JP2009206309A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009206309A JP2009206309A JP2008047334A JP2008047334A JP2009206309A JP 2009206309 A JP2009206309 A JP 2009206309A JP 2008047334 A JP2008047334 A JP 2008047334A JP 2008047334 A JP2008047334 A JP 2008047334A JP 2009206309 A JP2009206309 A JP 2009206309A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light receiving
- type
- receiving element
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 71
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 62
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 242
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035236—Superlattices; Multiple quantum well structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】n型InP基板11(半導体基板)は、互いに対向する下面(第1主面)と上面(第2主面)を有する。n型InP基板11の下面に、n型InP基板11側から順番に、n型多層反射層12(第1の反射層)、吸収層13、p型位相調整層14およびアノード電極15(第2の反射層)が形成されている。n型InP基板11の上面に反射防止膜17が形成されている。n型多層反射層12は、屈折率の異なる半導体層を積層した多層反射層である。吸収層13は、n型InP基板11よりもバンドギャップが小さい。p型位相調整層14は、吸収層13よりもバンドギャップが大きい。n型多層反射層12と吸収層13は他層を介さずに接している。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体受光素子を示す断面図である。本実施の形態に係る半導体受光素子は、図の上側から光を入射する裏面入射型の共振型フォトダイオード(PD)である。
図4は、本発明の実施の形態2に係る半導体受光素子を示す断面図である。コンタクト層21が、光を受ける受光領域に配置されたアノード電極15(第2の反射層)の周囲にドーナッツ状に配置され、かつp型位相調整層14に接続されている。コンタクト層21として、p型位相調整層14よりもバンドギャップの小さいInGaAsやInGaAsPなどの半導体層や、AuZnなどの接触抵抗の小さい金属が用いられる。その他の構成は実施の形態1の構成と同様である。
図5は、本発明の実施の形態3に係る半導体受光素子を示す断面図である。反射率が高い反射エンハンス層22(第2の反射層)が、p型位相調整層14上の光を受ける受光領域に設けられている。コンタクト層21が、反射エンハンス層22の周囲にドーナッツ状に配置され、かつp型位相調整層14に接続されている。反射エンハンス層22およびコンタクト層21上にアノード電極15(金属膜)が設けられている。その他の構成は実施の形態1の構成と同様である。
図6は、本発明の実施の形態4に係る半導体受光素子を示す断面図である。反射防止膜17を施した光入射面であるn型InP基板11の上面(第2主面)が凹状に加工されている。その他の構成は実施の形態3と同様である。
図7は、本発明の実施の形態5に係る半導体受光素子を示す断面図である。本実施の形態に係る半導体受光素子は、図の上側から光を入射する表面入射型の共振型PDである。
図8は、本発明の実施の形態6に係る半導体受光素子を示す断面図である。本実施の形態に係る半導体受光素子は、図の上側から光を入射する表面入射型の共振型PDである。
本実施の形態では、図1のn型多層反射層12の一部がアバランシェフォトダイオードの増倍層である。即ち、n型多層反射層12の一部となるように、増倍層の光学膜厚を設定する。または、p型位相調整層14の中に増倍層を設けてもよい。その他の構成は実施の形態1の構成と同様である。このように本発明はアバランシェフォトダイオードに適用することもできる。
12 n型多層反射層(第1の反射層)
13 吸収層
13a 第1の吸収層
13b 第2の吸収層
14 p型位相調整層(位相調整層)
15 アノード電極(第2の反射層)
16 カソード電極(電極)
17 反射防止膜
21 コンタクト層
22 反射エンハンス層(第2の反射層)
23 p型多層反射層(第2の反射層)
Claims (11)
- 互いに対向する第1主面と第2主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1主面に、前記半導体基板側から順番に形成された第1の反射層、吸収層、位相調整層および第2の反射層と、
前記半導体基板の前記第2主面に形成された反射防止膜とを備え、
前記第1の反射層は、屈折率の異なる半導体層を積層した多層反射層であり、
前記吸収層は、前記半導体基板よりもバンドギャップが小さく、
前記位相調整層は、前記吸収層よりもバンドギャップが大きく、
前記第1の反射層と前記吸収層は他層を介さずに接していることを特徴とする半導体受光素子。 - 前記吸収層の膜厚は、前記位相調整層の膜厚より大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体受光素子。
- 前記第2の反射層は金属膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体受光素子。
- 前記第2の反射層と前記位相調整層の接続がショットキー接続であることを特徴とする請求項3に記載の半導体受光素子。
- 前記第2の反射層の周囲に配置され、前記位相調整層に接続されたコンタクト層を更に備えることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体受光素子。
- 前記第2の反射層は、誘電体または半導体の単層または多層膜からなる反射エンハンス層を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体受光素子。
- 前記第2の反射層は、前記反射エンハンス層上に設けられた金属膜を更に有することを特徴とする請求項6に記載の半導体受光素子。
- 前記半導体基板の前記第2主面が凹状に加工されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体受光素子。
- 互いに対向する第1主面と第2主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1主面に、前記半導体基板側から順番に形成された第1の反射層、吸収層および第2の反射層と、
前記半導体基板の前記第2主面に形成され、開口を有する電極と、
前記電極の開口に設けられた反射防止膜とを備え、
前記第1および第2の反射層は、屈折率の異なる半導体層を積層した多層反射層であり、
