JP2009176651A - 透明導電体およびその製造方法、ならびに入力デバイス - Google Patents
透明導電体およびその製造方法、ならびに入力デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009176651A JP2009176651A JP2008016203A JP2008016203A JP2009176651A JP 2009176651 A JP2009176651 A JP 2009176651A JP 2008016203 A JP2008016203 A JP 2008016203A JP 2008016203 A JP2008016203 A JP 2008016203A JP 2009176651 A JP2009176651 A JP 2009176651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent substrate
- group
- conductive layer
- poly
- polyanion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Position Input By Displaying (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
【課題】透明基板表面の濡れ性が高く、透明基板と導電層との密着性が高い透明導電体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電体は、樹脂製の透明基板と、透明基板の片面または両面に形成された酸化ケイ素膜と、該酸化ケイ素膜の表面に形成され、π共役系導電性高分子およびポリアニオンを含有する導電層とを有する。本発明の透明導電体の製造方法は、樹脂製の透明基板原板の片面または両面に、ケイ素含有化合物および酸素を含む燃料ガスの火炎による処理を施して酸化ケイ素膜を形成させる工程と、前記酸化ケイ素膜の表面に、π共役系導電性高分子とポリアニオンと溶媒とを含有する導電性高分子溶液を塗布して導電層を形成する工程とを有する。
【選択図】なし
【解決手段】本発明の透明導電体は、樹脂製の透明基板と、透明基板の片面または両面に形成された酸化ケイ素膜と、該酸化ケイ素膜の表面に形成され、π共役系導電性高分子およびポリアニオンを含有する導電層とを有する。本発明の透明導電体の製造方法は、樹脂製の透明基板原板の片面または両面に、ケイ素含有化合物および酸素を含む燃料ガスの火炎による処理を施して酸化ケイ素膜を形成させる工程と、前記酸化ケイ素膜の表面に、π共役系導電性高分子とポリアニオンと溶媒とを含有する導電性高分子溶液を塗布して導電層を形成する工程とを有する。
【選択図】なし
Description
本発明は、入力デバイスの透明電極として好適な透明導電体およびその製造方法に関する。さらには、タッチパネル等の入力デバイスに関する。
タッチパネルは、画像表示装置の上に設置される入力デバイスであり、少なくとも画像表示装置に重なる部分が透明になっている。
タッチパネルとしては、例えば、抵抗膜式タッチパネルが知られている。抵抗膜式タッチパネルにおいては、透明基板の片面に透明電極が形成された固定電極シートおよび可動電極シートが、透明電極同士が対向するように配置されている。電極シートの透明電極としては、インジウムドープの酸化錫の膜（以下、ＩＴＯ膜という。）が広く使用されている。しかしながら、ＩＴＯ膜は可撓性が低いため、繰り返し可撓した際の耐久性が低いという問題を有していた。
そこで、可動電極シートとして、透明基板の片面に、π共役系導電性高分子を含む導電層が形成された透明導電体を用いることがある（特許文献１〜３参照）。
特開２００７−１７２９８４号公報
特開２００５−３２７９１０号公報
特開２００７−０８０５４１号公報
タッチパネルとしては、例えば、抵抗膜式タッチパネルが知られている。抵抗膜式タッチパネルにおいては、透明基板の片面に透明電極が形成された固定電極シートおよび可動電極シートが、透明電極同士が対向するように配置されている。電極シートの透明電極としては、インジウムドープの酸化錫の膜（以下、ＩＴＯ膜という。）が広く使用されている。しかしながら、ＩＴＯ膜は可撓性が低いため、繰り返し可撓した際の耐久性が低いという問題を有していた。
そこで、可動電極シートとして、透明基板の片面に、π共役系導電性高分子を含む導電層が形成された透明導電体を用いることがある（特許文献１〜３参照）。
しかしながら、特許文献１〜３に記載の透明導電体では、透明基板の表面の濡れ性が低く、導電層との密着性が低かった。そのため、導電層が剥離しやすく、入力デバイスに用いた際に誤動作が起こることがあった。
本発明は、前記事情を鑑みてなされたものであり、透明基板表面の濡れ性が高く、透明基板と導電層との密着性が高い透明導電体およびその製造方法を提供することを目的とする。また、動作不良が防止された入力デバイスを提供することを目的とする。
本発明は、前記事情を鑑みてなされたものであり、透明基板表面の濡れ性が高く、透明基板と導電層との密着性が高い透明導電体およびその製造方法を提供することを目的とする。また、動作不良が防止された入力デバイスを提供することを目的とする。
本発明は、以下の態様を包含する。
［１］ 樹脂製の透明基板と、透明基板の片面または両面に形成された酸化ケイ素膜と、該酸化ケイ素膜の表面に形成され、π共役系導電性高分子およびポリアニオンを含有する導電層とを有することを特徴とする透明導電体。
［２］ 樹脂製の透明基板原板の片面または両面に、ケイ素含有化合物および酸素を含む燃料ガスの火炎による処理を施して酸化ケイ素膜を形成させる工程と、
前記酸化ケイ素膜の表面に、π共役系導電性高分子とポリアニオンと溶媒とを含有する導電性高分子溶液を塗布して導電層を形成する工程とを有することを特徴とする透明導電体の製造方法。
［３］ 片面または両面に酸素存在下でのプラズマ処理が施された樹脂製の透明基板と、該透明基板の、プラズマ処理された面に形成され、π共役系導電性高分子およびポリアニオンを含有する導電層とを有することを特徴とする透明導電体。
［４］ 樹脂製の透明基板原板の片面または両面に、酸素存在下、プラズマによる処理を施す工程と、
透明基板原板の表面処理した面に、π共役系導電性高分子とポリアニオンと溶媒とを含有する導電性高分子溶液を塗布して導電層を形成する工程とを有することを特徴とする透明導電体の製造方法。
［５］ ［１］または［３］に記載の透明導電体を電極シートとして備えたことを特徴とする入力デバイス。
［１］ 樹脂製の透明基板と、透明基板の片面または両面に形成された酸化ケイ素膜と、該酸化ケイ素膜の表面に形成され、π共役系導電性高分子およびポリアニオンを含有する導電層とを有することを特徴とする透明導電体。
［２］ 樹脂製の透明基板原板の片面または両面に、ケイ素含有化合物および酸素を含む燃料ガスの火炎による処理を施して酸化ケイ素膜を形成させる工程と、
前記酸化ケイ素膜の表面に、π共役系導電性高分子とポリアニオンと溶媒とを含有する導電性高分子溶液を塗布して導電層を形成する工程とを有することを特徴とする透明導電体の製造方法。
［３］ 片面または両面に酸素存在下でのプラズマ処理が施された樹脂製の透明基板と、該透明基板の、プラズマ処理された面に形成され、π共役系導電性高分子およびポリアニオンを含有する導電層とを有することを特徴とする透明導電体。
［４］ 樹脂製の透明基板原板の片面または両面に、酸素存在下、プラズマによる処理を施す工程と、
透明基板原板の表面処理した面に、π共役系導電性高分子とポリアニオンと溶媒とを含有する導電性高分子溶液を塗布して導電層を形成する工程とを有することを特徴とする透明導電体の製造方法。
［５］ ［１］または［３］に記載の透明導電体を電極シートとして備えたことを特徴とする入力デバイス。
本発明の透明導電体は、透明基板表面の濡れ性が高くなっているため、透明基板と導電層との密着性が高い。
本発明の透明導電体の製造方法によれば、透明基板表面の濡れ性を高くできるため、透明基板と導電層との密着性が高い透明導電体を容易に製造できる。
本発明の入力デバイスは、動作不良が防止されている。
本発明の透明導電体の製造方法によれば、透明基板表面の濡れ性を高くできるため、透明基板と導電層との密着性が高い透明導電体を容易に製造できる。
本発明の入力デバイスは、動作不良が防止されている。
＜第１の実施形態例＞
「透明導電体」
本発明の第１の実施形態例の透明導電体は、樹脂製の透明基板と、透明基板の片面または両面に形成された酸化ケイ素膜と、該酸化ケイ素膜の表面に形成された導電層とを有するものである。
「透明導電体」
本発明の第１の実施形態例の透明導電体は、樹脂製の透明基板と、透明基板の片面または両面に形成された酸化ケイ素膜と、該酸化ケイ素膜の表面に形成された導電層とを有するものである。
（透明基板）
透明基板の材質としては、例えば、ポリカーボネート、非晶性ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、シクロオレフィンポリマー、または、これらの変性物や、前記重合体を含む共重合体が挙げられる。また、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、アクリル樹脂等の紫外線硬化性樹脂などであってもよい。
これらの中でも、成形性、製造コストおよび熱安定性の点から、ポリカーボネート、非晶性ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、シクロオレフィンポリマー、または、これらの変性物や、前記重合体を含む共重合体が好ましい。
ポリカーボネートとしては、例えば、ビスフェノールＡ、１，１−ジ（４−フェノール）シクロヘキシリデン、３，３，５−トリメチル−１，１−ジ（４−フェノール）シクロヘキシリデン、フルオレン−９，９−ジ（４−フェノール）およびフルオレン−９，９−ジ（３−メチル−４−フェノール）からなる群から選ばれる少なくとも１種の成分をモノマー単位とする（共）重合体、または混合物が挙げられる。
ポリカーボネートとしては、数平均分子量が１５，０００〜１００，０００のもの（例えば、帝人化成株式会社製商品名パンライト、バイエル社製商品名Ａｐｅｃ ＨＴ等）が好ましい。
非晶性ポリアリレートとしては、例えば、株式会社カネカ製商品名エルメック、ユニチカ株式会社製商品名Ｕポリマー等が挙げられる。
シクロオレフィンポリマーとしては、例えば、日本ゼオン株式会社製商品名ゼオノア、ＪＳＲ株式会社製商品名アートン等が挙げられる。
基材の厚さは１０〜２，０００μｍであることが好ましい。基材の厚さが１０μｍ以上であれば、破断しにくく、２，０００μｍ以下であれば、充分な可撓性を確保できる。
透明基板の材質としては、例えば、ポリカーボネート、非晶性ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、シクロオレフィンポリマー、または、これらの変性物や、前記重合体を含む共重合体が挙げられる。また、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、アクリル樹脂等の紫外線硬化性樹脂などであってもよい。
これらの中でも、成形性、製造コストおよび熱安定性の点から、ポリカーボネート、非晶性ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、シクロオレフィンポリマー、または、これらの変性物や、前記重合体を含む共重合体が好ましい。
ポリカーボネートとしては、例えば、ビスフェノールＡ、１，１−ジ（４−フェノール）シクロヘキシリデン、３，３，５−トリメチル−１，１−ジ（４−フェノール）シクロヘキシリデン、フルオレン−９，９−ジ（４−フェノール）およびフルオレン−９，９−ジ（３−メチル−４−フェノール）からなる群から選ばれる少なくとも１種の成分をモノマー単位とする（共）重合体、または混合物が挙げられる。
ポリカーボネートとしては、数平均分子量が１５，０００〜１００，０００のもの（例えば、帝人化成株式会社製商品名パンライト、バイエル社製商品名Ａｐｅｃ ＨＴ等）が好ましい。
非晶性ポリアリレートとしては、例えば、株式会社カネカ製商品名エルメック、ユニチカ株式会社製商品名Ｕポリマー等が挙げられる。
シクロオレフィンポリマーとしては、例えば、日本ゼオン株式会社製商品名ゼオノア、ＪＳＲ株式会社製商品名アートン等が挙げられる。
基材の厚さは１０〜２，０００μｍであることが好ましい。基材の厚さが１０μｍ以上であれば、破断しにくく、２，０００μｍ以下であれば、充分な可撓性を確保できる。
（酸化ケイ素膜）
酸化ケイ素膜は酸化ケイ素を主成分として含む膜である。酸化ケイ素膜の厚さは０．０００１〜１μｍであることが好ましい。酸化ケイ素膜の厚さが０．０００１μｍ以上であれば、密着性を充分に確保でき、１μｍ以下であれば、可撓性の低下を防止できる。
酸化ケイ素膜は酸化ケイ素を主成分として含む膜である。酸化ケイ素膜の厚さは０．０００１〜１μｍであることが好ましい。酸化ケイ素膜の厚さが０．０００１μｍ以上であれば、密着性を充分に確保でき、１μｍ以下であれば、可撓性の低下を防止できる。
（導電層）
導電層は、π共役系導電性高分子およびポリアニオンを必須成分として含有する層である。このような導電層は、導電性および透明性に優れる。
導電層は、π共役系導電性高分子およびポリアニオンを必須成分として含有する層である。このような導電層は、導電性および透明性に優れる。
［π共役系導電性高分子］
π共役系導電性高分子としては、主鎖がπ共役系で構成されている有機高分子であれば特に制限されず、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアセチレン類、ポリフェニレン類、ポリフェニレンビニレン類、ポリアニリン類、ポリアセン類、ポリチオフェンビニレン類、及びこれらの共重合体等が挙げられる。空気中での安定性の点からは、ポリピロール類、ポリチオフェン類及びポリアニリン類が好ましい。
π共役系導電性高分子は無置換のままでも、充分な導電性、バインダ樹脂への相溶性を得ることができるが、導電性及び相溶性をより高めるためには、アルキル基、カルボキシ基、スルホ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基等の官能基をπ共役系導電性高分子に導入することが好ましい。
