性箔をパターニングして配線を形成する工程を含むことを特徴とする複合多層配線板の製造方法である。
本発明（６４）は、少なくとも、一つ又は複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材と、コア基板と、一つ又は複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材と、第一の導電性箔を順に積層し、一括積層熱プレスした後に、前記第一の導電性箔をパターニングして配線を形成する工程を含むことを特徴とする複合多層配線板の製造方法である。
本発明（６５）は、第一の多層配線板部材が、導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群の先端部を突出させて前記導電性バンプ群周囲に形成された絶縁性未硬化被膜とからなり、前記絶縁性未硬化被膜が、前記導電性バンプ群上及び前記導電性バンプ群周囲に絶縁性樹脂配合液を塗布して流動性被膜を形成し、前記絶縁性樹脂配合液の樹脂を実質的に硬化反応させない条件で溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を固化、膜減りさせて形成した被膜であることを特徴とする多層配線板部材であり、少なくとも、前記第一の多層配線板用の部材と、一つ又は複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材と、コア基板と、一つ又は複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材を順に積層し、一括積層熱プレスして積層体を形成した後に、前記積層体の上面と下面に導電ペーストの印刷・乾燥・固化により配線を形成する工程を含むことを特徴とする複合多層配線板の製造方法である。
本発明（６６）は、一つ又は複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材と、コア基板と、一つ又は複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材を順に積層し、一括積層熱プレスして積層体を形成した後に、前記積層体の上面に導電ペーストの印刷・乾燥・固化により配線を形成する工程を含むことを特徴とする複合多層配線板の製造方法である。
本発明（６７）は、一つ又は複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材と、コア基板と、一つ又は複数の請求項１乃至３２のいずれか１項記載の多層配線板用の部材を順に積層し、一括積層熱プレスして積層体を形成する工程を含み、最下層及び最上層の前記多層配線板用の部材は配線が前記積層体の外面に配置されるように積層することを特徴とする複合多層配線板の製造方法である。
In the present invention (1), at least one or a plurality of conductive patterns, a conductive bump group formed on the conductive pattern, and a tip of the conductive bump group are projected to protrude the conductive bump. An insulating uncured film formed around the group, and the insulating uncured film is coated with an insulating resin compound liquid on the conductive bump group and around the conductive bump group to form a fluid film. For a multilayer wiring board, characterized in that it is a film formed by volatilizing a solvent under conditions that do not substantially cure and react the resin of the insulating resin compounded liquid, and solidifying and reducing the film of the fluid film It is a member.
In the present invention (2), at least one or a plurality of conductive patterns, a conductive bump group formed on the conductive pattern, and a tip of the conductive bump group are projected to protrude the conductive bump. It consists of an insulating uncured film formed around the group, and the shape of the bumps constituting the conductive bump group is substantially frustoconical or substantially cylindrical, and the upper cross-sectional shape of the bumps has a central angle It is a member for a multilayer wiring board characterized by a gentle arc of 180 ° or less.
In the present invention (3), the shape of the bumps constituting the conductive bump group is a substantially truncated cone shape or a substantially cylindrical shape, and the upper cross-sectional shape of the bumps is a gentle arc having a central angle of 180 ° or less. The member for a multilayer wiring board according to
In the present invention (4), at least one or a plurality of conductive patterns, a conductive bump group formed on the conductive pattern, and a tip end portion of the conductive bump group are projected to protrude the conductive bump. A member for a multilayer wiring board comprising an insulating uncured film formed around the group and having an exposed area ratio of the upper surface to the bottom area of the bumps constituting the conductive bump group of 20% or more.
The multilayer wiring according to any one of
In the present invention (6), at least one or a plurality of conductive patterns, a conductive bump group formed on the conductive pattern, and a tip end portion of the conductive bump group are projected to protrude the conductive bump. A member for a multilayer wiring board, comprising an insulating uncured film formed around the group, wherein each of the conductive bump groups has a bottom surface diameter of 10 to 150 μm.
The present invention (7) is the member for a multilayer wiring board according to any one of
In the present invention (8), when the height of the conductive bump group is h2, the thickness of the insulating uncured film is t4, and the thickness of the conductive pattern is t5, h2, t4 and t5 are h2 The member for a multilayer wiring board according to any one of
The present invention (9) includes at least one conductive pattern, a conductive bump group formed on the conductive pattern, and a tip of the conductive bump group protruding so that the conductive bump A member for a multilayer wiring board, comprising an insulating uncured film formed around the group, wherein each conductive bump group has a bottom surface diameter of 30 to 50 μm.
The present invention (10) is the member for a multilayer wiring board according to any one of
In the present invention (11), when the height of the conductive bump group is h2, the thickness of the insulating uncured film is t4, and the thickness of the conductive pattern is t5, h2, t4 and t5 are h2. The member for a multilayer wiring board according to any one of claims 9 and 10, wherein the relationship of + t5> t4 is satisfied, t4 is 10 µm to 20 µm, and t5 is 15 µm or less.
The present invention (12) is characterized in that the aspect ratio of the conductive bump group divided by the bottom diameter is 0.3 or more and 0.7 or less in the conductive bump group. It is a member for multilayer wiring boards of any one of thru | or 11.
According to the present invention (13), at least one or a plurality of conductive patterns, a conductive bump group formed on the conductive pattern, and a tip of the conductive bump group are projected to protrude the conductive bump. It consists of an insulating uncured film formed around the group, and the surface density of the conductive bump group is 300,000 pieces / m 2 ~ 5 million pieces / m 2 This is a member for a multilayer wiring board.
In the present invention (14), the surface density of the conductive bump group is 300,000 pieces / m. 2 ~ 5 million pieces / m 2 It is the member for multilayer wiring boards of any one of
The present invention (15) is the multilayer wiring board according to any one of
The present invention (16) is the member for a multilayer wiring board according to any one of
In the present invention (17), the insulating uncured coating is such that the component (A) is an epoxy resin having a phenol skeleton and a biphenyl skeleton, and / or a weight average molecular weight of 1,500 to 70,000, and a hydroxyl group And a component (B) is an epoxy resin composition containing a modified phenol novolac obtained by esterifying at least a part of a phenolic hydroxyl group with a fatty acid, and
The multilayer according to any one of
The present invention (18) is characterized in that the component (B) is 30 to 200 parts by weight and the component (C) is 100 to 400 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (A). 17 is a member for a multilayer wiring board according to 17.
In the present invention (19), the insulating uncured film is such that the component (A) is an epoxy resin having a phenol skeleton and a biphenyl skeleton, and / or a weight average molecular weight of 1,500 to 70,000, and a hydroxyl group And a component (B) is an epoxy resin composition containing a modified phenol novolac obtained by esterifying at least a part of a phenolic hydroxyl group with a fatty acid, and
The multilayer according to any one of
The present invention (20) is characterized in that the component (B) is 30 to 200 parts by weight and the component (D) is 40 to 180 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (A). 19. A member for a multilayer wiring board according to 19.
In the present invention (21), the insulating uncured film is such that the component (A) is an epoxy resin having a phenol skeleton and a biphenyl skeleton, and / or a weight average molecular weight of 1,500 to 70,000, and a hydroxyl group And a component (B) is an epoxy resin composition containing a modified phenol novolac obtained by esterifying at least a part of a phenolic hydroxyl group with a fatty acid, and
The component (C) is obtained by volatilizing a solvent from an insulating resin compounding liquid containing an isocyanate compound as a component and divinylbenzene as a component (D) and a solvent. A member for a multilayer wiring board according to any one of
In the present invention (22), the component (B) is 30 to 200 parts by weight, the component (C) is 100 to 400 parts by weight, and the component (D) is 40 to 100 parts by weight of the component (A). The member for a multilayer wiring board according to
In the present invention (23), the insulating uncured film is an oligophenylene ether having a functional group at both ends having a thermosetting number average molecular weight of 1,000 to 3,000, and the component (A) is (B) ) Component is a block copolymer composed of a hard segment block part mainly composed of vinyl aromatic hydrocarbons and a soft segment block part mainly composed of conjugated diene, and an insulating resin containing a solvent The member for a multilayer wiring board according to any one of
The present invention (24) is characterized in that the component (B) is 67 parts by weight or more and 150 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the component (A) in the insulating resin compounding liquid. This is a member for a multilayer wiring board.
In the present invention (25), the component (B) of the insulating uncured coating is a rubber and / or a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer,
The member for a multilayer wiring board according to any one of
In the present invention (26), the dielectric constant after curing of the insulating uncured film is in the range of 2.0 to 3.0 at 5 GHz, and the dielectric loss tangent is in the range of 0.001 to 0.005 at 5 GHz. The member for a multilayer wiring board according to any one of
According to the present invention (27), at least one or a plurality of conductive patterns, a conductive bump group formed on the conductive pattern, and a tip end portion of the conductive bump group are projected to protrude the conductive bump. A member for a multilayer wiring board comprising an insulating uncured film formed around a group, wherein the conductive pattern is formed by applying or printing a thermosetting conductive paste. .
27. The multilayer wiring board according to any one of
The present invention (29) is the member for a multilayer wiring board according to any one of
According to the present invention (30), at least one or a plurality of conductive patterns, a conductive bump group formed on the conductive pattern, and a tip of the conductive bump group are projected to protrude the conductive bump. The conductive pattern is formed by applying or printing a conductive paste, and the conductive paste is formed in the presence or absence of an organic solvent in the presence or absence of an organic solvent. A conductive paste containing silver fine particles recovered from a reaction product obtained by mixing a silver salt of an acid and an aliphatic amine, adding a reducing agent and reacting at a reaction temperature of 20 to 80 ° C.,
Silver fine particles contained in the conductive paste
(a) The average particle size of the primary particles is 40 to 350 nm,
(b) the crystallite diameter is 20 to 70 nm, and
(c) A member for a multilayer wiring board having a ratio of an average particle diameter to a crystallite diameter of 1 to 5.
According to the present invention (31), the conductive pattern is formed by applying or printing a conductive paste, and the conductive paste is formed of a silver salt of carboxylic acid and an aliphatic in the presence or absence of an organic solvent. A conductive paste containing silver fine particles recovered from a reaction product obtained by mixing an amine, adding a reducing agent and reacting at a reaction temperature of 20 to 80 ° C.,
Silver fine particles contained in the conductive paste
(a) The average particle size of the primary particles is 40 to 350 nm,
(b) the crystallite diameter is 20 to 70 nm, and
(c) The ratio of the average particle size to the crystallite size is 1 to 5,
A member for a multilayer wiring board according to any one of
The present invention (32) is the member for a multilayer wiring board according to any one of
The present invention (33) is a multilayer wiring board formed by laminating one or a plurality of members for a multilayer wiring board according to any one of
The present invention (34) is formed by laminating one or a plurality of core circuit boards and a surface circuit layer made of a member for a multilayer wiring board according to any one of
The present invention (35) includes at least a step of forming a conductive pattern on a support substrate, a step of forming a protruding conductive bump group on the conductive pattern, the support substrate, the conductive pattern, And a step of applying an insulating resin compound liquid containing a volatile solvent on the conductive bump group and around the conductive bump group to form a fluid film; and volatilizing the volatile solvent; This is a method for producing a member for a multilayer wiring board comprising a step of reducing the thickness of an insulating uncured film to make the tip of the conductive bump group protrude from the insulating uncured film.
The present invention (36) is the method for producing a member for a multilayer wiring board according to
37. The multilayer wiring board member according to any one of
In the present invention (38), the film reduction rate ((t3-t4) / t3) * 100 calculated from the film thickness t3 of the fluid film and the film thickness t4 of the insulating uncured film is 25% or more, 38. The method for producing a member for a multilayer wiring board according to any one of
The invention (39) is the multilayer wiring board according to any one of
The present invention (40) is the method for producing a member for a multilayer wiring board according to any one of
In the present invention (41), the insulating uncured film is such that the component (A) is an epoxy resin having a phenol skeleton and a biphenyl skeleton, and / or a weight average molecular weight of 1,500 to 70,000, and a hydroxyl group And a component (B) is an epoxy resin composition containing a modified phenol novolac obtained by esterifying at least a part of a phenolic hydroxyl group with a fatty acid, and
The multilayer according to any one of
The present invention (42) is characterized in that the component (B) is 30 to 200 parts by weight and the component (C) is 100 to 400 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (A). 41. A method for producing a member for a multilayer wiring board according to 41.
In the present invention (43), the insulating uncured film is such that the component (A) is an epoxy resin having a phenol skeleton and a biphenyl skeleton, and / or a weight average molecular weight of 1,500 to 70,000, and a hydroxyl group And a component (B) is an epoxy resin composition containing a modified phenol novolac obtained by esterifying at least a part of a phenolic hydroxyl group with a fatty acid, and
41. The multilayer according to any one of
The present invention (44) is characterized in that the component (B) is 30 to 200 parts by weight and the component (D) is 40 to 180 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (A). 43. A method for producing a member for a multilayer wiring board according to 43.
According to the present invention (45), the insulating uncured coating is such that the component (A) is an epoxy resin having a phenol skeleton and a biphenyl skeleton, and / or a weight average molecular weight of 1,500 to 70,000, and a hydroxyl group And a component (B) is an epoxy resin composition containing a modified phenol novolac obtained by esterifying at least a part of a phenolic hydroxyl group with a fatty acid, and
36. A component obtained by volatilizing a solvent from an insulating resin compounded liquid containing an isocyanate compound as component (C) and divinylbenzene as component (D) and a solvent. It is a manufacturing method of the member for multilayer wiring boards of any one of thru | or 40.
In the invention (46), the component (B) is 30 to 200 parts by weight, the component (C) is 100 to 400 parts by weight, and the component (D) is 40 to 100 parts by weight of the component (A). 46. The method for manufacturing a member for a multilayer wiring board according to
According to the present invention (47), the insulating uncured film is an oligophenylene ether having functional groups at both ends having a thermosetting number average molecular weight of 1,000 to 3,000, and the component (A) is (B) ) Component is a block copolymer composed of a hard segment block part mainly composed of vinyl aromatic hydrocarbons and a soft segment block part mainly composed of conjugated diene, and an insulating resin containing a solvent 41. The method for producing a member for a multilayer wiring board according to any one of
The present invention (48) is characterized in that the component (B) is 67 parts by weight or more and 150 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the component (A) in the insulating resin compounding liquid. It is a manufacturing method of the member for multilayer wiring boards of this.
In the present invention (49), the component (B) of the insulating uncured film is a rubber and / or a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer,
The method for producing a member for a multilayer wiring board according to any one of
In the present invention (50), the total resin concentration of the component (A) and the component (B) in the insulating resin compounding liquid is set to 15 wt% or more and 40 wt% or less, and the thickness t3 of the fluid film and the insulating properties The method for producing a member for a multilayer wiring board according to any one of
In the present invention (51), the dielectric constant after curing of the insulating uncured film is in the range of 2.0 to 3.0 at 5 GHz, and the dielectric loss tangent is in the range of 0.001 to 0.005 at 5 GHz. The method for producing a member for a multilayer wiring board according to any one of
According to the present invention (52), at least one or a plurality of conductive patterns, a conductive bump group formed on the conductive pattern, and a tip end portion of the conductive bump group are projected to protrude the conductive bump. Manufacturing of a member for a multilayer wiring board comprising an insulating uncured film formed around a group, wherein the conductive pattern is formed by applying or printing a thermosetting conductive paste Is the method.
52. The multilayer wiring board according to
According to the present invention (54), at least one or a plurality of conductive patterns, a conductive bump group formed on the conductive pattern, and a tip end portion of the conductive bump group are projected to protrude the conductive bump. The conductive pattern is formed by applying or printing a conductive paste, and the conductive paste is formed in the presence or absence of an organic solvent in the presence or absence of an organic solvent. A conductive paste containing silver fine particles recovered from a reaction product obtained by mixing a silver salt of an acid and an aliphatic amine, adding a reducing agent and reacting at a reaction temperature of 20 to 80 ° C.,
Silver fine particles contained in the conductive paste
(a) The average particle size of the primary particles is 40 to 350 nm,
(b) the crystallite diameter is 20 to 70 nm, and
(c) A method for producing a member for a multilayer wiring board, wherein the ratio of the average particle diameter to the crystallite diameter is 1 to 5.
According to the present invention (55), the conductive pattern is formed by applying or printing a conductive paste, and the conductive paste is formed of a silver salt of a carboxylic acid and an aliphatic amine in the presence or absence of an organic solvent. Is a conductive paste containing silver fine particles recovered from a reaction product reacted at a reaction temperature of 20 to 80 ° C. by adding a reducing agent.
Silver fine particles contained in the conductive paste
(a) The average particle size of the primary particles is 40 to 350 nm,
(b) the crystallite diameter is 20 to 70 nm, and
(c) The ratio of the average particle size to the crystallite size is 1 to 5,
52. A method for producing a member for a multilayer wiring board according to any one of
The present invention (56) includes at least a step of aligning and laminating a member for a multilayer wiring board according to any one of
According to the present invention (57), at least a plurality of multilayer wiring board members and an uppermost wiring board member manufactured by the method for manufacturing a multilayer wiring board member according to any one of
According to the present invention (58), the first multilayer wiring board member is formed of at least a conductive bump group and a periphery of the conductive bump group formed by projecting a tip portion of the conductive bump group. The insulating uncured coating is formed on the conductive bump group and around the conductive bump group by applying an insulating resin compounding liquid to form a fluid film, and the insulating resin compounding liquid A multilayer wiring board member characterized by being a film formed by volatilizing a solvent under a condition that does not substantially cure the resin, solidifying the fluid film, and reducing the film, the first conductive foil and The first multilayer wiring board member, one or a plurality of multilayer wiring board members according to any one of
According to the present invention (59), at least a plurality of members for a multilayer wiring board according to any one of
According to the present invention (60), the first multilayer wiring board member includes a conductive bump group, and an insulating uncured film formed around the conductive bump group by projecting a tip portion of the conductive bump group. The insulating uncured film is formed by applying an insulating resin compounding liquid on the conductive bump group and around the conductive bump group to form a fluid film, and the resin of the insulating resin compounding liquid is formed. A multilayer wiring board member characterized by being a film formed by volatilizing a solvent under conditions that do not substantially cause a curing reaction to solidify and reduce the fluid film, and at least the first multilayer wiring board And a multilayer wiring board member according to any one of
According to the present invention (61), a plurality of members for a multilayer wiring board according to any one of
The present invention (62) includes a step of sequentially laminating a plurality of members for a multilayer wiring board according to any one of
In the present invention (63), the first multilayer wiring board member is formed of at least a conductive bump group and a periphery of the conductive bump group formed by projecting the tip of the conductive bump group. The insulating uncured coating is formed on the conductive bump group and around the conductive bump group by applying an insulating resin compounding liquid to form a fluid film, and the insulating resin compounding liquid A multilayer wiring board member characterized by being a film formed by volatilizing a solvent under a condition that does not substantially cure the resin, solidifying the fluid film, and reducing the film, the first conductive foil and A member for the first multilayer wiring board, one or a plurality of members for a multilayer wiring board according to any one of
The present invention (64) provides at least one member for a multilayer wiring board according to any one of
According to the present invention (65), the first multilayer wiring board member includes a conductive bump group, and an insulating uncured film formed around the conductive bump group by projecting a front end portion of the conductive bump group. The insulating uncured film is formed by applying an insulating resin compounding liquid on the conductive bump group and around the conductive bump group to form a fluid film, and the resin of the insulating resin compounding liquid is formed. A multilayer wiring board member characterized by being a film formed by volatilizing a solvent under conditions that do not substantially cause a curing reaction to solidify and reduce the fluid film, and at least the first
The present invention (66) provides one or more members for a multilayer wiring board according to any one of
The present invention (67) provides one or more members for a multilayer wiring board according to any one of
本発明によれば、
１．B2itと比較し、
バンプ貫挿プロセスではなく、機械的圧力が部材に加わらないので、
・絶縁性被膜を薄くでき、導電性バンプの高さを低くできる。また、導電性バンプのアスペクト比が小さくてもビアを形成できる。これにより、導電性バンプのサイズを小さくできる。その結果、外径が30〜50μmの導電性バンプを有する高密度多層配線板の製造が可能になる。将来、バンプ密度が100万個／m2になった時にも対応可能である。
・導電性バンプのアスペクト比を高くする必要がないので、特殊な導電ペーストを用いなくても、或いは、バンプ形成のためのペースト塗布工程を多数回繰り返さなくても導電性バンプの形成が可能である。そのため、材料コストや製造コストの低減が可能である。
・導電性バンプ、配線、絶縁性被膜の損傷による不良率が低減する。
・良好な層間接続を形成するのに必要な導電性バンプのアスペクト比が小さくても製造条件のマージンが広いので、製造歩留まりが向上する。
２．ALIVHと比較し、
・レーザー穴開け技術を用いていないので、穴部分の形状的不均一性を排除できる。レーザー穴開け法による形状的不均一性は、製造工程において、穴部分とビア導電剤との密着不良による配線板内への液体又は湿気の浸透を引き起こし、さまざまな欠陥の原因の一つとなる。それに対し、本発明の製造方法によれば、導電性バンプと絶縁性被膜の界面は、導電性バンプの周囲に低粘度の流動性樹脂を塗布して形成されるので、ビアに相当する導電性バンプと絶縁性被膜の密着性、配線板の信頼性は極めて高い。
・複数のビアを一括して作製する方式であるため、ビアの数が増えても製造コストは増えない。
３．スルーホールメッキ方式と比較し、ビアの空間利用効率が高く微細化に適している。層間接続穴を導電性部材で埋めた構造であるため、放熱効果が高く、高速CPUなど発熱量の多いデバイスの実装に好適である。凹みができないので、ビア上にも配線や他のビアを形成可能で、かつ、表層ビア上には部品を実装することも可能であり、実装密度向上に効果がある。
４．絶縁性樹脂組成物をカーテンコート法により塗布する方式と異なり、本発明の製造方法は、比較的低濃度の樹脂配合液の塗布により形成した被膜の膜厚を減少させてバンプの頭出しを行う方式であるため、バンプ先端部に絶縁性樹脂が残らない。そのため、確実な層間接続の形成、ビア抵抗の低減が可能である。
５．導電性バンプの上断面形状を中心角が180°以下のゆるやかな円弧としてもビアの形成が可能で、頭頂部の面積の小さい従来法で用いられているバンプと異なりビアの断面積が大きい。また、ビアと配線の接触部における絶縁性物質の残留量を少なくすることができるので、ビアと配線の接触面積を大きくとれ、ビア抵抗の低減が可能である。
６．絶縁性未硬化被膜を備えた配線板部材を積層して多層配線板を製造するので、
・絶縁性被膜と導電性パターンとの密着強度が高くなり、配線が剥離しにくくなる。
・隣接する絶縁性被膜との密着強度が高くなり、強固な多層配線板の製造が可能になる。
・絶縁性被膜に柔軟性があり、下地に凹凸があっても被膜性が良く、表面が平坦になる。
・導電性バンプと接触する配線との密着強度が高くなり、ビア抵抗の低減が可能である。
７．厚膜プロセスにより高密度多層配線板を製造できるので、高密度多層配線板の製造コスト低減が可能である。
８．実装密度の高い多層配線板を提供することができ、電子機器の小型軽量化、多機能化に寄与する。
９．比誘電率、誘電損失の低い絶縁性材料により絶縁被膜を形成するので、電気信号伝搬特性に優れた実装配線板を作製できる。特に、請求項１７に示すADFLEMA （ナミックス社商品名）のOPE系を用いる場合は、比誘電率及び誘電正接が低いので電気信号伝搬特性に優れた実装配線板を作製できる。また、溶剤の含有量が多く、容易に薄い絶縁性被膜を形成できる。
１０．低温の熱処理でも導電性の高い配線材料を用いて配線や導電性バンプを形成するので、配線膜厚を薄く、配線幅を細くしても、電気信号伝搬特性に優れた実装配線板を作製できる。
１１．一括積層により多層配線板を製造できるので、順次積層により多層配線板を製造する方法と比較して、製造工程数が少なく製造コストの低減が可能であり、配線板部材に加わる熱履歴が少なく部材、及び、これらの部材により形成した多層配線板の信頼性が高い。
According to the present invention,
1. Compared with B 2 it,
Since it is not a bump penetration process, no mechanical pressure is applied to the member,
-The insulating film can be made thinner and the height of the conductive bumps can be lowered. Further, a via can be formed even if the conductive bump has a small aspect ratio. Thereby, the size of the conductive bump can be reduced. As a result, a high-density multilayer wiring board having conductive bumps with an outer diameter of 30 to 50 μm can be manufactured. In the future, it will be possible to deal with bump density of 1 million pieces / m 2 .
