JP2009192867A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】透明基板に対して略水平方向の電界を用いて液晶分子の配向を制御する液晶表示
装置において、開口率を低下させることなく補助容量を設ける。
【解決手段】第１の透明基板１０と第２の透明基板２０との間に、誘電率異方性Δεが負
の液晶分子Ｍが挟持されている。各画素１Ｐにおいて、第１の透明基板１０上には、透明
導電材料からなる共通電極１７及び画素電極１８の各線状部が交互に配置されている。第
２の透明基板２０には、透明導電材料からなり、画素電極１８と対向して延びる複数の線
状部と、それらの間に延びるスリット部２２Ｓを含む容量電極２２が配置されている。容
量電極２２には、それに接続された電圧印加手段１０３によって、共通電極１７に印加さ
れる共通電位ＣＯＭと同電位の電位ＳＣが印加される。各画素１Ｐの補助容量Ｃｓは、画
素電極１８、液晶層ＬＣ、容量電極２２によって構成される。
【選択図】図４
装置において、開口率を低下させることなく補助容量を設ける。
【解決手段】第１の透明基板１０と第２の透明基板２０との間に、誘電率異方性Δεが負
の液晶分子Ｍが挟持されている。各画素１Ｐにおいて、第１の透明基板１０上には、透明
導電材料からなる共通電極１７及び画素電極１８の各線状部が交互に配置されている。第
２の透明基板２０には、透明導電材料からなり、画素電極１８と対向して延びる複数の線
状部と、それらの間に延びるスリット部２２Ｓを含む容量電極２２が配置されている。容
量電極２２には、それに接続された電圧印加手段１０３によって、共通電極１７に印加さ
れる共通電位ＣＯＭと同電位の電位ＳＣが印加される。各画素１Ｐの補助容量Ｃｓは、画
素電極１８、液晶層ＬＣ、容量電極２２によって構成される。
【選択図】図４
Description
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、透明基板に対して略水平方向の電界を用いて液
晶分子の配向を制御する液晶表示装置に関する。
晶分子の配向を制御する液晶表示装置に関する。
高いコントラスト及び広視野角が得られる液晶表示装置として、液晶を挟持する２つの
透明基板に対して略水平方向の電界を用いて液晶分子の配向を制御する液晶表示装置、例
えば、ＩＰＳ（In-Plain Switching）モードやＦＦＳ（Fringe-Field Switching）モード
等により動作する液晶表示装置が知られている。この液晶表示装置では、一方の透明基板
に、表示信号が印加される画素電極と、共通電位が印加される共通電極の両者が配置され
る。
透明基板に対して略水平方向の電界を用いて液晶分子の配向を制御する液晶表示装置、例
えば、ＩＰＳ（In-Plain Switching）モードやＦＦＳ（Fringe-Field Switching）モード
等により動作する液晶表示装置が知られている。この液晶表示装置では、一方の透明基板
に、表示信号が印加される画素電極と、共通電位が印加される共通電極の両者が配置され
る。
ＩＰＳモードの液晶表示装置の一例について図面を参照して説明する。図９は、従来例
によるＩＰＳモードの液晶表示装置を示す断面図であり、説明の便宜上、表示領域に配置
される複数の画素の中から、１つの画素２Ｐのみが図示されている。
によるＩＰＳモードの液晶表示装置を示す断面図であり、説明の便宜上、表示領域に配置
される複数の画素の中から、１つの画素２Ｐのみが図示されている。
ガラス基板等からなる第１の透明基板１０と第２の透明基板２０との間に液晶層ＬＣが
挟持されている。第１の透明基板１０は光源ＢＬと対向している。第１の透明基板１０の
光源ＢＬと対向する側には第１の偏光板１１が配置されており、光源ＢＬと対向しない側
にはポリシリコン等からなる第１の半導体層１２Ａ及び第２の半導体層１２Ｂが配置され
ている。第１の半導体層１２Ａは画素トランジスタＴＲの能動層であり、第２の半導体層
１２Ｂは画素トランジスタＴＲに接続される補助容量１０Ｃを構成する容量電極である。
第１の半導体層１２Ａ及び第２の半導体層１２Ｂはゲート絶縁膜１３に覆われている。第
１の半導体層１２Ａと重畳するゲート絶縁膜１３上には、ゲート電極として画素選択信号
線ＧＬの一部が延びている。第２の半導体層１２Ｂと重畳するゲート絶縁膜１３上には、
補助容量１０Ｃを構成するもう１つの容量電極として、補助容量線ＳＬが延びている。こ
こで、第２の半導体層１２Ｂを覆うゲート絶縁膜１３は、補助容量１０Ｃの容量絶縁膜と
して機能する。
挟持されている。第１の透明基板１０は光源ＢＬと対向している。第１の透明基板１０の
光源ＢＬと対向する側には第１の偏光板１１が配置されており、光源ＢＬと対向しない側
にはポリシリコン等からなる第１の半導体層１２Ａ及び第２の半導体層１２Ｂが配置され
ている。第１の半導体層１２Ａは画素トランジスタＴＲの能動層であり、第２の半導体層
１２Ｂは画素トランジスタＴＲに接続される補助容量１０Ｃを構成する容量電極である。
第１の半導体層１２Ａ及び第２の半導体層１２Ｂはゲート絶縁膜１３に覆われている。第
１の半導体層１２Ａと重畳するゲート絶縁膜１３上には、ゲート電極として画素選択信号
線ＧＬの一部が延びている。第２の半導体層１２Ｂと重畳するゲート絶縁膜１３上には、
補助容量１０Ｃを構成するもう１つの容量電極として、補助容量線ＳＬが延びている。こ
こで、第２の半導体層１２Ｂを覆うゲート絶縁膜１３は、補助容量１０Ｃの容量絶縁膜と
して機能する。
ゲート絶縁膜１３、画素選択信号線ＧＬ、及び補助容量線ＳＬは、層間絶縁膜１４に覆
われている。層間絶縁膜１４上には、表示信号線ＤＬと電極１５が配置されている。表示
信号線ＤＬは、コンタクトホールＣＨ１を通して第１の半導体層１２Ａのドレイン領域１
２Ｄと接続されている。電極１５は、コンタクトホールＣＨ２を通して第１の半導体層１
２Ａのソース領域１２Ｓと接続されると共に、コンタクトホールＣＨ３を通して第２の半
導体層１２Ｂと接続されている。これらは平坦化膜１６に覆われており、平坦化膜１６上
にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）あるいはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材
料からなり共通電位が印加される共通電極１７が配置されている。共通電極１７は、表示