π共役系導電性高分子としては、主鎖がπ共役系で構成されている有機高分子であれば特に制限されず、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアセチレン類、ポリフェニレン類、ポリフェニレンビニレン類、ポリアニリン類、ポリアセン類、ポリチオフェンビニレン類、及びこれらの共重合体等が挙げられる。空気中での安定性の点からは、ポリピロール類、ポリチオフェン類及びポリアニリン類が好ましい。
π共役系導電性高分子は無置換のままでも、充分な導電性、バインダ樹脂への相溶性を得ることができるが、導電性及び相溶性をより高めるためには、アルキル基、カルボキシ基、スルホ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基等の官能基をπ共役系導電性高分子に導入することが好ましい。
π共役系導電性高分子の具体例としては、ポリピロール、ポリ（Ｎ−メチルピロール）、ポリ（３−メチルピロール）、ポリ（３−エチルピロール）、ポリ（３−ｎ−プロピルピロール）、ポリ（３−ブチルピロール）、ポリ（３−オクチルピロール）、ポリ（３−デシルピロール）、ポリ（３−ドデシルピロール）、ポリ（３，４−ジメチルピロール）、ポリ（３，４−ジブチルピロール）、ポリ（３−カルボキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシエチルピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシブチルピロール）、ポリ（３−ヒドロキシピロール）、ポリ（３−メトキシピロール）、ポリ（３−エトキシピロール）、ポリ（３−ブトキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−ヘキシルオキシピロール）、ポリ（チオフェン）、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−エチルチオフェン）、ポリ（３−プロピルチオフェン）、ポリ（３−ブチルチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリ（３−ヘプチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（３−デシルチオフェン）、ポリ（３−ドデシルチオフェン）、ポリ（３−オクタデシルチオフェン）、ポリ（３−ブロモチオフェン）、ポリ（３−クロロチオフェン）、ポリ（３−ヨードチオフェン）、ポリ（３−シアノチオフェン）、ポリ（３−フェニルチオフェン）、ポリ（３，４−ジメチルチオフェン）、ポリ（３，４−ジブチルチオフェン）、ポリ（３−ヒドロキシチオフェン）、ポリ（３−メトキシチオフェン）、ポリ（３−エトキシチオフェン）、ポリ（３−ブトキシチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルオキシチオフェン）、ポリ（３−ヘプチルオキシチオフェン）、ポリ（３−オクチルオキシチオフェン）、ポリ（３−デシルオキシチオフェン）、ポリ（３−ドデシルオキシチオフェン）、ポリ（３−オクタデシルオキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−メトキシチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−エトキシチオフェン）、ポリ（３−カルボキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシエチルチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシブチルチオフェン）、ポリアニリン、ポリ（２−メチルアニリン）、ポリ（３−イソブチルアニリン）、ポリ（２−アニリンスルホン酸）、ポリ（３−アニリンスルホン酸）等が挙げられる。その中でも、導電性、耐熱性から、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）が好ましい。
［ポリアニオン］
ポリアニオンとしては、例えば、置換若しくは未置換のポリアルキレン、置換若しくは未置換のポリアルケニレン、置換若しくは未置換のポリイミド、置換若しくは未置換のポリアミド、置換若しくは未置換のポリエステルであって、アニオン基を有する構成単位のみからなるポリマー、アニオン基を有する構成単位とアニオン基を有さない構成単位とからなるポリマーが挙げられる。
ポリアニオンとしては、例えば、置換若しくは未置換のポリアルキレン、置換若しくは未置換のポリアルケニレン、置換若しくは未置換のポリイミド、置換若しくは未置換のポリアミド、置換若しくは未置換のポリエステルであって、アニオン基を有する構成単位のみからなるポリマー、アニオン基を有する構成単位とアニオン基を有さない構成単位とからなるポリマーが挙げられる。
ポリアルキレンとは、主鎖がメチレンの繰り返しで構成されているポリマーである。
ポリアルケニレンとは、主鎖に不飽和二重結合（ビニル基）が１個含まれる構成単位からなる高分子である。
ポリイミドとしては、ピロメリット酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’−［４，４’−ジ（ジカルボキシフェニルオキシ）フェニル］プロパン二無水物等の酸無水物と、オキシジアミン、パラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、ベンゾフェノンジアミン等のジアミンとからのポリイミドを例示できる。
ポリアミドとしては、ポリアミド６、ポリアミド６，６、ポリアミド６，１０等を例示できる。
ポリエステルとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等を例示できる。
ポリアルケニレンとは、主鎖に不飽和二重結合（ビニル基）が１個含まれる構成単位からなる高分子である。
ポリイミドとしては、ピロメリット酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’−［４，４’−ジ（ジカルボキシフェニルオキシ）フェニル］プロパン二無水物等の酸無水物と、オキシジアミン、パラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、ベンゾフェノンジアミン等のジアミンとからのポリイミドを例示できる。
ポリアミドとしては、ポリアミド６、ポリアミド６，６、ポリアミド６，１０等を例示できる。
ポリエステルとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等を例示できる。
上記ポリアニオンが置換基を有する場合、その置換基としては、アルキル基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシ基、シアノ基、フェニル基、フェノール基、エステル基、アルコキシ基等が挙げられる。有機溶媒への溶解性、耐熱性及び樹脂への相溶性等を考慮すると、アルキル基、ヒドロキシ基、フェノール基、エステル基が好ましい。
アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、へキシル、オクチル、デシル、ドデシル等のアルキル基と、シクロプロピル、シクロペンチル及びシクロヘキシル等のシクロアルキル基が挙げられる。
ヒドロキシ基としては、ポリアニオンの主鎖に直接又は他の官能基を介在して結合したヒドロキシ基が挙げられ、他の官能基としては、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数２〜７のアルケニル基、アミド基、イミド基などが挙げられる。ヒドロキシ基は、これらの官能基の末端又は中に置換されている。
アミノ基としては、ポリアニオンの主鎖に直接又は他の官能基を介在して結合したアミノ基が挙げられ、他の官能基としては、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数２〜７のアルケニル基、アミド基、イミド基などが挙げられる。アミノ基は、これらの官能基の末端又は中に置換されている。
フェノール基としては、ポリアニオンの主鎖に直接又は他の官能基を介在して結合したフェノール基が挙げられ、他の官能基としては、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数２〜７のアルケニル基、アミド基、イミド基などが挙げられる。フェノール基は、これらの官能基の末端又は中に置換されている。
ヒドロキシ基としては、ポリアニオンの主鎖に直接又は他の官能基を介在して結合したヒドロキシ基が挙げられ、他の官能基としては、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数２〜７のアルケニル基、アミド基、イミド基などが挙げられる。ヒドロキシ基は、これらの官能基の末端又は中に置換されている。
アミノ基としては、ポリアニオンの主鎖に直接又は他の官能基を介在して結合したアミノ基が挙げられ、他の官能基としては、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数２〜７のアルケニル基、アミド基、イミド基などが挙げられる。アミノ基は、これらの官能基の末端又は中に置換されている。
フェノール基としては、ポリアニオンの主鎖に直接又は他の官能基を介在して結合したフェノール基が挙げられ、他の官能基としては、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数２〜７のアルケニル基、アミド基、イミド基などが挙げられる。フェノール基は、これらの官能基の末端又は中に置換されている。
置換基を有するポリアルキレンの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリペンテン、ポリヘキセン、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリ（３，３，３−トリフルオロプロピレン）、ポリアクリロニトリル、ポリアクリレート、ポリスチレン等を例示できる。
ポリアルケニレンの具体例としては、プロペニレン、１−メチルプロペニレン、１−ブチルプロペニレン、１−デシルプロペニレン、１−シアノプロペニレン、１−フェニルプロペニレン、１−ヒドロキシプロペニレン、１−ブテニレン、１−メチル−１−ブテニレン、１−エチル−１−ブテニレン、１−オクチル−１−ブテニレン、１−ペンタデシル−１−ブテニレン、２−メチル−１−ブテニレン、２−エチル−１−ブテニレン、２−ブチル−１−ブテニレン、２−ヘキシル−１−ブテニレン、２−オクチル−１−ブテニレン、２−デシル−１−ブテニレン、２−ドデシル−１−ブテニレン、２−フェニル−１−ブテニレン、２−ブテニレン、１−メチル−２−ブテニレン、１−エチル−２−ブテニレン、１−オクチル−２−ブテニレン、１−ペンタデシル−２−ブテニレン、２−メチル−２−ブテニレン、２−エチル−２−ブテニレン、２−ブチル−２−ブテニレン、２−ヘキシル−２−ブテニレン、２−オクチル−２−ブテニレン、２−デシル−２−ブテニレン、２−ドデシル−２−ブテニレン、２−フェニル−２−ブテニレン、２−プロピレンフェニル−２−ブテニレン、３−メチル−２−ブテニレン、３−エチル−２−ブテニレン、３−ブチル−２−ブテニレン、３−ヘキシル−２−ブテニレン、３−オクチル−２−ブテニレン、３−デシル−２−ブテニレン、３−ドデシル−２−ブテニレン、３−フェニル−２−ブテニレン、３−プロピレンフェニル−２−ブテニレン、２−ペンテニレン、４−プロピル−２−ペンテニレン、４−プロピル−２−ペンテニレン、４−ブチル−２−ペンテニレン、４−ヘキシル−２−ペンテニレン、４−シアノ−２−ペンテニレン、３−メチル−２−ペンテニレン、４−エチル−２−ペンテニレン、３−フェニル−２−ペンテニレン、４−ヒドロキシ−２−ペンテニレン、ヘキセニレン等から選ばれる一種以上の構成単位を含む重合体を例示できる。
ポリアルケニレンの具体例としては、プロペニレン、１−メチルプロペニレン、１−ブチルプロペニレン、１−デシルプロペニレン、１−シアノプロペニレン、１−フェニルプロペニレン、１−ヒドロキシプロペニレン、１−ブテニレン、１−メチル−１−ブテニレン、１−エチル−１−ブテニレン、１−オクチル−１−ブテニレン、１−ペンタデシル−１−ブテニレン、２−メチル−１−ブテニレン、２−エチル−１−ブテニレン、２−ブチル−１−ブテニレン、２−ヘキシル−１−ブテニレン、２−オクチル−１−ブテニレン、２−デシル−１−ブテニレン、２−ドデシル−１−ブテニレン、２−フェニル−１−ブテニレン、２−ブテニレン、１−メチル−２−ブテニレン、１−エチル−２−ブテニレン、１−オクチル−２−ブテニレン、１−ペンタデシル−２−ブテニレン、２−メチル−２−ブテニレン、２−エチル−２−ブテニレン、２−ブチル−２−ブテニレン、２−ヘキシル−２−ブテニレン、２−オクチル−２−ブテニレン、２−デシル−２−ブテニレン、２−ドデシル−２−ブテニレン、２−フェニル−２−ブテニレン、２−プロピレンフェニル−２−ブテニレン、３−メチル−２−ブテニレン、３−エチル−２−ブテニレン、３−ブチル−２−ブテニレン、３−ヘキシル−２−ブテニレン、３−オクチル−２−ブテニレン、３−デシル−２−ブテニレン、３−ドデシル−２−ブテニレン、３−フェニル−２−ブテニレン、３−プロピレンフェニル−２−ブテニレン、２−ペンテニレン、４−プロピル−２−ペンテニレン、４−プロピル−２−ペンテニレン、４−ブチル−２−ペンテニレン、４−ヘキシル−２−ペンテニレン、４−シアノ−２−ペンテニレン、３−メチル−２−ペンテニレン、４−エチル−２−ペンテニレン、３−フェニル−２−ペンテニレン、４−ヒドロキシ−２−ペンテニレン、ヘキセニレン等から選ばれる一種以上の構成単位を含む重合体を例示できる。
ポリアニオンのアニオン基としては、−Ｏ−ＳＯ３ −Ｘ＋、−ＳＯ３ −Ｘ＋、−ＣＯＯ−Ｘ＋（各式においてＸ＋は水素イオン、アルカリ金属イオンを表す。）が挙げられる。すなわち、ポリアニオンは、スルホ基及び／又はカルボキシ基を含有する高分子酸である。これらの中でも、π共役系導電性高分子へのドーピング効果の点から、−ＳＯ３ −Ｘ＋、−ＣＯＯ−Ｘ＋が好ましい。
また、このアニオン基は、隣接して又は一定間隔をあけてポリアニオンの主鎖に配置されていることが好ましい。
また、このアニオン基は、隣接して又は一定間隔をあけてポリアニオンの主鎖に配置されていることが好ましい。
