JP2009200481A - Surface treatment method, equipment, and processed object - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent an loading effect without complicating the structure of surface treatment equipment. <P>SOLUTION: A processed object 9 is moved relatively to a treatment head 20 in a shifting direction A with relative velocity v, and a treatment gas is blown off from a spout opening 23a to contact with the processed object 9 to carry out surface treatment. A gas is sucked from a first suction opening 26L located apart from the spout opening 23a on an upstream side of the shifting direction A, and the gas is sucked from a second suction opening 26R apart from the spout opening 23a on a downstream side of the shifting direction A. The distance L1 between the spout opening 23a and the first suction opening and the distance L2 between the spout opening 23a and the second suction opening 26R are made equal with each other, and suction pressure of the first suction opening 26L and the second suction opening 26R is made almost equal mutually. A ratio (v/ϕav) of average flow velocity ϕav and relative flow velocity v of the gas at a processing path 25R between the spout opening 23a and the second suction opening 26R satisfies 0.5<v/ϕav≤3. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、ガラス基板や半導体ウェハ等の被処理物に処理ガスを接触させて、エッチング、洗浄、成膜、表面改質等の表面処理を行なう方法及び装置並びに表面処理された被処理物に関する。   The present invention relates to a method and apparatus for performing a surface treatment such as etching, cleaning, film formation, surface modification, etc. by bringing a treatment gas into contact with a treatment object such as a glass substrate or a semiconductor wafer, and a surface-treated treatment object. .

被処理物を処理ヘッドに対し一方向に相対移動させながら、処理ガスを被処理物に接触させ、表面処理を行う方法は公知である（例えば特許文献１、２参照）。処理ガスは、処理ヘッドの噴出口から噴き出され、処理ヘッドと被処理物との間を両外側へ向かって流れる。この過程で、処理ガス中の反応性成分が被処理物の表面上で反応を起こし、被処理物のエッチング等の表面処理がなされる。処理ヘッドの両側には吸引口が設けられており、これら吸引口から処理済みのガスや反応副生成物が吸引され排気される。   A method of performing a surface treatment by bringing a processing gas into contact with an object to be processed while moving the object to be processed relative to the processing head in one direction is known (for example, see Patent Documents 1 and 2). The processing gas is ejected from the ejection port of the processing head, and flows between the processing head and the object to be processed toward both outer sides. In this process, a reactive component in the processing gas reacts on the surface of the object to be processed, and surface processing such as etching of the object to be processed is performed. Suction ports are provided on both sides of the processing head, and processed gas and reaction by-products are sucked and exhausted from these suction ports.

処理ガスが被処理物上を流れているときは、流れの下流に向かうにしたがって、処理ガス中の反応性成分が反応により漸次消費され濃度が減少していく。一方、処理ガスが被処理物より外側を流れているときは、反応成分が消費されず高濃度を維持する。したがって、被処理物の端部は、被処理物の中央部よりも高濃度の処理ガスと接触する機会が多く、過度に処理される。このように被処理物の端部の処理量が中央部の処理量と異なる現象をローディング効果という。   When the processing gas is flowing over the object to be processed, the reactive components in the processing gas are gradually consumed by the reaction and the concentration decreases as it goes downstream. On the other hand, when the processing gas flows outside the object to be processed, the reaction components are not consumed and a high concentration is maintained. Therefore, the end portion of the object to be processed has many opportunities to come into contact with the processing gas having a higher concentration than the center part of the object to be processed, and is processed excessively. A phenomenon in which the processing amount at the end of the workpiece is different from the processing amount at the center is called a loading effect.

そこで、特許文献１、２では、被処理物の端部近傍にガスの吸引部や不活性ガスの噴き出し部を設け、ローディング効果が起きるのを防止している。   Therefore, in Patent Documents 1 and 2, a gas suction portion and an inert gas ejection portion are provided in the vicinity of the end of the object to be processed to prevent the loading effect from occurring.

特開２００７−３１７６９９号公報JP 2007-317699 A 特開２００７−３１７７００号公報JP 2007-317700 A

しかし、特許文献１、２のローディング効果防止手段は、装置構造が複雑化しコスト増大が懸念される。
出願人は、別のローディング効果防止手段として、処理ヘッドの中央部と被処理物との間の処理ガス流と被処理物との相対速度が略ゼロになるように上記処理ヘッド中央部と被処理物との間の間隔を調節するとともに、処理ヘッドの両側に被処理物との間隔が狭くコンダクタンスの小さくなる領域を形成し、この領域ではガスの流れが形成されないようにすることを提案した（特願２００６−２９００５４号）。しかし、この場合、僅かな調整誤差で処理ヘッドの両側が被処理物に接触するおそれがある。 However, the loading effect prevention means disclosed in Patent Documents 1 and 2 have a concern that the structure of the apparatus is complicated and the cost is increased.
As another means for preventing the loading effect, the applicant applies the processing head central portion and the target so that the relative velocity between the processing gas flow between the central portion of the processing head and the target processing object and the processing target becomes substantially zero. It was proposed to adjust the distance between the workpieces and to form a region with a narrow gap between the workpieces and a small conductance on both sides of the processing head so that no gas flow is formed in this region. (Japanese Patent Application No. 2006-290054). However, in this case, both sides of the processing head may come into contact with the object to be processed with a slight adjustment error.

かかる事情に鑑み、本発明方法は、被処理物に処理ガスを接触させて前記被処理物の表面を処理する方法であって、
前記被処理物を処理ヘッドに対し移動方向へ相対速度ｖにて相対移動させ、
前記処理ヘッドの噴出口から前記処理ガスを噴出し、
前記処理ヘッドの噴出口より前記移動方向の上流側に離れて設けられた第１吸引口からガスを吸引し、
前記処理ヘッドの噴出口より前記移動方向の下流側に前記噴出口と前記第１吸引口との間の距離と等距離離れて設けられた第２吸引口からガスを前記第１吸引口と略等しい吸引圧で吸引し、
前記噴出口と前記第２吸引口との間の処理ガスの前記処理ヘッドに対する平均流速φａｖと前記相対速度ｖとの比が、下式（１）を満たすようにすることを特徴とする。
０．５＜ｖ／φａｖ≦３ …式（１）
これによって、装置構造を複雑化させることなく、ローディング効果を抑制できる。 In view of such circumstances, the method of the present invention is a method for treating a surface of the object to be treated by bringing a treatment gas into contact with the object to be treated,
Moving the object to be processed relative to the processing head in the moving direction at a relative speed v;
The processing gas is ejected from the ejection port of the processing head,
A gas is sucked from a first suction port provided at an upstream side in the moving direction from the jet port of the processing head;
Gas from the second suction port provided at the same distance as the distance between the jet port and the first suction port on the downstream side in the movement direction from the jet port of the processing head is substantially the same as the first suction port. Suction with equal suction pressure,
The ratio of the average flow velocity φav of the processing gas between the jet port and the second suction port to the processing head and the relative velocity v satisfies the following formula (1).
0.5 <v / φav ≦ 3 (1)
As a result, the loading effect can be suppressed without complicating the device structure.

前記比が、下式（２）を満たすようにすることが好ましい。
２／３≦ｖ／φａｖ≦３／２ …式（２）
これによって、ローディング効果を一層抑制できる。 It is preferable that the ratio satisfies the following formula (2).
2/3 ≦ v / φav ≦ 3/2 Formula (2)
Thereby, the loading effect can be further suppressed.

前記比が、下式（３）を満たすようにすることが好ましい。
０．９５＜ｖ／φａｖ＜１．０５ …式（３）
これによって、ローディング効果をより一層抑制できる。 It is preferable that the ratio satisfies the following formula (3).
0.95 <v / φav <1.05 Formula (3)
Thereby, the loading effect can be further suppressed.

また、本発明装置は、被処理物に処理ガスを接触させて前記被処理物の表面を処理する装置であって、
処理ヘッドと、この処理ヘッドに対し被処理物を仮想の面に沿って移動方向へ相対速度ｖにて相対移動させる移動手段と、前記処理ヘッドと前記仮想面との間の間隔を調節する間隔調節手段とを備え、
前記処理ヘッドには、前記処理ガスを噴出する噴出口と、この噴出口から前記移動方向の上流側に離れた位置でガスを吸引する第１吸引口と、前記噴出口から前記移動方向の下流側に前記噴出口と前記第１吸引口との間の距離と等距離離れた位置でガスを前記第１吸引口と略等しい吸引圧で吸引する第２吸引口とが形成され、
前記噴出口と前記第２吸引口との間の処理ガスの前記処理ヘッドに対する平均流速φａｖと前記相対速度ｖとの比が、下式（１）を満たすよう、前記間隔調節手段によって前記間隔調節がなされることを特徴とする。
０．５＜ｖ／φａｖ≦３ …式（１）
これによって、装置構造を複雑化させることなく、ローディング効果を抑制できる。式（１）を満たすための操作を前記間隔調節手段によって行なうことができるため、前記相対速度ｖにつては生産ラインの要求に応じて設定でき、前記処理ガスの噴出流量については処理のレシピに基づいて設定できる。 The apparatus of the present invention is a device for treating a surface of the object to be treated by bringing a treatment gas into contact with the object to be treated,
A processing head, a moving means for moving the object to be processed relative to the processing head in a moving direction at a relative speed v along the virtual surface, and an interval for adjusting an interval between the processing head and the virtual surface Adjusting means,
The processing head includes a spout for ejecting the processing gas, a first suction port for sucking gas at a position away from the spout to the upstream side in the moving direction, and a downstream side in the moving direction from the spout. A second suction port for sucking a gas at a suction pressure substantially equal to the first suction port at a position equidistant from the distance between the jet port and the first suction port on the side;
The interval adjusting means adjusts the interval so that the ratio of the average flow velocity φav of the processing gas between the jet port and the second suction port to the processing head and the relative velocity v satisfies the following expression (1). Is made.
0.5 <v / φav ≦ 3 (1)
As a result, the loading effect can be suppressed without complicating the device structure. Since the operation for satisfying the equation (1) can be performed by the interval adjusting means, the relative speed v can be set according to the demand of the production line, and the flow rate of the processing gas can be set in the processing recipe. Can be set based on.

