JP2009152408A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009152408A JP2009152408A JP2007329245A JP2007329245A JP2009152408A JP 2009152408 A JP2009152408 A JP 2009152408A JP 2007329245 A JP2007329245 A JP 2007329245A JP 2007329245 A JP2007329245 A JP 2007329245A JP 2009152408 A JP2009152408 A JP 2009152408A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating resin
- electrode
- semiconductor element
- semiconductor device
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】小型で、マウントが容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】第1の面に形成された第1電極11と、第1の面と反対の第2の面に形成された第2電極12とを有する半導体素子13と、第1および第2電極11、12の外周部を含む半導体素子13の周りを覆う絶縁性樹脂14と、第1電極11と対向する絶縁性樹脂14の第1の面から第1電極11に至る第1貫通孔15を埋め込んで、絶縁性樹脂14の第1の面に形成された第1接続導体16と、第2電極12と対向する絶縁性樹脂14の第2の面から第2電極12に至る第2貫通孔17を埋め込んで、絶縁性樹脂14の第2の面に形成された第2接続導体18と、を具備している。
【選択図】図1
【解決手段】第1の面に形成された第1電極11と、第1の面と反対の第2の面に形成された第2電極12とを有する半導体素子13と、第1および第2電極11、12の外周部を含む半導体素子13の周りを覆う絶縁性樹脂14と、第1電極11と対向する絶縁性樹脂14の第1の面から第1電極11に至る第1貫通孔15を埋め込んで、絶縁性樹脂14の第1の面に形成された第1接続導体16と、第2電極12と対向する絶縁性樹脂14の第2の面から第2電極12に至る第2貫通孔17を埋め込んで、絶縁性樹脂14の第2の面に形成された第2接続導体18と、を具備している。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
近年、電子機器の小型化、および実装技術の進展に合わせて、半導体装置の更なる小型化、高性能化が求められている。
従来の半導体装置は、半導体素子と半導体素子を保護するためのパッケージとを有し、電極材フレームにマウント、ワイヤボンディングされた半導体素子を樹脂でモールドしていた。
従来の半導体装置は、半導体素子と半導体素子を保護するためのパッケージとを有し、電極材フレームにマウント、ワイヤボンディングされた半導体素子を樹脂でモールドしていた。
そのため、半導体装置のサイズは、半導体素子のサイズだけでなく、電極材フレームのサイズおよびワイヤの高さなどにも律速されるので、半導体装置の小型化が困難になる問題がある。
更に、ホンディングワイヤーと電極材フレームのインダクタンス成分により、電圧印加(電流印加)時の過渡特性がクランピングして安定化するまでに時間を要するという問題があり、高周波用の半導体装置、例えば高周波用ダイオードでは周波数特性が悪化する問題がある。
これに対して、パワー半導体素子では、ワイヤを用いずに、半導体素子の電極をパッケージ側に設けた電極板に面接触させて引き出すようにした平型半導体装置が知られている(例えば特許文献1参照。)。
特許文献1に開示された半導体装置は、両面に主電極が形成された半導体素子と、主電極上に形成された中間電極板と、半導体素子の表面のうち中間電極板と対向しない外周部と中間電極板の側面を覆う絶縁性樹脂と、間に中間電極板を介して半導体素子を実装する一対の主電極板とを具備している。
然しながら、特許文献1に開示された半導体装置は、パワー半導体素子のように比較的サイズの大きい半導体素子を実装するものであり、サイズの小さい半導体素子の実装は難しいという問題がある。特に小信号用のダイオードについては何ら開示していない。
特開2000−58717号公報
本発明は、小型で、マウントが容易な半導体装置およびその製造方法を提供する。
本発明の一態様の半導体装置は、第1の面に形成された第1電極と、前記第1の面と反対の第2の面に形成された第2電極とを有する半導体素子と、前記第1および第2電極の外周部を含む前記半導体素子の周りを覆う絶縁性樹脂と、前記第1電極と対向する前記絶縁性樹脂の第1の面から前記第1電極に至る第1貫通孔を埋め込んで、前記絶縁性樹脂の前記第1の面に形成された第1接続導体と、前記第2電極と対向する前記絶縁性樹脂の第2の面から前記第2電極に至る第2貫通孔を埋め込んで、前記絶縁性樹脂の前記第2の面に形成された第2接続導体と、を具備することを特徴としている。