上記ポリアニオンの中でも、溶媒溶解性及び導電性の点から、ポリイソプレンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸を含む共重合体、ポリスルホエチルメタクリレート、ポリスルホエチルメタクリレートを含む共重合体、ポリ（４−スルホブチルメタクリレート）、ポリ（４−スルホブチルメタクリレート）を含む共重合体、ポリメタリルオキシベンゼンスルホン酸、ポリメタリルオキシベンゼンスルホン酸を含む共重合体、ポリスチレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸を含む共重合体等が好ましい。
ポリアニオンの重合度は、モノマー単位が１０〜１００，０００個の範囲であることが好ましく、溶媒溶解性及び導電性の点からは、５０〜１０，０００個の範囲がより好ましい。
ポリアニオンの含有量は、π共役系導電性高分子１モルに対して０．１〜１０モルの範囲であることが好ましく、１〜７モルの範囲であることがより好ましい。ポリアニオンの含有量が０．１モルより少なくなると、π共役系導電性高分子へのドーピング効果が弱くなる傾向にあり、導電性が不足することがある。その上、溶媒への分散性及び溶解性が低くなり、均一な分散液を得ることが困難になる。また、ポリアニオンの含有量が１０モルより多くなると、π共役系導電性高分子の含有量が少なくなり、やはり充分な導電性が得られにくい。
ポリアニオンは、π共役系導電性高分子に配位している。そのため、π共役系導電性高分子とポリアニオンとは複合体を形成している。
導電層におけるπ共役系導電性高分子とポリアニオンの合計の含有量は０．０５〜５．０質量％であり、０．５〜４．０質量％であることが好ましい。π共役系導電性高分子とポリアニオンの合計の含有量が０．０５質量％未満であると、充分な導電性が得られないことがあり、５．０質量％を超えると、均一な導電層が得られないことがある。
導電層におけるπ共役系導電性高分子とポリアニオンの合計の含有量は０．０５〜５．０質量％であり、０．５〜４．０質量％であることが好ましい。π共役系導電性高分子とポリアニオンの合計の含有量が０．０５質量％未満であると、充分な導電性が得られないことがあり、５．０質量％を超えると、均一な導電層が得られないことがある。
［アクリル化合物の重合体］
導電層は、強度が向上することから、アクリル化合物の重合体を含有することが好ましい。ここで、アクリル化合物の重合体とは、アクリル化合物のポリマーおよびアクリル化合物の架橋体のことである。また、アクリル化合物は、下記（ａ）の化合物、（ｂ）の化合物および多官能アクリル化合物である。
導電層は、強度が向上することから、アクリル化合物の重合体を含有することが好ましい。ここで、アクリル化合物の重合体とは、アクリル化合物のポリマーおよびアクリル化合物の架橋体のことである。また、アクリル化合物は、下記（ａ）の化合物、（ｂ）の化合物および多官能アクリル化合物である。
（ａ）グリシジル基を有するアクリル化合物（以下、化合物（ａ）という。）。
（ｂ）アリル基、ビニルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、アクリルアミド基から選ばれる１種と、ヒドロキシ基とを有するアクリル化合物（以下、化合物（ｂ）という。）。
（ｂ）アリル基、ビニルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、アクリルアミド基から選ばれる１種と、ヒドロキシ基とを有するアクリル化合物（以下、化合物（ｂ）という。）。
さらに、化合物（ａ）としては、下記（ａ−１）〜（ａ−３）のアクリル化合物が挙げられる。
（ａ−１）：グリシジル基と、アリル基、ビニルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、アクリルアミド基から選ばれる１種とを有するアクリル化合物（以下、化合物（ａ−１）という。）。
（ａ−２）：グリシジル基を２つ以上有するアクリル化合物（以下、化合物（ａ−２）という。）。
（ａ−３）：グリシジル基を１つ有するアクリル化合物であって、化合物（ａ−１）以外の化合物（以下、化合物（ａ−３）という。）。
（ａ−１）：グリシジル基と、アリル基、ビニルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、アクリルアミド基から選ばれる１種とを有するアクリル化合物（以下、化合物（ａ−１）という。）。
（ａ−２）：グリシジル基を２つ以上有するアクリル化合物（以下、化合物（ａ−２）という。）。
（ａ−３）：グリシジル基を１つ有するアクリル化合物であって、化合物（ａ−１）以外の化合物（以下、化合物（ａ−３）という。）。
化合物（ａ−１）のうち、グリシジル基とアクリル（メタクリル）基を有する化合物として、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート等が挙げられる。
グリシジル基とアリル基を有する化合物として、アリルグリシジルエーテル、２−メチルアリルグリシジルエーテル、アリルフェノールグリシジルエーテル等が挙げられる。
グリシジル基とヒドロキシ基とを有する化合物として、１，４−ジヒドロキシメチルベンゼンジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル等が挙げられる。
グリシジル基とヒドロキシ基とアリル基とを有する化合物として、３−アリル−１，４−ジヒドロキシメチルベンゼンジグリシジルエーテル等が挙げられる。
なお、グリシジル基とヒドロキシ基とを有する化合物、グリシジル基とヒドロキシ基とアリル基とを有する化合物は化合物（ｂ）でもある。
グリシジル基とアリル基を有する化合物として、アリルグリシジルエーテル、２−メチルアリルグリシジルエーテル、アリルフェノールグリシジルエーテル等が挙げられる。
グリシジル基とヒドロキシ基とを有する化合物として、１，４−ジヒドロキシメチルベンゼンジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル等が挙げられる。
グリシジル基とヒドロキシ基とアリル基とを有する化合物として、３−アリル−１，４−ジヒドロキシメチルベンゼンジグリシジルエーテル等が挙げられる。
なお、グリシジル基とヒドロキシ基とを有する化合物、グリシジル基とヒドロキシ基とアリル基とを有する化合物は化合物（ｂ）でもある。
化合物（ａ−２）としては、例えば、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ダイマー酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジル、トリグリシジルイソシアヌレート、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、ジグリシジルテトラフタレート等が挙げられ１種類または２種類以上の混合として用いることができる。
化合物（ａ−３）としては、例えば、アルキルグリシジルエーテル、エチレングリコールグリシジルエーテル、メチルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル等が挙げられる。
化合物（ｂ）のうち、例えば、ヒドロキシ基とビニルエーテル基とを有する化合物として、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル等が挙げられる。
ヒドロキシ基とアクリル（メタクリル）基を有する化合物として、２−ヒドロキシエチルアクリレート（メタクリレート）、２−ヒドロキシプロピルアクリレート（メタクリレート）、４−ヒドロキシブチルアクリレート（メタクリレート）、エチル−α−ヒドロキシメチルアクリレート、ジペンタエリストリトールモノヒドロキシペンタアクリレート等が挙げられる。
ヒドロキシ基とアクリルアミド（メタクリルアミド）基を有する化合物として、２−ヒドロキシエチルアクリルアミド、２−ヒドロキシエチルメタクリルアミドが挙げられる。これらヒドロキシアルキル（メタ）アクリルアミド化合物を重合させた重合体は、π共役系導電性高分子とポリアニオンの複合体との相溶性が良い上に導電性をより向上させることができる。
ヒドロキシ基とアクリル（メタクリル）基を有する化合物として、２−ヒドロキシエチルアクリレート（メタクリレート）、２−ヒドロキシプロピルアクリレート（メタクリレート）、４−ヒドロキシブチルアクリレート（メタクリレート）、エチル−α−ヒドロキシメチルアクリレート、ジペンタエリストリトールモノヒドロキシペンタアクリレート等が挙げられる。
ヒドロキシ基とアクリルアミド（メタクリルアミド）基を有する化合物として、２−ヒドロキシエチルアクリルアミド、２−ヒドロキシエチルメタクリルアミドが挙げられる。これらヒドロキシアルキル（メタ）アクリルアミド化合物を重合させた重合体は、π共役系導電性高分子とポリアニオンの複合体との相溶性が良い上に導電性をより向上させることができる。
上記化合物（ａ）では、そのグリシジル基がポリアニオンの残存アニオン基（例えば、スルホ基、カルボキシ基など）と反応して、エステル（例えば、スルホン酸エステル、カルボン酸エステルなど）を形成する。その反応の際には、塩基性触媒、加圧、加熱によって反応を促進させてもよい。エステル形成の際、グリシジル基は開環してヒドロキシ基を形成する。このヒドロキシ基が、導電性高分子との塩もしくはエステルを形成しなかった残存アニオン基と脱水反応を起して、新たにエステル（例えば、スルホン酸エステル、カルボン酸エステルなど）を形成する。このようなエステルの形成によって、ポリアニオンと導電性高分子との複合体同士が架橋する。
さらに、化合物（ａ−１）においては、ポリアニオンの残存アニオン基と、化合物（ａ−１）のグリシジル基とが結合した後、化合物（ａ−１）のアリル基、ビニルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、アクリルアミド基同士が重合して複合体同士がさらに架橋する。
さらに、化合物（ａ−１）においては、ポリアニオンの残存アニオン基と、化合物（ａ−１）のグリシジル基とが結合した後、化合物（ａ−１）のアリル基、ビニルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、アクリルアミド基同士が重合して複合体同士がさらに架橋する。
また、上記化合物（ｂ）では、そのヒドロキシ基がポリアニオンの残存アニオン基と脱水反応して、エステルを形成する。その脱水反応の際には、酸性触媒によって反応を促進させてもよい。その後、化合物（ｂ）のアリル基、ビニルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、アクリルアミド基同士が重合する。この重合によって、ポリアニオンと導電性高分子との複合体同士が架橋する。
多官能アクリル化合物は、不飽和二重結合を２つ以上有するアクリル化合物である。多官能アクリル化合物は、導電層形成時にπ共役系導電性高分子とポリアニオンとの複合体を架橋させやすく、導電性および塗膜強度が向上する。
多官能アクリル化合物の具体例としては、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ジメチロールジシクロペンタジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（以下、ＰＥＧと表記する。）４００ジ（メタ）アクリレート、ＰＥＧ３００ジ（メタ）アクリレート、ＰＥＧ６００ジ（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ’−メチレンビスアクリルアミド等の２官能アクリルモノマー、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリ（メタ）アクリレート、グリセリンプロポキシトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化グリセリントリアクリレート等の３官能アクリルモノマー、ペンタエリスリトールエトキシテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（ペンタ）（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート等の４官能以上のアクリルモノマー、ソルビトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート等の５官能以上のアクリルモノマー、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ソルビトールヘキサアクリレート、アルキレンオキサイド変性ヘキサアクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等の６官能以上のアクリルモノマー、２官能以上のウレタンアクリレートが挙げられる。
多官能アクリル化合物の具体例としては、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ジメチロールジシクロペンタジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（以下、ＰＥＧと表記する。）４００ジ（メタ）アクリレート、ＰＥＧ３００ジ（メタ）アクリレート、ＰＥＧ６００ジ（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ’−メチレンビスアクリルアミド等の２官能アクリルモノマー、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリ（メタ）アクリレート、グリセリンプロポキシトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化グリセリントリアクリレート等の３官能アクリルモノマー、ペンタエリスリトールエトキシテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（ペンタ）（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート等の４官能以上のアクリルモノマー、ソルビトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート等の５官能以上のアクリルモノマー、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ソルビトールヘキサアクリレート、アルキレンオキサイド変性ヘキサアクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等の６官能以上のアクリルモノマー、２官能以上のウレタンアクリレートが挙げられる。
