JP2009179505A - 窒化物体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 気相成長室内の基板(種結晶基板)以外の部分に原料ガスの反応生成物が付着し堆積するのを大幅に抑制して、窒化物体の生産性を向上させることができ、低コストに窒化物体を製造することができる窒化物体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 窒化物体の製造方法は、基板3の表面に気相成長法によって窒化物体を成長させる窒化物体の製造方法であって、気相成長室(石英管)1内において700℃以上に加熱された基板3を保持する保持体2a,2bが熱輻射率が1未満で水素及び塩素を含む原料ガスに対する耐腐食性を有する材料から成るものである。この構成により、保持体2a,2bが気相成長室1内の内壁、各部材等からの輻射熱を吸収しにくいものとなるため、保持体2a,2bの温度上昇が抑えられ、その結果保持体2a,2bへの原料ガスに起因する反応生成物の付着、堆積が抑えられる。
【選択図】 図1
【解決手段】 窒化物体の製造方法は、基板3の表面に気相成長法によって窒化物体を成長させる窒化物体の製造方法であって、気相成長室(石英管)1内において700℃以上に加熱された基板3を保持する保持体2a,2bが熱輻射率が1未満で水素及び塩素を含む原料ガスに対する耐腐食性を有する材料から成るものである。この構成により、保持体2a,2bが気相成長室1内の内壁、各部材等からの輻射熱を吸収しにくいものとなるため、保持体2a,2bの温度上昇が抑えられ、その結果保持体2a,2bへの原料ガスに起因する反応生成物の付着、堆積が抑えられる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、基板の表面にGaN,AlN,AlGaN等の窒化物体(窒化物単結晶体)をハイドライド気相成長法(HVPE(hydride vapor phase epitaxy)法)等の気相成長法によって成長させる窒化物体の製造方法に関し、特に、発光ダイオード(LED),半導体レーザ(LD)等の発光素子,トランジスタ,パワーFET(Field Effect Transistor)等のパワーデバイス等の電子素子に適用される窒化物体の製造方法に関するものである。
GaN,AlGaN等の窒化物体(窒化ガリウム系化合物半導体)は、高融点であること、N(窒素)の平衡蒸気圧が高いことなどから、液相からのバルク型の単結晶の製造が困難である。そのため、サファイア(Al2O3),炭化珪素(SiC)等の異種基板(成長する窒化物体と異なる材料から成る基板)の上に、窒化物から成る薄膜を気相成長させて、その薄膜を各種デバイス用に利用している。
しかしながら、サファイア等の基板は、その上に成長させるGaN,AlGaN等の窒化物体から成る薄膜との格子定数差が大きい。例えば、サファイアはGaNとの格子不整合が13.7%もあるため、成長した薄膜には転位が多く発生する。特に、LEDでは高輝度化、電子デバイスではハイパワー化が必要なため、窒化物体の転位の低減が必要となっている。また、これらの発光素子、電子素子が汎用品になるためには、基板の低コスト化が不可欠である。このような条件を満たす、低転位で大面積、低コストな窒化物体から成る基板に対する要望が大きい。
そして、近年、上記のHVPE法によって作製されたGaN単結晶から成る基板の実用化が始まっている(例えば、特許文献1参照)。また、AlN単結晶のHVPE法による製造方法についても研究が活発である(例えば、特許文献2参照)。
特開2000−12900号公報
特開2006−16294号公報
従来、HVPE法によって製造される窒化物体から成る基板は、窒化物体を成長させるための基板(1次基板、種結晶基板)として異種基板を使用して窒化物体層を成長させ、異種基板を窒化物体層から剥がして作製することができるが、その方法は異種基板を窒化物体層から剥がす工程が加わるため生産性が低い。
そこで、窒化物体と同種または異種の基板(1次基板、種結晶基板)上に窒化物体層を厚くバルク状に成長させ、ワイヤーソーによる基板の切断、SiC砥粒を用いたラップ研磨、コロイダルシリカを用いたポリッシュ研磨などの一般的な単結晶の切断研磨加工によって基板を作製することにより、生産性を向上させる方法がある。しかしながら、窒化物体層をバルク状に成長させる際に、気相成長室内の種結晶基板の保持体(サセプター)等の種結晶基板以外の部分に原料ガスに起因する堆積物が付着し、バルク状の窒化物体の成長を妨げるという問題点があった。これは、原料ガスが種結晶基板以外の部分にも存在するため、種結晶基板以外の部分に反応生成物が堆積するためである。
