JP2009186344A - 半導体力学量センサ装置 - Google Patents
半導体力学量センサ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009186344A JP2009186344A JP2008027259A JP2008027259A JP2009186344A JP 2009186344 A JP2009186344 A JP 2009186344A JP 2008027259 A JP2008027259 A JP 2008027259A JP 2008027259 A JP2008027259 A JP 2008027259A JP 2009186344 A JP2009186344 A JP 2009186344A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- semiconductor
- terminal
- chip
- electrically connected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48095—Kinked
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
【解決手段】 半導体センサチップ40からの出力信号を処理するための電気回路が形成された半導体回路チップ30は、半導体チップ化されているため、加速度センサ装置1を小型化することができる。また、センサ本体20は、スタッドバンプ13によってターミナル4にフリップチップ実装されているため、従来のように回路基板を端子にハンダ付けする必要がないので、ハンダに含まれる鉛成分が溶出して環境に悪影響を及ぼすおそれがない。
【選択図】 図6
Description
半導体力学量センサとしての衝突検知センサ装置50は、エアバッグ制御装置側と接続されるコネクタ部51と、車両に取り付けられるケース部53とを備える。ケース部53の内部に形成された凹部57には、センサ本体56が配置されている。センサ本体56は、ガラスエポキシ系の回路基板上に加速度センサ(Gセンサ)を搭載して構成される。
また、ワイヤ55がターミナル54およびセンサ本体56とそれぞれハンダ付けされているため、廃棄後、ハンダに含まれる鉛成分が溶出し、環境に悪影響を及ぼす。
センサは、半導体センサチップと、半導体回路チップとが電気的に接続されるとともに積層されて一体化したものである。
つまり、半導体センサチップからの出力信号を処理するための電気回路が配置されている部分は、半導体チップ化されているため、従来のようにガラスエポキシ系の回路基板を用いたものよりも、センサ部分の占有面積を小さくすることができるので、力学量センサ装置を小型化することができる。
半導体センサチップからの出力信号を処理するための電気回路が配置されている部分は、半導体チップ化されているため、従来のようにガラスエポキシ系の回路基板を用いたものよりも、センサ部分の占有面積を小さくすることができるので、力学量センサ装置を小型化することができる。
半導体センサチップからの出力信号を処理する回路において、半導体回路チップ化し難い素子、例えば、コンデンサなどを外付け素子としてセンサの外方において端子に電気的に接続することにより、半導体回路チップの小型化が阻害されないようにすることができる。
端子が、内部空間を有する絶縁性部材に挿通され、その内部空間に存在する端子にセンサが電気的に接続されており、センサの前後および両横方向が絶縁性部材によって保護された状態となるため、センサおよび端子を前後および横方向から作用する外力から保護することができる。
センサおよび端子が絶縁性部材によって封止されており、センサの周囲が絶縁性部材によって保護された状態となるため、センサおよび端子を周囲から作用する外力から保護することができる。また、センサおよび端子に水分や塵芥などの異物が浸入してセンサが故障するおそれがない。
絶縁性部材によって封止されたセンサは、さらにゲル状の保護部材によって覆われて保護されてなるため、センサの外力からの保護をより一層強化することができる。また、水分や塵芥などの異物の浸入をより一層強固に阻止し、センサの保護に万全を期すことができる。
従って、例えば、与えられる可能性のある力学量の範囲と、センサの検出範囲とを整合させることができる。
この発明に係る第1実施形態について図を参照して説明する。以下の各実施形態では、この発明に係る半導体力学量センサ装置として、自動車などの車両に取付け、車両の加速度を検出する加速度センサ装置(Gセンサ装置ともいう)を例に挙げて説明する。
加速度センサ装置の取付構造について図を参照して説明する。図1は、取付部材に取付けられた加速度センサ装置の平面図である。
加速度センサ装置の構造について図を参照して説明する。図2は、図1におけるA−A矢視断面図である。図3は、図2に示す加速度センサ装置の構成部材を示す説明図であり、(a)はコネクタ部の縦断面図、(b)はハウジングの縦断面図、(c)はセンサの縦断面図である。なお、図2において、図面左側を後方とし、図面右側を前方とする。
つまり、センサ本体20と、センサ本体20が実装されているターミナル4a〜4cとを含む領域の前後方向および両横方向は、絶縁性部材12によって囲まれ保護されている。また、センサ本体20と絶縁性部材12との間には、隙間14が形成されている。さらに、図4に示すように、絶縁性部材12の上面は、センサ本体20の上面よりも高い位置にあり、センサ本体20が絶縁性部材12から上方へ露出しないようになっている。
次に、センサ本体20の構造について図6を参照して説明する。図6は、センサ本体20の構造を示す縦断面図である。
センサ本体20は、与えられた加速度に対応する信号を出力する半導体センサチップ40と、この半導体センサチップ40からの出力信号を処理するための半導体回路チップ30とを備える。