に寄与する領域では複数の線状部となって延びており、それ以外の領域（不図示）におい
て、各線状部が互いに接続されている。
われている。層間絶縁膜１４上には、表示信号線ＤＬと電極１５が配置されている。表示
信号線ＤＬは、コンタクトホールＣＨ１を通して第１の半導体層１２Ａのドレイン領域１
２Ｄと接続されている。電極１５は、コンタクトホールＣＨ２を通して第１の半導体層１
２Ａのソース領域１２Ｓと接続されると共に、コンタクトホールＣＨ３を通して第２の半
導体層１２Ｂと接続されている。これらは平坦化膜１６に覆われており、平坦化膜１６上
にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）あるいはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材
料からなり共通電位が印加される共通電極１７が配置されている。共通電極１７は、表示
に寄与する領域では複数の線状部となって延びており、それ以外の領域（不図示）におい
て、各線状部が互いに接続されている。
各共通電極１７の線状部の間には、所定の距離で離間して、ＩＴＯあるいはＩＺＯ等の
透明導電材料からなり表示信号が印加される画素電極１８が配置されている。画素電極１
８は、各共通電極１７の間の領域では複数の線状部となって延びており、それ以外の領域
（不図示）において、各線状部が互いに接続されている。画素電極１８はコンタクトホー
ルＣＨ４を通して電極１５と接続されている。共通電極１７と画素電極１８は、第１の配
向膜１９に覆われている。
透明導電材料からなり表示信号が印加される画素電極１８が配置されている。画素電極１
８は、各共通電極１７の間の領域では複数の線状部となって延びており、それ以外の領域
（不図示）において、各線状部が互いに接続されている。画素電極１８はコンタクトホー
ルＣＨ４を通して電極１５と接続されている。共通電極１７と画素電極１８は、第１の配
向膜１９に覆われている。
一方、第２の透明基板２０には、液晶層ＬＣと対向しない側に、第１の偏光板１１と直
交する透過軸を有した第２の偏光板２１が配置されている。第２の透明基板２０上であっ
て液晶層ＬＣと対向する側には、ブラックマトリクス（不図示）とカラーフィルタ（不図
示）が配置されている。これらは、第１の配向膜１１のラビング方向と平行なラビング方
向を有した第２の配向膜２５に覆われている。
交する透過軸を有した第２の偏光板２１が配置されている。第２の透明基板２０上であっ
て液晶層ＬＣと対向する側には、ブラックマトリクス（不図示）とカラーフィルタ（不図
示）が配置されている。これらは、第１の配向膜１１のラビング方向と平行なラビング方
向を有した第２の配向膜２５に覆われている。
第１の透明基板１０と第２の透明基板２０によって挟持された液晶層ＬＣの液晶分子Ｍ
は、配向膜１９，２５のラビング方向に応じて初期配向される。そして、画素電極１８に
表示信号が印加されると、共通電極１７と画素電極１８との間で第１の透明基板１０に対
して略水平方向に延びる電界（以降、水平電界成分と呼ぶ）に応じて、液晶層ＬＣの液晶
分子Ｍの配向方向が制御される。この液晶層ＬＣを介して光学的制御が行われ、白表示又
は黒表示が行われる。その際、表示信号は補助容量１０Ｃによって一定期間保持される。
は、配向膜１９，２５のラビング方向に応じて初期配向される。そして、画素電極１８に
表示信号が印加されると、共通電極１７と画素電極１８との間で第１の透明基板１０に対
して略水平方向に延びる電界（以降、水平電界成分と呼ぶ）に応じて、液晶層ＬＣの液晶
分子Ｍの配向方向が制御される。この液晶層ＬＣを介して光学的制御が行われ、白表示又
は黒表示が行われる。その際、表示信号は補助容量１０Ｃによって一定期間保持される。
なお、透明基板に対して略水平方向の電界を用いて液晶分子の配向を制御する液晶表示
装置については、特許文献１に記載されている。
特開２００７−２３２７８５号公報
装置については、特許文献１に記載されている。
しかしながら、上述した液晶表示装置では、補助容量１０Ｃを構成する容量電極として
、クロム（Ｃｒ）あるいはモリブデン（Ｍｏ）等の有色金属材料からなる補助容量線ＳＬ
を、画素２Ｐ内の第１の透明基板１０に形成する必要があった。この補助容量線ＳＬの形
成領域は表示に寄与しないため、画素２Ｐの開口率が低下するという問題が生じていた。
また、補助容量１０Ｃにかかる製造工程が複雑化して、製造コストの低下を阻害していた
。
、クロム（Ｃｒ）あるいはモリブデン（Ｍｏ）等の有色金属材料からなる補助容量線ＳＬ
を、画素２Ｐ内の第１の透明基板１０に形成する必要があった。この補助容量線ＳＬの形
成領域は表示に寄与しないため、画素２Ｐの開口率が低下するという問題が生じていた。
また、補助容量１０Ｃにかかる製造工程が複雑化して、製造コストの低下を阻害していた
。
本発明の液晶表示装置は、上記課題に鑑みてなされたものであり、複数の画素を備え、
各画素は、第１の基板と第２の基板に挟持された液晶層と、第１の基板上に配置され共通
電位が印加される共通電極と、第１の基板上に共通電極に対して交互に配置され表示信号
が印加される画素電極と、第２の基板上に配置され少なくとも１つの画素電極と対向して
延びる線状部を有し画素電極と重畳しない領域に開口部を有した対向電極と、を具備する
ことを特徴とする。
各画素は、第１の基板と第２の基板に挟持された液晶層と、第１の基板上に配置され共通
電位が印加される共通電極と、第１の基板上に共通電極に対して交互に配置され表示信号
が印加される画素電極と、第２の基板上に配置され少なくとも１つの画素電極と対向して
延びる線状部を有し画素電極と重畳しない領域に開口部を有した対向電極と、を具備する
ことを特徴とする。
また、本発明の液晶表示装置は、上記構成において、液晶層は、負の誘電率異方性を有
していることを特徴とする。
していることを特徴とする。
また、本発明の液晶表示装置は、上記構成において、対向電極は、複数の画素電極と対
向して延びる複数の線状部と、各画素電極と重畳しない領域を開口する複数のスリット部
と、を有することを特徴とする。
向して延びる複数の線状部と、各画素電極と重畳しない領域を開口する複数のスリット部
と、を有することを特徴とする。
また、本発明の液晶表示装置は、上記構成において、対向電極は、画素電極および前記