従って、本発明は、上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、気相成長室内の基板(種結晶基板)以外の部分に原料ガスの反応生成物が付着し堆積するのを大幅に抑制して、窒化物体の生産性を向上させることができ、低コストに窒化物体を製造することができる窒化物体の製造方法を提供することである。
本発明の窒化物体の製造方法は、基板の表面に気相成長法によって窒化物体を成長させる窒化物体の製造方法であって、気相成長室内において700℃以上に加熱された基板を保持する保持体が、熱輻射率が1未満で水素及び塩素を含む原料ガスに対する耐腐食性を有する材料から成るものである。
また、本発明の窒化物体の製造方法は好ましくは、前記窒化物体は、GaN単結晶,AlN単結晶またはそれらの混晶から成る。
また、本発明の窒化物体の製造方法は好ましくは、前記保持体は、SiO2及びAl2O3の少なくとも一方を含む、ガラス,焼結体または単結晶から成る。
また、本発明の窒化物体の製造方法は好ましくは、前記基板は、GaN単結晶,AlN単結晶またはそれらの混晶から成る。
本発明の窒化物体の製造方法は、基板の表面に気相成長法によって窒化物体を成長させる窒化物体の製造方法であって、気相成長室内において700℃以上に加熱された基板を保持する保持体が、熱輻射率が1未満で水素及び塩素を含む原料ガスに対する耐腐食性を有する材料から成ることから、保持体が気相成長室内の内壁、各部材等からの輻射熱を吸収しにくいものとなるため、保持体の温度上昇が抑えられ、その結果保持体への原料ガスに起因する反応生成物の付着、堆積が抑えられる。その結果、原料ガスを効率的に窒化物体の成長に使用することができ、窒化物体の生産性を向上させて、低コストに窒化物体を製造することが可能となる。
また、炭素(カーボン)は一般に断熱性に優れた断熱材として、結晶成長装置等の高温装置に使用されるものであるが、本発明の窒化物体の製造方法においては炭素よりも輻射熱の影響を受け難い材料から成る保持体を使用する。その結果、保持体の温度上昇を抑えることができる。
また、本発明の窒化物単結晶体の製造方法は好ましくは、窒化物体は、GaN単結晶,AlN単結晶またはそれらの混晶から成ることから、発光ダイオード(LED),半導体レーザ(LD)等の発光素子、トランジスタ,パワーFET(Field Effect Transistor)等のパワーデバイス等の電子素子に好適に使用される窒化物体となる。
また、本発明の窒化物体の製造方法は好ましくは、保持体は、SiO2及びAl2O3の少なくとも一方を含む、ガラス,焼結体または単結晶から成ることから、保持体が気相成長室内の内壁、各部材等からの輻射熱を吸収しにくいものとなることに加えて、保持体は強度及び耐腐食性が高いものとなる。その結果、長時間にわたって安定的に窒化物体を製造することができる。
また、本発明の窒化物体の製造方法は好ましくは、基板は、GaN単結晶,AlN単結晶またはそれらの混晶から成ることから、基板とその表面に成長する窒化物体とを同種のものとすることができる。その結果、窒化物体の成長初期界面で発生する基板との格子定数差及び熱膨張率差に起因する窒化物体の転位の発生を抑制することができ、結晶品質の高い窒化物体を製造することができる。
本実施の形態の窒化物体の製造方法について以下に説明する。
本実施の形態の窒化物体の製造方法は、図1に示すように、基板3の表面に気相成長法によって窒化物体を成長させる窒化物体の製造方法であって、気相成長室(石英管)1内において700℃以上に加熱された基板3を保持する保持体(サセプター)2a,2bが、熱輻射率が1未満で水素及び塩素を含む原料ガスに対する耐腐食性を有する材料から成るものである。
上記の構成により、保持体2a,2bが気相成長室1内の内壁、各部材等からの輻射熱を吸収しにくいものとなるため、保持体2a,2bの温度上昇が抑えられ、その結果保持体2a,2bへの原料ガスに起因する反応生成物の付着、堆積が抑えられる。その結果、原料ガスを効率的に窒化物体の成長に使用することができ、窒化物体の生産性を向上させて、低コストに窒化物体を製造することが可能となる。
基板3は、GaN単結晶,AlN単結晶またはそれらの混晶から成ることが好ましい。この場合、基板3とその表面に成長する窒化物体とを同種のものとすることができる。その結果、窒化物体の成長初期界面で発生する基板3との格子定数差及び熱膨張率差に起因する窒化物体の転位の発生を抑制することができ、結晶品質の高い窒化物体を製造することができる。例えば、基板3として、外径51mmのGaN単結晶から成る円板状のものを使用し、外径60mmの円柱状の保持体2bに固定する。
基板3は、その他サファイア,GaAs,SiC等から成るものであってもよい。
基板3は、GaN単結晶等を成長させるために、700℃以上の温度に加熱される。好ましくは、基板3の温度は700℃〜1200℃程度である。700℃〜1200℃程度とすることによって、GaN単結晶体中に発生する転位を低減させることができ、また、結晶成長と熱分解のバランスが崩れて結晶成長し難くなるのを抑制することができる。
