JP2009192331A - 膜厚分布測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本実施形態のエリプソメトリー顕微鏡1は、光源2と偏光子5と位相補償子6と対物レンズ8とを備え試料Sを所定角で照明する斜め照明系と、対物レンズ8と結像レンズ15と検光子16とにより試料Sを撮像装置17の検出面18に検出する結像系とを備え、結像レンズ15の前側焦点面を対物レンズ8の後側焦点面に一致させるとともに、結像レンズ15の後側焦点面を検出面18に一致させ平行光として投射するとともに、結像系により検出面18に試料Sの散乱光による像を結像させ、高倍率でかつコントラストの高い膜厚分布の差を測定できる。
【選択図】図1
Description
試料と空気などの媒質界面で、光がある入射角を持って反射したときに、入射平面内にある偏光成分(p偏光)、垂直な偏光成分(s偏光)について、複素振幅反射率(rexp(iδ))が異なり、この違いは試料表面の屈折率に依存する。試料表面の屈折率は、基板上の薄膜の膜厚に依存するので、エリプソメトリ−顕微鏡では、p偏光とs偏光の複素振幅反射率の振幅比Ψ(=rp/rs)と位相差Δ(=δp−δs)の試料各点における分布を測定することにより、膜厚分布を求める。ここで、rおよびδの添え字p、sは、それぞれ、p偏光、s偏光に対するものであることを示す。エリプソメトリー顕微鏡で検出される試料のある点(x,y)から得られる光強度I(x,y,θ)は、以下で与えられる。
消光型エリプソメトリーの手法を用いて膜分布を測定する場合、まず、試料薄膜を形成していない基板面からの反射光強度を0になるように調整する。すなわち、入射光を偏光子で直線偏光とし、基板面における反射で楕円偏光に変化するのを、再度、1/4波長板と検光子偏光板で完全に消光するように調整する。式(1)を用いて説明すると、2P+Δ=π/2、ΨcosA+sinA=0、となるように、偏光子角Pおよび検光子角Aを調整し、基板から反射光Iを0に近づける。基板面はおおむね均一な反射率分布を有するので、この工程は、基板面での正反射(入射角=反射光となる反射光)した光を消光する工程となる。つぎに、上で調整したP,Aを用いて、試料薄膜を形成した基板を観測する。反射率が基板のみの場合とは異なるので、すなわち、振幅比Ψと位相差Δは基板のみの場合と異なる値を取り、上で調整したP,Aに対する消光条件を満たさず、反射光Iが0とならない。そして、振幅比Ψと位相差Δは、薄膜の屈折率すなわち膜厚に依存するので、この反射光の強度は膜厚に依存する。こうして、試料薄膜の膜厚分布に対応した光強度像が得られる。
請求項3に記載の発明では、請求項2の膜厚分布測定装置であって、前記結像レンズの後側焦点面を前記撮像装置の検出面に一致させたことを要旨とする。
請求項10に記載の発明では、請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の膜厚分布測定装置において、前記対物レンズは、無限遠光学系であることを要旨とする。
請求項12に記載の発明では、請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載の膜厚分布測定装置において、前記検出面は、マトリクス状に設けられたCCDから構成されることを要旨とする。
図1は、エリプソメトリー顕微鏡1(以下適宜「本顕微鏡1」という。)全体の構成を示す。
試料Sを照射した照明光L8は、試料Sで正反射して正反射光(入射角=反射光の関係を満たす光)である反射光R1となり、対物レンズ8に再び入射する。そして、この平行な反射光R1は、対物レンズ8により一旦集光され反射光R2となり、後側焦点面11から再び拡散する反射光R3となる。この対物レンズ8を保持する鏡筒14は、斜め照明系及び結像系の絞りとしての機能も有している。この拡散する反射光R3はビームスプリッタ9を透過し、結像レンズ15で平行な反射光R4とされ、検光子16を通過した後、平行な反射光R4は撮像装置17(図1参照)の検出面18全体を均一に照射する。
検出面18に照射された反射光R4は、CCD素子により電気信号に変換され、液晶ディスプレーからなるモニタ19に映し出される。このとき、反射光R4は、検出面18全体を覆う平行光となっているため、各CCD素子には、この正反射光に起因するコントラストの偏りは与えない。