前記比が下式（２）を満たすよう、前記間隔調節がなされることが好ましい。
２／３≦ｖ／φａｖ≦３／２ …式（２）
これによって、ローディング効果を一層抑制できる。 The interval adjustment is preferably performed so that the ratio satisfies the following formula (2).
2/3 ≦ v / φav ≦ 3/2 Formula (2)
Thereby, the loading effect can be further suppressed.

前記比が下式（３）を満たすよう、前記間隔調節がなされることが好ましい。
０．９５＜ｖ／φａｖ＜１．０５ …式（３）
これによって、ローディング効果をより一層抑制できる。 The interval adjustment is preferably performed so that the ratio satisfies the following expression (3).
0.95 <v / φav <1.05 Formula (3)
Thereby, the loading effect can be further suppressed.

前記第１吸引口及び前記第２吸引口の前記移動方向に沿う開口幅が、前記間隔より十分に大きいことが好ましい。
これによって、第１、第２吸引口におけるガスのコンダクタンスを処理ヘッドと被処理物との間におけるガスのコンダクタンスより十分に大きくでき、第１吸引口の吸引圧と第２吸引口の吸引圧を容易に等圧にすることができる。 It is preferable that an opening width along the moving direction of the first suction port and the second suction port is sufficiently larger than the interval.
Thereby, the conductance of the gas at the first and second suction ports can be made sufficiently larger than the conductance of the gas between the processing head and the workpiece, and the suction pressure at the first suction port and the suction pressure at the second suction port can be increased. It can be easily made equal pressure.

本発明によれば、装置構造を複雑化させることなく、ローディング効果を抑制できる。   According to the present invention, the loading effect can be suppressed without complicating the device structure.

本発明の一実施形態に係る表面処理装置の概略構成を示す正面断面図である。It is front sectional drawing which shows schematic structure of the surface treatment apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 上記表面処理装置の処理ヘッドの内部構造を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the internal structure of the process head of the said surface treatment apparatus. 上記表面処理装置の処理路内での処理ガスの流速分布を、移動速度ｖと平均流速φａｖの比がｖ／φａｖ＝０．５の状態で移動速度ｖを１として示すグラフであり、（ａ）は左処理路の流速分布であり、（ｂ）は右処理路の流速分布である。FIG. 6 is a graph showing the flow velocity distribution of the processing gas in the processing path of the surface treatment apparatus, with the moving velocity v being 1 when the ratio of the moving velocity v to the average flow velocity φav is v / φav = 0.5; ) Is the flow velocity distribution of the left processing path, and (b) is the flow velocity distribution of the right processing path. 上記表面処理装置の処理路内での処理ガスの流速分布を、移動速度ｖと平均流速φａｖの比がｖ／φａｖ＝２／３の状態で移動速度ｖを１として示すグラフであり、（ａ）は左処理路の流速分布であり、（ｂ）は右処理路の流速分布である。FIG. 6 is a graph showing the flow velocity distribution of the processing gas in the processing path of the surface treatment apparatus, with the movement velocity v being 1 when the ratio of the movement velocity v and the average flow velocity φav is v / φav = 2/3; ) Is the flow velocity distribution of the left processing path, and (b) is the flow velocity distribution of the right processing path. 上記表面処理装置の処理路内での処理ガスの流速分布を、移動速度ｖと平均流速φａｖの比がｖ／φａｖ＝１の状態で移動速度ｖを１として示すグラフであり、（ａ）は左処理路の流速分布であり、（ｂ）は右処理路の流速分布である。FIG. 7 is a graph showing the flow velocity distribution of the processing gas in the processing path of the surface treatment apparatus, where the moving velocity v is 1 when the ratio of the moving velocity v and the average flow velocity φav is v / φav = 1; It is a flow velocity distribution of the left processing path, and (b) is a flow velocity distribution of the right processing path. 上記表面処理装置の処理路内での処理ガスの流速分布を、移動速度ｖと平均流速φａｖの比がｖ／φａｖ＝３／２の状態で移動速度ｖを１として示すグラフであり、（ａ）は左処理路の流速分布であり、（ｂ）は右処理路の流速分布である。FIG. 6 is a graph showing the flow velocity distribution of the processing gas in the processing path of the surface treatment apparatus, with the movement velocity v being 1 when the ratio of the movement velocity v and the average flow velocity φav is v / φav = 3/2, (a ) Is the flow velocity distribution of the left processing path, and (b) is the flow velocity distribution of the right processing path. 上記表面処理装置の処理路内での処理ガスの流速分布を、移動速度ｖと平均流速φａｖの比がｖ／φａｖ＝２の状態で移動速度ｖを１として示すグラフであり、（ａ）は左処理路の流速分布であり、（ｂ）は右処理路の流速分布である。FIG. 6 is a graph showing the flow velocity distribution of the processing gas in the processing path of the surface treatment apparatus, with the moving velocity v being 1 when the ratio of the moving velocity v and the average flow velocity φav is v / φav = 2. It is a flow velocity distribution of the left processing path, and (b) is a flow velocity distribution of the right processing path. 上記表面処理装置の処理路内での処理ガスの流速分布を、移動速度ｖと平均流速φａｖの比がｖ／φａｖ＝３の状態で移動速度ｖを１として示すグラフであり、（ａ）は左処理路の流速分布であり、（ｂ）は右処理路の流速分布である。FIG. 7 is a graph showing the flow velocity distribution of the processing gas in the processing path of the surface treatment apparatus, with the moving velocity v being 1 when the ratio of the moving velocity v and the average flow velocity φav is v / φav = 3, (a) It is a flow velocity distribution of the left processing path, and (b) is a flow velocity distribution of the right processing path. 上記表面処理装置の処理路内での処理ガスの流速分布を、移動速度ｖと平均流速φａｖの比がｖ／φａｖ＝１０の状態で移動速度ｖを１として示すグラフであり、（ａ）は左処理路の流速分布であり、（ｂ）は右処理路の流速分布である。FIG. 6 is a graph showing the flow velocity distribution of the processing gas in the processing path of the surface treatment apparatus, with the movement velocity v being 1 when the ratio of the movement velocity v and the average flow velocity φav is v / φav = 10, (a) It is a flow velocity distribution of the left processing path, and (b) is a flow velocity distribution of the right processing path. 処理ヘッドの底部構造の変形例を示す底面図である。It is a bottom view which shows the modification of the bottom part structure of a processing head.

以下、本発明の一実施形態を説明する。
図１に示すように、この実施形態の被処理物９は、例えば大型液晶パネル用の平面視四角形のガラス基板である。ガラス基板９の左右方向の寸法は、例えば２．５ｍ程度であり、前後方向（図１の紙面と直交する方向）の寸法は、例えば２ｍ程度である。上記の寸法はあくまで例示であって、本発明は被処理物９の大きさを任意に設定できる。
ガラス基板９の表面にはアモルファスシリコン（図示せず）等の膜が形成されている。この膜を表面処理装置１にてエッチングする。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.
As shown in FIG. 1, the workpiece 9 of this embodiment is, for example, a rectangular glass substrate for a large liquid crystal panel. The dimension of the glass substrate 9 in the left-right direction is, for example, about 2.5 m, and the dimension in the front-rear direction (direction orthogonal to the paper surface of FIG. 1) is, for example, about 2 m. The above dimensions are merely examples, and the present invention can arbitrarily set the size of the workpiece 9.
A film of amorphous silicon (not shown) or the like is formed on the surface of the glass substrate 9. This film is etched by the surface treatment apparatus 1.

表面処理装置１は、ステージ１０と、このステージ１０の上方に配置された処理ヘッド２０を備えている。ステージ１０の上面に被処理物収容凹部１０ａが形成されている。この凹部１０ａ内に被処理物９が配置されている。被処理物９の上面（被処理面）と凹部１０ａより外側のステージ１０の上面１０ｂとは面一になっている。これら被処理物９の上面とステージ外側上面１０ｂとが、水平な仮想面ＰＬ上に位置されている。   The surface treatment apparatus 1 includes a stage 10 and a treatment head 20 disposed above the stage 10. A workpiece receiving recess 10 a is formed on the upper surface of the stage 10. A workpiece 9 is disposed in the recess 10a. The upper surface (surface to be processed) of the workpiece 9 and the upper surface 10b of the stage 10 outside the recess 10a are flush with each other. The upper surface of the workpiece 9 and the stage outer upper surface 10b are positioned on the horizontal virtual plane PL.

ステージ１０には被処理物収容凹部１０ａが無くてもよく、ステージ１０の上面の全体が平らであってもよい。その場合、ステージ１０の上面に載置した被処理物９の外側に被処理物９と同じ厚さの補助板を配置し、被処理物９と補助板の上面が面一になるようにしてもよい。   The stage 10 may not have the workpiece receiving recess 10a, and the entire upper surface of the stage 10 may be flat. In that case, an auxiliary plate having the same thickness as that of the workpiece 9 is disposed outside the workpiece 9 placed on the upper surface of the stage 10 so that the upper surface of the workpiece 9 and the auxiliary plate are flush with each other. Also good.