前記吸収層は、前記半導体基板よりもバンドギャップが小さいことを特徴とする半導体受光素子。 - 互いに対向する第1主面と第2主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1主面に、前記半導体基板側から順番に形成された第1の吸収層、第1の反射層、第2の吸収層および第2の反射層と、
前記半導体基板の前記第2主面に形成された反射防止膜とを備え、
前記第1および第2の反射層は、屈折率の異なる半導体層を積層した多層反射層であり、
前記第1および第2の吸収層は、前記半導体基板よりもバンドギャップが小さいことを特徴とする半導体受光素子。 - 前記多層反射層の一部または前記位相調整層の一部がアバランシェフォトダイオードの増倍層であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体受光素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008047334A JP5303962B2 (ja) | 2008-02-28 | 2008-02-28 | 半導体受光素子 |
US12/124,337 US7893460B2 (en) | 2008-02-28 | 2008-05-21 | Semiconductor light detecting element including first and second multilayer light reflective structures sandwiching and contacting a light absorptive layer |
CN2008101609172A CN101521245B (zh) | 2008-02-28 | 2008-09-19 | 半导体受光元件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008047334A JP5303962B2 (ja) | 2008-02-28 | 2008-02-28 | 半導体受光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009206309A true JP2009206309A (ja) | 2009-09-10 |
JP5303962B2 JP5303962B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=41012496
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008047334A Active JP5303962B2 (ja) | 2008-02-28 | 2008-02-28 | 半導体受光素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7893460B2 (ja) |
JP (1) | JP5303962B2 (ja) |
CN (1) | CN101521245B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021246146A1 (ja) * | 2020-06-04 | 2021-12-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子 |
WO2024034869A1 (ko) * | 2022-08-08 | 2024-02-15 | 한국기계연구원 | 협대역 쇼트키 다이오드 광센서 및 이를 포함하는 협대역 쇼트키 다이오드 광센서 어레이 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011253987A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子及び光モジュール |
JP2011258809A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
EP3103142B1 (en) | 2014-02-05 | 2020-08-19 | Array Photonics, Inc. | Monolithic multijunction power converter |
US10388807B2 (en) | 2014-04-30 | 2019-08-20 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Mirrors including reflective and second layers disposed on photodetectors |
CN105679767A (zh) * | 2016-01-25 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
WO2019010037A1 (en) | 2017-07-06 | 2019-01-10 | Solar Junction Corporation | HYBRID MOCVD / MBE EPITAXIAL GROWTH OF MULTI-JUNCTION SOLAR CELLS ADAPTED TO THE HIGH-PERFORMANCE NETWORK |
WO2019067553A1 (en) | 2017-09-27 | 2019-04-04 | Solar Junction Corporation | SHORT-LENGTH WAVELENGTH INFRARED OPTOELECTRONIC DEVICES HAVING DILUTED NITRIDE LAYER |
US11211514B2 (en) | 2019-03-11 | 2021-12-28 | Array Photonics, Inc. | Short wavelength infrared optoelectronic devices having graded or stepped dilute nitride active regions |
JP7379056B2 (ja) * | 2019-10-01 | 2023-11-14 | キヤノン株式会社 | 受光素子、検知システム |
CN111106189B (zh) * | 2020-01-06 | 2021-12-28 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种光电二极管及显示屏 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07226530A (ja) * | 1994-02-10 | 1995-08-22 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk | 光半導体素子 |
JP2001308368A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | 光共振器構造素子 |
JP2002151731A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-24 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp | 共振空洞で強化されるプレーナ型受光素子 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62242374A (ja) | 1986-04-14 | 1987-10-22 | Fujitsu Ltd | 光電変換装置 |
