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  1. 半導体レーザ構造体であって、
    Ｃ面の堆積面を有する基板と、
    前記基板上のＩＩＩ−Ｖ族窒化物バッファ層と、
    前記バッファ層上の第１のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波層と、
    前記第１のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波層上の、少なくとも１つのＩｎＧａＮ量子井戸層を有する活性層と、
    前記活性層上の第２のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波層と、
    を有することを特徴とする半導体レーザ構造体。
  2. 請求項１記載の半導体レーザ構造体において、
    前記活性層内に形成され、ｐ型物質とｎ型物質の間に少なくとも1つの接合を有し、増幅領域として機能する第１の活性領域と、
    前記活性層内に形成され、ｐ型物質とｎ型物質の間に少なくとも１つの接合を有し、光学変調領域として機能する第２の活性領域と、
    を有し、前記第１の活性領域に順方向バイアスが印加され、その中で刺激された光が引き起こされ、前記刺激された光の一部は前記第２の活性領域内に向けられ、前記第２の活性領域の光損失を変化させてレージングを生じさせる
    ことを特徴とする半導体レーザ構造体。
  3. 請求項２記載の半導体レーザ構造体において、
    前記第２の活性領域の光損失は、前記第２の活性領域へ順方向バイアス電流を印加することで変化させる
    ことを特徴とする半導体レーザ構造体。
  4. 請求項２記載の半導体レーザ構造体において、
    前記第２の活性領域の光損失は、前記第２の活性領域へ逆方向バイアス電圧を印加することで変化させる
    ことを特徴とする半導体レーザ構造体。
  5. 請求項２記載の半導体レーザ構造体において、さらに、
    前記複数のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層の少なくとも１つに形成されたトレンチ
    を有し、前記トレンチにより前記第１の活性領域と前記第２の活性領域が形成されることを特徴とする半導体レーザ構造体。
  6. 請求項３記載の半導体レーザ構造体において、さらに、
    前記複数のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層の少なくとも１つに形成されたトレンチ
    を有し、前記トレンチにより前記第１の活性領域と前記第２の活性領域が形成されることを特徴とする半導体レーザ構造体。
  7. 請求項４記載の半導体レーザ構造体において、さらに、
    前記複数のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層の少なくとも１つに形成されたトレンチ
    を有し、前記トレンチにより前記第１の活性領域と前記第２の活性領域が形成されることを特徴とする半導体レーザ構造体。
  8. 請求項４記載の半導体レーザ構造体において、さらに
    前記複数のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層の少なくとも１つに形成され前記活性層まで達するトレンチ
    を有することを特徴とする半導体レーザ構造体。
  9. 請求項２記載の半導体レーザ構造体において、
    ３６０ｎｍから６５０ｎｍまでの範囲の波長の光を発することを特徴とする半導体レーザ構造体。
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Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7368421B2 (en) * 2001-06-27 2008-05-06 Probiodrug Ag Use of dipeptidyl peptidase IV inhibitors in the treatment of multiple sclerosis
US6834068B2 (en) * 2001-06-29 2004-12-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and method for fabricating the same
US7067849B2 (en) 2001-07-17 2006-06-27 Lg Electronics Inc. Diode having high brightness and method thereof
US6949395B2 (en) 2001-10-22 2005-09-27 Oriol, Inc. Method of making diode having reflective layer
US7148520B2 (en) 2001-10-26 2006-12-12 Lg Electronics Inc. Diode having vertical structure and method of manufacturing the same
US6724013B2 (en) * 2001-12-21 2004-04-20 Xerox Corporation Edge-emitting nitride-based laser diode with p-n tunnel junction current injection
US7039078B2 (en) * 2002-09-17 2006-05-02 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Semiconductor optical modulator and laser with optical modulator
US20050141800A1 (en) * 2002-09-17 2005-06-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Waveguide semiconductor optical device and process of fabricating the device
KR100493089B1 (ko) * 2002-12-17 2005-06-02 삼성전자주식회사 집적광학장치
JP2005019533A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Oki Electric Ind Co Ltd 光半導体素子，及び光半導体素子の製造方法
GB0424253D0 (en) * 2004-05-20 2004-12-01 Bookham Technology Plc Laterally implanted electro-absorption modulated laser
US20060126157A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 Electronics And Telecommunications Research Institute Monolithic integrated semiconductor modulator-SOA-LED broad band light source and method of fabricating the same
US7751455B2 (en) 2004-12-14 2010-07-06 Palo Alto Research Center Incorporated Blue and green laser diodes with gallium nitride or indium gallium nitride cladding laser structure
WO2007002024A2 (en) * 2005-06-22 2007-01-04 Binoptics Corporation Algainn-based lasers produced using etched facet technology
CN102130234A (zh) * 2005-10-29 2011-07-20 三星电子株式会社 半导体器件的制造方法
GB2432456A (en) * 2005-11-21 2007-05-23 Bookham Technology Plc High power semiconductor laser diode
GB2432715A (en) * 2005-11-25 2007-05-30 Sharp Kk Nitride semiconductor light emitting devices
GB2437593A (en) * 2006-04-25 2007-10-31 Jian-Jun He A q-modulated semiconductor laser
DE102006051745B4 (de) * 2006-09-28 2024-02-08 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers
DE102007058723A1 (de) * 2007-09-10 2009-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierende Struktur
JP4769905B2 (ja) * 2009-12-10 2011-09-07 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 ｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体発光素子