窒化物体は、窒化物のバルク結晶体であるが、GaN単結晶,AlN単結晶またはそれらの混晶から成ることが好ましい。この場合、発光ダイオード(LED),半導体レーザ(LD)等の発光素子、トランジスタ,パワーFET(Field Effect Transistor)等のパワーデバイス等の電子素子に好適に使用される窒化物体となる。また、窒化物体は、単結晶体でなくともよく、多結晶体であってもよいが、発光素子の発光特性、電子素子の駆動特性を高めるうえでは単結晶体から成るものがよい。
窒化物体は、その他Ga,Al,InとNの混晶等から成るものであってもよい。
窒化物体は、窒化物のバルク結晶体であることから、製造時及び搬送時にそれ単独で取り扱うことのできる自立した基板、基体となる。
保持体2a,2bは、SiO2及びAl2O3の少なくとも一方を含む、ガラス,焼結体または単結晶から成ることが好ましい。この場合、保持体2a,2bが気相成長室1内の内壁、各部材等からの輻射熱を吸収しにくいものとなることに加えて、保持体2a,2bは強度及び耐腐食性が高いものとなる。例えば、アンモニアガス,塩化水素ガス,水素ガスに対して耐腐食性が高いものとなる。その結果、長時間にわたって安定的に窒化物体を製造することができる。
保持体(サセプター)2a,2bは、水素及び塩素を含む原料ガスに対する耐腐食性を有するが、耐腐食性は、原料ガス中で使用する前後の保持体2a,2bの重量減少率を測定する方法、保持体2a,2bの表面の腐食の度合いを拡大鏡または顕微鏡を用いて観察する方法等によって測定することができる。
また、本実施の形態において、保持体2a,2bが水素及び塩素を含む原料ガスに対する耐腐食性を有するとは、換言すれば従来のCVD装置等において使用されていた炭素(グラファイト)製の保持体よりも高い耐腐食性を有することを意味する。
保持体2a,2bは、具体的には石英(赤外光の輻射率ほぼ0),Al2O3(赤外光の輻射率0.02)等から成る。なお、炭素の赤外光の熱輻射率は1である。
保持体2a,2bは、その他SiO2及びAl2O3の混合組成物等から成るものであってもよい。
保持体2a,2bは、熱輻射率が0.1より小さいものが好ましい。この場合、保持体2a,2bに対する原料ガスの反応生成物(GaN,NH4Clなどから成るもの)の付着をより有効に抑えることができる。
気相成長室1内に供給されて窒化物体を成長させる原料ガスは、アンモニア(NH3)ガス,塩化ガリウム(GaCl)ガス,塩化水素(HCl)ガス等であり、さらに窒素(N2)ガス,水素(H2)ガス,シラン(SiH4)ガス等を含んでいてもよい。
気相成長室1の材料は石英等であり、気相成長室1の形状は円筒状、角筒状等の筒状体である。
図1のように、ガリウム(Ga)融液槽6の内部雰囲気空間に、塩化水素ガスを塩化水素ガス供給管7から供給して塩化ガリウムガスを生成させ、これにアンモニアガス供給管4から供給されるアンモニアガスを混合させて、基板3に供給することによって基板3の表面にGaN単結晶体を成長させる。アンモニアガスと塩化水素ガスの流量比は、アンモニアガスの流量が塩化水素ガスの流量の15〜30倍程度である。15〜30倍程度とすることによって、GaN単結晶体の成長速度を高めることができ、また、柱状結晶の成長が起こりGaN単結晶体中の転位が増加することを抑えることができる。
ガリウム融液の温度は、電磁誘導加熱コイル、抵抗加熱コイル等から成るヒーター5により、600℃〜900℃程度に制御されることが好ましい。600℃〜900℃程度とすることにより、塩化ガリウムガスの生成効率を高めることができ、また、塩化ガリウムガスとアンモニアガスとの混合ガス中でGaN単結晶体の成長が起こり、基板3に混合ガスが到達した際にGaN単結晶の微結晶が成長して転位が増加することを有効に抑制することができる。
Ga融液槽6は石英等の材料から成り、直方体状、円筒状等の形状である。
基板3の温度は700℃〜1200℃程度であることが好ましい。700℃〜1200℃程度とすることによって、GaN単結晶体中に発生する転位を低減させることができ、また、結晶成長と熱分解のバランスが崩れて結晶成長し難くなるのを抑制することができる。
上記の条件においてGaN単結晶体の結晶成長を長時間(100時間程度)行うことにより、15mmを超える厚みのバルク状のGaN単結晶体を得ることができる。
外径52mm、厚み0.5mmの円板状の基板3の表面に成長した外径52mm、総厚み20.5mmの円板状のGaN単結晶体を気相成長装置1から取り出す。次に、ダイアモンド砥石を使用して外径51.2mmとなるように円筒研削してから、ダイアモンドワイヤを用いたワイヤーソーで1枚が0.8mmの厚みを有するものとして、20枚を分離切断する。次に、切断された20枚のGaN単結晶の基板の両面をダイアモンド砥粒及びSiC砥粒を用いて粗研磨した後に、コロイダルシリカを用いてデバイス工程で使用する表面を鏡面研磨し、直径50.8mm、厚み0.4mmのGaN単結晶体から成る基板(2次基板)を作製する。作製されたGaN単結晶体から成る基板は、表面の転位密度が2×104cm-2程度であり、従来にない大口径かつ高品質の窒化物体となる。
