JP2009167037A - ZnOウィスカー膜、ZnOウィスカー膜形成のためのシード層及びそれらの作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化亜鉛が析出する反応系でシード層を介して基板上に析出させたZnOウィスカー膜であって、基板表面上のシード層の上にZnOウィスカーが結晶成長した構造を有し、c軸方向に異方成長したZnOウィスカーが、基板に垂直及び/又は非垂直方向に直立して配向成長しており、シード層が、FE−SEM観察により、観察されない程度の薄さであり、多結晶ZnOシード層を有しないことからなるZnOウィスカー膜、基板上に無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層を形成し、これを酸化亜鉛が析出する所定の温度の反応系に浸漬してシード層のZnOナノ粒子又は単結晶の結晶層を形成するとともに、該ZnO結晶層の上にZnOウィスカーを結晶成長させることからなるZnOウィスカー膜の作製方法、及びその高導電性部材。
【選択図】図6
Description
(1)酸化亜鉛が析出する反応系でシード層を介して基板上に析出させたZnOウィスカー膜であって、基板表面上のシード層の上にZnOウィスカーが結晶成長した構造を有し、c軸方向に異方成長したZnOウィスカーが、基板に垂直及び/又は非垂直方向に直立して配向成長しており、シード層が、FE−SEM観察により、観察されない程度の薄さであり、多結晶ZnOシード層を有しないことを特徴とするZnOウィスカー膜。
(2)酸化亜鉛が析出する反応系が、硝酸亜鉛溶液又は酢酸亜鉛溶液である、前記(1)に記載のZnOウィスカー膜。
(3)基板が、FTO、ガラス、シリコン、金属、セラミックス、又はポリマーの基板である、前記(1)に記載のZnOウィスカー膜。
(4)基板が、平板状、粒子、繊維、又は複雑形状の形態を有する、前記(1)に記載のZnOウィスカー膜。
(5)シード層が、無水酢酸亜鉛シード層、ZnOナノ粒子シード層、又は単結晶ZnOシード層である、前記(1)に記載のZnOウィスカー膜。
(6)ZnOウィスカー膜を作製する方法であって、基板上に無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層を形成し、これを酸化亜鉛が析出する所定の温度の反応系に浸漬してシード層のZnOナノ粒子又は単結晶の結晶層を形成するとともに、該ZnO結晶層の上にZnOウィスカーを結晶成長させることを特徴とするZnOウィスカー膜の作製方法。
(7)基板上に酢酸亜鉛水和物又は硝酸亜鉛水和物の層を形成し、これを乾燥処理して、無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層を形成する、前記(6)に記載のZnOウィスカー膜の作製方法。
(8)反応系の温度が0〜99℃である、前記(6)に記載のZnOウィスカー膜の作製方法。
(9)基板が、FTO、ガラス、シリコン、金属、セラミックス、又はポリマーの基板である、前記(6)に記載のZnOウィスカー膜の作製方法。
(10)基板が、平板状、粒子、繊維、又は複雑形状の形態を有する、前記(6)に記載のZnOウィスカー膜の作製方法。
(11)反応系の温度、原料濃度、及び/又はpH条件、あるいはシード層の緻密化の程度を調整することにより、ZnOウィスカー膜の緻密の程度を調整する又はウィスカーの数密度を1−1000本/μm2に制御する、前記(6)に記載のZnOウィスカー膜の作製方法。
(12)前記(1)から(5)のいずれかに記載のZnOウィスカー膜からなるナノ構造体を構成要素として含むことを特徴とする高導電性部材。
(13)部材が、分子センサー、ガスセンサー、又は色素増感型太陽電池である、前記(12)の高導電性部材。
本発明は、非加熱処理によりシード層を合成することを最も主要な特徴とする。また、本発明は、シード層及びZnO結晶の異方成長を用いて、ZnOウィスカー状粒子からなるZnOウィスカー膜を溶液中において合成することを主要な特徴とする。ここで、ウィスカー状粒子(ひげ状粒子、針状粒子、棒状粒子、ロッド状粒子を含む。)とは、アスペクト比が2以上の異方性粒子を指す。アスペクト比とは、長さ/直径の比のことで、球状粒子や立方体粒子では1、針状粒子や棒状粒子やウィスカー状粒子では1以上となる。
(1)シード層を、亜鉛含有溶液の非高温加熱処理にて形成することができる。特に、シード層を、例えば、65℃という常温にて形成することができる。
(2)そのため、従来必要とされていた、350℃程度以上での高温加熱処理を必要としない。そのため、ポリマー基板等の低耐熱性基板上にZnOウィスカー膜を形成することができる。
(3)FTOコーティングガラス基板やITOコーティングガラス基板に代えて、導電膜コーティングポリマー等のポリマーフィルムを基板に用いた際、曲げられるフレキシブルデバイスの実現、軽量化、低コスト化、薄層化等を実現することができる。
(4)FTOやITO基板上にZnOウィスカー膜を形成する際、従来はシード層形成における高温加熱処理によりFTO層あるいはITO層の抵抗増加が引き起こされていたが、これらの抵抗増加を回避することができる。
(5)シード層及びZnO結晶の異方成長を用いて、ZnOウィスカー膜を水溶液中において合成することができる。
(6)気相プロセスを用いていないため、簡便な装置で、低コストにて、平板及び複雑形状等の固体表面にウィスカー膜を作製することができる。
(7)水熱処理や高温・長時間のZnO結晶化処理を経ることなく、ウィスカー膜を得ることができる。
(8)ウィスカー膜は、高い比表面積、高い導電率、ウィスカー間空間制御性を両立させることのできるナノ構造体であり、分子センサー、ガスセンサー、色素増感型太陽電池等において、高い特性を発現できるものと期待される。
シード層の作製及び該シード層を用いたZnOウィスカー膜の形成の概要を図1に示す。酢酸亜鉛(zinc acetate dihydrate(Zn(CH3COO)2・2H2O,99%))を無水エタノール中に溶解した。この時の酢酸亜鉛濃度は、0.01M(mol/L)であった。
硝酸亜鉛(zinc nitrate hexahydrate(Zn(NO3)2・6H2O,99%))0.1M、ヘキサメチレンテトラアミン(hexamethylenetetramine(HMT,C6H12N4,99%))0.1M、0.02Mのポリエチレンイミン(polyethylenimine(PEI,(C2H5N)n,branched mean molecular weight of 600,99%))の混合水溶液を、200ml調製した。
2)酢酸亜鉛(Zinc acetate dihydrate)シード層。
3)酢酸亜鉛水溶液コーティング層の65℃30分間乾燥処理により作製した無水酢酸亜鉛(anhydrous zinc acetate)と酢酸亜鉛(zinc acetate dihydrate)の混合シード層。
Claims (13)