多官能アクリル化合物のうち、多官能アクリルモノマーは、分子量が３０００以下であることが好ましい。分子量が３０００を超える多官能アクリルモノマーでは、溶媒溶解性が低くなる。また、不飽和二重結合当量が少なくなるため、複合体を架橋させにくく、導電層形成後に充分な強度が得られない傾向にある。
また、多官能アクリル化合物のうち、多官能ウレタンアクリレートは、溶媒溶解性、耐摩耗性、低収縮の点で、分子量１０００以下であることが好ましい。分子量が１０００を超える多官能ウレタンアクリレートでは、イソシアネート基とポリオール（水酸基）により形成されるウレタン基の導入率が減少して、溶媒に対する溶解性が低くなる傾向にある。
また、多官能アクリル化合物のうち、多官能ウレタンアクリレートは、溶媒溶解性、耐摩耗性、低収縮の点で、分子量１０００以下であることが好ましい。分子量が１０００を超える多官能ウレタンアクリレートでは、イソシアネート基とポリオール（水酸基）により形成されるウレタン基の導入率が減少して、溶媒に対する溶解性が低くなる傾向にある。
アクリル化合物の重合体の含有量は、π共役系導電性高分子とポリアニオンの合計１００質量％に対して０．０５〜５０質量％であることが好ましく、０．３〜３０質量％であることがより好ましい。アクリル化合物の重合体の含有量が０．０５質量％未満であると、導電層の強度が不足することがあり、５０質量％より多くなると、導電層中のπ共役系導電性高分子の含有量が少なくなり、充分な導電性が得られないことがある。
［２つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物］
また、導電層は、導電性がより高くなることから、２つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物を含有することが好ましい。
２つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物としては、１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジヒドロキシベンゼン、２，３−ジヒドロキシ−１−ペンタデシルベンゼン、２，４−ジヒドロキシアセトフェノン、２，５−ジヒドロキシアセトフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，６−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，５−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、２，２’，５，５’−テトラヒドロキシジフェニルスルフォン、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、ヒドロキシキノンカルボン酸及びその塩類、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、１，４−ヒドロキノンスルホン酸及びその塩類、４，５−ヒドロキシベンゼン−１，３−ジスルホン酸及びその塩類、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン−２，６−ジカルボン酸、１，６−ジヒドロキシナフタレン−２，５−ジカルボン酸、１，５−ジヒドロキシナフトエ酸、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸フェニルエステル、４，５−ジヒドロキシナフタレン−２，７−ジスルホン酸及びその塩類、１，８−ジヒドロキシ−３，６−ナフタレンジスルホン酸及びその塩類、６，７−ジヒドロキシ−２−ナフタレンスルホン酸及びその塩類、１，２，３−トリヒドロキシベンゼン（ピロガロール）、１，２，４−トリヒドロキシベンゼン、５−メチル−１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、５−エチル−１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、５−プロピル−１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、トリヒドロキシ安息香酸、トリヒドロキシアセトフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾアルデヒド、トリヒドロキシアントラキノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゼン、テトラヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、テトラヒドロキシアントラキノン、ガーリック酸メチル（没食子酸メチル）、ガーリック酸エチル（没食子酸エチル）等が挙げられる。
なお、これら芳香族化合物の一部は還元剤としても機能する。したがって、２つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物を還元剤として兼用することで、導電性をより高めることもできる。
また、導電層は、導電性がより高くなることから、２つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物を含有することが好ましい。
２つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物としては、１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジヒドロキシベンゼン、２，３−ジヒドロキシ−１−ペンタデシルベンゼン、２，４−ジヒドロキシアセトフェノン、２，５−ジヒドロキシアセトフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，６−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，５−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、２，２’，５，５’−テトラヒドロキシジフェニルスルフォン、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、ヒドロキシキノンカルボン酸及びその塩類、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、１，４−ヒドロキノンスルホン酸及びその塩類、４，５−ヒドロキシベンゼン−１，３−ジスルホン酸及びその塩類、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン−２，６−ジカルボン酸、１，６−ジヒドロキシナフタレン−２，５−ジカルボン酸、１，５−ジヒドロキシナフトエ酸、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸フェニルエステル、４，５−ジヒドロキシナフタレン−２，７−ジスルホン酸及びその塩類、１，８−ジヒドロキシ−３，６−ナフタレンジスルホン酸及びその塩類、６，７−ジヒドロキシ−２−ナフタレンスルホン酸及びその塩類、１，２，３−トリヒドロキシベンゼン（ピロガロール）、１，２，４−トリヒドロキシベンゼン、５−メチル−１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、５−エチル−１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、５−プロピル−１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、トリヒドロキシ安息香酸、トリヒドロキシアセトフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾアルデヒド、トリヒドロキシアントラキノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゼン、テトラヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、テトラヒドロキシアントラキノン、ガーリック酸メチル（没食子酸メチル）、ガーリック酸エチル（没食子酸エチル）等が挙げられる。
なお、これら芳香族化合物の一部は還元剤としても機能する。したがって、２つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物を還元剤として兼用することで、導電性をより高めることもできる。
２つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物の含有量は、ポリアニオンのアニオン基単位１モルに対して０．０５〜５０モルの範囲であることが好ましく、０．３〜１０モルの範囲であることがより好ましい。２つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物の含有量が、ポリアニオンのアニオン基単位１モルに対して０．０５モルより少なくなると、導電性が高くならないことがある。また、２つ以上のヒドロキシ基を有する化合物の含有量が、ポリアニオンのアニオン基単位１モルに対して５０モルより多くなると、導電層中のπ共役系導電性高分子の含有量が少なくなり、やはり充分な導電性が得られないことがある。
［添加剤］
導電層は、必要に応じて、酸化防止剤、紫外線吸収剤を含有してもよい。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、糖類、ビタミン類等が挙げられる。
紫外線吸収剤としては、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、オギザニリド系紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤等が挙げられる。
酸化防止剤と紫外線吸収剤とは併用することが好ましい。
導電層は、必要に応じて、酸化防止剤、紫外線吸収剤を含有してもよい。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、糖類、ビタミン類等が挙げられる。
紫外線吸収剤としては、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、オギザニリド系紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤等が挙げられる。
酸化防止剤と紫外線吸収剤とは併用することが好ましい。
［厚さ］
導電層の厚さは０．００１〜１０μｍであることが好ましく、０．０１〜１μｍであることがより好ましい。導電層の厚さが０．００１μｍ以上であれば、透明導電体の導電性がより高くなり、１０μｍ以下であれば、充分な可撓性を確保できる。
導電層の厚さは０．００１〜１０μｍであることが好ましく、０．０１〜１μｍであることがより好ましい。導電層の厚さが０．００１μｍ以上であれば、透明導電体の導電性がより高くなり、１０μｍ以下であれば、充分な可撓性を確保できる。
以上の第１の実施形態例の透明導電体では、透明基板の片面または両面に形成された酸化ケイ素膜を介して導電層が積層されている。酸化ケイ素膜は極性が高いため、濡れ性が高い。そのため、導電層との密着性が高いから、透明基板と導電層との密着性を高くできる。
このような透明導電体は、例えば、後述する入力デバイスに好適に用いられるが、表示デバイスの電極シートとして用いてもよい。表示デバイスとしては、例えば、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、液晶ディスプレイ等が挙げられる。
このような透明導電体は、例えば、後述する入力デバイスに好適に用いられるが、表示デバイスの電極シートとして用いてもよい。表示デバイスとしては、例えば、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、液晶ディスプレイ等が挙げられる。
「透明導電体の製造方法」
第１の実施形態例の透明導電体の製造方法は、樹脂製の透明基板原板の片面または両面に、ケイ素含有化合物および酸素を含む燃料ガスの火炎による処理を施して、酸化ケイ素膜を形成させる工程（以下、第１の工程という。）と、酸化ケイ素膜の表面に導電性高分子溶液を塗布して導電層を形成する工程（以下、第２の工程という。）とを有する方法である。
第１の実施形態例の透明導電体の製造方法は、樹脂製の透明基板原板の片面または両面に、ケイ素含有化合物および酸素を含む燃料ガスの火炎による処理を施して、酸化ケイ素膜を形成させる工程（以下、第１の工程という。）と、酸化ケイ素膜の表面に導電性高分子溶液を塗布して導電層を形成する工程（以下、第２の工程という。）とを有する方法である。
（第１の工程）
第１の工程における樹脂製の透明基板原板とは、表面処理が施されていない透明樹脂製の板のことである。
ケイ素含有化合物を含む燃料ガスの火炎による処理におけるケイ素含有化合物としては、例えば、テトラメチルシラン、テトラエチルシラン、１，２−ジクロロテトラメチルシラン、１，２−ジフェニルテトラメチルシラン、１，２−ジクロロテトラエチルシラン、１，２−ジフェニルテトラエチルシラン、１，２，３−トリクロロテトラメチルシラン、１，２，３−トリフェニルテトラメチルシラン、ジメチルジエチルテトラシラン等が挙げられる。ケイ素含有化合物は１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
ケイ素含有化合物の数平均分子量は５０〜１，０００であることが好ましい。シラン含有化合物の数平均分子量が５０以上であれば、揮発性が低くなり、取り扱い性が向上し、１，０００以下であれば、加熱により容易に気化して、空気等と容易に混合する。
第１の工程における樹脂製の透明基板原板とは、表面処理が施されていない透明樹脂製の板のことである。
ケイ素含有化合物を含む燃料ガスの火炎による処理におけるケイ素含有化合物としては、例えば、テトラメチルシラン、テトラエチルシラン、１，２−ジクロロテトラメチルシラン、１，２−ジフェニルテトラメチルシラン、１，２−ジクロロテトラエチルシラン、１，２−ジフェニルテトラエチルシラン、１，２，３−トリクロロテトラメチルシラン、１，２，３−トリフェニルテトラメチルシラン、ジメチルジエチルテトラシラン等が挙げられる。ケイ素含有化合物は１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