本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、半導体素子が形成された半導体ウェーハの第1の面に前記半導体素子に接続された第1電極を形成し、前記第1の面と反対の第2の面に前記半導体素子に接続された第2電極を形成する工程と、前記第1電極の外周部を含む前記半導体ウェーハの前記第1の面に、第1絶縁性樹脂を形成する工程と、前記半導体ウェーハの前記第2の面側から前記半導体ウェーハをダイシングし、前記第1絶縁性樹脂に至る溝を形成する工程と、前記溝を埋め込んで、前記第2電極の外周部を含む前記半導体ウェーハの前記第2の面に、第2絶縁性樹脂を形成する工程と、前記第1絶縁性樹脂から前記第1電極に至る第1貫通孔と、前記第2絶縁性樹脂から前記第2電極に至る第2貫通孔とを形成する工程と、前記第1貫通孔を埋め込んで、前記第1絶縁性樹脂上に第1接続導体を形成し、前記第2貫通孔を埋め込んで、前記第2絶縁性樹脂上に第2接続導体を形成する工程と、前記埋め込まれた溝に沿って、前記第1および第2絶縁性樹脂をダイシングする工程と、を具備することを特徴としている。
本発明によれば、小型で、マウントが容易な半導体装置およびその製造方法が得られる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
本発明の実施例1に係る半導体装置について、図1乃至図5を用いて説明する。図1は半導体装置を示す断面図、図2は半導体装置が基板に実装された状態を示す断面図、図3乃至図5は半導体装置の製造工程を順に示す断面図である。
図1に示すように、本実施例の半導体装置10は、第1の面13aに形成された第1電極11と、第1の面13aと反対の第2の面13bに形成された第2電極12とを有する半導体素子13と、第1および第2電極11、12の外周部を含む半導体素子13の周りを覆う絶縁性樹脂14と、第1電極11と対向する絶縁性樹脂14の第1の面14aから第1電極11に至る第1貫通孔15を埋め込んで、絶縁性樹脂14の第1の面14aに形成された第1接続導体16と、第2電極12と対向する絶縁性樹脂14の第2の面14bから第2電極12に至る第2貫通孔17を埋め込んで、絶縁性樹脂14の第2の面14bに形成された第2接続導体18と、を具備している。
半導体装置10は、所謂チップダイオードである。半導体素子13は、例えばシリコン基板に形成された第1導電型の第1半導体層と、第1半導体層上に形成された第2導電型の第2半導体層とを有している。
第1半導体層は、例えばP型半導体層であり、第2半導体層はP型半導体層よりキャリア濃度の高いN+型半導体層である。第1および第2半導体層により、シリコン基板にPN接合を有するダイオードが形成されている。
第1半導体層は、例えばP型半導体層であり、第2半導体層はP型半導体層よりキャリア濃度の高いN+型半導体層である。第1および第2半導体層により、シリコン基板にPN接合を有するダイオードが形成されている。
第1電極11は、例えば半導体素子13の第1の面13aの全面に形成されている。第2電極12は、例えばパターニングされて、半導体素子13の第2の面13bに外周部を除いて形成されている。
絶縁性樹脂14は、例えばエポキシ樹脂で、第1電極11の外周部を含む半導体素子13の第1の面13aを覆う第1絶縁性樹脂19と、第2電極12の外周部を含む半導体素子13の第2の面13bおよび半導体素子13の側面13cを覆う第2絶縁性樹脂20とで構成されている。
第1貫通孔15は、第1電極11側から第1接続導体16側に向かって末広がり状に形成されている。同様に、第2貫通孔17は、第2電極12側から第2接続導体18側に向かって末広がり状に形成されている。第1および第2貫通孔15、17は、所謂コンタクトホールである。
第1接続導体16は、第1貫通孔15を埋め込んで第1絶縁性樹脂19の表面14aに形成された第1金属膜21と、第1金属膜21の表面および4側面を含む5面に形成された第2金属膜22とで構成されている。
同様に、第2接続導体18は、第2貫通孔17を埋め込んで第2絶縁性樹脂20の表面14bに形成された第1金属膜23と、第1金属膜23の表面および4側面を含む5面に形成された第2金属膜24とで構成されている。
同様に、第2接続導体18は、第2貫通孔17を埋め込んで第2絶縁性樹脂20の表面14bに形成された第1金属膜23と、第1金属膜23の表面および4側面を含む5面に形成された第2金属膜24とで構成されている。
第1金属膜21、23は、第1および第2電極11、12を外部に導出する配線であり、例えば電界メッキ法により形成された銅(Cu)膜で、ある。
第2金属膜22、24は銅の酸化を防止し、導電材を介して基板に実装するための外装膜であり、例えば電界メッキ法により形成されたニッケル錫(Ni/Sn)膜である。
第1金属膜21、23は、第2金属膜22、24より十分厚く、例えば80μm程度に形成されており、第1および第2接続導体16、18の主要部を構成している。