・ Because there is no need to increase the aspect ratio of conductive bumps, conductive bumps can be formed without using special conductive paste or without repeating the paste application process for bump formation many times. is there. Therefore, material cost and manufacturing cost can be reduced.
・ Defect rate due to damage to conductive bumps, wiring, and insulating film is reduced.
-Even if the aspect ratio of the conductive bumps necessary for forming a good interlayer connection is small, the manufacturing condition margin is wide, so that the manufacturing yield is improved.
2. Compared to ALIVH,
・ Because laser drilling technology is not used, the shape non-uniformity of the hole can be eliminated. The shape non-uniformity due to the laser drilling method causes the penetration of liquid or moisture into the wiring board due to poor adhesion between the hole portion and the via conductive agent in the manufacturing process, and is one of the causes of various defects. On the other hand, according to the manufacturing method of the present invention, the interface between the conductive bump and the insulating coating is formed by applying a low viscosity fluid resin around the conductive bump. The adhesion between the bump and the insulating coating and the reliability of the wiring board are extremely high.
・ Since this is a method of manufacturing a plurality of vias at once, the manufacturing cost does not increase even if the number of vias increases.
3. Compared with the through-hole plating method, the space utilization efficiency of vias is high and suitable for miniaturization. Due to the structure in which the interlayer connection hole is filled with a conductive member, it has a high heat dissipation effect and is suitable for mounting a device that generates a large amount of heat such as a high-speed CPU. Since there is no dent, wiring and other vias can be formed on the vias, and components can be mounted on the surface vias, which is effective in improving the mounting density.
4). Unlike the method in which the insulating resin composition is applied by the curtain coating method, the manufacturing method of the present invention performs the cueing of the bump by reducing the film thickness of the coating formed by application of a relatively low concentration resin compounding liquid. Since this method is used, no insulating resin remains at the bump tip. Therefore, reliable interlayer connection can be formed and via resistance can be reduced.
5. Vias can be formed even if the upper cross-sectional shape of the conductive bump is a gentle arc with a central angle of 180 ° or less, and the cross-sectional area of the via is large, unlike the bumps used in the conventional method with a small area at the top of the head. Further, since the residual amount of the insulating material at the contact portion between the via and the wiring can be reduced, the contact area between the via and the wiring can be increased, and the via resistance can be reduced.
6). Since a multilayer wiring board is manufactured by laminating wiring board members having an insulating uncured coating,
-The adhesion strength between the insulating coating and the conductive pattern is increased, and the wiring is difficult to peel off.
-The adhesion strength between adjacent insulating coatings is increased, and a strong multilayer wiring board can be manufactured.
-The insulating film is flexible, and even if the ground is uneven, the film is good and the surface is flat.
-The adhesion strength with the wiring that contacts the conductive bump is increased, and the via resistance can be reduced.
7). Since the high-density multilayer wiring board can be manufactured by the thick film process, the manufacturing cost of the high-density multilayer wiring board can be reduced.
8). A multilayer wiring board having a high mounting density can be provided, which contributes to the reduction in size and weight of electronic devices and the increase in functionality.
9. Since the insulating film is formed of an insulating material having a low relative dielectric constant and dielectric loss, a mounting wiring board having excellent electric signal propagation characteristics can be produced. In particular, when the OPE system of ADFLEMA (trade name of NAMICS) shown in claim 17 is used, a mounted wiring board having excellent electric signal propagation characteristics can be manufactured because of its low relative dielectric constant and dielectric loss tangent. Further, the content of the solvent is large, and a thin insulating film can be easily formed.
10. Since wiring and conductive bumps are formed using highly conductive wiring materials even at low temperature heat treatment, a mounting wiring board with excellent electrical signal propagation characteristics can be produced even if the wiring film thickness is thin and the wiring width is thin. .
11. Since multilayer wiring boards can be manufactured by batch lamination, the number of manufacturing processes can be reduced and manufacturing costs can be reduced compared to the method of manufacturing multilayer wiring boards by sequential lamination, and the heat history applied to the wiring board members is small. And the reliability of the multilayer wiring board formed by these members is high.
以下、本発明の最良形態について説明する。
多層配線板部材、多層配線板、複合多層配線板
多層配線板の製造においては、多層配線板を構成する部品である多層配線板部材（多層配線板用の部材、又は、単に、配線板部材）を形成してから、複数の係る多層配線板部材を積層し、加熱下でプレスして多層配線板を形成する。特に、本発明の技術により製造したバンプ密度の高い多層配線板部材による表面回路層とバンプ密度の低いコア基板を積層した多層配線板を複合多層配線板と呼ぶ。コア基板は物理的剛性を担うと同時にそれほど微細ではない電源配線や接地配線などの回路を形成し、表面回路層は微細配線を形成する。表面回路層を構成する多層配線板部材の製造には本発明の技術を用いることにより、製造コストの低い厚膜プロセスを用いて実装密度の高い複合多層配線板を形成できる。
The best mode of the present invention will be described below.
Multilayer wiring board member, multilayer wiring board, composite multilayer wiring board In the production of a multilayer wiring board, a multilayer wiring board member (a member for a multilayer wiring board or simply a wiring board member) which is a component constituting the multilayer wiring board Then, a plurality of such multilayer wiring board members are stacked and pressed under heating to form a multilayer wiring board. In particular, a multilayer wiring board obtained by laminating a surface circuit layer made of a multilayer wiring board member having a high bump density and a core substrate having a low bump density manufactured by the technique of the present invention is referred to as a composite multilayer wiring board. The core substrate bears physical rigidity and at the same time forms circuits such as power wiring and ground wiring which are not so fine, and the surface circuit layer forms fine wiring. By using the technique of the present invention for manufacturing a multilayer wiring board member constituting the surface circuit layer, a composite multilayer wiring board having a high mounting density can be formed by using a thick film process having a low manufacturing cost.
一括積層と順次積層
配線を備えた多層配線板部材を形成してから、複数の多層配線板部材を一度に積層熱プレスして多層配線板を製造する方法、又は、複数の多層配線板部材とコア基板を一度に積層熱プレスして複合多層配線板を製造する方法を、一括積層と呼ぶ。一方、配線を備えた、又は、備えていない多層配線板部材を形成して、その上に導電性箔を貼り付け、エッチングにより配線を形成した後、次の多層配線板部材を載せて積層熱プレスを行う工程を順次繰り返すことにより、多層配線板又は複合多層配線板を製造する方法を、順次積層と呼ぶ。
一括積層は、工程数を少なくでき、製造コストの低減が可能である。また、配線板部材に加わる熱履歴が少なく部材、及び、これらの部材により形成した多層配線板の信頼性が高いという利点がある。従来のB2itでは、一括積層を行うことが困難であったが、本発明の技術では一括積層による多層配線板の製造が容易に実施可能である。
一方、順次積層は、配線パターンによるアライメントが不要で、バンプのアライメントだけ行えばよいという利点があるが、積層する多層配線板部材ごとに、エッチングや積層熱プレスを行う必要があり、工程数増加により製造コストが高く、熱履歴が多くなるため部材の信頼性が低くなるという問題がある。
A method of manufacturing a multilayer wiring board by forming a multilayer wiring board member having a batch lamination and a sequential lamination wiring and then laminating and pressing a plurality of multilayer wiring board members at once, or a plurality of multilayer wiring board members A method of manufacturing a composite multilayer wiring board by laminating and pressing a core substrate at a time is called collective lamination. On the other hand, a multilayer wiring board member with or without wiring is formed, a conductive foil is pasted thereon, a wiring is formed by etching, and then the next multilayer wiring board member is placed on the laminated heat. A method of manufacturing a multilayer wiring board or a composite multilayer wiring board by sequentially repeating the pressing process is called sequential lamination.
Batch stacking can reduce the number of processes and reduce manufacturing costs. Further, there is an advantage that the reliability of a member having little heat history applied to the wiring board member and a multilayer wiring board formed by these members is high. With conventional B 2 it, it is difficult to perform batch lamination, but with the technique of the present invention, it is possible to easily manufacture a multilayer wiring board by batch lamination.
On the other hand, sequential lamination has the advantage that alignment by the wiring pattern is unnecessary and only the alignment of the bumps is required. However, it is necessary to perform etching and lamination heat press for each multilayer wiring board member to be laminated, and the number of processes increases Therefore, there are problems that the manufacturing cost is high and the heat history is increased, so that the reliability of the member is lowered.
多層配線板部材の製造方法
本発明の実施の形態による多層配線板部材の製造方法は、略円錐台状、又は、略円柱状等の突起状導電性バンプを層間接続部材として用いる。また、支持部材上に高密度に形成された導電性バンプ（バンプ群）の上及び周囲に絶縁性樹脂配合液を塗布して流動性被膜を形成し、その後、前記流動性被膜の溶剤の少なくとも一部を蒸発させ、前記絶縁性被膜の膜厚を減少させて、前記導電性バンプの先端部を前記絶縁性被膜上に突出させる工程を有する。バンプ上に単に絶縁性樹脂配合液を薄く塗るだけではバンプの先端部に樹脂配合液が残るが、バンプの高さよりも厚く樹脂配合液を塗布してから溶剤を蒸発させると、再現性よくバンプの頭出しができる。なお、本願明細書では、塗布後、膜厚減少前の絶縁性被膜を流動性被膜、膜厚減少後、硬化反応開始前の絶縁性被膜を絶縁性未硬化被膜と呼んで区別するものとする。
B2itのような貫挿により導電性バンプの先端を絶縁性被膜上に突出させる製造方法とは異なり、導電性バンプ及び絶縁性被膜に対し機械的圧力が加わらない。そのため、絶縁性被膜の機械的耐久性の点で導電性バンプの高密度化に対応可能である。また、導電性バンプの底面径を小さくすることが可能である。さらに、導電性バンプのアスペクト比を小さくすることが可能で、バンプ形状の設計マージンや製造条件のマージンが大きくとれるので、多層配線板の製造歩留まりが向上する。
（バンプ群に直接樹脂被膜を作ることの特徴）
ここで、本発明の多層配線板用の部材は、溶剤に溶解した樹脂をバンプ群の周囲に流延させて十分にバンプ周辺を濡らして乾燥・固化させた絶縁性未硬化被膜であることに特徴があるので、バンプと樹脂は緊密な密着構造で出来上がっている。一方、従来の、たとえばB2itでの絶縁性樹脂は、一般にＢステージといわれる溶剤の蒸発された固体シートで、かかる固体シートを熱で軟化させてバンプに貫挿させる方法においては無理やりの破断での穿孔であるからバンプ周辺に隙間ができたりして、本発明に比べてバンプと樹脂の密着信頼性は劣るものである。
2. Manufacturing method of multilayer wiring board member The manufacturing method of the multilayer wiring board member according to the embodiment of the present invention uses a projecting conductive bump having a substantially truncated cone shape or a substantially cylindrical shape as an interlayer connection member. In addition, a fluid film is formed by applying an insulating resin compounding liquid on and around the conductive bumps (bump group) formed on the support member at a high density, and then, at least a solvent of the fluid film is formed. A step of evaporating a part of the insulating film to reduce a film thickness of the insulating film and projecting a tip portion of the conductive bump onto the insulating film; By simply applying a thin insulating resin compound solution on the bump, the resin compound solution will remain at the tip of the bump. However, if the resin compound solution is applied thicker than the bump height and the solvent is evaporated, the bump will be reproducible. Can be cued. In the present specification, the insulating film after coating and before the film thickness reduction is called a fluid film, and the insulating film after the film thickness reduction and before the curing reaction is called an insulating uncured film. .
Unlike the manufacturing method in which the tip of the conductive bump protrudes on the insulating film by insertion such as B 2 it, mechanical pressure is not applied to the conductive bump and the insulating film. Therefore, it is possible to cope with a higher density of conductive bumps in terms of mechanical durability of the insulating coating. In addition, the bottom diameter of the conductive bump can be reduced. Furthermore, the aspect ratio of the conductive bumps can be reduced, and the design margin of the bump shape and the margin of the manufacturing conditions can be increased, so that the manufacturing yield of the multilayer wiring board is improved.
(Characteristic of making resin film directly on bump group)
Here, the member for the multilayer wiring board of the present invention is an insulating uncured film obtained by casting a resin dissolved in a solvent around the bump group and sufficiently wetting the periphery of the bump to dry and solidify it. Due to its characteristics, the bump and the resin are completed with a close contact structure. On the other hand, conventional insulating resin such as B 2 it is a solid sheet, which is generally called a B stage, where the solvent is evaporated, and in such a method, the solid sheet is softened by heat and inserted into the bumps. Since there are gaps around the bumps, the adhesion reliability between the bumps and the resin is inferior to that of the present invention.
薄膜プロセスと厚膜プロセス
一般的に多層配線板の製造に用いられる加工技術は、薄膜プロセスと厚膜プロセスに分類される。
薄膜プロセスは、膜形成技術としては、蒸着、スパッター、CVD、PVD、めっき等、パターン形成技術としては、フォトリソグラフィー、ドライエッチング等の技術を用いるもので、真空プロセスやウェットプロセスを中心とする加工技術である。配線板又はプリント配線板と呼ばれる実装配線板では、一般的に、50μm／50μmレベル以下の微細な配線／スペース幅の加工には、セミアディティブ手法などの薄膜プロセスが用いられていた。微細なパターンの加工が可能であるが、製造コストが高いという問題がある。
これに対し、厚膜プロセスは、代表的にはスクリーン印刷などの印刷を中心とする加工技術で、ドライプロセスかつ大気下のプロセスである。厚膜プロセスは、薄膜プロセスに比べ製造コストを低減できるという特徴を持つ。
例えば、配線幅１００μm以下の配線密度の高い多層配線板を作製するには、同時に層間接続ビアである突起状の導電性バンプの底面径を１００μm以下とする必要がある。しかし、従来法である絶縁性樹脂のプリプレグシートをバンプにて貫挿する製造方法では、プリプレグの厚さが現状では最低でも３０μm以上であり、バンプにてその厚さを安定して貫挿するには、バンプの高さをプリプレグの厚さの約3倍以上にする必要性があり、バンプ径の微細化にはバンプのアスペクト比を大きくせざるを得ず、１００μmφ以下の微細バンプの形成は困難を極めた。従来、ビア径及び配線幅が１００μm以下の高密度配線板を実現するには、製造コストや製造設備投資額の高価な、例えば、セミアディティブ法による微細配線パターンの形成、フォトビア法による微細ビアの形成、等の薄膜プロセスを用いるのが一般的であった。
Thin Film Process and Thick Film Process Generally, processing techniques used for manufacturing a multilayer wiring board are classified into a thin film process and a thick film process.
The thin film process uses deposition, sputtering, CVD, PVD, plating, etc. as the film formation technology, and uses photolithography, dry etching, etc. as the pattern formation technology, and mainly processes such as vacuum processes and wet processes. Technology. In a mounting wiring board called a wiring board or a printed wiring board, a thin film process such as a semi-additive technique is generally used for processing a fine wiring / space width of 50 μm / 50 μm level or less. Although a fine pattern can be processed, there is a problem that the manufacturing cost is high.
On the other hand, the thick film process is typically a processing technique centered on printing such as screen printing, and is a dry process and an atmospheric process. The thick film process has a feature that the manufacturing cost can be reduced as compared with the thin film process.
For example, in order to produce a multilayer wiring board having a wiring density of 100 μm or less and a high wiring density, it is necessary to simultaneously make the bottom diameter of the protruding conductive bumps, which are interlayer connection vias, 100 μm or less. However, in the conventional manufacturing method in which the insulating resin prepreg sheet is inserted through the bump, the thickness of the prepreg is at least 30 μm at the present, and the thickness is stably inserted through the bump. However, it is necessary to make the bump height about 3 times the thickness of the prepreg. To reduce the bump diameter, the bump aspect ratio must be increased. Was extremely difficult. Conventionally, in order to realize a high-density wiring board having a via diameter and a wiring width of 100 μm or less, manufacturing cost and manufacturing equipment investment are expensive, for example, formation of fine wiring patterns by a semi-additive method, It has been common to use thin film processes such as formation.
有機配線板
一般的に多層配線板は、基板材料によって、有機配線板と無機配線板に分類される。本発明は、絶縁性基板の材料として有機材料を用いる有機配線板を対象とするものである。
Organic wiring boards In general, multilayer wiring boards are classified into organic wiring boards and inorganic wiring boards according to the substrate material. The present invention is directed to an organic wiring board using an organic material as a material for an insulating substrate.