ケイ素含有化合物の数平均分子量は５０〜１，０００であることが好ましい。シラン含有化合物の数平均分子量が５０以上であれば、揮発性が低くなり、取り扱い性が向上し、１，０００以下であれば、加熱により容易に気化して、空気等と容易に混合する。
また、燃料ガスに含まれる酸素は、分子状酸素（Ｏ２）であってもよいし、空気であってもよい。
また、燃料ガスは、確実に燃焼させるために、プロパンガス等の可燃性ガスを含むことが好ましい。
燃料ガスの各成分の流量は、透明基板原板の種類、処理面積、目的の密着性などに応じて適宜選択される。密着性を向上させるためには、ケイ素含有化合物の流量を多くすることが好ましいが、ケイ素含有化合物の流量を多くしすぎると、得られる透明導電体の可撓性が低下する傾向にある。
また、燃料ガスは、確実に燃焼させるために、プロパンガス等の可燃性ガスを含むことが好ましい。
燃料ガスの各成分の流量は、透明基板原板の種類、処理面積、目的の密着性などに応じて適宜選択される。密着性を向上させるためには、ケイ素含有化合物の流量を多くすることが好ましいが、ケイ素含有化合物の流量を多くしすぎると、得られる透明導電体の可撓性が低下する傾向にある。
ケイ素含有化合物を含む燃料ガスを燃焼させることにより、酸化ケイ素を生成させることができる。したがって、ケイ素含有化合物を含む燃料ガスの火炎による表面処理では、透明基板の表面に酸化ケイ素膜を存在させることができる。
（第２の工程）
導電性高分子溶液は、π共役系導電性高分子とポリアニオンと溶媒とを含有する。
溶媒としては特に制限されず、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート化合物、クレゾール、フェノール、キシレノール等のフェノール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、ヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素類、ジオキサン、２−メチルテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル化合物、アセトニトリル、グルタロジニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ヘキサメチレンホスホルトリアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジン、ジメチルイミダゾリン、酢酸エチル、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジフェニルスルホン酸等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で用いてもよいし、２種類以上の混合物としてもよいし、他の有機溶媒との混合物としてもよい。
前記溶媒の中でも、取り扱い性の点から、水、アルコール類が好ましい。
導電性高分子溶液は、π共役系導電性高分子とポリアニオンと溶媒とを含有する。
溶媒としては特に制限されず、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート化合物、クレゾール、フェノール、キシレノール等のフェノール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、ヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素類、ジオキサン、２−メチルテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル化合物、アセトニトリル、グルタロジニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ヘキサメチレンホスホルトリアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジン、ジメチルイミダゾリン、酢酸エチル、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジフェニルスルホン酸等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で用いてもよいし、２種類以上の混合物としてもよいし、他の有機溶媒との混合物としてもよい。
前記溶媒の中でも、取り扱い性の点から、水、アルコール類が好ましい。
導電性高分子溶液は、成膜性が向上することから、上述したアクリル化合物を含有することが好ましい。アクリル化合物の中でも、成膜性がより向上する点では、（メタ）アクリルアミド化合物および多官能アクリル化合物の一方または両方を含有することが好ましい。
導電性高分子溶液は、必要に応じて、添加剤を含有してもよい。
添加剤としてはπ共役系導電性高分子及びポリアニオンと混合しうるものであれば特に制限されず、例えば、アルカリ性化合物、界面活性剤、消泡剤、カップリング剤、上述した酸化防止剤および紫外線吸収剤などを使用できる。
アルカリ性化合物としては、公知の無機アルカリ化合物や有機アルカリ化合物を使用できる。無機アルカリ化合物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニア等が挙げられる。
有機アルカリ化合物としては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、４級アミン、アミン以外の窒素含有化合物、金属アルコキシド、ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。これらの中でも、導電性がより高くなることから、脂肪族アミン、芳香族アミン、４級アミンよりなる群から選ばれる１種もしくは２種以上が好ましい。
界面活性剤としては、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、リン酸エステル塩等の陰イオン界面活性剤；アミン塩、４級アンモニウム塩等の陽イオン界面活性剤；カルボキシベタイン、アミノカルボン酸塩、イミダゾリウムベタイン等の両性界面活性剤；ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸アミド等の非イオン界面活性剤等が挙げられる。
消泡剤としては、シリコーン樹脂、ポリジメチルシロキサン、シリコーンレジン等が挙げられる。
カップリング剤としては、ビニル基、アミノ基、エポキシ基等を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
添加剤としてはπ共役系導電性高分子及びポリアニオンと混合しうるものであれば特に制限されず、例えば、アルカリ性化合物、界面活性剤、消泡剤、カップリング剤、上述した酸化防止剤および紫外線吸収剤などを使用できる。
アルカリ性化合物としては、公知の無機アルカリ化合物や有機アルカリ化合物を使用できる。無機アルカリ化合物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニア等が挙げられる。
有機アルカリ化合物としては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、４級アミン、アミン以外の窒素含有化合物、金属アルコキシド、ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。これらの中でも、導電性がより高くなることから、脂肪族アミン、芳香族アミン、４級アミンよりなる群から選ばれる１種もしくは２種以上が好ましい。
界面活性剤としては、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、リン酸エステル塩等の陰イオン界面活性剤；アミン塩、４級アンモニウム塩等の陽イオン界面活性剤；カルボキシベタイン、アミノカルボン酸塩、イミダゾリウムベタイン等の両性界面活性剤；ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸アミド等の非イオン界面活性剤等が挙げられる。
消泡剤としては、シリコーン樹脂、ポリジメチルシロキサン、シリコーンレジン等が挙げられる。
カップリング剤としては、ビニル基、アミノ基、エポキシ基等を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
導電性高分子溶液は、例えば、ポリアニオンの水溶液中でπ共役系導電性高分子の前駆体モノマーを化学酸化重合することで調製できる。
導電性高分子溶液の塗布方法として、例えば、バーコーター、スピンコーター、スプレーコーター、ダイコーター等を用いた塗布方法を適用することができる。
導電性高分子溶液塗布後には、硬化処理を施すことが好ましい。
硬化方法としては、加熱または光照射が適用される。加熱方法としては、例えば、熱風加熱や赤外線加熱などの通常の方法を採用できる。また、光照射により硬化する場合には、例えば、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク、キセノンアーク、メタルハライドランプなどの光源から紫外線を照射する方法を採用できる。紫外線照射における照度は１００ｍＷ／ｃｍ２以上が好ましい。照度が１００ｍＷ／ｃｍ２未満であると、充分に架橋せず、導電層の耐摺動性（耐久性）が低くなる傾向にある。なお、本発明における照度は、トプコン株式会社製ＵＶＲ−Ｔ１（工業用ＵＶチェッカー、受光器；ＵＤ−Ｔ３６、測定波長範囲；３００〜３９０ｎｍ、ピーク感度波長；約３５５ｎｍ）を用いて測定した値である。
硬化方法としては、加熱または光照射が適用される。加熱方法としては、例えば、熱風加熱や赤外線加熱などの通常の方法を採用できる。また、光照射により硬化する場合には、例えば、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク、キセノンアーク、メタルハライドランプなどの光源から紫外線を照射する方法を採用できる。紫外線照射における照度は１００ｍＷ／ｃｍ２以上が好ましい。照度が１００ｍＷ／ｃｍ２未満であると、充分に架橋せず、導電層の耐摺動性（耐久性）が低くなる傾向にある。なお、本発明における照度は、トプコン株式会社製ＵＶＲ−Ｔ１（工業用ＵＶチェッカー、受光器；ＵＤ−Ｔ３６、測定波長範囲；３００〜３９０ｎｍ、ピーク感度波長；約３５５ｎｍ）を用いて測定した値である。
導電性高分子溶液がアクリル化合物を含有する場合には、硬化処理の際に、アクリル化合物を重合させる。重合方法としては、ラジカル重合法、熱重合法、光ラジカル重合法、プラズマ重合法を適用できる。
ラジカル重合法では、重合開始剤として、例えばアゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物、過酸化ベンゾイル、ジアシルペルオキシド類、ペルオキシエステル類、ヒドロペルオキシド類等の過酸化物などを用いて重合する。
光ラジカル重合法では、重合開始剤として、カルボニル化合物、イオウ化合物、有機過酸化物、アゾ化合物などを用いて重合する。具体的には、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、キサントン、チオキサントン、２−エチルアントラキノン、アセトフェノン、トリクロロアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル-プロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾインエーテル、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、ベンジル、メチルベンゾイルホルメート、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、テトラメチルチウラム、ジチオカーバメート、過酸化ベンゾイル、Ｎ−ラウリルピリジウムアジド、ポリメチルフェニルシランなどが挙げられる。
プラズマ重合では、プラズマを短時間照射し、プラズマの電子衝撃によるエネルギーを受けて、フラグメンテーションとリアレンジメントをしたのち、ラジカルの再結合により重合体を生成する。
ラジカル重合法では、重合開始剤として、例えばアゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物、過酸化ベンゾイル、ジアシルペルオキシド類、ペルオキシエステル類、ヒドロペルオキシド類等の過酸化物などを用いて重合する。
光ラジカル重合法では、重合開始剤として、カルボニル化合物、イオウ化合物、有機過酸化物、アゾ化合物などを用いて重合する。具体的には、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、キサントン、チオキサントン、２−エチルアントラキノン、アセトフェノン、トリクロロアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル-プロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾインエーテル、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、ベンジル、メチルベンゾイルホルメート、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、テトラメチルチウラム、ジチオカーバメート、過酸化ベンゾイル、Ｎ−ラウリルピリジウムアジド、ポリメチルフェニルシランなどが挙げられる。
プラズマ重合では、プラズマを短時間照射し、プラズマの電子衝撃によるエネルギーを受けて、フラグメンテーションとリアレンジメントをしたのち、ラジカルの再結合により重合体を生成する。
また、化合物（ａ−１）および化合物（ｂ）におけるビニルエーテル基の重合は、カチオン重合法が採られる。カチオン重合においては、反応促進のため、ハロゲン化金属、有機金属化合物等のルイス酸、その他、ハロゲン、強酸塩、カルボニウムイオン塩等の光または熱でカチオンを生成する求電子試薬などを使用してもよい。
以上説明した第１の実施形態例の透明導電体の製造方法では、透明基板の片面または両面に酸化ケイ素膜を存在させるため、透明基板の濡れ性を高くできる。そして、透明基板の酸化ケイ素膜を介して導電層を形成するため、透明基板と導電層との密着性を高くできる。しかも、得られた透明導電体は、導電性および透明性が高い。
