JP2009159039A - 弾性境界波デバイス、及びそれを用いたフィルタ、アンテナ共用器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、圧電材料からなる第1の媒質101と、第1の媒質101の上面に設けられた櫛型電極102と、櫛型電極102を覆う第2の媒質104とを備えた弾性境界波デバイスであって、櫛型電極102は、バスバー電極領域105とダミー電極領域106と交差領域107とを含む構成であって、少なくともバスバー電極領域105またはダミー電極領域106のいずれかの上部において、第2の媒質104が非形成状態である構成としたものである。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1における弾性境界波デバイスの構成を示す図である。図1において、(a)は弾性境界波デバイスの構成図、(b)はA−A’の断面図である。第1の媒質101上にAlを主成分とする金属からなる櫛型電極102と反射器電極103が形成され、その上に、SiO2からなる第2の媒質104が形成されている。櫛型電極102は、バスバー電極領域105とダミー電極領域106、交差領域107とを含む構成である。ここで、ダミー電極領域106とは、櫛型電極102におけるダミー電極の長さの領域を示し、交差領域107とは、櫛型電極102の交差する長さの領域を示す。さらに、櫛型電極102のバスバー電極領域105の上部は第2の媒質104が取り除かれた構成なっている。
図4は、本発明の実施の形態2における弾性境界波デバイスの構成を示す図である。図4において、(a)は弾性境界波デバイスの上面図、(b)は(a)のD−D’の断面図である。第1の媒質101上にAlを主成分とする金属からなる櫛型電極102と反射器電極103が形成され、その上に、SiO2からなる第2の媒質104が形成されている。櫛型電極102は、バスバー電極領域105とダミー電極領域106、交差領域107とを含む構成である。ここで、ダミー電極領域106とは、櫛型電極102におけるダミー電極の長さの領域を示し、交差領域107とは、櫛型電極の交差する長さの領域を示す。さらに、櫛型電極102のバスバー電極領域105の上部はSiO2からなる第2の媒質104が取り除かれている。実施の形態1の弾性境界波デバイスと異なるのは、前記SiO2からなる第2の媒質104の上部を第3の媒質108で覆った構成である点である。この際、第3の媒質108を構成する材料として、本実施の形態においてはSiO2からなる第2の媒質104における横波の音速よりも速いSiNを用いている。このような構成にすることにより第1の媒質101と第2の媒質104の境界にて伝搬される弾性境界波の閉じ込め性が向上し、より挿入損失の小さい弾性境界波デバイスを得ることができる。
図5は、本発明の実施の形態3における弾性境界波デバイスの構成を示す図である。図5において、(a)は弾性境界波デバイスの構成図、(b)は(a)のE−E’の断面図である。第1の媒質101上にAlを主成分とする金属からなる櫛型電極102と反射器電極103が形成され、その上に、SiO2からなる第2の媒質104が形成され、更に第2の媒質104の上部にはSiNからなる第3の媒質108が形成されている。櫛型電極102は、バスバー電極領域105とダミー電極領域106、交差領域107とを含む構成である。ここで、ダミー電極領域106とは、櫛型電極102におけるダミー電極の長さの領域を示し、交差領域107とは、櫛型電極の交差する長さの領域を示す。さらに、櫛型電極102のバスバー電極領域105の上部は第2の媒質104が取り除かれ非形成状態とされている。実施の形態2の弾性境界波デバイスと異なるのは、バスバー電極領域105の上部において、第2の媒質104が非形成状態である部分を第2の媒質における横波の音速よりも、横波の音速が速い第4の媒質109で覆った構成である点である。