第2金属膜22、24は銅の酸化を防止し、導電材を介して基板に実装するための外装膜であり、例えば電界メッキ法により形成されたニッケル錫(Ni/Sn)膜である。
第1金属膜21、23は、第2金属膜22、24より十分厚く、例えば80μm程度に形成されており、第1および第2接続導体16、18の主要部を構成している。
半導体装置10は、第1および第2電極11、12の外周部を含む半導体素子13の周りを覆う絶縁性樹脂14が半導体素子13を外部から保護するためのパッケージとして機能し、更に絶縁性樹脂14の第1および第2の面14a、14bが半導体素子13を外部に接続するための電極形成面として機能している。
これにより、半導体基素子13を載置するための基板と、第1および第2電極11、12を外部に接続するためのボンディングワイヤが不要であり、半導体装置10を小型化することが可能である。
図2は、半導体装置10が、プリント基板(PWB:Printed Wiring Board)に実装された状態を示す断面図である。
図2に示すように、半導体装置10は、チップ部品、例えばチップコンデンサ、チップ抵抗などと同様に、半導体素子13の側面13aがプリント基板30と並行するように配置されて実装されている。
図2に示すように、半導体装置10は、チップ部品、例えばチップコンデンサ、チップ抵抗などと同様に、半導体素子13の側面13aがプリント基板30と並行するように配置されて実装されている。
プリント基板30は、絶縁性の基板31上に形成された配線32a、32bと、離間して対向する配線32a、32bの一端に形成されたバンプ33a、33bと、を具備している。
バンプ33aに、ハンダ34aを介して第1接続導体16の側面16aが接続されている。同様に、バンプ33bに、ハンダ34bを介して第2接続導体18の側面18aが接続されている。
バンプ33aに、ハンダ34aを介して第1接続導体16の側面16aが接続されている。同様に、バンプ33bに、ハンダ34bを介して第2接続導体18の側面18aが接続されている。
第1接続導体16および第2接続導体18は、表面と4側面の5面を有しているので、どの側面を用いてもプリント基板30に確実に実装することができるので、マウントが容易である。
次に、半導体装置10の製造方法について、図3乃至図5を用いて説明する。図3乃至図5は、半導体装置10の製造工程を順に示す断面図である。
始めに、図3(a)に示すように、周知の方法により、半導体ウェーハ40の第2の面に、例えばP型不純物、例えば硼素イオン(B+)を注入した後、熱処理を施し、厚さ30μm程度の深いP型拡散である第1半導体層(図示せず)を形成する。
次に、半導体ウェーハ40にN型不純物、例えば燐イオン(P+)を注入した後、短時間の熱処理を施し、厚さ1μm程度の浅いN+型拡散層である第2半導体層(図示せず)を形成する。
次に、半導体ウェーハ40にN型不純物、例えば燐イオン(P+)を注入した後、短時間の熱処理を施し、厚さ1μm程度の浅いN+型拡散層である第2半導体層(図示せず)を形成する。
次に、半導体ウェーハ40の第1の面に第1電極11を形成し、第2の面に第2電極12を形成する。第1および第2電極11、12は、後述するレーザ加工の観点から、レーザ光に対して反射率の高い金属、例えば銅、金、アルミニウムなどが適している。
次に、図3(b)に示すように、第1電極11を含む半導体ウェーハ40の第1の面に液状樹脂を塗布して熱硬化させることにより、絶縁性樹脂41を形成する。絶縁性樹脂41は、最終的に第1絶縁性樹脂19となる。
次に、図3(c)に示すように、ブレード42を用いて、第2の面側から半導体ウェーハ40を格子状にダイシングし、絶縁性樹脂41に至る格子状の溝43を形成する。
これにより、半導体ウェーハ40は個片化され、半導体素子13が得られる。半導体素子13は、絶縁性樹脂41上に格子状に配列されている。
これにより、半導体ウェーハ40は個片化され、半導体素子13が得られる。半導体素子13は、絶縁性樹脂41上に格子状に配列されている。
次に、図4(a)に示すように、絶縁性樹脂41上に溝43を埋め込み、半導体素子13を覆うように液状樹脂を塗布して熱硬化させることにより、絶縁性樹脂44を形成する。絶縁性樹脂44は、最終的に第2絶縁性樹脂20となる。
次に、図4(b)に示すように、例えば両面研削盤を用いて、絶縁性樹脂41、44を研削し、所定の厚さに整形する。
次に、図4(c)に示すように、レーザ加工機を用いて、絶縁性樹脂41の半導体素子13と対向する位置にレーザ光45を照射し、第1電極11に至る第1貫通孔15を形成する。同様に、絶縁性樹脂44の半導体素子13と対向する位置にレーザ光45を照射し、第2電極12に至る第2貫通孔17を形成する。
レーザ光45が照射された絶縁性樹脂41、44はレーザ光を吸収して熱せられ、表面から順次溶融して飛散するので、第1電極11側から絶縁性樹脂41側に向かって末広がり状の第1貫通孔15および第2電極12側から絶縁性樹脂44側に向かって末広がり状の第2貫通孔17が得られる。