＜第２の実施形態例＞
「透明導電体」
本発明の第２の実施形態例の透明導電体は、片面または両面に酸素存在下でのプラズマ処理が施された樹脂製の透明基板と、該透明基板の、プラズマ処理された面に形成された導電層とを有するものである。
本実施形態例における導電層は第１の実施形態例の導電層と同様である。
「透明導電体」
本発明の第２の実施形態例の透明導電体は、片面または両面に酸素存在下でのプラズマ処理が施された樹脂製の透明基板と、該透明基板の、プラズマ処理された面に形成された導電層とを有するものである。
本実施形態例における導電層は第１の実施形態例の導電層と同様である。
本実施形態例における透明基板は、第１の実施形態例の透明基板と同様の透明基板に、酸素存在下でのプラズマによる処理が施されたものである。プラズマ処理された表面には、カルボニル基やカルボキシ基等の酸素原子含有基が存在している。
以上の第２の実施形態例の透明導電体では、透明基板のプラズマ処理された面に導電層が積層されている。透明基板のプラズマ処理された面には酸素含有基が形成されており、極性が高いため、濡れ性が高い。そのため、透明基板と導電層との密着性が高くなっている。
本実施形態例の透明導電体も、例えば、後述する入力デバイスに好適に用いられるが、表示デバイスの電極シートとして用いてもよい。表示デバイスとしては、例えば、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、液晶ディスプレイ等が挙げられる。
本実施形態例の透明導電体も、例えば、後述する入力デバイスに好適に用いられるが、表示デバイスの電極シートとして用いてもよい。表示デバイスとしては、例えば、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、液晶ディスプレイ等が挙げられる。
「透明導電体の製造方法」
第２の実施形態例の透明導電体の製造方法は、樹脂製の透明基板原板の片面または両面に、酸素存在下、プラズマによる処理を施す工程（以下、第１’の工程という。）と、透明基板原板の表面処理した面に導電性高分子溶液を塗布して導電層を形成する工程（以下、第２’の工程という。）とを有する方法である。なお、本実施形態例における第２’の工程は、第１の実施形態例における第２の工程と同様である。
第２の実施形態例の透明導電体の製造方法は、樹脂製の透明基板原板の片面または両面に、酸素存在下、プラズマによる処理を施す工程（以下、第１’の工程という。）と、透明基板原板の表面処理した面に導電性高分子溶液を塗布して導電層を形成する工程（以下、第２’の工程という。）とを有する方法である。なお、本実施形態例における第２’の工程は、第１の実施形態例における第２の工程と同様である。
第１’の工程における透明基板原板は、第１の実施形態例における第１の工程の透明基板原板と同様である。
第１’の工程におけるプラズマ処理では酸素の存在下で行う処理であるが、アルゴン等を存在させてもよい。
第１’の工程におけるプラズマ処理でのＲＦ（高周波）出力は、透明基板や導電層の種類にもよるが、１００〜１０００Ｗにすることが好ましい。
第１’の工程におけるプラズマ処理での絶対圧力は、透明基板や導電層の種類にもよるが５０Ｐａ以下にすることが好ましい。
透明基板原板の表面を酸素存在下でプラズマ処理する第１’の工程によれば、透明基板の表面にカルボニル基やカルボキシ基等の酸素含有基を存在させることができる。
第１’の工程におけるプラズマ処理では酸素の存在下で行う処理であるが、アルゴン等を存在させてもよい。
第１’の工程におけるプラズマ処理でのＲＦ（高周波）出力は、透明基板や導電層の種類にもよるが、１００〜１０００Ｗにすることが好ましい。
第１’の工程におけるプラズマ処理での絶対圧力は、透明基板や導電層の種類にもよるが５０Ｐａ以下にすることが好ましい。
透明基板原板の表面を酸素存在下でプラズマ処理する第１’の工程によれば、透明基板の表面にカルボニル基やカルボキシ基等の酸素含有基を存在させることができる。
以上説明した第２の実施形態例の透明導電体の製造方法では、透明基板の片面または両面にカルボニル基やカルボキシ基等の酸素含有基を存在させるため、透明基板の濡れ性を高くできる。そして、透明基板の酸素含有基を存在させた面に導電層を形成するため、透明基板と導電層との密着性を高くできる。しかも、この製造方法により得た透明導電体は、導電性および透明性が高い。
「入力デバイス」
本発明の入力デバイスは、上記透明導電体を電極シートとして備えるものである。入力デバイスの中でも、本発明の効果がとりわけ発揮されることから、抵抗膜式タッチパネルが好適である。以下、上記透明導電体を可動電極シートとして備えた抵抗膜式タッチパネルの例について説明する。
本例の抵抗膜式タッチパネルは、図１に示すように、透明基板１１の表面処理された面１１ａに導電層１２が形成され、入力者側に配置された可動電極シート１０と、透明基板２１表面に導電層２２が形成され、画像表示装置側に配置された固定電極シート２０とが、導電層１２と導電層２２が対向するように設けられたものである。ここで、可動電極シート１０における透明基板１１の表面処理された面１１ａは、酸化ケイ素膜が形成された面またはプラズマ処理された面である。
また、可動電極シート１０と固定電極シート２０との間には、透明なドットスペーサ２４が配置されて、隙間が形成されている。
本発明の入力デバイスは、上記透明導電体を電極シートとして備えるものである。入力デバイスの中でも、本発明の効果がとりわけ発揮されることから、抵抗膜式タッチパネルが好適である。以下、上記透明導電体を可動電極シートとして備えた抵抗膜式タッチパネルの例について説明する。
本例の抵抗膜式タッチパネルは、図１に示すように、透明基板１１の表面処理された面１１ａに導電層１２が形成され、入力者側に配置された可動電極シート１０と、透明基板２１表面に導電層２２が形成され、画像表示装置側に配置された固定電極シート２０とが、導電層１２と導電層２２が対向するように設けられたものである。ここで、可動電極シート１０における透明基板１１の表面処理された面１１ａは、酸化ケイ素膜が形成された面またはプラズマ処理された面である。
また、可動電極シート１０と固定電極シート２０との間には、透明なドットスペーサ２４が配置されて、隙間が形成されている。
固定電極シート２０の透明基板２１としては、例えば、単層または２層以上のプラスチックフィルム、ガラス板、フィルムとガラス板との積層体が挙げられる。中でも、固定しやすいことから、ガラス板を用いたものが好ましい。
固定電極シート２０の導電層２２は、ＩＴＯ膜からなるものであってもよいし、π共役系導電性高分子を含有するものであってもよい。
固定電極シート２０の導電層２２は、ＩＴＯ膜からなるものであってもよいし、π共役系導電性高分子を含有するものであってもよい。
本発明の入力デバイスにおいては、可動電極シート１０の透明基板１１の厚さは１００〜２５０μｍであることが好ましい。透明基板１１の厚さが１００μｍ以上であれば、充分な強度を確保でき、２５０μｍ以下であれば、充分な可撓性を確保できる。
可動電極シート１０の導電層１２の厚さは５０〜７００μｍであることが好ましい。導電層１２の厚さが５０μｍ以上であれば、充分な導電性を確保でき、７００μｍ以下であれば、充分な可撓性及び透明性を確保できる。
固定電極シート２０の透明基板２１の厚さは０．８〜２．５ｍｍであることが好ましい。透明基板２１の厚さが０．８ｍｍ以上であれば、充分な強度を確保でき、２．５ｍｍ以下であれば、薄くすることができ、省スペース化を実現できる。
固定電極シート２０の導電層２２の厚さは０．０１〜１．０μｍであることが好ましい。導電層２２の厚さが０．０１μｍ以上であれば、充分な導電性を確保でき、１．０μｍ以下であれば、薄くすることができ、省スペース化を実現できる。
可動電極シート１０と固定電極シート２０の非押圧時の間隔は２０〜１００μｍであることが好ましい。可動電極シート１０と固定電極シート２０の非押圧時の間隔は２０μｍ以上であれば、非押圧時に可動電極シート１０と固定電極シート２０とを確実に接触させないようにすることができ、１００μｍ以下であれば、押圧時に可動電極シート１０と固定電極シート２０とを確実に接触させることができる。前記間隔になるようにするためには、ドットスペーサ２４の大きさを適宜選択すればよい。
可動電極シート１０の導電層１２の厚さは５０〜７００μｍであることが好ましい。導電層１２の厚さが５０μｍ以上であれば、充分な導電性を確保でき、７００μｍ以下であれば、充分な可撓性及び透明性を確保できる。
固定電極シート２０の透明基板２１の厚さは０．８〜２．５ｍｍであることが好ましい。透明基板２１の厚さが０．８ｍｍ以上であれば、充分な強度を確保でき、２．５ｍｍ以下であれば、薄くすることができ、省スペース化を実現できる。
固定電極シート２０の導電層２２の厚さは０．０１〜１．０μｍであることが好ましい。導電層２２の厚さが０．０１μｍ以上であれば、充分な導電性を確保でき、１．０μｍ以下であれば、薄くすることができ、省スペース化を実現できる。
可動電極シート１０と固定電極シート２０の非押圧時の間隔は２０〜１００μｍであることが好ましい。可動電極シート１０と固定電極シート２０の非押圧時の間隔は２０μｍ以上であれば、非押圧時に可動電極シート１０と固定電極シート２０とを確実に接触させないようにすることができ、１００μｍ以下であれば、押圧時に可動電極シート１０と固定電極シート２０とを確実に接触させることができる。前記間隔になるようにするためには、ドットスペーサ２４の大きさを適宜選択すればよい。
この抵抗膜式タッチパネルでは、指またはスタイラスにより可動電極シート１０を押した際に、可動電極シート１０の導電層１２と固定電極シート２０の導電層２２とを接触させて導通させ、その際の電圧を取り込んで、位置を検出するようになっている。
このような抵抗膜式タッチパネルでは、入力感度の低下や座標入力時間遅れ等の動作不良が起きにくい。また、導電層１２の透明性が高いから、画像表示装置の画像の視認性に優れる。
このような抵抗膜式タッチパネルでは、入力感度の低下や座標入力時間遅れ等の動作不良が起きにくい。また、導電層１２の透明性が高いから、画像表示装置の画像の視認性に優れる。
また、入力デバイスは静電容量式タッチパネルであってもよい。上記透明導電体を用いた静電容量式タッチパネルとしては、例えば、導電層が透明基板の両面に設けられ、透明電極全体に低圧の電界を形成し、指で触れることで表面電荷の変化を捉え、位置を検出するものが挙げられる。
本発明の入力デバイスは、例えば、電子手帳、携帯情報端末（ＰＤＡ）、携帯電話、ＰＨＳ、現金自動預け払い機（ＡＴＭ）、自動販売機、販売時点情報管理（ＰＯＳ）用レジスタなどに備え付けられる。
以下、本発明の実施例を具体的に示すが、本発明は実施例により限定されるものではない。
（製造例１）ポリスチレンスルホン酸の調製
１０００ｍｌのイオン交換水に２０６ｇのスチレンスルホン酸ナトリウムを溶解し、８０℃で攪拌しながら、予め１０ｍｌの水に溶解した１．１４ｇの過硫酸アンモニウム酸化剤溶液を２０分間滴下し、この溶液を２時間攪拌した。
これにより得られたスチレンスルホン酸ナトリウム含有溶液に１０質量％に希釈した硫酸を１０００ｍｌと１００００ｍｌのイオン交換水を添加し、限外ろ過法を用いてポリスチレンスルホン酸含有溶液の約１００００ｍｌ溶液を除去し、残液に１００００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約１００００ｍｌ溶液を除去した。上記の限外ろ過操作を３回繰り返した。
さらに、得られたろ液に約１００００ｍｌのイオン交換水を添加し、限外ろ過法を用いて約１００００ｍｌ溶液を除去した。この限外ろ過操作を３回繰り返した。
限外ろ過条件は下記の通りとした（他の例でも同様）。
限外ろ過膜の分画分子量：３００００
クロスフロー式
供給液流量：３０００ｍｌ／分
膜分圧：０．１２Ｐａ
得られた溶液中の水を減圧除去して、無色の固形状のポリスチレンスルホン酸を得た。
（製造例１）ポリスチレンスルホン酸の調製
１０００ｍｌのイオン交換水に２０６ｇのスチレンスルホン酸ナトリウムを溶解し、８０℃で攪拌しながら、予め１０ｍｌの水に溶解した１．１４ｇの過硫酸アンモニウム酸化剤溶液を２０分間滴下し、この溶液を２時間攪拌した。
これにより得られたスチレンスルホン酸ナトリウム含有溶液に１０質量％に希釈した硫酸を１０００ｍｌと１００００ｍｌのイオン交換水を添加し、限外ろ過法を用いてポリスチレンスルホン酸含有溶液の約１００００ｍｌ溶液を除去し、残液に１００００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約１００００ｍｌ溶液を除去した。上記の限外ろ過操作を３回繰り返した。
さらに、得られたろ液に約１００００ｍｌのイオン交換水を添加し、限外ろ過法を用いて約１００００ｍｌ溶液を除去した。この限外ろ過操作を３回繰り返した。
限外ろ過条件は下記の通りとした（他の例でも同様）。
限外ろ過膜の分画分子量：３００００
クロスフロー式
供給液流量：３０００ｍｌ／分
膜分圧：０．１２Ｐａ
得られた溶液中の水を減圧除去して、無色の固形状のポリスチレンスルホン酸を得た。
（製造例２）ポリスチレンスルホン酸ドープポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）水溶液の調製
１４．２ｇの３，４−エチレンジオキシチオフェンと、３６．７ｇの製造例１で得たポリスチレンスルホン酸を２０００ｍｌのイオン交換水に溶かした溶液とを２０℃で混合した。
これにより得られた混合溶液を２０℃に保ち、掻き混ぜながら、２００ｍｌのイオン交換水に溶かした２９．６４ｇの過硫酸アンモニウムと８．０ｇの硫酸第二鉄の酸化触媒溶液とをゆっくり添加し、３時間攪拌して反応させた。
得られた反応液に２０００ｍｌのイオン交換水を添加し、限外ろ過法を用いて約２０００ｍｌ溶液を除去した。この操作を３回繰り返した。
そして、上記ろ過処理が行われた処理液に２００ｍｌの１０質量％に希釈した硫酸と２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約２０００ｍｌの処理液を除去し、これに２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約２０００ｍｌの液を除去した。この操作を３回繰り返した。