(1)半導体センサチップ40からの出力信号を処理するための電気回路が形成された半導体回路チップ30は、半導体チップ化されているため、従来のようにガラスエポキシ系の回路基板を用いたものよりも、占有面積を小さくすることができるので、加速度センサ装置1を小型化することができる。
次に、この発明の第2実施形態について図7を参照して説明する。図7は、この実施形態の加速度センサ装置に備えられたセンサ部10の構造を示す縦断面図である。なお、前述の第1実施形態の加速度センサ装置と同じ構成については説明を省略し、同じ符号を用いる。
次に、この発明の第3実施形態について図8を参照して説明する。図8は、この実施形態の加速度センサ装置に備えられたセンサ部10の構造を示す縦断面図であり、(a)はフリップ実装されたセンサ部の構造を示す縦断面図、(b)はワイヤボンディングによって実装されたセンサ部の構造を示す縦断面図である。なお、前述の第1および第2実施形態の加速度センサ装置と同じ構成については説明を省略し、同じ符号を用いる。
従って、センサ本体20およびターミナル4を前後および両横方向のみならず、上下方向から作用する外力から保護することができる。また、センサおよび端子に水分や塵芥などの異物が浸入してセンサが故障するおそれがない。
なお、図8(a),(b)において、外付け素子11を絶縁性部材12によって封止しないように構成することもできる。
次に、この発明の第4実施形態について図9を参照して説明する。図9は、この実施形態の加速度センサ装置に備えられたセンサ部10の平面図であり、(a)は外付け素子が絶縁性部材によって封止されていない例、(b),(c)はターミナルが絶縁性部材の後壁のみ貫通した例であり、(b)は外付け素子が絶縁性部材によって封止されている例、(c)は外付け素子が絶縁性部材によって封止されていない例を示す。なお、前述の第1実施形態の加速度センサ装置と同じ構成については説明を省略し、同じ符号を用いる。
次に、この発明の第5実施形態について図10を参照して説明する。図10は、図2に対応するA−A矢視断面図である。なお、前述の第1実施形態の加速度センサ装置と同じ構成については説明を省略し、同じ符号を用いる。
従って、センサ本体20の外力からの保護をより一層強化することができる。また、水分や塵芥などの異物の浸入をより一層強固に阻止し、センサ本体20の保護に万全を期すことができる。
従って、例えば、与えられる可能性のある加速度の範囲と、センサ本体20の検出範囲とを整合させることができる。
この実施形態では、保護部材15は、フッ素系ゲル、フロロシリコーンゲル、シリコーンゲルなどにより形成されている。
次に、この発明の第6実施形態について図11を参照して説明する。図11は、図6に対応する縦断面図である。なお、前述の第1実施形態の加速度センサ装置と同じ構成については説明を省略し、同じ符号を用いる。
また、この実施形態の加速度センサ装置1は、センサ部10が保護部材15によって保護されている構造を除いて前述の第1実施形態の加速度センサ装置と同じ構成であるため、第1実施形態の効果(1)ないし(4)と同じ効果を奏することができる。
次に、この発明の第7実施形態について図12を参照して説明する。図12は、センサ本体20の構造を示す縦断面図である。なお、前述の第1実施形態の加速度センサ装置と同じ構成については説明を省略し、同じ符号を用いる。
次に、この発明の第8実施形態について図13を参照して説明する。図13は、センサ本体20の構造を示す縦断面図である。なお、前述の第1実施形態の加速度センサ装置と同じ構成については説明を省略し、同じ符号を用いる。
(1)この発明の半導体力学量センサ装置は、加速度以外の力学量を検出するセンサにも適用することができる。例えば、車両の所定の空間圧の変化を検出してエアバッグを展開させるための圧力センサ、車両のヨーレートを検出するヨーレートセンサ、車両の傾きを検出する傾斜センサ、車両の角速度を検出するジャイロセンサなどに適用することができる。
従って、この発明の半導体力学量センサ装置をヨーレートセンサ、傾斜センサ、ジャイロセンサなどに適用する場合、実際に与えられる可能性のある力学量に対応してセンサ本体の検出範囲を調整することができる。
3・・ハウジング、3a・・収容空間、4・・ターミナル(端子)、5・・内部空間、
10・・センサ部、11・・外付け素子、12・・絶縁性部材、
12a・・後壁(一方の壁)、12b・・前壁(他方の壁)、
13・・スタッドバンプ、15・・保護部材、20・・センサ本体、
30・・半導体回路チップ、40・・半導体センサチップ。
Claims (6)
- 与えられた力学量に対応する信号を出力する半導体センサチップと、前記半導体センサチップからの出力信号を処理するための半導体回路チップとが電気的に接続されるとともに積層されて一体化したセンサと、
前記半導体回路チップからの出力信号を、その出力信号によって作動する装置へ伝達するための端子と、を備えており、
前記センサがスタッドバンプを用いて前記端子にフリップチップ実装されてなることを特徴とする半導体力学量センサ装置。 - 与えられた力学量に対応する信号を出力する半導体センサチップと、前記半導体センサチップからの出力信号を処理するための半導体回路チップとが電気的に接続されるとともに積層されて一体化したセンサと、
前記半導体回路チップからの出力信号を、その出力信号によって作動する装置へ伝達するための端子と、を備えており、
前記センサがワイヤボンディングによって前記端子と電気的に接続されてなることを特徴とする半導体力学量センサ装置。 - 前記半導体回路チップに形成された回路を構成する素子の一部が前記センサの外方において前記端子に電気的に接続されてなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体力学量センサ装置。
- 内部空間を有する絶縁性部材を備えており、
前記端子の一端は、前記内部空間を通過するように前記絶縁性部材の相対向する壁の一方の壁を貫通して他方の壁に挿入されており、