尚、基板3も同様の加工工程を経て基板(2次基板)として使用しても差し支えない。
以上より、光学素子、電子素子に適用される窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル成長するのに好適なGaN単結晶等から成る窒化物体が製造可能となる。
窒化物体から成る基板(2次基板)上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る半導体層を形成して、発光素子を構成する場合、その構成は以下のようになる。
例えば、GaN単結晶体から成る基板上に、GaN等から成るバッファ層を介して窒化ガリウム系化合物半導体層を形成する。このバッファ層は省くことができる。例えば窒化ガリウム系化合物半導体層は、化学式Ga1-x1-y1Iny1Alx1N(ただし、0≦x1+y1≦1、x1≧0、y1≧0とする。)で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と、化学式Ga1-x2-y2Iny2Alx2N(ただし、0≦x2+y2≦1、x2≧0、y2≧0とする。)で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、化学式Ga1-x3-y3Iny3Alx3N(ただし、0≦x3+y3≦1、x3≧0、y3≧0とする。)で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層が挟まれて接合されている構成(ただし、(x3,y1,y2)<(x1,x2)、(x3,y1,y2)≦y3とする。)である。
また、例えば第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層及び第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層は、それぞれn型窒化ガリウム系化合物半導体層及びp型窒化ガリウム系化合物半導体層である。窒化ガリウム系化合物半導体をn型半導体とするには、元素周期律表において4族の元素であるシリコン(Si)等をドーパントとして窒化ガリウム系化合物半導体に混入させればよい。窒化ガリウム系化合物半導体をp型半導体とするには、元素周期律表において2族の元素であるマグネシウム(Mg)等をドーパントとして、窒化ガリウム系化合物半導体に混入させればよい。
また、第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層及び第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層は、両方ともアルミニウム(Al)を含む窒化ガリウム系化合物半導体から成るものとし、いずれも発光層に含まれるアルミニウムよりもその含有量を多くすることがよい。このようにすると、第1及び第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層の禁制帯幅が両方とも発光層の禁制帯幅よりも大きくなるので、発光層に電子と正孔とを閉じ込めて、電子と正孔を効率良く再結合させて強い発光強度で発光させることができる。また、第1及び第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層は、アルミニウムを含んだ窒化ガリウム系化合物半導体からなることにより、第1及び第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層における禁制帯幅が比較的大きくなり、第1及び第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層における紫外光等の短波長側の光の吸収を小さくすることができる。なお、第1及び第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層は、いずれか一方がアルミニウムを含んだ窒化ガリウム系化合物半導体からなっていてもよい。
なお、第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層及び第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層は、それぞれp型窒化ガリウム系化合物半導体層及びn型窒化ガリウム系化合物半導体層としても構わない。