ステージ１０は、移動手段２に接続されている。詳細な図示は省略するが、移動手段２は、モータ等の駆動部とこの駆動部とステージ１０を連結するベルト、チェーン、ギア列等の動力伝達部とを含んでいる。この移動手段２によって、ステージ１０ひいては被処理物９が仮想面ＰＬに沿って図１の白抜き矢印Ａで示す移動方向（右方向）に速度ｖで移動されるようになっている。移動手段２は、移動速度ｖを調節可能になっている。   The stage 10 is connected to the moving means 2. Although detailed illustration is omitted, the moving means 2 includes a drive unit such as a motor and a power transmission unit such as a belt, a chain, and a gear train that connects the drive unit and the stage 10. The moving means 2 moves the stage 10 and the workpiece 9 along the virtual plane PL at a speed v in the moving direction (right direction) indicated by the white arrow A in FIG. The moving means 2 can adjust the moving speed v.

移動手段２としてローラコンベアやベルトコンベアを用いてもよい。ただし、ローラコンベアを用いる場合には、ローラコンベア上にサセプタなどの支持台を隙間無く敷き詰めるのがよい。この場合、ローラコンベアやベルトコンベアがステージ１０に代わる被処理物９の支持手段を兼ねる。またサセプタなどの支持台が支持手段となる。   A roller conveyor or a belt conveyor may be used as the moving means 2. However, when a roller conveyor is used, it is preferable to spread a support base such as a susceptor on the roller conveyor without any gaps. In this case, the roller conveyor or the belt conveyor also serves as a support means for the object 9 to be processed instead of the stage 10. Further, a support base such as a susceptor is a support means.

処理ヘッド２０は、大略左右対称になっている。以下、処理ヘッド２０の左右一対の構成要素を互いに区別するときは、左側の構成要素の符号に「Ｌ」を付し、右側の構成要素の符号に「Ｒ」を付すことにする。   The processing head 20 is generally symmetrical. Hereinafter, when distinguishing the pair of left and right components of the processing head 20 from each other, “L” is attached to the symbol of the left component, and “R” is attached to the symbol of the right component.

処理ヘッド２０は、ハウジング２１を備えている。ハウジング２１の内部に直管からなるヘッダ路２２が設けられている。図１及び図２に示すように、ヘッダ路２２は移動方向Ａと直交する前後方向に延びている。図２に示すように、ヘッダ路２２の長手方向の一端部（例えば前側の端部）には、処理ガス供給路３ａを介して処理ガス供給手段３が連なり、他端部（例えば後側の端部）は閉塞されている。ヘッダ路２２の直径は十分大きく長手方向（図１の紙面直交方向）に流れるガスの圧力損失は無視することができる。   The processing head 20 includes a housing 21. A header path 22 made of a straight pipe is provided inside the housing 21. As shown in FIGS. 1 and 2, the header path 22 extends in the front-rear direction orthogonal to the moving direction A. As shown in FIG. 2, the processing gas supply means 3 is connected to one end (for example, the front end) of the header path 22 in the longitudinal direction via the processing gas supply path 3a, and the other end (for example, the rear side) The end) is closed. The diameter of the header path 22 is sufficiently large, and the pressure loss of the gas flowing in the longitudinal direction (the direction orthogonal to the plane of FIG. 1) can be ignored.

処理ガス供給手段３は、処理目的に応じた反応成分を含む処理ガス（処理流体）を処理ヘッド２０に供給するようになっている。例えば、被処理物９の表面のアモルファスシリコンをエッチング処理する場合、反応成分としてＨＦ及びＯ_３を含む処理ガスを用いる。ＨＦは、ＣＦ_４等のフッ素原料にＨ_２Ｏ等の水素原料を添加してプラズマ生成装置にてプラズマ化することにより生成することができる。Ｏ_３は、Ｏ_２を原料としオゾナイザーにて生成することができる。ＣＦ_４とＨ_２ＯとＯ_２の混合ガスをプラズマ生成装置にてプラズマ化することにしてもよい。 The processing gas supply means 3 supplies a processing gas (processing fluid) containing a reaction component according to the processing purpose to the processing head 20. For example, when the amorphous silicon on the surface of the workpiece 9 is etched, a processing gas containing HF and O ₃ as reaction components is used. HF can be generated by adding a hydrogen raw material such as H ₂ O to a fluorine raw material such as CF ₄ and turning it into a plasma by a plasma generator. O ₃ can be generated by an ozonizer using O ₂ as a raw material. A mixed gas of CF ₄ , H ₂ O, and O ₂ may be converted into plasma by a plasma generator.

さらに、処理ガス供給手段３には、流量制御手段３ｂが設けられている。流量制御手段３ｂは、マスフローコントローラや流量制御弁等で構成され、処理ガスの供給流量ｑを調節する。   Further, the processing gas supply means 3 is provided with a flow rate control means 3b. The flow rate control means 3b includes a mass flow controller, a flow rate control valve, and the like, and adjusts the supply flow rate q of the processing gas.

ヘッダ路２２の下側部には長手方向に延びるスリット状の分配口２２ａが形成されている。
分配口２２ａは、スリットに代えて、ヘッダ路２２の長手方向（図１の紙面に直交する方向）に一列に並べられた多数の小孔にて構成してもよい。 A slit-like distribution port 22a extending in the longitudinal direction is formed in the lower portion of the header path 22.
The distribution port 22a may be constituted by a large number of small holes arranged in a line in the longitudinal direction of the header path 22 (direction orthogonal to the paper surface of FIG. 1) instead of the slit.

分配口２２ａの下側に分配口２２ａと平行なスリット状の噴出路２３が連なっている。噴出路２３は、下方へ延びている。噴出路２３の下端部が、下方へ開口され、噴出口２３ａを構成している。   A slit-like ejection passage 23 parallel to the distribution port 22a is connected to the lower side of the distribution port 22a. The ejection path 23 extends downward. The lower end part of the ejection path 23 is opened downward, and comprises the ejection port 23a.

図１及び図２に示すように、処理ヘッド２０の下側部には左右一対の処理路画成部２４，２４が設けられている。各処理路画成部２４は、長手方向を前後に向け、幅方向を左右に向けた平板状になっている。処理路画成部２４は、例えばセラミック等の絶縁体で構成されているが、金属で構成されていてもよい。左右の処理路画成部２４，２４の対向端面どうしによって噴出口２３ａを含む噴出路２３の下側部分が画成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, a pair of left and right processing path defining units 24, 24 are provided on the lower side of the processing head 20. Each processing path defining unit 24 has a flat plate shape with the longitudinal direction facing front and rear and the width direction facing left and right. The processing path defining unit 24 is made of an insulator such as ceramic, but may be made of metal. The lower part of the ejection path 23 including the ejection port 23a is defined by the opposing end surfaces of the left and right processing path defining sections 24, 24.

図１に示すように、各処理路画成部２４の下面の全体が、水平かつ平らになっている。左右の処理路画成部２４Ｌ，２４Ｒの下面どうしは、互いに同一の水平面上に位置している。各処理路画成部２４Ｌ，２４Ｒの下面と、被処理物９の上面及びステージ外側上面１０ｂ（仮想面ＰＬ）とは、互いに平行になっている。左側（第１）の処理路画成部２４Ｌと、被処理物９の上面又はステージ外側上面１０ｂとの間には、左側（第１）の処理路２５Ｌが画成される。処理路２５Ｌの上下厚さ（処理路画成部２４Ｌの下面と仮想面ＰＬとの間の間隔ｄ）は、処理路２５Ｌの左右方向及び奥行き方向の全体にわたって一定の大きさになっている。右側（第２）の処理路画成部２４Ｒと、被処理物９の上面又はステージ外側上面１０ｂとの間には、右側（第２）の処理路２５Ｒが画成される。処理路２５Ｒの上下厚さ（処理路画成部２４Ｒの下面と仮想面ＰＬとの間の間隔ｄ）は、処理路２５Ｒの左右方向及び奥行き方向の全体にわたって一定の大きさになっている。左右の処理路２５Ｌ，２５Ｒの上下厚さは、互いに等しい。処理路２５の上下厚さすなわち処理路画成部２４と仮想面ＰＬとの間の間隔ｄの大きさは、例えばｄ＝数ｍｍ〜十数ｍｍ程度である。図１において間隔ｄの大きさは、誇張されている。左右の処理路２５Ｌ，２５ＲのＡ方向に沿う左右寸法（後記Ｌ１，Ｌ２）は、互いに等しく、かつ間隔ｄより十分に大きい。左右の処理路２５Ｌ，２５Ｒの奥行き（前後方向の寸法）は、互いに等しく、基板９の前後方向の寸法と略同じかそれより少し大きく、例えば２ｍ乃至それ以上である。左右の処理路２５Ｌ，２５Ｒは、互いに等しいガスコンダクタンスを有している。   As shown in FIG. 1, the entire lower surface of each processing path defining unit 24 is horizontal and flat. The lower surfaces of the left and right processing path defining units 24L and 24R are located on the same horizontal plane. The lower surfaces of the processing path defining units 24L and 24R and the upper surface of the workpiece 9 and the stage outer upper surface 10b (virtual surface PL) are parallel to each other. A left (first) processing path 25L is defined between the left (first) processing path defining unit 24L and the upper surface of the workpiece 9 or the stage outer upper surface 10b. The vertical thickness of the processing path 25L (the distance d between the lower surface of the processing path defining unit 24L and the virtual plane PL) has a constant size over the entire horizontal and depth directions of the processing path 25L. A right (second) processing path 25R is defined between the right (second) processing path defining unit 24R and the upper surface of the workpiece 9 or the stage outer upper surface 10b. The upper and lower thickness of the processing path 25R (the distance d between the lower surface of the processing path defining unit 24R and the virtual plane PL) is a constant size throughout the horizontal direction and the depth direction of the processing path 25R. The upper and lower thicknesses of the left and right processing paths 25L and 25R are equal to each other. The vertical thickness of the processing path 25, that is, the size of the distance d between the processing path defining unit 24 and the virtual plane PL is, for example, about d = several mm to several tens of mm. In FIG. 1, the distance d is exaggerated. The left and right dimensions (L1, L2 to be described later) along the A direction of the left and right processing paths 25L, 25R are equal to each other and sufficiently larger than the distance d. The depths (dimensions in the front-rear direction) of the left and right processing paths 25L and 25R are equal to each other and are substantially the same as or slightly larger than the dimension in the front-rear direction of the substrate 9, for example, 2 m or more. The left and right processing paths 25L and 25R have the same gas conductance.