液晶層と共に補助容量を構成することを特徴とする。
液晶層と共に補助容量を構成することを特徴とする。
また、本発明の液晶表示装置は、上記構成において、対向電極は、各画素の境界を覆う
遮光性の導電材料で形成され、少なくとも、各画素の端部に配置された画素電極と対向し
て延びること特徴とする。
遮光性の導電材料で形成され、少なくとも、各画素の端部に配置された画素電極と対向し
て延びること特徴とする。
また、本発明の液晶表示装置は、上記構成において、対向電極は、複数の画素電極と対
向して延びる複数の線状部と、各画素電極と重畳しない領域を開口する複数のスリット部
と、各画素の境界を覆うと共に、少なくとも各画素の端部に配置された画素電極と対向し
て延びる導電性の遮光部と、を有することを特徴とする。
向して延びる複数の線状部と、各画素電極と重畳しない領域を開口する複数のスリット部
と、各画素の境界を覆うと共に、少なくとも各画素の端部に配置された画素電極と対向し
て延びる導電性の遮光部と、を有することを特徴とする。
また、本発明の液晶表示装置は、上記構成において、線状部は、導電性の透光性材料か
らなり、遮光部は、線状部より抵抗の低い材料からなり、線状部と遮光部は電気的に接続
されていることを特徴とする。
らなり、遮光部は、線状部より抵抗の低い材料からなり、線状部と遮光部は電気的に接続
されていることを特徴とする。
また、本発明の液晶表示装置は、上記構成において、対向電極には、共通電位が印加さ
れていることを特徴とする。
れていることを特徴とする。
かかる構成によれば、第１の基板上の画素電極、第２の基板上の対向電極、及びそれら
に挟持された液晶層によって、開口率を低下させることなく、補助容量を設けることがで
きる。また、補助容量にかかる製造工程を簡略化することが可能となる。
に挟持された液晶層によって、開口率を低下させることなく、補助容量を設けることがで
きる。また、補助容量にかかる製造工程を簡略化することが可能となる。
本発明によれば、透明基板に対して略水平方向の電界を用いて液晶分子の配向を制御す
る液晶表示装置において、開口率を低下させることなく補助容量を設けることができる。
る液晶表示装置において、開口率を低下させることなく補助容量を設けることができる。
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。まず、この液晶表示装
置の概略の等価回路について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態による液晶表
示装置の等価回路図である。図１では、液晶表示装置に含まれる複数の画素１Ｐのうち、
一部のみを示している。
本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。まず、この液晶表示装
置の概略の等価回路について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態による液晶表
示装置の等価回路図である。図１では、液晶表示装置に含まれる複数の画素１Ｐのうち、
一部のみを示している。
図１に示すように、垂直駆動回路１０１から画素選択信号が印加される複数の画素選択
信号線ＧＬと、水平駆動回路１０２から表示信号が印加される表示信号線ＤＬとの各交差
点に対応して、画素１Ｐが配置されている。各画素１Ｐには、ゲートが画素選択信号線Ｇ
Ｌに接続され、ドレインが表示信号線ＤＬに接続された薄膜トランジスタ等の画素トラン
ジスタＴＲが配置されている。画素トランジスタＴＲのソースには画素電極（不図示）が
接続され、その画素電極に印加される表示信号と共通電極（不図示）に印加される共通電
位ＣＯＭにより、液晶層ＬＣに電界が形成される。また、画素電極と、電位ＳＣが印加さ
れる容量電極（不図示）との間には、画素電極に印加される表示信号を保持する補助容量
Ｃｓが接続されている。なお、もう１つの容量Ｃｐについては、液晶表示装置の動作の説
明において後述する。
信号線ＧＬと、水平駆動回路１０２から表示信号が印加される表示信号線ＤＬとの各交差
点に対応して、画素１Ｐが配置されている。各画素１Ｐには、ゲートが画素選択信号線Ｇ
Ｌに接続され、ドレインが表示信号線ＤＬに接続された薄膜トランジスタ等の画素トラン
ジスタＴＲが配置されている。画素トランジスタＴＲのソースには画素電極（不図示）が
接続され、その画素電極に印加される表示信号と共通電極（不図示）に印加される共通電
位ＣＯＭにより、液晶層ＬＣに電界が形成される。また、画素電極と、電位ＳＣが印加さ
れる容量電極（不図示）との間には、画素電極に印加される表示信号を保持する補助容量
Ｃｓが接続されている。なお、もう１つの容量Ｃｐについては、液晶表示装置の動作の説
明において後述する。
以下に、この液晶表示装置の詳細な構成について図面を参照して説明する。図２及び図
３は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図であり、図２は第１の透明基板１０側
の構成を示し、図３は第２の透明基板２０側の構成を示している。図２及び図３では、複
数の画素１Ｐの中から隣接する４つの画素１Ｐに対応する領域を示し、主要な構成要素の
みを示している。また、図４は、図２及び図３のＸ−Ｘ線に沿った断面図であり、図４（
Ａ）は、後述する画素電極１８に電圧が印加されないオフ状態を示し、図４（Ｂ）は、画
素電極１８に電圧が印加されるオン状態を示している。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）では、
複数の画素１Ｐの中から１つの画素１Ｐのみを示している。なお、図２、図３及び図４で
は、図１及び図９に示したものと同様の構成要素については同一の符号を付して参照する
。
３は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図であり、図２は第１の透明基板１０側
の構成を示し、図３は第２の透明基板２０側の構成を示している。図２及び図３では、複
数の画素１Ｐの中から隣接する４つの画素１Ｐに対応する領域を示し、主要な構成要素の
みを示している。また、図４は、図２及び図３のＸ−Ｘ線に沿った断面図であり、図４（
Ａ）は、後述する画素電極１８に電圧が印加されないオフ状態を示し、図４（Ｂ）は、画