図6は、本発明の実施の形態4における弾性境界波デバイスの構成を示す図である。図6において、(a)は弾性境界波デバイスの構成図、(b)は(a)のF−F’の断面図である。第1の媒質701上にAlを主成分とする材料からなる櫛型電極702と反射器電極703が形成され、その上に、SiO2からなる第2の媒質704が形成される構成である。櫛型電極702は、バスバー電極領域705とダミー電極領域706、交差領域707とを含む構成であり、正規型の櫛型電極構成である。ここで、ダミー電極領域706とは、櫛型電極702におけるダミー電極の最小長さの領域を示し、交差領域707とは、櫛型電極の交差する最大長さの領域を示す。また、ダミー電極領域705はメタライズされたダミー電極重み付けを含む構成であって、中心部から外側に向かってメタライズされてダミー電極の長さが徐々に短くなっている構成である。さらに、櫛型電極702のバスバー電極領域705、ダミー電極領域706の上部において、第2の媒質704が非形成状態である構成となっている。
図7は、本発明の実施の形態5における弾性境界波デバイスの構成を示す図である。図7において、1101、1102、1103、1104は直列腕の弾性境界波デバイスであり、1105、1106は並列腕の弾性境界波デバイスである。ここで、弾性境界波デバイス1101、1102、1103、1104、1105、1106は、実施の形態1、実施の形態2、実施の形態3、実施の形態4で示した何れかの弾性境界波デバイスを用いて構成される。以上の構成により、優れた特性を有するラダー型の弾性境界波フィルタを実現することができる。
102 櫛型電極
103 反射器電極
104 第2の媒質
105 バスバー電極領域
106 ダミー電極領域
107 交差領域
108 第3の媒質
109 第4の媒質
701 第1の媒質
702 櫛型電極
703 反射器電極
704 第2の媒質
705 バスバー電極領域
706 ダミー電極領域
707 交差領域
1101 弾性境界波デバイス
1102 弾性境界波デバイス
1103 弾性境界波デバイス
1104 弾性境界波デバイス
1105 弾性境界波デバイス
1106 弾性境界波デバイス
1201 第1の媒質
1202 櫛型電極
1203 反射器電極
1204 第2の媒質
Claims (12)
- 圧電材料からなる第1の媒質と、前記第1の媒質の上面に設けられた櫛型電極と、前記櫛型電極を覆う第2の媒質とを備えた弾性境界波デバイスであって、
前記櫛型電極は、バスバー電極領域とダミー電極領域と交差領域とを含む構成であって、
少なくとも前記バスバー電極領域または前記ダミー電極領域のいずれかの上部において、第2の媒質が非形成状態である弾性境界波デバイス。 - 前記第1の媒質がニオブ酸リチウム基板である請求項1に記載の弾性境界波デバイス。
- 前記ニオブ酸リチウム基板が−30〜+30度回転Y板である請求項2に記載の弾性境界波デバイス。
- 前記第2の媒質がSiO2からなる請求項1から請求項3のいずれかに記載の弾性境界波デバイス。
- 前記第2の媒質の上部に第3の媒質を備えた請求項1から請求項4のいずれかに記載の弾性境界波デバイス。
- 前記第3の媒質が、前記第2の媒質における横波の音速よりも速い横波の音速を有する請求項5に記載の弾性境界波デバイス。
- 前記バスバー電極領域または前記ダミー電極領域のいずれかの上部において、第2の媒質が非形成状態である領域の少なくとも一部を覆う第4の媒質を備えた請求項1から請求項6のいずれかに記載の弾性境界波デバイス。
- 前記第3の媒質と前記第4の媒質とは同一の媒質とした請求項7に記載の弾性境界波デバイス。
- 前記ダミー電極領域は、メタライズされたダミー電極重み付けを含む構成である請求項1から8のいずれかに記載の弾性境界波デバイス。
- 前記櫛型電極は、正規型の櫛型電極構成である請求項9に記載の弾性境界波デバイス。
- 複数の共振器を有するフィルタであって、
前記共振器の少なくとも1つが請求項1から10のいずれかに記載の弾性境界波デバイスであるフィルタ。 - 送信フィルタと受信フィルタとを有するアンテナ共用器であって、
前記送信フィルタ及び/又は受信フィルタとして、
請求項11に記載のフィルタを用いたアンテナ共用器。
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