JP2009149727A - フィルム状接着剤、それを用いた半導体パッケージ、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】接着剤組成物をフィルム状に成形してなるフィルム状接着剤であって、前記接着剤組成物が、(A)エポキシ樹脂、(B)シリカ、(C)エポキシ樹脂硬化剤及び(D)有機溶剤を含有するものであり、前記接着剤組成物中の前記(B)シリカの含有比率が固形分換算で10〜50質量%の範囲内にあり、前記(C)エポキシ樹脂硬化剤が前記(D)有機溶剤に対する耐性及び150℃以上の融点を有するものであり、且つ、前記フィルム状接着剤が、室温から10℃/分の昇温速度で昇温した場合における測定温度と溶融粘度との関係が特定の条件を満たすものであることを特徴とするフィルム状接着剤。
【選択図】なし
Description
前記接着剤組成物が、(A)エポキシ樹脂、(B)シリカ、(C)エポキシ樹脂硬化剤及び(D)有機溶剤を含有するものであり、前記接着剤組成物中の前記(B)シリカの含有比率が固形分換算で10〜50質量%の範囲内にあり、前記(C)エポキシ樹脂硬化剤が前記(D)有機溶剤に対する耐性及び150℃以上の融点を有するものであり、且つ、
前記フィルム状接着剤が、室温から10℃/分の昇温速度で昇温した場合における測定温度と溶融粘度との関係が下記条件(i)及び(ii):
(i)溶融粘度(η)が最低となる最低溶融粘度(ηmin)が10〜1000Pa・sの範囲内にあること、
(ii)溶融粘度(η)が下記数式(F1):
η ≦ ηmin × 1.1 〔Pa・s〕 ・・・(F1)
で表される条件を満たす粘度安定温度領域に入る温度(T1)と前記粘度安定温度領域を出る温度(T2)とが下記数式(F2)及び(F3):
70 ≦ T1 ≦ 120 〔℃〕 ・・・(F2)
10 ≦ T2 − T1 〔℃〕 ・・・(F3)
で表される条件を満たすこと、
を満たすものであることを特徴とするものである。
で表されるヒドラジド化合物であることが好ましい。
(i)溶融粘度(η)が最低となる最低溶融粘度(ηmin)が10〜1000Pa・sの範囲内(好ましくは100〜1000Pa・sの範囲内、より好ましくは100〜500Pa・sの範囲内)にあること、を満たすことが必要である。最低溶融粘度が10Pa・s未満では、接着剤が半導体素子側面から表面へはい上がる現象が発生し、配線基板上ワイヤーパッドまで流れ出し汚染するといった不具合が発生する。他方、最低溶融粘度が1000Pa・sを超えると、フィルム状接着剤が凹凸のある配線基板の面によく追従することができずに、凹凸の溝に空隙が発生する。
(ii)溶融粘度(η)が下記数式(F1):
η ≦ ηmin × 1.1 〔Pa・s〕 ・・・(F1)
で表される条件を満たす粘度安定温度領域に入る温度(T1)と前記粘度安定温度領域を出る温度(T2)とが下記数式(F2)及び(F3):
70 ≦ T1 ≦ 120 〔℃〕 ・・・(F2)
10 ≦ T2 − T1 〔℃〕 ・・・(F3)
で表される条件を満たすこと、を満たすことが必要である。本発明のフィルム状接着剤について上記のような測定を行った場合には、図1に示すように、先ずは温度の上昇に伴い溶融粘度が低くなるが、特定の溶融粘度に達した後には温度の上昇に対する溶融粘度の変化が小さくなって安定し、その後溶融粘度が最低となった後に、温度の上昇に対する溶融粘度の変化が徐々に大きくなり、温度の上昇に伴い溶融粘度が高くなる傾向にある。本明細書においては、このように温度の上昇に対する溶融粘度の変化が小さい温度領域のことを粘度安定温度領域といい、より具体的には、溶融粘度(η)が前記数式(F1)で表される条件を満たしている温度領域であり、且つこのような温度領域に入る温度(T1)とこのような温度領域を出る温度(T2)とが前記数式(F3)で表される条件を満たしている温度領域のことを粘度安定温度領域という。そして、このような粘度安定温度領域に入る温度(T1)が前記数式(F2)で表される条件を満たすことにより、すなわち、前記温度(T1)が70〜120℃の範囲内にあることにより、半導体素子を配線基板に搭載することが可能な温度範囲を広くすることが可能となる。前記温度(T1)が70℃未満では、フィルム状接着剤の硬化性が高すぎるため、温度の上昇に伴う粘度上昇が大きくなり、却って半導体素子を配線基板に搭載することが可能な温度範囲が狭くなり、他方、120℃を超えると、低温領域において半導体素子を配線基板に搭載した場合に空気の巻き込み等の不良が発生するため、半導体素子を配線基板に搭載することが可能な温度範囲が狭くなる。なお、半導体素子を配線基板に搭載することが可能な温度範囲をより広くするという観点から、前記(T2−T1)の値は、20℃以上であることが好ましく、30℃以上であることがより好ましい。