光源2は、SLD( Super Luminescent Diode )により構成されている。仮に光源に、He−NeレーザーあるいはLD( Laser Diode )のように可干渉距離(コヒーレンス長)の長いレーザーなどを光源に用いた場合、装置光学系を構成する光学素子で光の一部が反射することにより、光干渉が発生し、干渉縞像が現れてしまう。例えば、λ/4板からなる位相補償子6で反射され後方に進んだ光が、さらに偏光子5により反射され再度前方に進んで検出面に到達したとする。このとき、これらの反射を経ず直進した光で検出面に同時に達する光も存在する。これらの反射を経た光と反射を経ず直進した光とは異なった光路長を進んで来るので、位相が異なり検出面で光干渉を生ずる。すなわち、このとき検出面には干渉縞像が生じ、薄膜像に重畳して雑音像が生ずることになる。ここで、一般に、その可干渉距離よりも大きな光路差を有する光同士は干渉しない。そこで、その可干渉距離が、装置を構成する光学素子間距離よりも十分小さい光源を用いると、干渉縞像の発生を抑えることができる。この光源2では、可干渉距離の短いレーザーSLDにより構成されている。装置光学系を構成する光学素子間距離は、1mmから10cmのオーダーであるのに対して、SLDの可干渉距離は、10μmのオーダーであり十分小さい。SLDに代えて、ファイバレーザーやハロゲンランプを用いた白色光源や、ASE( Amplified Spontaneous Emission )、LED( Light Emitting Diode 発光ダイオード)等により光源2を構成してもよい。
(斜め照明系)
対物レンズ8の光軸AX2と直交する光軸AX1を持つ集光レンズ7を配置し、ビームスプリッタ9により照明光L5の光軸AX1を光軸AX2と平行になるように直角に屈曲させて、照明光L6の光軸AX3は光軸AX2と平行かつ、光軸AX2とは一定距離シフトした位置となる。
すなわち、集光レンズ7の焦点距離をf1とすると、集光レンズ7と、対物レンズ8の後側焦点面11までとの距離は、f1に設定してある。対物レンズ8の作用により、その後側焦点面11に一点に集光された光は、対物レンズ8の中心からシフトした位置に入射されると、対物レンズ8の通過後、対物レンズ8の光軸である光軸AX3に対して近接する方向に傾いた照明光L8となる。したがって、鏡筒14及び対物レンズ8の光軸AX2を試料面13に対して垂直にしなくても、試料Sに対してp偏光に対する反射率が最小となるような入射角を達成する斜め照明を実現できる。
次に結像系について検討する。エリプソメトリー顕微鏡1では、膜厚分布を反映した位相の差により反射率の異なる微小構造として検出される。図2に示したように、照明光L8は、試料面13上の試料S全体を照射し、試料Sにおいて反射する。この照明光L8と反射光R1は入射角=反射光の関係を満たす光である。また、試料Sの表面は平滑な面として形成されている。このため、反射光R1のうち、正反射光は、試料面の微小膜厚構造に関する情報を含んでおらず、膜厚判定のノイズとなる。
本実施形態では、図2に示すように、正反射光を含む反射光R1は対物レンズ8の後側焦点面11で集光させる。そして、結像レンズ15の前側焦点面20を対物レンズ8の後側焦点面11に一致させることで、反射光R1は結像レンズ15を通過した後に反射光R4を平行光とする。これにより、検出面18における光強度分布をできるだけ一様にすることができる。正反射光を含む反射光R4が撮像装置17の検出面18上で結像する強度分布は、結像レンズ15の後側焦点面21の集光スポット像に対応した分布像であるため、上の配置は、不要な集光スポット像を無限遠に結ばせるようにしたことに等しい。以上のように、結像系を対物レンズ8と結像レンズ15のみで構成する場合、結像レンズ15の前側焦点面20と対物レンズ8の後側焦点面11を一致させ、さらに、撮像装置17の検出面18を結像レンズ15の後側焦点面21に一致させることが望ましい。通常の無限補正光学系の顕微鏡において、撮像装置17の検出面18を結像レンズ15の後側焦点面21に一致させることは必要であるが、結像レンズ15の前側焦点面20と対物レンズ8の後側焦点面11を一致させることは、必ずしも必要でない。
(偏光子)
偏光子5は、周知の偏光板を用い照明光L1を直線偏光にすることができ、照明光L1の光軸AX1に対して回転可能に設けられ、直線偏光の方向を90度の範囲で変更できる。
位相補償子(コンペンセンター)6は、直線偏光を円偏光に変換する。本実施形態の位相補償子6は、λ/4板(1/4波長板)からなる。光源によるが、本実施形態では、広域のスペクトルを有するSLD光源を用いているため、無着色のアクロマティックリターダを用いる。
撮像装置17の検出面18を構成する撮像素子は、電荷結合素子 (CCD: Charge Coupled Device) をマトリクス状に整列させたアレイ状の素子である。
次に、このように構成されたエリプソメトリー顕微鏡1における測定手順を説明する。
まず、試料Sをセットして、光源2、モニタ19の電源を投入する。
そして、偏光子5、位相補償子6を相互に回転しながら、モニタ19でコントラストを確認し、所定の部分が消失したら、記録を取る。