（本発明の実施の形態に係る多層配線板部材、及び、その製造方法）
多層配線板部材の製造方法の第一の具体例
図１(a)乃至(f)は、本発明の多層配線板の製造方法の実施の形態に係る第一の具体例を示す工程順断面図である。まず、PET、PPT、PIなどの樹脂フィルム、又は、Cu、SUS、Alなどの金属板からなる支持基板１を用意する（図１(a)）。次に、支持基板１の上に配線２を形成する（図１(b)）。配線２は、例えば、導電性ペーストのスクリーン印刷により、所定の導電性パターンとなるように形成する。次に、配線２の上の所定の位置に導電性バンプ３を形成する（図１(c)）。導電性バンプ３の形状は、略円錐台状、又は、略円柱状など、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とするのが好ましい。導電性バンプについても、例えば、導電性ペーストのスクリーン印刷により形成する。配線２、導電性バンプ３の材料となる導電性ペーストとしては、例えば、液状樹脂の中に金属粒（銀、金、銅、ハンダなど）を分散させ、必要に応じ、揮発性の溶剤を混合させたものを用いる。導電性バンプは、所定の形状、所定の高さになるように、1回のスクリーン印刷で必要な高さが得られない場合には、複数回、必要に応じマスクの形状を変化させて繰り返し印刷を行ってもよい。次に、絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ３の上及び周囲に塗布し、流動性被膜４を形成する（図１(d)）。次に、例えば、乾燥炉で加熱し、流動性被膜４に含まれる揮発成分を所定量蒸発させ、その膜厚を減少させ、絶縁性未硬化被膜５とする（図１(e)）。この時、流動性被膜４の膜厚が減少し、導電性バンプ３の先端部が露出するように、絶縁性樹脂配合液に含まれる揮発成分の量や、加熱条件を調整する。次に、配線２、膜厚の減少した絶縁性未硬化被膜５から支持基板１を剥離し、多層配線板の部品となる配線板部材６を完成する（図１(f)）。
(Multilayer wiring board member according to an embodiment of the present invention and method for manufacturing the same)
First Specific Example of Manufacturing Method of Multilayer Wiring Board Member FIGS. 1A to 1F are cross-sectional views in order of steps showing a first specific example according to the embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board of the present invention. It is. First, a
多層配線板部材の製造方法の第二の具体例
図２(a)乃至(e)は、本発明の多層配線板の製造方法の実施の形態に係る第二の具体例を示す工程順断面図である。第二の具体例は、配線パターンを持たない多層配線板部材の製造方法である。まず、PET、PPT、PIなどの樹脂フィルム、又は、Cu、SUS、Alなどの金属板からなる支持基板２１を用意する（図２(a)）。次に、所定の位置に導電性バンプ２２を形成する（図２(b)）。導電性バンプ２２の形状は、略円錐台状、又は、略円柱状など、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とするのが好ましい。導電性バンプについても、例えば、導電性ペーストのスクリーン印刷により形成する。導電性バンプ２２の材料となる導電性ペーストとしては、例えば、液状樹脂の中に金属粒（銀、金、銅、ハンダなど）を分散させ、必要に応じ、揮発性の溶剤を混合させたものを用いる。導電性バンプは、所定の形状、所定の高さになるように、1回のスクリーン印刷で必要な高さが得られない場合には、複数回、必要に応じマスクの形状を変化させて繰り返し印刷を行ってもよい。次に、絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ２２の上及び周囲に塗布し、流動性被膜２３を形成する（図２(c)）。次に、例えば、乾燥炉で加熱し、流動性被膜２３に含まれる揮発成分を所定量蒸発させ、その膜厚を減少させ、絶縁性未硬化被膜２４とする（図２(d)）。この時、流動性被膜２３の膜厚が減少し、導電性バンプ２２の先端部が露出するように、絶縁性樹脂配合液に含まれる揮発成分の量や、加熱条件を調整する。次に、膜厚の減少した絶縁性未硬化被膜２４から支持基板２１を剥離し、多層配線板の部品となる配線板部材２５を完成する（図２(e)）。
Second Specific Example of Manufacturing Method of Multilayer Wiring Board Member FIGS. 2A to 2E are cross-sectional views in order of steps showing a second specific example according to the embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board of the present invention. It is. The second specific example is a method for manufacturing a multilayer wiring board member having no wiring pattern. First, a
多層配線板部材の製造方法の第三の具体例
図３(a)乃至(h)は、本発明の多層配線板の製造方法の実施の形態に係る第三の具体例を示す工程順断面図である。第一の具体例では、配線を先に形成してから導電性バンプを形成していたのに対し、第三の具体例では、導電性バンプを形成してから配線を形成する。第一の具体例では、絶縁性被膜が未硬化であったのに対し、第三の具体例では、配線形成の際の保護膜形成工程において加熱工程があり、絶縁性被膜の硬化が開始することに特徴がある。ただし、絶縁性被膜の硬化反応は、完全硬化に至らない程度に加熱条件を調整する。
最初に、例えば、樹脂フィルム、例えば、PET、PPT、PI、又は、金属板、例えば、Cu、SUS、Alからなる支持基板３１を用意する（図３(a)）。次に、支持基板３１の上に、例えば、導電性ペーストのスクリーン印刷により導電性バンプ３２を形成する（図３(b)）。導電性バンプ３２の形状は、略円錐台状、又は、略円柱状など、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とする。次に、絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ３２の上及び周囲に塗布し、流動性被膜３３を形成する（図３(c)）。次に、例えば、乾燥炉で加熱し、流動性被膜３３に含まれる揮発成分を所定量蒸発させ、その膜厚を減少させ、絶縁性未硬化被膜３４とする（図３(d)）。この時、導電性バンプ３２の先端部が露出するまで流動性被膜３３の膜厚が減少するように、絶縁性樹脂配合液に含まれる揮発成分の量や、加熱条件を調整する。次に、膜厚の減少した絶縁性未硬化被膜３４と導電性バンプ３２の上に、導電性バンプ３２の先端部を陥没可能な有機樹脂フィルム、例えば、クレラップ、パイレン、ナイロン、PET、PPT、又は、PIからなる保護膜３５をラミネートにより形成する（図３(e)）。保護膜３５は、後工程である裏面における導電性パターンの印刷時に導電性バンプ３２を変形や損傷から保護する目的で形成する。膜厚減少工程、又は、ラミネート工程における加熱により、絶縁性未硬化被膜３４の流動性が変化し絶縁性被膜３６が形成される。絶縁性被膜３６は、硬化反応が開始するが、完全硬化には至らない程度に加熱条件を調整するのが好ましい。これにより、絶縁性被膜を積層した時の密着性を劣化させずに、裏面に導電性パターンを形成する時の配線板の取り扱いが容易になる。次に、絶縁性被膜３６から支持基板３１を剥離する（図３(f)）。次に、絶縁性被膜３６の裏面に配線３７を形成する（図３(g)）。配線３７は、例えば、導電性ペーストのスクリーン印刷により、所定の導電性パターンとなるように形成する。導電性ペーストとしては、例えば、液状樹脂の中に金属粒（銀、金、銅、ハンダなど）を分散させ、必要に応じ、揮発性の溶剤を混合させたものを用いる。次に、保護膜３５を剥離して、配線板部材３８を完成する（図３(h)）。
Third Specific Example of Manufacturing Method of Multilayer Wiring Board Member FIGS. 3A to 3H are cross-sectional views in order of steps showing a third specific example according to the embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board of the present invention. It is. In the first specific example, the conductive bumps are formed after the wiring is formed first, whereas in the third specific example, the wiring is formed after the conductive bump is formed. In the first specific example, the insulating film was uncured, whereas in the third specific example, there was a heating process in the protective film forming process during wiring formation, and the curing of the insulating film started. There is a special feature. However, the heating conditions are adjusted so that the curing reaction of the insulating coating does not lead to complete curing.
First, a
多層配線板部材の製造方法の第四の具体例
図４(a)乃至(j)は、本発明の多層配線板の製造方法の実施の形態に係る第四の具体例を示す工程順断面図である。最初に、配線板部材の製造方法について、図４(a)乃至(j)を用いて説明する。まず、例えば、PET、PPT、PIなどの樹脂フィルム、又は、Cu、SUS、Alなどの金属板からなる支持基板４１を用意する（図４(a)）。次に、支持基板４１の上に、例えば、導電性ペーストのスクリーン印刷により導電性バンプ４２を形成する（図４(b)）。導電性バンプ４２の形状は、略円錐台状、又は、略円柱状など、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とする。次に、絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ４２の上及び周囲に塗布し、流動性被膜４３を形成する（図４(c)）。次に、例えば、乾燥炉で加熱し、流動性被膜４３に含まれる揮発成分を所定量蒸発させ、その膜厚を減少させ、絶縁性未硬化被膜４４とする（図４(d)）。この時、導電性バンプ４２の先端部が露出するまで流動性被膜４３の膜厚が減少するように、絶縁性樹脂配合液に含まれる揮発成分の量や、加熱条件を調整する。次に、膜厚の減少した絶縁性未硬化被膜４４と導電性バンプ４２の上に、導電性バンプ４２の先端部を陥没可能な有機樹脂フィルム、例えば、クレラップ、パイレン、ナイロン、PET、PPT、又は、PIからなる保護膜４５をラミネートにより形成する（図４(e)）。保護膜４５は、後工程である裏面における導電性パターンの印刷時に導電性バンプ４２を変形や損傷から保護する目的で形成する。膜厚減少工程、又は、ラミネート工程における加熱により、絶縁性未硬化被膜４４の流動性が変化し、絶縁性被膜４６が形成される。絶縁性被膜４６は、硬化反応が開始するが、完全硬化には至らない程度に加熱条件を調整するのが好ましい。これにより、絶縁性被膜を積層した時の密着性を劣化させずに、裏面に導電性パターンを形成する時の配線板の取り扱いが容易になる。次に、絶縁性被膜４６から支持基板４１を剥離する（図４(f)）。次に、裏面に配線４７を形成する（図４(g)）。配線４７は、例えば、導電性ペーストのスクリーン印刷により、所定の導電性パターンとなるように形成する。導電性ペーストとしては、例えば、液状樹脂の中に金属粒（銀、金、銅、ハンダなど）を分散させ、必要に応じ、揮発性の溶剤を混合させたものを用いる。次に、保護膜４５を剥離する（図４(h)）。次に、絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ４２の上及び周囲に塗布し、流動性被膜４８を形成する（図４(i)）。次に、例えば、乾燥炉で加熱し、流動性被膜４８に含まれる揮発成分を所定量蒸発させ、その膜厚を減少させ、絶縁性未硬化被膜４９とし、配線板部材５０を完成する（図４(j)）。この時、導電性バンプ４２の先端部が露出するまで流動性被膜４８の膜厚が減少するように、絶縁性樹脂配合液に含まれる揮発成分の量や、加熱条件を調整する。また、この時点で、絶縁性被膜４６が完全硬化には至らない硬化被膜、絶縁性被膜４９が未硬化被膜となるように、加熱条件を調整する。絶縁性被膜４９が未硬化被膜であるので、絶縁性被膜４９に接して積層する部材との密着性が改善される。
Fourth Specific Example of Multilayer Wiring Board Member Manufacturing Method FIGS. 4A to 4J are cross-sectional views in order of steps showing a fourth specific example according to the embodiment of the multilayer wiring board manufacturing method of the present invention. It is. First, a method for manufacturing a wiring board member will be described with reference to FIGS. First, for example, a
（製造方法、材料等に関する詳細説明）
以下、本発明の実施の形態に係る多層配線板部材を構成する導電性バンプ、絶縁性被膜、配線に関する好適な製造方法、材料等について詳細に説明する。
(Detailed explanation about manufacturing method, materials, etc.)
Hereinafter, a conductive bump, an insulating film, a suitable manufacturing method, materials, and the like that constitute the multilayer wiring board member according to the embodiment of the present invention will be described in detail.
製造方法
導電性バンプの形成
１．導電性ペーストの調整工程
導電性ペーストは、溶媒に樹脂組成物と導電性粒子を溶解又は分散させて調整したものを用いる。
２．導電性ペーストの印刷・乾燥・固化工程
導電性バンプは、例えば、スクリーン印刷法を用いて、所定のマスクを用い、導電性ペーストを配線板上あるいは支持基板上に印刷して形成する。所定の高さ及びアスペクト比のバンプを形成するためには、必要に応じ異なるマスクを用いて、数回に分けて印刷を繰り返してもよい。
Manufacturing Method Formation of Conductive Bump Step of adjusting conductive paste The conductive paste is prepared by dissolving or dispersing the resin composition and conductive particles in a solvent.
2. Printing, drying, and solidifying process of conductive paste The conductive bumps are formed by printing a conductive paste on a wiring board or a support substrate using a predetermined mask by using, for example, a screen printing method. In order to form bumps having a predetermined height and aspect ratio, printing may be repeated several times using different masks as necessary.
絶縁性被膜の形成
１．絶縁性樹脂配合液の調製工程
熱硬化性樹脂組成物を、溶媒に溶解又は分散させて絶縁性樹脂配合液を調整する。溶媒としては、例えば、有機溶媒を用いる。有機溶媒としては、ケトン系溶媒、芳香族系溶媒が挙げられる。例えば、前者としては、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、後者としては、トルエン、キシレンが挙げられる。
溶媒の使用量については、溶媒の蒸発により導電性バンプの頭出しを適切に行うために、絶縁性樹脂配合液中の揮発成分の含有量が適正な範囲となるように調整するのが好ましい。例えば、NV（不揮発性樹脂成分の含有量）が１０％〜８０％の範囲となるように樹脂を溶媒で希釈するのが好ましい。また、絶縁性樹脂配合液の粘度は、１００〜６００mPa・Sの範囲とするのが好ましい。粘度が小さすぎると、樹脂配合液の塗布時に流れ出しが発生し、塗布できないという問題がある。粘度が大きすぎると、塗布表面の平坦性が悪くなるという問題がある。
本発明に係る多層配線板の絶縁性被膜の製造に用いるエポキシ樹脂及びオリゴフェニレンエーテル樹脂は、いずれも常温では固体で、100℃程度までの温度では熱軟化性を示す樹脂である。粉末又はフィルム状で固体の材料を溶媒に溶解又は分散して、必要に応じ加熱して樹脂配合液（液体）にする。樹脂配合液を基板に塗布した後、乾燥し常温に戻すと被膜（固体）に変化する。本発明に係る多層配線板の製造には、特に、乾燥・固化温度が60℃以上、1６0℃以下で完結できるような溶剤と樹脂の組み合わせを用いるのが好ましい。
２．絶縁性樹脂配合液のコーティング工程
得られた絶縁性樹脂配合液を、導電性バンプを有する支持体の上にコーティングし、絶縁性被膜を形成する。コーティング方法は特に限定されないが、例えば、ドクターブレード法、カーテンコート法、マイクログラビア法、スロットダイ法を用いるのが好ましい。また、コーティング工程における絶縁性被膜の厚さは、導電性バンプの高さよりも厚くコーティングするのが好ましい。導電性バンプの高さよりも厚くコーティングしてから、導電性バンプの高さより薄くなるまで絶縁性被膜を膜減りさせると、均一性、再現性よくバンプの頭出しができる。
３．溶媒蒸発工程
コーティングした絶縁性被膜を、加熱、又は、自然乾燥させることにより、絶縁性被膜中の揮発成分を蒸発させ、膜厚を減少させる。導電性バンプの先端部を適切に露出させるために、塗布後の膜厚t3と、膜減り後の膜厚t4の比から算出した膜減り率((t3-t4)/t3)*100が２５％〜８５％となるように、溶媒蒸発工程の条件を適宜設定する。溶剤の種類、乾燥機の排気風速、風量などによって所定の温度に対する処理時間は適宜調整する必要があるが、例えば、８０〜１２０℃、１〜３０分程度に設定する。
図１３に示すバンプの下に配線がない場合の膜減り率は((t1-t2)/t1)*100であり、図１４に示すバンプの下に配線がある場合の膜減り率は((t3-t4)/t3)*100であるが、これらはいずれも２５％〜８５％が好適な範囲であることが確認されている。
Formation of insulating film Preparation process of insulating resin compounding liquid The thermosetting resin composition is dissolved or dispersed in a solvent to adjust the insulating resin compounding liquid. For example, an organic solvent is used as the solvent. Examples of the organic solvent include ketone solvents and aromatic solvents. For example, the former includes methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, and the latter includes toluene and xylene.
The amount of the solvent used is preferably adjusted so that the content of the volatile component in the insulating resin compounded liquid is within an appropriate range in order to appropriately cue the conductive bump by evaporation of the solvent. For example, it is preferable to dilute the resin with a solvent so that NV (content of nonvolatile resin component) is in the range of 10% to 80%. Moreover, it is preferable that the viscosity of the insulating resin compounding liquid is in the range of 100 to 600 mPa · S. If the viscosity is too small, there is a problem in that flow out occurs at the time of application of the resin compounding liquid, and application is impossible. When the viscosity is too large, there is a problem that the flatness of the coated surface is deteriorated.
The epoxy resin and oligophenylene ether resin used for the production of the insulating coating of the multilayer wiring board according to the present invention are both resins that are solid at room temperature and exhibit heat softening properties at temperatures up to about 100 ° C. A solid material in the form of powder or film is dissolved or dispersed in a solvent and heated as necessary to obtain a resin compounded liquid (liquid). After the resin compounding solution is applied to the substrate, it is dried and returned to room temperature to change to a coating (solid). In the production of the multilayer wiring board according to the present invention, it is particularly preferable to use a combination of a solvent and a resin that can be completed when the drying / solidification temperature is 60 ° C. or higher and 160 ° C. or lower.
2. Coating process of insulating resin compounding liquid The obtained insulating resin compounding liquid is coated on a support having conductive bumps to form an insulating film. The coating method is not particularly limited, but for example, a doctor blade method, a curtain coating method, a micro gravure method, or a slot die method is preferably used. Moreover, it is preferable that the thickness of the insulating coating in the coating process is thicker than the height of the conductive bump. If coating is made thicker than the height of the conductive bump and then the insulating coating is reduced until it becomes thinner than the height of the conductive bump, the head of the bump can be found with good uniformity and reproducibility.
3. Solvent evaporation step The coated insulating film is heated or naturally dried to evaporate volatile components in the insulating film and reduce the film thickness. In order to properly expose the tip of the conductive bump, the film reduction rate ((t3-t4) / t3) * 100 calculated from the ratio of the film thickness t3 after coating and the film thickness t4 after film reduction is 25. The conditions for the solvent evaporation step are appropriately set so as to be in the range of% to 85%. Although it is necessary to appropriately adjust the treatment time for a predetermined temperature depending on the type of solvent, the exhaust air speed of the dryer, the air volume, etc., for example, it is set to about 80 to 120 ° C. and about 1 to 30 minutes.
The film reduction rate when there is no wiring under the bumps shown in FIG. 13 is ((t1-t2) / t1) * 100, and when the wiring is under the bumps shown in FIG. t3-t4) / t3) * 100, and it has been confirmed that any of these ranges from 25% to 85%.
配線の形成
１．導電性ペーストの調整工程
導電性ペーストは、溶媒に樹脂組成物と導電性粒子を溶解又は分散させて調整したものを用いる。
２．導電性ペーストの印刷・乾燥・固化工程
配線は、例えば、スクリーン印刷法を用いて、所定のマスクを用い、導電性ペーストを配線板あるいは支持基板上に印刷して形成する。
Formation of wiring Step of adjusting conductive paste The conductive paste is prepared by dissolving or dispersing the resin composition and conductive particles in a solvent.
2. The conductive paste printing / drying / solidifying process wiring is formed by printing the conductive paste on a wiring board or a support substrate using a predetermined mask by using, for example, a screen printing method.
一括積層熱プレス
複数の配線板部材と最上層配線部材を位置合わせして積層した後、加熱下でプレスし、多層配線板を形成する。加熱条件は、多層配線板を構成する熱硬化性樹脂が耐熱温度以下で、かつ、完全硬化するように設定するのが好ましい。加熱プレスの条件は適宜設定することができる。例えば、温度１７０〜２１０℃、実圧力５〜１５kgf/cm2とすることができる。未硬化フィルムの最低溶融粘度を比較的高くすることができるため、加熱プレスにおいて樹脂流れがなく、硬化前後の厚みをほぼ一定にすることができ、かつ硬化後の厚みの均一性を良好にすることができる。
Batch Laminate Heat Press A plurality of wiring board members and the uppermost layer wiring member are aligned and laminated, and then pressed under heating to form a multilayer wiring board. The heating conditions are preferably set so that the thermosetting resin constituting the multilayer wiring board is not higher than the heat resistant temperature and is completely cured. The conditions for the heating press can be set as appropriate. For example, the temperature may be 170 to 210 ° C. and the actual pressure may be 5 to 15 kgf / cm 2 . Since the minimum melt viscosity of the uncured film can be made relatively high, there is no resin flow in the hot press, the thickness before and after curing can be made almost constant, and the uniformity of thickness after curing is improved. be able to.
材料
導電性バンプ材料
導電性ペーストを構成する樹脂組成物としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂などの熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。熱硬化性樹脂は流動性があり成型が容易で、後工程で加熱して硬化させ機械的強度を持たせることができる。
樹脂組成物を溶解又は分散する溶媒としては、例えば、有機溶媒を用いる。有機溶媒としては、芳香族系溶媒、例えば、トルエン、キシレン、ケトン系溶媒が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンが挙げられる。
樹脂配合液中に分散する導電性粒子としては、Ag, Cu, Au, Niのいずれか、又は、それらの少なくとも２種以上が混合されたもの、或いは、それらの化合物を用いるのが好ましい。
Material Conductive bump material
As the resin composition constituting the conductive paste, for example, a thermosetting resin such as a phenol resin, an epoxy resin, or a melamine resin is preferably used. The thermosetting resin is fluid and easy to mold, and can be heated and cured in a later process to give mechanical strength.
As a solvent for dissolving or dispersing the resin composition, for example, an organic solvent is used. Examples of the organic solvent include aromatic solvents such as toluene, xylene, and ketone solvents. Examples of the ketone solvent include methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone.
As the conductive particles dispersed in the resin compounding liquid, it is preferable to use any of Ag, Cu, Au, Ni, a mixture of at least two of them, or a compound thereof.