さらに、得られた処理液に２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約２０００ｍｌの処理液を除去した。この操作を５回繰り返し、約１．５質量％の青色のポリスチレンスルホン酸ドープポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）水溶液を得た。
１４．２ｇの３，４−エチレンジオキシチオフェンと、３６．７ｇの製造例１で得たポリスチレンスルホン酸を２０００ｍｌのイオン交換水に溶かした溶液とを２０℃で混合した。
これにより得られた混合溶液を２０℃に保ち、掻き混ぜながら、２００ｍｌのイオン交換水に溶かした２９．６４ｇの過硫酸アンモニウムと８．０ｇの硫酸第二鉄の酸化触媒溶液とをゆっくり添加し、３時間攪拌して反応させた。
得られた反応液に２０００ｍｌのイオン交換水を添加し、限外ろ過法を用いて約２０００ｍｌ溶液を除去した。この操作を３回繰り返した。
そして、上記ろ過処理が行われた処理液に２００ｍｌの１０質量％に希釈した硫酸と２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約２０００ｍｌの処理液を除去し、これに２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約２０００ｍｌの液を除去した。この操作を３回繰り返した。
さらに、得られた処理液に２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約２０００ｍｌの処理液を除去した。この操作を５回繰り返し、約１．５質量％の青色のポリスチレンスルホン酸ドープポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）水溶液を得た。
（実施例１）
製造例２で得たＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液６００ｇに、炭酸銀０．５を添加し、撹拌して、炭酸銀を含有したＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液を調製した。
これとは別に、ガーリック酸３．６ｇ、イルガキュア１２７（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製）０．９ｇ、２−ヒドロキシエチルアクリルアミド１８ｇ、ペンタエリスリトールトリアクリレート７．２ｇ、エタノール３００ｇ、ＰＧＭ（純正化学株式会社製１−メトキシ−２−プロパノール）１００ｇ、グラノール４００（共栄社化学株式会社製変性シリコーン）０．５ｇを混合し、撹拌した。これにより得た溶液に、前記炭酸銀を含有したＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液を添加し、撹拌して、導電性高分子溶液Ａを得た。
製造例２で得たＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液６００ｇに、炭酸銀０．５を添加し、撹拌して、炭酸銀を含有したＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液を調製した。
これとは別に、ガーリック酸３．６ｇ、イルガキュア１２７（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製）０．９ｇ、２−ヒドロキシエチルアクリルアミド１８ｇ、ペンタエリスリトールトリアクリレート７．２ｇ、エタノール３００ｇ、ＰＧＭ（純正化学株式会社製１−メトキシ−２−プロパノール）１００ｇ、グラノール４００（共栄社化学株式会社製変性シリコーン）０．５ｇを混合し、撹拌した。これにより得た溶液に、前記炭酸銀を含有したＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液を添加し、撹拌して、導電性高分子溶液Ａを得た。
また、ポリカーボネート（帝人化成株式会社製パンライトＰＣ１１５１、厚さ；１ｍｍ）からなる透明基板原板の片面を、ケイ酸化炎処理装置（株式会社イトロ技術研究所製、イトロ処理装置、バーナー幅３２５ｍｍ）を用い、シラン化合物である１，２−ジクロロテトラメチルシランを含む燃料ガスの火炎により表面処理した。その際、空気流量；１３０Ｌ／分、ＬＰＧ流量；６．０Ｌ／分、シラン化合物流量；１．５Ｌ／分、処理速度；１０００ｍｍ／秒、透明基板原板と燃焼ノズルとの距離を２０ｍｍに設定し、透明基板原板を炎に２回通した。
次いで、導電性高分子溶液Ａを、透明基板の表面処理された面に、ダイコーターにより塗布し、１００℃、２分間、赤外線照射により乾燥した後、紫外線（高圧水銀灯１２０Ｗ、３６０ｍＪ／ｃｍ２）照射し、硬化させて、導電層を形成させて、透明導電体を得た。
得られた導電膜の表面抵抗と光透過率と接触抵抗を以下の方法により測定した。それらの結果を表１に示す。
次いで、導電性高分子溶液Ａを、透明基板の表面処理された面に、ダイコーターにより塗布し、１００℃、２分間、赤外線照射により乾燥した後、紫外線（高圧水銀灯１２０Ｗ、３６０ｍＪ／ｃｍ２）照射し、硬化させて、導電層を形成させて、透明導電体を得た。
得られた導電膜の表面抵抗と光透過率と接触抵抗を以下の方法により測定した。それらの結果を表１に示す。
［表面抵抗値］
三菱化学株式会社製ロレスタＭＣＰ−Ｔ６００を用い、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準じて測定した。
［光透過率およびヘイズ］
日本電色工業株式会社製ヘイズメータ測定器（ＮＤＨ５０００）を用い、ＪＩＳ Ｋ７１３６に準じて光透過率およびヘイズを測定した。
三菱化学株式会社製ロレスタＭＣＰ−Ｔ６００を用い、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準じて測定した。
［光透過率およびヘイズ］
日本電色工業株式会社製ヘイズメータ測定器（ＮＤＨ５０００）を用い、ＪＩＳ Ｋ７１３６に準じて光透過率およびヘイズを測定した。
［摺動試験］
導電層の密着性を評価するため、エタノールで湿らせたキムワイプ（日本製紙クレシア株式会社製）を、１００ｇｆ／ｃｍ２の荷重をかけて３０往復擦り、導電層の抜けを目視により検査した。この結果は導電層の密着性の指標になる。
◎ ：剥離なし、○：わずかに剥離、△：一部剥離、×：完全剥離
導電層の密着性を評価するため、エタノールで湿らせたキムワイプ（日本製紙クレシア株式会社製）を、１００ｇｆ／ｃｍ２の荷重をかけて３０往復擦り、導電層の抜けを目視により検査した。この結果は導電層の密着性の指標になる。
◎ ：剥離なし、○：わずかに剥離、△：一部剥離、×：完全剥離
［碁盤目試験］
導電層の密着性を調べるために、導電層にＪＩＳ Ｇ ３３２２に準じて碁盤目を入れ、その碁盤目の上からニチバン株式会社製セロテープ（登録商標）を貼着し、次いで、セロテープ（登録商標）を剥がして、導電層の剥離具合で密着性を評価した。
○：導電層の剥離がなく、密着性に優れていた。
×：導電層が剥離し、密着性が低かった。
導電層の密着性を調べるために、導電層にＪＩＳ Ｇ ３３２２に準じて碁盤目を入れ、その碁盤目の上からニチバン株式会社製セロテープ（登録商標）を貼着し、次いで、セロテープ（登録商標）を剥がして、導電層の剥離具合で密着性を評価した。
○：導電層の剥離がなく、密着性に優れていた。
×：導電層が剥離し、密着性が低かった。
（実施例２）
透明基板原板を非晶性ポリアリレート（株式会社カネカ製エルメックＲ−４３５）に、透明基板原板と燃焼ノズルとの距離を１００ｍｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、透明導電体を得た。そして、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１に示す。
透明基板原板を非晶性ポリアリレート（株式会社カネカ製エルメックＲ−４３５）に、透明基板原板と燃焼ノズルとの距離を１００ｍｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、透明導電体を得た。そして、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１に示す。
（実施例３）
透明基板原板をシクロオレフィンポリマー（日本ゼオン株式会社製ゼオノアＺＦ１４−１００）に、処理速度を２００ｍｍ／秒に変更したこと以外は実施例１と同様にして、透明導電体を得た。そして、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１に示す。
透明基板原板をシクロオレフィンポリマー（日本ゼオン株式会社製ゼオノアＺＦ１４−１００）に、処理速度を２００ｍｍ／秒に変更したこと以外は実施例１と同様にして、透明導電体を得た。そして、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１に示す。
（実施例４）
透明基板原板を非晶性ポリアリレート（ユニチカ株式会社製ＵポリマーＵ−１００）に、処理速度を２００ｍｍ／秒に、透明基板原板と燃焼ノズルとの距離を１００ｍｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、透明導電体を得た。そして、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１に示す。
透明基板原板を非晶性ポリアリレート（ユニチカ株式会社製ＵポリマーＵ−１００）に、処理速度を２００ｍｍ／秒に、透明基板原板と燃焼ノズルとの距離を１００ｍｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、透明導電体を得た。そして、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１に示す。
（実施例５）
透明基板原板をシクロオレフィンポリマー（ＪＳＲ株式会社製アートンＦ５０２３）に、処理速度を１００ｍｍ／秒に、透明基板原板と燃焼ノズルとの距離を１００ｍｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、透明導電体を得た。そして、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１に示す。
透明基板原板をシクロオレフィンポリマー（ＪＳＲ株式会社製アートンＦ５０２３）に、処理速度を１００ｍｍ／秒に、透明基板原板と燃焼ノズルとの距離を１００ｍｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、透明導電体を得た。そして、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１に示す。
（実施例６）
製造例２で得たＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液６００ｇに、炭酸銀０．３４を添加し、撹拌して、炭酸銀を含有したＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液を調製した。
これとは別に、２，３，３’，４，４’，５−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン３．６ｇ、イルガキュア１２７（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製）０．９ｇ、２−ヒドロキシエチルアクリルアミド１８ｇ、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート７．２ｇ、エタノール３００ｇ、ＰＧＭ１００ｇ、グラノール４１０（共栄社化学株式会社製変性シリコーン）０．５ｇを混合し、撹拌した。これにより得た溶液に、前記炭酸銀を含有したＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液を添加し、撹拌して、導電性高分子溶液Ｂを得た。
製造例２で得たＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液６００ｇに、炭酸銀０．３４を添加し、撹拌して、炭酸銀を含有したＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液を調製した。
これとは別に、２，３，３’，４，４’，５−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン３．６ｇ、イルガキュア１２７（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製）０．９ｇ、２−ヒドロキシエチルアクリルアミド１８ｇ、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート７．２ｇ、エタノール３００ｇ、ＰＧＭ１００ｇ、グラノール４１０（共栄社化学株式会社製変性シリコーン）０．５ｇを混合し、撹拌した。これにより得た溶液に、前記炭酸銀を含有したＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液を添加し、撹拌して、導電性高分子溶液Ｂを得た。
また、ポリカーボネート（帝人化成株式会社製パンライトＰＣ１１５１、厚さ；１ｍｍ）からなる透明基板原板の片面を、プラズマ処理装置（大同特殊鋼株式会社製、プラズマクリーンＤＯＭＩＮＯ−８０）を用いて、プラズマにより表面処理した。その際、アルゴン流量；１８ｓｃｃｍ、酸素流量；６０ｓｃｃｍ、ＲＦ出力；５００Ｗ、真空度；４９Ｐａ、処理時間；３分で処理した。
次いで、導電性高分子溶液Ｂを、透明基板の表面処理された面に、ダイコーターにより塗布し、１００℃、２分間、赤外線照射により乾燥した後、紫外線（高圧水銀灯１２０Ｗ、３６０ｍＪ／ｃｍ２）照射し、硬化させて、導電層を形成させて、透明導電体を得た。そして、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１に示す。
次いで、導電性高分子溶液Ｂを、透明基板の表面処理された面に、ダイコーターにより塗布し、１００℃、２分間、赤外線照射により乾燥した後、紫外線（高圧水銀灯１２０Ｗ、３６０ｍＪ／ｃｍ２）照射し、硬化させて、導電層を形成させて、透明導電体を得た。そして、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１に示す。
（比較例１）
実施例１においてポリカーボネートからなる透明基板原板の片面を、シラン化合物を含む燃料ガスの火炎により表面処理しなかったこと以外は実施例１と同様にして透明導電体を得て、評価した。評価結果を表１に示す。