前記センサは、前記内部空間に存在する前記端子に電気的に接続されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1つに記載の半導体力学量センサ装置。 - 前記センサおよび端子が、絶縁性部材によって封止されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1つに記載の半導体力学量センサ装置。
- 前記装置と前記端子の他端とを電気的に接続するためのコネクタ部と、前記コネクタ部に隣接するハウジングと、前記センサを収容するために前記ハウジングの内部に形成された収容空間と、前記収容空間に収容されたゲル状の保護部材とを備えており、
前記端子の一端は、前記コネクタ部から前記ハウジングを形成する一の壁を貫通して前記収容空間に延出しており、かつ、前記センサは、前記延出した前記端子の一端に電気的に接続されており、
前記センサおよび前記収容空間に延出した端子は、前記絶縁性部材によって封止されており、さらに、前記絶縁性部材は、前記ゲル状の保護部材によって覆われ保護されてなることを特徴とする請求項5に記載の半導体力学量センサ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008027259A JP2009186344A (ja) | 2008-02-07 | 2008-02-07 | 半導体力学量センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008027259A JP2009186344A (ja) | 2008-02-07 | 2008-02-07 | 半導体力学量センサ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009186344A true JP2009186344A (ja) | 2009-08-20 |
Family
ID=41069731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008027259A Pending JP2009186344A (ja) | 2008-02-07 | 2008-02-07 | 半導体力学量センサ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009186344A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012215153A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Denso Corp | 電子部品装置 |
KR101371052B1 (ko) | 2013-10-31 | 2014-03-12 | (주)드림텍 | 커넥터 일체형 센서 모듈 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11261080A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Omron Corp | 半導体素子及びその実装構造 |
JP2002353380A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
JP2003204179A (ja) * | 2001-10-23 | 2003-07-18 | Trw Automot Electronics & Components Gmbh & Co Kg | 電子モジュール及びその製造方法 |
JP2003337073A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-28 | Denso Corp | センサ装置 |
JP2004239618A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Denso Corp | センサ装置 |
JP2004266096A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法、並びに電子装置 |
JP2004271312A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Denso Corp | 容量型半導体センサ装置 |
JP2004294419A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-10-21 | Denso Corp | センサ装置 |
JP2004317235A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 物理量センサの実装構造 |
JP2005043211A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Nsk Ltd | センサ付転動装置 |
JP2007141963A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Denso Corp | 基板の実装方法、及びその実装方法で実装された半導体装置 |
JP2007163501A (ja) * | 2006-12-25 | 2007-06-28 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体センサおよびその製造方法 |
-
2008
- 2008-02-07 JP JP2008027259A patent/JP2009186344A/ja active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11261080A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Omron Corp | 半導体素子及びその実装構造 |
JP2002353380A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