絶縁性被膜材料
近年の高度情報化社会では、情報の高速・大容量伝送に向けて、電子機器の動作周波数の高速化が年々進んでいる。電子機器に搭載される多層配線板においても、配線板を構成する絶縁性被膜の材料として比誘電率や誘電損失の低い材料の使用が求められている。
さらに、電子機器の小型化、薄型化に伴い、配線板の薄型化が求められている。そのため絶縁性被膜の材料は、高い再現性で薄い絶縁性被膜の形成が可能な材料であることが好ましい。また、製造コスト低減のため、厚膜プロセスを用いる場合でも薄膜化が可能な材料の使用が好ましい。
本発明の多層配線板の製造における絶縁性部材の材料としては、比誘電率及び誘電正接の
低い熱硬化性樹脂を用いるのが好ましく、例えば、エポキシ樹脂、又は、OPE樹脂を用いるのが好ましい。
熱硬化性樹脂の硬化後の比誘電率は、５GHｚにおいて２．０〜３．０の範囲であり、誘電正接が５GHｚにおいて０．００１〜０．００５の範囲のいずれかを満たす材料を用いるのが好ましい。
（エポキシ樹脂）
また、上記熱硬化性樹脂組成物としては、国際公開第２００５／１００４３５号に記載されたエポキシ樹脂組成物も好適に使用できる。具体的には、１つ以上のヒドロキシ基と２つ以上のエポキシ基とを有する重量平均分子量１，５００〜７０，０００の直鎖状エポキシ樹脂（A）と、フェノール性ヒドロキシ基の少なくとも一部を脂肪酸でエステル化した変性フェノールノボラック（B）とを含有するエポキシ樹脂組成物であって、上記変性フェノールノボラック（B）の含有量が、上記直鎖状エポキシ樹脂（A）１００重量部に対して３０〜２００重量部であるエポキシ樹脂組成物が、誘電特性（例えば、低誘電率、低誘電正接）に優れる点から好適に挙げられる。
直鎖状エポキシ樹脂（A）の重量平均分子量は、１，５００〜７０，０００のである。
直鎖状エポキシ樹脂（A）の数平均分子量は、好ましくは３，７００〜７４，０００、より好ましくは５，５００〜２６，０００である。
直鎖状エポキシ樹脂（A）のエポキシ当量は、５０００ｇ／ｅｑ以上が好ましい。
なお、本明細書において、重量平均分子量および数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰC）により、標準ポリスチレンによる検量線を用いた値とする。
直鎖状エポキシ樹脂（A）としては、重量平均分子量／数平均分子量が２〜３の範囲のものが特に好ましい。
直鎖状エポキシ樹脂（A）としては、具体的には、例えば、下記式（１）で示される化合物が好ましく、下記式（２）で示される化合物がより好ましい。
上記式（１）〜（２）中、Ｒ1およびＲ4は、それぞれ、炭素数１〜１０の炭化水素基またはハロゲン原子である。Ｒ1およびＲ4が複数ある場合は、それぞれ、同一であっても、異なっていてもよい。
ｐおよびｓは、それぞれ、０〜４の整数であり、同一であっても、異なっていてもよい。
上記式（１）中、ｎは、平均値を表し、２５〜５００である。
上記式（２）中、ｔは、平均値を表し、１０〜２５０である。
直鎖状エポキシ樹脂（A）は、上記式（１）において、ｐが０である、式（１′）で示される化合物であるのがより好ましい。
上述した直鎖状エポキシ樹脂（A）は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
上記フェノール性ヒドロキシ基の少なくとも一部を脂肪酸エステル化した変性フェノールノボラック（B）としては、例えば、下記式（３）で表される変性フェノールノボラックが好適に挙げられる。
Ｒ6は、炭素数１〜５のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、複数のＲ6は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ7は、炭素数１〜５のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、複数のＲ7は、同一であっても異なっていてもよい。
ｇは、０〜３の整数を表し、複数のｇは、同一であっても異なっていてもよい。
ｈは、０〜３の整数を表し、複数のｈは、同一であっても異なっていてもよい。
ｎ：ｍは、１：１〜１．２：１であり、約１：１であることが好ましい。
ｎとｍの合計としては、例えば２〜４とすることができる。
上記式（３）におけるｎ、ｍは、繰り返し単位の平均値であり、繰り返し単位の順序は限定されず、ブロックでもランダムでもよい。
変性フェノールノボラック（B）としては、好ましくは、下記式（３′）で表される変性フェノールノボラックが挙げられる。
特に好ましくは、上記式（３′）においてＲ5がメチル基のアセチル化フェノールノボラックである。
これらの変性フェノールノボラックは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
上記（B）成分の含有量は、上記（A）成分１００重量部に対して３０〜２００重量部であるのが好ましい。（B）成分の含有量がこの範囲であると、誘電特性、フィルム形成性、硬化反応性に優れる。上記（B）成分の含有量は、上記（A）成分１００重量部に対して、５０〜１８０重量部であるのがより好ましい。
上記エポキシ樹脂組成物は、更に、（C）イソシアネート化合物を含有するのが好ましい態様の１つである。エポキシ樹脂中にヒドロキシ基がある場合は、そのヒドロキシ基や、エポキシ樹脂が開環した際に生成するヒドロキシ基と、イソシアネート化合物中のイソシアネート基が反応して、ウレタン結合を形成し、硬化後のポリマーの架橋密度を上げ、分子の運動性を更に低下させるとともに、極性の大きいヒドロキシ基が減少するため、一層の比誘電率の低下、誘電正接の低下が可能になる。更に、エポキシ樹脂は分子間力が大きく、フィルム化する場合に均一な成膜が困難であり、かつフィルム化してもフィルム強度が弱く、フィルム形成時にクラックが入り易い傾向があるが、イソシアネート化合物を配合することによりこれらの欠点を除くことができる。
上記イソシアネート化合物としては、２個以上のイソシアネート基を有する化合物が挙げられる。例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、テトラメチルキシリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、ダイマー酸ジイソシアネート、水素化キシリレンジイソシアネート、リシンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、トリ（イソシアネートフェニル）トリホスファート等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
これらの中でも、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネートが好ましい。
また、上記イソシアネート化合物には、イソシアネート化合物の一部が環化反応により、イソシアヌレート環を形成したプレポリマーを含むものとする。例えば、イソシアネート化合物の３量体を含むプレポリマーが挙げられる。
上記イソシアネート化合物は、特に、上述した直鎖状エポキシ樹脂（A）との組み合わせで使用することが好ましい。エポキシ樹脂の開環反応に伴う生成したヒドロキシ基とイソシアネート基との反応に加えて、直鎖状エポキシ樹脂（A）中にはヒドロキシ基が存在するため、このヒドロキシ基とイソシアネート基とが反応できるため、より大きな効果が得られる。
上記（C）成分の含有量は、上記（A）成分１００重量部に対して１００〜４００重量部であるのが好ましく、３００〜３５０重量部であるのがより好ましい。（C）成分の含有量がこの範囲であると、硬化する際に発泡が抑えられ均一なフィルムになりやすく、また、硬化後にクラックが生じにくく、誘電特性（例えば、低誘電率、低誘電正接）にも優れる。
上記エポキシ樹脂組成物は、更に、（D）ジビニルベンゼンを含有するのが好ましい態様の１つである。ジビニルベンゼンを含有すると、架橋成分の溶融温度の低温化、成型時の流動性の向上、硬化温度の低温化、相溶性の向上に優れる。
上記（D）成分の含有量は、上記（A）成分１００重量部に対して、４０〜１８０重量部であるのが好ましい。
上記エポキシ樹脂組成物は、任意の成分として硬化促進剤を含有してもよい。
硬化促進剤としては、エポキシ樹脂組成物の硬化促進剤として公知のものを使用することができ、例えば、２−メチルイミダゾ−ル、２−エチル−４−メチルイミダゾール等の複素環化合物イミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等のリン化合物類、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、ベンジルジメチルアミン等の第三級アミン類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセンやその塩等のBＢＵ類、アミン類、イミダゾ−ル類をエポキシ、尿素、酸等でアダクトさせたアダクト型促進剤類等が挙げられる。
硬化促進剤の含有量は、上記（A）成分１００重量部に対して、１〜１０重量部であるのが好ましい。
上記エポキシ樹脂組成物は、任意の成分として重合開始剤を含有してもよい。
重合開始剤としては、公知の重合開始剤を使用することができ、例えば、過酸化ベンゾイル、アゾビスイソブチロニトリル、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルペルオキシ−２−エチルヘキサノアート等が挙げられる。
重合開始剤の含有量は、上記（A）成分１００重量部に対して、１〜１０重量部であるのが好ましい。
上記エポキシ樹脂組成物は、必要に応じて、粘着性付与剤、難燃化剤、消泡剤、流動調整剤、分散助剤等の添加剤を含有してもよい。
また、上記エポキシ樹脂組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で、弾性率の向上、膨張係数の低下、ガラス転移温度（Ｔｇ値）の変更等を目的として、必要に応じて、（A）成分以外のエポキシ樹脂を含有してもよい。
（A）成分以外のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ビフェニルエポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
また、上記エポキシ樹脂組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で、脂肪酸エステル化されていないフェノールノボラック、クレゾールノボラック樹脂、フェノール多核体等の公知のエポキシ樹脂硬化剤を含有してもよい。
フェノール多核体としては、例えば、３〜５核体程度等のフェノール類が挙げられる。
上記エポキシ樹脂組成物は、公知の方法により製造することができる。例えば、溶媒の存在下または非存在下に（A）、（B）の各々をプロペラ撹拌機、バンバリー式ミキサー、遊星式ミキサー、加熱真空混合ニーダー等により混合できる。
また、例えば、樹脂成分は所定の溶剤濃度に溶解し、それらを２５〜６０℃に加温された反応釜に所定量投入し、常圧混合を３０分〜６時間行うことができる。その後、真空下（最大１Ｔｏｒｒ）で更に５分〜６０分混合撹拌することができる。
（OPE樹脂）
さらに、上記熱硬化性樹脂組成物としては、オリゴフェニレンエーテル系樹脂配合物も好適に使用できる。具体的には、（Ａ）成分は、熱硬化性の数平均分子量１０００以上３０００以下の両末端に官能基をもったオリゴフェニレンエーテルであり、並びに（Ｂ）成分は、ビニル芳香族炭化水素を主体とするハードセグメントブロック部と、共役ジエンを主体とするソフトセグメントブロック部とから構成されたブロック共重合体であり、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液にて硬化反応をさせない条件で溶剤を揮発させて得られたオリゴフェニレンエーテル系樹脂配合物が挙げられる。
ここで、前記絶縁性樹脂配合液にて（Ａ）成分１００部に対して、（Ｂ）成分が６７部以上１５０部以下である。更に、前記絶縁性未硬化被膜の（Ｂ）成分は、ゴム及び／又はスチレン−ブタジェン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−エチレン／ブタジェン−スチレン共重合体から選ばれた１以上の熱可塑性エラストマーである。
上記熱硬化性樹脂組成物に用いられる熱硬化性樹脂としては、例えば、両末端にスチレン官能基、ビニル基、グリシジル基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基等の官能基を有する熱硬化性オリゴフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、両末端にスチレン官能基を有する熱硬化性オリゴフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂が、誘電特性（例えば、低誘電率、低誘電正接）、低吸水性、塗膜形成性等に優れる点から好ましい。
上記熱硬化性樹脂組成物としては、特に、本願出願人が先に出願した特願２００６−２１５４６４号明細書に記載されたオリゴフェニレンエーテル系樹脂組成物が好ましい。具体的には、例えば、数平均分子量５００〜５０００の両末端にスチレン官能基を有する熱硬化性オリゴフェニレンエーテル（Ａ）１００重量部と、ビニル芳香族炭化水素モノマーに由来する繰返し単位と共役ジエンモノマーに由来する繰返し単位とを含むブロック共重合体（Ｂ）５０〜２５０重量部とを含有する熱硬化性樹脂組成物が、誘電特性（例えば、低誘電率、低誘電正接）、低弾性、塗膜形成性に優れる点から好適に挙げられる。
上記熱硬化性オリゴフェニレンエーテル（Ａ）としては、例えば、特開２００６−２８１１１号公報に記載されている２，２′，３，３′，５，５′−ヘキサメチルビフェニル‐４，４′−ジオール−２，６−ジメチルフェノール重縮合物とクロロメチルスチレンとの反応生成物が挙げられる。
このような熱硬化性オリゴフェニレンエーテル（Ａ）は、公知の方法により製造することができる。また、市販品を用いることもできる。例えば、ＯＰＥ−２ｓｔ ２２００（三菱ガス化学社製）を好適に使用することができる。
熱硬化性オリゴフェニレンエーテル（Ａ）の数平均分子量が５，０００を超えると、揮発性溶剤に溶解し難くなる。一方、数平均分子量が５００未満であると、架橋密度が高くなりすぎるため、硬化物の弾性率や可撓性に悪影響がでる。そのため、熱硬化性オリゴフェニレンエーテル（Ａ）の数平均分子量は、５００〜５，０００であり、１、０００〜３、０００であるのが好ましい。
上記ブロック共重合体（Ｂ）は、ビニル芳香族炭化水素を主体とするハードセグメントブロック部と、共役ジエンを主体とするソフトセグメントブロック部とから構成されるブロック共重合体である。
上記ブロック共重合体（Ｂ）としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−エチレン／ブタジエン−スチレンブロック共重合体等が挙げられる。
ブロック共重合体（Ｂ）は、公知の方法により製造することができる。また、市販品を用いることもできる。例えば、ＴＲ２００３（ＪＳＲ社製）を好適に使用することができる。
上記熱硬化性樹脂組成物におけるブロック共重合体（Ｂ）の含有量は、熱硬化性オリゴフェニレンエーテル（Ａ）１００重量部に対して、５０〜２５０重量部であり、６５〜２００重量部であるのが好ましく、８０〜１５０であるのがより好ましい。ブロック共重合体（Ｂ）の含有量がこの範囲であると、フィルム形成能、熱硬化性オリゴフェニレンエーテル（Ａ）との相溶性に優れる。
上記オリゴフェニレンエーテル樹脂組成物に用いられる揮発性溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
揮発性溶剤の含有量は、組成物の粘度が上記の範囲になるように適宜調整すればよく特に限定されないが、樹脂成分が１５〜４５重量％となるように使用するのが好ましく、１５〜３５重量％となるように使用するのがより好ましい。組成物中の樹脂成分の割合がこの範囲であると、繊維質基材に含浸しやすくなり、気泡を少なくすることができる。このような低濃度では、従来の縦型含浸装置では、所望の樹脂付着量を得るためには大量のワニス付着量にしなければならず、そうすると垂直方向に進行する際に含浸した樹脂が垂れて不均一な縦縞になって樹脂斑のひどいものになる上に、塗布膜内部に溶剤が残って表面だけが乾燥するといった現象が起きて均一な未硬化状態にはならない。
上記オリゴフェニレンエーテル樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、無機フィラー、粘着性付与剤、難燃化剤、消泡剤、流動調整剤、成膜補助剤、分散助剤等の添加剤を含有していてもよい。
また、上記オリゴフェニレンエーテル樹脂組成物は、硬化触媒を含有していてもよいが、加熱のみによって硬化することができる。
上記オリゴフェニレンエーテル樹脂組成物の製造方法は特に限定されず、公知の製造方法を採用できる。例えば、上述した各成分を撹拌機により十分混合して製造することができる。
（ADFLEMA
OPE）
絶縁性樹脂として、例えば、ADFLEMA OPE系（ナミックス株式会社製商品名）を用いるのが好ましい。ADFLEMA
OPE系は、OPE樹脂の1種であるオリゴフェニレンエーテルとスチレンブタジエン系のエラストマーからなる樹脂である。ADFLEMA OPE系製品は未硬化状態のフィルムであるが、それが熱硬化した場合の比誘電率ε=2.0〜3.0、誘電正接tanδ=0.001〜0.005といずれも小さく、高周波特性に優れている。また、膜厚が２〜９０μm程度の薄膜の形成が可能である。さらに、揮発性の溶媒を例えば７０％程度含んでいるので、コーティングして加熱又は乾燥することにより膜厚を例えば７０％減少させることができ、膜厚減少によるバンプの頭出し工程を含む本発明の多層配線板の製造に好適である。
（絶縁性樹脂に含まれる繊維基材）
本発明の多層配線板用の部材に用いる絶縁性樹脂は、繊維基材を含まないことが好ましい。絶縁性樹脂配合液の状態で繊維基材を含まないので、配合液の粘度を低減可能であり、導電性バンプ周囲や基板表面に対する被覆性が高く、かつ膜減り工程において、導電性バンプの頭部における配合液の残渣を少なくできる。それに対し、絶縁性樹脂配合液にガラス繊維チョップなどの繊維基材を配合すると、均一な分散スラリーにすることが極めて困難である上に、仮にそれができたとしても、塗布の際にバンプ頂上部への繊維チョップのブリッジが避けられず、加えて、誘電特性の劣るガラス繊維基材の導入は本発明により得られる効果とは相容れないことである。
Insulating coating material
In the advanced information society in recent years, the operating frequency of electronic devices has been increasing year by year for high-speed and large-capacity transmission of information. Also in multilayer wiring boards mounted on electronic devices, it is required to use materials having a low relative dielectric constant and dielectric loss as the material of the insulating film constituting the wiring boards.
Furthermore, with the miniaturization and thinning of electronic devices, thinning of wiring boards is required. Therefore, it is preferable that the material of the insulating coating is a material capable of forming a thin insulating coating with high reproducibility. In order to reduce manufacturing costs, it is preferable to use a material that can be thinned even when a thick film process is used.
As a material for the insulating member in the production of the multilayer wiring board of the present invention, it is preferable to use a thermosetting resin having a low relative dielectric constant and a low dielectric loss tangent.
The dielectric constant after curing of the thermosetting resin is in the range of 2.0 to 3.0 at 5 GHz, and a material satisfying any one of the range of 0.001 to 0.005 in dielectric loss tangent at 5 GHz is used. Is preferred.
(Epoxy resin)
Moreover, as the said thermosetting resin composition, the epoxy resin composition described in the international publication 2005/100435 can also be used conveniently. Specifically, the linear epoxy resin (A) having a weight average molecular weight of 1,500 to 70,000 having one or more hydroxy groups and two or more epoxy groups, and at least a part of the phenolic hydroxy groups An epoxy resin composition containing a modified phenol novolak (B) esterified with a fatty acid, wherein the content of the modified phenol novolak (B) is 100 parts by weight of the linear epoxy resin (A). 30 to 200 parts by weight of the epoxy resin composition is preferable because it has excellent dielectric properties (for example, low dielectric constant and low dielectric loss tangent).
The weight average molecular weight of the linear epoxy resin (A) is 1,500 to 70,000.
The number average molecular weight of the linear epoxy resin (A) is preferably 3,700 to 74,000, more preferably 5,500 to 26,000.
The epoxy equivalent of the linear epoxy resin (A) is preferably 5000 g / eq or more.
In this specification, the weight average molecular weight and the number average molecular weight are values using a standard polystyrene calibration curve by gel permeation chromatography (GPC).
As the linear epoxy resin (A), those having a weight average molecular weight / number average molecular weight in the range of 2 to 3 are particularly preferable.
As the linear epoxy resin (A), specifically, for example, a compound represented by the following formula (1) is preferable, and a compound represented by the following formula (2) is more preferable.
In the above formula (1) ~ (2),
p and s are each an integer of 0 to 4, and may be the same or different.
In said formula (1), n represents an average value and is 25-500.
In said formula (2), t represents an average value and is 10-250.
The linear epoxy resin (A) is more preferably a compound represented by the formula (1 ′) in which p is 0 in the above formula (1).
The linear epoxy resin (A) described above may be used alone or in combination of two or more.
As the modified phenol novolak (B) obtained by fatty acid esterification of at least a part of the phenolic hydroxy group, for example, a modified phenol novolak represented by the following formula (3) is preferably exemplified.
R 6 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group which may have a substituent, an aralkyl group which may have a substituent, an alkoxy group or a halogen atom, and a plurality of R 6 are , May be the same or different.
R 7 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group which may have a substituent, an aralkyl group which may have a substituent, an alkoxy group or a halogen atom, and a plurality of R 7 s , May be the same or different.
g represents an integer of 0 to 3, and a plurality of g may be the same or different.
h represents an integer of 0 to 3, and a plurality of h may be the same or different.
n: m is 1: 1 to 1.2: 1, preferably about 1: 1.
The total of n and m can be 2 to 4, for example.
In the above formula (3), n and m are average values of repeating units, and the order of repeating units is not limited, and may be block or random.
The modified phenol novolak (B) is preferably a modified phenol novolak represented by the following formula (3 ′).
Particularly preferably, in the above formula (3 ′), R 5 is an acetylated phenol novolak having a methyl group.
These modified phenol novolacs may be used alone or in combination of two or more.
The content of the component (B) is preferably 30 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (A). When the content of component (B) is within this range, the dielectric properties, film formability, and curing reactivity are excellent. The content of the component (B) is more preferably 50 to 180 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (A).