第1および第2電極膜11、12はレーザ光45に対して高い反射率を有しているので、半導体素子13にレーザ光45が照射され、半導体素子13が破壊されるのを防止するストッパーとして機能している。
次に、第1および第2電極11、12上の絶縁性樹脂の残渣(図示せず)を、例えば薬液にて膨潤させて除去するデスミア処理を施し、第1および第2電極11、12、絶縁性樹脂41、44の全周に無電界メッキ法によりシードとなる銅膜(図示せず)を形成する。
次に、図5(a)に示すように、フォトリソグラフィ法により、隣り合う半導体素子13の中間、即ちダイシングラインに対応する位置の絶縁性樹脂41上に、例えば厚さ100μm程度の格子状のレジスト膜46を形成する。
同様に、レジスト膜46と対向する位置の絶縁性樹脂44上に、例えば厚さ100μm程度の格子状のレジスト膜47を形成する。
同様に、レジスト膜46と対向する位置の絶縁性樹脂44上に、例えば厚さ100μm程度の格子状のレジスト膜47を形成する。
次に、図5(b)に示すように、レジスト膜46、47をマスクとし、無電界メッキ法により形成した銅膜をシードとして、電界メッキ法により、例えば厚さ80μm程度の銅膜を形成する。
これにより、第1貫通孔15を埋め込んで、絶縁性樹脂41の表面に第1金属膜21が形成される。同様に、第2貫通孔17を埋め込んで、絶縁性樹脂44の表面に第1金属膜23が形成される。
これにより、第1貫通孔15を埋め込んで、絶縁性樹脂41の表面に第1金属膜21が形成される。同様に、第2貫通孔17を埋め込んで、絶縁性樹脂44の表面に第1金属膜23が形成される。
次に、図5(c)に示すように、レジスト膜46、47を除去した後、例えば絶縁性樹脂41側を粘着シート48に貼り付け、ブレード49を用いて絶縁性樹脂44側から、絶縁性樹脂44および絶縁性樹脂41を格子状にダイシングする。
これにより、第1電極11の外周部を含む半導体素子13の第1の面13aが第1絶縁性樹脂19で覆われ、第2電極12の外周部を含む半導体素子13の第2の面13bおよび半導体素子13の側面13cが第2絶縁性樹脂20で覆われ、第1および第2電極11、12の外周部を含む半導体素子13の周りを覆う絶縁性樹脂14が形成される。
次に、粘着シート48を剥した後、第1金属膜21の表面と4側面とを含む5面全体および第1金属膜23の表面と4側面とを含む5面全体に、例えばバレルメッキ法によりニッケル錫(Ni/Sn)膜を20〜30μm程度形成する。
これにより、第1接続導体16の第2金属膜22と、第2接続導体18の第2金属膜24が形成される。
これにより、第1接続導体16の第2金属膜22と、第2接続導体18の第2金属膜24が形成される。
バレルメッキとは、ガラメッキとも呼ばれ、多量の品物をバレル(樽)の中に入れ、回転させながら電界メッキする方法である。Ni/Sn膜は第1金属膜21、23上に形成されるが、絶縁性樹脂14上には形成されない。
これにより、絶縁性樹脂14が、半導体素子13を外部から保護するためのパッケージ、および外部に接続するための電極形成面として機能する半導体装置10が完成する。
半導体素子13を載置する基板および外部へ接続するためのボンディングワイヤが不要なので、半導体装置10のサイズは目的に応じて自由に定めることができる。例えばサイズが、0.6×0.3×0.3mm程度から0.4×0.2×0.2mm程度の小型の半導体装置10が得られる。
更に、ボンディングワイヤ等による不要なインダクタンス成分が減少するので、半導体素子13の特性への影響を抑制することができる。
以上説明したように、本実施の半導体装置10は、絶縁性樹脂14が、半導体素子13を外部から保護するためのパッケージおよび外部に接続するための電極形成面として機能している。
その結果、半導体素子13を載置する基板および外部に接続するためのボンディングワイヤが不要になる。従って、小型で、マウントが容易な半導体装置が得られる。
その結果、半導体素子13を載置する基板および外部に接続するためのボンディングワイヤが不要になる。従って、小型で、マウントが容易な半導体装置が得られる。
ここでは、半導体素子13がPN接合ダイオードである場合について説明したが、その他のスイッチング用のダイオード、例えばPIN接合ダイオード、ショットキー障壁ダイオード(SBD)などでも構わない。
第1および第2貫通孔15、17が、それぞれ第1および第2電極11、12側から第1および第2接続導体16、18側に向かって末広がり状である場合について説明したが、第1および第2貫通孔15、17が第1金属21、23で埋め込まれていれば、ストレート状の貫通孔であっても構わない。
第1および第2貫通孔15、17に第1金属膜21、23を埋め込んでビアとした場合について説明したが、第1および第2貫通孔15、17の内壁に第1金属膜21、23を形成してスルーホールとすることも可能である。
第1電極11が、半導体素子13の第1の面13aの全面に形成されている場合について説明したが、第2電極12と同様に、パターニングされて、半導体素子13の第1の面13aに外周部を除いて形成されていても構わない。