EP2402996A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-04 Alcatel Lucent A device comprising an active component and associated electrodes and a method of manufacturing such device
US8937981B2 (en) 2011-11-01 2015-01-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Direct modulated laser
JP6032601B2 (ja) * 2011-12-21 2016-11-30 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体光増幅器の制御方法及び測定方法、並びに半導体光増幅装置
US9450152B2 (en) 2012-05-29 2016-09-20 Micron Technology, Inc. Solid state transducer dies having reflective features over contacts and associated systems and methods
DE102013226270B3 (de) * 2013-12-17 2015-04-02 Forschungsverbund Berlin E.V. Verfahren zum Ausbilden eines Metallkontakts auf einer Oberfläche eines Halbleiters und Vorrichtung mit einem Metallkontakt
US10366883B2 (en) 2014-07-30 2019-07-30 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Hybrid multilayer device
US11217722B2 (en) * 2015-07-10 2022-01-04 The Regents Of The University Of California Hybrid growth method for III-nitride tunnel junction devices
US10658177B2 (en) 2015-09-03 2020-05-19 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Defect-free heterogeneous substrates
EP3360210A1 (en) * 2015-10-05 2018-08-15 King Abdullah University Of Science And Technology An apparatus comprising a waveguide-modulator and laser-diode and a method of manufacture thereof
WO2017171737A1 (en) 2016-03-30 2017-10-05 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Devices having substrates with selective airgap regions
CN107664496B (zh) * 2016-07-28 2021-08-17 罗伯特·博世有限公司，香港 具有适应性热控制功能的激光标线工具
US10193634B2 (en) 2016-09-19 2019-01-29 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Optical driver circuits
US11095097B2 (en) 2016-11-28 2021-08-17 King Abdullah University Of Science And Technology Integrated semiconductor optical amplifier and laser diode at visible wavelength
KR102621843B1 (ko) * 2016-12-23 2024-01-05 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 포함하는 광 모듈
EP3379664B1 (en) * 2017-03-20 2023-06-14 Nokia Solutions and Networks Oy A laser and method of controlling a laser to output a signal intermittently
JP6932345B2 (ja) * 2017-03-27 2021-09-08 学校法人 名城大学 半導体多層膜反射鏡及び垂直共振器型発光素子
US10381801B1 (en) 2018-04-26 2019-08-13 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Device including structure over airgap
US11870011B2 (en) 2019-06-25 2024-01-09 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Light-emitting diode and method of manufacturing the same, and display device
US20220393426A1 (en) * 2021-06-02 2022-12-08 Microsoft Technology Licensing, Llc Modulator integration for laser used with display

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4088964A (en) * 1975-01-22 1978-05-09 Clow Richard G Multi-mode threshold laser
US4563765A (en) * 1982-01-29 1986-01-07 Massachusetts Institute Of Technology Intra-cavity loss-modulated diode laser
US5151915A (en) 1990-12-27 1992-09-29 Xerox Corporation Array and method of operating a modulated solid state laser array with reduced thermal crosstalk
US5267255A (en) 1992-02-25 1993-11-30 Xerox Corporation Array and method of operating a modulated solid state laser array with reduced thermal crosstalk
JP3306892B2 (ja) * 1992-02-28 2002-07-24 株式会社日立製作所 半導体光集積素子およびその製造方法
FR2706079B1 (fr) * 1993-06-02 1995-07-21 France Telecom Composant intégré monolithique laser-modulateur à structure multi-puits quantiques.
DE19624514C1 (de) * 1996-06-19 1997-07-17 Siemens Ag Laserdiode-Modulator-Kombination
DE19652529A1 (de) * 1996-12-17 1998-06-18 Siemens Ag Optoelektronisches Bauelement mit MQW-Strukturen
WO1998039827A1 (fr) * 1997-03-07 1998-09-11 Sharp Kabushiki Kaisha Element electroluminescent semi-conducteur a base de nitrure de gallium muni d'une zone active presentant une structure de multiplexage a puits quantique et un dispostif semi-conducteur a sources de lumiere utilisant le laser
JPH10270799A (ja) * 1997-03-21 1998-10-09 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
JP2000312054A (ja) * 1998-04-28 2000-11-07 Sharp Corp 半導体素子の製造方法、及び半導体素子
JP2000244049A (ja) * 1999-02-19 2000-09-08 Toshiba Corp 半導体素子及びその製造方法
US6437372B1 (en) * 2000-01-07 2002-08-20 Agere Systems Guardian Corp. Diffusion barrier spikes for III-V structures
JP2001274520A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体レーザ素子

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