- 酸化亜鉛が析出する反応系でシード層を介して基板上に析出させたZnOウィスカー膜であって、基板表面上のシード層の上にZnOウィスカーが結晶成長した構造を有し、c軸方向に異方成長したZnOウィスカーが、基板に垂直及び/又は非垂直方向に直立して配向成長しており、シード層が、FE−SEM観察により、観察されない程度の薄さであり、多結晶ZnOシード層を有しないことを特徴とするZnOウィスカー膜。
- 酸化亜鉛が析出する反応系が、硝酸亜鉛溶液又は酢酸亜鉛溶液である、請求項1に記載のZnOウィスカー膜。
- 基板が、FTO、ガラス、シリコン、金属、セラミックス、又はポリマーの基板である、請求項1に記載のZnOウィスカー膜。
- 基板が、平板状、粒子、繊維、又は複雑形状の形態を有する、請求項1に記載のZnOウィスカー膜。
- シード層が、無水酢酸亜鉛シード層、ZnOナノ粒子シード層、又は単結晶ZnOシード層である、請求項1に記載のZnOウィスカー膜。
- ZnOウィスカー膜を作製する方法であって、基板上に無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層を形成し、これを酸化亜鉛が析出する所定の温度の反応系に浸漬してシード層のZnOナノ粒子又は単結晶の結晶層を形成するとともに、該ZnO結晶層の上にZnOウィスカーを結晶成長させることを特徴とするZnOウィスカー膜の作製方法。
- 基板上に酢酸亜鉛水和物又は硝酸亜鉛水和物の層を形成し、これを乾燥処理して、無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層を形成する、請求項6に記載のZnOウィスカー膜の作製方法。
- 反応系の温度が0〜99℃である、請求項6に記載のZnOウィスカー膜の作製方法。
- 基板が、FTO、ガラス、シリコン、金属、セラミックス、又はポリマーの基板である、請求項6に記載のZnOウィスカー膜の作製方法。
- 基板が、平板状、粒子、繊維、又は複雑形状の形態を有する、請求項6に記載のZnOウィスカー膜の作製方法。
- 反応系の温度、原料濃度、及び/又はpH条件、あるいはシード層の緻密化の程度を調整することにより、ZnOウィスカー膜の緻密の程度を調整する又はウィスカーの数密度を1−1000本/μm2に制御する、請求項6に記載のZnOウィスカー膜の作製方法。
- 請求項1から5のいずれかに記載のZnOウィスカー膜からなるナノ構造体を構成要素として含むことを特徴とする高導電性部材。
- 部材が、分子センサー、ガスセンサー、又は色素増感型太陽電池である、請求項12の高導電性部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008005050A JP5136982B2 (ja) | 2008-01-11 | 2008-01-11 | ZnOウィスカー膜、ZnOウィスカー膜形成のためのシード層及びそれらの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009167037A true JP2009167037A (ja) | 2009-07-30 |
JP5136982B2 JP5136982B2 (ja) | 2013-02-06 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008005050A Expired - Fee Related JP5136982B2 (ja) | 2008-01-11 | 2008-01-11 | ZnOウィスカー膜、ZnOウィスカー膜形成のためのシード層及びそれらの作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5136982B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011013477A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 酸化亜鉛ロッド状結晶のツイン連結構造体、ツイン連結構造膜、及びツイン連結構造膜の製造方法 |
JP2011111346A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | Zn(OH)2ナノシートとZnOナノウィスカー膜によるハイブリッドフィルム、ZnOナノシートとZnOナノウィスカー膜によるハイブリッドフィルム、およびそれらの作製方法 |
JP2011151135A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Kyocera Corp | 光電変換モジュール |
KR101769950B1 (ko) | 2015-11-03 | 2017-08-21 | 울산과학기술원 | 방탄용 케블라 섬유용 코팅 방법 |
WO2017163494A1 (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | 日本碍子株式会社 | 酸化亜鉛膜の製造方法 |
JP2018065728A (ja) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | 株式会社豊田中央研究所 | 撥水材およびその製造方法 |
CN110137477A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-08-16 | 常州优特科新能源科技有限公司 | 一种锌镍电池负极材料及其制备方法 |
JP2020088281A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | Tdk株式会社 | 圧電薄膜素子 |
CN111871220A (zh) * | 2018-10-10 | 2020-11-03 | 邱海兵 | 一种水处理用无机反渗透膜材料 |
CN113292095A (zh) * | 2020-02-24 | 2021-08-24 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 表面修饰的氧化锌薄膜、有机太阳能电池及其制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002356400A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-12-13 | Canon Inc | 酸化亜鉛の針状構造体の製造方法及びそれを用いた電池、光電変換装置 |
JP2004149367A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Japan Science & Technology Agency | 酸化亜鉛粒子又は膜製造用水溶液及び酸化亜鉛粒子又は膜の製造方法 |
WO2006129733A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Kyocera Corporation | 針状結晶の配列体を含む複合体およびその製造方法、ならびに光電変換素子、発光素子およびキャパシタ |