素電極１８に電圧が印加されるオン状態を示している。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）では、
複数の画素１Ｐの中から１つの画素１Ｐのみを示している。なお、図２、図３及び図４で
は、図１及び図９に示したものと同様の構成要素については同一の符号を付して参照する
。
図２及び図４（Ａ）に示すように、ガラス基板等からなる第１の透明基板１０と第２の
透明基板２０との間に、負の誘電率異方性Δεを有した液晶層ＬＣが挟持されている。第
１の透明基板１０の光源ＢＬと対向する側には、第１の偏光板１１が配置されている。第
１の透明基板１０の光源ＢＬと対向しない側には、図９に示したものと同様の画素トラン
ジスタＴＲが配置されている。ただし、図９に示した補助容量１０Ｃは配置されていない
。画素トランジスタＴＲは平坦化膜１６に覆われている。ここでは、説明の便宜上、画素
トランジスタＴＲの図示を省略し、第１の透明基板１０から平坦化膜１６に至る構成を同
一の層として省略して図示している。
透明基板２０との間に、負の誘電率異方性Δεを有した液晶層ＬＣが挟持されている。第
１の透明基板１０の光源ＢＬと対向する側には、第１の偏光板１１が配置されている。第
１の透明基板１０の光源ＢＬと対向しない側には、図９に示したものと同様の画素トラン
ジスタＴＲが配置されている。ただし、図９に示した補助容量１０Ｃは配置されていない
。画素トランジスタＴＲは平坦化膜１６に覆われている。ここでは、説明の便宜上、画素
トランジスタＴＲの図示を省略し、第１の透明基板１０から平坦化膜１６に至る構成を同
一の層として省略して図示している。
平坦化膜１６上には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）あるいはＩＺＯ（Indium Zinc Oxid
e）等の透明導電材料からなる共通電極１７が配置されている。共通電極１７には、電圧
印加手段１０３が接続されており、その電圧印加手段１０３から共通電位ＣＯＭが印加さ
れる。電圧印加手段１０３は、所定の電圧を出力する電圧発生回路、あるいは外部から所
定の電圧が印加される電圧印加端子である。共通電極１７は、表示に寄与する領域では複
数の線状部となって延びており、それ以外の領域、即ち表示に寄与しない領域において、
各線状部が互いに接続されている。
e）等の透明導電材料からなる共通電極１７が配置されている。共通電極１７には、電圧
印加手段１０３が接続されており、その電圧印加手段１０３から共通電位ＣＯＭが印加さ
れる。電圧印加手段１０３は、所定の電圧を出力する電圧発生回路、あるいは外部から所
定の電圧が印加される電圧印加端子である。共通電極１７は、表示に寄与する領域では複
数の線状部となって延びており、それ以外の領域、即ち表示に寄与しない領域において、
各線状部が互いに接続されている。
各共通電極１７の線状部の間には、所定の距離で離間して、ＩＴＯあるいはＩＺＯ等の
透明導電材料からなり表示信号が印加される画素電極１８が配置されている。画素電極１
８は、各共通電極１７の間の領域では複数の線状部となって延びており、それ以外の領域
、即ち表示に寄与しない領域では、各線状部は互いに接続されている。ここでは図示を省
略しているが、画素電極１８はコンタクトホール等を通して画素トランジスタＴＲのソー
ス領域１２Ｄと電気的に接続されている。好ましくは、共通電極１７の線状部の幅Ｄ１と
画素電極１８の線状部の幅Ｄ２は同じであり、約４μｍである。また、好ましくは、共通
電極１７の線状部と画素電極１８の線状部の離間距離Ｄ３は、約２μｍである。これらの
幅Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３は、上記以外の値であってもよい。
透明導電材料からなり表示信号が印加される画素電極１８が配置されている。画素電極１
８は、各共通電極１７の間の領域では複数の線状部となって延びており、それ以外の領域
、即ち表示に寄与しない領域では、各線状部は互いに接続されている。ここでは図示を省
略しているが、画素電極１８はコンタクトホール等を通して画素トランジスタＴＲのソー
ス領域１２Ｄと電気的に接続されている。好ましくは、共通電極１７の線状部の幅Ｄ１と
画素電極１８の線状部の幅Ｄ２は同じであり、約４μｍである。また、好ましくは、共通
電極１７の線状部と画素電極１８の線状部の離間距離Ｄ３は、約２μｍである。これらの
幅Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３は、上記以外の値であってもよい。
共通電極１７と画素電極１８は、第１の配向膜１９に覆われている。第１の配向膜１９
のラビング方向は、第１の偏光板１１の透過軸と平行である。また、第１の配向膜１９の
ラビング方向と画素電極１８の線状部の長手方向とのなす角θは、約４５°〜約９０°で
あり、好ましくは約８７°である。
のラビング方向は、第１の偏光板１１の透過軸と平行である。また、第１の配向膜１９の
ラビング方向と画素電極１８の線状部の長手方向とのなす角θは、約４５°〜約９０°で
あり、好ましくは約８７°である。
一方、第２の透明基板２０には、液晶層ＬＣと対向しない側に、第１の偏光板１１と直
交する透過軸を有した第２の偏光板２１が配置されている。第２の透明基板２０上であっ
て液晶層ＬＣと対応する側には、図示を省略しているが、ブラックマトリクスとカラーフ
ィルタが配置されている。
交する透過軸を有した第２の偏光板２１が配置されている。第２の透明基板２０上であっ
て液晶層ＬＣと対応する側には、図示を省略しているが、ブラックマトリクスとカラーフ
ィルタが配置されている。
カラーフィルタ上には、図３に示すようなＩＴＯあるいはＩＺＯ等の透明導電材料から
なる容量電極２２（即ち本発明の対向電極の一例）が配置されている。容量電極２２は、
表示に寄与する領域では、複数の線状部となって、画素電極１８の各線状部と対向して延
びており、それ以外の領域、即ち表示に寄与しない領域において、容量電極２２の各線状
部は互いに接続されている。容量電極２２の線状部の幅Ｄ４は、製造工程上の精度による
誤差を考慮しなければ、画素電極１８の線状部の幅Ｄ２と同じである。
なる容量電極２２（即ち本発明の対向電極の一例）が配置されている。容量電極２２は、
表示に寄与する領域では、複数の線状部となって、画素電極１８の各線状部と対向して延