本発明の実施例2に係る半導体装置について、図6およびz@7を用いて説明する。図6は半導体装置を示す断面図、図7は半導体装置の製造工程の要部を順に示す断面図である。
本実施例において、上記実施例1と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
本実施例が実施例1と異なる点は、第1および第2接続導体が、絶縁性樹脂の表面から側面に架けて形成されていることにある。
本実施例において、上記実施例1と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
本実施例が実施例1と異なる点は、第1および第2接続導体が、絶縁性樹脂の表面から側面に架けて形成されていることにある。
即ち、図6に示すように、本実施例の半導体装置60は、第1および第2電極11、12の外周部を含む半導体素子13の周りを覆う絶縁性樹脂61を具備している。
絶縁性樹脂61は、第1電極11の外周部を含む半導体素子13の第1の面13aを覆うとともに、側面に切り欠き部64aを有する第1絶縁性樹脂64と、第2電極12の外周部を含む半導体素子13の第2の面13bおよび半導体素子13の側面13cを覆うとともに、側面に切り欠き部65aを有する第2絶縁性樹脂65とで構成されている。
絶縁性樹脂61は、第1電極11の外周部を含む半導体素子13の第1の面13aを覆うとともに、側面に切り欠き部64aを有する第1絶縁性樹脂64と、第2電極12の外周部を含む半導体素子13の第2の面13bおよび半導体素子13の側面13cを覆うとともに、側面に切り欠き部65aを有する第2絶縁性樹脂65とで構成されている。
更に、第1電極11と対向する第1絶縁性樹脂64の第1の面から第1電極11に至る第1貫通孔15を埋め込んで、第1絶縁性樹脂64の第1の面および切り欠き部64aの側面に形成された第1接続導体62と、第2電極12と対向する第2絶縁性樹脂65の第2の面から第2電極12に至る第2貫通孔17を埋め込んで、第2絶縁性樹脂65の第2の面および切り欠き部65aの側面に形成された第2接続導体63と、を具備している。
第1接続導体62は、第1貫通孔15を埋め込んで第1絶縁性樹脂64の表面および切り欠き部64aに形成された第1金属膜66と、第1金属膜66の表面および4側面を含む5面に形成された第2金属膜67とで構成されている。
同様に、第2接続導体63は、第2貫通孔17を埋め込んで第2絶縁性樹脂65の表面および切り欠き部65aに形成された第1金属膜68と、第1金属膜68の表面および4側面を含む5面に形成された第2金属膜69とで構成されている。
同様に、第2接続導体63は、第2貫通孔17を埋め込んで第2絶縁性樹脂65の表面および切り欠き部65aに形成された第1金属膜68と、第1金属膜68の表面および4側面を含む5面に形成された第2金属膜69とで構成されている。
第2金属膜67、69の側面の長さが、図1に示す第2金属膜22、24の側面の長と等しくなるように、切り欠き部64a、65aの側面の長さを設定することにより、図2に示すプリント基板30への実装性を維持したまま、半導体装置60の長さを、図1に示す半導体装置10より、ΔLだけ小さくすることが可能である。
図7は半導体装置60の製造工程の要部を順に示す断面図である。切り欠き部64a、65aの形成は、第1および第2貫通孔15、17を形成し、絶縁性樹脂41、44の残渣を除去し、第1および第2電極11、12、絶縁性樹脂41、44の全周にシードとなる銅膜を形成した後に行う。
図7(a)に示すように、ブレード70を用いてハーフダイシングすることにより、絶縁性樹脂41上にダイシングラインの幅より広い開口を有する凹部71を形成する。
同様に、絶縁性樹脂44上に凹部71と対向し、ダイシングラインの幅より広い開口を有する凹部72を形成する。
これにより、凹部71、72の側面とコーナ部側の底面とで構成される切り欠き部64a、65aが形成される。
同様に、絶縁性樹脂44上に凹部71と対向し、ダイシングラインの幅より広い開口を有する凹部72を形成する。
これにより、凹部71、72の側面とコーナ部側の底面とで構成される切り欠き部64a、65aが形成される。
次に、図7(b)に示すように、フォトリソグラフィ法により、凹部71に、図5(a)に示すレジスト膜46と等しい幅を有する格子状のレジスト膜73を形成する。同様に、凹部72にレジスト膜74を形成する。
次に、図7(c)に示すように、レジスト膜73、74をマスクとし、銅膜をシードとして、電解メッキ法により第1金属膜66、68となる銅膜を形成する。
これにより、第1貫通孔15を埋め込んで、絶縁性樹脂41の表面および切り欠き部64aの側面に第1金属膜66が形成される。
同様に、第2貫通孔17を埋め込んで、絶縁性樹脂44の表面および切り欠き部65aの側面に第1金属膜68が形成される。
これにより、第1貫通孔15を埋め込んで、絶縁性樹脂41の表面および切り欠き部64aの側面に第1金属膜66が形成される。
同様に、第2貫通孔17を埋め込んで、絶縁性樹脂44の表面および切り欠き部65aの側面に第1金属膜68が形成される。