図示は省略するが、ハウジング２１の前後両側部（図１の紙面手前側と奥側）には、前後の側壁が設けられており、この前後の側壁によって、ヘッダ路２２以外ではガス流の前後方向（図１の紙面直交方向）のベクトルが０になっている。   Although illustration is omitted, front and rear side walls are provided on both front and rear side portions (front side and back side in FIG. 1) of the housing 21, and the front and rear side walls provide gas flow front and rear except for the header path 22. The vector of the direction (the direction orthogonal to the plane of FIG. 1) is 0.

ハウジング２１の左側（移動方向Ａの上流側）の側壁２９Ｌの下端部と左処理路画成部２４Ｌとの間に左吸引口２６Ｌ（第１吸引口）が形成されている。ハウジング２１の右側（移動方向Ａの下流側）の側壁２９Ｒの下端部と右処理路画成部２４Ｒとの間に右吸引口２６Ｒ（第２吸引口）が形成されている。各吸引口２６は、処理路画成部２４の長手方向（図１の紙面直交方向）に処理路画成部２４と略同じ長さ延びている。
側壁２９の下端部は、処理路画成部２４の底面より上に位置しているが、処理路画成部２４の底面と同じ高さに位置していてもよく、処理路画成部２４の底面より下に突出していてもよい。 A left suction port 26L (first suction port) is formed between the lower end portion of the side wall 29L on the left side (upstream side in the movement direction A) of the housing 21 and the left processing path defining portion 24L. A right suction port 26R (second suction port) is formed between the lower end portion of the side wall 29R on the right side (downstream in the moving direction A) of the housing 21 and the right processing path defining portion 24R. Each suction port 26 extends in the longitudinal direction of the processing path defining unit 24 (in the direction orthogonal to the plane of FIG. 1) to substantially the same length as the processing path defining unit 24.
The lower end portion of the side wall 29 is positioned above the bottom surface of the processing path defining unit 24, but may be positioned at the same height as the bottom surface of the processing path defining unit 24. It may protrude below the bottom surface of.

左右の吸引口２６の開口幅Ｗ０（図１において左右方向の寸法）は、互いに等しく、間隔ｄより大きい。吸引口２６の開口幅Ｗ０は、間隔ｄの例えば２〜５倍以上である。
左吸引口２６Ｌは、噴出口２６より移動方向Ａの上流側に距離Ｌ１だけ離れて設けられている。右吸引口２６Ｌは、噴出口２６より移動方向Ａの下流側に距離Ｌ１だけ離れて設けられている。噴出口２３ａから左吸引口２６Ｌまでの距離Ｌ１と、噴出口２３ａから右２吸引口２６Ｒまでの距離Ｌ２は互いに等しい。距離Ｌ１，Ｌ２は、間隔ｄの４倍以上である。 The opening widths W0 (the dimensions in the left-right direction in FIG. 1) of the left and right suction ports 26 are equal to each other and larger than the interval d. The opening width W0 of the suction port 26 is, for example, 2 to 5 times the interval d.
The left suction port 26 </ b> L is provided at a distance L <b> 1 on the upstream side in the movement direction A from the ejection port 26. The right suction port 26L is provided on the downstream side in the moving direction A from the jet port 26 by a distance L1. The distance L1 from the jet port 23a to the left suction port 26L and the distance L2 from the jet port 23a to the right second suction port 26R are equal to each other. The distances L1 and L2 are at least four times the distance d.

左吸引口２６Ｌはハウジング２１内の左側部の吸引路２７Ｌに連なっている。右吸引口２６Ｒはハウジング２１内の右側部の吸引路２７Ｒに連なっている。左側の吸引経路２６Ｌ，２７Ｌのガスコンダクタンスと右側の吸引経路２６Ｒ，２７Ｒのガスコンダクタンスは、互いに等しく、かつ処理路２５のガスコンダクタンスより十分に大きい。   The left suction port 26L is connected to a suction path 27L on the left side in the housing 21. The right suction port 26R is connected to the suction path 27R on the right side in the housing 21. The gas conductances of the suction paths 26L and 27L on the left side and the gas conductances of the suction paths 26R and 27R on the right side are equal to each other and sufficiently larger than the gas conductance of the processing path 25.

左右の吸引路２７は、ハウジング２１の上部の共通吸引ポート２８に連なっている。吸引ポート２８から共通吸引管４ａが延び、この吸引管４ａが吸引手段４に連なっている。吸引手段４の駆動によって、左右の吸引口２６Ｌ，２６Ｒが互いに等しい吸引圧力になるようになっている。詳細な図示は省略するが、吸引手段４は、圧力制御弁（吸引圧力制御手段）や、流量制御弁（吸引流量制御手段）や、スクラバ（排ガス無害化手段）等を含んでいる。
左右の吸引路２７Ｌ，２７Ｒからそれぞれ個別の吸引管を引き出し、各吸引管に吸引圧力制御手段や吸引流量制御手段を設けることにしてもよい。 The left and right suction paths 27 are connected to a common suction port 28 at the top of the housing 21. A common suction pipe 4 a extends from the suction port 28, and the suction pipe 4 a is connected to the suction means 4. By driving the suction means 4, the left and right suction ports 26 </ b> L and 26 </ b> R have the same suction pressure. Although detailed illustration is omitted, the suction means 4 includes a pressure control valve (suction pressure control means), a flow rate control valve (suction flow rate control means), a scrubber (exhaust gas detoxification means), and the like.
Individual suction pipes may be drawn from the left and right suction paths 27L and 27R, and suction pressure control means and suction flow rate control means may be provided in each suction pipe.

更に、処理ヘッド２０には昇降式間隔調節手段３０が接続されている。詳細な図示は省略するが、昇降式間隔調節手段３０は、モータ、アクチュエータ等の駆動部と、この駆動部と処理ヘッド２０とを連結する連結部と、処理ヘッド２０を上下スライド可能に支持するスライドガイド等を含んでいる。この間隔調節手段３０によって処理ヘッド２０が昇降される。これによって、処理ヘッド２０と被処理物９又はステージ外側上面１０ｂとの間の間隔ｄを増減することができる。   Further, the processing head 20 is connected to a lifting / lowering interval adjusting means 30. Although detailed illustration is omitted, the elevating-type interval adjusting means 30 supports a driving unit such as a motor and an actuator, a connecting unit that connects the driving unit and the processing head 20, and the processing head 20 so as to be slidable up and down. Includes slide guides. The processing head 20 is moved up and down by the interval adjusting means 30. Thereby, the space | interval d between the process head 20 and the to-be-processed object 9 or the stage outer surface 10b can be increased / decreased.

上記構成の表面処理装置１を用いて被処理物９を表面処理する方法を説明する。
噴出工程
処理ガス供給手段３においてＨＦ、Ｏ_３等の反応成分を所定濃度含む処理ガスを生成し、この処理ガスを供給路３ａを介して処理ヘッド２０へ流量ｑにて供給する。図１の太矢印線ｆに示すように、処理ガスは、ヘッダ路２２の一端部に導入され、ヘッダ路２２の他端部へ向けて流れながら分配路２２ａから噴出路２３へ漸次流入する。この噴出路２３を経て、噴出口２３ａから下方へ、かつ噴出路２３の長手方向（図１の紙面直交方向）に均一に噴出される。そして、処理路２５に流入する。 A method for surface-treating the workpiece 9 using the surface treatment apparatus 1 having the above configuration will be described.
The ejection process process gas supply means 3 generates a process gas containing a predetermined concentration of reaction components such as HF and O ₃ , and supplies the process gas to the process head 20 through the supply path 3a at a flow rate q. As shown by a thick arrow line f in FIG. 1, the processing gas is introduced into one end of the header path 22 and gradually flows from the distribution path 22 a to the ejection path 23 while flowing toward the other end of the header path 22. Through this ejection path 23, it is ejected uniformly downward from the ejection opening 23a and in the longitudinal direction of the ejection path 23 (the direction perpendicular to the plane of FIG. 1). Then, it flows into the processing path 25.