びており、それ以外の領域、即ち表示に寄与しない領域において、容量電極２２の各線状
部は互いに接続されている。容量電極２２の線状部の幅Ｄ４は、製造工程上の精度による
誤差を考慮しなければ、画素電極１８の線状部の幅Ｄ２と同じである。
また、容量電極２２の各線状部の間には、複数のスリット部２２Ｓが設けられている。
仮に、容量電極２２にスリット部２２Ｓが設けられない場合、容量電極２２を構成する
透明導電材料の屈折率と液晶層ＬＣの屈折率とは異なるため、それらの境界では光源ＢＬ
の光や外光の反射が生じて、表示に寄与する領域の全体において、透過率及びコントラス
トが低下してしまう。これに対し、本実施形態では、上述したように容量電極２２には複
数のスリット部２２Ｓが設けられるため、スリット部２２Ｓで開口する領域では、容量電
極２２の屈折率と液晶層ＬＣの屈折率との差異による透過率及びコントラストの低下は生
じない。
透明導電材料の屈折率と液晶層ＬＣの屈折率とは異なるため、それらの境界では光源ＢＬ
の光や外光の反射が生じて、表示に寄与する領域の全体において、透過率及びコントラス
トが低下してしまう。これに対し、本実施形態では、上述したように容量電極２２には複
数のスリット部２２Ｓが設けられるため、スリット部２２Ｓで開口する領域では、容量電
極２２の屈折率と液晶層ＬＣの屈折率との差異による透過率及びコントラストの低下は生
じない。
さらに、容量電極２２には、電圧印加手段１０３が接続されており、その電圧印加手段
１０３から電位ＳＣが印加される。電位ＳＣは、共通電極１７に印加される共通電位ＣＯ
Ｍと同電位であることが好ましい。電位ＳＣを共通電位ＣＯＭと同電位とすることで、共
通電極１７と容量電極２２との間において、図１に示すような不要な容量Ｃｐが生じにく
くなり、液晶層ＬＣに不要な配向の変化が生じなくなるからである。
１０３から電位ＳＣが印加される。電位ＳＣは、共通電極１７に印加される共通電位ＣＯ
Ｍと同電位であることが好ましい。電位ＳＣを共通電位ＣＯＭと同電位とすることで、共
通電極１７と容量電極２２との間において、図１に示すような不要な容量Ｃｐが生じにく
くなり、液晶層ＬＣに不要な配向の変化が生じなくなるからである。
容量電極２２は、第１の配向膜１１のラビング方向と平行なラビング方向を有した第２
の配向膜２５に覆われている。
の配向膜２５に覆われている。
上述した第１の透明基板１０と第２の透明基板２０の間に挟持された液晶層ＬＣの液晶
分子Ｍは、負の誘電率異方性Δεを有しているため、その長軸方向は、電界の方向に対し
て直交するように回転する。負の誘電率異方性Δεは、約−３．０〜約−１０．０、好ま
しくは約−５．０である。
分子Ｍは、負の誘電率異方性Δεを有しているため、その長軸方向は、電界の方向に対し
て直交するように回転する。負の誘電率異方性Δεは、約−３．０〜約−１０．０、好ま
しくは約−５．０である。
この液晶表示装置では、各画素１Ｐの補助容量Ｃｓは、画素電極１８を第１の容量電極
とし、液晶層ＬＣを容量絶縁層とし、容量電極２２を第２の容量電極として構成される。
即ち、従来例による補助容量１０Ｃのように、容量電極として、クロム等の有色金属材料
からなる補助容量線ＳＬを、画素１Ｐ内の第１の透明基板１０に配置する必要はない。ま
た、その補助容量線ＳＬに重畳する第２の半導体層１２Ｂを配置する必要もない。これに
より、補助容量線ＳＬや、それに重畳する第２の半導体層１２Ｂの配置によって表示領域
を小さくすることなく、即ち、画素１Ｐの開口率を低下させることなく、補助容量Ｃｓを
設けることができる。また、補助容量Ｃｓにかかる製造工程は簡略化されるため、製造コ
ストの低下を図ることができる。
とし、液晶層ＬＣを容量絶縁層とし、容量電極２２を第２の容量電極として構成される。
即ち、従来例による補助容量１０Ｃのように、容量電極として、クロム等の有色金属材料
からなる補助容量線ＳＬを、画素１Ｐ内の第１の透明基板１０に配置する必要はない。ま
た、その補助容量線ＳＬに重畳する第２の半導体層１２Ｂを配置する必要もない。これに
より、補助容量線ＳＬや、それに重畳する第２の半導体層１２Ｂの配置によって表示領域
を小さくすることなく、即ち、画素１Ｐの開口率を低下させることなく、補助容量Ｃｓを
設けることができる。また、補助容量Ｃｓにかかる製造工程は簡略化されるため、製造コ
ストの低下を図ることができる。
なお、十分な容量値の補助容量Ｃｓを得るためには、セルギャップは例えば約２．０μ
ｍであり、これに対応して、液晶層ＬＣの複屈折性Δｎは例えば約０．１５であることが
好ましい。
ｍであり、これに対応して、液晶層ＬＣの複屈折性Δｎは例えば約０．１５であることが
好ましい。
以下に、上述した液晶表示装置の動作について説明する。図４（Ａ）に示すように、画
素電極１８に電圧が印加されないオフ状態では、液晶層ＬＣの液晶分子Ｍは、第１の透明
基板１０に対して略水平にホモジニアス配向される。また、第１の透明基板１０に対して
水平な面内において、液晶分子Ｍの長軸方向は第１の偏光板１１の透過軸と平行である。
素電極１８に電圧が印加されないオフ状態では、液晶層ＬＣの液晶分子Ｍは、第１の透明
基板１０に対して略水平にホモジニアス配向される。また、第１の透明基板１０に対して
水平な面内において、液晶分子Ｍの長軸方向は第１の偏光板１１の透過軸と平行である。
ここで、容量電極２２には、画素電極１８に電圧が印加されているか否かに関わらず、
電位ＳＣが印加されている。電位ＳＣが共通電位ＣＯＭと同電位である場合、液晶層ＬＣ
に電界が生じないか、殆ど生じないため、液晶分子の長軸方向は変化しない。電位ＳＣが
共通電位ＣＯＭと異なる場合、共通電極１７と容量電極２２との間において第１の透明基
板１０に対して略垂直方向の電界が生じ、図１の示すような不要な容量Ｃｐが生じやすく
なるものの、液晶分子Ｍの誘電率異方性Δεは負であることから、液晶分子Ｍの長軸方向
は、第１の透明基板１０に対して略垂直方向の電界に応じて、第１の透明基板１０に対し
て確実に水平に配向される。
電位ＳＣが印加されている。電位ＳＣが共通電位ＣＯＭと同電位である場合、液晶層ＬＣ
に電界が生じないか、殆ど生じないため、液晶分子の長軸方向は変化しない。電位ＳＣが
共通電位ＣＯＭと異なる場合、共通電極１７と容量電極２２との間において第１の透明基
板１０に対して略垂直方向の電界が生じ、図１の示すような不要な容量Ｃｐが生じやすく
なるものの、液晶分子Ｍの誘電率異方性Δεは負であることから、液晶分子Ｍの長軸方向