JP2008230895A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ZnOウィスカー、ZnOウィスカー膜及びそれらの作製方法 |
JP2008297168A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ZnOウィスカー膜及びその作製方法 |
JP2009096656A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ZnOロッドアレイ及びその作製方法 |
JP2009167038A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ZnOシード層、ZnOウィスカーパターン及びそれらの作製方法 |
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2008
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002356400A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-12-13 | Canon Inc | 酸化亜鉛の針状構造体の製造方法及びそれを用いた電池、光電変換装置 |
JP2004149367A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Japan Science & Technology Agency | 酸化亜鉛粒子又は膜製造用水溶液及び酸化亜鉛粒子又は膜の製造方法 |
WO2006129733A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Kyocera Corporation | 針状結晶の配列体を含む複合体およびその製造方法、ならびに光電変換素子、発光素子およびキャパシタ |
WO2006129650A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Kyocera Corporation | 針状結晶の配列体を含む複合体およびその製造方法、ならびに光電変換素子、発光素子およびキャパシタ |
JP2008230895A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ZnOウィスカー、ZnOウィスカー膜及びそれらの作製方法 |
JP2008297168A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ZnOウィスカー膜及びその作製方法 |
JP2009096656A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ZnOロッドアレイ及びその作製方法 |
JP2009167038A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ZnOシード層、ZnOウィスカーパターン及びそれらの作製方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5669048B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2015-02-12 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 酸化亜鉛ロッド状結晶のツイン連結構造体、ツイン連結構造膜、及びツイン連結構造膜の製造方法 |
WO2011013477A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 酸化亜鉛ロッド状結晶のツイン連結構造体、ツイン連結構造膜、及びツイン連結構造膜の製造方法 |
JP2011111346A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | Zn(OH)2ナノシートとZnOナノウィスカー膜によるハイブリッドフィルム、ZnOナノシートとZnOナノウィスカー膜によるハイブリッドフィルム、およびそれらの作製方法 |
JP2011151135A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Kyocera Corp | 光電変換モジュール |
KR101769950B1 (ko) | 2015-11-03 | 2017-08-21 | 울산과학기술원 | 방탄용 케블라 섬유용 코팅 방법 |
JPWO2017163494A1 (ja) * | 2016-03-24 | 2019-01-24 | 日本碍子株式会社 | 酸化亜鉛膜の製造方法 |
WO2017163494A1 (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | 日本碍子株式会社 | 酸化亜鉛膜の製造方法 |
JP2018065728A (ja) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | 株式会社豊田中央研究所 | 撥水材およびその製造方法 |
CN111871220A (zh) * | 2018-10-10 | 2020-11-03 | 邱海兵 | 一种水处理用无机反渗透膜材料 |
CN111871220B (zh) * | 2018-10-10 | 2022-09-30 | 邱海兵 | 一种水处理用无机反渗透膜材料 |
JP2020088281A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | Tdk株式会社 | 圧電薄膜素子 |
JP7115257B2 (ja) | 2018-11-29 | 2022-08-09 | Tdk株式会社 | 圧電薄膜素子 |
CN110137477A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-08-16 | 常州优特科新能源科技有限公司 | 一种锌镍电池负极材料及其制备方法 |
CN110137477B (zh) * | 2019-05-29 | 2021-10-29 | 常州优特科新能源科技有限公司 | 一种锌镍电池负极材料及其制备方法 |
CN113292095A (zh) * | 2020-02-24 | 2021-08-24 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 表面修饰的氧化锌薄膜、有机太阳能电池及其制备方法 |
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Publication number | Publication date |
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