熱硬化前のフィルム状接着剤を2.5cm×2.5cmの大きさに切り取り、真空ラミネーター装置(名機製作所社製、商品名「MVLP−500」)で温度50℃、圧力0.3MPa、貼り合わせ時間10秒間の条件で、厚みが300μmとなるように貼り合わせて試料を得た。得られた試料について、溶融粘度測定装置(HAAKE社製、商品名「レオストレスRS−150」)を用い、昇温速度10℃/分にて温度20〜200℃の範囲における溶融粘度の変化を測定した。得られた温度−粘度曲線から、先ず、最低溶融粘度(ηmin)を読み取り、次に、溶融粘度(η)が下記数式(F1):
η ≦ ηmin × 1.1 ・・・(F1)
で表される条件を満たしている温度範囲を「粘度安定温度範囲」として読み取った。そして、前記粘度安定温度範囲に入る温度(T1)、並びに前記粘度安定温度範囲に入った後に硬化反応に伴い粘度上昇開始したときの温度、すなわち、前記粘度安定温度領域を出る温度(T2)を温度−粘度曲線から読み取り、その後、(T2−T1)の値を算出した。
先ず、マニュアルラミネーター(テクノビジョン社製、商品名「FM−114」)を使用して、熱硬化前のフィルム状接着剤をシリコンダミーウェハに貼り付け、更にダイシングテープを貼り付けた。次に、ダイシング装置(ディスコ社製、商品名「DFD380」)を使用して、8mm×8mmの大きさの接着剤付き半導体素子に個片化した。次いで、ダイボンダー装置(日立社製、商品名「PB−150」)を使用して、ステージ温度を変えて個片化した接着剤付き半導体素子をガラス基板にダイアタッチして試料を得た。得られた試料を光学顕微鏡にて観察することによりダイアタッチ性を評価した。すなわち、ガラス基板側から光学顕微鏡にて観察して50μmサイズ以下のボイドがなく、また半導体素子側から光学顕微鏡にて観察してチップ表面に樹脂のはい上がりがない場合をダイアタッチ性が良好と判定した。そして、ステージ温度を変えてダイアタッチした試料について上記項目をそれぞれ評価し、ダイアタッチ性が良好な温度領域を測定した。なお、ダイアタッチ性が良好な温度領域が30℃以上である場合を「○」と判定し、10℃以上で30℃未満である場合を「△」と判定し、10℃以下である場合を「×」と判定した。
XD−1000(ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、軟化点:約70℃、日本化薬社製)60g、YP−50S(フェノキシ樹脂、軟化点:約100℃、東都化成社製)20g、エピコート828(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、東都化成社製)44g、70gのMIBK(メチルイソブチルケトン)をそれぞれ秤量し、500mlのセパラブルフラスコ中、温度110℃で2時間加熱攪拌して樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニス187gを800mlのプラネタリーミキサーに秤量し、FB−3SDX(球状シリカ、平均粒径:3μm、デンカ社製)78gを加えて混合したものを3本ロールで混練した。得られた混練物に、SDH(セバシン酸ジヒドラジド、日本ファインケム製)27g、を加えてプラネタリーミキサーで攪拌混合後、真空脱泡して接着剤組成物を得た。得られた接着剤組成物を厚み50μmの離型処理されたPETフィルム上に塗布後、温度80℃で10分間、温度150℃で1分間熱風乾燥させ、厚み30μmのフィルム状接着剤を得た。
SDHに代えてN−12(ドデカン二酸ジヒドラジド、日本ファインケム製)34gを用いた以外は実施例1と同様にしてフィルム状接着剤を得た。
XD−1000に代えてNC−3000−H(ビフェニル型エポキシ樹脂、日本化薬製)60gを用いた以外は実施例2と同様にしてフィルム状接着剤を得た。
球状シリカFB−3SDXの添加量を155gとした以外は実施例2と同様にしてフィルム状接着剤を得た。