次に、図5(c)と同様にして、レジスト膜73、74を除去した後、隣り合う半導体素子13の間のダイシングラインに沿って、絶縁性樹脂41、44を格子状にダイシングする。
これにより、第1電極11の外周部を含む半導体素子13の第1の面13aが第1絶縁性樹脂64で覆われ、第2電極12の外周部を含む半導体素子13の第2の面13bおよび半導体素子13の側面13cが第2絶縁性樹脂65で覆われ、第1および第2電極11、12の外周部を含む半導体素子13の周りを覆う絶縁性樹脂61が形成される。
これにより、第1電極11の外周部を含む半導体素子13の第1の面13aが第1絶縁性樹脂64で覆われ、第2電極12の外周部を含む半導体素子13の第2の面13bおよび半導体素子13の側面13cが第2絶縁性樹脂65で覆われ、第1および第2電極11、12の外周部を含む半導体素子13の周りを覆う絶縁性樹脂61が形成される。
次に、第1金属66、68の4側面と表面を含む5面全体に、例えばバレルメッキ法によりニッケル錫(Ni/Sn)膜を20〜30μm程度形成する。
これにより、第1接続導体62の第2金属膜67と、第2接続導体63の第2金属膜69が形成される。
これにより、第1接続導体62の第2金属膜67と、第2接続導体63の第2金属膜69が形成される。
これにより、絶縁性樹脂61が、半導体素子13を外部から保護するためのパッケージ、および外部に接続するための電極形成面として機能する半導体装置60が完成する。
以上説明したように、本実施例の半導体装置60は、第1および第2絶縁性樹脂64、65の側面に切り欠き部64a、65aが形成されている。
その結果、絶縁性樹脂61の表面から側面に架けて第1および第2接続導体62、63を形成することができるので、半導体装置60を更に小型化できる利点がある。
その結果、絶縁性樹脂61の表面から側面に架けて第1および第2接続導体62、63を形成することができるので、半導体装置60を更に小型化できる利点がある。
更に、第1金属膜67、68の膜厚を薄く低できるので、メッキ材料の削減、メッキ時間の短縮などが図られる利点がある。
また、第1金属膜67、68の膜厚を薄くしない場合は、第1および第2接続導体62、63の側面の長さが大きくなる。
その結果、プリント基板30に実装する際に、ハンダ付けされる面積が増加するので、接合強度が増加し、確実にプリント基板30に実装できる利点がある。
また、第1金属膜67、68の膜厚を薄くしない場合は、第1および第2接続導体62、63の側面の長さが大きくなる。
その結果、プリント基板30に実装する際に、ハンダ付けされる面積が増加するので、接合強度が増加し、確実にプリント基板30に実装できる利点がある。
上述した実施例において、半導体装置10、60が1つの半導体素子13を有する場合について説明したが、複数の半導体素子13を有する半導体装置(2in1、3in1など)であっても構わない。
その場合、例えば絶縁性樹脂14に、第1接続導体16と複数の第2接続導体18とを形成し、複数の第1電極11を第1接続導体16に共通接続し、複数の第2電極12を複数の第2接続導体18にそれぞれ接続する。
また、半導体素子13が2端子素子であるダイオードである場合について説明したが、3端子素子であるトランジスタとすることも可能である。
その場合、例えば絶縁性樹脂14に、第1接続導体16と複数の第2接続導体18とを形成し、複数の第1電極11を第1接続導体16に共通接続し、複数の第2電極12を複数の第2接続導体18にそれぞれ接続する。
また、半導体素子13が2端子素子であるダイオードである場合について説明したが、3端子素子であるトランジスタとすることも可能である。
10、60 半導体装置
11 第1電極
12 第2電極
13 半導体素子
14、61 絶縁性樹脂
15 第1貫通孔
16、62 第1接続導体
17 第2貫通孔
18、63 第2接続導体
19、62 第1絶縁性樹脂
20、63 第2絶縁性樹脂
21、23、66、68 第1金属膜
22、24、67、69 第2金属膜
30 プリント基板
31 基板
32a、32b 配線
33a、33b バンプ
34a、34b 半田
40 半導体ウェーハ
41、44 絶縁性樹脂
42、49、70 ブレード
43 溝
45 レーザ光
46、47、73、74 レジスト膜
48 粘着シート
71、72 凹部
11 第1電極
12 第2電極
13 半導体素子
14、61 絶縁性樹脂
15 第1貫通孔
16、62 第1接続導体
17 第2貫通孔
18、63 第2接続導体
19、62 第1絶縁性樹脂
20、63 第2絶縁性樹脂
21、23、66、68 第1金属膜
22、24、67、69 第2金属膜
30 プリント基板
31 基板
32a、32b 配線
33a、33b バンプ
34a、34b 半田
40 半導体ウェーハ
41、44 絶縁性樹脂
42、49、70 ブレード
43 溝
45 レーザ光
46、47、73、74 レジスト膜
48 粘着シート
71、72 凹部
Claims (5)