It is one of the preferred embodiments that the epoxy resin composition further contains (C) an isocyanate compound. When there is a hydroxy group in the epoxy resin, the hydroxy group or the hydroxy group generated when the epoxy resin is ring-opened reacts with the isocyanate group in the isocyanate compound to form a urethane bond. The crosslink density of the polymer is increased, the molecular mobility is further lowered, and the number of highly polar hydroxy groups is reduced. Therefore, it is possible to further lower the relative dielectric constant and dielectric loss tangent. Furthermore, the epoxy resin has a large intermolecular force, it is difficult to form a uniform film when it is made into a film, and even if it is made into a film, the film strength is weak and tends to crack during film formation. These disadvantages can be eliminated by blending.
Examples of the isocyanate compound include compounds having two or more isocyanate groups. For example, hexamethylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane diisocyanate, tetramethylxylylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, naphthalene diisocyanate, trimethylhexamethylene diisocyanate, tolidine diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, cyclohexene Examples include xylene diisocyanate, dimer acid diisocyanate, hydrogenated xylylene diisocyanate, lysine diisocyanate, triphenylmethane triisocyanate, and tri (isocyanatephenyl) triphosphate. These may be used alone or in combination of two or more.
Among these, hexamethylene diisocyanate and diphenylmethane diisocyanate are preferable.
The isocyanate compound includes a prepolymer in which a part of the isocyanate compound forms an isocyanurate ring by a cyclization reaction. For example, the prepolymer containing the trimer of an isocyanate compound is mentioned.
The isocyanate compound is particularly preferably used in combination with the linear epoxy resin (A) described above. In addition to the reaction between the generated hydroxy group and the isocyanate group accompanying the ring-opening reaction of the epoxy resin, since the hydroxy group exists in the linear epoxy resin (A), the hydroxy group and the isocyanate group can react. Therefore, a greater effect can be obtained.
The content of the component (C) is preferably 100 to 400 parts by weight, and more preferably 300 to 350 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (A). When the content of component (C) is within this range, foaming is suppressed during curing and a uniform film is easily formed, and cracks are less likely to occur after curing, and dielectric properties (for example, low dielectric constant, low dielectric loss tangent) ) Is also excellent.
In one preferred embodiment, the epoxy resin composition further contains (D) divinylbenzene. When divinylbenzene is contained, the melting temperature of the crosslinking component is lowered, the fluidity during molding is improved, the curing temperature is lowered, and the compatibility is improved.
The content of the component (D) is preferably 40 to 180 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (A).
The epoxy resin composition may contain a curing accelerator as an optional component.
As a hardening accelerator, what is known as a hardening accelerator of an epoxy resin composition can be used, for example, heterocyclic compound imidazoles, such as 2-methylimidazole and 2-ethyl-4-methylimidazole, Phosphorus compounds such as triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tertiary amines such as 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol and benzyldimethylamine, 1,8-diazabicyclo (5,4 , 0) Adduct accelerators obtained by adducting BBUs such as undecene and salts thereof, amines and imidazoles with epoxy, urea, acid and the like.
It is preferable that content of a hardening accelerator is 1-10 weight part with respect to 100 weight part of said (A) component.
The epoxy resin composition may contain a polymerization initiator as an optional component.
As the polymerization initiator, a known polymerization initiator can be used. For example, benzoyl peroxide, azobisisobutyronitrile, t-butylperoxybenzoate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy -2-ethylhexanoate and the like.
It is preferable that content of a polymerization initiator is 1-10 weight part with respect to 100 weight part of said (A) component.
The said epoxy resin composition may contain additives, such as a tackifier, a flame retardant, an antifoamer, a flow regulator, a dispersion | distribution adjuvant, as needed.
In addition, the epoxy resin composition is used within the range that does not impair the object of the present invention, for the purpose of improving the elastic modulus, lowering the expansion coefficient, changing the glass transition temperature (Tg value), etc. ) An epoxy resin other than the component may be contained.
Examples of the epoxy resin other than the component (A) include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, and biphenyl epoxy resin. These may be used alone or in combination of two or more.
Moreover, the said epoxy resin composition may contain well-known epoxy resin hardening | curing agents, such as a phenol novolak, a cresol novolak resin, a phenol polynuclear body, etc. which are not fatty acid esterified, in the range which does not impair the objective of this invention.
As a phenol polynuclear body, phenols, such as a 3-5 nuclei grade, are mentioned, for example.
The said epoxy resin composition can be manufactured by a well-known method. For example, each of (A) and (B) can be mixed with a propeller stirrer, Banbury mixer, planetary mixer, heating vacuum mixing kneader or the like in the presence or absence of a solvent.
Further, for example, the resin components can be dissolved in a predetermined solvent concentration, and a predetermined amount thereof can be put into a reaction kettle heated to 25 to 60 ° C., and normal pressure mixing can be performed for 30 minutes to 6 hours. Thereafter, the mixture can be further stirred for 5 to 60 minutes under vacuum (maximum 1 Torr).
(OPE resin)
Furthermore, as the thermosetting resin composition, an oligophenylene ether-based resin composition can also be suitably used. Specifically, the component (A) is a thermosetting number-average molecular weight of 1,000 to 3,000 oligophenylene ether having functional groups at both ends, and the component (B) is a vinyl aromatic hydrocarbon. A block copolymer composed of a hard segment block part mainly composed of a conjugated diene and a soft segment block part mainly composed of a conjugated diene, and under a condition that does not cause a curing reaction in an insulating resin composition liquid containing a solvent. Examples thereof include an oligophenylene ether resin compound obtained by volatilizing a solvent.
Here, the component (B) is 67 parts or more and 150 parts or less with respect to 100 parts of the component (A) in the insulating resin mixture. Furthermore, the component (B) of the insulating uncured coating is made of rubber and / or styrene-butadiene-styrene block copolymer, styrene-isoprene-styrene block copolymer, styrene-ethylene / butadiene-styrene copolymer. One or more selected thermoplastic elastomers.
Examples of the thermosetting resin used in the thermosetting resin composition include a thermosetting oligo having functional groups such as a styrene functional group, a vinyl group, a glycidyl group, an amino group, a hydroxy group, and a carboxy group at both ends. Examples include phenylene ether resins and epoxy resins. Among these, thermosetting oligophenylene ether resins and epoxy resins having styrene functional groups at both ends are excellent in dielectric properties (eg, low dielectric constant, low dielectric loss tangent), low water absorption, and film-forming properties. To preferred.
As the thermosetting resin composition, an oligophenylene ether-based resin composition described in Japanese Patent Application No. 2006-215464 previously filed by the applicant of the present application is particularly preferable. Specifically, for example, 100 parts by weight of thermosetting oligophenylene ether (A) having a styrene functional group at both ends with a number average molecular weight of 500 to 5000, a repeating unit derived from a vinyl aromatic hydrocarbon monomer, and a conjugated diene A thermosetting resin composition containing 50 to 250 parts by weight of a block copolymer (B) containing a repeating unit derived from a monomer has dielectric properties (eg, low dielectric constant, low dielectric loss tangent), low elasticity, Preferable examples are from the viewpoint of excellent coating film formability.
Examples of the thermosetting oligophenylene ether (A) include 2,2 ′, 3,3 ′, 5,5′-hexamethylbiphenyl-4,4 ′ described in JP-A-2006-28111. -Reaction product of diol-2,6-dimethylphenol polycondensate and chloromethylstyrene.
Such a thermosetting oligophenylene ether (A) can be produced by a known method. Commercial products can also be used. For example, OPE-2st 2200 (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company) can be suitably used.
When the number average molecular weight of the thermosetting oligophenylene ether (A) exceeds 5,000, it is difficult to dissolve in a volatile solvent. On the other hand, if the number average molecular weight is less than 500, the crosslink density becomes too high, which adversely affects the elastic modulus and flexibility of the cured product. Therefore, the number average molecular weight of the thermosetting oligophenylene ether (A) is 500 to 5,000, and preferably 1,000 to 3,000.
The block copolymer (B) is a block copolymer composed of a hard segment block part mainly composed of vinyl aromatic hydrocarbon and a soft segment block part mainly composed of conjugated diene.
Examples of the block copolymer (B) include a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, and a styrene-ethylene / butadiene-styrene block copolymer.
The block copolymer (B) can be produced by a known method. Commercial products can also be used. For example, TR2003 (manufactured by JSR) can be suitably used.
Content of the block copolymer (B) in the said thermosetting resin composition is 50-250 weight part with respect to 100 weight part of thermosetting oligophenylene ether (A), and is 65-200 weight part. It is preferable that it is, and it is more preferable that it is 80-150. When the content of the block copolymer (B) is within this range, the film forming ability and the compatibility with the thermosetting oligophenylene ether (A) are excellent.
Examples of the volatile solvent used in the oligophenylene ether resin composition include aromatic solvents such as toluene and xylene; ketone solvents such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, and these are used alone. Or two or more of them may be used in combination.
The content of the volatile solvent is not particularly limited as long as the viscosity of the composition is appropriately adjusted so as to be in the above range, but is preferably used so that the resin component is 15 to 45% by weight. It is more preferable to use it so that it may become 35 weight%. When the ratio of the resin component in the composition is within this range, the fibrous base material can be easily impregnated, and bubbles can be reduced. At such a low concentration, in a conventional vertical impregnation apparatus, in order to obtain a desired resin adhesion amount, a large amount of varnish adhesion amount must be obtained, and the impregnated resin droops when proceeding in the vertical direction. In addition to non-uniform vertical stripes and terrible resin spots, there is a phenomenon that the solvent remains in the coating film and only the surface is dried, and a uniform uncured state is not obtained.
The above-mentioned oligophenylene ether resin composition is a range that does not impair the effects of the present invention, such as an inorganic filler, a tackifier, a flame retardant, a defoaming agent, a flow regulator, a film forming aid, a dispersion aid, etc. An additive may be contained.
The oligophenylene ether resin composition may contain a curing catalyst, but can be cured only by heating.
The manufacturing method of the said oligophenylene ether resin composition is not specifically limited, A well-known manufacturing method is employable. For example, the components described above can be produced by sufficiently mixing with a stirrer.
(ADFLEMA
OPE)
As the insulating resin, it is preferable to use, for example, ADFLEMA OPE (trade name, manufactured by NAMICS CORPORATION). ADFLEMA
The OPE system is a resin composed of oligophenylene ether, which is a kind of OPE resin, and a styrene butadiene elastomer. The ADFLEMA OPE product is an uncured film, but when it is thermally cured, the relative dielectric constant ε = 2.0 to 3.0 and the dielectric loss tangent tan δ = 0.001 to 0.005 are all small and excellent in high frequency characteristics. Moreover, it is possible to form a thin film having a thickness of about 2 to 90 μm. Furthermore, since the volatile solvent is contained, for example, about 70%, the film thickness can be reduced by, for example, 70% by coating and heating or drying, and the present invention includes a bump cueing process by reducing the film thickness. It is suitable for manufacturing a multilayer wiring board.
(Fiber base material contained in insulating resin)
The insulating resin used for the member for a multilayer wiring board of the present invention preferably does not contain a fiber substrate. Since the fiber base material is not included in the state of the insulating resin compounding solution, the viscosity of the compounding solution can be reduced, the covering property around the conductive bumps and the substrate surface is high, and the head of the conductive bumps is used in the film reduction process. The amount of the mixed liquid residue in the part can be reduced. On the other hand, if a fiber base material such as glass fiber chop is blended with the insulating resin compounding liquid, it is extremely difficult to make a uniform dispersed slurry. In addition, the introduction of a glass fiber base material having inferior dielectric properties is incompatible with the effect obtained by the present invention.
配線材料
導電ペーストを構成する樹脂組成物としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂などの熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。熱硬化性樹脂は流動性があり成型が容易で、後工程で加熱して硬化させ機械的強度を持たせることができる。
樹脂組成物を溶解又は分散する溶媒としては、例えば、有機溶媒を用いる。有機溶媒としては、芳香族系溶媒、例えば、トルエン、キシレン、ケトン系溶媒が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンが挙げられる。
樹脂配合液中に分散する導電性粒子としては、Ag, Cu, Au, Niのいずれか、又は、それらの少なくとも２種以上が混合されたもの、或いは、それらの化合物を用いるのが好ましい。
導電性ペーストは、例えば、樹脂の中に導電性粒子（例えば、Ag, Cu, Au, Niのいずれか或いはそれらの少なくとも２種以上が混合されたもの）を分散させ、さらに揮発性の溶剤を混合させたものを調整する。
（熱硬化型の導電ペースト）
また、配線材料として、熱硬化型の導電ペーストを用いてもよい。１００〜２００℃の低温の熱処理でも、十分低抵抗の配線形成が可能である。熱硬化型の導電ペーストを用いる場合は、配線の厚さは、１〜２０μmの範囲とするのが好ましい。
（銀微粒子を含む導電ペースト）
また、導電性ペーストの材料として、特許文献３に開示された導電ペーストを用いてもよい。特許文献３に開示された材料は、有機溶媒の存在又は非存在下に、カルボン酸の銀塩と脂肪族アミンを混合し、還元剤を添加して反応温度２０〜８０℃で反応させた反応物から回収した銀微粒子を含む導電ペーストである。
導電ペーストに含まれる銀微粒子は、
(a)一次粒子の平均粒子径が４０〜３５０nmであり、
(b)結晶子径が２０〜７０nmであり、かつ
(c)結晶子径に対する平均粒子径の比が１〜５であることが好ましい。
また、導電性ペーストに含まれる銀微粒子は、
(a)一次粒子の平均粒子径が５０〜８０nmであり、
(b)結晶子径が２０〜５０nmであり、かつ
(c)結晶子径に対する平均粒子径の比が１〜４であることがさらに好ましい。
係る導電ペースト材料は200℃以下の低温の熱処理でも十分大きな導電性を示す。有機配線板の耐熱温度以下の低温で硬化可能で、低温硬化にも関わらず比較的導体抵抗の低い（約10×10-5Ω・cm以下）導電性パターンを形成できる。従って、配線の膜厚を薄く、配線幅を細くしても配線遅延の増加の抑制又は低減が可能である。粒子径が小さいので、細線をスクリーン印刷する時でも目詰まりを起こしにくい。他の導電性微粒子を含む導電ペースト、例えば、ナノ粒子を含む導電ペーストと比較して、粒子径が大きいことから膜厚１μm〜10μmの配線を形成するのに好適であり、また、材料コストをより低く抑えることが可能である。特許文献３に開示された導電ペーストを用いる場合は、配線の厚さは、５μm以下とするのが好ましい。
As the resin composition constituting the wiring material conductive paste, for example, a thermosetting resin such as a phenol resin, an epoxy resin, or a melamine resin is preferably used. The thermosetting resin is fluid and easy to mold, and can be heated and cured in a later process to give mechanical strength.
As a solvent for dissolving or dispersing the resin composition, for example, an organic solvent is used. Examples of the organic solvent include aromatic solvents such as toluene, xylene, and ketone solvents. Examples of the ketone solvent include methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone.
As the conductive particles dispersed in the resin compounding liquid, it is preferable to use any of Ag, Cu, Au, Ni, a mixture of at least two of them, or a compound thereof.
For example, the conductive paste is made by dispersing conductive particles (for example, Ag, Cu, Au, Ni, or a mixture of at least two of them) in a resin, and further adding a volatile solvent. Adjust the mixture.
(Thermosetting conductive paste)
Further, a thermosetting conductive paste may be used as the wiring material. Even with heat treatment at a low temperature of 100 to 200 ° C., a sufficiently low resistance wiring can be formed. When a thermosetting conductive paste is used, the thickness of the wiring is preferably in the range of 1 to 20 μm.
(Conductive paste containing fine silver particles)
Moreover, you may use the electrically conductive paste disclosed by
Silver fine particles contained in the conductive paste
(a) The average particle size of the primary particles is 40 to 350 nm,
(b) the crystallite diameter is 20 to 70 nm, and
(c) The ratio of the average particle diameter to the crystallite diameter is preferably 1 to 5.
In addition, the silver fine particles contained in the conductive paste are
(a) The average particle diameter of the primary particles is 50 to 80 nm,
(b) the crystallite diameter is 20-50 nm, and
(c) The ratio of the average particle diameter to the crystallite diameter is more preferably 1 to 4.
Such a conductive paste material exhibits sufficiently large conductivity even at a low temperature heat treatment of 200 ° C. or lower. Curable at heat temperature below the low temperature of the organic wiring board, can be formed relatively low conductor resistance (about 10 × 10- 5 Ω · cm or less) conductive patterns despite the low temperature cure. Therefore, it is possible to suppress or reduce an increase in wiring delay even if the wiring film thickness is thin and the wiring width is narrowed. Since the particle size is small, clogging is unlikely to occur even when screen printing fine lines. Compared with conductive paste containing other conductive fine particles, for example, conductive paste containing nanoparticles, it is suitable for forming wiring with a film thickness of 1 μm to 10 μm because of its large particle diameter, and also reduces the material cost. It is possible to keep it lower. When the conductive paste disclosed in
硬化度
導電性バンプの硬化度
製造工程の途中段階で、多層配線板部材を構成する導電性バンプと絶縁性被膜の硬化状態は、以下の組み合わせから選択可能である。
（１）絶縁性被膜は未硬化状態−導電性バンプ群は未硬化状態
（２）絶縁性被膜は未硬化状態−導電性バンプ群は未硬化と完全硬化との間の所望の硬化硬化状態
（３）絶縁性被膜は未硬化状態−導電性バンプ群は完全硬化状態
（４）絶縁性被膜は未硬化と完全硬化との間の所望の硬化状態−導電性バンプ群は未硬化状態
（５）絶縁性被膜は未硬化と完全硬化との間の所望の硬化状態−導電性バンプ群は未硬化と完全硬化との間の所望の硬化状態
（６）絶縁性被膜は未硬化と完全硬化との間の所望の硬化状態−導電性バンプ群は完全硬化状態
（７）絶縁性被膜は完全硬化状態−導電性バンプ群は未硬化状態
（８）絶縁性被膜は完全硬化状態−導電性バンプ群は未硬化と完全硬化との間の所望の硬化状態
（９）絶縁性被膜は完全硬化状態−導電性バンプ群は完全硬化状態
ここで、「未硬化と完全硬化の間の状態」とは、樹脂が適切な熱処理によりある程度の硬化を進めているが、完全硬化に至らない状態のことである。
従来のB2it技術では、絶縁性被膜は、硬化状態が一般にＢステージと呼ばれる絶縁性フィルムを熱で軟化させてバンプに貫挿させていた。バンプの貫挿によりビアを形成する方法であるため、バンプに所定の値以上のアスペクト比が必要とされるとともに、所定の値以上の硬度が必要であり、導電性バンプは完全硬化状態とせざるを得なかった。
しかし、本発明に係る技術は、バンプの貫挿を行わず、バンプ上に絶縁性被膜を形成し、絶縁性被膜の膜厚を減少させてバンプの頭出しを行う技術である。そのため、導電性バンプの硬度は、貫挿法で必要な程度の硬度は必要でなく、ある程度のバンプの形態を保持できれば十分であり、完全硬化、又は、未硬化と完全硬化の間の状態に任意に設定することができる。また、絶縁性被膜については、本発明では、未硬化とするものであり、厳密に言えば、絶縁性被膜の少なくとも表面は未硬化とするものである。各部材の硬度は、印刷又は塗布後における、乾燥、加熱等の工程において、処理温度又は処理時間をコントロールすることにより任意の硬度に制御することが可能である。部材の材料などにより温度、時間等の最適条件は変化するが具体的材料ごとの最適条件については、予め実験などにより求めておけばよい。
具体的な導電性バンプの硬度の例を以下に示す。
従来の導電性バンプは、プリプレグを貫挿するために、貫挿工程（温度条件は８０℃〜１２０℃）の段階にて完全硬化の状態とする必要があった。導電性パンプの硬度は、３５〜４０が必要であった。
本発明の技術により、導電性バンプを未硬化と完全硬化の間の状態とする場合は、例えば、ガラス転移温度が１１０から１４０℃の間の材料からなる導電性バンプを用い、その硬度を１５〜３０とする。
導電性バンプを未硬化と完全硬化の間の状態とする場合の効果は以下の通りである。
１．導電性バンプと接触する配線パターンとの密着性、導電性が、導電性バンプが完全硬化である場合よりも優れている。導電性バンプが完全硬化状態でないために、積層プレス工程における所定の加熱条件でバンプの塑性変形が起こりやすい。そのため、バンプとバンプに接触する配線部材に対する密着性が向上し、同時に接触面積が大きくなってビア抵抗の低減と電気的接続の信頼性が向上する。同時に、バンプを形成する導電ペースト中のバインダー成分が圧縮され、絶縁性被膜中に押し出される。このため、導電ペースト中に分散した導電粒子とバンプに接触する配線部材との結合が強固になり、導電粒子が緻密化される。その後の収縮でバンプ中の導電粒子が再配列して導電性が一層向上するという効果が得られる。
２．積層プレス工程において、従来よりもはるかに少ないプレス圧力で多層配線板の形成が可能となる。そのため、部材に加わる歪みが小さくなり部材の信頼性が向上する。
３．本発明の製造方法は、絶縁性樹脂配合液の膜減りで導電性パンプを頭出しするので、従来のようなプリプレグを貫挿するような力は導電性バンプには印加されない。また、膜減りの乾燥・固化温度条件を、導電性バンプの硬化状態に影響を与えない範囲に設定すれば、導電性バンプの形状は、印刷直後の形状が、そのまま安定に維持される。
４．導電性バンプを配線パターンと密着する場合、導電性パンプの先端部の塑性変形がなめらかに行われる。
上記の導電性バンプの硬度は、微小硬度計ＭＸＴ５０（松沢製機（株））で、試験温度２３℃、試験荷重２５Kgf、荷重保持時間１５秒で測定した。
Curing degree Curing degree of conductive bumps In the middle of the manufacturing process, the curing state of the conductive bumps and the insulating film constituting the multilayer wiring board member can be selected from the following combinations.