XD−1000(ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、軟化点:約70℃、日本化薬社製)60g、YP−50S(フェノキシ樹脂、軟化点:約100℃、東都化成社製)20g、エピコート828(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、東都化成社製)44g、70gのMIBK(メチルイソブチルケトン)をそれぞれ秤量し、500mlのセパラブルフラスコ中、温度110℃で2時間加熱攪拌して樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニス187gを800mlのプラネタリーミキサーに秤量し、FB−3SDX(球状シリカ、平均粒径:3μm、デンカ社製)78gを加えて混合したものを3本ロールで混練した。得られた混練物に、AH−150(ジシアンジアミド、味の素社製)6g、HX−3722(マイクロカプセル型イミダゾール系潜在性硬化剤、旭化成エポキシ(株)製)2g、粘度調整剤としてBYK−405(ポリヒドロキシカルボン酸アミド溶液型粘度調整剤、ビックケミー・ジャパン社製)15gを加えてプラネタリーミキサーで攪拌混合後、真空脱泡して接着剤組成物を得た。得られた接着剤組成物を厚み50μmの離型処理されたPETフィルム上に塗布後、温度80℃で10分間、温度150℃で1分間熱風乾燥させ、厚み30μmのフィルム状接着剤を得た。
粘度調整剤BYK−405を使用しなかった以外は実施例5と同様にしてフィルム状接着剤を得た。
球状シリカFB−3SDX及び粘度調整剤BYK−405を使用しなかった以外は実施例5と同様にしてフィルム状接着剤を得た。
球状シリカFB−3SDXの添加量を340gとした以外は実施例2と同様にしてフィルム状接着剤を得た。
SDHに代えて2MA(イミダゾール系硬化剤、四国化成社製)5g用いた以外は実施例1と同様にしてフィルム状接着剤を得た。
実施例1〜5及び比較例1〜4で得られたフィルム状接着剤について、溶融粘度(最低溶融粘度(ηmin)、粘度安定温度範囲に入る温度(T1)、粘度安定温度領域を出る温度(T2)、及び(T2−T1)の値)及びダイアタッチ可能温度領域を、上記の方法で評価した。得られた結果を表1に示す。また、実施例1〜5及び比較例1〜4で得られたフィルム状接着剤における配合組成を表1に示す。
Claims (6)
- 接着剤組成物をフィルム状に成形してなるフィルム状接着剤であって、
前記接着剤組成物が、(A)エポキシ樹脂、(B)シリカ、(C)エポキシ樹脂硬化剤及び(D)有機溶剤を含有するものであり、前記接着剤組成物中の前記(B)シリカの含有比率が固形分換算で10〜50質量%の範囲内にあり、前記(C)エポキシ樹脂硬化剤が前記(D)有機溶剤に対する耐性及び150℃以上の融点を有するものであり、且つ、
前記フィルム状接着剤が、室温から10℃/分の昇温速度で昇温した場合における測定温度と溶融粘度との関係が下記条件(i)及び(ii):
(i)溶融粘度(η)が最低となる最低溶融粘度(ηmin)が10〜1000Pa・sの範囲内にあること、
(ii)溶融粘度(η)が下記数式(F1):
η ≦ ηmin × 1.1 〔Pa・s〕 ・・・(F1)
で表される条件を満たす粘度安定温度領域に入る温度(T1)と前記粘度安定温度領域を出る温度(T2)とが下記数式(F2)及び(F3):
70 ≦ T1 ≦ 120 〔℃〕 ・・・(F2)
10 ≦ T2 − T1 〔℃〕 ・・・(F3)
で表される条件を満たすこと、
を満たすものであることを特徴とするフィルム状接着剤。 - 前記接着剤組成物が(E)粘度調整剤として界面活性剤を更に含有することを特徴とする請求項1又は2に記載のフィルム状接着剤。
- 前記フィルム状接着剤の厚みが10〜150μmの範囲であることを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載のフィルム状接着剤。
- 少なくとも一つの半導体素子が形成されたウェハの裏面に請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載のフィルム状接着剤を形成し、その後前記フィルム状接着剤の表面にダイシングテープを貼り合せた後に、前記フィルム状接着剤と前記ウェハとを同時にダイシングすることにより接着剤付き半導体素子を得る工程と、前記接着剤付き半導体素子をダイシングテープから剥がし被着体である配線基板とダイアタッチする工程とを含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
- 請求項5に記載の半導体パッケージの製造方法により得られるものであることを特徴とする半導体パッケージ。
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