移動工程
併行して、移動手段２によってステージ１０をＡ方向に速度ｖで移動させる。これより、ステージ１０上の被処理物９が処理ヘッド２０の下方に導入される。
反応工程
そして、処理路２５の処理ガスが被処理物９に接触し、処理ガス中の反応成分の反応が起き、被処理物９の表面処理がなされる。 In parallel with the movement process , the stage 10 is moved in the A direction at a speed v by the moving means 2. Thus, the workpiece 9 on the stage 10 is introduced below the processing head 20.
In the reaction step , the processing gas in the processing path 25 comes into contact with the object 9 to be processed, reaction of reaction components in the processing gas occurs, and the surface treatment of the object 9 is performed.

吸引工程
更に、吸引手段４を駆動し、左右の吸引口２６Ｌ，２６Ｒ周辺を互いに等しい負圧にする。左右の吸引口２６のガスコンダクタンスが十分大きいため、これら吸引口２６の周辺の圧力を容易に等圧にすることができる。この吸引圧によって、各吸引口２６に達した処理ガスや外部の雰囲気ガスが吸引口２６に吸い込まれ、吸引路２７、吸引ポート２８、吸引管４ａを順次経て、吸引手段４へ送られる。そして、吸引手段４内の無害化手段にて無害化された後、排出される。吸引流量は噴出流量ｑより十分に大きい。 Suction process Further, the suction means 4 is driven so that the left and right suction ports 26L, 26R have negative pressures equal to each other. Since the gas conductance of the left and right suction ports 26 is sufficiently large, the pressure around the suction ports 26 can be easily made equal. With this suction pressure, the processing gas reaching the suction ports 26 and the external atmospheric gas are sucked into the suction ports 26 and sent to the suction means 4 through the suction path 27, the suction port 28, and the suction pipe 4a in this order. And after detoxifying by the detoxifying means in the suction means 4, it is discharged. The suction flow rate is sufficiently larger than the ejection flow rate q.

設定工程
ここで、右処理路２５Ｒ内すなわち噴出口２３ａから第２吸引口２６Ｒまでの間の処理ガスの平均流速をφａｖとすると、次式（１）が満たされるように、関係諸量を設定しておく。
０．５＜ｖ／φａｖ≦３ …式（１）
好ましくは次式（２）が満たされるように設定しておく。
２／３≦ｖ／φａｖ≦３／２ …式（２）
より好ましくは次式（３）が満たされるように設定しておく。
０．９５＜ｖ／φａｖ＜１．０５ …式（３）
平均流速φａｖは、供給手段３からの処理ガスの投入流量ｑを処理路２５の流路断面積で除することで求められる。
たとえば、処理路２５内での処理ガスの平均流速φａｖは、処理ガスが左右の処理路２５L、２５Ｒに分流するしないに関わらず、
φａｖ＝ｑ／（Ｗ×ｄ）
で与えられる。ここで、Ｗは、図２に示すように処理路２５の流路幅（図１の紙面と直交する方向の寸法）であり、ｄは、処理路２５の上下厚さ（処理路画成部２４の下面と仮想面ＰＬとの間の間隔）である。
たとえば、流路幅Ｗが２．５ｍ、間隔ｄが４ｍｍ、ガス投入流量ｑが５０Ｌ/ｍｉｎのときは、平均流速は、
φａｖ＝（５０×１０^−３／｛２．５×（４×１０^−３）｝＝５ｍ／ｍｉｎである。 Setting Step Here, when the average flow velocity of the processing gas in the right processing path 25R, that is, between the jet port 23a and the second suction port 26R is φav, the various quantities are set so that the following equation (1) is satisfied. Keep it.
0.5 <v / φav ≦ 3 (1)
Preferably, it sets so that following Formula (2) may be satisfy | filled.
2/3 ≦ v / φav ≦ 3/2 Formula (2)
More preferably, it is set so that the following expression (3) is satisfied.
0.95 <v / φav <1.05 Formula (3)
The average flow velocity φav is obtained by dividing the flow rate q of the processing gas supplied from the supply means 3 by the flow path cross-sectional area of the processing path 25.
For example, the average flow velocity φav of the processing gas in the processing path 25 is irrespective of whether the processing gas is divided into the left and right processing paths 25L and 25R.
φav = q / (W × d)
Given in. Here, W is the flow path width of the processing path 25 (dimension in the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 1) as shown in FIG. 2, and d is the vertical thickness of the processing path 25 (processing path defining section). 24 between the lower surface of 24 and the virtual surface PL).
For example, when the flow path width W is 2.5 m, the interval d is 4 mm, and the gas input flow rate q is 50 L / min, the average flow velocity is
φav = (50 × 10 ⁻³ /{2.5×(4×10 ⁻³ )} = 5 m / min.

上記の式（１）〜（３）の何れかが満たされるようにするための関係諸量は、主に、被処理物９の移動速度ｖ、処理ガスの噴出流量ｑ、処理ヘッド２０と被処理物９又はステージ外側上面１０ｂとの間隔ｄの３つである。
移動速度ｖは、移動手段２によって調節できる。
処理ガス流量ｑは、処理ガス流量制御手段３ｂによって調節できる。
間隔ｄは、昇降式間隔調節手段３０によって調節できる。 The relational quantities for satisfying any of the above formulas (1) to (3) are mainly the moving speed v of the object 9 to be processed, the flow rate q of the processing gas, the processing head 20 and the target There are three distances d between the workpiece 9 and the stage upper surface 10b.
The moving speed v can be adjusted by the moving means 2.
The processing gas flow rate q can be adjusted by the processing gas flow rate control means 3b.
The interval d can be adjusted by the elevating type interval adjusting means 30.

一方、移動速度ｖは、生産ライン上の要求からある程度限定される。
処理ガス流量ｑは、処理レシピに関わるものであり、あまり自由度がない。
したがって、ある程度の自由度が許されるのは、間隔ｄである。この間隔ｄの大きさを他の規定の諸量ｖ、ｑ等に合わせて調節することにより、上記式（１）〜（３）の何れかが満たされるようにすることができる。
間隔ｄは、調節可能だが、上述したように処理路２５の全域に渡って一定値にしておくことが好ましい。 On the other hand, the moving speed v is limited to some extent due to demands on the production line.
The processing gas flow rate q is related to the processing recipe and does not have a high degree of freedom.
Therefore, it is the interval d that allows a certain degree of freedom. By adjusting the size of the distance d in accordance with other specified quantities v, q, etc., it is possible to satisfy any of the above formulas (1) to (3).
The interval d can be adjusted, but it is preferable that the interval d be a constant value over the entire area of the processing path 25 as described above.

図３〜図９は、処理路２５内の処理ガスの流速分布を示したグラフである。これらグラフにおいて（ａ）は、左処理路２５Ｌ内での流速分布を示し、（ｂ）は、右処理路２５Ｒ内での流速分布を示す。グラフの縦軸は、処理路２５内の上下方向の位置Ｈである。Ｈ＝０は、仮想面ＰＬすなわち被処理物９の上面又はステージ外側上面１０ｂの位置に対応する。Ｈ＝ｄは、処理路画成部２４の底面（処理ヘッド底面）の位置に対応する。グラフの横軸は移動速度ｖを１としたときの流速（φ／ｖ）である。正の側（φ／ｖ＞０）は、ガス流の向きが右方向（移動方向Ａと同じ方向）であることを示す。負の側（φ／ｖ＜０）は、ガス流の向きが左方向（移動方向Ａとは逆方向）であることを示す。   3 to 9 are graphs showing the flow velocity distribution of the processing gas in the processing path 25. In these graphs, (a) shows the flow velocity distribution in the left processing path 25L, and (b) shows the flow velocity distribution in the right processing path 25R. The vertical axis of the graph is the vertical position H in the processing path 25. H = 0 corresponds to the position of the virtual plane PL, that is, the upper surface of the workpiece 9 or the stage outer upper surface 10b. H = d corresponds to the position of the bottom surface (processing head bottom surface) of the processing path defining unit 24. The horizontal axis of the graph represents the flow velocity (φ / v) when the moving speed v is 1. The positive side (φ / v> 0) indicates that the direction of the gas flow is the right direction (the same direction as the moving direction A). The negative side (φ / v <0) indicates that the direction of the gas flow is the left direction (the direction opposite to the moving direction A).

図３は、移動速度ｖと右処理路２５Ｒ内の処理ガスの平均流速φａｖの比（ｖ／φａｖ）が、ｖ／φａｖ＝０．５のときを示す。
図４は、上記比が、ｖ／φａｖ＝２／３のときを示す。
図５は、上記比が、ｖ／φａｖ＝１のときを示す。
図６は、上記比が、ｖ／φａｖ＝１．５のときを示す。
図７は、上記比が、ｖ／φａｖ＝２のときを示す。
図８は、上記比が、ｖ／φａｖ＝３のときを示す。
図９は、上記比が、ｖ／φａｖ＝１０のときを示す。 FIG. 3 shows a case where the ratio (v / φav) of the moving speed v and the average flow velocity φav of the processing gas in the right processing path 25R is v / φav = 0.5.
FIG. 4 shows the above ratio when v / φav = 2/3.
FIG. 5 shows the above ratio when v / φav = 1.
FIG. 6 shows the above ratio when v / φav = 1.5.
FIG. 7 shows a case where the ratio is v / φav = 2.
FIG. 8 shows the above ratio when v / φav = 3.
FIG. 9 shows the above ratio when v / φav = 10.

図３〜図９に示すように、比（ｖ／φａｖ）の大きさに拘わらず、処理ヘッド２０の底面の高さ（Ｈ＝ｄ）では、処理ガスの流速φがφ＝０になる。被処理物９の上面の高さ（Ｈ＝０）では、処理ガスの流速φが移動速度ｖと等しくなる（φ＝ｖ）。   As shown in FIGS. 3 to 9, regardless of the ratio (v / φav), the flow velocity φ of the processing gas is φ = 0 at the bottom surface height (H = d) of the processing head 20. At the height of the upper surface of the workpiece 9 (H = 0), the processing gas flow velocity φ is equal to the moving velocity v (φ = v).

各図３〜図９の（ｂ）に示すように、右処理路２５Ｒでは、比（ｖ／φａｖ）の大きさに拘わらず、処理ヘッド２０の底面から被処理物９の上面までの上下方向の全ての位置（Ｈ＝ｄを除く）でガス流が右方向（移動方向Ａと同じ方向）を向く。   As shown in FIGS. 3 to 9B, in the right processing path 25R, the vertical direction from the bottom surface of the processing head 20 to the top surface of the workpiece 9 regardless of the ratio (v / φav). The gas flow is directed in the right direction (the same direction as the moving direction A) at all positions (except H = d).

これに対し、各図３〜図９の（ａ）に示すように、左処理路２５Ｌでは、比（ｖ／φａｖ）の大きさに応じて、左右両方向のガス流が形成される場合（図３〜図７）と、右方向のガス流だけになる場合（図８及び図９）とがある。左方向へのガス流は、処理路２５Ｌ内の上側部分（処理ヘッド２０に近い側）に形成され、右方向へのガス流は、処理路２５Ｌ内の下側部分（被処理物９に近い側）に形成される。左方向へのガス流は、比（ｖ／φａｖ）が小さいほど増加し、比（ｖ／φａｖ）が大きいほど減少する。反対に、右方向へのガス流は、比（ｖ／φａｖ）が小さいほど減少し、比（ｖ／φａｖ）が大きいほど増加する。   On the other hand, as shown in FIGS. 3 to 9A, in the left processing path 25L, a gas flow in both the left and right directions is formed according to the size of the ratio (v / φav) (FIG. 3). 3 to 7), and only the gas flow in the right direction (FIGS. 8 and 9). The gas flow in the left direction is formed in the upper part (side closer to the processing head 20) in the processing path 25L, and the gas flow in the right direction is in the lower part (close to the workpiece 9) in the processing path 25L. Side). The gas flow in the left direction increases as the ratio (v / φav) decreases, and decreases as the ratio (v / φav) increases. Conversely, the gas flow in the right direction decreases as the ratio (v / φav) decreases, and increases as the ratio (v / φav) increases.

図３（ａ）に示すように、比がｖ／φａｖ＝０．５の場合、左処理路２５Ｌ内の左方向への流れが比較的多く、右方向への流れは比較的少ない。したがって、左処理路２５Ｌ全体としては、ガス流の向きが左方向になる。左方向へのガス流量が大きいと、被処理物９の右端部（移動方向Ａの下流側の端部）が左処理路２５Ｌ内を通過するとき、未反応高濃度の処理ガスと接触する機会が多く、該被処理物９の右端部が中央部よりやや過剰に処理される。また、図３（ｂ）に示すように、右処理路２５Ｒ内では処理ガスの流速が被処理物９の移動速度ｖより大きいため、被処理物９の左端部（移動方向Ａの上流側の端部）が右処理路２５Ｒを通過するとき、未反応高濃度の処理ガスと接触する機会が多くなり、該被処理物９の左端部が中央部よりやや過剰に処理される。   As shown in FIG. 3A, when the ratio is v / φav = 0.5, the flow in the left direction in the left processing path 25L is relatively large and the flow in the right direction is relatively small. Therefore, the direction of the gas flow is leftward as the entire left processing path 25L. When the gas flow rate in the left direction is large, when the right end portion (the end portion on the downstream side in the moving direction A) of the workpiece 9 passes through the left processing path 25L, the opportunity to come into contact with the unreacted high-concentration processing gas. In many cases, the right end portion of the workpiece 9 is processed slightly more excessively than the central portion. Further, as shown in FIG. 3B, since the flow rate of the processing gas is larger than the moving speed v of the object 9 in the right processing path 25R, the left end of the object 9 (on the upstream side in the moving direction A). When the end) passes through the right processing path 25R, the opportunity to come into contact with the unreacted high-concentration processing gas increases, and the left end of the workpiece 9 is processed slightly more excessively than the center.

これに対し、ｖ／φａｖ＞０．５の場合、左方向へのガス流を右方向へのガス流によって減殺でき、左処理路２５Ｌ全体として左方向へのガス流の量を小さくできる。これによって、被処理物９の右端部が左処理路２５Ｌ内を通過するときの未反応高濃度の処理ガスと接触するガス分子数を減らすことができ、被処理物９の右端部の過剰処理を低減できる。また、右処理路２５Ｒ内では処理ガスの流速は加速されるが、それ以上に被処理物９の移動速度ｖが相対的に増えるために、被処理物９とガスの平均流速の速度差が減少し、被処理物９の左端部が右処理路２５Ｒを通過するときの未反応高濃度の処理ガスと接触する分子数を減らすことができ、被処理物９の左端部の過剰処理を低減できる。   On the other hand, when v / φav> 0.5, the gas flow in the left direction can be reduced by the gas flow in the right direction, and the amount of the gas flow in the left direction can be reduced as the entire left processing path 25L. As a result, the number of gas molecules that come into contact with the unreacted high-concentration processing gas when the right end portion of the workpiece 9 passes through the left processing path 25L can be reduced, and the right end portion of the workpiece 9 is excessively processed. Can be reduced. Further, the flow rate of the processing gas is accelerated in the right processing path 25R, but the moving speed v of the processing object 9 increases relatively more than that, so that the speed difference between the processing object 9 and the average flow speed of the gas is increased. It is possible to reduce the number of molecules that come into contact with the unreacted high-concentration processing gas when the left end of the workpiece 9 passes through the right processing path 25R, and reduce the excess processing of the left end of the workpiece 9 it can.

図８（ａ）に示すように、ｖ／φａｖ＝３の場合、左処理路２５Ｌ内では左方向への流れが無く、処理路２５Ｌ全体のガス流の向きが右方向になる。噴出口２３ａから噴出された処理ガスは、全て右処理路２５Ｒへ流入する。右処理路２５Ｒ内では、上下方向のどの位置でもガス流速が被処理物９より遅くなり、被処理物９が処理ガスを追い抜くようにＡ方向へ移動していく。つまり、被処理物９上では、左右の処理路２５Ｌ，２５Ｒを問わず、被処理物９上から見たガス流は常に右から左へ流れている。そのため、被処理物９の右端部が両処理路２５Ｌ，２５Ｒを通過するとき、未反応高濃度の処理ガスと接触する機会が多くなり、該被処理物９の右端部が中央部より過剰に処理される。（中央部の処理量に対する過剰度合いはｖ／φａｖ＝０．５の場合より大きくなる。）しかし、被処理物９の左端部ではローディング効果が起きない。   As shown in FIG. 8A, when v / φav = 3, there is no flow in the left direction in the left processing path 25L, and the direction of the gas flow in the entire processing path 25L is in the right direction. All the processing gas ejected from the ejection port 23a flows into the right processing path 25R. In the right processing path 25R, the gas flow velocity is slower than the workpiece 9 at any position in the vertical direction, and the workpiece 9 moves in the A direction so as to overtake the processing gas. That is, on the workpiece 9, the gas flow viewed from the workpiece 9 always flows from right to left regardless of the left and right processing paths 25 </ b> L and 25 </ b> R. For this reason, when the right end portion of the workpiece 9 passes through both the processing paths 25L and 25R, the opportunity to come into contact with the unreacted high-concentration processing gas is increased, and the right end portion of the workpiece 9 is more excessive than the central portion. It is processed. (The degree of excess with respect to the processing amount in the central portion is greater than in the case of v / φav = 0.5.) However, the loading effect does not occur at the left end portion of the workpiece 9.

これに対し、図９に示すように、ｖ／φａｖ＞３の場合、図８の場合と同様の理由により被処理物９の左端部ではローディング効果が起きないが、右端部でのローディング効果が大きくなり、ｖ／φａｖ＝３の場合に対するアドバンテージがなくなる。
したがって、比（ｖ／φａｖ）の上限を３とし、０．５＜ｖ／φａｖ≦３に設定することによりローディング効果を抑制できる。 On the other hand, as shown in FIG. 9, when v / φav> 3, the loading effect does not occur at the left end portion of the workpiece 9 for the same reason as in FIG. The advantage for the case of v / φav = 3 is lost.
Therefore, the loading effect can be suppressed by setting the upper limit of the ratio (v / φav) to 3 and setting 0.5 <v / φav ≦ 3.

図４（ａ）に示すように、ｖ／φａｖ＝２／３のときは、ｖ／φａｖ＝０．５（図３）のときより左処理路２５Ｌ内における左方向へのガス流が減少し、右方向へのガス流が増加する。したがって、左処理路２５Ｌ全体として左方向へのガス流の量を一層小さくできる。これによって、被処理物９の右端部が左処理路２５Ｌ内を通過するときの未反応高濃度の処理ガスと接触する機会を一層減らすことができ、被処理物９の右端部の過剰処理を一層低減できる。また、図４（ｂ）に示すように、右処理路２５Ｒ内では処理ガスの流速をｖ／φａｖ＝０．５（図３）のときより抑えて被処理物９の移動速度ｖに一層近づけることができる。したがって、被処理物９の左端部が右処理路２５Ｒを通過するときの未反応高濃度の処理ガスと接触する機会を一層減らすことができ、被処理物９の左端部の過剰処理を一層低減できる。   As shown in FIG. 4A, when v / φav = 2/3, the gas flow in the left direction in the left processing path 25L is smaller than when v / φav = 0.5 (FIG. 3). The gas flow to the right increases. Therefore, the amount of gas flow in the left direction as the entire left processing path 25L can be further reduced. As a result, the chance that the right end portion of the workpiece 9 contacts the unreacted high-concentration processing gas when passing through the left processing path 25L can be further reduced, and the right end portion of the workpiece 9 can be overtreated. It can be further reduced. Further, as shown in FIG. 4B, in the right processing path 25R, the flow rate of the processing gas is suppressed as compared with the case of v / φav = 0.5 (FIG. 3), and further closer to the moving speed v of the object 9 to be processed. be able to. Therefore, the chance that the left end portion of the workpiece 9 is in contact with the unreacted high-concentration processing gas when passing through the right processing path 25R can be further reduced, and excessive processing of the left end portion of the workpiece 9 is further reduced. it can.

図６（ａ）に示すように、ｖ／φａｖ＝１．５のときは、左処理路２５Ｌ内における右方向へのガス流を十分に増加させ、左方向へのガス流を十分に減少させることができる。したがって、被処理物９の右端部が左処理路２５Ｌ内を通過するときの過剰処理はあまり問題にならない。また、図６（ｂ）に示すように、右処理路２５Ｒ内では、ガス流速が全体としてｖ／φａｖ＝３（図８）のときより大きくなって被処理物９の速度ｖに一層近づく。これによって、被処理物９の右端部が右処理路２５Ｒ内を通過するときの未反応高濃度の処理ガスと接触する機会を一層減らすことができ、被処理物９の右端部の過剰処理を一層低減できる。
よって、比（ｖ／φａｖ）を２／３≦ｖ／φａｖ≦１．５に設定することにより、ローディング効果を一層抑制することができる。 As shown in FIG. 6A, when v / φav = 1.5, the gas flow in the right direction in the left processing path 25L is sufficiently increased and the gas flow in the left direction is sufficiently decreased. be able to. Accordingly, excessive processing when the right end portion of the workpiece 9 passes through the left processing path 25L is not a problem. In addition, as shown in FIG. 6B, in the right processing path 25R, the gas flow velocity as a whole becomes larger than when v / φav = 3 (FIG. 8) and approaches the speed v of the workpiece 9 further. As a result, the chance that the right end portion of the workpiece 9 contacts the unreacted high-concentration processing gas when passing through the right processing path 25R can be further reduced, and excessive processing of the right end portion of the workpiece 9 can be prevented. It can be further reduced.
Therefore, the loading effect can be further suppressed by setting the ratio (v / φav) to 2/3 ≦ v / φav ≦ 1.5.

図５（ａ）に示すように、ｖ／φａｖ＝１±０．０５のときは、左処理路２５Ｌ内における左方向へのガス流と右方向へのガス流が互いに等量になる。したがって、左処理路２５Ｌ全体としてガスの流れをゼロにできる。よって、被処理物９の右端部が左処理路２５Ｌ内を通過するときの過剰処理はほとんど起きない。   As shown in FIG. 5A, when v / φav = 1 ± 0.05, the gas flow in the left direction and the gas flow in the right direction in the left processing path 25L are equal to each other. Therefore, the gas flow can be made zero as the entire left processing path 25L. Therefore, excessive processing hardly occurs when the right end portion of the workpiece 9 passes through the left processing path 25L.

更に、図５（ｂ）に示すように、右処理路２５Ｒ内では、処理ガスと被処理物９の相対速度がゼロになる。したがって、被処理物９の各位置の処理量を互いに同じにすることができ、被処理物９の右端部が右処理路２５Ｒ内を通過するとき過剰処理が起きることはほとんどなく、被処理物９の左端部が右処理路２５Ｒ内を通過するときも過剰処理が起きることはほとんどない。
よって、比（ｖ／φａｖ）をｖ／φａｖ＝１±０．０５（すなわち０．９５＜ｖ／φａｖ＜１．０５）に設定することにより、ローディング効果をほぼ解消することができる。ここで、±０．０５％は一般的な流量の測定精度を考慮したものである。 Further, as shown in FIG. 5B, the relative velocity between the processing gas and the workpiece 9 becomes zero in the right processing path 25R. Accordingly, the processing amount at each position of the workpiece 9 can be made the same, and when the right end of the workpiece 9 passes through the right processing path 25R, there is almost no excessive processing, and the workpiece Even when the left end of 9 passes through the right processing path 25R, excessive processing hardly occurs.
Therefore, by setting the ratio (v / φav) to v / φav = 1 ± 0.05 (that is, 0.95 <v / φav <1.05), the loading effect can be almost eliminated. Here, ± 0.05% takes into account general flow rate measurement accuracy.

表面処理装置１によれば、被処理物９の端部の近くに吸引部や不活性ガス噴出部を設ける必要がなく、構造が複雑化するのを避けることができる。
処理ヘッド２０の左右外側からの雰囲気ガス流入を妨げる必要がなく、処理ヘッド２０の左右両壁２９の下端部と被処理物９又はステージ１０との間隔を狭くする必要がなく、壁２９の下端部が被処理物９やステージ１０に接触するのを防止することができる。 According to the surface treatment apparatus 1, it is not necessary to provide a suction part or an inert gas ejection part near the end of the workpiece 9, and it is possible to avoid a complicated structure.
It is not necessary to prevent the atmospheric gas from flowing from the left and right outer sides of the processing head 20, and it is not necessary to narrow the distance between the lower end portions of the left and right walls 29 of the processing head 20 and the workpiece 9 or the stage 10. It is possible to prevent the portion from coming into contact with the workpiece 9 and the stage 10.

本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の改変をなすことができる。
例えば、各処理路画成部２４は平面視四角形状に限られず、図１０に示すように、平面視半円形ないしは半楕円形にし、一対の処理路画成部２４，２４全体として平面視円形ないしは楕円形にしてもよい。
処理ヘッド２０に第１電極を設け、被処理物９の下側に第２電極を設け、これら電極間に電圧を印加することにより、処理路２５内で大気圧プラズマ放電を生成し、処理ガスを処理路２５内でプラズマ化し、このプラズマ化された処理ガスが被処理物９に接触して表面処理がなされるようにしてもよい。処理路画成部２４が、金属で構成され、上記第１電極として機能していてもよい。ステージ２０が、金属で構成され、上記第２電極として機能していてもよい。右処理路画成部２４Ｒを金属で構成し、上記第１電極として機能させ、右処理路２５Ｒをプラズマ空間にする一方、左処理路画成部２４Ｌはセラミック等の絶縁体で構成し、左処理路２５Ｒでは処理反応が起きないようにしてもよい。
移動手段２は、被処理物９をＡ方向にだけでなく、Ａ方向及びＡ方向とは反対方向に往復移動させるようになっていてもよい。
被処理物９が位置固定される一方、移動手段２が処理ヘッド２０に接続され、処理ヘッド２０がＡ方向とは逆方向（左方向）に移動されるようになっていてもよい。移動速度ｖは、被処理物９の処理ヘッド２０に対する相対速度である。また、平均流速φａｖは、処理路２５内での処理ガスの処理ヘッド２０に対する相対流速の平均値である。
被処理物９を、表面処理装置１の処理路画成部２４の長手方向（図１の紙面直交方向）及び幅方向（図１の左右方向）に対し斜めに相対移動させてもよい。
被処理物９を水平方向に対し斜めにし、処理路画成部２４の被処理物対向面を被処理物９と平行になるように傾けた状態で、被処理物９と処理ヘッド２０を相対移動させてもよい。
被処理物９を垂直にし、処理路画成部２４の被処理物対向面を被処理物９と平行になるように垂直にした状態で、被処理物９と処理ヘッド２０を相対移動させてもよい。
吸引口２６Ｌ，２６Ｒの近傍に圧力センサをそれぞれ設け、これら圧力センサの検出結果に基づいて、吸引口２６Ｌ，２６Ｒの周辺の圧力が互いに等しくなるよう制御することにしてもよい。
本発明は、エッチングに限られず、アッシング、成膜、洗浄、表面改質等の種々の表面処理に適用可能である。
本発明は、常圧下に限らず、減圧下でのプラズマ表面処理にも適用できる。
処理ガスは、全体がガス相になっているのに限られず、ミスト等を含んでいてもよい。
本発明は、オゾンや弗酸ベーパー（弗酸の蒸気またはミスト）を用いたエッチングやアッシング、シリコン含有原料の蒸気またはミストによる熱ＣＶＤ等にも適用できる。 The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.
For example, each processing path defining unit 24 is not limited to a square shape in plan view, and as shown in FIG. Or it may be oval.
A first electrode is provided on the processing head 20, a second electrode is provided on the lower side of the workpiece 9, and a voltage is applied between these electrodes, thereby generating an atmospheric pressure plasma discharge in the processing path 25, and a processing gas. May be converted into plasma in the processing path 25, and the plasma-processed processing gas may come into contact with the workpiece 9 to be surface-treated. The processing path defining unit 24 may be made of metal and function as the first electrode. The stage 20 may be made of metal and function as the second electrode. The right processing path defining part 24R is made of metal and functions as the first electrode, and the right processing path 25R is made into a plasma space, while the left processing path defining part 24L is made of an insulator such as ceramic, The processing reaction may be prevented from occurring in the processing path 25R.
The moving means 2 may reciprocate the workpiece 9 not only in the A direction but also in the A direction and the direction opposite to the A direction.
While the workpiece 9 is fixed in position, the moving means 2 may be connected to the processing head 20, and the processing head 20 may be moved in the direction opposite to the A direction (left direction). The moving speed v is a relative speed of the workpiece 9 with respect to the processing head 20. Further, the average flow velocity φav is an average value of the relative flow velocity of the processing gas with respect to the processing head 20 in the processing path 25.
The workpiece 9 may be relatively moved obliquely with respect to the longitudinal direction (the direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1) and the width direction (the left-right direction in FIG. 1) of the processing path defining unit 24 of the surface treatment apparatus 1.
In a state where the workpiece 9 is inclined with respect to the horizontal direction and the workpiece facing surface of the treatment path defining unit 24 is tilted so as to be parallel to the workpiece 9, the workpiece 9 and the processing head 20 are relative to each other. It may be moved.
In a state in which the workpiece 9 is vertical and the workpiece facing surface of the processing path defining unit 24 is perpendicular to the workpiece 9, the workpiece 9 and the processing head 20 are moved relative to each other. Also good.
Pressure sensors may be provided in the vicinity of the suction ports 26L and 26R, and control may be performed so that the pressures around the suction ports 26L and 26R are equal to each other based on the detection results of these pressure sensors.
The present invention is not limited to etching, and can be applied to various surface treatments such as ashing, film formation, cleaning, and surface modification.
The present invention is applicable not only to atmospheric pressure but also to plasma surface treatment under reduced pressure.
The processing gas is not limited to being entirely in the gas phase, and may contain mist or the like.
The present invention can also be applied to etching or ashing using ozone or hydrofluoric acid vapor (fluoric acid vapor or mist), thermal CVD using silicon-containing raw material vapor or mist, and the like.

本発明は、例えば半導体基板の製造やフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造に利用可能である。   The present invention can be used for manufacturing a semiconductor substrate and a flat panel display (FPD), for example.

１ 表面処理装置
２ 移動手段
３ 処理ガス供給手段
３ａ 処理ガス供給路
３ｂ 処理ガス流量制御手段
４ 吸引手段
４ａ 吸引管
５ 制御手段
９ 被処理物
１０ ステージ
１０ａ 凹部
１０ｂ ステージの凹部より外側の上面
２０ 処理ヘッド
２１ ハウジング
２２ ヘッダ路
２２ａ 分配路
２３ 噴出路
２３ａ 噴出口
２４Ｌ 左処理路画成部（第１処理路画成部）
２４Ｒ 右処理路画成部（第２処理路画成部）
２５Ｌ 左処理
路（第１処理路）
２５Ｒ 右処理路（第２処理路）
２６Ｌ 左吸引口（第１吸引口）
２６Ｒ 右吸引口（第２吸引口）
２７Ｌ 左吸引路（第１吸引路）
２７Ｒ 右吸引路（第２吸引路）
２８ 吸引ポート
２９Ｌ 左側壁（第１側壁）
２９Ｒ 右側壁（第２側壁）
３０ 昇降式間隔調節手段
Ａ 移動方向
ｄ 処理ヘッドと仮想面との間の間隔
ＰＬ 仮想面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Surface treatment apparatus 2 Moving means 3 Process gas supply means 3a Process gas supply path 3b Process gas flow rate control means 4 Suction means 4a Suction pipe 5 Control means 9 Processed object 10 Stage 10a Recess 10b Upper surface 20 outside the stage recess Head 21 Housing 22 Header path 22a Distribution path 23 Spout path 23a Spout 24L Left processing path defining part (first processing path defining part)
24R right processing path definition unit (second processing path definition unit)
25L left processing path (first processing path)
25R Right processing path (second processing path)
26L Left suction port (first suction port)
26R Right suction port (second suction port)
27L Left suction path (first suction path)
27R Right suction path (second suction path)
28 Suction port 29L Left side wall (first side wall)
29R Right side wall (second side wall)
30 Lifting type distance adjusting means A Movement direction d Distance between processing head and virtual surface PL Virtual surface

Claims (8)

被処理物に処理ガスを接触させて前記被処理物の表面を処理する方法であって、
前記被処理物を処理ヘッドに対し移動方向へ相対速度ｖにて相対移動させ、
前記処理ヘッドの噴出口から前記処理ガスを噴出し、
前記処理ヘッドの噴出口より前記移動方向の上流側に離れて設けられた第１吸引口からガスを吸引し、
前記処理ヘッドの噴出口より前記移動方向の下流側に前記噴出口と前記第１吸引口との間の距離と等距離離れて設けられた第２吸引口からガスを前記第１吸引口と略等しい吸引圧で吸引し、
前記噴出口と前記第２吸引口との間の処理ガスの前記処理ヘッドに対する平均流速φａｖと前記相対速度ｖとの比が、下式（１）を満たすようにすることを特徴とする表面処理方法。
０．５＜ｖ／φａｖ≦３ …式（１） A method of treating a surface of the object to be treated by bringing a treatment gas into contact with the object to be treated,
Moving the object to be processed relative to the processing head in the moving direction at a relative speed v;
The processing gas is ejected from the ejection port of the processing head,
A gas is sucked from a first suction port provided at an upstream side in the moving direction from the jet port of the processing head;
Gas from the second suction port provided at the same distance as the distance between the jet port and the first suction port on the downstream side in the movement direction from the jet port of the processing head is substantially the same as the first suction port. Suction with equal suction pressure,
The surface treatment is characterized in that the ratio of the average flow velocity φav of the processing gas between the jet port and the second suction port to the processing head and the relative velocity v satisfies the following formula (1): Method.
0.5 <v / φav ≦ 3 (1) 前記比が、下式（２）を満たすようにすることを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
２／３≦ｖ／φａｖ≦３／２ …式（２） The surface treatment method according to claim 1, wherein the ratio satisfies the following expression (2).
2/3 ≦ v / φav ≦ 3/2 Formula (2) 前記比が、下式（３）を満たすようにすることを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
０．９５＜ｖ／φａｖ＜１．０５ …式（３） The surface treatment method according to claim 1, wherein the ratio satisfies the following expression (3).
0.95 <v / φav <1.05 Formula (3) 被処理物に処理ガスを接触させて前記被処理物の表面を処理する装置であって、
処理ヘッドと、この処理ヘッドに対し被処理物を仮想の面に沿って移動方向へ相対速度ｖにて相対移動させる移動手段と、前記処理ヘッドと前記仮想面との間の間隔を調節する間隔調節手段とを備え、
前記処理ヘッドには、前記処理ガスを噴出する噴出口と、この噴出口から前記移動方向の上流側に離れた位置でガスを吸引する第１吸引口と、前記噴出口から前記移動方向の下流側に前記噴出口と前記第１吸引口との間の距離と等距離離れた位置でガスを前記第１吸引口と略等しい吸引圧で吸引する第２吸引口とが形成され、
前記噴出口と前記第２吸引口との間の処理ガスの前記処理ヘッドに対する平均流速φａｖと前記相対速度ｖとの比が下式（１）を満たすよう、前記間隔調節手段によって前記間隔調節がなされることを特徴とする表面処理装置。
０．５＜ｖ／φａｖ≦３ …式（１） An apparatus for processing a surface of the object to be processed by bringing a processing gas into contact with the object to be processed,
A processing head, a moving means for moving the object to be processed relative to the processing head in a moving direction at a relative speed v along the virtual surface, and an interval for adjusting an interval between the processing head and the virtual surface Adjusting means,
The processing head includes a spout for ejecting the processing gas, a first suction port for sucking gas at a position away from the spout to the upstream side in the moving direction, and a downstream side in the moving direction from the spout. A second suction port for sucking a gas at a suction pressure substantially equal to the first suction port at a position equidistant from the distance between the jet port and the first suction port on the side;
The interval adjustment is performed by the interval adjusting means so that the ratio of the average flow velocity φav of the processing gas between the ejection port and the second suction port to the processing head and the relative velocity v satisfies the following expression (1). A surface treatment apparatus characterized by being made.
0.5 <v / φav ≦ 3 (1) 前記比が下式（２）を満たすよう、前記間隔調節がなされることを特徴とする請求項４に記載の表面処理装置。
２／３≦ｖ／φａｖ≦３／２ …式（２） The surface treatment apparatus according to claim 4, wherein the interval adjustment is performed so that the ratio satisfies the following expression (2).
2/3 ≦ v / φav ≦ 3/2 Formula (2) 前記比が下式（３）を満たすよう、前記間隔調節がなされることを特徴とする請求項４に記載の表面処理装置。
０．９５＜ｖ／φａｖ＜１．０５ …式（３） The surface treatment apparatus according to claim 4, wherein the interval adjustment is performed so that the ratio satisfies the following expression (3).
0.95 <v / φav <1.05 Formula (3) 前記第１吸引口及び前記第２吸引口の前記移動方向に沿う開口幅が、前記間隔より十分に大きいことを特徴とする請求項４〜６の何れかに記載の表面処理装置。   The surface treatment apparatus according to claim 4, wherein an opening width of the first suction port and the second suction port along the moving direction is sufficiently larger than the interval. 請求項１〜３の何れかに記載の方法又は請求項４〜７の何れかに記載の装置にて表面処理されたことを特徴とする被処理物。   An object to be processed, which has been surface-treated with the method according to any one of claims 1 to 3 or the apparatus according to any one of claims 4 to 7.

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