JP2009204674A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009204674A JP2009204674A JP2008044151A JP2008044151A JP2009204674A JP 2009204674 A JP2009204674 A JP 2009204674A JP 2008044151 A JP2008044151 A JP 2008044151A JP 2008044151 A JP2008044151 A JP 2008044151A JP 2009204674 A JP2009204674 A JP 2009204674A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- silicon
- containing intermediate
- resist
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】被加工膜1上に下層膜2を形成する工程と、下層膜2上に、酸により脱保護する保護基を含むシリコン含有中間膜3を形成する工程と、シリコン含有中間膜3上にレジスト膜4を形成する工程と、レジスト膜4の所定領域を露光する工程と、現像液を用いて前記レジスト膜を現像する工程と、を有する。
【選択図】図7
Description
2 有機系下層膜
3 シリコン含有中間膜
4 レジスト膜
5 保護膜
Claims (5)
- 被加工膜上に下層膜を形成する工程と、
前記下層膜上に、酸により脱保護する保護基を含むシリコン含有中間膜を形成する工程と、
前記シリコン含有中間膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の所定領域を露光する工程と、
現像液を用いて前記レジスト膜を現像する工程と、
を有することを特徴とするパターン形成方法。 - 前記シリコン含有中間膜は、前記保護基の脱保護によりアルカリ可溶性となることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記シリコン含有中間膜を形成する工程は、
酸により脱保護する保護基を添加したシリコン含有中間膜薬液を前記有機下層膜上に塗布する工程と、
前記塗布したシリコン含有中間膜薬液をベーク処理する工程と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。 - 被加工膜上に下層膜を形成する工程と、
表面配向性を有するアルカリ可溶材料を添加したシリコン含有中間膜薬液を前記下層膜上に塗布する工程と、
前記塗布したシリコン含有中間膜薬液をベーク処理してシリコン含有中間膜を形成する工程と、
前記シリコン含有中間膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の所定領域を露光する工程と、
現像液を用いて前記レジスト膜を現像する工程と、
を有することを特徴とするパターン形成方法。 - 被加工膜上に下層膜を形成する工程と、
酸化チタンを添加したシリコン含有中間膜薬液を前記下層膜上に塗布する工程と、
前記塗布したシリコン含有中間膜薬液をベーク処理してシリコン含有中間膜を形成する工程と、
前記シリコン含有中間膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の所定領域を露光する工程と、
現像液を用いて前記レジスト膜を現像する工程と、
を有することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008044151A JP2009204674A (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | パターン形成方法 |
US12/392,905 US20090220896A1 (en) | 2008-02-26 | 2009-02-25 | Pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008044151A JP2009204674A (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | パターン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009204674A true JP2009204674A (ja) | 2009-09-10 |
Family
ID=41013448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008044151A Pending JP2009204674A (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | パターン形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090220896A1 (ja) |
JP (1) | JP2009204674A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102350503B1 (ko) * | 2014-12-24 | 2022-01-14 | 인텔 코포레이션 | 화학적 보조 패터닝을 위한 감광성 정렬 층 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62239530A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-20 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成法 |
JPH02106756A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Fujitsu Ltd | 微細パターンの形成方法 |
JPH0594022A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多層レジスト構造及びその製造方法 |
JP2001272797A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP2007017970A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | オーバーコートされるフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物 |
JP2007163846A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 反射防止膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法、基板 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2343597B1 (en) * | 2003-04-02 | 2015-08-05 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Use of an underlayer coating forming composition for lithography |
JP4734111B2 (ja) * | 2005-12-15 | 2011-07-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 多層レジスト膜のパターニング方法および半導体装置の製造方法 |
DE602007000498D1 (de) * | 2006-04-11 | 2009-03-12 | Shinetsu Chemical Co | Siliziumhaltige, folienbildende Zusammensetzung, siliziumhaltige Folie, siliziumhaltiges, folientragendes Substrat und Strukturierungsverfahren |
US7592265B2 (en) * | 2007-01-04 | 2009-09-22 | United Microelectronics Corp. | Method of trimming a hard mask layer, method for fabricating a gate in a MOS transistor, and a stack for fabricating a gate in a MOS transistor |
-
2008
- 2008-02-26 JP JP2008044151A patent/JP2009204674A/ja active Pending
-
2009
- 2009-02-25 US US12/392,905 patent/US20090220896A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62239530A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-20 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成法 |
JPH02106756A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Fujitsu Ltd | 微細パターンの形成方法 |
JPH0594022A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多層レジスト構造及びその製造方法 |
JP2001272797A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP2007017970A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | オーバーコートされるフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物 |
JP2007163846A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 反射防止膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法、基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090220896A1 (en) | 2009-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8470711B2 (en) | Tone inversion with partial underlayer etch for semiconductor device formation | |
WO2009096371A1 (ja) | 微細パターンマスクおよびその製造方法、ならびにそれを用いた微細パターンの形成方法 | |
US8158332B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
KR100777927B1 (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 | |
US20200066536A1 (en) | Method of forming mask | |
JP4302065B2 (ja) | パターン形成方法 | |
KR101853253B1 (ko) | 듀얼 현상 공정을 포함한 포토리소그래피 방법 | |
JP4206669B2 (ja) | エッチングパターン形成方法 | |
US8546069B2 (en) | Method for enhancing lithographic imaging of isolated and semi-isolated features | |
JP2009204674A (ja) | パターン形成方法 | |
CN111856889B (zh) | 一种增强光刻图形分辨率的方法 | |
JP2010156819A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009139695A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN111856888A (zh) | 一种增强密集图形光刻分辨率的方法 | |
KR20230011420A (ko) | 리프트-오프 마스크 구조를 형성하기 위한 방법 | |
US20040171275A1 (en) | Semiconductor device and a fabrication method thereof | |
KR101168393B1 (ko) | 이중 노광 공정을 이용한 미세 패턴 형성 방법 | |
JP2008066467A (ja) | パターン形成方法 | |
JP4417090B2 (ja) | パターン形成方法、マスクおよび露光装置 | |
KR101037491B1 (ko) | 반도체소자의 3층 레지스트 패턴 형성방법 | |
JP2010118501A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2011176042A (ja) | 半導体回路パターンの形成方法 | |
JP2011171497A (ja) | マスクの製造方法 | |
KR100818389B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
US9773671B1 (en) | Material composition and process for mitigating assist feature pattern transfer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100701 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101026 |