JPS63269580A (ja) | 1987-04-28 | 1988-11-07 | Fujitsu Ltd | 光検出器 |
US5518934A (en) * | 1994-07-21 | 1996-05-21 | Trustees Of Princeton University | Method of fabricating multiwavelength infrared focal plane array detector |
JPH0945954A (ja) | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子,及び半導体素子の製造方法 |
JP4030847B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2008-01-09 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体受光装置 |
US9640703B2 (en) * | 2004-10-25 | 2017-05-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Avalanche photodiode |
-
2008
- 2008-02-28 JP JP2008047334A patent/JP5303962B2/ja active Active
- 2008-05-21 US US12/124,337 patent/US7893460B2/en active Active
- 2008-09-19 CN CN2008101609172A patent/CN101521245B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07226530A (ja) * | 1994-02-10 | 1995-08-22 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk | 光半導体素子 |
JP2001308368A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | 光共振器構造素子 |
JP2002151731A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-24 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp | 共振空洞で強化されるプレーナ型受光素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021246146A1 (ja) * | 2020-06-04 | 2021-12-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子 |
WO2024034869A1 (ko) * | 2022-08-08 | 2024-02-15 | 한국기계연구원 | 협대역 쇼트키 다이오드 광센서 및 이를 포함하는 협대역 쇼트키 다이오드 광센서 어레이 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101521245B (zh) | 2011-10-26 |
CN101521245A (zh) | 2009-09-02 |
JP5303962B2 (ja) | 2013-10-02 |
US7893460B2 (en) | 2011-02-22 |
US20090218595A1 (en) | 2009-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5303962B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
JP5444994B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
JP5239568B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
US7928472B2 (en) | Optical semiconductor device with a distributed Bragg reflector layer | |
US8637951B2 (en) | Semiconductor light receiving element and optical communication device | |
JP2006253548A (ja) | 半導体受光素子 | |
US20140159183A1 (en) | High-efficiency bandwidth product germanium photodetector | |
JP2009124145A (ja) | 前面照射型アバランシェ・フォトダイオード | |
JP2007273832A (ja) | フォトダイオードとその製造方法 | |
TWI464864B (zh) | 高效率頻寬乘積鍺光偵測器 | |
Shao et al. | Planar dual-cavity hot-electron photodetectors | |
US20110096806A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP2009206304A (ja) | 半導体受光素子 | |
US20110303949A1 (en) | Semiconductor light-receiving element | |
JP2008500711A (ja) | 垂直の放出方向を有する面放出型の半導体レーザ素子 | |
US7423294B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
JP4600776B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2013058656A (ja) | 裏面入射型半導体受光素子 | |
JP5952105B2 (ja) | フォトダイオード | |
JP5524517B2 (ja) | 受光素子 | |
JP2010267647A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010045417A (ja) | 半導体受光素子 | |
JP5705859B2 (ja) | アバランシェタイプのフォトダイオード | |
CN112582880A (zh) | 一种红外探测器 | |
JP2001053328A (ja) | 半導体受光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120124 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130528 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130610 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5303962 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |