JP2009200343A - ダイヤモンド電子素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の表面M1と第1の表面M1の反対側にある第2の表面M2とを有し、第1の表面M1から第2の表面M2に貫通する一または複数のコンタクトホール12の形成されたダイヤモンド基板2と、ダイヤモンド基板2の第1の表面M1上に設けられ、ダイヤモンドを含むp型のバルク層8またはバルク層20と、バルク層8またはバルク層20上に設けられ、ダイヤモンドを含むドリフト層10と、ドリフト層10上に設けられたショットキー電極16と、コンタクトホール12内に設けられ、バルク層8またはバルク層20に接続されたオーミック電極14とを備える。
【選択図】図1
Description
S.J. Rashid, A. Tajani, L. Coulbeck, M.Brezeanu, A. Garraway, T. Butler, N.L. Rupesinghe, D.J. Twitchen, G.A.J.Amaratunga, F. Udrea, P. Taylor, M. Dixon and J. Isberg、"Modelling of single-crystal diamond Schottky diodes for high-voltage applications Diamondand Related Materials"、DIAMOND AND RELATED MATERIALS、Volume 15、Issues 2-3、February-March 2006、Pages 317-323
Claims (6)
- 第1の表面と該第1の表面の反対側にある第2の表面とを有し、前記第1の表面から前記第2の表面に貫通する一または複数のコンタクトホールの形成されたダイヤモンド基板と、
前記ダイヤモンド基板の前記第1の表面上に設けられ、ダイヤモンドを含む所定導電型のバルク層と、
前記バルク層上に設けられ、ダイヤモンドを含むドリフト層と、
前記ドリフト層上に設けられたショットキー電極と、
前記コンタクトホール内に設けられ、前記バルク層に接続されたオーミック電極と
を備える、ことを特徴とするダイヤモンド電子素子。 - 前記バルク層は、不純物濃度の異なる複数のダイヤモンド層を含み、
前記複数のダイヤモンド層は、前記ダイヤモンド基板上に順次設けられ、該ダイヤモンド基板に近いほど不純物濃度が低い、
ことを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド電子素子。 - 前記コンタクトホールは、前記ダイヤモンド基板を貫通すると共に、前記バルク層内であって前記複数のダイヤモンド層のなかで最も不純物濃度の高いダイヤモンド層に至り、
前記オーミック電極は、前記最も不純物濃度の高いダイヤモンド層に接続している、
ことを特徴とする請求項2に記載のダイヤモンド電子素子。 - 前記コンタクトホール内に設けられた導電性部材を更に備える、ことを特徴とする請求項1〜3のうち何れか一項に記載のダイヤモンド電子素子。
- 前記ショットキー電極は、Ru、Mo、Pt、IrおよびAuの少なくとも一種類の金属を含む、ことを特徴とする請求項1〜4のうち何れか一項に記載のダイヤモンド電子素子。
- 前記第2の表面に設けられた前記一または複数のコンタクトホールの全開口が該第2の表面に占める割合は、10%以上50%以下である、ことを特徴とする請求項1〜5のうち何れか一項に記載のダイヤモンド電子素子。
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