- 第1の面に形成された第1電極と、前記第1の面と反対の第2の面に形成された第2電極とを有する半導体素子と、
前記第1および第2電極の外周部を含む前記半導体素子の周りを覆う絶縁性樹脂と、
前記第1電極と対向する前記絶縁性樹脂の第1の面から前記第1電極に至る第1貫通孔を埋め込んで、前記絶縁性樹脂の前記第1の面に形成された第1接続導体と、
前記第2電極と対向する前記絶縁性樹脂の第2の面から前記第2電極に至る第2貫通孔を埋め込んで、前記絶縁性樹脂の前記第2の面に形成された第2接続導体と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1接続導体が前記絶縁性樹脂の前記第1の面から側面に架けて形成され、前記第2接続導体が前記絶縁性樹脂の前記第2の面から側面に架けて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記絶縁性樹脂が、
前記第1電極の外周部を含む前記半導体素子の前記第1の面を覆う第1絶縁性樹脂と、
前記第2電極の外周部を含む前記半導体素子の前記第2の面および前記半導体素子の側面を覆う第2絶縁性樹脂と、
を具備することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1貫通孔が前記第1電極側から前記第1接続導体側に向かって末広がり状であり、前記第2貫通孔が前記第2電極側から前記第2接続導体側に向かって末広がり状であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 半導体素子が形成された半導体ウェーハの第1の面に前記半導体素子に接続された第1電極を形成し、前記第1の面と反対の第2の面に前記半導体素子に接続された第2電極を形成する工程と、
前記第1電極の外周部を含む前記半導体ウェーハの前記第1の面に、第1絶縁性樹脂を形成する工程と、
前記半導体ウェーハの前記第2の面側から前記半導体ウェーハをダイシングし、前記第1絶縁性樹脂に至る溝を形成する工程と、
前記溝を埋め込んで、前記第2電極の外周部を含む前記半導体ウェーハの前記第2の面に、第2絶縁性樹脂を形成する工程と、
前記第1絶縁性樹脂から前記第1電極に至る第1貫通孔と、前記第2絶縁性樹脂から前記第2電極に至る第2貫通孔とを形成する工程と、
前記第1貫通孔を埋め込んで、前記第1絶縁性樹脂上に第1接続導体を形成し、前記第2貫通孔を埋め込んで、前記第2絶縁性樹脂上に第2接続導体を形成する工程と、
前記埋め込まれた溝に沿って、前記第1および第2絶縁性樹脂をダイシングする工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007329245A JP2009152408A (ja) | 2007-12-20 | 2007-12-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007329245A JP2009152408A (ja) | 2007-12-20 | 2007-12-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009152408A true JP2009152408A (ja) | 2009-07-09 |
Family
ID=40921206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007329245A Pending JP2009152408A (ja) | 2007-12-20 | 2007-12-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009152408A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102142464A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-03 | 株式会社东芝 | 表面安装型二极管及其制造方法 |
JP2011155082A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2013030793A (ja) * | 2008-07-28 | 2013-02-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
CN108376714A (zh) * | 2018-03-01 | 2018-08-07 | 山东沂光集成电路有限公司 | 一种sma贴片二极管 |
-
2007
- 2007-12-20 JP JP2007329245A patent/JP2009152408A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013030793A (ja) * | 2008-07-28 | 2013-02-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2011155082A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