は、第１の透明基板１０に対して略垂直方向の電界に応じて、第１の透明基板１０に対し
て確実に水平に配向される。
このオフ状態では、第１の偏光板１１によって直線偏光された光源ＢＬの光は、そのま
まの偏光軸で液晶層ＬＣを透過して第２の偏光板２１に入射する。しかし、この光は、そ
の偏光軸が第２の偏光板２１の透過軸と直交するため、第２の偏光板２１によって吸収さ
れる。即ち、黒表示（ノーマリーブラック）となる。
まの偏光軸で液晶層ＬＣを透過して第２の偏光板２１に入射する。しかし、この光は、そ
の偏光軸が第２の偏光板２１の透過軸と直交するため、第２の偏光板２１によって吸収さ
れる。即ち、黒表示（ノーマリーブラック）となる。
一方、図４（Ｂ）に示すように、画素電極１８に電圧が印加されるオン状態では、表示
信号に応じて、共通電極１７と画素電極１８との間に第１の透明基板１０に対して略水平
方向の電界、即ち水平電界成分が生じる。また、容量電極２２には、電位ＳＣが印加され
ているため、画素電極１８と容量電極２２との間にも電界が生じる。そのため、液晶層Ｌ
Ｃには、第１の透明基板１０に対して略水平方向の電界、即ち水平電界成分が生じると共
に、略垂直方向の電界、即ち垂直電界成分が生じる。
信号に応じて、共通電極１７と画素電極１８との間に第１の透明基板１０に対して略水平
方向の電界、即ち水平電界成分が生じる。また、容量電極２２には、電位ＳＣが印加され
ているため、画素電極１８と容量電極２２との間にも電界が生じる。そのため、液晶層Ｌ
Ｃには、第１の透明基板１０に対して略水平方向の電界、即ち水平電界成分が生じると共
に、略垂直方向の電界、即ち垂直電界成分が生じる。
液晶分子Ｍの誘電率異方性Δεは負であることから、液晶分子Ｍの長軸方向は、上記垂
直電界成分に応じて、第１の透明基板１０に対して確実に水平に配向されるとともに、上
記水平電界成分に応じて第１の透明基板１０に対して水平な面内において回転する。これ
と同時に、上記垂直電界成分は、画素電極１８、液晶層ＬＣ、及び容量電極２２から構成
される補助容量Ｃｓによって一定期間保持される。
直電界成分に応じて、第１の透明基板１０に対して確実に水平に配向されるとともに、上
記水平電界成分に応じて第１の透明基板１０に対して水平な面内において回転する。これ
と同時に、上記垂直電界成分は、画素電極１８、液晶層ＬＣ、及び容量電極２２から構成
される補助容量Ｃｓによって一定期間保持される。
このオン状態では、第１の偏光板１１によって直線偏光された光源ＢＬの光は、液晶層
ＬＣにおける複屈折により楕円偏光となり、第２の偏光板２１に入射する。この楕円偏光
のうち、第２の偏光板２１の透過軸と一致する成分が出射され、白表示となる。その際、
画素電極１８と容量電極２２の間に生じた電界、即ち垂直電界成分により、液晶分子Ｍが
第１の透明基板１０に対して略垂直方向へ傾くことが抑止されているため、広い視野角に
おいて、上記白表示を実現することができる。
ＬＣにおける複屈折により楕円偏光となり、第２の偏光板２１に入射する。この楕円偏光
のうち、第２の偏光板２１の透過軸と一致する成分が出射され、白表示となる。その際、
画素電極１８と容量電極２２の間に生じた電界、即ち垂直電界成分により、液晶分子Ｍが
第１の透明基板１０に対して略垂直方向へ傾くことが抑止されているため、広い視野角に
おいて、上記白表示を実現することができる。
さらに、上記黒表示及び白表示では、補助容量Ｃｓを構成する容量電極２２に設けられ
た複数のスリット部２２Ｓにおいて、容量電極２２を構成する透明導電材料の屈折率と液
晶層ＬＣの屈折率との差異による透過率及びコントラストの低下が生じない。そのため、
画素１Ｐの表示に寄与する領域全体を容量電極２２で覆う場合に比して、透過率及びコン
トラストを高めることができ、表示品位を向上させることが可能となる。
［第２の実施形態］
以下に、本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図５は、本実
施形態による液晶表示装置を示す平面図であり、第２の透明基板２０側の構成を示してい
る。図５では、複数の画素１Ｐの中から隣接する４つの画素１Ｐに対応する領域を示し、
主要な構成要素のみを示している。図６は図２及び図５のＹ−Ｙ線に沿った断面図であり
、複数の画素１Ｐの中から１つの画素１Ｐのみを示している。なお、図５及び図６では、
図１、図２、及び図４に示したものと同様の構成要素については同一の符号を付して参照
する。
た複数のスリット部２２Ｓにおいて、容量電極２２を構成する透明導電材料の屈折率と液
晶層ＬＣの屈折率との差異による透過率及びコントラストの低下が生じない。そのため、
画素１Ｐの表示に寄与する領域全体を容量電極２２で覆う場合に比して、透過率及びコン
トラストを高めることができ、表示品位を向上させることが可能となる。
［第２の実施形態］
以下に、本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図５は、本実
施形態による液晶表示装置を示す平面図であり、第２の透明基板２０側の構成を示してい
る。図５では、複数の画素１Ｐの中から隣接する４つの画素１Ｐに対応する領域を示し、
主要な構成要素のみを示している。図６は図２及び図５のＹ−Ｙ線に沿った断面図であり
、複数の画素１Ｐの中から１つの画素１Ｐのみを示している。なお、図５及び図６では、
図１、図２、及び図４に示したものと同様の構成要素については同一の符号を付して参照
する。
本実施形態では、第１の実施形態における容量電極２２の替わりに、図５に示すような
ブラックマトリクス２３が、容量電極として兼用され、第２の透明基板２０上に配置され
る。このブラックマトリクス２３は、遮光性を有し、ＩＴＯあるいはＩＺＯ等の透明導電
材料よりも低い抵抗値を有した遮光性の導電性材料であり、例えばクロム層と酸化クロム
層との積層体からなる。
ブラックマトリクス２３が、容量電極として兼用され、第２の透明基板２０上に配置され
る。このブラックマトリクス２３は、遮光性を有し、ＩＴＯあるいはＩＺＯ等の透明導電
材料よりも低い抵抗値を有した遮光性の導電性材料であり、例えばクロム層と酸化クロム
層との積層体からなる。
図５及び図６に示すように、ブラックマトリクス２３は、隣接する画素１Ｐの境界を覆
い、少なくとも、各画素１Ｐの最端部に配置された画素電極１８の線状部と重畳するよう