また、第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層及び第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層にはそれぞれ、発光層に電流を注入するための導電層(電極)を形成する。これにより、LEDや半導体レーザ(LD)等の発光素子が形成される。
また、発光層を成す窒化ガリウム系化合物半導体の組成は、所望の発光波長が得られる適当なものに設定すればよい。例えば、発光層を、アルミニウムもインジウムも含まないGaNからなるものとすれば、禁制帯幅は約3.4エレクトロンボルト(eV)となり、約365ナノメートル(nm)の発光波長である紫外光によって発光層を発光させることができる。また、これよりも発光波長を短波長とする場合、発光層は、禁制帯幅を大きくする元素であるアルミニウムを発光波長に応じて設定される量だけ含ませた窒化ガリウム系化合物半導体から成るものとすればよい。
また、発光層に禁制帯幅を小さくする元素であるインジウム(In)を含有させてもよく、所望の発光波長となるようにアルミニウムをより多く含有させる等して、アルミニウム,インジウム及びガリウムの組成比を適宜設定すればよい。また、発光層は、禁制帯幅の広い障壁層と禁制帯幅の狭い井戸層とから成る量子井戸構造が複数回繰り返し規則的に積層された超格子である多層量子井戸構造(MQW:Multiple Quantum Well)としてもよい。
このような発光素子は次のように動作する。即ち、発光層を含む窒化ガリウム系化合物半導体にバイアス電流を流して、発光層で波長350〜400nm程度の紫外光〜近紫外光を発生させ、発光素子の外側にその紫外光〜近紫外光を取り出すように動作する。
発光素子は、CD,DVD等の光記録媒体の光ピックアップ用の光源としての半導体レーザに適用できるものであり、波長350〜400nm程度の紫外光〜近紫外光、紫光を用いることにより、高記録密度で長時間の記録・再生が可能な光記録媒体を製造、使用することができる。このような光ピックアップは、周知の構成のものでよく、例えば、発光素子と、発光素子から発光した光の光軸上に設置されたビームスプリッタ,偏光ビームスプリッタ,プリズム,反射鏡,回折格子,スリット,集光レンズ等とを組み合わせることにより、容易に構成することができる。
また、発光素子は照明装置に利用できるものであり、その照明装置は、発光素子と、発光素子からの発光を受けて光を発する蛍光体及び燐光体の少なくとも一方とを具備している構成である。この構成により、輝度及び照度の高い照明装置を得ることができる。この照明装置は、発光素子を透明樹脂等で覆うか内包するようにし、その透明樹脂等に蛍光体、燐光体を混入させた構成とすればよく、蛍光体、燐光体によって発光素子の紫外光〜近紫外光を白色光等に変換するものとすることができる。また、集光性を高めるために透明樹脂等に凹面鏡等の光反射部材を設けることもできる。このような照明装置は、従来の蛍光灯等よりも消費電力が小さく、小型であることから、小型で高輝度の照明装置として有効である。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。例えば、AlN単結晶から成る基板3を用い、ガリウムに替えてアルミニウムを使用し、ヒーター5として高周波誘導加熱コイルを用い、保持体2bの一部に炭素を使用し、アンモニア(NH3)ガスと塩化水素(HCl)ガスを主成分とする原料ガスを供給することによって、AlN単結晶の成長が可能となる。この場合も上述したGaN単結晶のバルク成長の場合と同様の効果が得られる。
本発明の窒化物体の製造方法の実施例について以下に説明する。
図1の製造装置を用いてGaN単結晶体を製造した。まず、基板3として、直径51mm、厚み0.5mmの円板状のGaN単結晶から成るものを用いた。基板3は気相成長室1である石英管内に設置された、外径60mm、厚さ20mmの円筒状でSiO2(石英)から成る保持体2bに固定され、保持体2aの先端に取り付けた。
次に、ガリウムをガリウム融液槽6に収容し、抵抗型のヒーター5に通電して石英管内を加熱し、ガリウムの温度をヒーター5により800℃程度に制御しながら、塩化水素ガスを30cc/分の量で塩化水素ガス供給管7から供給した。また、ほぼ同時にアンモニアガスをアンモニアガス供給管4から750cc/分の量で供給した。さらに、基板3の温度は1000℃になるように制御した。これにより、保持体2a,2bを20rpmで回転させながらGaN単結晶体の成長を開始した。GaN単結晶体の成長の開始からGaN単結晶体の成長速度に同期させるように、保持体2a,2bを上方向に100μm/時の速度で移動させた。この状態を200時間保持し、外径52mm、厚さ20mmの円柱状のGaN単結晶体を成長させた。
