JP2009182075A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. インプリントによる構造体の製造方法であって、
   基板上に第一の樹脂を塗布して第一の樹脂層を形成し、該第一の樹脂層にモールドの凹凸パターンを転写する第一のインプリント工程と、
   前記第一のインプリント工程で形成された前記第一の樹脂による第一の樹脂層の上と、
   該第一の樹脂層に隣接する前記基板上の領域の上に第二の樹脂を塗布して第二の樹脂層を形成し、該第二の樹脂層にモールドの凹凸パターンを転写する第二のインプリント工程と、
   前記モールドのパターンが転写された前記第一および第二の樹脂層をエッチングしてパターンを形成する工程と、
   を有することを特徴とするインプリントによる構造体の製造方法。
2. 前記第一および第二の樹脂層をエッチングすることにより形成されたパターンをマスクとして、前記基板をエッチングする工程を有することを特徴とする請求項１に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
3. 前記モールドのパターンが転写された前記第一および第二の樹脂層をエッチングしてパターンを形成するに際し、
   前記第一の樹脂と前記第二の樹脂とを異なった材料で形成し、該第一の樹脂と選択比のある条件で、該第二の樹脂をエッチングする第一のエッチング工程を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
4. 前記モールドのパターンが転写された前記第一および第二の樹脂層をエッチングしてパターンを形成するに際し、
   前記第一のエッチング工程に加え、更に、
   前記第一の樹脂と前記第二の樹脂を、前記第一のエッチング工程でおこなったエッチング条件よりも選択比の低い条件でエッチングする第二のエッチング工程を有することを特徴とする請求項３に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
5. 前記第一のエッチング工程において、前記第二の樹脂層が所定の膜厚までエッチングされた後、前記第二のエッチング工程を行うことを特徴とする請求項４に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
6. 前記第二のエッチング工程において、前記第一の樹脂層が所定の膜厚までエッチングされた後、前記第一のエッチング工程を行うことを特徴とする請求項４に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
7. 前記第一のエッチング工程において、前記第一の樹脂層に形成された前記パターンの凹部と、前記第二の樹脂層に形成された前記パターンの凹部とが、同じ高さになるまで行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
8. 前記第一の樹脂が、シリコン含有樹脂、あるいは酸化シリコン化合物で形成され、前記第二の樹脂が、非シリコン系の材料で形成されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
9. 前記第一のエッチング工程において、前記第二の樹脂と前記第一の樹脂のエッチング選択比が５以上であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
10. 前記基板表面と、前記第一の樹脂が形成される面との間に、下層側に第四の材料層を上層側に第三の材料層を形成する工程と、
    前記第一および第二の樹脂層をエッチングすることにより形成されたパターンをマスクとして、前記第三の材料層をエッチングし第一のパターンを形成する工程と、
    前記第一のパターンをマスクとして、前記第四の材料層をエッチングし第二のパターンを形成する工程と、
    を有することを特徴とする請求項１に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
11. 前記第二のパターンをマスクとして、前記基板をエッチングにより加工する工程を有することを特徴とする請求項１０に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
12. 前記第一のインプリント工程により、前記モールドのパターンが転写された前記第一の樹脂層の上に、第一の反転層を形成する工程と、
    前記第二のインプリント工程により、前記モールドのパターンが転写された前記第二の樹脂層の上に、第二の反転層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
13. 前記第二の反転層を、前記第二の樹脂による樹脂層の凸部が露出するまで除去加工する工程と、
    前記第二の反転層をマスクとして、前記第二の樹脂による樹脂層をエッチングし第一の反転パターンを形成する工程と、
    前記第一の反転パターンをマスクとして、前記第一の反転層をエッチングし第二の反転パターンを形成する工程と、
    前記第二の反転パターンをマスクとして、前記第一の樹脂による樹脂層をエッチングし第三の反転パターンを形成する工程と、
    前記第三の反転パターンをマスクとして、前記基板をエッチングにより加工する工程を有することを特徴とする請求項１２に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
14. 前記第二の反転パターンを形成する工程において、前記第二の反転層と、前記第一の反転層を、前記第一の樹脂による樹脂層の凸部が露出するまで除去加工する工程を有することを特徴とする請求項１３に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
15. 前記第一の反転パターンを形成する工程、及び前記第三の反転パターンを形成する工程において、
    第二の樹脂と第二の反転層、あるいは第一の樹脂と第一の反転層のエッチング選択比が５以上であることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
16. 前記基板表面と、前記第一の樹脂が形成される面との間に、第四の材料層を形成する工程と、
    前記第三の反転パターンをマスクとして、第四の材料層をエッチングし第四の反転パターンを形成する工程と、
    前記第四の反転パターンをマスクとして、前記基板をエッチングにより加工する工程を有することを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
17. 前記基板表面と、前記第一の樹脂が形成される面との間に、下層側に第四の材料層を上層側に第三の材料層を形成する工程と、
    前記第三の反転パターンをマスクとして、前記第三の材料層をエッチングし第五の反転パターンを形成する工程と、
    前記第五の反転パターンをマスクとして、前記第四の材料層をエッチングし第六の反転パターンを形成する工程と、
    前記第六の反転パターンをマスクとして、前記基板をエッチングにより加工する工程を有することを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか１項に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
18. 前記第三の材料層が、二酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンを含有した樹脂系、酸化シリコン化合物、メタル材料のいずれかの材料であることを特徴とする請求項１０または請求項１７に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
19. 前記第四の材料層が、炭化水素化合物、炭素化合物のいずれかの材料であることを特徴とする請求項１０、請求項１６、請求項１７のいずれか１項に記載のインプリントによる構造体の製造方法。
20. 第一の反転層、及び第二の反転層が、二酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンを含有した樹脂系、酸化シリコン化合物、メタル材料のうちの、いずれかの材料であることを特徴とする請求項１２乃至１７のいずれか１項に記載のインプリントによる構造体の製造方法。