に延びて、これらを覆っている。ブラックマトリクス２３は、各画素１Ｐの表示に寄与す
る領域を開口する開口部２３Ｓを有している。ブラックマトリクス２３には、電圧印加手
段１０３が接続されており、その電圧印加手段１０３から電位ＳＣが印加される。電位Ｓ
Ｃは、共通電極１７に印加される共通電位ＣＯＭと同電位であることが好ましい。この液
晶表示装置では、各画素１Ｐの補助容量Ｃｓは、画素電極１８を第１の容量電極とし、液
晶層ＬＣを容量絶縁層とし、ブラックマトリクス２３を第２の容量電極として構成される
。
い、少なくとも、各画素１Ｐの最端部に配置された画素電極１８の線状部と重畳するよう
に延びて、これらを覆っている。ブラックマトリクス２３は、各画素１Ｐの表示に寄与す
る領域を開口する開口部２３Ｓを有している。ブラックマトリクス２３には、電圧印加手
段１０３が接続されており、その電圧印加手段１０３から電位ＳＣが印加される。電位Ｓ
Ｃは、共通電極１７に印加される共通電位ＣＯＭと同電位であることが好ましい。この液
晶表示装置では、各画素１Ｐの補助容量Ｃｓは、画素電極１８を第１の容量電極とし、液
晶層ＬＣを容量絶縁層とし、ブラックマトリクス２３を第２の容量電極として構成される
。
この場合、容量電極として機能するブラックマトリクス２３の面積は、第１の実施形態
の容量電極２２の面積に比して小さくなるため、容量絶縁層として機能する液晶層ＬＣの
面積も小さくなり、補助容量Ｃｓの容量値も小さくなる。そこで、セルギャップを第１の
実施形態に比して小さく、例えば約１．５μｍにすることで、補助容量Ｃｓの容量値を大
きくする。これにより、第１の実施形態と同等の効果を得るように補助容量Ｃｓを構成す
ることができる。その他の構成については第１の実施形態と同様であるため、その説明を
省略する。
［第３の実施形態］
なお、本発明の第３の実施形態として、上記第１の実施形態及び第２の実施形態を組み
合わせて１つの液晶表示装置として実施してもよい。以下に、この場合について図面を参
照して説明する。図７は本実施形態による液晶表示装置を示す断面図であり、図２、図３
及び図５のＸ−Ｘ及びＹ−Ｙ線に沿った断面に対応している。図７では、複数の画素１Ｐ
の中から１つの画素１Ｐのみを示している。
の容量電極２２の面積に比して小さくなるため、容量絶縁層として機能する液晶層ＬＣの
面積も小さくなり、補助容量Ｃｓの容量値も小さくなる。そこで、セルギャップを第１の
実施形態に比して小さく、例えば約１．５μｍにすることで、補助容量Ｃｓの容量値を大
きくする。これにより、第１の実施形態と同等の効果を得るように補助容量Ｃｓを構成す
ることができる。その他の構成については第１の実施形態と同様であるため、その説明を
省略する。
［第３の実施形態］
なお、本発明の第３の実施形態として、上記第１の実施形態及び第２の実施形態を組み
合わせて１つの液晶表示装置として実施してもよい。以下に、この場合について図面を参
照して説明する。図７は本実施形態による液晶表示装置を示す断面図であり、図２、図３
及び図５のＸ−Ｘ及びＹ−Ｙ線に沿った断面に対応している。図７では、複数の画素１Ｐ
の中から１つの画素１Ｐのみを示している。
本実施形態では、ブラックマトリクス２３は、隣接する画素１Ｐの境界を覆い、少なく
とも、各画素１Ｐの最端部に配置された画素電極１８の線状部と重畳するように延びて、
これらを覆うブラックマトリクス部を有している。ブラックマトリクス２３の開口部２３
Ｓでは、容量電極２２が、画素電極１８の各線状部と対向して延びている。容量電極２２
の各線状部の間には、複数のスリット部２２Ｓが設けられている。また、容量電極２２と
ブラックマトリクス２３の両者には電圧印加手段１０３が接続され、電圧印加手段１０３
から電位ＳＣが印加される。
とも、各画素１Ｐの最端部に配置された画素電極１８の線状部と重畳するように延びて、
これらを覆うブラックマトリクス部を有している。ブラックマトリクス２３の開口部２３
Ｓでは、容量電極２２が、画素電極１８の各線状部と対向して延びている。容量電極２２
の各線状部の間には、複数のスリット部２２Ｓが設けられている。また、容量電極２２と
ブラックマトリクス２３の両者には電圧印加手段１０３が接続され、電圧印加手段１０３
から電位ＳＣが印加される。
この液晶表示装置では、各画素１Ｐの補助容量Ｃｓは、画素電極１８を第１の容量電極
とし、液晶層ＬＣを容量絶縁層とし、容量電極２２及びブラックマトリクス２３を第２の
容量電極として構成される。
とし、液晶層ＬＣを容量絶縁層とし、容量電極２２及びブラックマトリクス２３を第２の
容量電極として構成される。
この場合、容量電極として機能するブラックマトリクス２３の面積は、第１の実施形態
の容量電極２２の面積に比して大きくできるため、容量絶縁層として機能する液晶層ＬＣ
の面積も大きくなり、それに応じて補助容量Ｃｓの容量値も大きくできる。これを利用し
て、セルギャップの上限を第１の実施形態に比して大きく、例えば約２．５μｍにしても
、第１の実施形態と同等の効果を得るように補助容量Ｃｓを構成することができる。これ
に対応した液晶層ＬＣの複屈性Δｎは例えば約０．１２である。その他の構成については
第１の実施形態及び第２の実施形態と同様であるため、その説明を省略する。
の容量電極２２の面積に比して大きくできるため、容量絶縁層として機能する液晶層ＬＣ
の面積も大きくなり、それに応じて補助容量Ｃｓの容量値も大きくできる。これを利用し
て、セルギャップの上限を第１の実施形態に比して大きく、例えば約２．５μｍにしても
、第１の実施形態と同等の効果を得るように補助容量Ｃｓを構成することができる。これ
に対応した液晶層ＬＣの複屈性Δｎは例えば約０．１２である。その他の構成については
第１の実施形態及び第２の実施形態と同様であるため、その説明を省略する。
なお、本実施形態では、容量電極２２及びブラックマトリクス２３は、それぞれ抵抗値
の異なる材料からなるものであって、それらの抵抗値を低くするため、互いに電気的に接
続されてもよい。以下に、この場合の両者の接続構造の一例について、図面を参照して説
明する。図８は、本実施形態による液晶表示装置を示す断面図であり、画素１Ｐの境界近
傍の部分拡大図である。
の異なる材料からなるものであって、それらの抵抗値を低くするため、互いに電気的に接
続されてもよい。以下に、この場合の両者の接続構造の一例について、図面を参照して説