次に、石英管を開け、バルク状のGaN単結晶体を取出した。GaN単結晶体はダイアモンド砥石を用いて、外径50.8mmの円柱状に研削加工した。この円柱状のGaN単結晶体をダイアモンドワイヤーソーで切り出すことにより、20枚の厚み0.6mmの円板状のものとした。続いて、厚み0.6mmの円板状のGaN単結晶体を#800のダイアモンド砥粒でラップ研磨した後、コロイダルシリカ研磨剤で鏡面加工を行って、外径50.8mm、厚み0.4mmの両面が研磨されたGaN単結晶体から成る基板を作製した。
次に、20枚の基板の断面をTEM(透過電子顕微鏡)でそれぞれ観察したところ、平均転位密度は2×104cm-2であり、良好であることがわかった。
(比較例)
比較例として、炭素から成る保持体2a,2bを用いてGaN単結晶体の成長を行った。保持体2a,2bの材質が異なること以外は実施例と同じ条件とした。
比較例として、炭素から成る保持体2a,2bを用いてGaN単結晶体の成長を行った。保持体2a,2bの材質が異なること以外は実施例と同じ条件とした。
その結果、実施例では200時間で厚み約20mmのGaN単結晶体を成長させることができた。これに対し、比較例では80時間で厚み約8mmのGaN単結晶体を成長させた時点で保持体2bと石英管との間隙に原料ガスの反応生成物(GaN,NH4Clなどから成るもの)が付着して、保持体2a,2bの回転や移動によって反応生成物が落下したり、原料ガスの通路が塞がることによって、安定した成長ができなくなり、成長が困難となった。
また、比較例のGaN単結晶体について、断面を透過型電子顕微鏡で得られた像によって分析し、断面の表面の転位密度を測定した。その結果、実施例のGaN単結晶体の平均転位密度は2×104cm-2であったのに対し、比較例の8枚のGaN単結晶体の平均転移密度は107〜1012cm-2と劣化しており、転移密度のばらつきも大きかった。
1:気相成長室(石英管)
2a,2b:保持体
3:基板
4:アンモニアガス供給管
5:ヒーター
6:ガリウム融液槽
7:塩化水素ガス供給管
2a,2b:保持体
3:基板
4:アンモニアガス供給管
5:ヒーター
6:ガリウム融液槽
7:塩化水素ガス供給管
Claims (4)
- 基板の表面に気相成長法によって窒化物体を成長させる窒化物体の製造方法であって、気相成長室内において700℃以上に加熱された基板を保持する保持体が、熱輻射率が1未満で水素及び塩素を含む原料ガスに対する耐腐食性を有する材料から成る窒化物体の製造方法。
- 前記窒化物体は、GaN単結晶,AlN単結晶またはそれらの混晶から成る請求項1記載の窒化物体の製造方法。
- 前記保持体は、SiO2及びAl2O3の少なくとも一方を含む、ガラス,焼結体または単結晶から成る請求項1または2記載の窒化物体の製造方法。
- 前記基板は、GaN単結晶,AlN単結晶またはそれらの混晶から成る請求項1乃至3のいずれか記載の窒化物体の製造方法。
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JP2008018910A Pending JP2009179505A (ja) | 2008-01-30 | 2008-01-30 | 窒化物体の製造方法 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2009179505A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011042601A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Api Co Ltd | 花粉荷を含有する光老化予防改善剤 |
CN103132138A (zh) * | 2011-11-25 | 2013-06-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 气相外延装置 |
JP2016128381A (ja) * | 2010-03-15 | 2016-07-14 | 株式会社リコー | 窒化ガリウム結晶、13族窒化物結晶、結晶基板、およびそれらの製造方法 |
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2008
- 2008-01-30 JP JP2008018910A patent/JP2009179505A/ja active Pending
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JP2011042601A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Api Co Ltd | 花粉荷を含有する光老化予防改善剤 |
JP2016128381A (ja) * | 2010-03-15 | 2016-07-14 | 株式会社リコー | 窒化ガリウム結晶、13族窒化物結晶、結晶基板、およびそれらの製造方法 |
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