実施例１においてポリカーボネートからなる透明基板原板の片面を、シラン化合物を含む燃料ガスの火炎により表面処理しなかったこと以外は実施例１と同様にして透明導電体を得て、評価した。評価結果を表１に示す。
透明基板の表面処理した面に導電層を形成した実施例１〜６では、透明基板の濡れ性が高いため、透明基板と導電層との密着性が高かった。しかも、導電性および透明性にも優れていた。
これに対し、透明基板原板を表面処理しなかった比較例１では、透明基板の濡れ性が低く、透明基板と導電層との密着性が低かった。
これに対し、透明基板原板を表面処理しなかった比較例１では、透明基板の濡れ性が低く、透明基板と導電層との密着性が低かった。
１０ 可動電極シート
１１ 透明基板
１１ａ 表面処理された面
１２ 導電層
１３ａ，１３ｂ 電極配線
２０ 固定電極シート
２１ 透明基板
２２ 導電層
２３ａ，２３ｂ 電極配線
２４ ドットスペーサ
１１ 透明基板
１１ａ 表面処理された面
１２ 導電層
１３ａ，１３ｂ 電極配線
２０ 固定電極シート
２１ 透明基板
２２ 導電層
２３ａ，２３ｂ 電極配線
２４ ドットスペーサ
Claims (5)
- 樹脂製の透明基板と、透明基板の片面または両面に形成された酸化ケイ素膜と、該酸化ケイ素膜の表面に形成され、π共役系導電性高分子およびポリアニオンを含有する導電層とを有することを特徴とする透明導電体。
- 樹脂製の透明基板原板の片面または両面に、ケイ素含有化合物および酸素を含む燃料ガスの火炎による処理を施して酸化ケイ素膜を形成させる工程と、
前記酸化ケイ素膜の表面に、π共役系導電性高分子とポリアニオンと溶媒とを含有する導電性高分子溶液を塗布して導電層を形成する工程とを有することを特徴とする透明導電体の製造方法。 - 片面または両面に酸素存在下でのプラズマ処理が施された樹脂製の透明基板と、該透明基板の、プラズマ処理された面に形成され、π共役系導電性高分子およびポリアニオンを含有する導電層とを有することを特徴とする透明導電体。
- 樹脂製の透明基板原板の片面または両面に、酸素存在下、プラズマによる処理を施す工程と、
透明基板原板の表面処理した面に、π共役系導電性高分子とポリアニオンと溶媒とを含有する導電性高分子溶液を塗布して導電層を形成する工程とを有することを特徴とする透明導電体の製造方法。 - 請求項１または３に記載の透明導電体を電極シートとして備えたことを特徴とする入力デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008016203A JP2009176651A (ja) | 2008-01-28 | 2008-01-28 | 透明導電体およびその製造方法、ならびに入力デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008016203A JP2009176651A (ja) | 2008-01-28 | 2008-01-28 | 透明導電体およびその製造方法、ならびに入力デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009176651A true JP2009176651A (ja) | 2009-08-06 |
Family
ID=41031522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008016203A Pending JP2009176651A (ja) | 2008-01-28 | 2008-01-28 | 透明導電体およびその製造方法、ならびに入力デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009176651A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011038002A (ja) * | 2009-08-12 | 2011-02-24 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 導電性高分子溶液および帯電防止性シート |
| JP2011065799A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機電子デバイスとその製造方法 |
| JP2011094211A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | 活性酸素生成装置、加湿器および空気清浄機 |
| JP2011103186A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機電子素子 |
| JP2011150698A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-08-04 | Nissha Printing Co Ltd | 透明導電膜層シート及びその製造方法 |
| JP2014019038A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Kaneka Corp | 無機薄膜付き導電材用基板、透明電極付き基板及びその製造方法 |
| JP5872004B1 (ja) * | 2014-08-27 | 2016-03-01 | 信越ポリマー株式会社 | 帯電防止フィルムの製造方法 |
| CN110431008A (zh) * | 2017-03-27 | 2019-11-08 | 凸版印刷株式会社 | 透明导电性阻气层叠体以及具有该透明导电性阻气层叠体的装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000261008A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池用シリコン基板の粗面化方法 |
| JP2002093242A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 透明導電材及び発光素子 |
| WO2004098792A1 (ja) * | 2003-05-06 | 2004-11-18 | Yasuhiro Mori | 固体物質の表面改質方法および表面改質された固体物質 |
-
2008
- 2008-01-28 JP JP2008016203A patent/JP2009176651A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000261008A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池用シリコン基板の粗面化方法 |
| JP2002093242A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 透明導電材及び発光素子 |
| WO2004098792A1 (ja) * | 2003-05-06 | 2004-11-18 | Yasuhiro Mori | 固体物質の表面改質方法および表面改質された固体物質 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011038002A (ja) * | 2009-08-12 | 2011-02-24 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 導電性高分子溶液および帯電防止性シート |
| JP2011065799A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機電子デバイスとその製造方法 |
| JP2011094211A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | 活性酸素生成装置、加湿器および空気清浄機 |
| JP2011103186A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機電子素子 |
| JP2011150698A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-08-04 | Nissha Printing Co Ltd | 透明導電膜層シート及びその製造方法 |
| JP2014019038A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Kaneka Corp | 無機薄膜付き導電材用基板、透明電極付き基板及びその製造方法 |
| JP5872004B1 (ja) * | 2014-08-27 | 2016-03-01 | 信越ポリマー株式会社 | 帯電防止フィルムの製造方法 |
| KR20160025458A (ko) * | 2014-08-27 | 2016-03-08 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 대전 방지 필름의 제조 방법 |
| KR101670252B1 (ko) | 2014-08-27 | 2016-10-28 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 대전 방지 필름의 제조 방법 |
| US9546310B2 (en) | 2014-08-27 | 2017-01-17 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Method of manufacturing antistatic film |
| CN110431008A (zh) * | 2017-03-27 | 2019-11-08 | 凸版印刷株式会社 | 透明导电性阻气层叠体以及具有该透明导电性阻气层叠体的装置 |
| EP3603960A4 (en) * | 2017-03-27 | 2020-03-18 | Toppan Printing Co., Ltd. | TRANSPARENT CONDUCTIVE GAS BARRIER LAMINATE AND DEVICE PROVIDED WITH SAME |
| CN110431008B (zh) * | 2017-03-27 | 2022-05-06 | 凸版印刷株式会社 | 透明导电性阻气层叠体以及具有该透明导电性阻气层叠体的装置 |
| US11364704B2 (en) | 2017-03-27 | 2022-06-21 | Toppan Printing Co., Ltd. | Transparent conductive gas barrier laminate and device including the laminate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2400508B1 (en) | Conductive polymer solution, conductive coating film and input device | |
| JP5232462B2 (ja) | 導電性高分子溶液、導電性塗膜および入力デバイス | |
| JP2009170408A (ja) | 導電性シートおよびその製造方法、ならびに入力デバイス | |
| JP5244361B2 (ja) | 抵抗膜式タッチパネル | |
| JP2009176651A (ja) | 透明導電体およびその製造方法、ならびに入力デバイス | |
| JP5094317B2 (ja) | 導電性高分子溶液、導電性塗膜および入力デバイス | |
| JP5259675B2 (ja) | 大画面タッチスクリーン | |
| JP5674522B2 (ja) | 導電性高分子溶液、導電性塗膜および入力デバイス | |
| JP4479608B2 (ja) | 透明導電体及びパネルスイッチ | |
| EP2109117B9 (en) | Transparent conductive sheet for a touch panel, method for manufacturing transparent conductive sheet for a touch panel and a touch panel | |
| JP5501195B2 (ja) | 導電性高分子溶液、導電性塗膜および入力デバイス | |
| JP2008300063A (ja) | 導電性インク、透明導電層、入力デバイス及び表示デバイス | |
| KR101022030B1 (ko) | 저항막 방식 터치 시트 및 이의 제조 방법 | |
| JP2010159365A (ja) | 導電性高分子溶液、導電性積層体および入力デバイス | |
| JP2011146015A (ja) | タッチスクリーン入力装置 | |
| JP5036997B2 (ja) | タッチパネル用透明導電シート並びにその製造方法、及びタッチパネル | |
| JP6130181B2 (ja) | 導電性高分子組成物及び導電体 | |
| KR101420541B1 (ko) | 전도성 고분자 조성물 및 이를 이용한 전도성 필름 | |
| JP2012158736A (ja) | 伝導性高分子組成物およびその製造方法 | |
| JP2009093872A (ja) | 導電性高分子溶液、導電性塗膜および入力デバイス | |
| JP2010061856A (ja) | 入力デバイス | |
| JP2009152045A (ja) | 導電性シートの製造方法および入力デバイス | |
| JP2010020559A (ja) | 入力デバイス | |
| JP5581084B2 (ja) | 透明導電体及びその製造方法、入力デバイス | |
| JP5072898B2 (ja) | 導電性高分子溶液、導電性塗膜および入力デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100209 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120223 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120403 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120731 |