次に、光強度の膜厚分布への換算について説明する。試料の各点について像の光強度を以下のような方法で膜厚分布に換算することができる。少なくとも二つの偏光子の設定角P=P1とP=P2とに対する、光強度I1とI2とを測定し、式(1)に代入し連立2元方程式を解くことにより、振幅比Ψと位相差Δを得る。振幅比Ψと位相差Δと試料薄膜の膜厚の関係は、通常のエリプソメータなど一般的な方法で求める。これらから、光強度I(x,y)と膜厚の関係が得られ、像の光強度分布を定量的な膜厚分布に換算する。もちろん、これは一例であり、試料各点の振幅比Ψと位相差Δを求める工程、振幅比Ψと位相差Δと試料薄膜の膜厚の関係を求める工程を含む種々の工程により実現できる。
(1)本実施形態のエリプソメトリー顕微鏡1では、斜め照明系と結像系とを、同じ対物レンズ8を共用して構成し、平行光による斜め照明と対物レンズ8の光軸AX2を被写体である試料Sに対して垂直に配置することの両立を可能としたため、対物レンズ8と試料Sとを極めて接近させることができ、試料Sの微小な膜厚分布を高いコントラスト、定量観測、広い視野、および高い倍率の全てを同時に実現できる。
(5)斜め照明系に設けられ、斜め照明系の光路を屈曲させるビームスプリッタ9を備えるため、全体の構成をコンパクトにすることができる。なお、ビームスプリッタに替えてハーフミラーを用いてもよい。
(7)また、光源は、白色光源でも同様に非コヒーレントな光を得ることができる。
(9)位相補償子6は、λ/4板から構成され、容易に高いコントラストの観測ができる。特に、回転させることで、偏光子5により直線偏光とされた照明光L3を希望のだ円偏光若しくは円偏光に変換できる。
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○ 位相補償子6は、λ/4板に替えて、石英製の光弾性変調器としてもよい。位相変調型として高速に位相補償子の変調を行うことができる。CCDカメラとの組合せで高速に処理することができる。
Claims (12)
- 被写体に対向した対物レンズと、当該被写体の像を結像する結像レンズとを有した結像系と、
当該結像系に設けられた検光子と、
同結像系により結像した像を検出面で検出する撮像装置と、
光源と、前記対物レンズの光軸とその光軸をずらし、その焦点面を前記対物レンズの後側焦点面と一致するように配置して、当該光源からの光を集光する集光レンズとを有し、前記対物レンズを介して前記被写体をp偏光に対する反射率がおおむね最小となるような入射角で平行光を照明する斜め照明系と、
当該斜め照明系の光路に設けられた偏光子と、
同斜め照明系の前記偏光子と前記被写体の間に設けられた位相補償子とを備えた膜厚分布測定装置。 - 請求項1の膜厚分布測定装置であって、
前記結像レンズの前側焦点面を前記対物レンズの後側焦点面に一致させたことを特徴とする膜厚分布測定装置。 - 請求項2の膜厚分布測定装置であって、
前記結像レンズの後側焦点面を前記撮像装置の検出面に一致させたことを特徴とする膜厚分布測定装置。 - 前記斜め照明系は、前記被写体全体を照明するとともに、その正反射光は前記撮像装置の検出面全面を平行光で均一に照射することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の膜厚分布測定装置。
- 前記結像系により前記撮像装置の検出面には、前記被写体の散乱光による像を結像させることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の膜厚分布測定装置。
- 前記斜め照明系に設けられ、当該斜め照明系の光路を屈曲させるビームスプリッタ若しくはハーフミラーを前記結像レンズと前記対物レンズの間に備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の膜厚分布測定装置。
- 前記光源において、その可干渉距離が、装置を構成する光学素子間距離よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の膜厚分布測定装置。
- 前記光源がスーパー・ルミネッセント・ダイオードから構成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の膜厚分布測定装置。
- 前記光源が白色光源から構成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の膜厚分布測定装置。
- 前記対物レンズは、無限遠光学系であることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の膜厚分布測定装置。
- 前記位相補償子は、λ/4板であることを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の膜厚分布測定装置。
- 前記検出面は、マトリクス状に設けられたCCDから構成されることを特徴とする請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載の膜厚分布測定装置。
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