CN102142464A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-03 | 株式会社东芝 | 表面安装型二极管及其制造方法 |
JP2011159761A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Toshiba Corp | 表面実装型ダイオードとその製造方法 |
CN108376714A (zh) * | 2018-03-01 | 2018-08-07 | 山东沂光集成电路有限公司 | 一种sma贴片二极管 |
CN108376714B (zh) * | 2018-03-01 | 2021-03-16 | 山东沂光集成电路有限公司 | 一种sma贴片二极管 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9806050B2 (en) | Method of fabricating package structure | |
KR100419352B1 (ko) | 반도체장치용 패키지 및 그의 제조방법 | |
KR101610969B1 (ko) | 배선기판 및 그 제조방법 | |
US6740964B2 (en) | Semiconductor package for three-dimensional mounting, fabrication method thereof, and semiconductor device | |
US8252630B2 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, flip chip package having the semiconductor device and method of manufacturing the flip chip package | |
US20110057323A1 (en) | Packaging structure having embedded semiconductor element and method for fabricating the same | |
US20040136123A1 (en) | Circuit devices and method for manufacturing the same | |
US8378479B2 (en) | Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device | |
US9607860B2 (en) | Electronic package structure and fabrication method thereof | |
US20120097430A1 (en) | Packaging substrate and method of fabricating the same | |
JP2010050286A (ja) | 半導体装置 | |
JP2009105301A (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法、半導体パッケージを備える半導体装置 | |
JP2009152408A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US11302623B2 (en) | Electronic device | |
US11764130B2 (en) | Semiconductor device | |
US20160007463A1 (en) | Electronic device module and method of manufacturing the same | |
US11452210B2 (en) | Wiring substrate and electronic device | |
US7638882B2 (en) | Flip-chip package and method of forming thereof | |
JP7154818B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2007149763A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、並びに電子装置 | |
JP2005260079A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP7467214B2 (ja) | 配線基板、電子装置及び配線基板の製造方法 | |
JP2006114696A (ja) | 半導体装置 | |
JP2023060343A (ja) | 半導体モジュール | |
CN114496975A (zh) | 半导体封装和制造半导体封装的方法 |