(1) Insulating film is uncured state-conductive bump group is uncured state (2) Insulating film is uncured state-conductive bump group is a desired cured and cured state between uncured and fully cured ( 3) Insulating film is uncured state-conductive bump group is fully cured (4) Insulating film is desired cured state between uncured and fully cured-conductive bump group is uncured state (5) Insulating film is desired cured state between uncured and fully cured-conductive bump group is desired cured state between uncured and fully cured (6) Insulating film is uncured and fully cured The desired cured state between the conductive bumps is completely cured (7) The insulating coating is completely cured-The conductive bumps are uncured (8) The insulating coating is completely cured-The conductive bumps are Desired cure state between uncured and fully cured (9) Insulating coating is fully cured-conductive Pump group here completely cured, the "state between uncured and completely cured", the resin is promoted to some extent cured by suitable heat treatment, it is that the state does not lead to complete cure.
In the conventional B 2 it technology, the insulating film has a hardened state, generally called a B stage, is softened by heat and inserted into the bumps. Since the via is formed by inserting the bumps, the bump requires an aspect ratio of a predetermined value or more and requires a hardness of a predetermined value or more, and the conductive bump is not completely cured. Did not get.
However, the technique according to the present invention is a technique in which the bump is cueed by forming an insulating film on the bump and reducing the film thickness of the insulating film without inserting the bump. Therefore, the hardness of the conductive bumps is not necessary to the degree necessary for the intrusion method, and it is sufficient to maintain a certain form of the bump, and it is sufficient to be in a state of complete curing or between uncured and fully cured. It can be set arbitrarily. In addition, the insulating coating is uncured in the present invention. Strictly speaking, at least the surface of the insulating coating is uncured. The hardness of each member can be controlled to an arbitrary hardness by controlling the processing temperature or the processing time in a process such as drying or heating after printing or coating. The optimum conditions such as temperature and time vary depending on the material of the member, etc., but the optimum conditions for each specific material may be obtained in advance through experiments or the like.
Specific examples of the hardness of the conductive bump are shown below.
Conventional conductive bumps need to be completely cured at the stage of the insertion process (temperature conditions are 80 ° C. to 120 ° C.) in order to insert the prepreg. The hardness of the conductive pump required 35-40.
When the conductive bump is brought into a state between uncured and completely cured by the technique of the present invention, for example, a conductive bump made of a material having a glass transition temperature of 110 to 140 ° C. is used, and its hardness is 15 ~ 30.
The effect when the conductive bump is in a state between uncured and completely cured is as follows.
1. Adhesiveness and conductivity with the wiring pattern in contact with the conductive bump are superior to the case where the conductive bump is completely cured. Since the conductive bump is not completely cured, the plastic deformation of the bump is likely to occur under a predetermined heating condition in the lamination press process. For this reason, the adhesion to the wiring member that contacts the bump is improved, and at the same time, the contact area is increased to reduce the via resistance and improve the reliability of the electrical connection. At the same time, the binder component in the conductive paste forming the bumps is compressed and extruded into the insulating coating. For this reason, the coupling | bonding of the electrically-conductive particle disperse | distributed in the electrically conductive paste and the wiring member which contacts bump is strengthened, and an electrically-conductive particle is densified. Subsequent contraction has the effect that the conductive particles in the bumps are rearranged to further improve the conductivity.
2. In the laminating press process, it is possible to form a multilayer wiring board with a much lower pressing pressure than before. Therefore, distortion applied to the member is reduced, and the reliability of the member is improved.
3. In the manufacturing method of the present invention, since the conductive pump is cued by reducing the film of the insulating resin compounding liquid, a force that penetrates the prepreg as in the related art is not applied to the conductive bump. Further, if the drying / solidification temperature conditions for film reduction are set in a range that does not affect the cured state of the conductive bumps, the shape of the conductive bumps can be maintained stably as it is immediately after printing.
4). When the conductive bump is brought into close contact with the wiring pattern, the plastic deformation of the front end portion of the conductive pump is smoothly performed.
The hardness of the conductive bump was measured with a micro hardness tester MXT50 (Matsuzawa Seiki Co., Ltd.) at a test temperature of 23 ° C., a test load of 25 kgf, and a load holding time of 15 seconds.
絶縁性被膜の硬化度
本発明の多層配線板の製造方法では、途中工程において、導電性バンプ周辺に形成する絶縁性被膜が「未硬化」と言われる硬化前の状態となり、一括積層熱プレス工程において「完全硬化」又は「硬化」と呼ばれる状態になるように加熱条件を制御するのが好ましい。
本発明の多層配線板部材における絶縁性被膜の材料として好適なエポキシ樹脂系、又は、OPE樹脂系については、具体的には、本願明細書の段落００２４に記載された材料のことである。絶縁性被膜がエポキシ樹脂系の場合は、加熱条件が１３０〜１８０℃、かつ10分〜1時間の範囲で、絶縁性被膜は「未硬化」と「完全硬化」の中間の硬化度になる。絶縁性被膜がオリゴフェニレンエーテル樹脂系の場合は、加熱条件が１３０〜２００℃、かつ10分〜1時間の範囲で、絶縁性被膜は「未硬化」と「完全硬化」の中間の硬化度になる。この状態の絶縁性硬化被膜を、本願明細書では「完全硬化に至らない絶縁性硬化被膜」と呼ぶ。その条件より低温又は短時間の加熱の場合は、絶縁性被膜は未硬化状態に、その条件より高温又は長時間の加熱の場合は、絶縁性被膜はより完全硬化に近い状態になる。例えば、オリゴフェニレンエーテル樹脂系の場合は、１６０℃の加熱であっても、加熱時間が５分程度であれば、硬化反応は不十分であり、絶縁性被膜は未硬化に近い状態を維持する。
絶縁性被膜を未硬化被膜とする場合は、絶縁性被膜に接して形成される部材、例えば、導電性パターンのような導電性被膜、或いは、上層又は下層の絶縁性被膜との密着強度が、架橋前で分子量の低い樹脂であるために、熱流動性のある状態での相互接触になるために相手との濡れが良く、したがって接着は強くなる。そのため、配線が剥離しにくくなる、配線板が強固なものになるという効果がある上に、硬化度が低く、下地の実装部品による凹凸を隙間なく埋め込むことが可能であり、配線板表面の平坦化にも高い効果が得られる。
一方、未硬化被膜は、機械的強度に劣るため、例えば、被膜上に印刷により導電性パターンを形成する場合に取り扱いが容易でなくなる場合がある。このような場合には、導電性パターンを形成する側の被膜を適切な条件で加熱し、未硬化と完全硬化の中間の状態に変化させてから、さらに、その上に未硬化被膜を積層するのが好ましい。未硬化被膜と未硬化と完全硬化の中間の状態の被膜を積層することにより、密着性、平坦性を向上させ、同時に、導電性パターン加工工程における作業性の向上を図ることができる。
たとえば、本発明のエポキシ系においては、用途によっては加熱流動性がありすぎるために、前段で加熱硬化を若干進めて流動粘度を上げてから（プリベーキングしてから）加圧積層したほうが好ましい場合がある。
In the manufacturing method of the multilayer wiring board of the present invention, the insulating coating formed around the conductive bumps is in a state before curing, which is referred to as “uncured”, in the intermediate process, and the batch lamination hot pressing process It is preferable to control the heating conditions so as to be in a state called “fully cured” or “cured”.
The epoxy resin system or the OPE resin system suitable as a material for the insulating coating in the multilayer wiring board member of the present invention is specifically the material described in paragraph 0024 of the present specification. When the insulating coating is an epoxy resin type, the insulating coating has an intermediate curing degree between “uncured” and “completely cured” when the heating conditions are 130 to 180 ° C. and 10 minutes to 1 hour. When the insulating coating is an oligophenylene ether resin system, the insulating coating has an intermediate curing degree between “uncured” and “completely cured” when the heating conditions are 130 to 200 ° C. and 10 minutes to 1 hour. Become. The insulating cured film in this state is referred to as “insulating cured film that does not reach complete curing” in the present specification. In the case of heating at a temperature lower or shorter than that condition, the insulating film is in an uncured state, and in the case of heating at a temperature higher or longer than that condition, the insulating film is more nearly completely cured. For example, in the case of an oligophenylene ether resin system, even if the heating is performed at 160 ° C., if the heating time is about 5 minutes, the curing reaction is insufficient, and the insulating coating is maintained in an almost uncured state. .
When the insulating film is an uncured film, the adhesion strength between a member formed in contact with the insulating film, for example, a conductive film such as a conductive pattern, or an upper or lower insulating film, Since the resin has a low molecular weight before cross-linking, it has good wettability with each other because it is in mutual contact in a state of thermal fluidity, and therefore adhesion is strong. Therefore, it has the effect that the wiring is difficult to peel off and the wiring board is strong, and the degree of curing is low, and it is possible to embed irregularities due to the underlying mounting parts without gaps, and the wiring board surface is flat. High effects can be obtained.
On the other hand, since an uncured coating film is inferior in mechanical strength, for example, when a conductive pattern is formed by printing on the coating film, handling may not be easy. In such a case, the film on the side where the conductive pattern is to be formed is heated under appropriate conditions to change it to an intermediate state between uncured and fully cured, and then an uncured film is laminated thereon. Is preferred. By laminating an uncured film and an uncured and completely cured film, adhesion and flatness can be improved, and at the same time, workability in the conductive pattern processing step can be improved.
For example, in the epoxy system of the present invention, since heat fluidity is too high depending on the application, it is preferable to press laminate after increasing the fluid viscosity by slightly advancing heat curing in the previous stage (after pre-baking) There is.
部材の形状、サイズパラメータ
サイズパラメータの定義
図１３(a)乃至(c)及び図１４(a) 乃至(c)は、本発明の多層配線板部材に係るサイズパラメータの定義を説明する図である。図１３(a)乃至(c)は、支持基板上に導電性バンプを形成し、その上に絶縁性被膜を形成する構造に関するもので、図１４(a) 乃至(c)は、支持基板上に配線と導電性バンプを積層形成し、その上に絶縁性被膜を形成する構造に関するものである。
図１３(a) は、導電性バンプ７１上に流動性被膜７２を塗布により形成した後の多層配線板部材の断面図であり、図１３(b)及び(c)は、流動性被膜７２を膜減りし、絶縁性未硬化被膜７３を形成した後の多層配線板部材の断面図である。バンプの頭出しは、典型的には、図１３(b)のようにバンプの頭が完全に露出する。しかし、最悪の場合、図１３(c)のようにバンプの頭の一部に絶縁性被膜が残る。
ここで、t1は、流動性被膜７２の厚さであり、t2は、絶縁性未硬化被膜７３の厚さであり、h1は、導電性バンプ７１の厚さである。また、a1は、導電性バンプの底面径（底面の直径）であり、θ1は、導電性バンプ７１の上断面の中心角である。また、図１３(c)に示す最悪の場合において、Sb1はバンプの底面積であり、Se1はバンプの頭における導電性バンプ７１の露出面積である。バンプの底面積に対する露出面積比は、Se1／Sb1×100(%)で定義する。
図１４(a) は、配線８４及び導電性バンプ８１上に流動性被膜８２を塗布により形成した後の多層配線板部材の断面図であり、図１４(b)及び(c)は、流動性被膜８２を膜減りし、絶縁性未硬化被膜８３を形成した後の多層配線板部材の断面図である。バンプの頭出しは、典型的には、図１４(b)のようにバンプの頭が完全に露出する。しかし、最悪の場合、図１４(c)のようにバンプの頭の一部に絶縁性被膜が残る。
ここで、t3は、流動性被膜８２の厚さであり、t4は、絶縁性未硬化被膜８３の厚さであり、t5は、配線８４の厚さであり、h2は、導電性バンプ８１の厚さである。また、a2は、導電性バンプの底面径（底面の直径）であり、θ2は、導電性バンプ８１の上断面の中心角である。また、図１４(c)に示す最悪の場合において、Sb2はバンプの底面積であり、Se2はバンプの頭における導電性バンプ８１の露出面積である。バンプの底面積に対する露出面積比は、Se2／Sb2×100(%)で定義する。
Shape of member, size parameter Definition of size parameter FIGS. 13A to 13C and FIGS. 14A to 14C are views for explaining the definition of the size parameter according to the multilayer wiring board member of the present invention. . FIGS. 13A to 13C relate to a structure in which conductive bumps are formed on a support substrate and an insulating film is formed thereon. FIGS. 14A to 14C are diagrams on the support substrate. Further, the present invention relates to a structure in which a wiring and a conductive bump are laminated and an insulating film is formed thereon.
FIG. 13 (a) is a cross-sectional view of the multilayer wiring board member after the
Here,
FIG. 14A is a cross-sectional view of the multilayer wiring board member after the
Here, t3 is the thickness of the
導電性バンプの形状
導電性バンプの形状は、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とするのが好ましい。例えば、円錐状、略円錐台状、山型とするのが好ましい。導電性バンプの上断面形状は、中心角θ1、θ2が１８０°以下のゆるやかな円弧であることが好ましい。ここで、導電性バンプの先端部断面とは、バンプ先端を上部に配置した場合のバンプの水平方向の断面であり、導電性バンプの上断面とは、バンプの垂直方向の断面である。発明の多層配線板の製造方法では、導電性バンプはプリプレグを貫挿する必要がないので、先端が尖った形状にする必要はない。先端部をゆるやかな円弧にすることにより、ビアの断面積を大きくし、ビア抵抗を低減することが可能である。
バンプの上断面を中心角が１８０°を越える円弧とする場合は、導電性バンプの先端部がくぼんだ形状となって、絶縁性未硬化樹脂がくぼみ部に残ってしまう。このため、ビアの接続不良やビア抵抗の増加などの不具合を発生させる。本発明の多層配線板部材では、導電性バンプの上断面が、中心角が180°以下のゆるやかな円弧形状であるので、絶縁性未硬化樹脂が導電性バンプの先端部に残らず、ビアの確実な接続及びビア抵抗の低減に効果がある。さらに、導電性バンプの先端が尖っていないので、一括積層熱プレスを行ってもビア先端部がつぶれたり、折れたりしないので、上層の導電性部材と確実な電気的接続をとることが可能である。
Shape of Conductive Bump The shape of the conductive bump is preferably such that the diameter of the cross section at the tip is smaller than the diameter of the bottom. For example, a conical shape, a substantially truncated cone shape, and a mountain shape are preferable. The upper cross-sectional shape of the conductive bump is preferably a gentle arc with central angles θ1 and θ2 of 180 ° or less. Here, the tip section of the conductive bump is a horizontal section of the bump when the tip of the bump is arranged at the top, and the upper section of the conductive bump is a section of the bump in the vertical direction. In the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the invention, since the conductive bump does not need to be inserted through the prepreg, it is not necessary to make the tip sharp. By making the tip part a gentle arc, the via cross-sectional area can be increased and the via resistance can be reduced.
When the upper cross section of the bump is an arc having a central angle exceeding 180 °, the tip end portion of the conductive bump has a concave shape, and the insulating uncured resin remains in the concave portion. This causes problems such as poor connection of vias and increased via resistance. In the multilayer wiring board member of the present invention, the upper cross-section of the conductive bump has a gentle arc shape with a central angle of 180 ° or less, so that the insulating uncured resin does not remain at the tip of the conductive bump, and the via It is effective for reliable connection and reduction of via resistance. In addition, since the tips of the conductive bumps are not sharp, the via tip does not collapse or break even if batch lamination hot pressing is performed, so it is possible to establish a reliable electrical connection with the upper conductive member. is there.
導電性バンプ、絶縁性被膜のサイズパラメータ
導電性バンプの底面径a1、a2は、１０〜１５０μmφであることが好ましく、さらに、３０〜５０μmであることがより好ましい。バンプの底面径が１０μm以上で、より好ましくは３０μm以上であれば、バンプが絶縁性被膜の形成工程中倒壊することなく、安定してバンプの頭出しを行うことができる。バンプの底面径が１５０μm以下、より好ましくは５０μm以下であれば、導電性バンプの面密度が３０万個〜５００万個／m2の高密度多層配線板の製造が可能になる。
（１）導電性バンプの底面径が１０〜１５０μmの場合は、
導電性バンプの高さと絶縁性被膜の厚さの関係は、以下の通りとするのが好ましい。
導電性バンプの下に導電性パターンが形成されていない場合（図１３(c)）は、
h 1
> t2 とする。
導電性バンプの下に導電性パターンが形成されている場合（図１４(c)）は、
h 2 + t5
> t4 とする。
このように設定することにより、絶縁性被膜の膜減り工程によりバンプの頭出しを再現性よく安定して行うことができる。
絶縁性未硬化被膜の厚さt2、t4は、１．５μm以上、４０μm以下で、配線の膜厚t5は、２０μm以下であることが好ましい。t2、t4が１．５μm以上であれば、塗布膜の厚さの均一性や再現性が高く、また、層間インピーダンスならびに層間絶縁抵抗を十分大きくすることができる。t2、t4の厚さが４０μm以下であれば、多層配線板の薄膜化が可能である。
（２）導電性バンプの底面径が３０〜５０μmの場合は、
導電性バンプの高さと絶縁性被膜の厚さの関係は、以下の通りとするのが好ましい。
導電性バンプの下に導電性パターンが形成されていない場合（図１３(c)）は、
h 1
> t2 とする。
導電性バンプの下に導電性パターンが形成されている場合（図１４(c)）は、
h 2 + t5
> t4 とする。
このように設定することにより、絶縁性被膜の膜減り工程によりバンプを突出させる、いわゆる頭出しを再現性よく安定して行うことができる。
絶縁性未硬化被膜の厚さt2、t4は、１０μm以上、２０μm以下で、配線の膜厚t5は、１５μm以下であることが好ましい。t2、t4が１０μm以上であれば、塗布膜の厚さの均一性や再現性が高く、また、層間インピーダンスならびに層間絶縁抵抗を十分大きくすることができる。t2、t4が２０μm以下であれば、多層配線板の薄膜化が可能である。
導電性バンプのアスペクト比h/aは、導電性バンプの底面径に関わらず、０．３以上、０．７以下であることが好ましい。アスペクト比が、０．３以上であれば、導電性バンプの頭出しを確実に行うことができる。また、アスペクト比が、０．７以下であれば、バンプの形成ならびに頭出しを安定に再現性良く行うことができる。
Size parameter of conductive bump and insulating coating The bottom diameters a1 and a2 of the conductive bump are preferably 10 to 150 μmφ, and more preferably 30 to 50 μm. If the bottom surface diameter of the bump is 10 μm or more, and more preferably 30 μm or more, the bump can be stably positioned without collapsing during the insulating film forming process. If the bottom diameter of the bump is 150 μm or less, more preferably 50 μm or less, it is possible to manufacture a high-density multilayer wiring board having a surface density of 300,000 to 5,000,000 / m 2 of conductive bumps.
(1) When the bottom diameter of the conductive bump is 10 to 150 μm,
The relationship between the height of the conductive bump and the thickness of the insulating coating is preferably as follows.
When the conductive pattern is not formed under the conductive bump (FIG. 13C),
> Let t2.
When the conductive pattern is formed under the conductive bump (FIG. 14C),
> Let t4.
By setting in this way, the cueing of the bump can be stably performed with good reproducibility by the film reduction process of the insulating coating.
The thicknesses t2 and t4 of the insulating uncured film are preferably 1.5 μm or more and 40 μm or less, and the film thickness t5 of the wiring is preferably 20 μm or less. If t2 and t4 are 1.5 μm or more, the thickness uniformity and reproducibility of the coating film are high, and the interlayer impedance and interlayer insulation resistance can be sufficiently increased. If the thicknesses of t2 and t4 are 40 μm or less, the multilayer wiring board can be thinned.
(2) When the bottom diameter of the conductive bump is 30-50 μm,
The relationship between the height of the conductive bump and the thickness of the insulating coating is preferably as follows.
When the conductive pattern is not formed under the conductive bump (FIG. 13C),
> Let t2.
When the conductive pattern is formed under the conductive bump (FIG. 14C),
> Let t4.
By setting in this way, so-called cueing can be performed stably with good reproducibility, in which the bumps are projected by the film reduction process of the insulating coating.
The thicknesses t2 and t4 of the insulating uncured film are preferably 10 μm or more and 20 μm or less, and the film thickness t5 of the wiring is preferably 15 μm or less. If t2 and t4 are 10 μm or more, the thickness and uniformity of the coating film are high and the interlayer impedance and interlayer insulation resistance can be sufficiently increased. If t2 and t4 are 20 μm or less, the multilayer wiring board can be thinned.
The aspect ratio h / a of the conductive bump is preferably 0.3 or more and 0.7 or less regardless of the bottom surface diameter of the conductive bump. If the aspect ratio is 0.3 or more, the cueing of the conductive bump can be reliably performed. If the aspect ratio is 0.7 or less, bump formation and cueing can be performed stably and with good reproducibility.
導電性バンプの露出面積比
絶縁性被膜を塗布し、加熱又は乾燥により膜減りを行うと、絶縁性被膜と導電性バンプの境界において、図１３(c)、図１４(c)に示すように、導電性バンプの上面に多少の絶縁性物質が残ることがある。導電性バンプ上面において、バンプが絶縁性物質の残渣などにより覆われていない割合を、既に定義を行ったバンプの底面積に対する露出面積比で表すと、本発明の技術を用いる場合、バンプの底面積に対する露出面積比を20％以上にすることができる。ビアの断面積を実質的に大きくすることが可能で、ビア抵抗の低減に効果がある。
Exposed area ratio of conductive bumps When an insulating coating is applied and the film is reduced by heating or drying, as shown in FIGS. 13 (c) and 14 (c) at the boundary between the insulating coating and the conductive bumps. Some insulating material may remain on the upper surface of the conductive bump. When the ratio of the exposed area with respect to the bottom area of the bump that has already been defined is expressed as the ratio of the bump that is not covered with the residue of the insulating material on the top surface of the conductive bump, the bottom of the bump is used when the technique of the present invention is used. The ratio of the exposed area to the area can be 20% or more. The cross-sectional area of the via can be substantially increased, which is effective in reducing the via resistance.
（本発明の実施の形態に係る多層配線板、及び、その製造方法）
以下に、配線板部材を用いて多層配線板を製造する方法の具体例について、図５乃至図１０を用いて説明する。
(Multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention and method for manufacturing the same)
A specific example of a method for manufacturing a multilayer wiring board using a wiring board member will be described below with reference to FIGS.
多層配線板の製造方法の第一の具体例
使用する配線板部材は、最下層の配線板部材については、図２に示す配線を持たない配線板部材を用い、それ以外の配線板部材については、図１、図３、又は図４に示す配線を備えた配線板部材を用いる。最初に、配線板部材１０２、１０３、１０４を位置合わせして積層し、その上面と下面には、銅箔１０１、１０５を積層する（図５(a)）。次に、積層熱プレスにより、配線板部材１０２、１０３、１０４、銅箔１０１、１０５を圧着する（図５(b)）。次に、銅箔１０１、１０５上にレジスト膜を塗布形成し、フォトリソグラフィー法によりレジストパターン１０７、１１０を形成する。その後、ウェットエッチングにより銅箔をエッチングし、配線１０８、１０９を形成する（図５(c)）。次に、レジストパターン１０７、１１０を除去し、多層配線板１１１を完成する（図５(d)）。
The wiring board member used in the first specific example of the multilayer wiring board manufacturing method uses the wiring board member having no wiring shown in FIG. 2 for the lowermost wiring board member, and the other wiring board members. The wiring board member provided with the wiring shown in FIG. 1, FIG. 3, or FIG. 4 is used. First, the
多層配線板の製造方法の第二の具体例
使用する配線板部材は、図１、図３、又は図４に示す配線を備えた配線板部材を用いる。最初に、配線板部材１１３、１１４、１１５を位置合わせして積層し、その上面には、銅箔１１２を積層する（図６(a)）。次に、積層熱プレスにより、配線板部材１１３、１１４、１１５、銅箔１１２を圧着する（図６(b)）。次に、銅箔１１２上にレジスト膜を塗布形成し、フォトリソグラフィー法によりレジストパターン１１８を形成する。その後、ウェットエッチングにより銅箔をエッチングし、配線１１７を形成する（図６(c)）。次に、レジストパターン１１８を除去し、多層配線板１１９を完成する（図６(d)）。
A wiring board member provided with the wiring shown in FIG. 1, FIG. 3, or FIG. First, the
多層配線板の製造方法の第三の具体例
使用する配線板部材は、最下層の配線板部材については、図２に示す配線を持たない配線板部材を用い、それ以外の配線板部材については、図１、図３、又は図４に示す配線を備えた配線板部材を用いる。最初に、配線板部材１２１、１２２、１２３を位置合わせして積層する（図７(a)）。次に、積層熱プレスにより、配線板部材１２１、１２２、１２３を圧着し、積層体１２４を形成する（図７(b)）。次に、導電ペーストの印刷・乾燥・固化により、積層体の両面に配線１２５、１２６を形成し、多層配線板１２７を完成する（図７(c)）。
The wiring board member used in the third specific example of the multilayer wiring board manufacturing method uses the wiring board member having no wiring shown in FIG. 2 for the lowermost wiring board member, and the other wiring board members. The wiring board member provided with the wiring shown in FIG. 1, FIG. 3, or FIG. 4 is used. First, the
多層配線板の製造方法の第四の具体例
使用する配線板部材は、図１、図３、又は図４に示す配線を備えた配線板部材を用いる。最初に、配線板部材１３１、１３２、１３３を位置合わせして積層する（図８(a)）。次に、積層熱プレスにより、配線板部材１３１、１３２、１３３を圧着し、積層体１３４を形成する（図８(b)）。次に、導電ペーストの印刷・乾燥・固化により、積層体の上面に配線１３５を形成し、多層配線板１３６を完成する（図８(c)）。
As a wiring board member used in the fourth specific example of the method for manufacturing a multilayer wiring board, a wiring board member provided with the wiring shown in FIG. 1, FIG. 3, or FIG. 4 is used. First, the
多層配線板の製造方法の第五の具体例
使用する配線板部材は、図１、図３、又は図４に示す配線を備えた配線板部材を用いる。最初に、配線板部材１４１、１４２、１４３、１４４を位置合わせして積層する（図９(a)）。最上層の配線板部材１４１については、天地を反転して積層する。次に、積層熱プレスにより、配線板部材１４１、１４２、１４３、１４４を圧着し、多層配線板１４６を完成する（図９(b)）。
As a wiring board member used in the fifth specific example of the method for manufacturing a multilayer wiring board, a wiring board member provided with the wiring shown in FIG. 1, FIG. 3, or FIG. 4 is used. First, the
多層配線板の製造方法の第六の具体例
使用する配線板部材は、図１、図３、又は図４に示す配線を備えた配線板部材を用いる。最初に、支持基板１５６上に配線１５５を形成した配線板部材を形成する。配線の形成は、印刷を用いてもよいし、銅箔のエッチングを用いてもよい。支持基板の材料は、積層熱プレス工程において変形や変質を生じないもので、かつ、積層熱プレスの後に剥離可能な材料を用いる。次に、配線板部材１５１、１５２、１５３、１５４を位置合わせして積層する（図１０(a)）。次に、積層熱プレスにより、配線板部材１５１、１５２、１５３、１５４を圧着し、支持基板１５６を剥離して、多層配線板１５８を完成する（図１０(b)）。
なお、図５乃至１０において、それぞれ3枚の配線板部材を積層し多層配線板を製造する例を示しているが、積層する配線板部材の数は3枚に限定されず、例えば、数十層の配線板部材を積層して熱プレスを行い、多層配線板を製造してもよい。
A wiring board member provided with the wiring shown in FIG. 1, FIG. 3, or FIG. First, a wiring board member having the
5 to 10 show an example in which a multilayer wiring board is manufactured by laminating three wiring board members, but the number of wiring board members to be laminated is not limited to three. A multilayer wiring board may be manufactured by laminating layers of wiring board members and performing hot pressing.
（本発明の実施の形態に係る複合多層配線板、及び、その製造方法）
以下に、配線板部材、及び、コア基板を用いて複合多層配線板を製造する方法の具体例について、図１１及び図１２を用いて説明する。
(Composite multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention and manufacturing method thereof)
Below, the specific example of the method of manufacturing a composite multilayer wiring board using a wiring board member and a core board | substrate is demonstrated using FIG.11 and FIG.12.
複合多層配線板の製造方法の第一の具体例
使用する配線板部材は、最上層、及び、最下層の配線板部材については、図２に示す配線を持たない配線板部材を用い、それ以外の配線板部材については、図１、図３、又は図４に示す配線を備えた配線板部材を用いる。コア基板は、導電性バンプにより製造した例えばめっきスルーホール方式によるプリント多層配線板を用いた例を示す。コア配線板は、従来技術により製造した配線板を用いてもよい。最初に、コア基板１６５の上面に配線板部材１６２、１６３、１６４を積層し、下面に配線板部材１６６、１６７、１６８を積層し、最上層及び最下層には、さらに、銅箔１６１、１６９を積層する（図１１(a)）。この時、コア配線板の硬化状態は、熱プレス工程を経た完全硬化の状態であってもよいし、完全硬化に至らない硬化状態、或いは、未硬化の状態であってもよい。配線板部材１６３、１６４、１６６、１６７は、配線を備えた配線板部材であり、配線板部材１６２、１６８は配線を持たない配線板部材である。配線板部材を配置する向きは、いずれの配線板部材も、コア基板１６５に向かう側に導電性バンプが突き出た側が向くように配置する。次に、積層熱プレスによりコア基板、配線板部材、銅箔を圧着する（図１１(b)）。コア基板が未硬化の状態であれば、コア基板を含め多層配線板部材に加わる熱履歴が少なく、信頼性の面で優れている。次に、銅箔上にレジストを塗布形成し、フォトリソグラフィー法によりレジストパターン１７４、１７７を形成する。その後、ウェットエッチングにより銅箔をエッチングし、配線１７５、１７６を形成する（図１１(c)）。次に、レジストパターン１７４、１７７を除去し、複合多層配線板１７８を完成する（図１１(d)）。
First specific example of manufacturing method of composite multilayer wiring board The wiring board member to be used is the wiring board member having no wiring shown in FIG. As the wiring board member, a wiring board member provided with the wiring shown in FIG. 1, FIG. 3, or FIG. 4 is used. The core substrate shows an example using a printed multilayer wiring board manufactured by conductive bumps, for example, by a plated through hole method. As the core wiring board, a wiring board manufactured by a conventional technique may be used. First,
複合多層配線板の製造方法の第二の具体例
使用する配線板部材は、最上層、及び、最下層の配線板部材については、図２に示す配線を持たない配線板部材を用い、それ以外の配線板部材については、図１、図３、又は図４に示す配線を備えた配線板部材を用いる。コア基板は、めっきスルーホール手法により製造した多層配線板を用いた例を示す。最初に、コア基板１８４の上面に配線板部材１８１、１８２、１８３を積層し、下面に配線板部材１８５、１８６、１８７を積層する（図１２(a)）。この時、コア配線板の硬化状態は、熱プレス工程を経た完全硬化の状態であってもよいし、完全硬化に至らない硬化状態、或いは、未硬化の状態であってもよい。配線板部材を配置する向きは、いずれの配線板部材も、コア基板１８４に向かう側に導電性バンプが突き出た側が向くように配置する。次に、積層熱プレスによりコア基板、配線板部材を圧着する（図１２(b)）。コア基板が未硬化の状態であれば、コア基板を含め多層配線板部材に加わる熱履歴が少なく、信頼性の面で優れている。最後に、多層配線板の積層体１８８の上面に配線１９０を印刷・乾燥・固化で形成し、多層配線板の積層体１８９の下面に配線１９１を印刷・乾燥・固化で形成し、複合多層配線板１９２を完成する（図１２(c)）。
なお、図１１及び１２において、コア基板の上と下にそれぞれ3枚の配線板部材を示しているが、積層する配線板部材の数は3枚に限定されず、例えば、数十層の配線板部材を積層して熱プレスを行い、複合多層配線板を製造してもよい。
The second specific example of the composite multilayer wiring board manufacturing method uses the wiring board member having no wiring shown in FIG. 2 for the uppermost layer and the lowermost wiring board member, and the others. As the wiring board member, a wiring board member having the wiring shown in FIG. 1, FIG. 3, or FIG. 4 is used. The core substrate shows an example using a multilayer wiring board manufactured by a plated through hole technique. First, the
11 and 12, three wiring board members are shown above and below the core substrate, but the number of wiring board members to be stacked is not limited to three. For example, several tens of wiring board members are used. The composite multilayer wiring board may be manufactured by laminating the substrates and performing hot pressing.
（ビア抵抗の測定方法）
導電性バンプ等の技術で形成した多層配線板のビアの電気抵抗は、一般的に、デイジーチェーンと呼ばれるテストパターンを用いて測定する。図１５(a)及び(b)は、ビア抵抗測定用のテストパターンの平面図及び断面図である。テストパターンは、第一層配線９４、ビア９５、第二層配線９３、測定端子９１、９２により構成される。第一層配線９４は絶縁性膜９６の下面に形成された配線であり、第二層配線９３は絶縁性膜９６の上面に形成された配線である。測定端子９１と測定端子９２の間には、多数のビア９５が第一層配線９３の配線パターンと第二層配線９４の配線パターンを介して直列に接続されている。ビア抵抗は、測定端子９１と測定端子９２に所定の電圧を印加し、テストパターンに流れる電流を測定することにより求める。具体的には、端子間の抵抗から、配線抵抗を引いて、ビアの個数で割って、一個当たりのビア抵抗を算出する。一般的に配線抵抗、ビア抵抗とも、通常の電子部品である抵抗と比較して抵抗値が極めて低いので、高精度のビア抵抗の算出には、多数のビアを直列に接続したパターンを用意して測定しなければならない。一般的には、数十個から数百個のビアを直列に並べたパターンが用いられる。配線抵抗については、予め、配線材料の固有抵抗あるいは配線のシート抵抗のデータがあれば、配線のサイズにより理論的に算出することが可能である。ビア数の異なる複数のパターンの測定により、ビア抵抗と配線抵抗を独立に測定することも可能である。
図１５に示すテストパターンを用いてビア抵抗の測定を行った結果、本発明の製造方法で製造した配線板部材は、従来のB2itで製造した配線板部材に比べ、ビア抵抗が３０％から９０％に低減していることが判明した。
(Measurement method of via resistance)
The electrical resistance of vias of a multilayer wiring board formed by a technique such as a conductive bump is generally measured using a test pattern called a daisy chain. 15A and 15B are a plan view and a cross-sectional view of a test pattern for measuring via resistance. The test pattern includes a
As a result of measuring the via resistance using the test pattern shown in FIG. 15, the wiring board member manufactured by the manufacturing method of the present invention has a via resistance of 30% as compared with the wiring board member manufactured by conventional B 2 it. It was found to be reduced to 90%.
以下、実施例及び比較例を用いて、本発明を詳細に説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
エポキシ樹脂を用いたバンプ頭出し評価
実施例１〜実施例３、比較例１、比較例２は、絶縁性被膜にエポキシ樹脂を用いて作製したバンプ頭出し評価用の試料である。試料の作製・評価は、実施例、比較例とも、導電性バンプを形成した支持基板上にエポキシ樹脂を含む絶縁性樹脂配合液を塗布して乾燥した後、膜厚の変化を測定し、バンプの外観を観察した。
（導電性ペーストの調整）
導電性ペーストは樹脂成分、導電性成分、溶剤を以下の条件で配合して調整した。
樹脂成分：
ビフェニール型液状エポキシ樹脂： ２〜１０重量％
エポキシ／フェノール： １〜１０重量％
ビフェニル型エポキシ樹脂： ５重量％以下
添加剤： ５重量％以下
導電性成分：Ａｇ粉末（リン片状形状の粉末重量：球状粉末重量＝１：１）を８０重量％以上配合した。
溶剤：メチルエチルケトンを加えて、粘度を調整した。
（絶縁性樹脂配合液の調整）
絶縁性樹脂配合液は樹脂成分、溶剤を以下の条件で配合して調整した。
樹脂成分（エポキシ樹脂）：
（A）ＹＸ６９５ＢＨ３０（ジャパンエポキシレジン（株）製商品名）： １００重量部
（B）エピキュアＤＣ８０８（ジャパンエポキシレジン（株）製商品名）：１５４重量部
（C）コロネート２５０７（日本ポリウレタン工業（株）製商品名）： ３１２重量部
（D）２Ｅ４ＭＺ（イミダゾール系架橋触媒、四国化成（株）製商品名）：９．６重量部
ＤＶＢ―９６０（新日鐵化学（株）製商品名）： ９８．６重量部
ハーオタクＯ（日本油脂（株）製商品名）： ９．６重量部
溶剤：メチルエチルケトンを加えて、粘度を調整した。
（導電性バンプの形成）
PETからなる支持基板上に、スクリーン印刷により導電性ペーストを塗布し、突起状の導電性バンプを形成した。バンプの形状は、底面の径が80μm〜110μｍ、高さが25μm〜40μmとした。
（絶縁性樹脂配合液の塗布・乾燥）
導電性バンプを形成した支持基板上にドクターブレード法で絶縁性樹脂配合液を塗布した。塗布条件は、クリアランス50μm〜100μm、塗布スピード1m／minとし、厚さ30μm〜100μmの絶縁性被膜を形成した。その後、絶縁性被膜の厚さを測定してから、試料を乾燥炉に投入し、100℃、3分の乾燥により、塗膜の溶剤を蒸発させ、絶縁性被膜の厚さを減少させた。
（膜厚測定、外観評価）
試料を乾燥後、絶縁性被膜の厚さを測定し、バンプの頭出しの状態を観察した。乾燥前、乾燥後の膜厚から膜減り率を算出した。膜減り率のデータは表に示す通りである。実施例１〜３では、良好なバンプの頭出しができたのに対し、比較例１、２では、バンプの頭出しができなかった。バンプの頭出しができた試料は、バンプ高さより乾燥後の絶縁性被膜の厚さが薄かったのに対し、バンプの頭出しができなかった試料は、バンプ高さより乾燥後の絶縁性被膜の厚さが厚かった。粘度と膜減り率の関係に注目すると、溶媒量が少なく粘度の高い比較例１で、膜減り率が小さく、逆に、溶媒量が多く粘度の低い実施例３で、膜減り率が大きい。所定のバンプ高さに対し、絶縁性樹脂配合液の溶剤量を調整して粘度を調整し、さらに溶剤蒸発条件を調整することにより、絶縁性被膜の厚さを適切に減少させ、バンプの頭出しが適切に行えることがわかった。
（誘電特性の測定）
作製したエポキシ樹脂の実施例２について、誘電特性を測定した。
実施例２の硬化後の誘電特性は、
比誘電率 ２．７１／1GHz、２．６８／５GHz
誘電正接 ０．０１９／1GHz、０．００９８／５GHz
であった。
Bump Cue Evaluation Using Epoxy Resin Examples 1 to 3, Comparative Example 1, and Comparative Example 2 are bump cue evaluation samples prepared using an epoxy resin as an insulating coating. For the preparation and evaluation of the samples, in both the examples and comparative examples, after coating and drying an insulating resin compound liquid containing an epoxy resin on a support substrate on which conductive bumps were formed, the change in film thickness was measured, and the bumps were measured. The appearance of was observed.
(Adjustment of conductive paste)
The conductive paste was prepared by blending a resin component, a conductive component, and a solvent under the following conditions.
Resin component:
Biphenyl liquid epoxy resin: 2 to 10% by weight
Epoxy / phenol: 1-10% by weight
Biphenyl type epoxy resin: 5% by weight or less Additive: 5% by weight or less Conductive component: Ag powder (powder-shaped powder weight: spherical powder weight = 1: 1) was blended in an amount of 80% by weight or more.
Solvent: Methyl ethyl ketone was added to adjust the viscosity.
(Adjustment of insulating resin compounding liquid)
The insulating resin blending solution was prepared by blending a resin component and a solvent under the following conditions.
Resin component (epoxy resin):
(A) YX695BH30 (trade name, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.): 100 parts by weight (B) Epicure DC808 (trade name, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.): 154 parts by weight (C) Coronate 2507 (Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) ) Product name): 312 parts by weight (D) 2E4MZ (imidazole-based crosslinking catalyst, product name manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.): 9.6 parts by weight DVB-960 (product name manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.): 98.6 parts by weight Her Otaku O (trade name, manufactured by NOF Corporation): 9.6 parts by weight Solvent: methyl ethyl ketone was added to adjust the viscosity.
(Formation of conductive bumps)
On a support substrate made of PET, a conductive paste was applied by screen printing to form a protruding conductive bump. The shape of the bump was such that the bottom diameter was 80 μm to 110 μm and the height was 25 μm to 40 μm.
(Application / drying of insulating resin compound liquid)
An insulating resin compounding solution was applied to the support substrate on which the conductive bumps were formed by the doctor blade method. The coating conditions were a clearance of 50 μm to 100 μm, a coating speed of 1 m / min, and an insulating film having a thickness of 30 μm to 100 μm was formed. Then, after measuring the thickness of the insulating coating, the sample was put into a drying furnace, and the coating film solvent was evaporated by drying at 100 ° C. for 3 minutes to reduce the thickness of the insulating coating.
(Film thickness measurement, appearance evaluation)
After the sample was dried, the thickness of the insulating coating was measured, and the cueing state of the bump was observed. The film reduction rate was calculated from the film thickness before and after drying. The film loss rate data is as shown in the table. In Examples 1 to 3, good bump cueing was achieved, while in Comparative Examples 1 and 2, bumps could not be cueed. The sample that could cue the bump had a thinner insulating coating thickness than the bump height, whereas the sample that could not cue the bump had the insulating coating dried after the bump height. The thickness was thick. Focusing on the relationship between the viscosity and the film reduction rate, Comparative Example 1 with a small amount of solvent and a high viscosity has a small film reduction rate, and conversely, Example 3 with a large amount of solvent and a low viscosity has a large film reduction rate. By adjusting the amount of solvent in the insulating resin compound solution for a given bump height, adjusting the viscosity, and further adjusting the solvent evaporation conditions, the thickness of the insulating film can be reduced appropriately, and the bump head I found out that it can be done properly.
(Measurement of dielectric properties)
Dielectric characteristics of Example 2 of the produced epoxy resin were measured.
The dielectric properties after curing of Example 2 are:
Dielectric constant 2.71 / 1GHz, 2.68 / 5GHz
Dissipation factor 0.019 / 1GHz, 0.0098 / 5GHz
Met.
OPE樹脂を用いたバンプ頭出し評価
実施例４〜実施例７、比較例３、比較例４は、絶縁性被膜にOPE樹脂を用いて作製したバンプ頭出し評価用の試料である。試料の作製・評価は、実施例、比較例とも、導電性バンプを形成した支持基板上にOPE樹脂を含む絶縁性樹脂配合液を塗布して乾燥した後、膜厚の変化を測定し、バンプの外観を観察した。
（導電性ペーストの調整）
導電性ペーストは樹脂成分、導電性成分、溶剤を以下の条件で配合して調整した。
樹脂成分：
ビフェニール型液状エポキシ樹脂： ２〜１０重量％
エポキシ／フェノール： １〜１０重量％
ビフェニル型エポキシ樹脂： ５重量％以下
添加剤： ５重量％以下
導電性成分：Ａｇ粉末（リン片状形状の粉末重量：球状粉末重量＝１：１）を８０重量％以上配合した。
溶剤：メチルエチルケトンを加えて、粘度を調整した。
（絶縁性樹脂配合液の調整）
絶縁性樹脂配合液は樹脂成分、溶剤を以下の条件で配合して調整した。
樹脂成分（OPE樹脂）：
（A）ＯＰＥ−２ｓｔ２２００（三菱瓦斯化学（株）製商品名）： ５〜４０重量％
（B）ＴＲ２００３ （JSR（株）製商品名）： ５〜４０重量％
溶剤：トルエン： ２０〜９０重量％
（導電性バンプの形成）
PETからなる支持基板上に、スクリーン印刷により導電性ペーストを塗布し、突起状の導電性バンプを形成した。バンプの形状は、底面の径が80μm〜110μｍ、高さが16μm〜40μmとした。
（絶縁性樹脂配合液の塗布・乾燥）
導電性バンプを形成した支持基板上にドクターブレード法で絶縁性樹脂配合液を塗布した。塗布条件は、クリアランス20μm〜100μm、塗布スピード1m／minとし、厚さ20μm〜100μmの絶縁性被膜を形成した。その後、絶縁性被膜の厚さを測定してから、試料を乾燥炉に投入し、100℃、3分の乾燥により、塗膜の溶剤を蒸発させ、絶縁性被膜の厚さを減少させた。
（膜厚測定、外観評価）
試料を乾燥後、絶縁性被膜の厚さを測定し、バンプの頭出しの状態を観察した。乾燥前、乾燥後の膜厚から膜減り率を算出した。膜減り率のデータは表に示す通りである。実施例、４〜７では、良好なバンプの頭出しができたのに対し、比較例３、４では、バンプの頭出しができなかった。バンプの頭出しができた試料は、バンプ高さより乾燥後の絶縁性被膜の厚さが薄かった。バンプの頭出しができなかった試料のうち、比較例３は、絶縁性樹脂配合液の粘度が１０重量％と極めて小さく、樹脂組成物の流れ出しが発生し、実用上使用できない条件であることがわかった。逆に、比較例４は、樹脂成分の割合が多すぎて、溶剤との混合ができないという結果になった。一方、良好な頭出しができた実施例４〜７では、エポキシ樹脂の場合と同様に、粘度が比較的高い実施例４、５、６よりも粘度が比較的低い実施例７において膜減り率が高かった。このことは、粘度を調整することにより、膜減り率を制御可能であることを示している。実験結果から、（Ａ）成分と（Ｂ）成分を合計した樹脂濃度を１５重量％以上４０重量％以下とするのが好ましいことがわかった。樹脂濃度をこの範囲にすると、流動性被膜の厚さ及び絶縁性被膜の厚さを適切に制御可能である。絶縁性被膜の材料にOPE樹脂を用いた場合でも、所定のバンプ高さに対し、絶縁性樹脂配合液の溶剤量を調整して粘度を調整し、さらに溶剤蒸発条件を調整することにより、絶縁性被膜の厚さを適切に減少させ、バンプの頭出しが適切に行えることがわかった。
（誘電特性の測定）
作製したOPE樹脂の実施例６について、誘電特性を測定した。
実施例６の硬化後の誘電特性は、
比誘電率 ２．４０／５GHz
誘電正接 ０．００１９／５GHz
であった。
(Adjustment of conductive paste)
The conductive paste was prepared by blending a resin component, a conductive component, and a solvent under the following conditions.
Resin component:
Biphenyl liquid epoxy resin: 2 to 10% by weight
Epoxy / phenol: 1-10% by weight
Biphenyl type epoxy resin: 5% by weight or less Additive: 5% by weight or less Conductive component: Ag powder (powder-shaped powder weight: spherical powder weight = 1: 1) was blended in an amount of 80% by weight or more.
Solvent: Methyl ethyl ketone was added to adjust the viscosity.
(Adjustment of insulating resin compounding liquid)
The insulating resin blending solution was prepared by blending a resin component and a solvent under the following conditions.
Resin component (OPE resin):
(A) OPE-2st 2200 (trade name, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.): 5 to 40% by weight
(B) TR2003 (trade name, manufactured by JSR Corporation): 5 to 40% by weight
Solvent: Toluene: 20-90% by weight
(Formation of conductive bumps)
On a support substrate made of PET, a conductive paste was applied by screen printing to form a protruding conductive bump. The shape of the bump was such that the bottom diameter was 80 μm to 110 μm and the height was 16 μm to 40 μm.
(Application / drying of insulating resin compound liquid)
An insulating resin compounding solution was applied to the support substrate on which the conductive bumps were formed by the doctor blade method. The coating conditions were a clearance of 20 μm to 100 μm, a coating speed of 1 m / min, and an insulating film having a thickness of 20 μm to 100 μm was formed. Then, after measuring the thickness of the insulating coating, the sample was put into a drying furnace, and the coating film solvent was evaporated by drying at 100 ° C. for 3 minutes to reduce the thickness of the insulating coating.
(Film thickness measurement, appearance evaluation)
After the sample was dried, the thickness of the insulating coating was measured, and the cueing state of the bump was observed. The film reduction rate was calculated from the film thickness before and after drying. The film loss rate data is as shown in the table. In Examples 4 to 7, good bump cueing was achieved, while in Comparative Examples 3 and 4, bumps could not be cueed. In the sample in which the bump was found, the thickness of the insulating film after drying was thinner than the bump height. Of the samples in which the bumps could not be cleaved, Comparative Example 3 had a condition that the viscosity of the insulating resin compounded liquid was as extremely low as 10% by weight, and the resin composition flowed out, which was a condition that could not be used practically. all right. On the contrary, Comparative Example 4 has a result that the ratio of the resin component is too large to mix with the solvent. On the other hand, in Examples 4 to 7 in which good cueing was possible, as in the case of the epoxy resin, the film reduction rate in Example 7 in which the viscosity was relatively lower than those in Examples 4, 5 and 6 having a relatively high viscosity. Was expensive. This indicates that the film reduction rate can be controlled by adjusting the viscosity. From the experimental results, it was found that the total resin concentration of the component (A) and the component (B) is preferably 15% by weight or more and 40% by weight or less. When the resin concentration is within this range, the thickness of the fluid film and the thickness of the insulating film can be appropriately controlled. Even when OPE resin is used as the material for the insulating coating, the insulating film can be insulated by adjusting the viscosity by adjusting the solvent amount of the insulating resin compound liquid for a given bump height, and adjusting the solvent evaporation conditions. It was found that the thickness of the conductive film can be appropriately reduced and the cueing of the bump can be properly performed.
(Measurement of dielectric properties)
Dielectric characteristics of Example 6 of the produced OPE resin were measured.
The dielectric properties after curing of Example 6 are:
Dielectric constant 2.40 / 5GHz
Dissipation factor 0.0019 / 5GHz
Met.
１、２１、３１、４１ 支持基板
２、３７、４７ 配線
３、２２、３２、４２ 導電性バンプ
４、２３、３３、４３、４８ 流動性被膜
５、２４、３４、４４、４９ 絶縁性未硬化被膜
６、２５、３８、５０ 多層配線板部材
３５、４５ 保護膜
３６、４６ 完全硬化に至らない絶縁性硬化被膜
１０１、１０５、１１２、１１６ 銅箔
１０２、１０３、１０４、１１３、１１４、１１５、１２１、１２２、１２３、１３１、１３２、１３３、１４１、１４２、１４３、１４４、１５２、１５３、１５４ 多層配線板部材
１０６、１１４、１２４、１３４、１４５、１５７ 積層体
１０７、１１０、１１８ レジスト
１０８、１０９、１１７、１２５、１２６、１３５、１５５ 配線
１１１、１１９、１２７、１３６、１４６、１５８ 多層配線板
１５６ 支持基板
１６５、１８４ コア配線板
１６１、１６９、１７０、１７３ 銅箔
１６２、１６３、１６４、１６６、１６７、１６８、１８１、１８２、１８３、１８５、１８６、１８７ 多層配線板部材
１７１、１７２、１８８、１８９ 積層体
１７４、１７７ レジスト
１７５、１７６、１９０、１９１ 配線
１７８、１９２ 複合多層配線板
７１、８１ 導電性バンプ
７２、８２ 流動性被膜
７３、８２ 絶縁性未硬化被膜
８４ 配線
９１、９２ 測定端子
９３ 第二層配線
９４ 第一層配線
９５ ビア
９６ 絶縁膜
２０１ 導体板
２０２ 導電性バンプ
２０３ プリプレグ
1, 21, 31, 41 Support substrate 2, 37, 47 Wiring 3, 22, 32, 42 Conductive bump 4, 23, 33, 43, 48 Fluid coating 5, 24, 34, 44, 49 Insulating uncured Coatings 6, 25, 38, 50 Multilayer wiring board members 35, 45 Protective films 36, 46 Insulating cured coatings 101, 105, 112, 116 Copper foils 102, 103, 104, 113, 114, 115, not completely cured 121, 122, 123, 131, 132, 133, 141, 142, 143, 144, 152, 153, 154 Multilayer wiring board members 106, 114, 124, 134, 145, 157 Laminated bodies 107, 110, 118 Resist 108, 109, 117, 125, 126, 135, 155 Wiring 111, 119, 127, 136, 146, 158 Multilayer wiring board 156 Support substrate 65, 184 Core wiring boards 161, 169, 170, 173 Copper foils 162, 163, 164, 166, 167, 168, 181, 182, 183, 185, 186, 187 Multilayer wiring board members 171, 172, 188, 189 Lamination Body 174, 177 resist 175, 176, 190, 191 wiring 178, 192 composite multilayer wiring board 71, 81 conductive bump 72, 82 fluid coating 73, 82 insulating uncured coating 84 wiring 91, 92 measurement terminal 93 second Layer wiring 94 First layer wiring 95 Via 96 Insulating film 201 Conductor plate 202 Conductive bump 203 Prepreg
Claims (67)
１乃至１５のいずれかに１項記載の多層配線板用の部材。 The member for a multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 15, wherein the insulating uncured resin does not have a fiber base material.
（Ｃ）成分として、イソシアネート化合物を配合し、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液から溶剤を揮発させて得られたことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項記載の多層配線板用の部材。 In the insulating uncured film, the component (A) is an epoxy resin having a phenol skeleton and a biphenyl skeleton, and / or a bifunctional linear chain having a weight average molecular weight of 1,500 to 70,000 and having a hydroxyl group. In addition, the component (B) is an epoxy resin composition containing a modified phenol novolak in which at least a part of the phenolic hydroxyl group is esterified with a fatty acid, and further, an isocyanate compound is blended as the component (C). The member for a multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 16, wherein the member is obtained by volatilizing a solvent from an insulating resin compounded liquid containing a solvent.
（Ｄ）成分として、ジビニルベンゼンを配合し、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液から溶剤を揮発させて得られたことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項記載の多層配線板用の部材。 In the insulating uncured film, the component (A) is an epoxy resin having a phenol skeleton and a biphenyl skeleton, and / or a bifunctional straight chain having a weight average molecular weight of 1,500 to 70,000 and having a hydroxyl group. In addition, the component (B) is an epoxy resin composition containing a modified phenol novolak in which at least a part of the phenolic hydroxyl group is esterified with a fatty acid, and further, as a component (D), divinylbenzene is blended. The member for a multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 16, wherein the member is obtained by volatilizing a solvent from an insulating resin compounded liquid containing a solvent.
（Ｃ）成分として、イソシアネート化合物、および（Ｄ）成分として、ジビニルベンゼンを配合し、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液から溶剤を揮発させて得られたことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項記載の多層配線板用の部材。 In the insulating uncured film, the component (A) is an epoxy resin having a phenol skeleton and a biphenyl skeleton, and / or a bifunctional straight chain having a weight average molecular weight of 1,500 to 70,000 and having a hydroxyl group. And the component (B) is an epoxy resin composition containing a modified phenol novolak in which at least a part of the phenolic hydroxyl group is esterified with a fatty acid, and as the component (C), an isocyanate compound, and The multilayer according to any one of claims 1 to 16, wherein the multilayer is obtained by volatilizing a solvent from an insulating resin compounding liquid containing divinylbenzene as a component (D) and a solvent. Components for wiring boards.
スチレン−エチレン／ブタジェン−スチレン共重合体から選ばれた１以上の熱可塑性エラストマーであることを特徴とする請求項２３又は２４のいずれか1項記載の多層配線板用の部材。 The component (B) of the insulating uncured film is a rubber and / or styrene-butadiene-styrene block copolymer, styrene-isoprene-styrene block copolymer,
The member for a multilayer wiring board according to any one of claims 23 and 24, wherein the member is one or more thermoplastic elastomers selected from styrene-ethylene / butadiene-styrene copolymers.
導電ペーストに含まれる銀微粒子が、
(a)一次粒子の平均粒子径が４０〜３５０nmであり、
(b)結晶子径が２０〜７０nmであり、かつ
(c)結晶子径に対する平均粒子径の比が１〜５である、多層配線板用の部材。 At least one or a plurality of conductive patterns, a conductive bump group formed on the conductive pattern, and an insulation formed around the conductive bump group by projecting a tip of the conductive bump group A conductive uncured film, and the conductive pattern is formed by applying or printing a conductive paste. A conductive paste containing silver fine particles recovered from a reaction product obtained by mixing an amine, adding a reducing agent and reacting at a reaction temperature of 20 to 80 ° C.,
Silver fine particles contained in the conductive paste
(a) The average particle size of the primary particles is 40 to 350 nm,
(b) the crystallite diameter is 20 to 70 nm, and
(c) A member for a multilayer wiring board, wherein the ratio of the average particle diameter to the crystallite diameter is 1 to 5.
導電ペーストに含まれる銀微粒子が、
(a)一次粒子の平均粒子径が４０〜３５０nmであり、
(b)結晶子径が２０〜７０nmであり、かつ
(c)結晶子径に対する平均粒子径の比が１〜５である、
請求項１乃至２９のいずれか１項記載の多層配線板用の部材。 The conductive pattern is formed by applying or printing a conductive paste, and the conductive paste is mixed with a silver salt of a carboxylic acid and an aliphatic amine in the presence or absence of an organic solvent, and a reducing agent. Is a conductive paste containing silver fine particles recovered from a reaction product reacted at a reaction temperature of 20 to 80 ° C.
Silver fine particles contained in the conductive paste
(a) The average particle size of the primary particles is 40 to 350 nm,
(b) the crystallite diameter is 20 to 70 nm, and
(c) The ratio of the average particle size to the crystallite size is 1 to 5,
The member for multilayer wiring boards according to any one of claims 1 to 29.
（Ｃ）成分として、イソシアネート化合物を配合し、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液から溶剤を揮発させて得られたことを特徴とする請求項３５乃至４０のいずれか１項記載の多層配線板用の部材の製造方法。 In the insulating uncured film, the component (A) is an epoxy resin having a phenol skeleton and a biphenyl skeleton, and / or a bifunctional linear chain having a weight average molecular weight of 1,500 to 70,000 and having a hydroxyl group. In addition, the component (B) is an epoxy resin composition containing a modified phenol novolak in which at least a part of the phenolic hydroxyl group is esterified with a fatty acid, and further, an isocyanate compound is blended as the component (C). 41. The method for producing a member for a multilayer wiring board according to any one of claims 35 to 40, which is obtained by volatilizing a solvent from an insulating resin compounded liquid containing a solvent.
（Ｄ）成分として、ジビニルベンゼンを配合し、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液から溶剤を揮発させて得られたことを特徴とする請求項３５乃至４０のいずれか１項記載の多層配線板用の部材の製造方法。 In the insulating uncured film, the component (A) is an epoxy resin having a phenol skeleton and a biphenyl skeleton, and / or a bifunctional linear chain having a weight average molecular weight of 1,500 to 70,000 and having a hydroxyl group. And the component (B) is an epoxy resin composition containing a modified phenol novolak in which at least a part of the phenolic hydroxyl group is esterified with a fatty acid, and further, divinylbenzene is blended as the component (D). 41. The method for producing a member for a multilayer wiring board according to any one of claims 35 to 40, which is obtained by volatilizing a solvent from an insulating resin compounded liquid containing a solvent.
（Ｃ）成分として、イソシアネート化合物、および（Ｄ）成分として、ジビニルベンゼンを配合し、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液から溶剤を揮発させて得られたことを特徴とする請求項３５乃至４０のいずれか１項記載の多層配線板用の部材の製造方法。 In the insulating uncured film, the component (A) is an epoxy resin having a phenol skeleton and a biphenyl skeleton, and / or a bifunctional linear chain having a weight average molecular weight of 1,500 to 70,000 and having a hydroxyl group. And the component (B) is an epoxy resin composition containing a modified phenol novolak in which at least a part of the phenolic hydroxyl group is esterified with a fatty acid, and as the component (C), an isocyanate compound, and 41. The multilayer according to any one of claims 35 to 40, which is obtained by volatilizing a solvent from an insulating resin compounding liquid in which divinylbenzene is blended as a component (D) and a solvent is blended. A method of manufacturing a member for a wiring board.
スチレン−エチレン／−ブタジェン−スチレン共重合体から選ばれた１以上の熱可塑性エラストマーであることを特徴とする請求項４７又は４８のいずれか1項記載の多層配線板用の部材の製造方法。 The component (B) of the insulating uncured film is a rubber and / or a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer,
The method for producing a member for a multilayer wiring board according to any one of claims 47 and 48, wherein the member is one or more thermoplastic elastomers selected from styrene-ethylene / -butadiene-styrene copolymers.
導電ペーストに含まれる銀微粒子が、
(a)一次粒子の平均粒子径が４０〜３５０nmであり、
(b)結晶子径が２０〜７０nmであり、かつ
(c)結晶子径に対する平均粒子径の比が１〜５である、多層配線板用の部材の製造方法。 At least one or a plurality of conductive patterns, a conductive bump group formed on the conductive pattern, and an insulation formed around the conductive bump group by projecting a tip of the conductive bump group A conductive uncured film, and the conductive pattern is formed by applying or printing a conductive paste. A conductive paste containing silver fine particles recovered from a reaction product obtained by mixing an amine, adding a reducing agent and reacting at a reaction temperature of 20 to 80 ° C.,
Silver fine particles contained in the conductive paste
(a) The average particle size of the primary particles is 40 to 350 nm,
(b) the crystallite diameter is 20 to 70 nm, and
(c) The manufacturing method of the member for multilayer wiring boards whose ratio of the average particle diameter with respect to a crystallite diameter is 1-5.
導電ペーストに含まれる銀微粒子が、
(a)一次粒子の平均粒子径が４０〜３５０nmであり、
(b)結晶子径が２０〜７０nmであり、かつ
(c)結晶子径に対する平均粒子径の比が１〜５である、
請求項３５乃至５１のいずれか１項記載の多層配線板用の部材の製造方法。 The conductive pattern is formed by applying or printing a conductive paste, and the conductive paste is mixed with a silver salt of a carboxylic acid and an aliphatic amine in the presence or absence of an organic solvent, and a reducing agent is added. A conductive paste containing silver fine particles recovered from a reaction product added and reacted at a reaction temperature of 20 to 80 ° C.,
Silver fine particles contained in the conductive paste
(a) The average particle size of the primary particles is 40 to 350 nm,
(b) the crystallite diameter is 20 to 70 nm, and
(c) The ratio of the average particle size to the crystallite size is 1 to 5,
The manufacturing method of the member for multilayer wiring boards of any one of Claims 35 thru | or 51.
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