明する。図８は、本実施形態による液晶表示装置を示す断面図であり、画素１Ｐの境界近
傍の部分拡大図である。
隣接する画素１Ｐの境界における第２の透明基板２０上には、例えば酸化クロム層２３
Ａとクロム層２３Ｂとの積層体であるブラックマトリクス２３が配置される。ブラックマ
トリクス２３の開口部２３Ｓには、ブラックマトリクス２３の端部を覆って、カラーフィ
ルタ２４が配置される。即ち、カラーフィルタ２４には、ブラックマトリクス２３の一部
を開口する開口部２４Ｓが設けられる。このカラーフィルタ２４上には、線状部を含む容
量電極２２が配置される。画素１Ｐの境界に配置された容量電極２２は、開口部２４Ｓを
通してブラックマトリクスと接続される。容量電極２２は第２の配向膜２５に覆われる。
この場合、容量電極２２とブラックマトリクス２３のいずれか一方、あるいは両者が電圧
印加手段１０３に接続される。
Ａとクロム層２３Ｂとの積層体であるブラックマトリクス２３が配置される。ブラックマ
トリクス２３の開口部２３Ｓには、ブラックマトリクス２３の端部を覆って、カラーフィ
ルタ２４が配置される。即ち、カラーフィルタ２４には、ブラックマトリクス２３の一部
を開口する開口部２４Ｓが設けられる。このカラーフィルタ２４上には、線状部を含む容
量電極２２が配置される。画素１Ｐの境界に配置された容量電極２２は、開口部２４Ｓを
通してブラックマトリクスと接続される。容量電極２２は第２の配向膜２５に覆われる。
この場合、容量電極２２とブラックマトリクス２３のいずれか一方、あるいは両者が電圧
印加手段１０３に接続される。
なお、上記各実施形態では、液晶層ＬＣは負の誘電率異方性Δεを有するものとしたが
、本発明はこれに限定されず、液晶層ＬＣが正の誘電率異方性Δεを有する場合について
も適用される。この場合、画素電極１８と容量電極２２に挟まれる領域では、液晶層ＬＣ
の液晶分子Ｍは第１の透明基板１０に対して略垂直方向に配向するため、表示品位が若干
低下する。しかし、その他の領域では、第１の透明基板１０に対して略水平に配向するた
め、上記と同様の効果を得ることができる。
、本発明はこれに限定されず、液晶層ＬＣが正の誘電率異方性Δεを有する場合について
も適用される。この場合、画素電極１８と容量電極２２に挟まれる領域では、液晶層ＬＣ
の液晶分子Ｍは第１の透明基板１０に対して略垂直方向に配向するため、表示品位が若干
低下する。しかし、その他の領域では、第１の透明基板１０に対して略水平に配向するた
め、上記と同様の効果を得ることができる。
１Ｐ 画素
１０ 第１の透明基板 １１ 第１の偏光板
１２Ａ 第１の半導体層 １２Ｂ 第２の半導体層
１２Ｄ ドレイン領域 １２Ｓ ソース領域
１３ ゲート絶縁膜 １４ 層間絶縁膜
１５ 電極 １６ 平坦化膜
１７ 共通電極 １８ 画素電極
１９ 第１の配向膜 ２０ 第２の透明基板
２１ 第２の偏光板 ２２ 容量電極
２２Ｓ スリット部 ２３ ブラックマトリクス
２３Ａ 酸化クロム層 ２３Ｂ 導電層
２３Ｓ 開口部 ２４ カラーフィルタ
２５ 第２の配向膜 １０１ 垂直駆動回路
１０２ 水平駆動回路 １０３ 電圧印加手段
ＢＬ 光源 ＬＣ 液晶層
Ｍ 液晶分子 ＴＲ 画素トランジスタ
ＧＬ 画素選択信号線 ＤＬ 表示信号線
１０ 第１の透明基板 １１ 第１の偏光板
１２Ａ 第１の半導体層 １２Ｂ 第２の半導体層
１２Ｄ ドレイン領域 １２Ｓ ソース領域
１３ ゲート絶縁膜 １４ 層間絶縁膜
１５ 電極 １６ 平坦化膜
１７ 共通電極 １８ 画素電極
１９ 第１の配向膜 ２０ 第２の透明基板
２１ 第２の偏光板 ２２ 容量電極
２２Ｓ スリット部 ２３ ブラックマトリクス
２３Ａ 酸化クロム層 ２３Ｂ 導電層
２３Ｓ 開口部 ２４ カラーフィルタ
２５ 第２の配向膜 １０１ 垂直駆動回路
１０２ 水平駆動回路 １０３ 電圧印加手段
ＢＬ 光源 ＬＣ 液晶層
Ｍ 液晶分子 ＴＲ 画素トランジスタ
ＧＬ 画素選択信号線 ＤＬ 表示信号線
Claims (8)
- 複数の画素を備え、各画素は、
第１の基板と第２の基板に挟持された液晶層と、
前記第１の基板上に配置され共通電位が印加される共通電極と、
前記第１の基板上に前記共通電極に対して交互に配置され表示信号が印加される画素電
極と、
前記第２の基板上に配置され少なくとも１つの前記画素電極と対向して延びる線状部を
有し前記画素電極と重畳しない領域に開口部を有した対向電極と、を具備することを特徴
とする液晶表示装置。 - 前記液晶層は、負の誘電率異方性を有していることを特徴とする請求項１に記載の液晶
表示装置。 - 前記対向電極は、複数の前記画素電極と対向して延びる複数の線状部と、各画素電極と
重畳しない領域を開口する複数のスリット部と、を有することを特徴とする請求項１又は
請求項２に記載の液晶表示装置。 - 前記対向電極は、前記画素電極および前記液晶層と共に補助容量を構成することを特徴
とする請求項１、２、３のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 前記対向電極は、各画素の境界を覆う遮光性の導電性材料で形成され、少なくとも、各
画素の端部に配置された前記画素電極と対向して延びること特徴とする請求項１又は請求
項２に記載の液晶表示装置。 - 前記対向電極は、複数の前記画素電極と対向して延びる複数の線状部と、各画素電極と
重畳しない領域を開口する複数のスリット部と、各画素の境界を覆うと共に、少なくとも
各画素の端部に配置された前記画素電極と対向して延びる導電性の遮光部と、を有するこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液晶表示装置。 - 前記線状部は、導電性の透光性材料からなり、前記遮光部は、前記線状部より抵抗の低
い材料からなり、前記線状部と前記遮光部は電気的に接続されていることを特徴とする請
求項６に記載の液晶表示装置。 - 前記対向電極には、前記共通電位が印加されていることを特徴とする請求項１、２、３
、４、５、６、７のいずれかに記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008034074A JP2009192867A (ja) | 2008-02-15 | 2008-02-15 | 液晶表示装置 |
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