JP2003204179A (ja) * | 2001-10-23 | 2003-07-18 | Trw Automot Electronics & Components Gmbh & Co Kg | 電子モジュール及びその製造方法 |
JP2003337073A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-28 | Denso Corp | センサ装置 |
JP2004239618A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Denso Corp | センサ装置 |
JP2004294419A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-10-21 | Denso Corp | センサ装置 |
JP2004266096A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法、並びに電子装置 |
JP2004271312A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Denso Corp | 容量型半導体センサ装置 |
JP2004317235A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 物理量センサの実装構造 |
JP2005043211A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Nsk Ltd | センサ付転動装置 |
JP2007141963A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Denso Corp | 基板の実装方法、及びその実装方法で実装された半導体装置 |
JP2007163501A (ja) * | 2006-12-25 | 2007-06-28 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体センサおよびその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012215153A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Denso Corp | 電子部品装置 |
KR101371052B1 (ko) | 2013-10-31 | 2014-03-12 | (주)드림텍 | 커넥터 일체형 센서 모듈 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2342160B1 (en) | Inertial sensor with dual cavity package and method of fabrication | |
US7419853B2 (en) | Method of fabrication for chip scale package for a micro component | |
US8156804B2 (en) | Capacitive semiconductor sensor | |
EP2434297A1 (en) | Structure having chip mounted thereon and module provided with the structure | |
US20110199473A1 (en) | Semiconductor apparatus and endoscope apparatus | |
US8459108B2 (en) | Angular rate sensor | |
KR102192847B1 (ko) | 미세 기계 센서 장치 | |
JP2004271312A (ja) | 容量型半導体センサ装置 | |
US7836764B2 (en) | Electrical device with covering | |
EP2180291B1 (en) | Composite sensor for detecting angular velocity and acceleration | |
JP2009241164A (ja) | 半導体センサー装置およびその製造方法 | |
US9964560B2 (en) | Transfer mold type sensor device | |
JP2009186344A (ja) | 半導体力学量センサ装置 | |
JP2010028025A (ja) | 電子装置 | |
JP2005127750A (ja) | 半導体センサおよびその製造方法 | |
JP2008026183A (ja) | Ic一体型加速度センサ | |
JP4428210B2 (ja) | 物理量センサの実装構造 | |
JP4566066B2 (ja) | 回路装置およびその製造方法 | |
JP4706634B2 (ja) | 半導体センサおよびその製造方法 | |
JP4244920B2 (ja) | 半導体センサ | |
JP4923937B2 (ja) | センサ装置 | |
JP2022046920A (ja) | 電子デバイス | |
JP2006080350A (ja) | 半導体装置およびその実装構造 | |
JP4674622B2 (ja) | センサモジュール及びその製造方法 | |
JP4466497B2 (ja) | センサモジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090617 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110621 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120410 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120918 |